JP2002124488A - Ｗ（ｃｏ）６からのタングステン膜の堆積方法 - Google Patents

Ｗ（ｃｏ）６からのタングステン膜の堆積方法

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JP2002124488A
JP2002124488A JP2001266507A JP2001266507A JP2002124488A JP 2002124488 A JP2002124488 A JP 2002124488A JP 2001266507 A JP2001266507 A JP 2001266507A JP 2001266507 A JP2001266507 A JP 2001266507A JP 2002124488 A JP2002124488 A JP 2002124488A
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Hyungsuk Alexander Yoon
アレクサンダー ユーン ヒュンスク
Michael X Yang
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Shi Min
シ ミン
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 酸化物の層上にタングステン（Ｗ）の膜を形
成する方法を提供する。 【解決手段】 タングステンの膜２０４は、シランベー
スのガス混合体（例えば、ＳＩＨ6、ＳｉＣｌ2Ｈ2およ
びそれらの組合せ）を用いて酸化物２０２を処理し（図
２ａ）、続いて、Ｗ（ＣＯ）6の先駆物質を約２５０℃
から５５０℃の温度範囲で熱分解することによって酸化
物層の上に形成される（図２ｂ）。タングステンの膜２
０４が堆積された後、孔２０２Ｈは導電性材料２０６で
満たされる。Ｗ（ＣＯ）6の先駆物質が熱分解された
後、タングステンヘキサフルオライド（ＷＦ6）の熱分
解からタングステンの追加の層をその上に任意に形成す
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、タングステン膜の
堆積方法、特に良好な膜の形態および低抵抗率を有する
タングステン膜を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の製造において、タングステン
（Ｗ）膜は、アルミニウム（Ａｌ）の中間接続スキーム
のためのコンタクトメタライゼーションまたはプラブメ
タライゼーションとしてしばしば用いられる。また、タ
ングステン膜は、銅（Ｃｕ）メタライゼーションのため
の拡散バリアとして用いられることができる。
【０００３】タングステン層は、一般に化学気相堆積
（ＣＶＤ）技術を用いて形成される。例えば、タングス
テンはタングステン含有先駆物質（原料）を熱分解する
ことによって形成される。例えば、タングステンは、タ
ングステンヘキサフロライド（ＷＦ6）が分解するとき
に形成される。
【０００４】しかし、ＷＦ6の分解から形成されるタン
グステン膜は、酸化物（例えば、二酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2）上に堆積されると、好ましくない膜の形態が発生
することがある。膜の形態は、その厚さ、膜の連続性、
表面粗さ、および粒構造に関連する。例えば、ＷＦ6の
熱分解から二酸化シリコン（ＳｉＯ2）上に堆積された
タングステン膜は、一般に、不連続な膜の形態を有する
ことがある。このような不連続な膜の形態は望ましくな
い。何故ならば、それは抵抗率を増加してタングステン
膜の電気抵抗に影響を及ぼすからである。
【０００５】したがって、良好な膜の形態および低い抵
抗率を有するタングステン膜を形成する方法のための必
要性がある。
【０００６】
【発明の概要】本発明は、酸化物層の上にタングステン
膜を形成する方法を提供する。タングステン膜は、Ｗ
(ＣＯ)6原料の熱分解の前にシランベースのガス混合体
を用いて、酸化物を処理した後酸化物層上に形成され
る。Ｗ(ＣＯ)6原料が熱分解された後に、追加のタング
ステン層を、タングステンヘキサフロライド（ＷＦ6）
の熱分解から、その上に任意に形成することができる。
【０００７】タングステン膜の形成は、集積回路の製造
プロセスに匹敵する。一つの集積回路の製造プロセスに
おいて、タングステン膜は、銅（Ｃｕ）のメタライゼー
ションのためのバリア層として用いられる。好適なプロ
セスシーケンスがその上に誘電体材料（例えば、酸化
物）を有する基板を設けるステップを含む。タングステ
ン膜がＷ(ＣＯ)6原料が熱分解の前にシランベースのガ
ス混合体を用いて、誘電体材料を処理することによっ
て、その誘電体材料の上に形成される。タングステン膜
が誘電体上に形成された後に、集積回路が、例えば銅
（Ｃｕ）のような導電性材料でバイアを充填することに
よって完成される。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１は、ここに説明される実施の
形態によるタングステン膜の形成を行なうために用いら
れるウエハ処理装置１０の概略図である。ウエハ処理装
置１０は、一般にチャンバ１００、ガスパネル１３０、
制御ユニット１１０と共に他のハードウエア要素、例え
ば電源１０６および真空ポンプ１０６を有する。プロセ
スチャンバの一例は、１９９８年１２月１４日に出願
（米国特許出願09/211,998号）され、ここにレファレン
スによって取り込まれる"High Temperature Chemical V
apor Deposition Chamber:化学気相堆積チャンバ"に記
載されている。この装置の主な特徴は、以下に簡単に説
明される。
【０００９】チャンバ１００ プロセスチャンバ１００は、一般に半導体ウエハ１９０
のような基板を支持するために用いられる支持ペデスタ
ル１５０を収容する。このペデスタル１５０は移動機構
（図示せず）を用いてチャンバ内の垂直方向に移動され
る。特定のプロセスに依存して、ウエハ１９０はタング
ステン（Ｗ）膜の堆積前に所望の温度へ加熱される。例
えば、ウエハ支持ペデスタル１５０は、埋め込まれた加
熱素子１７０によって加熱される。ペデスタル１５０
は、ＡＣ電源１０６からの電流を過熱素子１７０へ流す
ことによって抵抗加熱することができる。続いて、ウエ
ハ１９０がペデスタル１５０によって加熱される。
【００１０】温度センサ１７２、例えば熱電対がウエハ
支持ペデスタル１５０にも埋め込まれていて、従来の方
法でペデスタルの温度を監視する。測定された温度は、
ウエハの温度が特定のプロセスの適用に適している所望
の温度に維持され、または制御されるように、加熱素子
１７０に供給される電力を制御するために、フィードバ
ックループにおいて用いられる。このペデスタルは放射
加熱（図示せず）を用いて選択的に加熱される。
【００１１】真空ポンプ１０２がプロセスチャンバを排
気するために、そしてチャンバ内に適切なガス流および
圧力を維持するために用いられる。プロセスガスがチャ
ンバ１００へ導入されるシャワーヘッド１２０がウエハ
支持ペデスタル１５０上に配置される。このシャワーヘ
ッド１２０は、プロセスシーケンスのいろいろなステッ
プに用いられる種々のガスを供給し、制御するガスパネ
ル１３０に接続されている。
【００１２】この実施の形態において、タングステン膜
の堆積は、例えば、Ｗ(ＣＯ)6原料の熱分解によって達
成される。Ｗ(ＣＯ)6は、ガスパネル１３０の制御の下
でプロセスチャンバ１００へ導入される。Ｗ(ＣＯ)
6は、加熱されたライン１２５および加熱されたアンプ
ル１３５によって調整された流れのガスとしてプロセス
チャンバに導入されても良い。
【００１３】ガスパネル１３０を介してガス流の正しい
制御および調整がマスフローコントローラ（図示せず）
およびコントローラユニット１１０によって行なわれ
る。シャワーヘッドは、ガスパネルからのプロセスガス
がプロセスチャンバ１００に均一に導入され、分配され
るようにする。
【００１４】概略的に、制御ユニット１１０は中央処理
装置（ＣＰＵ）１１３、支持回路１１４および関連した
制御ソフトウエアを含むメモリ１１６を有する。制御ユ
ニット１１０は、例えばウエハの移送、ガス流の制御、
温度制御、チャンバの排気、および他のステップに必要
な多くのステップの自動制御を受け持っている。制御ユ
ニット１１０とウエハ処理装置１０のいろいろな要素と
の間の双方向通信は信号バス１１８と呼ばれる多くの信
号ケーブルを通して扱われ、それらのあるものは図１に
示されている。
【００１５】中央処理装置（ＣＰＵ）１１３は、処理チ
ャンバばかりでなくサブプロセッサを制御するために、
商業的に利用することができる汎用コンピュータのプロ
セッサの如何なる形式の１つであっても良い。コンピュ
ータは、例えばＲＡＭ、ＲＯＭ、フレキシブルディスク
ドライブ、ハードドライブ、またはローカルまたは遠隔
の他の如何なる形式のディジタル記憶装置のようなあら
ゆる適切なメモリを用いることができる。いろいろな支
持回路が従来の方法でプロセッサを支持するためにＣＰ
Ｕに接続される。必要とされるプロセスシーケンスのル
ーチンがメモリにストアされ、または遠隔に配置された
第２のＣＰＵによって実効される。
【００１６】プロセスシーケンスのルーチンは、基板１
９０が上は支持ペデスタル１５０に配置された後に実行
される。実行されると、プロセスシーケンスのルーチン
は、堆積プロセスが行われるように、汎用コンピュータ
をチャンバ動作を制御する特定のプロセスコンピュータ
へ移行する。代わりに、チャンバ動作は、特定の応用集
積回路、または他の形式のハードウェアの具現化、また
はソフトウエはまたはハードウェアの組合せとして、遠
隔に配置されたハードウェアを用いて制御しても良い。
【００１７】タングステン（Ｗ）膜の堆積 以下の実施の形態は、良好な膜の形態および低抵抗率を
タングステン膜に有利に与えるタングステン（Ｗ）膜の
堆積方法である。
【００１８】図２ａ−２ｃは、タングステンの拡散バリ
アを含む製造シーケンスのいろいろなステージにおける
集積回路の構造を示す。一般に、基板２００は膜の処理
が行われる全てのワークピースに関連し、基板の構造２
５０は基板２００ばかりでなく基板２００上に形成され
る他の材料の層を示すために用いられる。
【００１９】処理の特定のステージに依存して、基板２
００は、シリコン半導体ウエハまたはウエハ上に形成さ
れた他の材料層であっても良い。図２ａは、例えば、基
板上に材料層２０２を有する基板構造２５０の断面図を
示している。この特定の図示において、材料層２０２は
酸化物（例えば、二酸化シリコン、フルオロシリケート
ガラス（ＦＳＧ）、ドープされないシリケートガラス
（ＵＳＧ））である。材料層２０２は、側壁２０２Ｓを
有し、基板２００の上面１００Ｔへ延びているコンタク
トホール２０２Ｈを設けるために従来のように形成さ
れ、パターン化されている。
【００２０】タングステン（Ｗ）膜の堆積前に、基板構
造２５０はシリコン化合物を有するガス混合体で処理さ
れる。シリコン化合物は、例えば、シラン（Ｓｉ
Ｈ4）、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、ジクロロシラン（Ｓｉ
Ｃｌ2Ｈ2）およびそれらの組合せから選択される。とり
わけアルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ2）および水素（Ｈ2）
のようなキャリアガスがシリコン化合物と混合される。
【００２１】一般に、図１に示されたチャンバと同様な
プロセスチャンバ内でシリコン化合物で基板構造２５０
を処理するために、以下のプロセスパラメータを用いる
ことができる。プロセスパラメータは、約２５０℃から
約５５０℃までのウエハ温度、約０．５トルから約２ト
ルまでのチャンバ圧力、約５ｓｃｃｍから約５０ｓｃｃ
ｍまでのシリコン化合物ガスの流速、および約１００ｓ
ｃｃｍから約１０００ｓｃｃｍまでのキャリアガスの流
速の範囲にある。
【００２２】基板構造２５０はは約５秒から約３０秒ま
での間処理される。シリコン化合物による基板構造の処
理は、基板構造上のタングステン（Ｗ）の中性化を促進
すると考えられる。さらに、基板が処理された後、残留
シリコン化合物はプロセスチャンバ内に残ると考えら
れ、その結果、幾らかのシリコン（ＳＩ）がタングステ
ンの膜に含まれる可能性がある。
【００２３】基板構造２５０が処理された後、タングス
テンの膜２０４が図２ｂに示される用に基板構造の上に
形成される。タングステン（Ｗ）の膜２０４は、Ｗ（Ｃ
Ｏ） 6の先駆物質を熱分解することによって形成され
る。とりわけ、アルゴン（Ａｒ）および窒素（Ｎ2）の
ようなキャリアガスがＷ（ＣＯ）6の先駆物質と混合さ
れる。
【００２４】一般に、図１に示された堆積チャンバと同
様な堆積チャンバ内でタングステン（Ｗ）の膜２０４を
形成するために以下の堆積プロセスパラメータを用いる
ことができる。プロセスパラメータは、約２５０℃から
約５５０℃までのウエハ温度、約０．５トルから約２ト
ルまでのチャンバ圧力、約２ｓｃｃｍから約２０ｓｃｃ
ｍまでのＷ（ＣＯ）6の先駆物質の流速、および約１０
０ｓｃｃｍから約１０００ｓｃｃｍまでのキャリアガス
の流速の範囲にある。上述のプロセスパラメータは、カ
ルフォルニア州、サンタクララにあるあプライドマテリ
アルズ社から利用できる堆積チャンバにおいて２００ｍ
ｍ（ミリメータ）の基板上で実行されるとき、タングス
テン（Ｗ）の膜に対して約２００Å／分から約４００Å
／分の範囲の堆積速度を与える。
【００２５】他の堆積チャンバも本発明の範囲内であ
り、上述のパラメータは、タングステン（Ｗ）の膜を形
成するために用いられる特定の堆積チャンバにより変え
ることができる。例えば、アプライド社から利用できる
堆積チャンバに対して示されているガスの流速より大き
い、または小さいガスの流速を必要とする他の堆積チャ
ンバは大きな（３００ｍｍの基板を収容するために構成
される）または小さなボリュームを有することができ
る。
【００２６】Ｗ（ＣＯ）6の先駆物質の熱分解は、滑ら
かな連続した膜の形状を有するタングステン（Ｗ）の膜
を有利に形成する。タングステン（Ｗ）の膜２０４の厚
さは、処理の特定の段階に応じて変えることができる。
一般に、タングステン（Ｗ）の膜２０４は約５０Åから
約２００Åまでの厚さに堆積される。
【００２７】約４０００Åまでの所望の厚さを有する厚
いタングステン（Ｗ）の層を形成するように、追加のタ
ングステン（Ｗ）の層をＷ（ＣＯ）6の先駆物質の分解
から形成される膜上に任意に堆積することができる。続
いて堆積されたタングステン（Ｗ）の膜は、熱分解した
タングステンヘキサフルオライド（ＷＦ６）から任意に
形成される。とりわけ、アルゴン（Ａｒ）および窒素
（Ｎ2）のようなキャリアガスがタングステンヘキサフ
ルオライド（ＷＦ6）と混合される。
【００２８】一般に、図１に示された堆積チャンバと同
様なチャンバ内において、タングステンヘキサフルオラ
イド（ＷＦ6）の熱分解からタングステン（Ｗ）の膜を
形成するために、以下の堆積プロセスパラメータを用い
ることができる。プロセスパラメータは、約３００℃か
ら約５００℃までのウエハ温度、約３００トルから約４
００ルまでのチャンバ圧力、約２００ｓｃｃｍから約４
００ｓｃｃｍまでのタングステンヘキサフルオライド
（ＷＦ6）の流速、および約１００ｓｃｃｍから約１０
００ｓｃｃｍまでのキャリアガスの流速の範囲にある。
上述のプロセスパラメータは、カルフォルニア州、サン
タクララにあるあプライドマテリアルズ社から利用でき
る堆積チャンバにおいて２００ｍｍ（ミリメータ）の基
板上で実行されるとき、タングステン（Ｗ）の膜に対し
て約５０００Å／分より大きな速度の堆積速度を与え
る。
【００２９】図２ｃを参照すると、タングステン（Ｗ）
の膜２０４が堆積された後、孔２０２Ｈが、例えばとり
わけアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及びそれらの組
合せのような導電性材料で満たされる。この導電性材料
２０６は、化学気層堆積（ＣＶＤ）、物理気層堆積（Ｐ
ＶＤ）、めっきまたはそれらの組合せを用いて堆積する
ことができる。
【００３０】本発明の教示を含む幾つかの好適な実施の
形態を示し、詳細に説明したが、この分野の当業者はこ
れらの教示を含む多くの、他の変更された実施の形態を
容易に考えることができるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】ここに述べられる実施の形態を実施するために
用いることができる装置の概略図を示す。
【図２】タングステン（Ｗ）膜を含む製造シーケンスの
異なるステージにおける集積回路構造の概略断面図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マイケル エックス ヤン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94555 フリーモント アンバーウッド ドライヴ 5136 (72)発明者 ミン シ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95035ルピタス ボーメア ウェイ 138 Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA12 AA17 AA18 BA20 CA04 DA02 FA10 JA09 JA10 JA11 JA12 LA15 4M104 BB18 CC01 DD22 DD44 DD45 FF21 HH16 5F033 HH08 HH11 HH19 JJ01 JJ08 JJ11 JJ19 KK00 NN03 PP03 PP04 PP09 PP33 WW00 WW03 WW05 WW06 XX10

Claims (72)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 集積回路の製造のための薄膜の堆積方法
    であって、（ａ）シリコン化合物を含むガス混合物を用
    いて基板を処理するステップと、（ｂ）前記基板上に１
    またはそれ以上のタングステン（Ｗ）の膜を形成するス
    テップと、を有することを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 前記シリコン化合物は、シラン（ＳｉＨ
    4）、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、ジクロロシラン（ＳｉＣ
    ｌ2Ｈ2）およびそれらの組合せのグループから選択され
    ることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記ステップ（ａ）のガス混合体は、更
    にキャリアガスを有することを特徴とする請求項１に記
    載の方法。
  4. 【請求項４】 前記キャリアガスは、アルゴン（Ａ
    ｒ）、窒素（Ｎ2）、水素（Ｈ2）及びそれらの組合せの
    グループから選択されることを特徴とする請求項３に記
    載の方法。
  5. 【請求項５】 前記ステップ（ａ）は、約２５０℃から
    約５５０℃までの範囲の温度で行なわれることを特徴と
    する請求項１に記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記ステップ（ａ）は、約５秒から約３
    ０秒までの範囲の時間で行なわれることを特徴とする請
    求項１に記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記シリコン化合物は、約５ｓｃｃｍか
    ら約５０ｓｃｃｍまでの範囲の流速を有することを特徴
    とする請求項１に記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記ステップ（ａ）は、約０．５トルか
    ら約２トルまでの範囲の圧力で行なわれることを特徴と
    する請求項１に記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記キャリアガスは、約１００ｓｃｃｍ
    から約１０００ｓｃｃｍまでの範囲の流速を有すること
    を特徴とする請求項３に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記ステップ（ｂ）は、 堆積チャンバに基板を配置するステップと、 前記堆積チャンバにガスの混合体を与えるステップと、 を有し、前記ガスの混合体は、Ｗ(ＣＯ)6の先駆物質を
    有し、且つ前記基板上にタングステンの膜を形成するた
    めに、前記Ｗ(ＣＯ)6の先駆物質を熱分解するステップ
    と、を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 前記ガス混合体は、更にキャリアガス
    を有することを特徴とする請求項１０に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 前記キャリアガスは、アルゴン（Ａ
    ｒ）、窒素（Ｎ2）及びそれらの組合せのグループから
    選択されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 前記堆積チャンバは、約２５０℃から
    約５５０℃の間の温度に加熱されることを特徴とする請
    求項１０に記載の方法。
  14. 【請求項１４】 前記堆積チャンバ、約０．５トルから
    約２トルの間の圧力に維持されることを特徴とする請求
    項１０に記載の方法。
  15. 【請求項１５】 前記Ｗ(ＣＯ)6の先駆物質は、約２ｓ
    ｃｃｍから約２０ｓｃｃｍまでの範囲の流速で堆積チャ
    ンバに与えられることを特徴とする請求項１０に記載の
    方法。
  16. 【請求項１６】 前記キャリアガスは、約１００ｓｃｃ
    ｍから約１０００ｓｃｃｍまでの範囲の流速で堆積チャ
    ンバに与えられることを特徴とする請求項１１に記載の
    方法。
  17. 【請求項１７】 前記ステップ（ｂ）は、 堆積チャンバに基板を配置するステップと、 前記堆積チャンバにガスの混合体を与えるステップと、
    を有し、前記ガスの混合体は、タングステンヘキサフル
    オライド（ＷＦ6）の先駆物質を有し、且つ前記基板上
    にタングステンの膜を形成するために、前記ＷＦ6の先
    駆物質を熱分解するステップと、を有することを特徴と
    する請求項１に記載の方法。
  18. 【請求項１８】 前記ガスの混合体は、更にキャリアガ
    スを有することを特徴とする請求項１７に記載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記堆積チャンバ、約３００トルから
    約４００トルの範囲の圧力に維持されることを特徴とす
    る請求項１０に記載の方法。
  20. 【請求項２０】 前記ＷＦ6の先駆物質は、約２００ｓ
    ｃｃｍから約４００ｓｃｃｍまでの範囲の流速で堆積チ
    ャンバに与えられることを特徴とする請求項１０に記載
    の方法。
  21. 【請求項２１】 前記キャリアガスは、アルゴン（Ａ
    ｒ）、窒素（Ｎ2）及びそれらの組合せのグループから
    選択されることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
  22. 【請求項２２】 前記キャリアガスは、約１００ｓｃｃ
    ｍから約１０００ｓｃｃｍまでの範囲の流速でプロセス
    チャンバに与えられることを特徴とする請求項２１に記
    載の方法。
  23. 【請求項２３】 前記プロセスチャンバは、約３００℃
    から約５００℃までの範囲の温度に維持されることを特
    徴とする請求項１７に記載の方法。
  24. 【請求項２４】 デバイスを形成する方法であって、
    （ａ）基板上に、ビアを有する誘電体層を有する基板を
    備えるステップと、（ｂ）シリコン化合物を有するガス
    混合体を用いて、前記誘電体層を処理するステップと、
    （ｃ）前記誘電体層上に１またはそれ以上のタングステ
    ン（Ｗ）の膜を形成するステップト、（ｄ）前記ビアを
    導電性材料で満たすステップと、を有することを特徴と
    する方法。
  25. 【請求項２５】 ビアを満たす前記導電性材料は、約１
    ０μΩ−ｃｍより小さな抵抗率を有することを特徴とす
    る請求項２４に記載の方法。
  26. 【請求項２６】 前記誘電体層は、二酸化シリコン、フ
    ルオロシリケートガラス（ＦＳＧ）、ドープされないシ
    リケートガラス（ＵＳＧ）及びそれらの組合せのグルー
    プから選択されることを特徴とする請求項２４に記載の
    方法。
  27. 【請求項２７】 ビアを満たす前記導電性材料は、銅
    （Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）及びそれらの組合せの
    グループから選択されることを特徴とする請求項２４に
    記載の方法。
  28. 【請求項２８】 前記シリコン化合物は、シラン（Ｓｉ
    Ｈ4）、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、ジクロロシラン（Ｓｉ
    Ｃｌ2Ｈ2）およびそれらの組合せのグループから選択さ
    れることを特徴とする請求項２４に記載の方法。
  29. 【請求項２９】 前記ステップ（ｂ）のガスの混合体
    は、更にキャリアガスを有することを特徴とする請求項
    ２４に記載の方法。
  30. 【請求項３０】 前記キャリアガスは、アルゴン（Ａ
    ｒ）、窒素（Ｎ2）、水素（Ｈ2）及びそれらの組合せの
    グループから選択されることを特徴とする請求項２９に
    記載の方法。
  31. 【請求項３１】 前記ステップ（ｂ）は、約２５０℃か
    ら約５５０℃の間の温度で行なわれることを特徴とする
    請求項２４に記載の方法。
  32. 【請求項３２】 前記ステップ（ｂ）は、約５秒から約
    ３０秒の範囲の時間行なわれることを特徴とする請求項
    ２４に記載の方法。
  33. 【請求項３３】 前記ステップ（ｂ）は、約５ｓｃｃｍ
    から約５０ｓｃｃｍまでの範囲の流速を有することを特
    徴とする請求項２４に記載の方法。
  34. 【請求項３４】 前記ステップ（ｂ）は、約０．５トル
    から約２トルまでの圧力で行なわれることを特徴とする
    請求項２４に記載の方法。
  35. 【請求項３５】 前記キャリアガスは、約１００ｓｃｃ
    ｍから約１０００ｓｃｃｍまでの範囲の流速を有するこ
    とを特徴とする請求項２９に記載の方法。
  36. 【請求項３６】 前記ステップ（ｃ）は、 堆積チャンバに基板を配置するステップと、 前記堆積チャンバにガスの混合体を与えるステップと、
    を有し、前記ガスの混合体は、Ｗ（ＣＯ）6の先駆物質
    を有し、且つ前記基板上にタングステンの膜を形成する
    ために、前記Ｗ（ＣＯ）6の先駆物質を熱分解するステ
    プと、を有することを特徴とする請求項２４に記載の方
    法。
  37. 【請求項３７】 前記ガスの混合体は、更にキャリアガ
    スを有することを特徴とする請求項３６に記載の方法。
  38. 【請求項３８】 前記キャリアガスは、アルゴン（Ａ
    ｒ）、窒素（Ｎ2）、及びそれらの組合せのグループか
    ら選択されることを特徴とする請求項３７に記載の方
    法。
  39. 【請求項３９】 前記堆積チャンバは、約２５０℃から
    約５５０℃の間の温度に加熱されることを特徴とする請
    求項３６に記載の方法。
  40. 【請求項４０】 前記堆積チャンバ、約０．５トルから
    約２トルの間の圧力に維持されることを特徴とする請求
    項３６に記載の方法。
  41. 【請求項４１】 前記Ｗ(ＣＯ)6の先駆物質は、約２ｓ
    ｃｃｍから約２０ｓｃｃｍまでの範囲の流速で堆積チャ
    ンバに与えられることを特徴とする請求項３６に記載の
    方法。
  42. 【請求項４２】 前記キャリアガスは、約１００ｓｃｃ
    ｍから約１０００ｓｃｃｍまでの範囲の流速で堆積チャ
    ンバに与えられることを特徴とする請求項３７に記載の
    方法。
  43. 【請求項４３】 前記ステップ（ｃ）は、 堆積チャンバに基板を配置するステップと、 前記堆積チャンバにガスの混合体を与えるステップと、
    を有し、前記ガスの混合体は、タングステンヘキサフル
    オライド（ＷＦ6）の先駆物質を有し、且つ前記基板上
    にタングステンの膜を形成するために、前記ＷＦ6の先
    駆物質を熱分解するステップと、を有することを特徴と
    する請求項２４に記載の方法。
  44. 【請求項４４】 前記ガスの混合体は、更にキャリアガ
    スを有することを特徴とする請求項４３に記載の方法。
  45. 【請求項４５】 前記堆積チャンバ、約３００トルから
    約４００トルの範囲の圧力に維持されることを特徴とす
    る請求項４３に記載の方法。
  46. 【請求項４６】 前記ＷＦ6の先駆物質は、約２００ｓ
    ｃｃｍから約４００ｓｃｃｍまでの範囲の流速で堆積チ
    ャンバに与えられることを特徴とする請求項４３に記載
    の方法。
  47. 【請求項４７】 前記キャリアガスは、アルゴン（Ａ
    ｒ）、窒素（Ｎ2）及びそれらの組合せのグループから
    選択されることを特徴とする請求項４４に記載の方法。
  48. 【請求項４８】 前記キャリアガスは、約１００ｓｃｃ
    ｍから約１０００ｓｃｃｍまでの範囲の流速でプロセス
    チャンバに与えられることを特徴とする請求項４７に記
    載の方法。
  49. 【請求項４９】 前記プロセスチャンバは、約３００℃
    から約５００℃までの範囲の温度に維持されることを特
    徴とする請求項１７に記載の方法。
  50. 【請求項５０】 実行されるとき、汎用コンピュータが
    （ａ）シリコン化合物を有するガス混合体を用いて基板
    を処理するステップと、（ｂ）前記基板上に１またはそ
    れ以上のタングステン（Ｗ）の膜を形成するステップと
    を有する層の堆積方法を用いる堆積チャンバを制御する
    ソフトウエアを含むコンピュータ記憶媒体。
  51. 【請求項５１】 前記シリコン化合物は、シラン（Ｓｉ
    Ｈ4）、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、ジクロロシラン（Ｓｉ
    Ｃｌ2Ｈ2）およびそれらの組合せのグループから選択さ
    れることを特徴とする請求項５０に記載のコンピュータ
    記憶媒体。
  52. 【請求項５２】 前記ステップ（ａ）のガス混合体は、
    更にキャリアガスを有することを特徴とする請求項５０
    に記載のコンピュータ記憶媒体。
  53. 【請求項５３】 前記キャリアガスは、アルゴン（Ａ
    ｒ）、窒素（Ｎ2）、水素（Ｈ2）及びそれらの組合せの
    グループから選択されることを特徴とする請求項５２に
    記載のコンピュータ記憶媒体。
  54. 【請求項５４】 前記ステップ（ａ）は、約２５０℃か
    ら約５５０℃までの範囲の温度で行なわれることを特徴
    とする請求項５０に記載のコンピュータ記憶媒体。
  55. 【請求項５５】 前記ステップ（ａ）は、約５秒から約
    ３０秒までの範囲の時間で行なわれることを特徴とする
    請求項５０に記載のコンピュータ記憶媒体。
  56. 【請求項５６】 前記シリコン化合物は、約５ｓｃｃｍ
    から約５０ｓｃｃｍまでの範囲の流速を有することを特
    徴とする請求項５０に記載のコンピュータ記憶媒体。
  57. 【請求項５７】 前記ステップ（ａ）は、約０．５トル
    から約２トルまでの範囲の圧力で行なわれることを特徴
    とする請求項５０に記載のコンピュータ記憶媒体。
  58. 【請求項５８】 前記キャリアガスは、約１００ｓｃｃ
    ｍから約１０００ｓｃｃｍまでの範囲の流速を有するこ
    とを特徴とする請求項５３に記載のコンピュータ記憶媒
    体。
  59. 【請求項５９】 前記ステップ（ｂ）は、 堆積チャンバに基板を配置するステップと、 前記堆積チャンバにガスの混合体を与えるステップと、
    を有し、前記ガスの混合体は、Ｗ(ＣＯ)6の先駆物質を
    有し、且つ前記基板上にタングステンの膜を形成するた
    めに、前記Ｗ(ＣＯ)6の先駆物質を熱分解するステップ
    と、を有することを特徴とする請求項５０に記載のコン
    ピュータ記憶媒体。
  60. 【請求項６０】 前記ガス混合体は、更にキャリアガス
    を有することを特徴とする請求項５９に記載のコンピュ
    ータ記憶媒体。
  61. 【請求項６１】 前記キャリアガスは、アルゴン（Ａ
    ｒ）、窒素（Ｎ2）及びそれらの組合せのグループから
    選択されることを特徴とする請求項６０に記載のコンピ
    ュータ記憶媒体。
  62. 【請求項６２】 前記堆積チャンバは、約２５０℃から
    約５５０℃の間の温度に加熱されることを特徴とする請
    求項５９に記載のコンピュータ記憶媒体。
  63. 【請求項６３】 前記堆積チャンバ、約０．５トルから
    約２トルの間の圧力に維持されることを特徴とする請求
    項５９に記載のコンピュータ記憶媒体。
  64. 【請求項６４】 前記Ｗ(ＣＯ)6の先駆物質は、約２ｓ
    ｃｃｍから約２０ｓｃｃｍまでの範囲の流速で堆積チャ
    ンバに与えられることを特徴とする請求項５９に記載の
    コンピュータ記憶媒体。
  65. 【請求項６５】 前記キャリアガスは、約１００ｓｃｃ
    ｍから約１０００ｓｃｃｍまでの範囲の流速で堆積チャ
    ンバに与えられることを特徴とする請求項６０に記載の
    コンピュータ記憶媒体。
  66. 【請求項６６】 前記ステップ（ｂ）は、 堆積チャンバに基板を配置するステップと、 前記堆積チャンバにガスの混合体を与えるステップと、
    を有し、前記ガスの混合体は、タングステンヘキサフル
    オライド（ＷＦ6）の先駆物質を有し、且つ前記基板上
    にタングステンの膜を形成するために、前記ＷＦ6の先
    駆物質を熱分解するステップと、を有することを特徴と
    する請求項５０に記載のコンピュータ記憶媒体。
  67. 【請求項６７】 前記ガスの混合体は、更にキャリアガ
    スを有することを特徴とする請求項６６に記載のコンピ
    ュータ記憶媒体。
  68. 【請求項６８】 前記堆積チャンバ、約３００トルから
    約４００トルの範囲の圧力に維持されることを特徴とす
    る請求項６６に記載のコンピュータ記憶媒体。
  69. 【請求項６９】 前記ＷＦ6の先駆物質は、約２００ｓ
    ｃｃｍから約４００ｓｃｃｍまでの範囲の流速で堆積チ
    ャンバに与えられることを特徴とする請求項６６に記載
    の方法。
  70. 【請求項７０】 前記キャリアガスは、アルゴン（Ａ
    ｒ）、窒素（Ｎ2）及びそれらの組合せのグループから
    選択されることを特徴とする請求項１８に記載のコンピ
    ュータ記憶媒体。
  71. 【請求項７１】 前記キャリアガスは、約１００ｓｃｃ
    ｍから約１０００ｓｃｃｍまでの範囲の流速でプロセス
    チャンバに与えられることを特徴とする請求項７０に記
    載のコンピュータ記憶媒体。
  72. 【請求項７２】 前記プロセスチャンバは、約３００℃
    から約５００℃までの範囲の温度に維持されることを特
    徴とする請求項６６に記載のコンピュータ記憶媒体。
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