JP2002134253A - 冷却可能な赤外線放射エレメント - Google Patents
冷却可能な赤外線放射エレメントInfo
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- H05B2203/032—Heaters specially adapted for heating by radiation heating
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- Resistance Heating (AREA)
- Control Of Resistance Heating (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 両端部で各１つの気密な電流ブッシングを有
する、少なくとも１つの加熱管を有し、加熱管内に放射
線源として長く延びる電気的な加熱導体が配置され、液
状の冷却媒体のための少なくとも１つの冷却通路を有す
る少なくとも１つの冷却部材が設けられ、、加熱導体の
領域内で、少なくとも１つの反射面を有する金属製のリ
フレクタが設けられている、シリカガラス製の冷却可能
な赤外線放射エレメントでを改良して、＞５００ｋＷ／
ｍ２の高いエネルギー集中が得られ、放射線の損失が少
ない、赤外線放射器を提供する。 【解決手段】 少なくとも１つの反射面が、横断面で見
て、１つの面を取り囲む線を描くようになっており、こ
の面の領域内に、液状の冷却媒体の少なくとも一部のた
めの貫流部が設けられている。
する、少なくとも１つの加熱管を有し、加熱管内に放射
線源として長く延びる電気的な加熱導体が配置され、液
状の冷却媒体のための少なくとも１つの冷却通路を有す
る少なくとも１つの冷却部材が設けられ、、加熱導体の
領域内で、少なくとも１つの反射面を有する金属製のリ
フレクタが設けられている、シリカガラス製の冷却可能
な赤外線放射エレメントでを改良して、＞５００ｋＷ／
ｍ２の高いエネルギー集中が得られ、放射線の損失が少
ない、赤外線放射器を提供する。 【解決手段】 少なくとも１つの反射面が、横断面で見
て、１つの面を取り囲む線を描くようになっており、こ
の面の領域内に、液状の冷却媒体の少なくとも一部のた
めの貫流部が設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリカガラスより
成る冷却可能な赤外線放射エレメントであって、少なく
とも１つの加熱管が設けられていて、該加熱管はその両
端部でそれぞれ１つの気密な電流ブッシングを有してお
り、加熱管内に放射線源として長く延びる電気的な加熱
導体が配置されており、少なくとも１つの冷却部材が設
けられていて、該冷却部材は、液状の冷却媒体のための
少なくとも１つの冷却通路を有していて、少なくとも前
記加熱導体の領域内で、少なくとも１つの反射面を有す
る金属製のリフレクタが設けられている形式のものに関
する。
成る冷却可能な赤外線放射エレメントであって、少なく
とも１つの加熱管が設けられていて、該加熱管はその両
端部でそれぞれ１つの気密な電流ブッシングを有してお
り、加熱管内に放射線源として長く延びる電気的な加熱
導体が配置されており、少なくとも１つの冷却部材が設
けられていて、該冷却部材は、液状の冷却媒体のための
少なくとも１つの冷却通路を有していて、少なくとも前
記加熱導体の領域内で、少なくとも１つの反射面を有す
る金属製のリフレクタが設けられている形式のものに関
する。
【０００２】
【従来の技術】このような形式の赤外線放射エレメント
は、ドイツ連邦共和国特許第２６３７３３８号明細書に
より公知である。この公知の赤外線放射エレメントは、
加熱管と冷却管とを有する、シリカガラスより成る水冷
式のツイン管を有しており、この場合冷却管の表面にゴ
ールドより成る反射層が取り付けられている。反射層
は、冷却管の外側面に又は、加熱管及び冷却管の共通の
壁面の、加熱導体と反対側の表面に取り付けられてい
る。この放射線のための可能な集中エネルギーは４００
ｋＷ／ｍ２である。
は、ドイツ連邦共和国特許第２６３７３３８号明細書に
より公知である。この公知の赤外線放射エレメントは、
加熱管と冷却管とを有する、シリカガラスより成る水冷
式のツイン管を有しており、この場合冷却管の表面にゴ
ールドより成る反射層が取り付けられている。反射層
は、冷却管の外側面に又は、加熱管及び冷却管の共通の
壁面の、加熱導体と反対側の表面に取り付けられてい
る。この放射線のための可能な集中エネルギーは４００
ｋＷ／ｍ２である。
【０００３】ＤＤ２５７２００Ａ１（旧東ドイツ経済特
許第２５７２００号明細書）によれば、被覆管内に配置
された長く延びる熱放射器（Ｇｌｕｅｈｓｔｒａｈｌｅ
ｒ）を有する赤外線高性能放射源について記載されてい
る。被覆管は、外装管内に配置されていて、外装管に対
して放射方向の平面で３〜１５％だけずらされている。
この場合、外套管は液状の冷却媒体及びフィルタ媒体に
よって貫流される。被覆管は、その液状媒体に向いた側
の表面で、反射面としての多数のストリップ状の円筒形
セグメントを有している。これに対して、外套管は、液
状媒体とは反対側の表面でほぼハーフシェル状の反射層
を有している。予加熱方向で最大の放射効率を得るため
に、３つの円筒形セグメントが反射面として被覆管に配
置されており、この場合、２つの円筒形セグメント間の
間隔は、１つの円筒形セグメントの幅に相当し、円筒形
セグメントは反射面に対して平行に外装管に配置されて
いる。
許第２５７２００号明細書）によれば、被覆管内に配置
された長く延びる熱放射器（Ｇｌｕｅｈｓｔｒａｈｌｅ
ｒ）を有する赤外線高性能放射源について記載されてい
る。被覆管は、外装管内に配置されていて、外装管に対
して放射方向の平面で３〜１５％だけずらされている。
この場合、外套管は液状の冷却媒体及びフィルタ媒体に
よって貫流される。被覆管は、その液状媒体に向いた側
の表面で、反射面としての多数のストリップ状の円筒形
セグメントを有している。これに対して、外套管は、液
状媒体とは反対側の表面でほぼハーフシェル状の反射層
を有している。予加熱方向で最大の放射効率を得るため
に、３つの円筒形セグメントが反射面として被覆管に配
置されており、この場合、２つの円筒形セグメント間の
間隔は、１つの円筒形セグメントの幅に相当し、円筒形
セグメントは反射面に対して平行に外装管に配置されて
いる。
【０００４】ヨーロッパ特許第０１６３３４８号明細書
によれば、石英容器内に配置された、巻かれたタングス
テン加熱導体を備えた赤外線ランプについて記載されて
いる。石英容器は、ハロゲン循環を形成するためのハロ
ゲンガスで満たされている。ゴールド又はロジウム（Ｒ
ｈｏｄｉｕｍ）より成る赤外光線を反射する層が、石英
容器の表面の有利には全長をハーフシェル状に覆ってい
る。気密な電気的なブッシングは、電気接続部を有す
る、容器の両端部で押しつぶされた薄いモリブデンシー
トによって実現される。
によれば、石英容器内に配置された、巻かれたタングス
テン加熱導体を備えた赤外線ランプについて記載されて
いる。石英容器は、ハロゲン循環を形成するためのハロ
ゲンガスで満たされている。ゴールド又はロジウム（Ｒ
ｈｏｄｉｕｍ）より成る赤外光線を反射する層が、石英
容器の表面の有利には全長をハーフシェル状に覆ってい
る。気密な電気的なブッシングは、電気接続部を有す
る、容器の両端部で押しつぶされた薄いモリブデンシー
トによって実現される。
【０００５】ドイツ連邦共和国特許第２８０３１２２号
明細書によれば、臭素回路を備えたハロゲン白熱ランプ
について記載されており、この場合、白熱ランプは、石
英ガラスより成るガラスバルブと、充填ガスと、タング
ステンより成る白熱コイルとを有している。臭素は、白
熱ランプの運転状態でガラスバルブ内に固体の形状で収
容された臭化金属の分解後に、公知のタングステン・ハ
ロゲン循環のために提供される。臭化金属としては臭化
銅が使用される。
明細書によれば、臭素回路を備えたハロゲン白熱ランプ
について記載されており、この場合、白熱ランプは、石
英ガラスより成るガラスバルブと、充填ガスと、タング
ステンより成る白熱コイルとを有している。臭素は、白
熱ランプの運転状態でガラスバルブ内に固体の形状で収
容された臭化金属の分解後に、公知のタングステン・ハ
ロゲン循環のために提供される。臭化金属としては臭化
銅が使用される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、＞５
００ｋＷ／ｍ２の高いエネルギー集中が得られ、放射線
の損失が少ない、赤外線放射器を提供することである。
００ｋＷ／ｍ２の高いエネルギー集中が得られ、放射線
の損失が少ない、赤外線放射器を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題を解決した本発
明によれば、少なくとも１つの反射面が、横断面で見
て、１つの面を取り囲む線を描くように形成されてお
り、この面の領域内に、液状の冷却媒体の少なくとも一
部のための貫流部が設けられている。
明によれば、少なくとも１つの反射面が、横断面で見
て、１つの面を取り囲む線を描くように形成されてお
り、この面の領域内に、液状の冷却媒体の少なくとも一
部のための貫流部が設けられている。
【０００８】
【発明の効果】本発明の上記構成において、横断面と
は、反射しようとする面が線として認識される、加熱管
の縦軸線に対して垂直な断面のことである。これらの線
は、横断面において１つの面を形成している。この場
合、これらの線は有利には円である。円以外の線の形
状、例えば正方形、方形、三角形、楕円形、半月形又は
その他の規則的な或いは不規則的な面であってもよい。
それに従って、横断面で認識される表面の少なくとも１
つが、液状の冷却剤のための通路又はこの通路の少なく
とも一部を形成する。このような幾何学的な構成によっ
て、≧１ＭＷ／ｍ２のエネルギー集中及びわずかな放射
線損失を有する高効率赤外線放射器を実現することがで
きる。この場合、加熱管は、１９０Ｗ／ｃｍまでの特殊
な効率のために設計されなければならない。またこの場
合、約３０００Ｋの範囲内の非常に高い加熱導体温度が
必要である。しかしながらこのような高い加熱導体温度
においては、一方ではシリカガラス加熱管の形状安定性
が脅かされ、他方では冷却水の沸騰若しくは過熱及びひ
いては放射エレメントの破壊の確率が高くなる。シリカ
ガラス製の過熱管の形状安定性は、本発明では冷却のた
めに用いられる液状の冷却媒体特に水の高い熱受容能力
によって得られる。本発明によるリフレクタの構成は、
他方では冷却剤が強く加熱され過ぎることを阻止する。
このように冷却剤が強く加熱され過ぎることは、例えば
従来技術において公知であるように、反射層が冷却管の
外側面に配置されている場合に生じる。
は、反射しようとする面が線として認識される、加熱管
の縦軸線に対して垂直な断面のことである。これらの線
は、横断面において１つの面を形成している。この場
合、これらの線は有利には円である。円以外の線の形
状、例えば正方形、方形、三角形、楕円形、半月形又は
その他の規則的な或いは不規則的な面であってもよい。
それに従って、横断面で認識される表面の少なくとも１
つが、液状の冷却剤のための通路又はこの通路の少なく
とも一部を形成する。このような幾何学的な構成によっ
て、≧１ＭＷ／ｍ２のエネルギー集中及びわずかな放射
線損失を有する高効率赤外線放射器を実現することがで
きる。この場合、加熱管は、１９０Ｗ／ｃｍまでの特殊
な効率のために設計されなければならない。またこの場
合、約３０００Ｋの範囲内の非常に高い加熱導体温度が
必要である。しかしながらこのような高い加熱導体温度
においては、一方ではシリカガラス加熱管の形状安定性
が脅かされ、他方では冷却水の沸騰若しくは過熱及びひ
いては放射エレメントの破壊の確率が高くなる。シリカ
ガラス製の過熱管の形状安定性は、本発明では冷却のた
めに用いられる液状の冷却媒体特に水の高い熱受容能力
によって得られる。本発明によるリフレクタの構成は、
他方では冷却剤が強く加熱され過ぎることを阻止する。
このように冷却剤が強く加熱され過ぎることは、例えば
従来技術において公知であるように、反射層が冷却管の
外側面に配置されている場合に生じる。
【０００９】特殊な反射面をどのように配置できるかに
ついては、勿論種々異なる可能性がある。
ついては、勿論種々異なる可能性がある。
【００１０】例えば、リフレクタは金属層より形成され
ていてもよく、この場合、冷却部材が、少なくとも１つ
の加熱管に直接隣接する、少なくとも１つの冷却通路を
有する冷却管であって、少なくとも１つの冷却通路が金
属層によって被覆されている。金属層としては有利には
冷却管の内側金メッキが考えられる。
ていてもよく、この場合、冷却部材が、少なくとも１つ
の加熱管に直接隣接する、少なくとも１つの冷却通路を
有する冷却管であって、少なくとも１つの冷却通路が金
属層によって被覆されている。金属層としては有利には
冷却管の内側金メッキが考えられる。
【００１１】リフレクタが少なくとも薄壁状の金属部分
より形成されていていてもよい。この場合、冷却部材
が、少なくとも１つの加熱管に直接隣接する、少なくと
も１つの冷却通路を備えた冷却管であって、該冷却通路
が金属部分によって被覆されている。金属部分はシート
又は金属薄板より形成されており、この場合シートはフ
レキシブルであって、冷却管の内側寸法に正確に合致さ
せることができる。
より形成されていていてもよい。この場合、冷却部材
が、少なくとも１つの加熱管に直接隣接する、少なくと
も１つの冷却通路を備えた冷却管であって、該冷却通路
が金属部分によって被覆されている。金属部分はシート
又は金属薄板より形成されており、この場合シートはフ
レキシブルであって、冷却管の内側寸法に正確に合致さ
せることができる。
【００１２】またリフレクタが薄壁状の金属部分より形
成されており、冷却部材が、少なくとも１つの加熱管を
取り囲む冷却管であって、薄壁状の金属部分が冷却管内
に配置されていてもよい。この場合有利には、中空構造
を有する自己支持構造のリフレクタを冷却管内に配置す
ることができるが、冷却管及び／又は加熱管に施された
反射層と金属部分との組み合わせも用いることができ
る。
成されており、冷却部材が、少なくとも１つの加熱管を
取り囲む冷却管であって、薄壁状の金属部分が冷却管内
に配置されていてもよい。この場合有利には、中空構造
を有する自己支持構造のリフレクタを冷却管内に配置す
ることができるが、冷却管及び／又は加熱管に施された
反射層と金属部分との組み合わせも用いることができ
る。
【００１３】放射器の特別な実施例によれば、冷却エレ
メントが金属製のリフレクタとして構成されている。つ
まり、冷却特性と反射性能とを組み合わせたということ
である。放射のためのリフレクタの非透過性に基づい
て、リフレクタは勿論、少なくとも１つの加熱管の外側
壁部の周囲の最大５０％を取り囲んでいる。この場合、
リフレクタは、冷却剤を搬送するための少なくとも２つ
の冷却通路を有している。
メントが金属製のリフレクタとして構成されている。つ
まり、冷却特性と反射性能とを組み合わせたということ
である。放射のためのリフレクタの非透過性に基づい
て、リフレクタは勿論、少なくとも１つの加熱管の外側
壁部の周囲の最大５０％を取り囲んでいる。この場合、
リフレクタは、冷却剤を搬送するための少なくとも２つ
の冷却通路を有している。
【００１４】加熱導体がタングステンより形成されてお
り、加熱管が、ハロゲン・ドーピング（Ｈａｌｏｇｅｎ
−Ｄｏｔｉｅｒｕｎｇ）を有する不活性ガスで満たされ
ていれば有利である。高い加熱温度において、タングス
テンは強く蒸発されるので、ハロゲン循環プロセスを形
成するために、有利には臭化アンモニウム（Ａｍｍｏｎ
ｉｕｍｂｒｏｍｉｄ）又は臭化銅（Ｋｕｐｆｅｒｂｒｏ
ｍｉｄ）より成るハロゲン・ドーピングを使用する必要
がある。電気的な電流ブッシングの領域内で臭化アンモ
ニウム又は臭化銅が凝縮するのを避けるために、加熱導
体と気密な電流ブッシングとの間にそれぞれ１つの電気
的な接続導線が配置されており、該接続導線の直径は、
公称電流においてこの接続導線がその電気抵抗に基づい
て６００℃〜８００℃の温度に加熱されるように寸法設
計されている。
り、加熱管が、ハロゲン・ドーピング（Ｈａｌｏｇｅｎ
−Ｄｏｔｉｅｒｕｎｇ）を有する不活性ガスで満たされ
ていれば有利である。高い加熱温度において、タングス
テンは強く蒸発されるので、ハロゲン循環プロセスを形
成するために、有利には臭化アンモニウム（Ａｍｍｏｎ
ｉｕｍｂｒｏｍｉｄ）又は臭化銅（Ｋｕｐｆｅｒｂｒｏ
ｍｉｄ）より成るハロゲン・ドーピングを使用する必要
がある。電気的な電流ブッシングの領域内で臭化アンモ
ニウム又は臭化銅が凝縮するのを避けるために、加熱導
体と気密な電流ブッシングとの間にそれぞれ１つの電気
的な接続導線が配置されており、該接続導線の直径は、
公称電流においてこの接続導線がその電気抵抗に基づい
て６００℃〜８００℃の温度に加熱されるように寸法設
計されている。
【００１５】タングステン加熱導体の代わりに、炭素帯
材より成る加熱導体を使用してもよい。この場合、加熱
管は希ガスで満たされているか、又は排気されている。
材より成る加熱導体を使用してもよい。この場合、加熱
管は希ガスで満たされているか、又は排気されている。
【００１６】有利には、赤外線放射エレメントが第１の
加熱管と第２の加熱管とを有しており、この場合、第１
の加熱管の壁面が同時に第２の加熱管の壁面である。
加熱管と第２の加熱管とを有しており、この場合、第１
の加熱管の壁面が同時に第２の加熱管の壁面である。
【００１７】赤外線放射エレメントを有する特別に成形
された部分又は室を加熱又は暖めることができるように
するために、加熱管と冷却部材とが湾曲して構成されて
いる。
された部分又は室を加熱又は暖めることができるように
するために、加熱管と冷却部材とが湾曲して構成されて
いる。
【００１８】このように湾曲した構成に基づいて、加熱
管の２つの気密な電流ブッシングは、同じ方向に向けら
れ、互いに平行に配置され、それによって例えば炉室の
一方側だけに存在する、赤外線放射エレメントのための
電気的な接続部を使用することができる。
管の２つの気密な電流ブッシングは、同じ方向に向けら
れ、互いに平行に配置され、それによって例えば炉室の
一方側だけに存在する、赤外線放射エレメントのための
電気的な接続部を使用することができる。
【００１９】シリカガラス製の加熱管の形状安定性を保
証するために、加熱管は１０〜１７ｍｍの内径を有して
構成されている。この場合、巻かれた加熱導体の巻き直
径と加熱管の内径との比は少なくとも１：３である。
証するために、加熱管は１０〜１７ｍｍの内径を有して
構成されている。この場合、巻かれた加熱導体の巻き直
径と加熱管の内径との比は少なくとも１：３である。
【００２０】
【発明の実施の形態】図１には、シリカガラス（Ｋｉｅ
ｓｅｌｇｌａｓ）より成る冷却管３と加熱管２とを備え
た赤外線放射エレメント１が示されている。加熱管２内
には長く延びた電気的な加熱導体４が配置されており、
この加熱導体４は、一般的な形式でタングステンより製
造されているスペーサ部材４ａによって位置決めされて
いる。加熱導体４は図示の実施例では、コイルの形状の
タングステンより構成されており、この場合、加熱管２
内には不活性ガスが充填されており、この不活性ガスは
ハロゲン・ドーピング（Ｈａｌｏｇｅｎ−Ｄｏｔｉｅｒ
ｕｎｇ）を有している。不活性ガスとしてアルゴン（Ａ
ｒｇｏｎ）が選定されおり、ハロゲン・ドーピングとし
て臭化アンモニウム（Ａｍｍｏｎｉｕｍｂｒｏｍｉｄ）
が選定されている。加熱導体４と、加熱管２を貫通する
気密な電流ブッシング（電流引き込み線）５ａ，５ｂと
の間にはそれぞれ１つの電気的な接続導線６ａ，６ｂが
配置されており、この場合、接続導線６ａ，６ｂの直径
はそれぞれ、公称電流（Ｎｏｍｉｎａｌｓｔｒｏｍ）に
おいて接続導線６ａ，６ｂがその電気的な抵抗に基づい
て６００℃〜８００℃の温度に加熱されるように寸法設
計されている。気密な電流ブッシング５ａ，５ｂは、加
熱管２の両端部においてシリカガラスを押しつぶし及び
／又は溶融することによって形成される。この場合、薄
いモリブデンシート７ａ，７ｂを溶融する公知の方法が
用いられる。冷却管３は冷却通路を有しており、この冷
却通路は金属製のリフレクタ（反射体）によって被覆さ
れている。リフレクタ８は、冷却管３の薄い内側金メッ
キによって形成されている（図１のａ）か、又は反射面
を有する酸化されない金属薄板例えば金薄板によって冷
却通路を被覆することによって（図１のｂ及び図１の
ｃ）形成されている。冷却管３には、冷却剤導管を備え
た冷却管３に接続するための接続部９ａ，９ｂが取り付
けられており、この場合、液状の冷却剤として水が設け
られている。
ｓｅｌｇｌａｓ）より成る冷却管３と加熱管２とを備え
た赤外線放射エレメント１が示されている。加熱管２内
には長く延びた電気的な加熱導体４が配置されており、
この加熱導体４は、一般的な形式でタングステンより製
造されているスペーサ部材４ａによって位置決めされて
いる。加熱導体４は図示の実施例では、コイルの形状の
タングステンより構成されており、この場合、加熱管２
内には不活性ガスが充填されており、この不活性ガスは
ハロゲン・ドーピング（Ｈａｌｏｇｅｎ−Ｄｏｔｉｅｒ
ｕｎｇ）を有している。不活性ガスとしてアルゴン（Ａ
ｒｇｏｎ）が選定されおり、ハロゲン・ドーピングとし
て臭化アンモニウム（Ａｍｍｏｎｉｕｍｂｒｏｍｉｄ）
が選定されている。加熱導体４と、加熱管２を貫通する
気密な電流ブッシング（電流引き込み線）５ａ，５ｂと
の間にはそれぞれ１つの電気的な接続導線６ａ，６ｂが
配置されており、この場合、接続導線６ａ，６ｂの直径
はそれぞれ、公称電流（Ｎｏｍｉｎａｌｓｔｒｏｍ）に
おいて接続導線６ａ，６ｂがその電気的な抵抗に基づい
て６００℃〜８００℃の温度に加熱されるように寸法設
計されている。気密な電流ブッシング５ａ，５ｂは、加
熱管２の両端部においてシリカガラスを押しつぶし及び
／又は溶融することによって形成される。この場合、薄
いモリブデンシート７ａ，７ｂを溶融する公知の方法が
用いられる。冷却管３は冷却通路を有しており、この冷
却通路は金属製のリフレクタ（反射体）によって被覆さ
れている。リフレクタ８は、冷却管３の薄い内側金メッ
キによって形成されている（図１のａ）か、又は反射面
を有する酸化されない金属薄板例えば金薄板によって冷
却通路を被覆することによって（図１のｂ及び図１の
ｃ）形成されている。冷却管３には、冷却剤導管を備え
た冷却管３に接続するための接続部９ａ，９ｂが取り付
けられており、この場合、液状の冷却剤として水が設け
られている。
【００２１】図１のａには、加熱管２と冷却管３とを備
えた、図１に示した赤外線放射エレメントのＡ−Ａ′に
沿った横断面図が示されている。冷却管３は液状の冷却
剤のための冷却通路３ａを有している。加熱管２内には
コイル状の加熱導体４が入れられており、この加熱導体
４は、スペーサ部材４ａによって位置決めされている。
冷却管３は、層状の内側面金メッキの形状のリフレクタ
８ａを有している。
えた、図１に示した赤外線放射エレメントのＡ−Ａ′に
沿った横断面図が示されている。冷却管３は液状の冷却
剤のための冷却通路３ａを有している。加熱管２内には
コイル状の加熱導体４が入れられており、この加熱導体
４は、スペーサ部材４ａによって位置決めされている。
冷却管３は、層状の内側面金メッキの形状のリフレクタ
８ａを有している。
【００２２】図１のｂには、加熱管２及び冷却管３を備
えた、図１に示した赤外線放射エレメントのＡ−Ａ′に
沿った横断面図が示されている。冷却管３は液状の冷却
剤のための冷却通路３ａを有している。加熱管２内には
コイル状の加熱導体４が入れられており、この加熱導体
４はスペーサ部材４ａによって位置決めされている。冷
却管３は、冷却管３に直接接触している金箔（Ｇｏｌｄ
ｆｏｌｉｅ）より成る反射面を備えた酸化されない金属
シートの形状のリフレクタ８ｂを有している。
えた、図１に示した赤外線放射エレメントのＡ−Ａ′に
沿った横断面図が示されている。冷却管３は液状の冷却
剤のための冷却通路３ａを有している。加熱管２内には
コイル状の加熱導体４が入れられており、この加熱導体
４はスペーサ部材４ａによって位置決めされている。冷
却管３は、冷却管３に直接接触している金箔（Ｇｏｌｄ
ｆｏｌｉｅ）より成る反射面を備えた酸化されない金属
シートの形状のリフレクタ８ｂを有している。
【００２３】図１のｃには、加熱管２及び冷却管３を備
えた、図１に示した赤外線放射エレメントのＡ−Ａ′に
沿った横断面図が示されている。冷却管３は液状の冷却
剤のための冷却通路３ａを有している。加熱管２内には
コイル状の加熱導体４が入れられており、この加熱導体
４はスペーサ部材４ａによって位置決めされている。冷
却管３は、冷却管３に直接接触している金箔より成る反
射面を備えた酸化されない金属シートの形状のリフレク
タ８ｃを有している。
えた、図１に示した赤外線放射エレメントのＡ−Ａ′に
沿った横断面図が示されている。冷却管３は液状の冷却
剤のための冷却通路３ａを有している。加熱管２内には
コイル状の加熱導体４が入れられており、この加熱導体
４はスペーサ部材４ａによって位置決めされている。冷
却管３は、冷却管３に直接接触している金箔より成る反
射面を備えた酸化されない金属シートの形状のリフレク
タ８ｃを有している。
【００２４】図２には、シリカガラスより成る冷却管３
及び加熱管２を備えた、図１の実施例におけるのと同様
の赤外線放射エレメント１が示されている。加熱管２内
には、ばね１０によって緊締された、長く延びた電気的
な加熱導体４が配置されている。加熱導体４は、炭素帯
材として構成されており、この場合、加熱管２は排気さ
れている。気密な電流ブッシング５ａ，５ｂは図１に示
されたものと同様に構成されている。冷却管３は、金属
製のリフレクタ８によって被覆された冷却通路を有して
いる。リフレクタ８は、冷却管３の薄い内側面金メッキ
によって形成されているか（図１のａ参照）又は、反射
面を備えた酸化されない金属薄板例えば金薄板、或いは
反射面を備えた酸化されない金属シート例えば、冷却通
路を被覆する（図１のｂ及び図１のｃ）金箔によって形
成されている。冷却管３には、冷却管３を冷却剤導管に
接続するための接続部９ａ，９ｂが取り付けられてお
り、この場合、液状の冷却媒体として水が設けられてい
る。
及び加熱管２を備えた、図１の実施例におけるのと同様
の赤外線放射エレメント１が示されている。加熱管２内
には、ばね１０によって緊締された、長く延びた電気的
な加熱導体４が配置されている。加熱導体４は、炭素帯
材として構成されており、この場合、加熱管２は排気さ
れている。気密な電流ブッシング５ａ，５ｂは図１に示
されたものと同様に構成されている。冷却管３は、金属
製のリフレクタ８によって被覆された冷却通路を有して
いる。リフレクタ８は、冷却管３の薄い内側面金メッキ
によって形成されているか（図１のａ参照）又は、反射
面を備えた酸化されない金属薄板例えば金薄板、或いは
反射面を備えた酸化されない金属シート例えば、冷却通
路を被覆する（図１のｂ及び図１のｃ）金箔によって形
成されている。冷却管３には、冷却管３を冷却剤導管に
接続するための接続部９ａ，９ｂが取り付けられてお
り、この場合、液状の冷却媒体として水が設けられてい
る。
【００２５】図３のａには、シリカガラスより成る２つ
の加熱管２ａ，２ｂを備えた赤外線放射エレメント１の
横断面図が示されている。加熱管２ａ，２ｂ内には、炭
素帯材より成る加熱導体４ａ，４ｂがそれぞれ１つ配置
されている。２つの加熱管２ａ，２ｂの一方側には、金
属製のリフレクタ８が形状接続（形状による束縛）式に
取り付けられている。このリフレクタ８は、図示の実施
例では反射体の機能だけでなく、同時に冷却エレメント
の機能をも有している。リフレクタ８は、液状の冷却剤
を受容するための２つの冷却通路３ａ，３ｂを有してい
る。
の加熱管２ａ，２ｂを備えた赤外線放射エレメント１の
横断面図が示されている。加熱管２ａ，２ｂ内には、炭
素帯材より成る加熱導体４ａ，４ｂがそれぞれ１つ配置
されている。２つの加熱管２ａ，２ｂの一方側には、金
属製のリフレクタ８が形状接続（形状による束縛）式に
取り付けられている。このリフレクタ８は、図示の実施
例では反射体の機能だけでなく、同時に冷却エレメント
の機能をも有している。リフレクタ８は、液状の冷却剤
を受容するための２つの冷却通路３ａ，３ｂを有してい
る。
【００２６】図３のｂには、シリカガラスより成る２つ
の加熱管２ａ，２ｂを備えた赤外線放射エレメント１の
横断面図が示されており、これらの加熱管２ａ，２ｂ内
にはタングステンコイルの形状の加熱導体４ａ，４ｂが
それぞれ１つ配置されている。２つの加熱管２ａ，２ｂ
の一方側には、金属製のリフレクタ８が形状接続式に取
り付けられており、このリフレクタ８はこの実施例で
は、反射体の機能だけでなく、同時に冷却エレメントと
しての機能をも有している。リフレクタ８は、液状の冷
却剤を受容するための２つの冷却通路３ａ，３ｂを有し
ている。
の加熱管２ａ，２ｂを備えた赤外線放射エレメント１の
横断面図が示されており、これらの加熱管２ａ，２ｂ内
にはタングステンコイルの形状の加熱導体４ａ，４ｂが
それぞれ１つ配置されている。２つの加熱管２ａ，２ｂ
の一方側には、金属製のリフレクタ８が形状接続式に取
り付けられており、このリフレクタ８はこの実施例で
は、反射体の機能だけでなく、同時に冷却エレメントと
しての機能をも有している。リフレクタ８は、液状の冷
却剤を受容するための２つの冷却通路３ａ，３ｂを有し
ている。
【００２７】図４のａには、シリカガラスより成る加熱
管２を備えた赤外線放射エレメント１の横断面図が示さ
れている。加熱管２内には、タングステンコイルの形状
の加熱導体４が配置されている。加熱管２の一方側に
は、金属製のリフレクタ８が形状接続式に取り付けられ
ている。このリフレクタ８は、この実施例では反射体の
機能だけでなく、同時に冷却エレメントの機能をも行
う。リフレクタ８は、液状の冷却剤を受容するための２
つの冷却通路３ａ，３ｂを有している。
管２を備えた赤外線放射エレメント１の横断面図が示さ
れている。加熱管２内には、タングステンコイルの形状
の加熱導体４が配置されている。加熱管２の一方側に
は、金属製のリフレクタ８が形状接続式に取り付けられ
ている。このリフレクタ８は、この実施例では反射体の
機能だけでなく、同時に冷却エレメントの機能をも行
う。リフレクタ８は、液状の冷却剤を受容するための２
つの冷却通路３ａ，３ｂを有している。
【００２８】図４のｂには、シリカガラスより成る２つ
の加熱管２を備えた赤外線放射エレメント１の横断面図
が示されており、この加熱管２内にはタングステンコイ
ルの形状の加熱導体４が配置されている。加熱管２の一
方側には、金属製のリフレクタ８が形状接続式に取り付
けられており、このリフレクタ８はこの実施例では、反
射体の機能だけでなく、同時に冷却エレメントとしての
機能をも有している。リフレクタ８は、液状の冷却剤を
受容するための２つの冷却通路３ａ，３ｂを有してい
る。
の加熱管２を備えた赤外線放射エレメント１の横断面図
が示されており、この加熱管２内にはタングステンコイ
ルの形状の加熱導体４が配置されている。加熱管２の一
方側には、金属製のリフレクタ８が形状接続式に取り付
けられており、このリフレクタ８はこの実施例では、反
射体の機能だけでなく、同時に冷却エレメントとしての
機能をも有している。リフレクタ８は、液状の冷却剤を
受容するための２つの冷却通路３ａ，３ｂを有してい
る。
【００２９】図５のａには、シリカガラスより成る冷却
管３内に配置された、タングステンコイルを収容する２
つの加熱管を備えた、赤外線放射エレメント１の、図５
のｂのＢ−Ｂ′線に沿った断面図が示されている。冷却
管３は冷却通路３ａを有しており、この冷却通路３ａ内
に加熱管が配置されていて、それによって加熱管はその
周囲が、液状の冷却媒体の流れによって洗浄されるよう
になっている。加熱管の一方側では金属製のリフレクタ
８が冷却通路３ａ内に配置されていて、このリフレクタ
８は半月形の中空横断面形状を有していて、それによっ
て冷却媒体が貫流するようになっている。冷却管３を冷
却媒体導管に接続するために接続部９ａ（及び９ｂ；図
５のｂ参照）が設けられている。
管３内に配置された、タングステンコイルを収容する２
つの加熱管を備えた、赤外線放射エレメント１の、図５
のｂのＢ−Ｂ′線に沿った断面図が示されている。冷却
管３は冷却通路３ａを有しており、この冷却通路３ａ内
に加熱管が配置されていて、それによって加熱管はその
周囲が、液状の冷却媒体の流れによって洗浄されるよう
になっている。加熱管の一方側では金属製のリフレクタ
８が冷却通路３ａ内に配置されていて、このリフレクタ
８は半月形の中空横断面形状を有していて、それによっ
て冷却媒体が貫流するようになっている。冷却管３を冷
却媒体導管に接続するために接続部９ａ（及び９ｂ；図
５のｂ参照）が設けられている。
【００３０】図５のｂには、図５のａに示した赤外線放
射エレメント１の側面図が示されており、この図５のｂ
の側面図ではリフレクタ８は見えていないが、加熱管２
ａ，２ｂ並びにタングステンコイル４ａ，４ｂが示され
ている。加熱導体４ａ，４ｂと気密な電流ブッシング５
ａ，５ｂとの間で、加熱管２ａ，２ｂを通してそれぞれ
１つの電気的な接続導線６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄが配置
されており、この場合、接続導線６ａ，６ｂ，６ｃ，６
ｄの直径はそれぞれ、各接続導線６ａ，６ｂ，６ｃ，６
ｄが公称電流においてその電気抵抗に基づいて６００℃
〜８００℃の温度に加熱するように寸法設計されてい
る。気密な電流ブッシング５ａ，５ｂは、加熱管２ａ，
２ｂにおいて、シリカガラスを押しつぶし及び／又は溶
融することによって形成されている。冷却管３は、間隔
を保って２つの加熱管２ａ，２ｂを取り囲んでいて、冷
却媒体のための接続部９ａ，９ｂを介して冷却媒体導管
に接続されるようになっている。
射エレメント１の側面図が示されており、この図５のｂ
の側面図ではリフレクタ８は見えていないが、加熱管２
ａ，２ｂ並びにタングステンコイル４ａ，４ｂが示され
ている。加熱導体４ａ，４ｂと気密な電流ブッシング５
ａ，５ｂとの間で、加熱管２ａ，２ｂを通してそれぞれ
１つの電気的な接続導線６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄが配置
されており、この場合、接続導線６ａ，６ｂ，６ｃ，６
ｄの直径はそれぞれ、各接続導線６ａ，６ｂ，６ｃ，６
ｄが公称電流においてその電気抵抗に基づいて６００℃
〜８００℃の温度に加熱するように寸法設計されてい
る。気密な電流ブッシング５ａ，５ｂは、加熱管２ａ，
２ｂにおいて、シリカガラスを押しつぶし及び／又は溶
融することによって形成されている。冷却管３は、間隔
を保って２つの加熱管２ａ，２ｂを取り囲んでいて、冷
却媒体のための接続部９ａ，９ｂを介して冷却媒体導管
に接続されるようになっている。
【００３１】図６のａには、シリカガラスより成る冷却
管３内に配置された２つの加熱管２ａ，２ｂを備えた赤
外線放射エレメント１が図示されており、この赤外線放
射エレメント１は、液状の冷却媒体のための２つの接続
部９ａ，９ｂを有している。加熱管２ａ，２ｂ内には、
炭素帯材の形状の加熱導体４ａ，４ｂがそれぞれ１つ配
置されており、この加熱導体４ａ，４ｂはそれぞればね
１０ａ，１０ｂを介して緊締される。さらに加熱管２
ａ，２ｂは気密な電流ブッシング５ａ，５ｂを有してい
る。
管３内に配置された２つの加熱管２ａ，２ｂを備えた赤
外線放射エレメント１が図示されており、この赤外線放
射エレメント１は、液状の冷却媒体のための２つの接続
部９ａ，９ｂを有している。加熱管２ａ，２ｂ内には、
炭素帯材の形状の加熱導体４ａ，４ｂがそれぞれ１つ配
置されており、この加熱導体４ａ，４ｂはそれぞればね
１０ａ，１０ｂを介して緊締される。さらに加熱管２
ａ，２ｂは気密な電流ブッシング５ａ，５ｂを有してい
る。
【００３２】図６のｂには、図６のａに示した赤外線放
射エレメントのＣ−Ｃ′線に沿った横断面図が示されて
おり、この場合、半月形の中空形状を有するリフレクタ
８が冷却通路３ａ内に配置されている。勿論、リフレク
タ８はその他の形状、例えば加熱管２ａ，２ｂ並びに冷
却管３に形状接続的に合致した形状で構成されていても
よい。
射エレメントのＣ−Ｃ′線に沿った横断面図が示されて
おり、この場合、半月形の中空形状を有するリフレクタ
８が冷却通路３ａ内に配置されている。勿論、リフレク
タ８はその他の形状、例えば加熱管２ａ，２ｂ並びに冷
却管３に形状接続的に合致した形状で構成されていても
よい。
【００３３】図６のｃには、図６のａに示した赤外線放
射エレメント１の縦断面図が示されている。冷却管３
と、この冷却管３内に配置された加熱管２ａとが示され
ている。加熱管２ａ内には、炭素帯材の形状の加熱導体
４ａが配置されており、この加熱導体４ａは、ばね１０
ａによって緊締されている。また気密な電流ブッシング
５ａ，５ｂが示されている。リフレクタは図面に示され
ていない。
射エレメント１の縦断面図が示されている。冷却管３
と、この冷却管３内に配置された加熱管２ａとが示され
ている。加熱管２ａ内には、炭素帯材の形状の加熱導体
４ａが配置されており、この加熱導体４ａは、ばね１０
ａによって緊締されている。また気密な電流ブッシング
５ａ，５ｂが示されている。リフレクタは図面に示され
ていない。
【００３４】図７では、湾曲された加熱管２及び湾曲さ
れた冷却管３を備えた赤外線放射エレメント１が示され
ている。この場合、加熱管２の２つの気密な電流ブッシ
ング５ａ，５ｂは、同じ方向で互いに平行に配置されて
いる。この装置の機械的な強度を高めるために、電流ブ
ッシング５ａ，５ｂは互いに溶融結合されている。加熱
管２内にはタングステンコイルの形状の加熱導体４が配
置されており、一方、冷却管３の冷却通路３ａは、内側
金メッキが施されたリフレクタ８によって取り囲まれて
いる。冷却管３と冷却媒体導管とを接続するために接続
部９ａ，９ｂが設けられている。
れた冷却管３を備えた赤外線放射エレメント１が示され
ている。この場合、加熱管２の２つの気密な電流ブッシ
ング５ａ，５ｂは、同じ方向で互いに平行に配置されて
いる。この装置の機械的な強度を高めるために、電流ブ
ッシング５ａ，５ｂは互いに溶融結合されている。加熱
管２内にはタングステンコイルの形状の加熱導体４が配
置されており、一方、冷却管３の冷却通路３ａは、内側
金メッキが施されたリフレクタ８によって取り囲まれて
いる。冷却管３と冷却媒体導管とを接続するために接続
部９ａ，９ｂが設けられている。
【図１】加熱管と冷却管と加熱導体としてのタングステ
ンコイルとを備えた赤外線放射エレメントの概略的な断
面図である。
ンコイルとを備えた赤外線放射エレメントの概略的な断
面図である。
【図１ａ】内側金メッキされた冷却管を有する、図１に
示した赤外線放射エレメントの横断面図である。
示した赤外線放射エレメントの横断面図である。
【図１ｂ】反射式の金属シートを有する冷却管の被覆部
を備えた、図１に示した赤外線放射エレメントの横断面
図である。
を備えた、図１に示した赤外線放射エレメントの横断面
図である。
【図１ｃ】反射式の金属薄板を有する冷却管の被覆部を
備えた、図１に示した赤外線放射エレメントの横断面図
である。
備えた、図１に示した赤外線放射エレメントの横断面図
である。
【図２】加熱管と冷却管と、炭素帯材として構成された
加熱導体とを有する赤外線放射エレメントの概略的な断
面図である。
加熱導体とを有する赤外線放射エレメントの概略的な断
面図である。
【図２ａ】図２に示した赤外線放射エレメントの側面図
である。
である。
【図３ａ】２つの加熱管と、２つの冷却通路と、加熱導
体としての炭素帯材とを備えた赤外線放射エレメントの
横断面図である。
体としての炭素帯材とを備えた赤外線放射エレメントの
横断面図である。
【図３ｂ】２つの加熱管と、２つの冷却通路と、加熱導
体としてのタングステンコイルとを備えた赤外線放射エ
レメントの横断面図である。
体としてのタングステンコイルとを備えた赤外線放射エ
レメントの横断面図である。
【図４ａ】１つの加熱管と、２つの冷却通路と、加熱導
体としてのタングステンコイルとを備えた赤外線放射エ
レメントの横断面図である。
体としてのタングステンコイルとを備えた赤外線放射エ
レメントの横断面図である。
【図４ｂ】１つの加熱管と、２つの冷却通路と、加熱導
体としての炭素帯材とを備えた赤外線放射エレメントの
横断面図である。
体としての炭素帯材とを備えた赤外線放射エレメントの
横断面図である。
【図５ａ】冷却体内に配置された２つの加熱管と、加熱
導体としてのタングステンコイルとを備えた赤外線放射
エレメントの横断面図である。
導体としてのタングステンコイルとを備えた赤外線放射
エレメントの横断面図である。
【図５ｂ】図５のａの赤外線放射エレメントの側面図で
ある。
ある。
【図６ａ】冷却管内に配置された２つの加熱管を備えた
赤外線放射エレメントの側面図である。
赤外線放射エレメントの側面図である。
【図６ｂ】図６のａに示した赤外線放射エレメントの横
断面図である。
断面図である。
【図６ｃ】図６のａに示した赤外線放射エレメントの別
の側面図である。
の側面図である。
【図７】湾曲された加熱管及び冷却管を備えた赤外線放
射エレメントを示す図である。
射エレメントを示す図である。
１ 赤外線放射エレメント、 ２ 加熱管、 ３ 冷却
管、 ３ａ 冷却通路、 ４，４ａ，４ｂ 加熱導体、
５ａ，５ｂ 電流ブッシング、 ６ａ，６ｂ，６ｃ，
６ｄ 電気的な接続導線、 ８ リフレクタ、 ９ａ，
９ｂ 接続部、１０ ばね
管、 ３ａ 冷却通路、 ４，４ａ，４ｂ 加熱導体、
５ａ，５ｂ 電流ブッシング、 ６ａ，６ｂ，６ｃ，
６ｄ 電気的な接続導線、 ８ リフレクタ、 ９ａ，
９ｂ 接続部、１０ ばね
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フリートヘルム シュナイダー ドイツ連邦共和国 ゲルンハウゼン ゲル ンホイザー シュトラーセ 16 (72)発明者 ヨアヒム シェルツァー ドイツ連邦共和国 ブルーフケーベル エ ミール−ベーリング−シュトラーセ 15 Ｆターム(参考） 3K058 AA81 AA87 BA00 CE02 CE03 CE12 CE17 EA01 EA23 3K092 PP20 QA01 QB02 QB26 RA03 RC02 RC26 RC27 RD11 RD20 SS15 SS32 TT13
Claims (16)
- 【請求項１】 シリカガラスより成る冷却可能な赤外線
放射エレメントであって、少なくとも１つの加熱管が設
けられていて、該加熱管はその両端部でそれぞれ１つの
気密な電流ブッシングを有しており、加熱管内に放射線
源として長く延びる電気的な加熱導体が配置されてお
り、少なくとも１つの冷却部材が設けられていて、該冷
却部材は、液状の冷却媒体のための少なくとも１つの冷
却通路を有していて、少なくとも前記加熱導体の領域内
で、少なくとも１つの反射面を有する金属製のリフレク
タが設けられている形式のものにおいて、 少なくとも１つの反射面が、横断面で見て、１つの面を
取り囲む線を描くように形成されており、この面の領域
内に、液状の冷却媒体の少なくとも一部のための貫流部
が設けられていることを特徴とする、冷却可能な赤外線
放射エレメント。 - 【請求項２】 リフレクタが金属層を有しており、冷却
部材が、少なくとも１つの加熱管に直接隣接する、少な
くとも１つの冷却通路を有する冷却管であって、少なく
とも１つの冷却通路が金属層によって被覆されている、
請求項１記載の赤外線放射エレメント。 - 【請求項３】 リフレクタが少なくとも薄壁状の金属部
分より形成されており、冷却部材が、少なくとも１つの
加熱管に直接隣接する、少なくとも１つの冷却通路を備
えた冷却管であって、該冷却通路が金属部分によって被
覆されている、請求項１記載の赤外線放射エレメント。 - 【請求項４】 リフレクタが薄壁状の金属部分より形成
されており、冷却部材が、少なくとも１つの加熱管を取
り囲む冷却管であって、薄壁状の金属部分が冷却管内に
配置されている、請求項１記載の赤外線放射エレメン
ト。 - 【請求項５】 冷却エレメントが金属製のリフレクタと
して構成されており、リフレクタが、少なくとも１つの
加熱管の外側壁部の周囲の最大５０％を取り囲んでい
る、請求項１記載の赤外線放射エレメント。 - 【請求項６】 リフレクタが、冷却剤を搬送するための
少なくとも２つの冷却通路を有している、請求項５記載
の赤外線放射エレメント。 - 【請求項７】 加熱導体がタングステンより形成されて
おり、加熱管が、ハロゲン・ドーピングを有する不活性
ガスで満たされている、請求項１から６までのいずれか
１項記載の赤外線放射エレメント。 - 【請求項８】 ハロゲン・ドーピングが臭化アンモニウ
ム又は臭化銅より形成されている、請求項７記載の赤外
線放射エレメント。 - 【請求項９】 加熱導体と気密な電流ブッシングとの間
にそれぞれ１つの電気的な接続導線が配置されており、
該接続導線の直径は、公称電流においてこの接続導線が
その電気抵抗に基づいて６００℃〜８００℃の温度に加
熱されるように寸法設計されている、請求項７から８ま
でのいずれか１項記載の赤外線放射エレメント。 - 【請求項１０】 加熱導体が炭素帯材より形成されてお
り、加熱管が希ガスで満たされている、請求項１から６
までのいずれか１項記載の赤外線放射エレメント。 - 【請求項１１】 加熱導体が炭素帯材より形成されてお
り、加熱管が排気されている、請求項１から６までのい
ずれか１項記載の赤外線放射エレメント。 - 【請求項１２】 第１の加熱管と第２の加熱管とが設け
られており、第１の加熱管の壁面が同時に第２の加熱管
の壁面である、請求項１から１１までのいずれか１項記
載の赤外線放射エレメント。 - 【請求項１３】 加熱管と冷却部材とが湾曲して構成さ
れている、請求項１から１２までのいずれか１項記載の
赤外線放射エレメント。 - 【請求項１４】 加熱管の２つの気密な電流ブッシング
が同じ方向に向けられていて、互いに平行に配置されて
いる、請求項１３記載の赤外線放射エレメント。 - 【請求項１５】 加熱管が１０〜１７ｍｍの内径を有し
ている、請求項１から１４までのいずれか１項記載の赤
外線放射エレメント。 - 【請求項１６】 加熱導体が巻かれていて、巻き直径と
加熱管の内径との比が少なくとも１：３である、請求項
１５記載の赤外線放射エレメント。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10041564.4 | 2000-08-24 | ||
| DE10041564A DE10041564C2 (de) | 2000-08-24 | 2000-08-24 | Kühlbares Infrarotstrahlerelement |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002134253A true JP2002134253A (ja) | 2002-05-10 |
| JP3530509B2 JP3530509B2 (ja) | 2004-05-24 |
Family
ID=7653630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001250640A Expired - Lifetime JP3530509B2 (ja) | 2000-08-24 | 2001-08-21 | 冷却可能な赤外線放射エレメント |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6713945B2 (ja) |
| EP (1) | EP1182689B1 (ja) |
| JP (1) | JP3530509B2 (ja) |
| AT (1) | ATE465508T1 (ja) |
| DE (2) | DE10041564C2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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|---|---|
| DE10041564C2 (de) | 2002-06-27 |
| EP1182689B1 (de) | 2010-04-21 |
| JP3530509B2 (ja) | 2004-05-24 |
| DE10041564A1 (de) | 2002-03-21 |
| ATE465508T1 (de) | 2010-05-15 |
| EP1182689A1 (de) | 2002-02-27 |
| US20020024277A1 (en) | 2002-02-28 |
| US6713945B2 (en) | 2004-03-30 |
| DE50115441D1 (de) | 2010-06-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040130 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040227 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080305 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090305 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100305 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100305 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110305 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120305 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120305 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 9 |