JP2002145666A - 弾性表面波素子用圧電磁器組成物及び弾性表面波フィルタ - Google Patents
弾性表面波素子用圧電磁器組成物及び弾性表面波フィルタInfo
- Publication number
- JP2002145666A JP2002145666A JP2001209561A JP2001209561A JP2002145666A JP 2002145666 A JP2002145666 A JP 2002145666A JP 2001209561 A JP2001209561 A JP 2001209561A JP 2001209561 A JP2001209561 A JP 2001209561A JP 2002145666 A JP2002145666 A JP 2002145666A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- piezoelectric ceramic
- ceramic composition
- piezoelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 18
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 18
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 18
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- -1 carbonate compound Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
- C04B35/491—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8548—Lead-based oxides
- H10N30/8554—Lead-zirconium titanate [PZT] based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 インピーダンス比及び電気機械結合係数を高
め得る、弾性表面波素子用圧電磁器組成物及び弾性表面
波フィルタを提供する。 【解決手段】 ＰｂaＺｒxＴｉy（ＮｉmＭｎnＮｂ2/3)z
Ｏ3 で表され、但しｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、０．９３≦
ａ≦１．０２、０．３２≦ｘ≦０．５０、０．４１≦ｙ
≦０．５４、０．０３≦ｚ≦０．２１及び０．２４≦ｍ
＋ｎ≦０．６７である弾性表面波素子用圧電磁器組成物
及び圧電基板と、該圧電基板の表面に形成されたＩＤＴ
とを有するＳＨタイプの弾性表面波フィルタであって、
前記圧電基板が、上記圧電磁器組成物からなる弾性表面
波フィルタ。
め得る、弾性表面波素子用圧電磁器組成物及び弾性表面
波フィルタを提供する。 【解決手段】 ＰｂaＺｒxＴｉy（ＮｉmＭｎnＮｂ2/3)z
Ｏ3 で表され、但しｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、０．９３≦
ａ≦１．０２、０．３２≦ｘ≦０．５０、０．４１≦ｙ
≦０．５４、０．０３≦ｚ≦０．２１及び０．２４≦ｍ
＋ｎ≦０．６７である弾性表面波素子用圧電磁器組成物
及び圧電基板と、該圧電基板の表面に形成されたＩＤＴ
とを有するＳＨタイプの弾性表面波フィルタであって、
前記圧電基板が、上記圧電磁器組成物からなる弾性表面
波フィルタ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波素子に
用いられる圧電磁器組成物に関し、より詳細には、イン
ピーダンス比及び結合係数を改善し得る弾性表面波素子
用圧電磁器組成物及び弾性表面波フィルタに関する。
用いられる圧電磁器組成物に関し、より詳細には、イン
ピーダンス比及び結合係数を改善し得る弾性表面波素子
用圧電磁器組成物及び弾性表面波フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高周波を用いた移動体通信機器の
進歩により、用いられる部品、例えば共振子やフィルタ
などにおいて、高周波化及び小型化が求められている。
高周波化及び小型化を進める上で有利であるため、共振
子やフィルタとして、弾性表面波素子が使用されてきて
いる。
進歩により、用いられる部品、例えば共振子やフィルタ
などにおいて、高周波化及び小型化が求められている。
高周波化及び小型化を進める上で有利であるため、共振
子やフィルタとして、弾性表面波素子が使用されてきて
いる。
【０００３】弾性表面波素子では、圧電性基板上に少な
くとも一対の櫛形電極からなるインターデジタルトラン
スデューサ（ＩＤＴ）が構成されており、該ＩＤＴによ
り弾性表面波の励振あるいは受信が行われる。弾性表面
波素子の圧電性基板材料としては、ＬｉＴａＯ3 、Ｌｉ
ＮｂＯ3 などの圧電単結晶、またはＰｂＴｉＯ3 、Ｐｂ
（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 などを主成分とする圧電セラミック
スが用いられている。また、絶縁基板もしくは圧電基板
上に、ＺｎＯ薄膜などの圧電薄膜を積層したものも、弾
性表面波素子の圧電性基板として用いられている。
くとも一対の櫛形電極からなるインターデジタルトラン
スデューサ（ＩＤＴ）が構成されており、該ＩＤＴによ
り弾性表面波の励振あるいは受信が行われる。弾性表面
波素子の圧電性基板材料としては、ＬｉＴａＯ3 、Ｌｉ
ＮｂＯ3 などの圧電単結晶、またはＰｂＴｉＯ3 、Ｐｂ
（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 などを主成分とする圧電セラミック
スが用いられている。また、絶縁基板もしくは圧電基板
上に、ＺｎＯ薄膜などの圧電薄膜を積層したものも、弾
性表面波素子の圧電性基板として用いられている。
【０００４】圧電単結晶と圧電セラミックスとを比較し
た場合、音速は圧電セラミックスの方が遅いので、圧電
セラミックスからなる圧電性基板は、弾性表面波素子の
小型化を図る上で好ましい。
た場合、音速は圧電セラミックスの方が遅いので、圧電
セラミックスからなる圧電性基板は、弾性表面波素子の
小型化を図る上で好ましい。
【０００５】また、用途によって、求められる圧電性基
板材料の結合係数は異なるが、圧電単結晶では、種類及
びカット角により結合係数が一義的に定まってしまう。
すなわち、圧電単結晶を用いた弾性表面波素子では、単
結晶の種類及びカット角により、圧電特性や温度特性が
一義的に決定され、素子の設計の自由度が小さくならざ
るを得なかった。
板材料の結合係数は異なるが、圧電単結晶では、種類及
びカット角により結合係数が一義的に定まってしまう。
すなわち、圧電単結晶を用いた弾性表面波素子では、単
結晶の種類及びカット角により、圧電特性や温度特性が
一義的に決定され、素子の設計の自由度が小さくならざ
るを得なかった。
【０００６】これに対して、Ｐｂ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 系
セラミックスなどの圧電セラミックスでは、組成を制御
することにより圧電特性を広い範囲で変化させることが
できる。
セラミックスなどの圧電セラミックスでは、組成を制御
することにより圧電特性を広い範囲で変化させることが
できる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、圧電セ
ラミックスを弾性表面波素子の圧電性基板として用いた
場合、１０ＭＨｚを超える高周波領域においては、イン
ピーダンス比、すなわち反共振周波数Ｆａにおけるイン
ピーダンスの共振周波数Ｆｒにおけるインピーダンスに
対する比が小さいという問題があった。
ラミックスを弾性表面波素子の圧電性基板として用いた
場合、１０ＭＨｚを超える高周波領域においては、イン
ピーダンス比、すなわち反共振周波数Ｆａにおけるイン
ピーダンスの共振周波数Ｆｒにおけるインピーダンスに
対する比が小さいという問題があった。
【０００８】本発明の目的は、高周波領域においても高
いインピーダンス比を得ることができる弾性表面波素子
用圧電磁器組成物及び該圧電磁器組成物を用いた弾性表
面波フィルタを提供することにある。
いインピーダンス比を得ることができる弾性表面波素子
用圧電磁器組成物及び該圧電磁器組成物を用いた弾性表
面波フィルタを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の広い局面によれ
ば、ＰｂaＺｒxＴｉy（ＮｉmＭｎnＮｂ2/3)zＯ3 で表さ
れ、但しｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、０．９３≦ａ≦１．０
２、０．３２≦ｘ≦０．５０、０．４１≦ｙ≦０．５
４、０．０３≦ｚ≦０．２１及び０．２４≦ｍ＋ｎ≦
０．６７である弾性表面波素子用圧電磁器組成物が提供
される。
ば、ＰｂaＺｒxＴｉy（ＮｉmＭｎnＮｂ2/3)zＯ3 で表さ
れ、但しｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、０．９３≦ａ≦１．０
２、０．３２≦ｘ≦０．５０、０．４１≦ｙ≦０．５
４、０．０３≦ｚ≦０．２１及び０．２４≦ｍ＋ｎ≦
０．６７である弾性表面波素子用圧電磁器組成物が提供
される。
【００１０】本願発明者らは、上記課題を達成すべく鋭
意検討した結果、少なくともＰｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｎｂ、
Ｔｉ、Ｚｒ及びＯの元素で構成される圧電磁器組成物に
おいて、上記組成式を満たすように構成することによ
り、該圧電磁器組成物を圧電基板として用いた弾性表面
波素子において前述したインピーダンス比を効果的に改
善し得ることを見い出した。
意検討した結果、少なくともＰｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｎｂ、
Ｔｉ、Ｚｒ及びＯの元素で構成される圧電磁器組成物に
おいて、上記組成式を満たすように構成することによ
り、該圧電磁器組成物を圧電基板として用いた弾性表面
波素子において前述したインピーダンス比を効果的に改
善し得ることを見い出した。
【００１１】本発明に係る圧電磁器組成物は、上記組成
式で示されている各元素の酸化物あるいは炭酸化合物を
主原料として構成されるが、金属や他の化合物またはこ
れらの複合酸化物などを原料として用いて構成してもよ
い。なお、各原料に不純物が含まれる可能性があるが、
試薬１級以上の純度があれば特に影響されるものではな
い。さらに、製造時に、Ａｌ2Ｏ3 やＳｉＯ2 が混入す
る恐れがあるが、これらの不純物の濃度が１０００ｐｐ
ｍ以下であれば特に圧電特性の大きな劣化は生じない。
式で示されている各元素の酸化物あるいは炭酸化合物を
主原料として構成されるが、金属や他の化合物またはこ
れらの複合酸化物などを原料として用いて構成してもよ
い。なお、各原料に不純物が含まれる可能性があるが、
試薬１級以上の純度があれば特に影響されるものではな
い。さらに、製造時に、Ａｌ2Ｏ3 やＳｉＯ2 が混入す
る恐れがあるが、これらの不純物の濃度が１０００ｐｐ
ｍ以下であれば特に圧電特性の大きな劣化は生じない。
【００１２】本発明において、ａが０．９３未満あるい
は１．０２を超えると、焼結性が低下し、焼結性が悪
く、十分な強度を有する焼結体が得られない。また、ｘ
が０．３２未満、あるいは０．５０を超えると、インピ
ーダンス比及び電気機械結合係数が低下する。同様に、
ｙが０．４１未満になると、インピーダンス比は高いも
のの、耐熱性が著しく悪化する。あるいは０．５４を超
えると、電気機械結合係数やインピーダンス比が低下す
る。ｚは、０．０３未満の場合、あるいは０．２１を超
える場合も、同様にインピーダンス比及び電気機械結合
係数が低下する。
は１．０２を超えると、焼結性が低下し、焼結性が悪
く、十分な強度を有する焼結体が得られない。また、ｘ
が０．３２未満、あるいは０．５０を超えると、インピ
ーダンス比及び電気機械結合係数が低下する。同様に、
ｙが０．４１未満になると、インピーダンス比は高いも
のの、耐熱性が著しく悪化する。あるいは０．５４を超
えると、電気機械結合係数やインピーダンス比が低下す
る。ｚは、０．０３未満の場合、あるいは０．２１を超
える場合も、同様にインピーダンス比及び電気機械結合
係数が低下する。
【００１３】さらに、ｍ＋ｎが、０．２４未満及び０．
６７を超えると、焼結性が悪く、異相を多く含むように
なり、所望の焼結体が得られない。特に、ｍ＋ｎが、
０．４６以上、０．６７以下、ｍが０．０１〜０．６６
及びｎが０．０１〜０．６６の範囲にある場合、電気機
械結合係数を効果的に高めることができ、好ましい。
６７を超えると、焼結性が悪く、異相を多く含むように
なり、所望の焼結体が得られない。特に、ｍ＋ｎが、
０．４６以上、０．６７以下、ｍが０．０１〜０．６６
及びｎが０．０１〜０．６６の範囲にある場合、電気機
械結合係数を効果的に高めることができ、好ましい。
【００１４】本発明に係る弾性表面波素子用圧電磁器組
成物では、ペロブスカイト構造を有する酸化物が主成分
となっており、ペロブスカイト構造のＡサイトを構成し
ているＰｂが、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒの少なくとも１以上の
元素により置換されていてもよく、その場合においても
圧電特性の劣化は生じ難い。この場合、Ｐｂ元素のＳ
ｒ、ＢａまたはＣａによる置換割合は、Ｐｂの１０モル
％以下の範囲とされる。
成物では、ペロブスカイト構造を有する酸化物が主成分
となっており、ペロブスカイト構造のＡサイトを構成し
ているＰｂが、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒの少なくとも１以上の
元素により置換されていてもよく、その場合においても
圧電特性の劣化は生じ難い。この場合、Ｐｂ元素のＳ
ｒ、ＢａまたはＣａによる置換割合は、Ｐｂの１０モル
％以下の範囲とされる。
【００１５】また、好ましくは、本発明に係る圧電磁器
組成物では、結晶粒径が３μｍ以下とされる。さらに、
本発明に係る圧電磁器組成物では、焼結体中に形成され
るポアや欠陥の大きさが好ましくは３μｍ以下とされ
る。
組成物では、結晶粒径が３μｍ以下とされる。さらに、
本発明に係る圧電磁器組成物では、焼結体中に形成され
るポアや欠陥の大きさが好ましくは３μｍ以下とされ
る。
【００１６】本発明に係る圧電磁器組成物の他の特定の
局面では、共振周波数の温度に対する変化率の絶対値が
１００ｐｐｍ／℃以下とされる。本発明に係る圧電磁器
組成物は、ＳＨタイプの弾性表面波を利用した弾性表面
波素子に好適に用いられ、その場合には、レイリー波を
利用した弾性表面波素子に比べて、ＳＨタイプの表面波
を利用しているものであるため、弾性表面波素子のより
一層の小型化を図ることができる。
局面では、共振周波数の温度に対する変化率の絶対値が
１００ｐｐｍ／℃以下とされる。本発明に係る圧電磁器
組成物は、ＳＨタイプの弾性表面波を利用した弾性表面
波素子に好適に用いられ、その場合には、レイリー波を
利用した弾性表面波素子に比べて、ＳＨタイプの表面波
を利用しているものであるため、弾性表面波素子のより
一層の小型化を図ることができる。
【００１７】本発明のある特定の局面では、圧電基板
と、該圧電基板の表面に形成されたＩＤＴとを有するＳ
Ｈタイプの弾性表面波フィルタであって、前記圧電基板
が、本発明の圧電磁器組成物からなることを特徴とする
弾性表面波フィルタが提供される。
と、該圧電基板の表面に形成されたＩＤＴとを有するＳ
Ｈタイプの弾性表面波フィルタであって、前記圧電基板
が、本発明の圧電磁器組成物からなることを特徴とする
弾性表面波フィルタが提供される。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施例を
説明することにより、本発明をより詳細に説明する。
説明することにより、本発明をより詳細に説明する。
【００１９】原料として、Ｐｂ3Ｏ4 、ＮｉＯ、ＭｎＣ
Ｏ3 、Ｎｂ2Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ 2 の各粉末を用意
した。これらの粉末を下記の表１〜表５に示す組成を有
するように秤量し、水を加え、ボールミルで湿式混合
し、スラリーを得た。
Ｏ3 、Ｎｂ2Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ 2 の各粉末を用意
した。これらの粉末を下記の表１〜表５に示す組成を有
するように秤量し、水を加え、ボールミルで湿式混合
し、スラリーを得た。
【００２０】得られたスラリーを脱水し、オーブンにて
混合粉末を乾燥し、整粒した。しかる後、整粒された混
合粉末をアルミナからなる匣に入れ、８００〜１０００
℃の温度で仮焼し、仮焼原料を得た。
混合粉末を乾燥し、整粒した。しかる後、整粒された混
合粉末をアルミナからなる匣に入れ、８００〜１０００
℃の温度で仮焼し、仮焼原料を得た。
【００２１】上記仮焼原料にバインダ及び分散剤を加
え、ボールミルで湿式混合し、第２のスラリーを得た。
この第２のスラリーを平面形状が正方形の型内に流し込
み、注型成形を行った。このようにして得られた正方形
板状の成形体を３００〜６００℃で脱脂した後、１００
０〜１３００℃の酸素雰囲気中で焼成し、焼結体を得
た。
え、ボールミルで湿式混合し、第２のスラリーを得た。
この第２のスラリーを平面形状が正方形の型内に流し込
み、注型成形を行った。このようにして得られた正方形
板状の成形体を３００〜６００℃で脱脂した後、１００
０〜１３００℃の酸素雰囲気中で焼成し、焼結体を得
た。
【００２２】得られた焼結体をラップ研磨し、表面仕上
げを行い、５ｃｍ×５ｃｍ×厚み０．４〜０．８ｍｍの
圧電基板を得た。上記のようにして得た圧電基板に分極
用電極を形成し、１００℃のオイル中で３ｋＶ／ｍｍの
電界強度で分極を行った。しかる後、２００℃の温度で
１時間エージングを行った。
げを行い、５ｃｍ×５ｃｍ×厚み０．４〜０．８ｍｍの
圧電基板を得た。上記のようにして得た圧電基板に分極
用電極を形成し、１００℃のオイル中で３ｋＶ／ｍｍの
電界強度で分極を行った。しかる後、２００℃の温度で
１時間エージングを行った。
【００２３】エージングされた圧電基板上に、フォトリ
ソグラフィにより複数のＩＤＴを形成し、さらに該圧電
基板を切り出すことにより個々の弾性表面波素子を得
た。このようにして得られた弾性表面波素子を、図２に
示す。
ソグラフィにより複数のＩＤＴを形成し、さらに該圧電
基板を切り出すことにより個々の弾性表面波素子を得
た。このようにして得られた弾性表面波素子を、図２に
示す。
【００２４】弾性表面波素子１では、上記圧電磁器組成
物からなる圧電基板２上にＩＤＴ３が形成されている。
また、ＩＤＴ３の最外側の電極指が圧電基板２の端面２
ａ，２ｂと上面とのなす端縁に至るように形成されてい
る。弾性表面波素子１は、ＳＨタイプの表面波としての
ＢＧＳ波を利用した端面反射型の表面波共振子である。
ここでは、端面反射型であるため、反射器を必要としな
い。従って、小型化を図ることができる。
物からなる圧電基板２上にＩＤＴ３が形成されている。
また、ＩＤＴ３の最外側の電極指が圧電基板２の端面２
ａ，２ｂと上面とのなす端縁に至るように形成されてい
る。弾性表面波素子１は、ＳＨタイプの表面波としての
ＢＧＳ波を利用した端面反射型の表面波共振子である。
ここでは、端面反射型であるため、反射器を必要としな
い。従って、小型化を図ることができる。
【００２５】上記弾性表面波素子１を得るにあたり、前
述のように原料の組成を種々変更し、試料番号１〜７８
の弾性表面波素子を作製し、ＢＧＳ波の電気機械結合係
数ｋＢＧＳ（％）、インピーダンス比ＡＴＴ（ｄＢ）及
び共振周波数の温度変化率（ｐｐｍ／℃）を測定した。
また、各圧電基板における粒径をＳＥＭ観察により求め
た。結果を図１及び表１〜表５に示す。
述のように原料の組成を種々変更し、試料番号１〜７８
の弾性表面波素子を作製し、ＢＧＳ波の電気機械結合係
数ｋＢＧＳ（％）、インピーダンス比ＡＴＴ（ｄＢ）及
び共振周波数の温度変化率（ｐｐｍ／℃）を測定した。
また、各圧電基板における粒径をＳＥＭ観察により求め
た。結果を図１及び表１〜表５に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【表２】
【００２８】
【表３】
【００２９】
【表４】
【００３０】
【表５】
【００３１】表１，２に示す試料番号１〜３８は、上記
組成式において、ａ＝１及びｍ＋ｎ＝１／３とし、ｘ，
ｙ及びｚを変化させた場合の例である。図１は、この場
合のｙ及びｚの変化による電気機械結合係数の変化を示
す。
組成式において、ａ＝１及びｍ＋ｎ＝１／３とし、ｘ，
ｙ及びｚを変化させた場合の例である。図１は、この場
合のｙ及びｚの変化による電気機械結合係数の変化を示
す。
【００３２】図１から明らかなように、ｚが変化するに
つれて電気機械結合係数は変化し、ｚ＝０．１付近で極
大値となっている。また、０．０３≦ｚ≦０．２１の範
囲で、インピーダンス比（ＡＴＴ）が４０ｄＢ以上と十
分な大きさとなっていることがわかる。これに対して、
０．０３≦ｚ≦０．２１の範囲外の試料番号３３，３
４，３５では、焼結性が低下し、インピーダンス比は低
くなる。
つれて電気機械結合係数は変化し、ｚ＝０．１付近で極
大値となっている。また、０．０３≦ｚ≦０．２１の範
囲で、インピーダンス比（ＡＴＴ）が４０ｄＢ以上と十
分な大きさとなっていることがわかる。これに対して、
０．０３≦ｚ≦０．２１の範囲外の試料番号３３，３
４，３５では、焼結性が低下し、インピーダンス比は低
くなる。
【００３３】同様に、ｙ＞０．５４の範囲では、インピ
ーダンス比が低下し、ｙ＜０．４１では、インピーダン
ス比、電気機械結合係数は大きいものの、耐熱性が低下
する。
ーダンス比が低下し、ｙ＜０．４１では、インピーダン
ス比、電気機械結合係数は大きいものの、耐熱性が低下
する。
【００３４】また、ｘは、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であるため、
ｙ及びｚを上記のように選択した場合、ｙ及びｚが上記
望ましい範囲外となる場合のｘでは同様に各特性が劣化
することとなる。
ｙ及びｚを上記のように選択した場合、ｙ及びｚが上記
望ましい範囲外となる場合のｘでは同様に各特性が劣化
することとなる。
【００３５】従って、表１，２に示す結果から確認され
るように、０．３２≦ｘ≦０．５０の範囲内で、インピ
ーダンス比が良好な値となる。表３に示す試料番号３９
〜５８では、上述したｘ，ｙ及びｚの望ましい範囲内に
おいて、ａの値が０．９３〜１．０２の範囲で変化され
ている。表３から明らかなように、ａが変化しても、イ
ンピーダンス比及び電気機械結合係数の大きな劣化は見
られない。従って、０．９３≦ａ≦１．０２の範囲で、
良好な圧電特性が発揮され得ることがわかる。なお、ａ
がこの範囲外の場合には、焼結性が悪くなる。
るように、０．３２≦ｘ≦０．５０の範囲内で、インピ
ーダンス比が良好な値となる。表３に示す試料番号３９
〜５８では、上述したｘ，ｙ及びｚの望ましい範囲内に
おいて、ａの値が０．９３〜１．０２の範囲で変化され
ている。表３から明らかなように、ａが変化しても、イ
ンピーダンス比及び電気機械結合係数の大きな劣化は見
られない。従って、０．９３≦ａ≦１．０２の範囲で、
良好な圧電特性が発揮され得ることがわかる。なお、ａ
がこの範囲外の場合には、焼結性が悪くなる。
【００３６】表４は、表１，２から求められた望ましい
ｘ、ｙ及びｚの範囲内において、ｍ及びｎを変化させた
試料番号５９〜７６の例を示す。通常、このようなペロ
ブスカイト構造では、ｍ＋ｎ＝１／３とした場合、安定
とされているが、試料番号５９〜７６の結果から、０．
２４≦ｍ＋ｎ≦０．６７の範囲で、インピーダンス比が
４０以上となり、ｍ＋ｎ＝１／３の場合と比べてもイン
ピーダンス比が劣化しない。特に、０．４６≦ｍ＋ｎ≦
０．６７、０．０１≦ｍ≦０．６６及び０．０１≦ｎ≦
０．６６の場合に、電気機械結合係数ｋＢＧＳが５０．
９％以上と非常に大きくなり、好ましいことがわかる。
ｘ、ｙ及びｚの範囲内において、ｍ及びｎを変化させた
試料番号５９〜７６の例を示す。通常、このようなペロ
ブスカイト構造では、ｍ＋ｎ＝１／３とした場合、安定
とされているが、試料番号５９〜７６の結果から、０．
２４≦ｍ＋ｎ≦０．６７の範囲で、インピーダンス比が
４０以上となり、ｍ＋ｎ＝１／３の場合と比べてもイン
ピーダンス比が劣化しない。特に、０．４６≦ｍ＋ｎ≦
０．６７、０．０１≦ｍ≦０．６６及び０．０１≦ｎ≦
０．６６の場合に、電気機械結合係数ｋＢＧＳが５０．
９％以上と非常に大きくなり、好ましいことがわかる。
【００３７】表５は、ＡサイトのＰｂがＳｒで置換され
た試料番号７７，７８を示す。このようにＡサイトがＳ
ｒで置換された組成においても、高いインピーダンス比
及び電気機械結合係数ｋＢＧＳの得られることがわか
る。
た試料番号７７，７８を示す。このようにＡサイトがＳ
ｒで置換された組成においても、高いインピーダンス比
及び電気機械結合係数ｋＢＧＳの得られることがわか
る。
【００３８】また、焼結体の粒径が３μｍを超える試料
番号３，１３，７６では、インピーダンス比が低下する
ので、焼結体における粒径は３μｍ以下であることが好
ましい。焼結体における欠陥やポアについても同様の効
果があるため、この焼結体の粒径の変化による作用から
推測されるように、欠陥やポアについても３μｍ以下で
あることが好ましい。
番号３，１３，７６では、インピーダンス比が低下する
ので、焼結体における粒径は３μｍ以下であることが好
ましい。焼結体における欠陥やポアについても同様の効
果があるため、この焼結体の粒径の変化による作用から
推測されるように、欠陥やポアについても３μｍ以下で
あることが好ましい。
【００３９】上記のように、本発明に属する試料番号
や、良好なインピーダンス比が得られ、電気機械結合係
数ｋＢＧＳは３０％〜約５０％の広い範囲の値を得るこ
とができることがわかる。
や、良好なインピーダンス比が得られ、電気機械結合係
数ｋＢＧＳは３０％〜約５０％の広い範囲の値を得るこ
とができることがわかる。
【００４０】なお、上記実施例では、ＳＨタイプの表面
波を利用した端面反射型の表面波装置に適用した場合を
説明したが、本発明に係る弾性表面波素子用圧電磁器組
成物は、ＳＨタイプ以外のレイリー波などの他の表面波
を利用した弾性表面波素子にも用いることができる。
波を利用した端面反射型の表面波装置に適用した場合を
説明したが、本発明に係る弾性表面波素子用圧電磁器組
成物は、ＳＨタイプ以外のレイリー波などの他の表面波
を利用した弾性表面波素子にも用いることができる。
【００４１】
【発明の効果】本発明に係る弾性表面波素子用圧電磁器
組成物を用いることにより、インピーダンス比が良好で
あり、高周波化に対応することができ、かつ広い範囲に
渡り圧電特性を制御することができる。
組成物を用いることにより、インピーダンス比が良好で
あり、高周波化に対応することができ、かつ広い範囲に
渡り圧電特性を制御することができる。
【００４２】よって、高周波化及び小型化に対応した弾
性表面波素子を本発明により容易に提供することができ
る。また、ｍ＋ｎが０．４６以上、０．６７以下、ｍが
０．０１以上、０．６６以下及びｎが０．０１以上、
０．６６以下の場合には、大きな電気機械結合係数を得
ることができる。
性表面波素子を本発明により容易に提供することができ
る。また、ｍ＋ｎが０．４６以上、０．６７以下、ｍが
０．０１以上、０．６６以下及びｎが０．０１以上、
０．６６以下の場合には、大きな電気機械結合係数を得
ることができる。
【００４３】さらに、結晶粒径が３μｍ以下の場合、並
びに焼結体におけるポアや欠陥の大きさが３μｍ以下の
場合には、インピーダンス比をより一層高めることがで
きる。
びに焼結体におけるポアや欠陥の大きさが３μｍ以下の
場合には、インピーダンス比をより一層高めることがで
きる。
【図１】ｚを変化させた場合の電気機械結合係数ｋＢＧ
Ｓの変化を示す図。
Ｓの変化を示す図。
【図２】本発明の実施例で用意された端面反射型の弾性
表面波素子を示す斜視図。
表面波素子を示す斜視図。
１…弾性表面波素子 ２…圧電基板 ２ａ，２ｂ…端面 ３…ＩＤＴ
Claims (7)
- 【請求項１】 ＰｂaＺｒxＴｉy（ＮｉmＭｎnＮｂ2/3)z
Ｏ3 で表され、但しｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、０．９３≦
ａ≦１．０２、０．３２≦ｘ≦０．５０、０．４１≦ｙ
≦０．５４、０．０３≦ｚ≦０．２１及び０．２４≦ｍ
＋ｎ≦０．６７である弾性表面波素子用圧電磁器組成
物。 - 【請求項２】 ０．４６≦ｍ＋ｎ≦０．６７、０．０１
≦ｍ≦０．６６、及び０．０１≦ｎ≦０．６６の関係に
ある、請求項１に記載の弾性表面波素子用圧電磁器組成
物。 - 【請求項３】 前記Ｐｂの一部がＢａ、Ｃａ、及びＳｒ
からなる群から選択した少なくとも１種により置換され
ている、請求項１または２に記載の弾性表面波素子用圧
電磁器組成物。 - 【請求項４】 結晶粒径が３μｍ以下である、請求項１
〜３のいずれかに記載の弾性表面波素子用圧電磁器組成
物。 - 【請求項５】 ポア及び欠陥の大きさが３μｍ以下であ
る、請求項１〜４のいずれかに記載の弾性表面波素子用
圧電磁器組成物。 - 【請求項６】 共振周波数の温度に対する変化率の絶対
値が１００ｐｐｍ／℃以下である、請求項１〜５のいず
れかに記載の弾性表面波素子用圧電磁器組成物。 - 【請求項７】 圧電基板と、該圧電基板の表面に形成さ
れたＩＤＴとを有するＳＨタイプの弾性表面波フィルタ
であって、前記圧電基板が、請求項１〜６のいずれかに
記載された圧電磁器組成物からなることを特徴とする弾
性表面波フィルタ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001209561A JP3791361B2 (ja) | 2000-08-31 | 2001-07-10 | 弾性表面波素子及び弾性表面波フィルタ |
| US09/935,959 US6423245B1 (en) | 2000-08-31 | 2001-08-23 | Piezoelectric ceramic composition for surface acoustic wave device and surface acoustic wave device |
| CNB011252642A CN1157346C (zh) | 2000-08-31 | 2001-08-27 | 用于表面声波元件的压电陶瓷组合物和表面声波元件 |
| DE10142268A DE10142268B4 (de) | 2000-08-31 | 2001-08-29 | Piezoelektrische Keramikzusammensetzung für eine SAW-Vorrichtung und ihre Verwendung |
| KR10-2001-0052899A KR100434421B1 (ko) | 2000-08-31 | 2001-08-30 | 탄성표면파 장치용 압전 세라믹 조성물과 탄성표면파 장치 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000262974 | 2000-08-31 | ||
| JP2000-262974 | 2000-08-31 | ||
| JP2001209561A JP3791361B2 (ja) | 2000-08-31 | 2001-07-10 | 弾性表面波素子及び弾性表面波フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002145666A true JP2002145666A (ja) | 2002-05-22 |
| JP3791361B2 JP3791361B2 (ja) | 2006-06-28 |
Family
ID=26598937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001209561A Expired - Lifetime JP3791361B2 (ja) | 2000-08-31 | 2001-07-10 | 弾性表面波素子及び弾性表面波フィルタ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6423245B1 (ja) |
| JP (1) | JP3791361B2 (ja) |
| KR (1) | KR100434421B1 (ja) |
| CN (1) | CN1157346C (ja) |
| DE (1) | DE10142268B4 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005068394A1 (ja) * | 2004-01-20 | 2005-07-28 | Iai Corporation | 圧電磁器組成物 |
| JP2006060607A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Kyocera Corp | 圧電共振子、フイルタ及び複合基板 |
| WO2006038389A1 (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd | 圧電体磁器組成物及び圧電セラミック電子部品 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1519427B1 (en) * | 2003-09-24 | 2009-12-16 | TDK Corporation | Piezoelectric ceramic composition and manufacturing the same, and piezoelectric element |
| DE102004002204A1 (de) * | 2004-01-15 | 2005-08-11 | Epcos Ag | Keramikmaterial |
| US20090065731A1 (en) * | 2007-09-06 | 2009-03-12 | Tdk Corporation | Method for producing piezoelectric ceramic |
| CN106370598A (zh) * | 2016-09-07 | 2017-02-01 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 基于表面声波的微球操纵装置及其制作方法、成像系统 |
| KR102308042B1 (ko) * | 2017-07-28 | 2021-09-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5528436B2 (ja) * | 1973-11-24 | 1980-07-28 | ||
| JPS5264700A (en) * | 1975-11-25 | 1977-05-28 | Murata Manufacturing Co | Piezooelectric ceramic for elastic surface wave element |
| KR830000021B1 (ko) * | 1978-09-26 | 1983-01-29 | 엔. 부이. 필립스 글로아이람펜 파브리켄 | 세라믹 압전재료의 조성물 |
| JPH01122965A (ja) * | 1987-11-05 | 1989-05-16 | Taiyo Yuden Co Ltd | 圧電性磁器組成物 |
| US5174971A (en) * | 1990-10-10 | 1992-12-29 | Westinghouse Electric Corp. | Continuous anion exchange chromatography for the separation of zirconium isotopes |
| DE4141648C2 (de) * | 1990-12-17 | 1997-01-09 | Toshiba Kawasaki Kk | Keramischer Kondensator |
| JP3096920B2 (ja) * | 1991-05-02 | 2000-10-10 | 株式会社トーキン | 圧電磁器組成物 |
| JPH05221717A (ja) * | 1992-02-10 | 1993-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電磁器組成物 |
| JP3309479B2 (ja) * | 1993-02-26 | 2002-07-29 | 株式会社村田製作所 | 圧電磁器 |
| JP2570629B2 (ja) * | 1994-09-29 | 1997-01-08 | 日本電気株式会社 | 圧電セラミックス及びその製造方法 |
| JP3119101B2 (ja) * | 1994-11-28 | 2000-12-18 | 株式会社村田製作所 | 圧電磁器組成物 |
| JPH1093158A (ja) * | 1996-09-17 | 1998-04-10 | Toshiba Corp | 圧電体 |
| KR0180486B1 (ko) * | 1996-12-24 | 1999-03-20 | 우덕창 | 고주파용 압전 세라믹체의 조성물 |
| US6123867A (en) * | 1997-12-03 | 2000-09-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric ceramic composition and piezoelectric device using the same |
-
2001
- 2001-07-10 JP JP2001209561A patent/JP3791361B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-23 US US09/935,959 patent/US6423245B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-27 CN CNB011252642A patent/CN1157346C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-29 DE DE10142268A patent/DE10142268B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-30 KR KR10-2001-0052899A patent/KR100434421B1/ko active IP Right Grant
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005068394A1 (ja) * | 2004-01-20 | 2005-07-28 | Iai Corporation | 圧電磁器組成物 |
| JPWO2005068394A1 (ja) * | 2004-01-20 | 2007-09-06 | 株式会社アイエイアイ | 圧電磁器組成物 |
| JP2006060607A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Kyocera Corp | 圧電共振子、フイルタ及び複合基板 |
| JP4578176B2 (ja) * | 2004-08-20 | 2010-11-10 | 京セラ株式会社 | 圧電共振子及びフイルタ |
| WO2006038389A1 (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd | 圧電体磁器組成物及び圧電セラミック電子部品 |
| JPWO2006038389A1 (ja) * | 2004-10-01 | 2008-05-15 | 株式会社村田製作所 | 圧電体磁器組成物及び圧電セラミック電子部品 |
| JP4650695B2 (ja) * | 2004-10-01 | 2011-03-16 | 株式会社村田製作所 | 圧電体磁器組成物及び圧電セラミック電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1344064A (zh) | 2002-04-10 |
| CN1157346C (zh) | 2004-07-14 |
| US20020043653A1 (en) | 2002-04-18 |
| JP3791361B2 (ja) | 2006-06-28 |
| KR100434421B1 (ko) | 2004-06-04 |
| DE10142268A1 (de) | 2002-05-29 |
| US6423245B1 (en) | 2002-07-23 |
| DE10142268B4 (de) | 2007-02-08 |
| KR20020018151A (ko) | 2002-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4355084B2 (ja) | 圧電磁器組成物および圧電共振子 | |
| KR100434419B1 (ko) | 압전 세라믹 조성물 및 압전 소자 | |
| JP2001316182A (ja) | 圧電磁器および圧電共振子 | |
| JP2002145666A (ja) | 弾性表面波素子用圧電磁器組成物及び弾性表面波フィルタ | |
| JP3570294B2 (ja) | 圧電磁器材料およびそれを用いて得られた圧電磁器焼結体 | |
| JP3771760B2 (ja) | 圧電磁器組成物 | |
| JP3562402B2 (ja) | 圧電磁器材料およびこれを用いた表面波装置 | |
| JP4020454B2 (ja) | 圧電セラミックスの製造方法 | |
| JP2009078964A (ja) | 圧電磁器の製造方法 | |
| JPH08293635A (ja) | 圧電磁器 | |
| JP4370135B2 (ja) | 圧電磁器組成物 | |
| JPH09124367A (ja) | 圧電磁器組成物 | |
| JP3266483B2 (ja) | 圧電磁器組成物 | |
| JP3215013B2 (ja) | 圧電磁器組成物 | |
| JP3761970B2 (ja) | 圧電磁器組成物 | |
| JP3318480B2 (ja) | 圧電磁器組成物 | |
| JPH09268056A (ja) | 圧電磁器組成物 | |
| JPH0891927A (ja) | 圧電磁器組成物 | |
| JPH09235159A (ja) | 圧電磁器組成物 | |
| JPH10101422A (ja) | 圧電磁器組成物 | |
| JP2001080956A (ja) | 圧電体セラミックおよびそれを用いた積層型圧電振動子 | |
| JPH08231270A (ja) | 圧電磁器組成物 | |
| JPH09175862A (ja) | 圧電磁器組成物 | |
| JPH08165169A (ja) | 圧電磁器組成物 | |
| JPH07149562A (ja) | 圧電磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051111 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051213 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060207 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060314 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060327 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3791361 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090414 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100414 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110414 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110414 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120414 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130414 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140414 Year of fee payment: 8 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |