JP2002118366A - Printed wiring board and manufacturing method thereof - Google Patents

Printed wiring board and manufacturing method thereof

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JP2002118366A JP2000266280A JP2000266280A JP2002118366A JP 2002118366 A JP2002118366 A JP 2002118366A JP 2000266280 A JP2000266280 A JP 2000266280A JP 2000266280 A JP2000266280 A JP 2000266280A JP 2002118366 A JP2002118366 A JP 2002118366A
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a printed wiring board and manufacturing method thereof where the loop inductance is reduced while the number of inter-layer resin insulating layers is decreased. SOLUTION: First, second, and third resin substrates 30a, 30b, 30c where a conductor circuit 32 is formed on both surfaces are laminated through bonding resin layers 33a and 33b to form a core substrate 30, in which a chip capacitor 20 is provided. Thus, the loop inductance is reduced while the number of inter- layer resin insulating layers is decreased.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、ICチップなど
の電子部品を載置するプリント基板に関し、特にコンデ
ンサを内蔵するプリント配線板及びプリント配線板の製
造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a printed circuit board on which electronic components such as IC chips are mounted, and more particularly to a printed circuit board having a built-in capacitor and a method of manufacturing the printed circuit board.

【0002】[0002]

【従来の技術】現在、パッケージ基板用のプリント配線
板では、ICチップへの電力の供給を円滑にする等の目
的のため、チップコンデンサを表面実装することがあ
る。
2. Description of the Related Art At present, in a printed wiring board for a package substrate, a chip capacitor is sometimes mounted on a surface for the purpose of, for example, smoothly supplying power to an IC chip.

【0003】チップコンデンサからICチップまでの配
線のリアクタンス分は周波数に依存するため、ICチッ
プの駆動周波数の増加に伴い、チップコンデンサを表面
実装させても十分な効果を得ることができなかった。こ
のため、本出願人は、特願平11−248311号に
て、コア基板に凹部を形成し、凹部にチップコンデンサ
を収容させる技術を提案した。また、コンデンサを基板
に埋め込む技術としては、特開平6−326472号、
特開平7−263619号、特開平10−256429
号、特開平11−45955号、特開平11−1269
78号、特開平11−312868号等がある。
Since the reactance of the wiring from the chip capacitor to the IC chip depends on the frequency, a sufficient effect cannot be obtained even if the chip capacitor is surface-mounted with the increase in the driving frequency of the IC chip. For this reason, the present applicant has proposed a technique in Japanese Patent Application No. 11-248311 in which a recess is formed in a core substrate and a chip capacitor is accommodated in the recess. Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-326472 discloses a technique for embedding a capacitor in a substrate.
JP-A-7-263519, JP-A-10-256429
JP-A-11-45555, JP-A-11-1269
No. 78 and JP-A-11-31868.

【0004】特開平6−326472号には、ガラスエ
ポキシからなる樹脂基板に、コンデンサを埋め込む技術
が開示されている。この構成により、電源ノイズを低減
し、かつ、チップコンデンサを実装するスペースが不要
になり、絶縁性基板を小型化できる。また、特開平7−
263619号には、セラミック、アルミナなどの基板
にコンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構
成により、電源層及び接地層の間に接続することで、配
線長を短くし、配線のインダクタンスを低減している。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-326472 discloses a technique for embedding a capacitor in a resin substrate made of glass epoxy. With this configuration, power supply noise is reduced, and a space for mounting a chip capacitor is not required, and the size of the insulating substrate can be reduced. In addition, Japanese Patent Application Laid-Open
No. 263619 discloses a technique for embedding a capacitor in a substrate made of ceramic, alumina, or the like. With this configuration, by connecting between the power supply layer and the ground layer, the wiring length is shortened and the wiring inductance is reduced.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た特開平6−326472号、特開平7−263619
号は、ICチップからコンデンサの距離をあまり短くで
きず、ICチップの更なる高周波数領域においては、現
在必要とされるようにインダクタンスを低減することが
できなかった。特に、樹脂製の多層ビルドアップ配線板
においては、セラミックから成るコンデンサと、樹脂か
らなるコア基板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いか
ら、チップコンデンサの端子とビアとの間に断線、チッ
プコンデンサと層間樹脂絶縁層との間で剥離、層間樹脂
絶縁層にクラックが発生し、長期に渡り高い信頼性を達
成することができなかった。
However, the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-326472 and Japanese Patent Application Laid-open No.
Cannot reduce the distance between the IC chip and the capacitor too much, and could not reduce the inductance as required at present in the higher frequency range of the IC chip. In particular, in the case of a resin-made multilayer build-up wiring board, disconnection between a terminal of a chip capacitor and a via due to a difference in the coefficient of thermal expansion between a capacitor made of ceramic and a core substrate made of resin and an interlayer resin insulating layer. Peeling occurred between the capacitor and the interlayer resin insulation layer, cracks occurred in the interlayer resin insulation layer, and high reliability could not be achieved for a long period of time.

【0006】一方、特願平11−248311号の発明
では、コンデンサの配設位置ずれがあったとき、コンデ
ンサの端子とビアとの接続が正確にできず、コンデンサ
からICチップへの電力供給ができなくなる恐れがあっ
た。
On the other hand, in the invention of Japanese Patent Application No. 11-248311, when there is a displacement in the arrangement of the capacitor, the connection between the terminal of the capacitor and the via cannot be made accurately, and the power supply from the capacitor to the IC chip is not possible. There was a fear that it would not be possible.

【0007】また、パッケージ基板として用いられる多
層ビルドアップ配線板は、各層間樹脂絶縁層を以下の工
程を経てビルドアップしていく。まず、ロールーコータ
ーや印刷により層間絶縁樹脂を塗布、露光、現像して、
層間導通のためのバイアホール開口部を形成させて、U
V硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。さら
に、その層間絶縁層に酸や酸化剤などにより粗化処理を
施した粗化面にパラジウムなどの触媒を付ける。そし
て、薄い無電解めっき膜を形成し、そのめっき膜上にド
ライフィルムにてパターンを形成し、電解めっきで厚付
けしたのち、アルカリでドライフィルムを剥離除去し、
エッチングして導体回路を作り出させる。即ち、1層を
形成する毎に上述した工程を繰り返すこと必要があり、
層数が増大すると、工程数が増すと共に歩留まりが低下
する。
In a multilayer build-up wiring board used as a package substrate, each interlayer resin insulation layer is built up through the following steps. First, apply, expose and develop interlayer insulating resin by roll coater or printing,
By forming a via hole opening for interlayer conduction,
After V curing and main curing, an interlayer resin insulating layer is formed. Further, a catalyst such as palladium is applied to the roughened surface obtained by subjecting the interlayer insulating layer to a roughening treatment with an acid, an oxidizing agent, or the like. Then, form a thin electroless plating film, form a pattern on the plating film with a dry film, and after thickening by electrolytic plating, peel off and remove the dry film with alkali,
Etching to create conductor circuits. That is, it is necessary to repeat the above-described steps each time one layer is formed,
As the number of layers increases, the number of steps increases and the yield decreases.

【0008】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的は、コンデンサを内蔵
し、接続信頼性を高めたプリント配線板及びプリント配
線板の製造方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a printed wiring board having a built-in capacitor and improved connection reliability, and a method of manufacturing the printed wiring board. It is in.

【0009】また、本発明は、ループインダクタンスを
低減でき、なおかつ、層間樹脂絶縁層の層数を削減した
プリント配線板およびプリント配線板の製造方法を提供
することにある。
Another object of the present invention is to provide a printed wiring board and a method for manufacturing the printed wiring board, wherein the loop inductance can be reduced and the number of interlayer resin insulating layers is reduced.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、請求項1の発明では、コア基板上に、樹脂絶縁層
と導体回路とを積層してなるプリント配線板であって、
前記コア基板は、導体回路を形成した複数枚の樹脂基板
を貼り合わせてなり、前記コア基板内に、コンデンサが
収容されていることを技術的特徴とする。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a printed wiring board comprising a resin insulating layer and a conductive circuit laminated on a core substrate.
The technical feature of the core substrate is that a plurality of resin substrates on which conductive circuits are formed are bonded together, and a capacitor is housed in the core substrate.

【0011】請求項2の発明では、コア基板上に、樹脂
絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であ
って、前記コア基板は、導体回路を形成した複数枚の樹
脂基板を貼り合わせてなり、前記コア基板内に形成され
た凹部中にコンデンサが収容されていることを技術的特
徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a printed wiring board comprising a resin insulating layer and a conductive circuit laminated on a core substrate, wherein the core substrate comprises a plurality of resin substrates on which a conductive circuit is formed. It is a technical feature that the capacitor is housed in a recess formed in the core substrate.

【0012】請求項1および請求項2では、コア基板内
にコンデンサを収容することが可能となり、ICチップ
とコンデンサとの距離が短くなるため、プリント配線板
のループインダクタンスを低減できる。また、導体回路
が形成された樹脂基板を複数枚積層してコア基板を形成
しているため、コア基板内の配線密度が高まり、層間樹
脂絶縁層の層数を減らすことが可能となる。
According to the first and second aspects, the capacitor can be accommodated in the core substrate, and the distance between the IC chip and the capacitor is shortened, so that the loop inductance of the printed wiring board can be reduced. Further, since the core substrate is formed by laminating a plurality of resin substrates on which conductive circuits are formed, the wiring density in the core substrate is increased, and the number of interlayer resin insulating layers can be reduced.

【0013】コア基板上に層間樹脂絶縁層を設けて、該
層間樹脂絶縁層にバイアホールもしくはスルーホールを
施して、導電層である導体回路を形成するビルドアップ
法によって形成する回路を意味している。それらには、
セミアディティブ法、フルアディティブ法のいずれかを
用いることができる。
A circuit formed by a build-up method in which an interlayer resin insulation layer is provided on a core substrate, a via hole or a through hole is provided in the interlayer resin insulation layer, and a conductor circuit as a conductive layer is formed. I have. They include
Either a semi-additive method or a full-additive method can be used.

【0014】空隙には、樹脂を充填させることが望まし
い。コンデンサ、コア基板間の空隙をなくすことによっ
て、内蔵されたコンデンサが、挙動することが小さくな
るし、コンデンサを起点とする応力が発生したとして
も、該充填された樹脂により緩和することができる。ま
た、該樹脂には、コンデンサとコア基板との接着やマイ
グレーションの低下させるという効果も有する。
It is desirable to fill the void with a resin. By eliminating the gap between the capacitor and the core substrate, the built-in capacitor is less likely to behave, and even if a stress originating from the capacitor is generated, the stress can be reduced by the filled resin. The resin also has the effect of reducing adhesion and migration between the capacitor and the core substrate.

【0015】請求項3では、複数枚の樹脂基板を、接着
板を介在させて貼り合わせるため、強固に接着させるこ
とができる。
According to the third aspect, since a plurality of resin substrates are bonded together with an adhesive plate interposed therebetween, they can be firmly bonded.

【0016】請求項4では、接着板が心材に熱硬化性樹
脂を含浸させてなるため、コア基板に高い強度を持たせ
ることができる。
According to the fourth aspect, since the adhesive plate is formed by impregnating the core material with a thermosetting resin, the core substrate can have high strength.

【0017】請求項5では、樹脂基板は、心材に樹脂を
含浸させてなるため、コア基板に高い強度を持たせるこ
とができる。
In the fifth aspect, the resin substrate is obtained by impregnating the core material with the resin, so that the core substrate can have high strength.

【0018】請求項6では、コア基板内に複数個のコン
デンサを収容するため、コンデンサの高集積化が可能と
なる。
According to the sixth aspect, since a plurality of capacitors are accommodated in the core substrate, high integration of the capacitors becomes possible.

【0019】請求項7では、基板内に収容したコンデン
サに加えて表面にコンデンサを配設してある。プリント
配線板内にコンデンサが収容してあるために、ICチッ
プとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタ
ンスを低減し、瞬時に電源を供給することができ、一
方、プリント配線板の表面にもコンデンサが配設してあ
るので、大容量のコンデンサを取り付けることができ、
ICチップに大電力を容易に供給することが可能とな
る。
According to the present invention, a capacitor is provided on the surface in addition to the capacitor housed in the substrate. Since the capacitor is housed in the printed wiring board, the distance between the IC chip and the capacitor is shortened, the loop inductance is reduced, and power can be supplied instantaneously. Because a capacitor is provided, a large-capacity capacitor can be attached.
Large power can be easily supplied to the IC chip.

【0020】請求項8では、表面のコンデンサの静電容
量は、内層のコンデンサの静電容量以上であるため、高
周波領域における電源供給の不足がなく、所望のICチ
ップの動作が確保される。
According to the present invention, since the capacitance of the capacitor on the front surface is equal to or larger than the capacitance of the capacitor in the inner layer, there is no shortage of power supply in a high frequency region, and a desired operation of the IC chip is ensured.

【0021】請求項9では、表面のコンデンサのインダ
クタンスは、内層のコンデンサのインダクタンス以上で
あるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、
所望のICチップの動作が確保される。
According to the ninth aspect, since the inductance of the capacitor on the surface is equal to or larger than the inductance of the capacitor in the inner layer, there is no shortage of power supply in a high frequency region.
The desired operation of the IC chip is ensured.

【0022】請求項10、11では、金属膜を形成した
チップコンデンサの電極へめっきによりなるバイアホー
ルで電気的接続を取ってある。ここで、チップコンデン
サの電極は、メタライズからなり表面に凹凸があるが、
金属膜により表面が平滑になり、バイアホールを形成す
るため、電極上に被覆された樹脂に通孔を形成した際
に、樹脂残さが残らず、バイアホールと電極との接続信
頼性を高めることができる。更に、めっきの形成された
電極に、めっきによりバイアホールを形成するため、電
極とバイアホールとの接続性が高く、ヒートサイクル試
験を実施しても、電極とバイアホール間の断線が生じる
ことがない。
According to the tenth and eleventh aspects, the electrodes of the chip capacitor on which the metal film is formed are electrically connected to the electrodes by plating via holes. Here, the electrode of the chip capacitor is made of metallized and has irregularities on the surface,
The metal film smoothes the surface and forms a via hole, so that when a through hole is formed in the resin coated on the electrode, no resin residue remains and the connection reliability between the via hole and the electrode is improved. Can be. Furthermore, since the via hole is formed by plating on the plated electrode, the connectivity between the electrode and the via hole is high, and even if a heat cycle test is performed, disconnection between the electrode and the via hole may occur. Absent.

【0023】コンデンサの電極の金属膜には、銅、ニッ
ケル、貴金属のいずれかの金属が配設されているものが
望ましい。内蔵したコンデンサにスズや亜鉛などの層
は、バイアホールとの接続部におけるマイグレーション
を誘発しやすいからである。故に、マイグレーションの
発生を防止することも出来る。
It is desirable that the metal film of the electrode of the capacitor is provided with any one of copper, nickel and noble metal. This is because a layer of tin or zinc in the built-in capacitor easily induces migration at a connection portion with the via hole. Therefore, the occurrence of migration can be prevented.

【0024】また、チップコンデンサの表面に粗化処理
を施してもよい。これにより、セラミックから成るチッ
プコンデンサと樹脂からなる層間樹脂絶縁層との密着性
が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での層間
樹脂絶縁層の剥離が発生することがない。
The surface of the chip capacitor may be roughened. Accordingly, the adhesion between the ceramic chip capacitor and the interlayer resin insulating layer made of resin is high, and the interlayer resin insulating layer does not peel off at the interface even when the heat cycle test is performed.

【0025】請求項12では、絶縁性接着剤の熱膨張率
を、コア基板よりも小さく、即ち、セラミックからなる
コンデンサに近いように設定してある。このため、ヒー
トサイクル試験において、コア基板とコンデンサとの間
に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板にクラ
ック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。
In the twelfth aspect, the coefficient of thermal expansion of the insulating adhesive is set to be smaller than that of the core substrate, that is, closer to that of a capacitor made of ceramic. For this reason, in the heat cycle test, even if internal stress is generated due to a difference in the coefficient of thermal expansion between the core substrate and the capacitor, cracks, peeling, and the like hardly occur on the core substrate, and high reliability can be achieved.

【0026】請求項13では、チップコンデンサの電極
の被覆層から、少なくとも一部が露出してプリント配線
板に収容し、被覆層から露出した電極に電気的接続を取
ってある。このとき、被覆層から露出した金属は、主成
分がCuであることが望ましい。接続抵抗を低減するこ
とができるからである。
According to a thirteenth aspect, at least a portion of the electrode of the chip capacitor is exposed and accommodated in the printed wiring board, and the electrode exposed from the coating layer is electrically connected. At this time, the main component of the metal exposed from the coating layer is desirably Cu. This is because the connection resistance can be reduced.

【0027】請求項14では、外縁の内側に電極の形成
されたチップコンデンサを用いるため、バイアホールを
経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、アライメン
トの許容範囲が広がるために、接続不良がなくなる。
According to the fourteenth aspect, since a chip capacitor having an electrode formed inside the outer edge is used, a large external electrode can be obtained even when conduction is established via the via hole, and the allowable range of alignment is widened. Disappears.

【0028】請求項15では、マトリクス状に電極が形
成されたコンデンサを用いるので、大判のチップコンデ
ンサをコア基板に収容することが容易になる。そのた
め、静電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決
することができる。さらに、種々の熱履歴などを経ても
プリント配線板に反りが発生し難くなる。
In the fifteenth aspect, since a capacitor having electrodes formed in a matrix is used, it is easy to accommodate a large chip capacitor in the core substrate. Therefore, the capacitance can be increased, so that an electrical problem can be solved. Further, even after various thermal histories, the printed wiring board is less likely to warp.

【0029】請求項16では、コンデンサに多数個取り
用のチップコンデンサを複数連結させてもよい。それに
よって、静電容量を適宜調整することができ、適切にI
Cチップを動作させることができる。
In the sixteenth aspect, a plurality of chip capacitors for multi-cavity may be connected to the capacitor. As a result, the capacitance can be adjusted appropriately, and I
The C chip can be operated.

【0030】請求項17のプリント配線板の製造方法
は、少なくとも以下(a)〜(e)の工程を備えること
を技術的特徴とする: (a)複数枚の樹脂基板に、導体回路を形成する工程; (b)接着板を介して複数枚の前記樹脂基板を積層する
工程; (c)前記樹脂基板同士を、前記接着板を介して接着し
コア基板とする工程; (d)前記コア基板に、凹部を形成する工程; (e)前記凹部にコンデンサを収容する工程。
According to a seventeenth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a printed wiring board, which comprises at least the following steps (a) to (e): (a) forming a conductive circuit on a plurality of resin substrates; (B) laminating a plurality of the resin substrates via an adhesive plate; (c) bonding the resin substrates to each other via the adhesive plate to form a core substrate; (d) the core Forming a recess in the substrate; (e) housing a capacitor in the recess.

【0031】請求項18のプリント配線板の製造方法
は、少なくとも以下(a)〜(e)の工程を備えること
を技術的特徴とする: (a)通孔を備え、表面に導体回路を配設した樹脂基板
を形成する工程; (b)通孔を備えず、表面に導体回路を配設した樹脂基
板を形成する工程; (c)前記通孔を備える樹脂基板と前記通孔を備えない
樹脂基板とを接着板を介して積層する工程; (d)前記樹脂基板同士を、前記接着板を介して接着し
コア基板とする工程; (e)前記通孔にコンデンサを収容する工程。
The technical feature of the method for manufacturing a printed wiring board according to the eighteenth aspect is to provide at least the following steps (a) to (e): (a) A through hole is provided, and a conductor circuit is provided on the surface. Forming a resin substrate provided; (b) forming a resin substrate provided with a conductive circuit on a surface without a through hole; (c) a resin substrate having the through hole and not including the through hole. (D) bonding the resin substrates to each other via the adhesive plate to form a core substrate; and (e) housing a capacitor in the through hole.

【0032】請求項17および請求項18では、コア基
板内にコンデンサを収容することが可能となり、ICチ
ップとコンデンサとの距離が短くなるため、プリント配
線板のループインダクタンスを低減できる。また、導体
回路が形成された樹脂基板を複数枚積層してコア基板を
形成しているため、コア基板内の配線密度が高まり、層
間樹脂絶縁層の層数を減らすことが可能となる。
In the seventeenth and eighteenth aspects, the capacitor can be accommodated in the core substrate, and the distance between the IC chip and the capacitor is shortened, so that the loop inductance of the printed wiring board can be reduced. Further, since the core substrate is formed by laminating a plurality of resin substrates on which conductive circuits are formed, the wiring density in the core substrate is increased, and the number of interlayer resin insulating layers can be reduced.

【0033】[0033]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図を参照して説明する。先ず、本発明の第1実施形態に
係るプリント配線板の構成について、図7及び図8を参
照して説明する。図7は、プリント配線板10の断面を
示し、図8は、図7に示すプリント配線板10にICチ
ップ90を搭載し、ドータボード95側へ取り付けた状
態を示している。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, the configuration of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 7 shows a cross section of the printed wiring board 10, and FIG. 8 shows a state where the IC chip 90 is mounted on the printed wiring board 10 shown in FIG.

【0034】図7に示すように、プリント配線板10
は、チップコンデンサ20を収容するコア基板30と、
ビルドアップ配線層80A、80Bとからなる。ビルド
アップ配線層80Aとビルドアップ配線層80Bとは、
スルーホール56を介して接続されている。ビルドアッ
プ配線層80A、80Bは、層間樹脂絶縁層40、14
0からなる。上側のビルドアップ配線層80A側の層間
樹脂絶縁層40には、導体回路58及びチップコンデン
サ20の第1電極21と第2電極22に接続されたバイ
アホール60が形成され、層間樹脂絶縁層140には、
導体回路158及びバイアホール160が形成されてい
る。一方、下側のビルドアップ配線層80B側の層間樹
脂絶縁層40には、導体回路58が形成され、層間樹脂
絶縁層140には、導体回路158及びバイアホール1
60が形成されている。ビルドアップ配線層80A、8
0Bの層間樹脂絶縁層140の上には、ソルダーレジス
ト層70が形成されている。
As shown in FIG. 7, the printed wiring board 10
Is a core substrate 30 that houses the chip capacitor 20,
It consists of build-up wiring layers 80A and 80B. The build-up wiring layer 80A and the build-up wiring layer 80B
They are connected via through holes 56. The build-up wiring layers 80A, 80B are formed of the interlayer resin insulation layers 40, 14
Consists of zero. In the interlayer resin insulation layer 40 on the side of the upper build-up wiring layer 80A, via holes 60 connected to the conductor circuit 58 and the first electrode 21 and the second electrode 22 of the chip capacitor 20 are formed. In
Conductive circuits 158 and via holes 160 are formed. On the other hand, the conductor circuit 58 is formed in the interlayer resin insulation layer 40 on the lower buildup wiring layer 80B side, and the conductor circuit 158 and the via hole 1 are formed in the interlayer resin insulation layer 140.
60 are formed. Build-up wiring layers 80A, 8
The solder resist layer 70 is formed on the interlayer resin insulating layer 140 of the layer 0B.

【0035】チップコンデンサ20は、図7に示すよう
に第1電極21と第2電極22と、第1、第2電極に挟
まれた誘電体23とから成り、誘電体23には、第1電
極21側に接続された第1導電膜24と、第2電極22
側に接続された第2導電膜25とが複数枚対向配置され
ている。
As shown in FIG. 7, the chip capacitor 20 includes a first electrode 21, a second electrode 22, and a dielectric 23 sandwiched between the first and second electrodes. A first conductive film 24 connected to the electrode 21 side;
A plurality of second conductive films 25 connected to the side are arranged to face each other.

【0036】図8に示すように、上側のビルドアップ配
線層80Aには、ICチップ90のパッド92E,92
P、92Sへ接続するための半田バンプ76Uが配設さ
れている。一方、下側のビルドアップ配線層80Bに
は、ドータボード95のパッド94E、94P、94S
へ接続するための半田バンプ76Dが配設されている。
As shown in FIG. 8, pads 92E and 92 of IC chip 90 are provided on upper build-up wiring layer 80A.
A solder bump 76U for connection to P, 92S is provided. On the other hand, pads 94E, 94P, 94S of daughter board 95 are provided on lower build-up wiring layer 80B.
A solder bump 76D is provided for connection to the substrate.

【0037】図8中に示すICチップ90の信号用のパ
ッド92Sは、バンプ76U−導体回路158−バイア
ホール160−スルーホール56−バイアホール160
−バンプ76Dを介して、ドータボード95の信号用の
パッド94Sに接続されている。
The signal pads 92S of the IC chip 90 shown in FIG. 8 include bumps 76U, conductor circuits 158, via holes 160, through holes 56, and via holes 160.
-Connected to the signal pads 94S of the daughter board 95 via the bumps 76D.

【0038】ICチップ90の接地用パッド92Eは、
バンプ76U−バイアホール160−導体回路58−バ
イアホール60を介してチップコンデンサ20の第1電
極21へ接続されている。一方、ドータボード95の接
地用パッド94Eは、バンプ76D−バイアホール16
0−スルーホール56−バイアホール60を介してチッ
プコンデンサ20の第1電極21へ接続されている。
The grounding pad 92E of the IC chip 90 is
It is connected to the first electrode 21 of the chip capacitor 20 via the bump 76U, the via hole 160, the conductor circuit 58, and the via hole 60. On the other hand, the ground pad 94E of the daughter board 95 is connected to the bump 76D-via hole 16D.
It is connected to the first electrode 21 of the chip capacitor 20 via the 0-through hole 56-the via hole 60.

【0039】ICチップ90の電源用パッド92Pは、
バンプ76U−バイアホール160−導体回路58−バ
イアホール60を介してチップコンデンサ20の第2電
極22へ接続されている。一方、ドータボード95の電
源用パッド94Pは、バンプ76D−バイアホール16
0−スルーホール56−バイアホール60を介してチッ
プコンデンサ20の第2電極22へ接続されている。
The power supply pad 92P of the IC chip 90 is
It is connected to the second electrode 22 of the chip capacitor 20 via the bump 76U, the via hole 160, the conductor circuit 58, and the via hole 60. On the other hand, the power supply pad 94P of the daughter board 95 is connected to the bump 76D-via hole 16D.
It is connected to the second electrode 22 of the chip capacitor 20 via the 0-through hole 56-the via hole 60.

【0040】図7に示すように、本実施形態のコア基板
30は、第1樹脂基板30aと、第1樹脂基板30aに
接着用樹脂層(接着板)33aを介して接続された第2
樹脂基板30bと、第2樹脂基板30bに接着用樹脂層
(接着板)33bを介して接続された第3樹脂基板30
cとからなる。第1樹脂基板30a、第2樹脂基板30
b、第3樹脂基板30cの両面には、導体回路32が形
成されている。また、コア基板30にはザグリ加工によ
ってチップコンデンサ20を収容可能な凹部34が形成
され、凹部34にはチップコンデンサ20が収容されて
いる。
As shown in FIG. 7, the core substrate 30 of the present embodiment includes a first resin substrate 30a and a second resin substrate 30a connected to the first resin substrate 30a via an adhesive resin layer (adhesion plate) 33a.
The resin substrate 30b and the third resin substrate 30 connected to the second resin substrate 30b via an adhesive resin layer (adhesive plate) 33b.
c. First resin substrate 30a, second resin substrate 30
b, Conductive circuits 32 are formed on both surfaces of the third resin substrate 30c. Further, a concave portion 34 capable of accommodating the chip capacitor 20 is formed in the core substrate 30 by counterboring, and the concave portion 34 accommodates the chip capacitor 20.

【0041】これにより、コア基板30内にチップコン
デンサ20を収容することができるため、ICチップ9
0とチップコンデンサ20との距離が短くなり、プリン
ト配線板10のループインダクタンスを低減させれる。
また、両面に導体回路32が配設された第1、第2、第
3樹脂基板30a、30b、30cを積層してコア基板
30を形成しているため、コア基板30内での配線密度
が高まり、層間樹脂絶縁層の層数を減らすことが可能と
なる。
As a result, the chip capacitor 20 can be accommodated in the core substrate 30, so that the IC chip 9
The distance between 0 and the chip capacitor 20 is reduced, and the loop inductance of the printed wiring board 10 is reduced.
Further, since the core substrate 30 is formed by laminating the first, second, and third resin substrates 30a, 30b, and 30c having the conductor circuits 32 disposed on both surfaces, the wiring density in the core substrate 30 is reduced. As a result, the number of interlayer resin insulating layers can be reduced.

【0042】更に、第1実施形態では、図2(A)に示
すようにコア基板30の通孔34の下面とチップコンデ
ンサ20との間に接着剤36を介在させ、通孔37の側
面とチップコンデンサ20との間に樹脂充填剤38を充
填してある。ここで、接着剤36及び樹脂充填剤38の
熱膨張率を、コア基板30よりも小さく、即ち、セラミ
ックからなるチップコンデンサ20に近いように設定し
てある。このため、ヒートサイクル試験において、コア
基板30とチップコンデンサ20との間に熱膨張率差か
ら内応力が発生しても、コア基板30にクラック、剥離
等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。また、マイグ
レーションの発生を防止することも出来る。
Further, in the first embodiment, an adhesive 36 is interposed between the lower surface of the through hole 34 of the core substrate 30 and the chip capacitor 20 as shown in FIG. A resin filler 38 is filled between the chip capacitor 20 and the chip capacitor 20. Here, the thermal expansion coefficients of the adhesive 36 and the resin filler 38 are set to be smaller than the core substrate 30, that is, close to the chip capacitor 20 made of ceramic. For this reason, in the heat cycle test, even if internal stress is generated due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the core substrate 30 and the chip capacitor 20, cracks, peeling, and the like hardly occur in the core substrate 30, and high reliability can be achieved. . Further, occurrence of migration can be prevented.

【0043】引き続き、図7を参照して上述したプリン
ト配線板の製造方法について、図1〜図7を参照して説
明する。
Next, a method of manufacturing the printed wiring board described above with reference to FIG. 7 will be described with reference to FIGS.

【0044】(1)厚さ0.3mmのガラスクロス等の
心材にBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂を含浸さ
せ硬化させた樹脂基板31aの両面に銅箔31bがラミ
ネートされている銅張積層板31Mを出発材料とする
(図1(A))。この銅貼積層板31Mの銅箔31b
を、パターン状にエッチングすることにより、両面に導
体回路32を備える第1、第2、第3樹脂基板30a、
30b、30cを形成する(図1(B))。そして、第
3樹脂基板30cと第2樹脂基板30bとをガラスクロ
ス等の心材にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグ33
bを介して積層する。同様に、第2樹脂基板30bと第
1樹脂基板30aとをプリプレグ33aを介して積層す
る(図1(C))。
(1) A copper-clad laminate 31M in which copper foil 31b is laminated on both surfaces of a resin substrate 31a in which a core material such as a glass cloth having a thickness of 0.3 mm is impregnated with a BT (bismaleimide triazine) resin and cured. As a starting material (FIG. 1 (A)). The copper foil 31b of the copper-clad laminate 31M
Is etched in a pattern to form first, second, and third resin substrates 30a having conductor circuits 32 on both surfaces.
30b and 30c are formed (FIG. 1B). The prepreg 33 is obtained by impregnating the third resin substrate 30c and the second resin substrate 30b with a core material such as glass cloth and epoxy resin.
b. Similarly, the second resin substrate 30b and the first resin substrate 30a are laminated via the prepreg 33a (FIG. 1C).

【0045】なお、コア基板として、セラミックやAI
Nなどの基板を用いることはできなかった。該基板は外
形加工性が悪く、コンデンサを収容することができない
ことがあり、樹脂で充填させても空隙が生じてしまうた
めである。
The core substrate is made of ceramic or AI.
A substrate such as N could not be used. This is because the substrate has poor external formability, and may not be able to accommodate a capacitor, and may cause voids even when filled with resin.

【0046】(2)そして、重ね合わせた基板を熱プレ
スを用いて加圧プレスすることにより、第1、第2、第
3樹脂基板30a、30b、30cを多層状に一体化
し、コア基板30を形成する(図1(D))。ここでは
先ず、加圧されることでプリプレグ33a、33bのエ
ポキシ樹脂(絶縁性樹脂)を周囲に押し出し、エポキシ
樹脂を第1、第2、第3樹脂基板30a、30b、30
cに密着させる。更に、加圧と同時に加熱されること
で、エポキシ樹脂が硬化し、プリプレグ33a、33b
を接着板として介在させることで、第1樹脂基板30a
と第2樹脂基板30bと第3樹脂基板30cとを強固に
接着させる。
(2) Then, the first, second, and third resin substrates 30a, 30b, and 30c are integrated into a multilayer by pressing the superposed substrates by using a hot press. Is formed (FIG. 1D). Here, first, the epoxy resin (insulating resin) of the prepregs 33a, 33b is extruded to the periphery by being pressed, and the epoxy resin is applied to the first, second, and third resin substrates 30a, 30b, 30.
c. Furthermore, the epoxy resin is cured by being heated simultaneously with the pressurization, and the prepregs 33a, 33b
As an adhesive plate, the first resin substrate 30a
And the second resin substrate 30b and the third resin substrate 30c are firmly bonded.

【0047】(3)次に、コア基板30に、ザグリ加工
でチップコンデンサ20収容用の凹部34を形成する
(図1(E))。ここでは、ザグリ加工によりコンデン
サ収容用の凹部を設けているが、開口を設けた絶縁樹脂
基板と開口を設けない樹脂絶縁基板とを張り合わせるこ
とで、収容部を備えるコア基板を形成することも可能で
ある。
(3) Next, a recess 34 for accommodating the chip capacitor 20 is formed in the core substrate 30 by counterboring (FIG. 1E). Here, the concave portion for accommodating the capacitor is provided by counterboring, but a core substrate having an accommodating portion may be formed by laminating an insulating resin substrate having an opening and a resin insulating substrate having no opening. It is possible.

【0048】(4)その後、凹部34の底面に、印刷機
を用いて熱硬化系もしくはUV硬化系の接着材料36を
塗布する(図2(A))。このとき、塗布以外にも、ポ
ッティングなどをしてもよい。次に、チップコンデンサ
20を接着材料36上に載置する(図2(B))。チッ
プコンデンサ20は、1個でも複数個でもよいが、複数
個のチップコンデンサ20を用いることにより、コンデ
ンサの高集積化が可能となる。
(4) Thereafter, a thermosetting or UV-curable adhesive material 36 is applied to the bottom surface of the concave portion 34 using a printing machine (FIG. 2A). At this time, potting may be performed in addition to the application. Next, the chip capacitor 20 is placed on the adhesive material 36 (FIG. 2B). One or a plurality of chip capacitors 20 may be used, but using a plurality of chip capacitors 20 enables high integration of the capacitors.

【0049】(5)その後、凹部34内に、熱硬化性樹
脂を充填し、加熱硬化して樹脂層38を形成する(図2
(C))。このとき、熱硬化性樹脂としては、エポキ
シ、フェノール、ポリイミド、トリアジンが好ましい。
これにより、凹部34内のチップコンデンサ20を固定
し、チップコンデンサ20と凹部34の壁面との隙間を
充填する。
(5) Thereafter, the recess 34 is filled with a thermosetting resin, and is cured by heating to form a resin layer 38 (FIG. 2).
(C)). At this time, as the thermosetting resin, epoxy, phenol, polyimide, and triazine are preferable.
Thus, the chip capacitor 20 in the concave portion 34 is fixed, and the gap between the chip capacitor 20 and the wall surface of the concave portion 34 is filled.

【0050】(6)上記工程を経た基板30に、後述す
る熱硬化型エポキシ系樹脂シートを温度50〜150℃
まで昇温しながら圧力5kg/cm2で真空圧着ラミネ
ートし、層間樹脂絶縁層40を設ける(図2(D))。
真空圧着時の真空度は、10mmHgである。
(6) A thermosetting epoxy resin sheet described later is applied to the substrate 30 having undergone the above steps at a temperature of 50 to 150 ° C.
Vacuum compression lamination is performed at a pressure of 5 kg / cm 2 while the temperature is increased to provide an interlayer resin insulating layer 40 (FIG. 2D).
The degree of vacuum during vacuum compression is 10 mmHg.

【0051】(7)次いで、樹脂基板30a側の層間樹
脂絶縁層40に、レーザにより、チップコンデンサ20
の第1端子21,第2端子22へ至るバイアホール用開
口42を形成する(図2(E))。
(7) Next, the chip capacitor 20 is formed on the interlayer resin insulation layer 40 on the resin substrate 30a side by laser.
A via hole opening 42 reaching the first terminal 21 and the second terminal 22 is formed (FIG. 2E).

【0052】(8)そして、コア基板30にドリル又は
レーザにより、スルーホール用貫通孔44を形成する
(図3(A))。この後、酸素プラズマを用いてデスミ
ア処理を行う。
(8) Then, through holes 44 for through holes are formed in the core substrate 30 by a drill or a laser (FIG. 3A). Thereafter, desmear treatment is performed using oxygen plasma.

【0053】(9)次に、日本真空技術株式会社製のS
V−4540を用いてプラズマ処理を行い、コア基板3
0の全表面に粗化面46を形成する(図3(B))。こ
の際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力
200W、ガス圧0.6Pa、温度70℃の条件で、2
分間プラズマ処理を実施する。
(9) Next, S manufactured by Japan Vacuum Engineering Co., Ltd.
Plasma processing is performed using V-4540, and core substrate 3
Then, a roughened surface 46 is formed on the entire surface of No. 0 (FIG. 3B). At this time, an argon gas was used as an inert gas, and a power of 200 W, a gas pressure of 0.6 Pa and a temperature of 70 ° C. were used.
Perform plasma treatment for minutes.

【0054】(10)その後、Ni及びCuをターゲッ
トにしたスパッタリングを行い、Ni/Cu金属層48
を層間樹脂絶縁層40の表面に形成する(図3
(C))。ここでは、スパッタを用いているが、無電解
めっきにより、銅、ニッケル等の金属層を形成してもよ
い。また、場合によってはスパッタで形成した後に、無
電解めっき膜を形成させてもよい。酸あるいは酸化剤に
よって粗化処理を施してもよい。また、粗化層は、0.
1〜5μmが望ましい。
(10) Thereafter, sputtering using Ni and Cu as targets is performed, and the Ni / Cu metal layer 48 is formed.
Is formed on the surface of the interlayer resin insulation layer 40 (FIG. 3).
(C)). Here, sputtering is used, but a metal layer such as copper or nickel may be formed by electroless plating. In some cases, the electroless plating film may be formed after the formation by sputtering. Roughening treatment may be performed with an acid or an oxidizing agent. Further, the roughened layer has a thickness of 0.1 mm.
1-5 μm is desirable.

【0055】(11)次に、Ni/Cu金属層48の表
面に感光性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置し
て、露光・現像処理し、所定パターンのレジスト50を
形成する。そして、電解めっき液にコア基板30を浸漬
し、Ni/Cu金属層48を介して電流を流し、レジス
ト50非形成部に以下の条件で電解めっきを施し、電解
めっき膜52を形成する(図3(D))。
(11) Next, a photosensitive dry film is adhered to the surface of the Ni / Cu metal layer 48, a mask is placed, and exposure and development are performed to form a resist 50 having a predetermined pattern. Then, the core substrate 30 is immersed in an electrolytic plating solution, an electric current is passed through the Ni / Cu metal layer 48, and an electrolytic plating is performed on the non-formed portion of the resist 50 under the following conditions to form an electrolytic plated film 52 (FIG. 3 (D)).

【0056】 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 2.24 mol/l 硫酸銅 0.26 mol/l 添加剤(アトテックジャパン製、カパラシドHL) 19.5 ml/l 〔電解めっき条件〕 電流密度 1A/dm2 時間 120分 温度 22±2℃[Aqueous electrolytic plating solution] Sulfuric acid 2.24 mol / l Copper sulfate 0.26 mol / l Additive (captoside HL, manufactured by Atotech Japan) 19.5 ml / l [Electroplating conditions] Current density 1 A / dm 2 Time 120 minutes Temperature 22 ± 2 ℃

【0057】(12)レジスト50を5%NaOHで剥
離除去した後、そのレジスト50下のNi−Cu合金層
48を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエ
ッチングにて溶解除去し、Ni−Cu合金層48と電解
めっき膜52からなる厚さ16μmのスルーホール56
及び導体回路58(バイアホール60を含む)を形成す
る。そして、基板を水洗いし、乾燥した後、エッチング
液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、スルーホール
56及び導体回路58(バイアホール60を含む)の表
面をエッチングすることにより、スルーホール56及び
導体回路58(バイアホール60を含む)の全表面に粗
化面62を形成する(図4(A))。エッチング液とし
て、イミダゾール銅(II)錯体10重量部、グリコー
ル酸7重量部、塩化カリウム5重量部およびイオン交換
水78重量部を混合したものを使用する。
(12) After removing and removing the resist 50 with 5% NaOH, the Ni-Cu alloy layer 48 under the resist 50 is dissolved and removed by etching using a mixed solution of nitric acid, sulfuric acid and hydrogen peroxide. 16-μm-thick through-hole 56 formed of a Cu alloy layer 48 and an electrolytic plating film 52
And a conductor circuit 58 (including the via hole 60). Then, after the substrate is washed with water and dried, an etching solution is sprayed on both surfaces of the substrate by spraying to etch the surfaces of the through-hole 56 and the conductor circuit 58 (including the via-hole 60). A roughened surface 62 is formed on the entire surface of the conductor circuit 58 (including the via hole 60) (FIG. 4A). As an etching solution, a mixture of 10 parts by weight of an imidazole copper (II) complex, 7 parts by weight of glycolic acid, 5 parts by weight of potassium chloride, and 78 parts by weight of ion-exchanged water is used.

【0058】(13)エポキシ系樹脂を主成分とする樹
脂充填剤64を、スルーホール56内に充填し、加熱乾
燥を行う。(図4(B))。
(13) A resin filler 64 containing an epoxy resin as a main component is filled in the through hole 56, and is heated and dried. (FIG. 4 (B)).

【0059】(14)その後、(6)の工程で用いた熱
硬化型エポキシ系樹脂シートを温度50〜150℃まで
昇温しながら圧力5kg/cm2で真空圧着ラミネート
し、層間樹脂絶縁層140を設ける(図4(C))。真
空圧着時の真空度は、10mmHgである。ここでは、
エポキシ系樹脂を用いるが、シクロオレフィン系樹脂フ
ィルムを用いることも可能である。
(14) Thereafter, the thermosetting epoxy resin sheet used in the step (6) is vacuum-compressed and laminated at a pressure of 5 kg / cm 2 while the temperature is raised to a temperature of 50 to 150 ° C. Is provided (FIG. 4C). The degree of vacuum during vacuum compression is 10 mmHg. here,
Although an epoxy resin is used, a cycloolefin resin film can also be used.

【0060】(15)次いで、層間樹脂絶縁層140に
レーザによりバイアホール用開口142を形成する(図
4(D))。
(15) Next, a via hole opening 142 is formed in the interlayer resin insulating layer 140 by laser (FIG. 4D).

【0061】(16)(9)の工程と同様に日本真空技
術株式会社製のSV−4540を用いてプラズマ処理を
行い、層間樹脂絶縁層140の全表面に粗化面146を
形成する(図5(A))。酸あるいは酸化剤によって粗
化処理を施してもよい。また、粗化層は、0.1〜5μ
mが望ましい。
(16) In the same manner as in the step (9), plasma processing is performed using SV-4540 manufactured by Japan Vacuum Engineering Co., Ltd. to form a roughened surface 146 on the entire surface of the interlayer resin insulating layer 140 (FIG. 5 (A)). Roughening treatment may be performed with an acid or an oxidizing agent. The roughened layer has a thickness of 0.1 to 5 μm.
m is desirable.

【0062】(17)その後、(10)〜(12)の工
程を繰り返すことにより、層間樹脂絶縁層140上に、
Ni−Cu合金層148と電解めっき膜152からなる
厚さ16μmの導体回路158(バイアホール160を
含む)及び粗化面162を形成する(図5(B))。
(17) Thereafter, the steps (10) to (12) are repeated, whereby the interlayer resin insulating layer 140 is
A 16 μm-thick conductive circuit 158 (including the via hole 160) and a roughened surface 162 formed of the Ni—Cu alloy layer 148 and the electrolytic plating film 152 are formed (FIG. 5B).

【0063】(18)次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル(DMDG)に60重量%の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬社製)のエポキシ基50%をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー(分子量4000)46.67
重量部、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%の
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル社製、商
品名:エピコート1001)15重量部、イミダゾール
硬化剤(四国化成社製、商品名:2E4MZ−CN)
1.6重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモ
ノマー(共栄化学社製、商品名:R604)3重量部、
同じく多価アクリルモノマー(共栄化学社製、商品名:
DPE6A)1.5重量部、分散系消泡剤(サンノプコ
社製、商品名:S−65)0.71重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成
物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン(関東化
学社製)2.0重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン(関東化学社製)0.2重量部を加えて、粘度を25
℃で2.0Pa・sに調整したソルダーレジスト組成物
(有機樹脂絶縁材料)を得る。なお、粘度測定は、B型
粘度計(東京計器社製、DVL−B型)で60rpmの
場合はローターNo.4、6rpmの場合はローターN
o.3によった。
(18) Next, a cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) dissolved in diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) so as to have a concentration of 60% by weight was used. Oligomer for imparting properties (molecular weight 4000) 46.67
15 parts by weight, 80 parts by weight of bisphenol A type epoxy resin dissolved in methyl ethyl ketone (trade name: Epicoat 1001 manufactured by Yuka Shell Co., Ltd.), imidazole curing agent (trade name: 2E4MZ-CN manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.)
1.6 parts by weight, 3 parts by weight of a polyfunctional acrylic monomer (manufactured by Kyoei Chemical Co., trade name: R604) as a photosensitive monomer,
Also polyvalent acrylic monomer (Kyoei Chemical Co., Ltd., trade name:
1.5 parts by weight of DPE6A) and 0.71 part by weight of a dispersant antifoaming agent (manufactured by San Nopco, trade name: S-65) are placed in a container, stirred and mixed to prepare a mixed composition. Of benzophenone (manufactured by Kanto Kagaku) and 0.2 parts by weight of Michler's ketone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photosensitizer were added to give a viscosity of 25.
A solder resist composition (organic resin insulating material) adjusted to 2.0 Pa · s at ° C is obtained. The viscosity was measured using a B-type viscometer (DVL-B type, manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd.) at 60 rpm with rotor No. 4, and at 6 rpm with rotor N.
According to o.3.

【0064】(19)次に、基板30の両面に、上記ソ
ルダーレジスト組成物を20μmの厚さで塗布し、70
℃で20分間、70℃で30分間の条件で乾燥処理を行
った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画され
た厚さ5mmのフォトマスクをソルダーレジスト層70
に密着させて1000mJ/cm2の紫外線で露光し、
DMTG溶液で現像処理し、開口71U、71Dを形成
する(図6(A))。
(19) Next, the solder resist composition is applied to both sides of the substrate 30 to a thickness of 20 μm,
After performing a drying process under the conditions of 20 ° C. for 20 minutes and 70 ° C. for 30 minutes, a 5 mm-thick photomask on which a pattern of the solder resist opening is drawn is applied to the solder resist layer 70.
And exposed to ultraviolet light of 1000 mJ / cm 2 ,
Openings 71U and 71D are formed by developing with a DMTG solution (FIG. 6A).

【0065】(20)次に、ソルダーレジスト層(有機
樹脂絶縁層)70を形成した基板を、塩化ニッケル
(2.3×10-1mol/l)、次亞リン酸ナトリウム
(2.8×10-1mol/l)、クエン酸ナトリウム
(1.6×10-1mol/l)を含むpH=4.5の無
電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、開口部71
U、71Dに厚さ5μmのニッケルめっき層72を形成
する。さらに、その基板を、シアン化金カリウム(7.
6×10-3mol/l)、塩化アンモニウム(1.9×
10-1mol/l)、クエン酸ナトリウム(1.2×1
-1mol/l)、次亜リン酸ナトリウム(1.7×1
-1mol/l)を含む無電解めっき液に80℃の条件
で7.5分間浸漬して、ニッケルめっき層72上に厚さ
0.03μmの金めっき層74を形成する(図6
(B))。
(20) Next, the substrate on which the solder resist layer (organic resin insulating layer) 70 has been formed is coated with nickel chloride (2.3 × 10 -1 mol / l) and sodium hypophosphite (2.8 × 10 -1 mol / l). 10 -1 mol / l) and an electroless nickel plating solution having a pH of 4.5 containing sodium citrate (1.6 × 10 -1 mol / l) for 20 minutes.
A nickel plating layer 72 having a thickness of 5 μm is formed on U and 71D. Further, the substrate was coated with potassium potassium cyanide (7.
6 × 10 −3 mol / l), ammonium chloride (1.9 × 10 −3 mol / l)
10 -1 mol / l), sodium citrate (1.2 × 1
0 -1 mol / l), sodium hypophosphite (1.7 × 1
(0 -1 mol / l) for 7.5 minutes at 80 ° C. to form a 0.03 μm thick gold plating layer 74 on the nickel plating layer 72 (FIG. 6).
(B)).

【0066】(21)この後、ソルダーレジスト層70
の開口部71U、71Dに、はんだペーストを印刷し
て、200℃でリフローすることにより、半田バンプ
(半田体)76U、76Dを形成する。これにより、半
田バンプ76U、76Dを有するプリント配線板10を
得ることができる(図7参照)。
(21) Thereafter, the solder resist layer 70
The solder bumps (solder bodies) 76U and 76D are formed by printing a solder paste in the openings 71U and 71D of the above and performing reflow at 200 ° C. Thereby, the printed wiring board 10 having the solder bumps 76U and 76D can be obtained (see FIG. 7).

【0067】次に、上述した工程で完成したプリント配
線板10へのICチップ90の載置および、ドータボー
ド95への取り付けについて、図8を参照して説明す
る。完成したプリント配線板10の半田バンプ76Uに
ICチップ90の半田パッド92E、92P、92Sが
対応するように、ICチップ90を載置し、リフローを
行うことでICチップ90の取り付けを行う。同様に、
プリント配線板10の半田バンプ76Dにドータボード
95のパッド94E、94P、94Sが対応するよう
に、リフローすることで、ドータボード95へプリント
配線板10を取り付ける。
Next, mounting of the IC chip 90 on the printed wiring board 10 completed in the above-described steps and mounting on the daughter board 95 will be described with reference to FIG. The IC chip 90 is placed so that the solder pads 92E, 92P, 92S of the IC chip 90 correspond to the solder bumps 76U of the completed printed wiring board 10, and the IC chip 90 is mounted by performing reflow. Similarly,
The printed wiring board 10 is attached to the daughter board 95 by reflowing so that the pads 94E, 94P, 94S of the daughter board 95 correspond to the solder bumps 76D of the printed wiring board 10.

【0068】上述した層間樹脂絶縁層40、140を形
成する樹脂フィルムには、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬
化剤、その他の成分が含有されている。それぞれについ
て以下に説明する。
The resin film forming the above-mentioned interlayer resin insulation layers 40 and 140 contains a hardly soluble resin, soluble particles, a curing agent and other components. Each is described below.

【0069】本発明の製造方法において使用する樹脂フ
ィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子(以下、可溶
性粒子という)が酸または酸化剤に難溶性の樹脂(以
下、難溶性樹脂という)中に分散したものである。な
お、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語
は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬
した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可
溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上
「難溶性」と呼ぶ。
The resin film used in the production method of the present invention is obtained by mixing particles soluble in an acid or an oxidizing agent (hereinafter, referred to as soluble particles) in a resin which is hardly soluble in an acid or an oxidizing agent (hereinafter, referred to as a hardly soluble resin). It is dispersed. The terms “sparingly soluble” and “soluble” as used in the present invention, when immersed in a solution containing the same acid or oxidizing agent for the same time, have a relatively high dissolution rate and are called “soluble” for convenience. Those having a relatively low dissolution rate are referred to as "poorly soluble" for convenience.

【0070】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子(以下、可溶性樹脂粒
子)、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子(以下、可溶
性無機粒子)、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子(以
下、可溶性金属粒子)等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、2種以上併用してもよ
い。
Examples of the soluble particles include resin particles soluble in an acid or an oxidizing agent (hereinafter referred to as “soluble resin particles”), inorganic particles soluble in an acid or an oxidizing agent (hereinafter referred to as “soluble inorganic particles”), and an acid or an oxidizing agent. Soluble metal particles (hereinafter referred to as “soluble metal particles”) and the like. These soluble particles may be used alone or in combination of two or more.

【0071】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。
The shape of the soluble particles is not particularly limited.
Spherical, crushed and the like. The shape of the soluble particles is desirably a uniform shape. This is because a roughened surface having unevenness with a uniform roughness can be formed.

【0072】上記可溶性粒子の平均粒径としては、0.
1〜10μmが望ましい。この粒径の範囲であれば、2
種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が0.1〜0.5μmの可溶性粒子と平均
粒径が1〜3μmの可溶性粒子とを含有する等である。
これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、
導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明におい
て、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分
の長さである。
The average particle size of the above-mentioned soluble particles is 0.1.
1 to 10 μm is desirable. Within this particle size range, 2
More than one kind of particles having different particle sizes may be contained. That is, it contains soluble particles having an average particle size of 0.1 to 0.5 μm and soluble particles having an average particle size of 1 to 3 μm.
Thereby, a more complicated roughened surface can be formed,
Excellent adhesion to conductor circuits. In the present invention, the particle size of the soluble particles is the length of the longest portion of the soluble particles.

【0073】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等から
なるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもの
であってもよいし、2種以上の樹脂の混合物からなるも
のであってもよい。
Examples of the soluble resin particles include those made of a thermosetting resin, a thermoplastic resin, and the like. When immersed in a solution containing an acid or an oxidizing agent, the soluble resin particles have a higher dissolution rate than the hardly soluble resin. If it is, there is no particular limitation. Specific examples of the soluble resin particles include, for example, those made of epoxy resin, phenol resin, polyimide resin, polyphenylene resin, polyolefin resin, fluororesin, and the like, and may be made of one of these resins. Alternatively, it may be composed of a mixture of two or more resins.

【0074】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、(メタ)アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した(メ
タ)アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用い
た場合でも、低濃度で溶解することができる。そのた
め、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述
するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を
付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸
化されたりすることがない。
As the soluble resin particles, resin particles made of rubber can be used. Examples of the rubber include polybutadiene rubber, various modified polybutadiene rubbers such as epoxy-modified, urethane-modified, (meth) acrylonitrile-modified, and (meth) acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group. By using these rubbers, the soluble resin particles are easily dissolved in an acid or an oxidizing agent. In other words, when dissolving the soluble resin particles using an acid, an acid other than a strong acid can be dissolved, and when dissolving the soluble resin particles using an oxidizing agent, permanganese having a relatively weak oxidizing power is used. Acid salts can also be dissolved. Even when chromic acid is used, it can be dissolved at a low concentration. Therefore, the acid or the oxidizing agent does not remain on the resin surface, and as described later, when a catalyst such as palladium chloride is applied after forming the roughened surface, the catalyst is not applied or the catalyst is oxidized. Or not.

【0075】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。
Examples of the soluble inorganic particles include particles made of at least one selected from the group consisting of aluminum compounds, calcium compounds, potassium compounds, magnesium compounds and silicon compounds.

【0076】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、2種以上併用してもよい。
Examples of the aluminum compound include alumina and aluminum hydroxide. Examples of the calcium compound include calcium carbonate and
Examples of the potassium compound include potassium carbonate.Examples of the magnesium compound include magnesia, dolomite, and basic magnesium carbonate.Examples of the silicon compound include silica and zeolite. Is mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.

【0077】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
The soluble metal particles include, for example,
Copper, nickel, iron, zinc, lead, gold, silver, aluminum,
Examples include particles made of at least one selected from the group consisting of magnesium, calcium, and silicon. These soluble metal particles may have a surface layer coated with a resin or the like in order to ensure insulation.

【0078】上記可溶性粒子を、2種以上混合して用い
る場合、混合する2種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保
することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張
の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路
との間で剥離が発生しないからである。
When two or more of the above-mentioned soluble particles are used in combination, the combination of the two types of soluble particles to be mixed is preferably a combination of resin particles and inorganic particles. Both have low conductivity, so that the insulation of the resin film can be ensured, and thermal expansion can be easily adjusted with the poorly soluble resin, and no crack occurs in the interlayer resin insulation layer made of the resin film. This is because peeling does not occur between the interlayer resin insulating layer and the conductor circuit.

【0079】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることに
より、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてビア用
開口を形成することできる。これらのなかでは、熱硬化
性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、め
っき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状
を保持することができるからである。
The hardly soluble resin is not particularly limited as long as it can maintain the shape of the roughened surface when the roughened surface is formed by using an acid or an oxidizing agent in the interlayer resin insulating layer. Examples thereof include thermosetting resins, thermoplastic resins, and composites thereof. Further, a photosensitive resin obtained by imparting photosensitivity to these resins may be used. By using a photosensitive resin, a via opening can be formed in the interlayer resin insulating layer by using exposure and development processes. Among these, those containing a thermosetting resin are desirable. Thereby, the shape of the roughened surface can be maintained even by the plating solution or various heat treatments.

【0080】上記難溶性樹脂の具体例としては、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、
ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン
樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独
で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。さらに
は、1分子中に、2個以上のエポキシ基を有するエポキ
シ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することが
できるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒー
トサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発
生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。
Specific examples of the hardly soluble resin include, for example, epoxy resin, phenol resin, phenoxy resin,
Examples thereof include a polyimide resin, a polyphenylene resin, a polyolefin resin, and a fluorine resin. These resins may be used alone or in combination of two or more. Further, an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is more desirable. Not only can the above-described roughened surface be formed, but also excellent in heat resistance, etc., even under heat cycle conditions, stress concentration does not occur in the metal layer, and peeling of the metal layer does not easily occur. Because.

【0081】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型
エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールF型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。
Examples of the epoxy resin include cresol novolak type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, alkylphenol novolak type epoxy resin, biphenol F type epoxy resin, and naphthalene type epoxy resin. Resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, epoxidized product of condensate of phenols and aromatic aldehyde having phenolic hydroxyl group,
Triglycidyl isocyanurate, alicyclic epoxy resin and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Thereby, it becomes excellent in heat resistance and the like.

【0082】本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上
記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散さ
れていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗
化面を形成することができ、樹脂フィルムにビアやスル
ーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金
属層の密着性を確保することができるからである。ま
た、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有す
る樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フ
ィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされること
がないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性が確実に保たれる。
In the resin film used in the present invention, the soluble particles are desirably substantially uniformly dispersed in the hardly-soluble resin. A roughened surface having unevenness with a uniform roughness can be formed, and even when a via or a through hole is formed in a resin film, the adhesion of a metal layer of a conductive circuit formed thereon can be secured. Because. Alternatively, a resin film containing soluble particles only in the surface layer forming the roughened surface may be used. Thereby, since the portions other than the surface layer of the resin film are not exposed to the acid or the oxidizing agent, the insulation between the conductor circuits via the interlayer resin insulating layer is reliably maintained.

【0083】上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中
に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに
対して、3〜40重量%が望ましい。可溶性粒子の配合
量が3重量%未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形
成することができない場合があり、40重量%を超える
と、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際
に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィ
ルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
In the above resin film, the amount of the soluble particles dispersed in the poorly soluble resin is preferably 3 to 40% by weight based on the resin film. If the amount of the soluble particles is less than 3% by weight, it may not be possible to form a roughened surface having desired irregularities. If the amount exceeds 40% by weight, the soluble particles may be dissolved using an acid or an oxidizing agent. In addition, there is a case where the resin film is melted to a deep portion of the resin film and the insulation between the conductor circuits via the interlayer resin insulating layer made of the resin film cannot be maintained, which may cause a short circuit.

【0084】上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上
記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有し
ていることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、
イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系
硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの
硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホ
スフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェ
ニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられ
る。
The resin film desirably contains a curing agent and other components in addition to the soluble particles and the hardly-soluble resin. As the curing agent, for example,
Imidazole-based curing agents, amine-based curing agents, guanidine-based curing agents, epoxy adducts of these curing agents and microcapsules of these curing agents, and organic materials such as triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium, and tetraphenylborate. Phosphine compounds and the like can be mentioned.

【0085】上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対
して0.05〜10重量%であることが望ましい。0.
05重量%未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であ
るため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが
大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることが
ある。一方、10重量%を超えると、過剰な硬化剤成分
が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を
招いたりしてしまうことがある。
The content of the curing agent is desirably 0.05 to 10% by weight based on the resin film. 0.
If the amount is less than 05% by weight, the resin film is insufficiently cured, so that the degree of penetration of the acid or the oxidizing agent into the resin film is increased, and the insulating property of the resin film may be impaired. On the other hand, when the content exceeds 10% by weight, an excessive curing agent component may modify the composition of the resin, which may cause a decrease in reliability.

【0086】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の
性能を向上させることができる。
Examples of the other components include fillers such as inorganic compounds or resins which do not affect the formation of the roughened surface. As the inorganic compound, for example,
Examples of the resin include silica, alumina, and dolomite. Examples of the resin include a polyimide resin, a polyacryl resin, a polyamideimide resin, a polyphenylene resin, a melanin resin, and an olefin resin. By incorporating these fillers, the performance of the printed wiring board can be improved by matching the thermal expansion coefficient, improving heat resistance and chemical resistance, and the like.

【0087】また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有し
ていてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよいし、2種類以上併用してもよ
い。
Further, the above resin film may contain a solvent. As the solvent, for example, acetone,
Ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone,
Ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, and aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene. These may be used alone or in combination of two or more.

【0088】次に、本発明の第2実施形態に係るプリン
ト配線板110について、図11を参照して説明する。
上述した第1実施形態では、BGA(ボールグリッドア
レー)を配設した。この第2実施形態のプリント配線板
の構成は、図11に示すように導電性接続ピン96を介
して接続を取るPGA方式に構成されている。
Next, a printed wiring board 110 according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
In the first embodiment described above, a BGA (ball grid array) is provided. The configuration of the printed wiring board according to the second embodiment is a PGA system in which connection is established via conductive connection pins 96 as shown in FIG.

【0089】また、上述した第1実施形態では、コア基
板30にザグリ加工によりチップコンデンサ20を収容
する凹部34を設け、チップコンデンサ20を収容し
た。第2実施形態では、通孔30Aを設けた第1樹脂基
板30aおよび通孔を設けない第2、第3樹脂基板30
b、30cとをプリプレグ(接着板)33a、33bを
介して貼り合わせることで、チップコンデンサ20を収
容する凹部35を備えるコア基板30を形成し、凹部3
5内に複数個のチップコンデンサ20を収容する。
In the first embodiment described above, the recesses 34 for accommodating the chip capacitors 20 are provided in the core substrate 30 by counterboring to accommodate the chip capacitors 20. In the second embodiment, the first resin substrate 30a having the through hole 30A and the second and third resin substrates 30 not having the through hole are provided.
b and 30c are bonded together via prepregs (adhesive plates) 33a and 33b to form a core substrate 30 having a recess 35 for housing the chip capacitor 20.
A plurality of chip capacitors 20 are housed in the housing 5.

【0090】本発明の第2実施形態に係るプリント配線
板の製造工程について、図9及び図10を参照して説明
する。
The manufacturing process of the printed wiring board according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0091】(1)厚さ0.3mmのガラスクロス等の
心材にBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂を含浸さ
せ硬化させた樹脂基板31aの両面に銅箔31bがラミ
ネートされている銅張積層板31Mを出発材料とする
(図9(A))。この銅貼積層板31Mの銅箔31bを
パターン状にエッチングすることにより両面に導体回路
32を備える第2、第3樹脂基板30b、30cを形成
する。また、パターン状にエッチングすると共に、通孔
30Aを形成することで導体回路32を備える第1樹脂
基板30aを形成する(図9(B))。そして、第3樹
脂基板30cと第2樹脂基板30bとをガラスクロス等
の心材にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグ(接着
板)33bを介して積層する。同様に、第2樹脂基板3
0bと通孔30Aが形成された第1樹脂基板30aとを
通孔33Aの形成されたプリプレグ(接着板)33aを
介して積層する(図9(C))。
(1) A copper-clad laminate 31M in which copper foil 31b is laminated on both surfaces of a resin substrate 31a in which a core material such as a glass cloth having a thickness of 0.3 mm is impregnated with a BT (bismaleimide triazine) resin and cured. Is used as a starting material (FIG. 9A). By etching the copper foil 31b of the copper-clad laminate 31M into a pattern, the second and third resin substrates 30b and 30c having the conductor circuits 32 on both surfaces are formed. In addition, the first resin substrate 30a including the conductor circuit 32 is formed by forming a through hole 30A while etching in a pattern (FIG. 9B). Then, the third resin substrate 30c and the second resin substrate 30b are laminated via a prepreg (adhesive plate) 33b in which a core material such as glass cloth is impregnated with an epoxy resin. Similarly, the second resin substrate 3
Ob and the first resin substrate 30a in which the through-hole 30A is formed are laminated via a prepreg (adhesive plate) 33a in which the through-hole 33A is formed (FIG. 9C).

【0092】(2)そして、重ね合わせた基板を熱プレ
スを用いて加圧プレスすることにより、第1、第2、第
3樹脂基板30a、30b、30cを多層状に一体化
し、チップコンデンサ20を収容する凹部35を備える
コア基板30を形成する(図9(D))。ここでは、先
ず、加圧されることでプリプレグ33a、33bのエポ
キシ樹脂(絶縁性樹脂)を周囲に押し出し、エポキシ樹
脂を第1、第2、第3樹脂基板30a、30b、30c
に密着させる。更に、加圧と同時に加熱されることで、
エポキシ樹脂が硬化し、プリプレグ33a、33bを接
着板として介在させることで、第1樹脂基板30aと第
2樹脂基板30bと第3樹脂基板30cとを強固に接着
させる。
(2) Then, the first, second, and third resin substrates 30a, 30b, and 30c are integrated in a multilayer shape by pressing the superimposed substrates by using a hot press. The core substrate 30 having the concave portion 35 for accommodating is formed (FIG. 9D). Here, first, the epoxy resin (insulating resin) of the prepregs 33a, 33b is extruded to the surroundings by being pressed, and the epoxy resin is applied to the first, second, and third resin substrates 30a, 30b, 30c.
In close contact. Furthermore, by being heated at the same time as pressurization,
The epoxy resin is cured, and the first resin substrate 30a, the second resin substrate 30b, and the third resin substrate 30c are firmly adhered by interposing the prepregs 33a and 33b as an adhesive plate.

【0093】(3)その後、凹部35の底面に、印刷機
を用いて熱硬化系もしくはUV硬化系の接着材料36を
塗布する(図9(E))。このとき、塗布以外にも、ポ
ッティングなどをしてもよい。
(3) Thereafter, a thermosetting or UV-curable adhesive material 36 is applied to the bottom surface of the recess 35 using a printing machine (FIG. 9E). At this time, potting may be performed in addition to the application.

【0094】(4)次に、複数個のチップコンデンサ2
0を接着材料36上に載置する(図10参照)。コア基
板に複数個のチップコンデンサ20を収容することによ
り、コンデンサの高集積化が可能となる。
(4) Next, a plurality of chip capacitors 2
0 is placed on the adhesive material 36 (see FIG. 10). By accommodating a plurality of chip capacitors 20 in the core substrate, high integration of the capacitors becomes possible.

【0095】(5)その後、凹部35内のチップコンデ
ンサ20間に、熱硬化性樹脂を充填し、加熱硬化して樹
脂層38を形成する(図10(B参照)。このとき、熱
硬化性樹脂としては、エポキシ、フェノール、ポリイミ
ド、トリアジンが好ましい。これにより、凹部35内の
チップコンデンサ20を固定し、チップコンデンサ20
と凹部35の壁面との隙間を充填する。
(5) After that, a thermosetting resin is filled between the chip capacitors 20 in the concave portions 35 and heat-cured to form a resin layer 38 (see FIG. 10B). As the resin, epoxy, phenol, polyimide, and triazine are preferable, whereby the chip capacitor 20 in the recess 35 is fixed.
And the gap between the recess 35 and the wall surface of the recess 35 is filled.

【0096】(6)上記工程を経た基板30に、熱硬化
型エポキシ系樹脂シートを温度50〜150℃まで昇温
しながら圧力5kg/cm2で真空圧着ラミネートし、
エポキシ系樹脂からなる層間樹脂絶縁層40を設ける
(図10(C))。
(6) The thermosetting epoxy resin sheet is vacuum-press-laminated on the substrate 30 having undergone the above steps at a pressure of 5 kg / cm 2 while the temperature is raised to a temperature of 50 to 150 ° C.
An interlayer resin insulating layer 40 made of an epoxy resin is provided (FIG. 10C).

【0097】(7)次いで、樹脂基板30a側の層間樹
脂絶縁層40に、レーザにより、チップコンデンサ20
の第1端子21,第2端子22へ至るバイアホール用開
口42を形成する(図10(D))。
(7) Next, the chip capacitor 20 is formed on the interlayer resin insulation layer 40 on the resin substrate 30a side by laser.
A via hole opening 42 reaching the first terminal 21 and the second terminal 22 is formed (FIG. 10D).

【0098】(8)そして、コア基板30にドリル又は
レーザにより、スルーホール用貫通孔44を形成する
(図10(E))。この後、酸素プラズマを用いてデス
ミア処理を行う。あるいは、過マンガン酸などの薬液に
よるデスミヤ処理を行ってもよい。以降の工程は、上述
した第1実施形態の(9)〜(21)と同様であるた
め、説明を省略する。
(8) Then, through holes 44 for through holes are formed in the core substrate 30 by using a drill or a laser (FIG. 10E). Thereafter, desmear treatment is performed using oxygen plasma. Alternatively, desmear treatment with a chemical such as permanganate may be performed. Subsequent steps are the same as (9) to (21) of the above-described first embodiment, and a description thereof will not be repeated.

【0099】引き続き、本発明の第2実施形態の改変例
に係るプリント配線板について、図12を参照して説明
する。改変例のプリント配線板は、上述した第2実施形
態とほぼ同様である。但し、第2実施形態では、コア基
板30に収容されるチップコンデンサ20のみを備えて
いたが、改変例では、表面及び裏面に大容量のチップコ
ンデンサ86が実装されている。
Next, a printed wiring board according to a modification of the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The printed wiring board of the modified example is almost the same as the above-described second embodiment. However, in the second embodiment, only the chip capacitors 20 accommodated in the core substrate 30 are provided, but in a modified example, large-capacity chip capacitors 86 are mounted on the front and back surfaces.

【0100】ICチップは、瞬時的に大電力を消費して
複雑な演算処理を行う。ここで、ICチップ側に大電力
を供給するために、改変例では、プリント配線板に電源
用のチップコンデンサ20及びチップコンデンサ86を
備えてある。このチップコンデンサによる効果につい
て、図13を参照して説明する。
The IC chip instantaneously consumes a large amount of power and performs complicated arithmetic processing. Here, in order to supply a large electric power to the IC chip side, in a modified example, a chip capacitor 20 and a chip capacitor 86 for power supply are provided on the printed wiring board. The effect of this chip capacitor will be described with reference to FIG.

【0101】図13は、縦軸にICチップへ供給される
電圧を、横軸に時間を取ってある。ここで、二点鎖線C
は、電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧
変動を示している。電源用コンデンサを備えない場合に
は、大きく電圧が減衰する。破線Aは、表面にチップコ
ンデンサを実装したプリント配線板の電圧変動を示して
いる。上記二点鎖線Cと比較して電圧は大きく落ち込ま
ないが、ループ長さが長くなるので、律速の電源供給が
十分に行えていない。即ち、電力の供給開始時に電圧が
降下している。また、二点鎖線Bは、図11を参照して
上述したチップコンデンサを内蔵するプリント配線板の
電圧降下を示している。ループ長さは短縮できている
が、コア基板30に容量の大きなチップコンデンサを収
容することができないため、電圧が変動している。ここ
で、実線Eは、図12を参照して上述したコア基板内の
チップコンデンサ20を、また表面に大容量のチップコ
ンデンサ86を実装する改変例のプリント配線板の電圧
変動を示している。ICチップの近傍にチップコンデン
サ20を、また、大容量(及び相対的に大きなインダク
タンス)のチップコンデンサ86を備えることで、電圧
変動を最小に押さえている。
FIG. 13 shows the voltage supplied to the IC chip on the vertical axis and the time on the horizontal axis. Here, the two-dot chain line C
Indicates voltage fluctuation of a printed wiring board without a power supply capacitor. When the power supply capacitor is not provided, the voltage greatly decreases. A broken line A indicates a voltage fluctuation of a printed wiring board having a chip capacitor mounted on the surface. Although the voltage does not drop much as compared with the two-dot chain line C, the rate-limiting power supply cannot be performed sufficiently because the loop length is long. That is, the voltage drops at the start of power supply. The two-dot chain line B indicates the voltage drop of the printed wiring board incorporating the chip capacitor described above with reference to FIG. Although the loop length can be shortened, the voltage fluctuates because a large-capacity chip capacitor cannot be accommodated in the core substrate 30. Here, the solid line E shows the voltage fluctuation of the printed wiring board of the modification in which the chip capacitor 20 in the core substrate described above with reference to FIG. 12 and the large-capacity chip capacitor 86 are mounted on the surface. By providing the chip capacitor 20 near the IC chip and the chip capacitor 86 having a large capacity (and a relatively large inductance), the voltage fluctuation is suppressed to the minimum.

【0102】また、第2実施形態の改変例では、チップ
コンデンサ20が、図14(A)に示すように第1、第
2電極21,22の被覆層(図示せず)を完全に剥離し
た後、銅めっき膜29により被覆してある。そして、銅
めっき膜29で被覆した第1、第2電極21,22に銅
めっきよりなるバイアホール60で電気的接続を取って
ある。ここで、チップコンデンサの電極21,22は、
メタライズからなり表面に凹凸がある。このため、金属
層を剥き出した状態で用いると、接続層40に非貫通孔
43を穿設する工程において、該凹凸に樹脂が残ること
がある。この際には、当該樹脂残さにより第1、第2電
極21,22とバイアホール60との接続不良が発生す
ることがある。これに対して、改変例では、銅めっき膜
29によって第1、第2電極21,22の表面が平滑に
なり、電極上に被覆された層間樹脂絶縁層40に非貫通
孔42を穿設した際に、樹脂残さが残らず、バイアホー
ル60を形成した際の電極21,22との接続信頼性を
高めることができる。
In a modification of the second embodiment, the chip capacitor 20 completely peels off the coating layers (not shown) of the first and second electrodes 21 and 22 as shown in FIG. Thereafter, it is covered with a copper plating film 29. The first and second electrodes 21 and 22 covered with the copper plating film 29 are electrically connected to each other through via holes 60 made of copper plating. Here, the electrodes 21 and 22 of the chip capacitor are
It is made of metallized and has irregularities on the surface. Therefore, when the metal layer is used in a state where the metal layer is exposed, the resin may remain on the unevenness in the step of forming the non-through hole 43 in the connection layer 40. In this case, a connection failure between the first and second electrodes 21 and 22 and the via hole 60 may occur due to the resin residue. On the other hand, in the modified example, the surfaces of the first and second electrodes 21 and 22 are smoothed by the copper plating film 29, and the non-through holes 42 are formed in the interlayer resin insulating layer 40 coated on the electrodes. At this time, no resin residue remains, and the connection reliability with the electrodes 21 and 22 when the via hole 60 is formed can be improved.

【0103】更に、銅めっき膜29の形成された電極2
1、22に、めっきによりバイアホール60を形成する
ため、電極21、22とバイアホール60との接続性が
高く、ヒートサイクル試験を実施しても、電極21、2
2とバイアホール60との間で断線が生じることがな
い。マイグレーションの発生もなく、コンデンサのバイ
アホールの接続部での不都合を引き起こさなかった。
Further, the electrode 2 on which the copper plating film 29 is formed
Since the via holes 60 are formed by plating on the first and second electrodes 22, the connectivity between the electrodes 21 and 22 and the via holes 60 is high.
No disconnection occurs between the via hole 60 and the via hole 60. No migration occurred, and no inconvenience occurred at the connection of the via hole of the capacitor.

【0104】なお、上記銅めっき膜29は、チップコン
デンサの製造段階で金属層26の表面に被覆されたニッ
ケル/スズ層(被覆層)を、プリント配線板への搭載の
段階で剥離してから設ける。この代わりに、チップコン
デンサ20の製造段階で、金属層26の上に直接銅めっ
き膜29を被覆することも可能である。即ち、改変例で
は、第1実施形態と同様に、レーザにて電極の銅めっき
膜29へ至る開口を設けた後、デスミヤ処理等を行い、
バイアホールを銅めっきにより形成する。従って、銅め
っき膜29の表面に酸化膜が形成されていても、上記レ
ーザ及びデスミヤ処理で酸化膜を除去できるため、適正
に接続を取ることができる。
The copper plating film 29 is obtained by peeling off the nickel / tin layer (coating layer) coated on the surface of the metal layer 26 at the stage of manufacturing the chip capacitor at the stage of mounting on the printed wiring board. Provide. Alternatively, it is also possible to cover the metal layer 26 with the copper plating film 29 directly at the stage of manufacturing the chip capacitor 20. That is, in the modified example, similarly to the first embodiment, after providing an opening to the copper plating film 29 of the electrode with a laser, a desmear process or the like is performed.
Via holes are formed by copper plating. Therefore, even if an oxide film is formed on the surface of the copper plating film 29, the oxide film can be removed by the laser and desmear treatments, so that proper connection can be established.

【0105】また、図14(B)に示すようにチップコ
ンデンサ20の第1電極21、第2電極22の被覆層2
8から、上部を露出させてプリント配線板に収容し、被
覆層28から露出した第1電極21、第2電極22に電
気的接続を取ることもできる。このとき、被覆層28か
ら露出した金属は、主成分がCuであることが望まし
い。接続抵抗を低減することができるからである。
Further, as shown in FIG. 14B, the coating layer 2 of the first electrode 21 and the second electrode 22 of the chip capacitor 20 is formed.
From 8, the upper part can be exposed and housed in a printed wiring board, and can be electrically connected to the first electrode 21 and the second electrode 22 exposed from the covering layer 28. At this time, the main component of the metal exposed from the coating layer 28 is desirably Cu. This is because the connection resistance can be reduced.

【0106】更に、チップコンデンサ20のセラミック
から成る誘電体23の表面には粗化層23aが設けられ
ている。このため、セラミックから成るチップコンデン
サ20と樹脂からなる層間樹脂絶縁層40との密着性が
高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での層間樹
脂絶縁層40の剥離が発生することがない。この粗化層
23aは、焼成後に、チップコンデンサ20の表面を研
磨することにより、また、焼成前に、粗化処理を施すこ
ともできる。なお、改変例では、コンデンサの表面に粗
化処理を施し、樹脂との密着性を高めたが、この代わり
に、コンデンサの表面にシランカップリング処理を施す
ことも可能である。
Further, a roughened layer 23a is provided on the surface of the dielectric 23 made of ceramic of the chip capacitor 20. Therefore, the adhesion between the chip capacitor 20 made of ceramic and the interlayer resin insulation layer 40 made of resin is high, and the interlayer resin insulation layer 40 does not peel off at the interface even when the heat cycle test is performed. This roughened layer 23a can be subjected to a roughening treatment by polishing the surface of the chip capacitor 20 after firing, or before firing. In the modified example, the surface of the capacitor is subjected to a roughening treatment to improve the adhesion to the resin, but instead, the surface of the capacitor may be subjected to a silane coupling treatment.

【0107】引き続き、本発明の第3実施形態に係るプ
リント配線板の構成について図15を参照して説明す
る。この第3実施形態のプリント配線板の構成は、上述
した第1実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板3
0への収容されるチップコンデンサ20が異なる。図1
5は、チップコンデンサの平面図を示している。図15
(A)は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを
示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上述し
た第1実施形態のプリント配線板では、図15(B)に
平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に第1電極
21及び第2電極22を配設してある。図15(C)
は、第3実施形態の多数個取り用の裁断前のチップコン
デンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示してい
る。第3実施形態のプリント配線板では、図15(D)
に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に
第1電極21及び第2電極22を配設してある。
Next, the configuration of the printed wiring board according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The configuration of the printed wiring board of the third embodiment is substantially the same as that of the above-described first embodiment. However, the core substrate 3
The chip capacitors 20 housed to 0 are different. FIG.
5 shows a plan view of the chip capacitor. FIG.
(A) shows a chip capacitor for multi-piece cutting before cutting, and a dashed line in the drawing shows a cutting line. In the printed wiring board of the first embodiment described above, the first electrode 21 and the second electrode 22 are arranged on the side edges of the chip capacitor as shown in the plan view of FIG. FIG. 15 (C)
Represents a chip capacitor for multi-piece cutting according to the third embodiment before cutting, and a dashed line in the drawing indicates a cutting line. In the printed wiring board according to the third embodiment, FIG.
As shown in the plan view, a first electrode 21 and a second electrode 22 are provided inside the side edge of the chip capacitor.

【0108】この第3実施形態のプリント配線板では、
外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ20を
用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いるこ
とができる。引き続き、第3実施形態の第1改変例に係
るプリント配線板図16を参照して説明する。図16
は、第1改変例に係るプリント配線板のコア基板に収容
されるチップコンデンサ20の平面図を示している。上
述した第1実施形態では、複数個の小容量のチップコン
デンサをコア基板に収容したが、第1改変例では、大容
量の大判のチップコンデンサ20をコア基板に収容して
ある。ここで、チップコンデンサ20は、第1電極21
と第2電極22と、誘電体23と、第1電極21へ接続
された第1導電膜24と、第2電極22側に接続された
第2導電膜25と、第1導電膜24及び第2導電膜25
へ接続されていないチップコンデンサの上下面の接続用
の電極27とから成る。この電極27を介してICチッ
プ側とドータボード側とが接続されている。
In the printed wiring board according to the third embodiment,
Since the chip capacitor 20 having the electrode formed inside the outer edge is used, a large-capacity chip capacitor can be used. Subsequently, a printed wiring board according to a first modification of the third embodiment will be described with reference to FIG. FIG.
Shows a plan view of the chip capacitor 20 housed in the core substrate of the printed wiring board according to the first modification. In the above-described first embodiment, a plurality of small-capacity chip capacitors are housed in the core substrate. In the first modification, a large-capacity large-format chip capacitor 20 is housed in the core substrate. Here, the chip capacitor 20 is connected to the first electrode 21.
, The second electrode 22, the dielectric 23, the first conductive film 24 connected to the first electrode 21, the second conductive film 25 connected to the second electrode 22, the first conductive film 24 and the first conductive film 24. 2 conductive film 25
And the connection electrodes 27 on the upper and lower surfaces of the chip capacitor not connected to the chip capacitor. The IC chip side and the daughter board side are connected via the electrodes 27.

【0109】この第1改変例のプリント配線板では、大
判のチップコンデンサ20を用いるため、容量の大きな
チップコンデンサを用いることができる。また、大判の
チップコンデンサ20を用いるため、ヒートサイクルを
繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがな
い。
In the printed wiring board of the first modification, a large-sized chip capacitor 20 is used, so that a large-capacity chip capacitor can be used. Further, since the large chip capacitor 20 is used, the printed wiring board does not warp even if the heat cycle is repeated.

【0110】図17を参照して第2改変例に係るプリン
ト配線板について説明する。図17(A)は、多数個取
り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖
線は、通常の裁断線を示し、図17(B)は、チップコ
ンデンサの平面図を示している。図17(B)に示すよ
うに、この第2改変例では、多数個取り用のチップコン
デンサを複数個(図中の例では3枚)連結させて大判で
用いている。
A printed wiring board according to a second modification will be described with reference to FIG. FIG. 17A shows a chip capacitor before cutting for multi-cavity, in which a dashed line indicates a normal cutting line, and FIG. 17B is a plan view of the chip capacitor. . As shown in FIG. 17B, in the second modification, a plurality of (three in the example in the figure) multi-chip chip capacitors are connected and used in a large format.

【0111】この第2改変例では、大判のチップコンデ
ンサ20を用いるため、容量の大きなチップコンデンサ
を用いることができる。また、大判のチップコンデンサ
20を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリ
ント配線板に反りが発生することがない。
In the second modification, a large-sized chip capacitor 20 is used, so that a large-capacity chip capacitor can be used. Further, since the large chip capacitor 20 is used, the printed wiring board does not warp even if the heat cycle is repeated.

【0112】上述した第3実施形態では、チップコンデ
ンサをプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデン
サの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板
状のコンデンサを用いることも可能である。
In the above-described third embodiment, the chip capacitor is built in the printed wiring board. However, instead of the chip capacitor, it is also possible to use a plate-like capacitor in which a conductor film is provided on a ceramic plate. .

【0113】[0113]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
コア基板内にコンデンサを収容することが可能となり、
ICチップとコンデンサとの距離が短くなるため、プリ
ント配線板のループインダクタンスを低減できる。ま
た、導体回路が形成された樹脂基板を複数個積層してコ
ア基板を形成しているため、コア基板内の配線密度が高
まり、層間樹脂絶縁層の層数を減らすことが可能とな
る。
As described above, according to the present invention,
Capacitors can be accommodated in the core board,
Since the distance between the IC chip and the capacitor is reduced, the loop inductance of the printed wiring board can be reduced. Further, since the core substrate is formed by laminating a plurality of resin substrates on which conductive circuits are formed, the wiring density in the core substrate is increased, and the number of interlayer resin insulating layers can be reduced.

【0114】また、コア基板とコンデンサの間に樹脂が
充填されているので、コンデンサなどが起因する応力が
発生しても緩和されるし、マイグレーションの発生がな
い。そのために、コンデンサの電極とバイアホールの接
続部への剥離や溶解などの影響がない。そのために、信
頼性試験を実施しても所望の性能を保つことができるの
である。また、コンデンサを銅によって被覆されている
場合にも、マイグレーションの発生を防止することがで
きる。
Further, since the resin is filled between the core substrate and the capacitor, even if a stress caused by the capacitor or the like is generated, the stress is reduced and no migration occurs. Therefore, there is no influence such as peeling or melting of the connection portion between the electrode of the capacitor and the via hole. Therefore, desired performance can be maintained even if a reliability test is performed. Also, even when the capacitor is covered with copper, the occurrence of migration can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(A)、(B)、(C)、(D)、(E)は、
本発明の第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程
図である。
FIG. 1 (A), (B), (C), (D), (E)
It is a manufacturing process figure of the printed wiring board concerning a 1st embodiment of the present invention.

【図2】(A)、(B)、(C)、(D)、(E)は、
本発明の第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程
図である。
FIG. 2 (A), (B), (C), (D), (E)
It is a manufacturing process figure of the printed wiring board concerning a 1st embodiment of the present invention.

【図3】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の
第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
FIGS. 3A, 3B, 3C, and 3D are manufacturing process diagrams of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図4】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の
第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。
FIGS. 4A, 4B, 4C, and 4D are manufacturing process diagrams of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図5】(A)、(B)は、本発明の第1実施形態に係
るプリント配線板の製造工程図である。
FIGS. 5A and 5B are manufacturing process diagrams of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図6】(A)、(B)は、本発明の第1実施形態に係
るプリント配線板の製造工程図である。
FIGS. 6A and 6B are manufacturing process diagrams of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第1実施形態に係るプリント配線板の
断面図である。
FIG. 7 is a sectional view of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図8】図7に示すプリント配線板にICチップを搭載
し、ドータボードへ取り付けた状態を示す断面図であ
る。
8 is a cross-sectional view showing a state where an IC chip is mounted on the printed wiring board shown in FIG. 7 and attached to a daughter board.

【図9】(A)、(B)、(C)、(D)、(E)は、
本発明の第2実施形態に係るプリント配線板の製造工程
図である。
FIG. 9 (A), (B), (C), (D), (E)
It is a manufacturing process figure of the printed wiring board concerning a 2nd embodiment of the present invention.

【図10】(A)、(B)、(C)、(D)、(E)
は、本発明の第2実施形態に係るプリント配線板の製造
工程図である。
FIG. 10 (A), (B), (C), (D), (E)
FIG. 7 is a manufacturing process diagram of the printed wiring board according to the second embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第2実施形態に係るプリント配線板
にICチップを搭載した状態を示す断面図である。
FIG. 11 is a sectional view showing a state in which an IC chip is mounted on a printed wiring board according to a second embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第2実施形態の改変例に係るプリン
ト配線板にICチップを搭載した状態を示す断面図であ
る。
FIG. 12 is a cross-sectional view showing a state in which an IC chip is mounted on a printed wiring board according to a modification of the second embodiment of the present invention.

【図13】ICチップへの供給電圧と時間との変化を示
すグラフである。
FIG. 13 is a graph showing changes in supply voltage to an IC chip and time.

【図14】本発明の第2実施形態の改変例のチップコン
デンサを示す断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a chip capacitor according to a modification of the second embodiment of the present invention.

【図15】(A)、(B)、(C)、(D)は、第3実
施形態のプリント配線板のチップコンデンサの平面図で
ある。
FIGS. 15A, 15B, 15C, and 15D are plan views of a chip capacitor of a printed wiring board according to a third embodiment.

【図16】第3実施形態に係るプリント配線板のチップ
コンデンサの平面図である。
FIG. 16 is a plan view of a chip capacitor of a printed wiring board according to a third embodiment.

【図17】第3実施形態の改変例に係るプリント配線板
のチップコンデンサの平面図である。
FIG. 17 is a plan view of a chip capacitor of a printed wiring board according to a modification of the third embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20 チップコンデンサ 30 コア基板 30a 第1樹脂基板 30b 第2樹脂基板 30c 第3樹脂基板 30A 通孔 32 導体回路 33a、33b 接着用樹脂層(接着板) 33A 開口部 34 凹部 35 凹部 36 接着材料 38 樹脂充填剤 40 層間樹脂絶縁層 56 スルーホール 58 導体回路 60 バイアホール 70 ソルダーレジスト層 71U、71D 開口部 72 ニッケルめっき層 74 金めっき層 76U、76D 半田バンプ 80A、80B ビルドアップ配線層 90 ICチップ 92E 接地用半田パッド 92S 信号用半田パッド 92P 電源用半田パッド 94E 接地用半田パッド 94S、信号用半田パッド 94P 電源用半田パッド 95 ドータボード 96 導電性接続ピン 140 層間樹脂絶縁層 158 導体回路 160 バイアホール Reference Signs List 20 chip capacitor 30 core substrate 30a first resin substrate 30b second resin substrate 30c third resin substrate 30A through hole 32 conductive circuit 33a, 33b bonding resin layer (bonding plate) 33A opening 34 recess 35 recess 36 adhesive material 38 resin Filler 40 Interlayer resin insulating layer 56 Through hole 58 Conductor circuit 60 Via hole 70 Solder resist layer 71U, 71D Opening 72 Nickel plating layer 74 Gold plating layer 76U, 76D Solder bump 80A, 80B Build-up wiring layer 90 IC chip 92E Ground Solder pad 92S Signal solder pad 92P Power solder pad 94E Ground solder pad 94S, signal solder pad 94P Power solder pad 95 Daughter board 96 Conductive connection pin 140 Interlayer resin insulation layer 158 Conductor circuit 160 Via Lumpur

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 王 東冬 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方1−1 イビデ ン株式会社大垣北工場内 (72)発明者 矢橋 英郎 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方1−1 イビデ ン株式会社大垣北工場内 (72)発明者 白井 誠二 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方1−1 イビデ ン株式会社大垣北工場内 Fターム(参考) 5E317 AA21 AA24 CC25 CC31 CC51 CD27 GG11 GG17 5E346 AA38 AA60 CC04 CC08 CC09 CC32 CC37 DD22 DD47 EE06 EE08 FF03 FF15 FF17 GG15 HH06 HH33  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Wang East Winter 1-1 Ibigawa-cho, Ibi-gun, Gifu Prefecture Inside the Ogaki-Kita Plant (72) Inventor Eiro Yabashi 1-1, Ibigawa-cho, Ibi-gun, Gifu Prefecture (72) Inventor Seiji Shirai 1-1 North of Ibigawa-cho, Ibi-gun, Gifu Prefecture F-term (reference) 5E317 AA21 AA24 CC25 CC31 CC51 CD27 GG11 GG17 5E346 AA38 AA60 CC04 CC08 CC09 CC32 CC37 DD22 DD47 EE06 EE08 FF03 FF15 FF17 GG15 HH06 HH33

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 コア基板上に、樹脂絶縁層と導体回路と
を積層してなるプリント配線板であって、 前記コア基板は、導体回路を形成した複数枚の樹脂基板
を貼り合わせてなり、 前記コア基板内に、コンデンサが収容されていることを
特徴とするプリント配線板。
1. A printed wiring board comprising a resin insulating layer and a conductive circuit laminated on a core substrate, wherein the core substrate is formed by bonding a plurality of resin substrates on which a conductive circuit is formed, A printed wiring board, wherein a capacitor is housed in the core substrate.
【請求項2】 コア基板上に、樹脂絶縁層と導体回路と
を積層してなるプリント配線板であって、 前記コア基板は、導体回路を形成した複数枚の樹脂基板
を貼り合わせてなり、 前記コア基板内に形成された凹部中にコンデンサが収容
されていることを特徴とするプリント配線板。
2. A printed wiring board comprising a resin insulating layer and a conductive circuit laminated on a core substrate, wherein the core substrate is formed by bonding a plurality of resin substrates each having a conductive circuit formed thereon, A printed wiring board, wherein a capacitor is housed in a recess formed in the core substrate.
【請求項3】 前記複数枚の樹脂基板は、接着板を介在
させて貼り合わせてあることを特徴とする請求項1又は
請求項2のプリント配線板。
3. The printed wiring board according to claim 1, wherein the plurality of resin substrates are bonded together with an adhesive plate interposed therebetween.
【請求項4】 前記接着板は、心材に熱硬化性樹脂を含
浸させてなることを特徴とする請求項3のプリント配線
板。
4. The printed wiring board according to claim 3, wherein the adhesive plate is formed by impregnating a core material with a thermosetting resin.
【請求項5】 前記樹脂基板は、心材に樹脂を含浸させ
てなることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか
1に記載のプリント配線板。
5. The printed wiring board according to claim 1, wherein the resin substrate is formed by impregnating a resin into a core material.
【請求項6】 前記コンデンサは、複数個であることを
特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1に記載のプ
リント配線板。
6. The printed wiring board according to claim 1, wherein a plurality of the capacitors are provided.
【請求項7】 前記プリント配線板の表面にコンデンサ
を実装したことを特徴とする請求項1〜5の内1に記載
のプリント配線板。
7. The printed wiring board according to claim 1, wherein a capacitor is mounted on a surface of the printed wiring board.
【請求項8】 前記表面のチップコンデンサの静電容量
は、内層のチップコンデンサの静電容量以上であること
を特徴とする請求項7に記載のプリント配線板。
8. The printed wiring board according to claim 7, wherein the capacitance of the chip capacitor on the front surface is equal to or larger than the capacitance of the chip capacitor in the inner layer.
【請求項9】 前記表面のチップコンデンサのインダク
タンスは、内層のチップコンデンサのインダクタンス以
上であることを特徴とする請求項7に記載のプリント配
線板。
9. The printed wiring board according to claim 7, wherein the inductance of the chip capacitor on the front surface is equal to or larger than the inductance of the chip capacitor in the inner layer.
【請求項10】 前記コンデンサの電極に金属膜を形成
し、前記金属膜を形成させた電極へめっきにより電気的
接続を取ったことを特徴とする請求項1〜9のいずれか
1のプリント配線板。
10. The printed wiring according to claim 1, wherein a metal film is formed on the electrode of the capacitor, and the electrode on which the metal film is formed is electrically connected to the electrode by plating. Board.
【請求項11】 前記コンデンサの電極に形成した金属
膜は、銅を主とするめっき膜であることを特徴とする請
求項10に記載のプリント配線板。
11. The printed wiring board according to claim 10, wherein the metal film formed on the electrode of the capacitor is a plating film mainly composed of copper.
【請求項12】 前記コア基板にコンデンサは絶縁性接
着剤により接合され、絶縁性接着剤は、前記コア基板よ
りも熱膨張率が小さいことを特徴とする請求項1又は請
求項2に記載のプリント配線板。
12. The capacitor according to claim 1, wherein a capacitor is bonded to the core substrate with an insulating adhesive, and the insulating adhesive has a smaller coefficient of thermal expansion than the core substrate. Printed wiring board.
【請求項13】 前記コンデンサの電極の被覆層を少な
くとも一部を露出させて、前記被覆層から露出した電極
にめっきにより電気的接続を取ったことを特徴とする請
求項1〜請求項9の内1に記載のプリント配線板。
13. The capacitor according to claim 1, wherein at least a part of the coating layer of the electrode of the capacitor is exposed, and the electrode exposed from the coating layer is electrically connected to the electrode by plating. 2. The printed wiring board according to item 1.
【請求項14】 前記コンデンサとして、外縁の内側に
電極が形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴
とする請求項1〜請求項13の内1に記載のプリント配
線板。
14. The printed wiring board according to claim 1, wherein a chip capacitor having an electrode formed inside an outer edge is used as the capacitor.
【請求項15】 前記コンデンサとして、マトリクス状
に電極を形成されたチップコンデンサを用いたことを特
徴とする請求項1〜請求項14の内1に記載のプリント
配線板
15. The printed wiring board according to claim 1, wherein a chip capacitor having electrodes formed in a matrix is used as said capacitor.
【請求項16】 前記コンデンサとして、多数個取り用
のチップコンデンサを複数個連結させて用いたことを特
徴とする請求項1〜請求項15の内1に記載のプリント
配線板。
16. The printed wiring board according to claim 1, wherein a plurality of chip capacitors for multi-cavity are connected and used as said capacitor.
【請求項17】 少なくとも以下(a)〜(e)の工程
を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法: (a)複数枚の樹脂基板に、導体回路を形成する工程; (b)接着板を介して複数枚の前記樹脂基板を積層する
工程; (c)前記樹脂基板同士を、前記接着板を介して接着し
コア基板とする工程; (d)前記コア基板に、凹部を形成する工程; (e)前記凹部にコンデンサを収容する工程。
17. A method for manufacturing a printed wiring board, comprising at least the following steps (a) to (e): (a) a step of forming a conductor circuit on a plurality of resin substrates; (b) A step of laminating a plurality of the resin substrates via an adhesive plate; (c) a step of bonding the resin substrates to each other via the adhesive plate to form a core substrate; and (d) forming a recess in the core substrate. (E) accommodating a capacitor in the recess.
【請求項18】 少なくとも以下(a)〜(e)の工程
を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法: (a)通孔を備え、表面に導体回路を配設した樹脂基板
を形成する工程; (b)通孔を備えず、表面に導体回路を配設した樹脂基
板を形成する工程; (c)前記通孔を備える樹脂基板と前記通孔を備えない
樹脂基板とを接着板を介して積層する工程; (d)前記樹脂基板同士を、前記接着板を介して接着し
コア基板とする工程; (e)前記通孔にコンデンサを収容する工程。
18. A method for manufacturing a printed wiring board, comprising at least the following steps (a) to (e): (a) forming a resin substrate provided with through holes and provided with a conductive circuit on the surface; (B) forming a resin substrate having no through-hole and having a conductor circuit disposed on the surface thereof; (c) bonding the resin substrate having the through-hole to the resin substrate not having the through-hole. (D) bonding the resin substrates to each other via the bonding plate to form a core substrate; (e) storing a capacitor in the through hole.
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