JP2002110641A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヒューズ上の層間絶縁膜にＴＥＯＳ−ＳｉＯ
2膜又はＴＥＯＳ／Ｏ3−ＳｉＯ2膜が含まれていても、
工程数を増加させることなく、ヒューズ上の層間絶縁膜
の残存膜厚のばらつきを抑制する。 【解決手段】 フォトレジストパターン１７をマスクに
して、Ｓｉ3Ｎ4膜１５に開口部を形成した後、エッチン
グガスとしてＣＦ4ガス、ＣＨＦ3ガス、Ａｒガス及びＯ
2ガスの混合ガスを用いたドライエッチングにより、ヒ
ューズ３上のＰＳＧ膜１３、ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜９及
びＢＰＳＧ膜５に開口部を形成してトリミング窓開口部
１９を形成すると同時に、ボンディングパッド電極１１
上のＰＳＧ膜１３及びＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜９に開口部
を形成してボンディングパッド開口部２１を形成する。
エッチングガスにＯ2ガスを混合することにより、ＴＥ
ＯＳ−ＳｉＯ2膜９を含む層間絶縁膜のエッチング速度
のばらつきを抑制する。
2膜又はＴＥＯＳ／Ｏ3−ＳｉＯ2膜が含まれていても、
工程数を増加させることなく、ヒューズ上の層間絶縁膜
の残存膜厚のばらつきを抑制する。 【解決手段】 フォトレジストパターン１７をマスクに
して、Ｓｉ3Ｎ4膜１５に開口部を形成した後、エッチン
グガスとしてＣＦ4ガス、ＣＨＦ3ガス、Ａｒガス及びＯ
2ガスの混合ガスを用いたドライエッチングにより、ヒ
ューズ３上のＰＳＧ膜１３、ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜９及
びＢＰＳＧ膜５に開口部を形成してトリミング窓開口部
１９を形成すると同時に、ボンディングパッド電極１１
上のＰＳＧ膜１３及びＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜９に開口部
を形成してボンディングパッド開口部２１を形成する。
エッチングガスにＯ2ガスを混合することにより、ＴＥ
ＯＳ−ＳｉＯ2膜９を含む層間絶縁膜のエッチング速度
のばらつきを抑制する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に、抵抗値調整用のヒューズを備え、Ｔ
ＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケート）−ＳｉＯ2膜
及びＴＥＯＳ／Ｏ3−ＳｉＯ2膜のうちの少なくともいず
れかを含む２層以上の層間絶縁膜を備えた多層配線構造
をもつ半導体装置の製造方法に関するものである。
方法に関し、特に、抵抗値調整用のヒューズを備え、Ｔ
ＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケート）−ＳｉＯ2膜
及びＴＥＯＳ／Ｏ3−ＳｉＯ2膜のうちの少なくともいず
れかを含む２層以上の層間絶縁膜を備えた多層配線構造
をもつ半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において発生する
電気的な不具合を修復するために、レーザー光線で切断
可能なヒューズが半導体装置内に形成されており、この
ヒューズをレーザー光線で切断することにより電気的修
復（調整）を実施するレーザートリミングが行なわれて
いる。ヒューズへのレーザー光線の照射は、ヒューズ上
の層間絶縁膜を周囲より薄くして形成されたトリミング
窓開口部を介して行なわれる。
電気的な不具合を修復するために、レーザー光線で切断
可能なヒューズが半導体装置内に形成されており、この
ヒューズをレーザー光線で切断することにより電気的修
復（調整）を実施するレーザートリミングが行なわれて
いる。ヒューズへのレーザー光線の照射は、ヒューズ上
の層間絶縁膜を周囲より薄くして形成されたトリミング
窓開口部を介して行なわれる。
【０００３】トリミング窓開口部には、ヒューズの保護
を目的として、ヒューズ上に層間絶縁膜が残存されてい
る。その層間絶縁膜の残存膜厚は、（１）ヒューズの抵
抗値が吸湿などにより変化しない程度の厚み以上、
（２）レーザー光線によりヒューズを切断することが可
能な厚み以下、を満たすことが必要である。
を目的として、ヒューズ上に層間絶縁膜が残存されてい
る。その層間絶縁膜の残存膜厚は、（１）ヒューズの抵
抗値が吸湿などにより変化しない程度の厚み以上、
（２）レーザー光線によりヒューズを切断することが可
能な厚み以下、を満たすことが必要である。
【０００４】また、レーザートリミングに用いられるレ
ーザー光線の出力は一定であるので、ウエハ面内でトリ
ミング窓開口部の層間絶縁膜の残存膜厚がばらつくと、
絶縁膜の残存膜厚が厚い部分ではヒューズの切り残しを
起こしたり、絶縁膜の残存膜厚が薄い部分では下地にダ
メージを与えたりするため、品質的にもトリミング窓開
口部の残存絶縁膜のウエハ面内均一性は重要である。
ーザー光線の出力は一定であるので、ウエハ面内でトリ
ミング窓開口部の層間絶縁膜の残存膜厚がばらつくと、
絶縁膜の残存膜厚が厚い部分ではヒューズの切り残しを
起こしたり、絶縁膜の残存膜厚が薄い部分では下地にダ
メージを与えたりするため、品質的にもトリミング窓開
口部の残存絶縁膜のウエハ面内均一性は重要である。
【０００５】従来、トリミング窓開口部の形成方法とし
て、例えばＣＦ4など一般式ＣnＦ2n +2で表わされるガ
ス、ＣＨＦ3など一般式ＣnＨmＦ2n+2-mで表わされるガ
ス及びＡｒガスを混合したエッチングガスによる異方性
のドライエッチングにより複数層の層間絶縁膜を一気に
エッチングして所定の残存膜厚にする方法が用いられて
いる。
て、例えばＣＦ4など一般式ＣnＦ2n +2で表わされるガ
ス、ＣＨＦ3など一般式ＣnＨmＦ2n+2-mで表わされるガ
ス及びＡｒガスを混合したエッチングガスによる異方性
のドライエッチングにより複数層の層間絶縁膜を一気に
エッチングして所定の残存膜厚にする方法が用いられて
いる。
【０００６】しかし、層間絶縁膜のうち複数層の少なく
とも１層にＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜及びＴＥＯＳ／Ｏ3−Ｓ
ｉＯ2膜のうちのいずれかが用いられている場合、従来
のドライエッチングでは、ウエハ面内において層間絶縁
膜のエッチング速度がばらつき、ひいてはヒューズ上の
層間絶縁膜の残存膜厚がばらつくという問題があった。
とも１層にＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜及びＴＥＯＳ／Ｏ3−Ｓ
ｉＯ2膜のうちのいずれかが用いられている場合、従来
のドライエッチングでは、ウエハ面内において層間絶縁
膜のエッチング速度がばらつき、ひいてはヒューズ上の
層間絶縁膜の残存膜厚がばらつくという問題があった。
【０００７】このような問題を解決すべく、ヒューズ上
に形成された層間絶縁膜の中間にエッチング選択性の高
いアルミミウムなどのエッチングストッパーを設けて、
ヒューズ上の層間絶縁膜の残存膜厚精度を保つ方法が提
案されている（特開平１０−２５６３７３号公報参
照）。しかし、その方法では工程数が増加するという問
題があった。
に形成された層間絶縁膜の中間にエッチング選択性の高
いアルミミウムなどのエッチングストッパーを設けて、
ヒューズ上の層間絶縁膜の残存膜厚精度を保つ方法が提
案されている（特開平１０−２５６３７３号公報参
照）。しかし、その方法では工程数が増加するという問
題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、ヒュ
ーズ上の層間絶縁膜にＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜又はＴＥＯ
Ｓ／Ｏ3−ＳｉＯ2膜が含まれていても、工程数を増加さ
せることなく、ヒューズ上の層間絶縁膜の残存膜厚のば
らつきを抑制できる半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
ーズ上の層間絶縁膜にＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜又はＴＥＯ
Ｓ／Ｏ3−ＳｉＯ2膜が含まれていても、工程数を増加さ
せることなく、ヒューズ上の層間絶縁膜の残存膜厚のば
らつきを抑制できる半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、ヒューズを備
え、ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜及びＴＥＯＳ／Ｏ3−ＳｉＯ 2
膜のうちの少なくともいずれかを含む２層以上の層間絶
縁膜を備えた多層配線構造をもつ半導体装置の製造方法
であって、ヒューズ上の層間絶縁膜を周囲より薄くして
レーザートリミング用のトリミング窓開口部を形成する
際に、少なくとも有機フッ素化合物、不活性ガス及びＯ
2ガスを含むエッチングガスによる異方性のドライエッ
チングを用いる。
え、ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜及びＴＥＯＳ／Ｏ3−ＳｉＯ 2
膜のうちの少なくともいずれかを含む２層以上の層間絶
縁膜を備えた多層配線構造をもつ半導体装置の製造方法
であって、ヒューズ上の層間絶縁膜を周囲より薄くして
レーザートリミング用のトリミング窓開口部を形成する
際に、少なくとも有機フッ素化合物、不活性ガス及びＯ
2ガスを含むエッチングガスによる異方性のドライエッ
チングを用いる。
【００１０】少なくとも有機フッ素化合物、不活性ガス
及びＯ2ガスを含むガス、特にＯ2ガスを混合したエッチ
ングガスを用いることにより、ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜又
はＴＥＯＳ／Ｏ3−ＳｉＯ2膜と他の絶縁膜とのエッチン
グ速度の差を抑制し、ひいてはトリミング窓開口部の層
間絶縁膜の残存膜厚のばらつきを抑制する。
及びＯ2ガスを含むガス、特にＯ2ガスを混合したエッチ
ングガスを用いることにより、ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜又
はＴＥＯＳ／Ｏ3−ＳｉＯ2膜と他の絶縁膜とのエッチン
グ速度の差を抑制し、ひいてはトリミング窓開口部の層
間絶縁膜の残存膜厚のばらつきを抑制する。
【００１１】
【発明の実施の形態】有機フッ素化合物の一例は一般式
ＣnＦ2n+2で表わされるガス及び一般式ＣnＨ mＦ2n+2-m
で表わされるガスであり、不活性ガスの一例はＡｒガス
である。エッチングガスのＯ2ガスの流量比の一例は０.
７〜１.４体積％である。トリミング窓開口部の形成と
同時にボンディングパッド電極上の層間絶縁膜を除去し
てボンディングパッド開口部を形成することが好まし
い。その結果、製造工程数を減少させることができる。
ＣnＦ2n+2で表わされるガス及び一般式ＣnＨ mＦ2n+2-m
で表わされるガスであり、不活性ガスの一例はＡｒガス
である。エッチングガスのＯ2ガスの流量比の一例は０.
７〜１.４体積％である。トリミング窓開口部の形成と
同時にボンディングパッド電極上の層間絶縁膜を除去し
てボンディングパッド開口部を形成することが好まし
い。その結果、製造工程数を減少させることができる。
【００１２】
【実施例】図１は一実施例を示す工程断面図である。こ
こでは２層メタル配線構造を備えた半導体装置を例に示
す。ただし、本発明はこの実施例に限定されるものでは
なく、特許請求の範囲に記載された要旨の範囲内で種々
の変更が可能である。
こでは２層メタル配線構造を備えた半導体装置を例に示
す。ただし、本発明はこの実施例に限定されるものでは
なく、特許請求の範囲に記載された要旨の範囲内で種々
の変更が可能である。
【００１３】（ａ）シリコン基板１上に、膜厚が３５０
０〜５０００Å、幅寸法が２.０〜４.０μｍのポリシリ
コンからなるヒューズ３を形成した後、その上からシリ
コン基板１上に、層間絶縁膜としてのＢＰＳＧ膜５を８
０００Åの膜厚で形成する。ＢＰＳＧ膜５にスルーホー
ル（図示は省略）を形成した後、ＢＰＳＧ膜５上にアル
ミニウム膜を７０００Åの膜厚で形成し、そのアルミニ
ウム膜をパターニングして１層目のアルミニウム配線７
を形成する。さらにその上からＢＰＳＧ膜５上に層間絶
縁膜としてのＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜９を１００００Åの
膜厚で形成する。
０〜５０００Å、幅寸法が２.０〜４.０μｍのポリシリ
コンからなるヒューズ３を形成した後、その上からシリ
コン基板１上に、層間絶縁膜としてのＢＰＳＧ膜５を８
０００Åの膜厚で形成する。ＢＰＳＧ膜５にスルーホー
ル（図示は省略）を形成した後、ＢＰＳＧ膜５上にアル
ミニウム膜を７０００Åの膜厚で形成し、そのアルミニ
ウム膜をパターニングして１層目のアルミニウム配線７
を形成する。さらにその上からＢＰＳＧ膜５上に層間絶
縁膜としてのＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜９を１００００Åの
膜厚で形成する。
【００１４】ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜９にスルーホール
（図示は省略）を形成した後、ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜９
上にアルミニウム膜を１００００Åの膜厚で形成し、そ
のアルミニウム膜をパターニングしてボンディングパッ
ド電極１１及び２層目のアルミニウム配線（図示は省
略）を形成する。その上からＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜９上
にＰＳＧ膜１３を４０００Åの膜厚で形成し、さらにそ
の上にＳｉ3Ｎ4膜１５を１２０００Åの膜厚で形成す
る。ＰＳＧ膜１３及びＳｉ3Ｎ4膜１５はパッシベーショ
ン膜（表面保護膜）を構成する。
（図示は省略）を形成した後、ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜９
上にアルミニウム膜を１００００Åの膜厚で形成し、そ
のアルミニウム膜をパターニングしてボンディングパッ
ド電極１１及び２層目のアルミニウム配線（図示は省
略）を形成する。その上からＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜９上
にＰＳＧ膜１３を４０００Åの膜厚で形成し、さらにそ
の上にＳｉ3Ｎ4膜１５を１２０００Åの膜厚で形成す
る。ＰＳＧ膜１３及びＳｉ3Ｎ4膜１５はパッシベーショ
ン膜（表面保護膜）を構成する。
【００１５】Ｓｉ3Ｎ4膜１５上に、ボンディングパッド
開口部形成用のフォトレジストパターン１７を２５００
０Åの膜厚で形成する。フォトレジストパターン１７形
成用の写真製版マスクは、ボンディングパッド開口部と
トリミング窓開口部の両方を開口するためのパターンと
なっており、この写真製版により形成されたフォトレジ
ストパターン１７には、ヒューズ３上のトリミング窓形
成領域に開口寸法ａが８〜１６μｍの開口部１７ａが形
成されており、ボンディングパッド電極１１上のボンデ
ィングパッド開口部形成領域に開口寸法ｂが８５〜９０
μｍの開口部１７ｂが形成されている。ここで、フォト
レジストパターン１７に代えて、開口部１７ａ，１７ｂ
が同様に形成された膜厚が４００００Åのポリイミド膜
パターンを用いてもよい。
開口部形成用のフォトレジストパターン１７を２５００
０Åの膜厚で形成する。フォトレジストパターン１７形
成用の写真製版マスクは、ボンディングパッド開口部と
トリミング窓開口部の両方を開口するためのパターンと
なっており、この写真製版により形成されたフォトレジ
ストパターン１７には、ヒューズ３上のトリミング窓形
成領域に開口寸法ａが８〜１６μｍの開口部１７ａが形
成されており、ボンディングパッド電極１１上のボンデ
ィングパッド開口部形成領域に開口寸法ｂが８５〜９０
μｍの開口部１７ｂが形成されている。ここで、フォト
レジストパターン１７に代えて、開口部１７ａ，１７ｂ
が同様に形成された膜厚が４００００Åのポリイミド膜
パターンを用いてもよい。
【００１６】（ｂ）フォトレジストパターン１７をマス
クにして、平行平板型プラズマエッチャーを用いてドラ
イエッチングにより、ヒューズ３上のＳｉ3Ｎ4膜１５に
開口部を形成すると同時に、ボンディングパッド電極１
１上のＳｉ3Ｎ4膜１５に開口部を形成する。ここでエッ
チングガスとしてはＮＦ3ガス又はＣＦ4／Ｏ2ガスを用
いる。
クにして、平行平板型プラズマエッチャーを用いてドラ
イエッチングにより、ヒューズ３上のＳｉ3Ｎ4膜１５に
開口部を形成すると同時に、ボンディングパッド電極１
１上のＳｉ3Ｎ4膜１５に開口部を形成する。ここでエッ
チングガスとしてはＮＦ3ガス又はＣＦ4／Ｏ2ガスを用
いる。
【００１７】さらに、フォトレジストパターン１７をマ
スクにして、平行平板型プラズマエッチャーを用いてド
ライエッチングにより、ヒューズ３上のＳｉ3Ｎ4膜１５
の開口部を介してＰＳＧ膜１３、ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜
９及びＢＰＳＧ膜５に開口部を形成してトリミング窓開
口部１９を形成すると同時に、ボンディングパッド電極
１１上のＳｉ3Ｎ4膜１５の開口部を介してＰＳＧ膜１３
に開口部を形成してボンディングパッド開口部２１を形
成する。
スクにして、平行平板型プラズマエッチャーを用いてド
ライエッチングにより、ヒューズ３上のＳｉ3Ｎ4膜１５
の開口部を介してＰＳＧ膜１３、ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜
９及びＢＰＳＧ膜５に開口部を形成してトリミング窓開
口部１９を形成すると同時に、ボンディングパッド電極
１１上のＳｉ3Ｎ4膜１５の開口部を介してＰＳＧ膜１３
に開口部を形成してボンディングパッド開口部２１を形
成する。
【００１８】このドライエッチングにおいて、エッチン
グガスとしては、ＣＦ4ガス、ＣＨＦ3ガス、Ａｒガス及
びＯ2ガスの混合ガスを用いる。エッチングガスのガス
流量比は、ＣＦ4／ＣＨＦ3／Ａｒ／Ｏ2＝７０／３０／
６００／５ｓｃｃｍである。ここで、Ｏ2ガスの流量は
５〜１０ｓｃｃｍの間で変更可能であり、すなわちＯ2
ガスの流量比は０.７〜１.４体積％の間で変更可能であ
る。その他のドライエッチング条件は、圧力：２００Ｐ
ａ，ＲＦパワー：５００ｗ，電極間隔：１.０ｃｍ，下
部電極温度０℃，処理時間２分であった。このような条
件でエッチングを行なったときの残膜規格は８０００±
２０００Åである。
グガスとしては、ＣＦ4ガス、ＣＨＦ3ガス、Ａｒガス及
びＯ2ガスの混合ガスを用いる。エッチングガスのガス
流量比は、ＣＦ4／ＣＨＦ3／Ａｒ／Ｏ2＝７０／３０／
６００／５ｓｃｃｍである。ここで、Ｏ2ガスの流量は
５〜１０ｓｃｃｍの間で変更可能であり、すなわちＯ2
ガスの流量比は０.７〜１.４体積％の間で変更可能であ
る。その他のドライエッチング条件は、圧力：２００Ｐ
ａ，ＲＦパワー：５００ｗ，電極間隔：１.０ｃｍ，下
部電極温度０℃，処理時間２分であった。このような条
件でエッチングを行なったときの残膜規格は８０００±
２０００Åである。
【００１９】上記のエッチング条件でトリミング窓開口
部１９を形成したときの結果を表１に示す。「Ｏ2有
り」は上記条件でのヒューズ３上の層間絶縁膜の残存膜
厚及び分散を示し、「Ｏ2無し」は比較例としてＯ2ガス
をエッチングガスに混合しなかった場合を示す。
部１９を形成したときの結果を表１に示す。「Ｏ2有
り」は上記条件でのヒューズ３上の層間絶縁膜の残存膜
厚及び分散を示し、「Ｏ2無し」は比較例としてＯ2ガス
をエッチングガスに混合しなかった場合を示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１から、エッチングガスにＯ2ガスを混
合した場合の方が混合しない場合よりも残存膜厚のばら
つきが大幅に改善されることが分かる。異方性成分のＣ
ＨＦ3ガスとＡｒ／Ｏ2ガスを一定比率で混合することに
より、トリミング窓開口部１９及びボンディングパッド
開口部２１を異方性に仕上げることができるだけでな
く、ポリマー生成物の生成を抑制することが可能とな
り、ウエハ面内における層間絶縁膜のエッチング速度の
ばらつきを抑制することができ、結果として、ヒューズ
３上の層間絶縁膜の残存膜厚のばらつきを抑制すること
ができる。さらに、ヒューズ３上の層間絶縁膜の残存膜
厚の再現性も向上させることができる。実施例では層間
絶縁膜の一部にＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜を用いた例を示し
ているが、ＴＥＯＳ／Ｏ3−ＳｉＯ2膜を用いた場合又は
ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜とＴＥＯＳ／Ｏ3−ＳｉＯ2膜の両
方を用いた場合でも同様の効果が得られる。
合した場合の方が混合しない場合よりも残存膜厚のばら
つきが大幅に改善されることが分かる。異方性成分のＣ
ＨＦ3ガスとＡｒ／Ｏ2ガスを一定比率で混合することに
より、トリミング窓開口部１９及びボンディングパッド
開口部２１を異方性に仕上げることができるだけでな
く、ポリマー生成物の生成を抑制することが可能とな
り、ウエハ面内における層間絶縁膜のエッチング速度の
ばらつきを抑制することができ、結果として、ヒューズ
３上の層間絶縁膜の残存膜厚のばらつきを抑制すること
ができる。さらに、ヒューズ３上の層間絶縁膜の残存膜
厚の再現性も向上させることができる。実施例では層間
絶縁膜の一部にＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜を用いた例を示し
ているが、ＴＥＯＳ／Ｏ3−ＳｉＯ2膜を用いた場合又は
ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜とＴＥＯＳ／Ｏ3−ＳｉＯ2膜の両
方を用いた場合でも同様の効果が得られる。
【００２２】このように、ヒューズ上の層間絶縁膜にＴ
ＥＯＳ−ＳｉＯ2膜又はＴＥＯＳ／Ｏ3−ＳｉＯ2膜が含
まれていても、ヒューズ上の層間絶縁膜の残存膜厚をウ
エハ面内で良好な均一性もって制御することができるの
で、レーザー光線によるヒューズ切断時の不具合を解消
することができる。さらに、アルミニウム等のエッチン
グストッパー膜を形成する必要はないので、工程数を増
やさないで済むことになる。
ＥＯＳ−ＳｉＯ2膜又はＴＥＯＳ／Ｏ3−ＳｉＯ2膜が含
まれていても、ヒューズ上の層間絶縁膜の残存膜厚をウ
エハ面内で良好な均一性もって制御することができるの
で、レーザー光線によるヒューズ切断時の不具合を解消
することができる。さらに、アルミニウム等のエッチン
グストッパー膜を形成する必要はないので、工程数を増
やさないで済むことになる。
【００２３】上記実施例ではトリミング窓開口部とボン
ディングパッド開口部を同時に形成しているが、別々の
エッチング工程で形成するようにしてもよい。また、上
記実施例では２層メタル配線構造を備えた半導体装置の
製造方法を示しているが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、３層以上の多層配線構造を備えた半導体装
置の製造方法にも適用することができる。また、エッチ
ングガスとしてＣＦ4、ＣＨＦ3、Ａｒ及びＯ2の混合ガ
スを用いているが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、ＣＦ4に代えて一般式ＣnＦ 2n+2で表わされるガ
ス、例えばＣ2Ｆ6やＣ3Ｆ8などを用いることができ、Ｃ
ＨＦ 3に代えて一般式ＣnＨmＦ2n+2-mで表わされるガ
ス、例えばＣＨ3ＣＦ3などを用いることができる。
ディングパッド開口部を同時に形成しているが、別々の
エッチング工程で形成するようにしてもよい。また、上
記実施例では２層メタル配線構造を備えた半導体装置の
製造方法を示しているが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、３層以上の多層配線構造を備えた半導体装
置の製造方法にも適用することができる。また、エッチ
ングガスとしてＣＦ4、ＣＨＦ3、Ａｒ及びＯ2の混合ガ
スを用いているが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、ＣＦ4に代えて一般式ＣnＦ 2n+2で表わされるガ
ス、例えばＣ2Ｆ6やＣ3Ｆ8などを用いることができ、Ｃ
ＨＦ 3に代えて一般式ＣnＨmＦ2n+2-mで表わされるガ
ス、例えばＣＨ3ＣＦ3などを用いることができる。
【００２４】また、上記実施例ではポリシリコンからな
るヒューズを用いているが、本発明はこれに限定される
ものではなく、例えばＷ（タングステン）などの単一金
属層のほか、ポリシリコンに金属層を積層したＷＳｉ／
ポリシリコン（ＷＳｉはタングステンシリサイドを示
し、WSi2，W5Si3を含む。）、ＴｉＳｉ／ポリシリコン
（ＴｉＳｉはチタンシリサイドを示し、TiSi，TiSi2，T
i5Si3を含む。）など、他の材料からなるヒューズを用
いてもよい。
るヒューズを用いているが、本発明はこれに限定される
ものではなく、例えばＷ（タングステン）などの単一金
属層のほか、ポリシリコンに金属層を積層したＷＳｉ／
ポリシリコン（ＷＳｉはタングステンシリサイドを示
し、WSi2，W5Si3を含む。）、ＴｉＳｉ／ポリシリコン
（ＴｉＳｉはチタンシリサイドを示し、TiSi，TiSi2，T
i5Si3を含む。）など、他の材料からなるヒューズを用
いてもよい。
【００２５】
【発明の効果】本発明にかかる半導体装置の製造方法で
は、ヒューズ上の層間絶縁膜を周囲より薄くしてレーザ
ートリミング用のトリミング窓開口部を形成する際に、
少なくとも有機フッ素化合物、不活性ガス及びＯ2ガス
を含むエッチングガスによる異方性のドライエッチング
を用いるようにしたので、ヒューズ上の層間絶縁膜にＴ
ＥＯＳ−ＳｉＯ2膜及びＴＥＯＳ／Ｏ3−ＳｉＯ2膜のう
ちの少なくともいずれかを含む場合であっても、工程数
を増加させることなく、ヒューズ上の層間絶縁膜の残存
膜厚のばらつきを抑制でき、その残存膜厚のウエハ面内
均一性を向上させることができ、さらにその残存膜厚の
再現性を向上させることができる。
は、ヒューズ上の層間絶縁膜を周囲より薄くしてレーザ
ートリミング用のトリミング窓開口部を形成する際に、
少なくとも有機フッ素化合物、不活性ガス及びＯ2ガス
を含むエッチングガスによる異方性のドライエッチング
を用いるようにしたので、ヒューズ上の層間絶縁膜にＴ
ＥＯＳ−ＳｉＯ2膜及びＴＥＯＳ／Ｏ3−ＳｉＯ2膜のう
ちの少なくともいずれかを含む場合であっても、工程数
を増加させることなく、ヒューズ上の層間絶縁膜の残存
膜厚のばらつきを抑制でき、その残存膜厚のウエハ面内
均一性を向上させることができ、さらにその残存膜厚の
再現性を向上させることができる。
【図１】一実施例を示す工程断面図である。
１ シリコン基板 ３ ヒューズ ５ ＢＰＳＧ膜（層間絶縁膜） ７ アルミニウム配線 ９ ＴＥＯＳ−ＳｉＯ2膜（層間絶縁膜） １１ ボンディングパッド電極 １３ ＰＳＧ膜（表面保護膜） １５ Ｓｉ3Ｎ4膜（表面保護膜） １７ レジストパターン １９ トリミング窓開口部 ２１ ボンディングパッド開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/822 Ｆターム(参考） 5F004 AA01 CA02 CA03 DA00 DA01 DA02 DA03 DA16 DA23 DA26 DB04 DB06 DB07 EB03 5F033 HH08 JJ08 KK04 KK08 KK19 KK27 KK28 MM07 QQ09 QQ12 QQ15 QQ16 QQ37 QQ39 RR04 RR06 RR14 RR15 SS04 SS11 VV11 WW06 XX33 XX36 5F038 AV02 AV15 EZ15 EZ20 5F064 FF05 FF27 FF42 GG03
Claims (4)
- 【請求項１】 抵抗値調整用のヒューズを備え、ＴＥＯ
Ｓ−ＳｉＯ2膜及びＴＥＯＳ／Ｏ3−ＳｉＯ2膜のうちの
少なくともいずれかを含む２層以上の層間絶縁膜を備え
た多層配線構造をもつ半導体装置の製造方法において、 前記ヒューズ上の層間絶縁膜を周囲より薄くしてレーザ
ートリミング用のトリミング窓開口部を形成する際に、
少なくとも有機フッ素化合物、不活性ガス及びＯ2ガス
を含むエッチングガスによる異方性のドライエッチング
を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記有機フッ素化合物は、一般式ＣnＦ
2n+2で表わされるガス及び一般式ＣnＨmＦ2n+2-mで表わ
されるガスであり、前記不活性ガスはＡｒガスである請
求項１に記載の製造方法。 - 【請求項３】 前記エッチングガス中でのＯ2ガスの流
量比は０.７〜１.４体積％である請求項１又は２に記載
の製造方法。 - 【請求項４】 前記トリミング窓開口部の形成と同時に
ボンディングパッド電極上の層間絶縁膜を除去してボン
ディングパッド開口部を形成する請求項１、２又は３の
いずれかに記載の製造方法。
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| JP2000293508A JP2002110641A (ja) | 2000-09-27 | 2000-09-27 | 半導体装置の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2000-09-27 JP JP2000293508A patent/JP2002110641A/ja active Pending
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