JP2002141301A - レーザアニーリング用光学系とこれを用いたレーザアニーリング装置 - Google Patents

レーザアニーリング用光学系とこれを用いたレーザアニーリング装置

Info

Publication number
JP2002141301A
JP2002141301A JP2000335722A JP2000335722A JP2002141301A JP 2002141301 A JP2002141301 A JP 2002141301A JP 2000335722 A JP2000335722 A JP 2000335722A JP 2000335722 A JP2000335722 A JP 2000335722A JP 2002141301 A JP2002141301 A JP 2002141301A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
optical system
substrate
irradiation
linear
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000335722A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2002141301A5 (enExample
Inventor
Tatsuki Okamoto
達樹 岡本
Tetsuya Ogawa
哲也 小川
Yukio Sato
行雄 佐藤
Junichi Nishimae
順一 西前
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2000335722A priority Critical patent/JP2002141301A/ja
Publication of JP2002141301A publication Critical patent/JP2002141301A/ja
Priority to US10/305,168 priority patent/US6717105B1/en
Publication of JP2002141301A5 publication Critical patent/JP2002141301A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073—Shaping the laser spot
    • B23K26/0738—Shaping the laser spot into a linear shape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Lasers (AREA)
JP2000335722A 2000-11-02 2000-11-02 レーザアニーリング用光学系とこれを用いたレーザアニーリング装置 Pending JP2002141301A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000335722A JP2002141301A (ja) 2000-11-02 2000-11-02 レーザアニーリング用光学系とこれを用いたレーザアニーリング装置
US10/305,168 US6717105B1 (en) 2000-11-02 2002-11-27 Laser annealing optical system and laser annealing apparatus using the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000335722A JP2002141301A (ja) 2000-11-02 2000-11-02 レーザアニーリング用光学系とこれを用いたレーザアニーリング装置
US10/305,168 US6717105B1 (en) 2000-11-02 2002-11-27 Laser annealing optical system and laser annealing apparatus using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002141301A true JP2002141301A (ja) 2002-05-17
JP2002141301A5 JP2002141301A5 (enExample) 2005-04-14

Family

ID=32715421

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000335722A Pending JP2002141301A (ja) 2000-11-02 2000-11-02 レーザアニーリング用光学系とこれを用いたレーザアニーリング装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6717105B1 (enExample)
JP (1) JP2002141301A (enExample)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004072086A (ja) * 2002-06-14 2004-03-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー照射方法及びレーザー照射装置
JP2004304171A (ja) * 2003-03-17 2004-10-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ照射装置、レーザ照射方法及び半導体装置の作製方法
JP2005210102A (ja) * 2003-12-26 2005-08-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ照射方法及び結晶質半導体膜の作製方法
JP2005223301A (ja) * 2003-06-24 2005-08-18 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体素子の製造方法
JP2005259809A (ja) * 2004-03-09 2005-09-22 Mitsubishi Electric Corp レーザ熱処理方法
KR100722723B1 (ko) 2004-02-26 2007-05-29 울트라테크 인크. 열 처리를 위한 레이저 주사 장치 및 방법
EP1562719A4 (en) * 2002-11-06 2008-09-10 Ultratech Stepper Inc LASER SCAN APPARATUS AND THERMAL PROCESSING METHODS
JP2008270540A (ja) * 2007-04-20 2008-11-06 Sony Corp 半導体装置の製造方法および表示装置
US7737054B2 (en) 2003-03-17 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing a semiconductor device
JP2015115401A (ja) * 2013-12-10 2015-06-22 三菱電機株式会社 レーザアニール方法およびレーザアニール装置
JP2015531895A (ja) * 2012-09-24 2015-11-05 リモ パテントフェルヴァルトゥング ゲーエムベーハー ウント コー．カーゲーＬＩＭＯ Ｐａｔｅｎｔｖｅｒｗａｌｔｕｎｇ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ．ＫＧ 作業面におけるレーザビームの線形強度分布を発生させるための装置
JP2016514621A (ja) * 2013-04-05 2016-05-23 リモ パテントフェルヴァルトゥング ゲーエムベーハー ウント コー．カーゲーＬＩＭＯ Ｐａｔｅｎｔｖｅｒｗａｌｔｕｎｇ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ．ＫＧ 線形強度分布を有するレーザビームを生成するための装置
WO2017110121A1 (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 ラインビーム光源およびラインビーム照射装置ならびにレーザリフトオフ方法
CN107398634A (zh) * 2016-05-19 2017-11-28 上海新昇半导体科技有限公司 一种激光退火装置及激光退火方法
JP2018529523A (ja) * 2015-08-25 2018-10-11 サン−ゴバン グラス フランス モジュール式レーザー装置

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7112517B2 (en) * 2001-09-10 2006-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser treatment device, laser treatment method, and semiconductor device fabrication method
US7154066B2 (en) * 2002-11-06 2006-12-26 Ultratech, Inc. Laser scanning apparatus and methods for thermal processing
US7097709B2 (en) * 2002-11-27 2006-08-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Laser annealing apparatus
KR100992120B1 (ko) * 2003-03-13 2010-11-04 삼성전자주식회사 규소 결정화 시스템 및 규소 결정화 방법
US7199330B2 (en) * 2004-01-20 2007-04-03 Coherent, Inc. Systems and methods for forming a laser beam having a flat top
JP4935059B2 (ja) * 2005-02-17 2012-05-23 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP4311364B2 (ja) * 2005-03-18 2009-08-12 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置
US20070212859A1 (en) * 2006-03-08 2007-09-13 Paul Carey Method of thermal processing structures formed on a substrate
KR20090007277A (ko) * 2006-04-14 2009-01-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 디바이스 제조 방법 및 노광 방법
TW200741883A (en) * 2006-04-21 2007-11-01 Zeiss Carl Laser Optics Gmbh Apparatus for laser annealing of large substrates and method for laser annealing for large substrates
US7545838B2 (en) * 2006-06-12 2009-06-09 Coherent, Inc. Incoherent combination of laser beams
US8395844B2 (en) * 2006-07-13 2013-03-12 Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg Apparatus for homogenizing light and laser apparatus for producing a linear intensity distribution in a work plane
US20080025354A1 (en) * 2006-07-31 2008-01-31 Dean Jennings Ultra-Fast Beam Dithering with Surface Acoustic Wave Modulator
US7548364B2 (en) 2006-07-31 2009-06-16 Applied Materials, Inc. Ultra-fast beam dithering with surface acoustic wave modulator
US7674999B2 (en) * 2006-08-23 2010-03-09 Applied Materials, Inc. Fast axis beam profile shaping by collimation lenslets for high power laser diode based annealing system
US8148663B2 (en) 2007-07-31 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of improving beam shaping and beam homogenization
DE102007061358B4 (de) * 2007-12-19 2012-02-16 Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur Formung von Laserstrahlung
US8546172B2 (en) 2008-01-18 2013-10-01 Miasole Laser polishing of a back contact of a solar cell
US8586398B2 (en) * 2008-01-18 2013-11-19 Miasole Sodium-incorporation in solar cell substrates and contacts
US8536054B2 (en) * 2008-01-18 2013-09-17 Miasole Laser polishing of a solar cell substrate
JP5670862B2 (ja) * 2011-11-02 2015-02-18 トーカロ株式会社 溶射皮膜における緻密化層の形成方法
FR3012264B1 (fr) 2013-10-21 2017-04-21 Saint Gobain Appareil laser modulaire
US9613815B2 (en) 2014-11-24 2017-04-04 Ultratech, Inc. High-efficiency line-forming optical systems and methods for defect annealing and dopant activation
WO2018216108A1 (ja) * 2017-05-23 2018-11-29 堺ディスプレイプロダクト株式会社 素子基板の製造方法およびレーザクリーニング装置
FR3072895B1 (fr) 2017-10-31 2019-10-18 Saint-Gobain Glass France Procede d'alignement d'une pluralite de lignes lasers
FR3095605A1 (fr) * 2019-04-30 2020-11-06 Saint-Gobain Glass France Systeme d’alignement d’un dispositif de traitement thermique et son fonctionnement
TWI885574B (zh) * 2022-11-30 2025-06-01 騰錂鐳射股份有限公司 雷射錫焊設備

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5529951A (en) 1993-11-02 1996-06-25 Sony Corporation Method of forming polycrystalline silicon layer on substrate by large area excimer laser irradiation
TW297138B (enExample) 1995-05-31 1997-02-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JP3159906B2 (ja) * 1995-10-23 2001-04-23 アルプス電気株式会社 液晶表示素子の製造方法
JP3052928B2 (ja) * 1998-04-01 2000-06-19 日本電気株式会社 レーザ加工装置
US6326219B2 (en) 1999-04-05 2001-12-04 Ultratech Stepper, Inc. Methods for determining wavelength and pulse length of radiant energy used for annealing
JP3562389B2 (ja) 1999-06-25 2004-09-08 三菱電機株式会社 レーザ熱処理装置
WO2002031871A1 (en) 2000-10-06 2002-04-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method and apparatus for producing polysilicon film, semiconductor device, and method of manufacture thereof

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004072086A (ja) * 2002-06-14 2004-03-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー照射方法及びレーザー照射装置
EP1562719A4 (en) * 2002-11-06 2008-09-10 Ultratech Stepper Inc LASER SCAN APPARATUS AND THERMAL PROCESSING METHODS
JP2004304171A (ja) * 2003-03-17 2004-10-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ照射装置、レーザ照射方法及び半導体装置の作製方法
US7737054B2 (en) 2003-03-17 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing a semiconductor device
JP2012023391A (ja) * 2003-03-17 2012-02-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 結晶性半導体膜の作製方法
JP2005223301A (ja) * 2003-06-24 2005-08-18 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体素子の製造方法
JP2005210102A (ja) * 2003-12-26 2005-08-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ照射方法及び結晶質半導体膜の作製方法
KR100722723B1 (ko) 2004-02-26 2007-05-29 울트라테크 인크. 열 처리를 위한 레이저 주사 장치 및 방법
JP2005259809A (ja) * 2004-03-09 2005-09-22 Mitsubishi Electric Corp レーザ熱処理方法
JP2008270540A (ja) * 2007-04-20 2008-11-06 Sony Corp 半導体装置の製造方法および表示装置
KR101815839B1 (ko) 2012-09-24 2018-01-08 리모 파텐트페어발퉁 게엠베하 운트 코. 카게 작업 평면에 레이저 빔의 선형 강도 분포를 발생시키기 위한 장치
JP2015531895A (ja) * 2012-09-24 2015-11-05 リモ パテントフェルヴァルトゥング ゲーエムベーハー ウント コー．カーゲーＬＩＭＯ Ｐａｔｅｎｔｖｅｒｗａｌｔｕｎｇ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ．ＫＧ 作業面におけるレーザビームの線形強度分布を発生させるための装置
JP2016514621A (ja) * 2013-04-05 2016-05-23 リモ パテントフェルヴァルトゥング ゲーエムベーハー ウント コー．カーゲーＬＩＭＯ Ｐａｔｅｎｔｖｅｒｗａｌｔｕｎｇ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ．ＫＧ 線形強度分布を有するレーザビームを生成するための装置
JP2015115401A (ja) * 2013-12-10 2015-06-22 三菱電機株式会社 レーザアニール方法およびレーザアニール装置
JP2018529523A (ja) * 2015-08-25 2018-10-11 サン−ゴバン グラス フランス モジュール式レーザー装置
WO2017110121A1 (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 ラインビーム光源およびラインビーム照射装置ならびにレーザリフトオフ方法
JP6395955B2 (ja) * 2015-12-25 2018-09-26 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 ラインビーム光源およびラインビーム照射装置ならびにレーザリフトオフ方法
JPWO2017110121A1 (ja) * 2015-12-25 2018-09-27 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 ラインビーム光源およびラインビーム照射装置ならびにレーザリフトオフ方法
JP6430677B1 (ja) * 2015-12-25 2018-11-28 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 ラインビーム光源およびラインビーム照射装置ならびにレーザリフトオフ方法
JP2018199163A (ja) * 2015-12-25 2018-12-20 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 ラインビーム光源およびラインビーム照射装置ならびにレーザリフトオフ方法
JP2018207115A (ja) * 2015-12-25 2018-12-27 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 ラインビーム光源およびラインビーム照射装置ならびにレーザリフトオフ方法
CN107398634A (zh) * 2016-05-19 2017-11-28 上海新昇半导体科技有限公司 一种激光退火装置及激光退火方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6717105B1 (en) 2004-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002141301A (ja) レーザアニーリング用光学系とこれを用いたレーザアニーリング装置
JP3562389B2 (ja) レーザ熱処理装置
US4330363A (en) Thermal gradient control for enhanced laser induced crystallization of predefined semiconductor areas
US5304357A (en) Apparatus for zone melting recrystallization of thin semiconductor film
US7859016B2 (en) Thin film semiconductor device, polycrystalline semiconductor thin film production process and production apparatus
US20040097103A1 (en) Laser annealing device and thin-film transistor manufacturing method
JP2003068644A (ja) シリコン結晶化方法とレーザアニール装置
JP2002139697A (ja) 複数レーザビームを用いたレーザ光学系とレーザアニーリング装置
JP2002141302A (ja) レーザアニーリング用レーザ光学系とこれを用いたレーザアニーリング装置
US7097709B2 (en) Laser annealing apparatus
JP3185881B2 (ja) レーザ照射装置およびレーザ照射方法
JPH05315278A (ja) 光アニール方法及び装置
WO2012029488A1 (ja) レーザアニール装置およびレーザアニール方法
JP4410926B2 (ja) レーザアニーリング方法
JP3973849B2 (ja) レーザアニール方法
JP2006156676A (ja) レーザアニール方法
JP5201614B2 (ja) レーザ光の照射方法及びその装置
JP2002057105A (ja) 半導体薄膜製造方法、半導体薄膜製造装置、およびマトリクス回路駆動装置
JP2002158184A (ja) レーザ熱処理用のレーザ光学系
WO2006075568A1 (ja) 多結晶半導体薄膜の製造方法および製造装置
KR100619197B1 (ko) 반도체 박막의 결정 성장 장치 및 결정 성장 방법
JP2002174767A (ja) レーザ処理用のレーザ光学系
JPH08203822A (ja) 薄膜半導体材料形成装置
JPH03289128A (ja) 半導体薄膜結晶層の製造方法
JPH09213651A (ja) 半導体薄膜の製造装置および半導体薄膜の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040608

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040608

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080129

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080527