|
TWI277666B
(en)
*
|
2001-06-06 |
2007-04-01 |
Ammono Sp Zoo |
Process and apparatus for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
|
|
PL374180A1
(en)
*
|
2001-10-26 |
2005-10-03 |
Ammono Sp.Z O.O. |
Nitride semiconductor laser element, and production method therefor
|
|
JP4693351B2
(ja)
*
|
2001-10-26 |
2011-06-01 |
アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン |
エピタキシャル成長用基板
|
|
US6791120B2
(en)
*
|
2002-03-26 |
2004-09-14 |
Sanyo Electric Co., Ltd. |
Nitride-based semiconductor device and method of fabricating the same
|
|
JP4416648B2
(ja)
*
|
2002-05-17 |
2010-02-17 |
アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン |
発光素子の製造方法
|
|
US20060138431A1
(en)
*
|
2002-05-17 |
2006-06-29 |
Robert Dwilinski |
Light emitting device structure having nitride bulk single crystal layer
|
|
JP4403067B2
(ja)
*
|
2002-05-17 |
2010-01-20 |
アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン |
超臨界アンモニアを用いるバルク単結晶生産設備
|
|
JP2004107114A
(ja)
*
|
2002-09-17 |
2004-04-08 |
Toyoda Gosei Co Ltd |
Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体基板の製造方法
|
|
KR101088991B1
(ko)
*
|
2002-12-11 |
2011-12-01 |
니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 |
벌크 단결정 갈륨-함유 질화물의 제조공정
|
|
PL224992B1
(pl)
*
|
2002-12-11 |
2017-02-28 |
Ammono Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością |
Podłoże typu template dla urządzeń opto-elektrycznych lub elektrycznych oraz sposób jego wytwarzania
|
|
CA2504098A1
(en)
*
|
2002-12-20 |
2004-07-15 |
Cree, Inc. |
Methods of forming semiconductor devices having self aligned semiconductor mesas and contact layers and related devices
|
|
GB2400234A
(en)
*
|
2003-04-02 |
2004-10-06 |
Sharp Kk |
Semiconductor device and method of manufacture
|
|
US7462882B2
(en)
*
|
2003-04-24 |
2008-12-09 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Nitride semiconductor light-emitting device, method of fabricating it, and semiconductor optical apparatus
|
|
US7462983B2
(en)
*
|
2003-06-27 |
2008-12-09 |
Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. |
White light emitting device
|
|
CN1849713A
(zh)
*
|
2003-09-08 |
2006-10-18 |
第四族半导体有限公司 |
固态白光发射器及使用其的显示器
|
|
JP4326297B2
(ja)
*
|
2003-09-30 |
2009-09-02 |
シャープ株式会社 |
モノリシック多波長レーザ素子およびその製造方法
|
|
ATE418806T1
(de)
|
2004-04-02 |
2009-01-15 |
Nichia Corp |
Nitrid-halbleiterlaservorrichtung
|
|
EP1769105B1
(en)
*
|
2004-06-11 |
2014-05-14 |
Ammono S.A. |
Bulk mono-crystalline gallium nitride and method for its preparation
|
|
PL371405A1
(pl)
*
|
2004-11-26 |
2006-05-29 |
Ammono Sp.Z O.O. |
Sposób wytwarzania objętościowych monokryształów metodą wzrostu na zarodku
|
|
KR100707187B1
(ko)
*
|
2005-04-21 |
2007-04-13 |
삼성전자주식회사 |
질화갈륨계 화합물 반도체 소자
|
|
JP2007081183A
(ja)
*
|
2005-09-15 |
2007-03-29 |
Matsushita Electric Ind Co Ltd |
半導体発光素子
|
|
US7863623B2
(en)
|
2005-09-15 |
2011-01-04 |
Panasonic Corporation |
Semiconductor light emitting device
|
|
JP2007081182A
(ja)
*
|
2005-09-15 |
2007-03-29 |
Matsushita Electric Ind Co Ltd |
半導体発光素子
|
|
JP2007081181A
(ja)
*
|
2005-09-15 |
2007-03-29 |
Matsushita Electric Ind Co Ltd |
半導体発光素子
|
|
KR101221067B1
(ko)
*
|
2006-02-09 |
2013-01-11 |
삼성전자주식회사 |
리지 도파형 반도체 레이저 다이오드
|
|
US7518139B2
(en)
*
|
2006-10-31 |
2009-04-14 |
Lehigh University |
Gallium nitride-based device and method
|
|
US7843980B2
(en)
*
|
2007-05-16 |
2010-11-30 |
Rohm Co., Ltd. |
Semiconductor laser diode
|
|
US8432946B2
(en)
*
|
2007-12-06 |
2013-04-30 |
Rohm Co., Ltd. |
Nitride semiconductor laser diode
|
|
JP2010041035A
(ja)
*
|
2008-06-27 |
2010-02-18 |
Sanyo Electric Co Ltd |
半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに光ピックアップ装置
|
|
JP2011044648A
(ja)
*
|
2009-08-24 |
2011-03-03 |
Sharp Corp |
窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法
|
|
JP2011204914A
(ja)
*
|
2010-03-25 |
2011-10-13 |
Sony Corp |
光発振装置及び記録装置
|
|
JP5589671B2
(ja)
*
|
2010-08-20 |
2014-09-17 |
ソニー株式会社 |
レーザ装置、レーザ増幅変調方法。
|
|
US9318875B1
(en)
|
2011-01-24 |
2016-04-19 |
Soraa Laser Diode, Inc. |
Color converting element for laser diode
|
|
JP2012244099A
(ja)
*
|
2011-05-24 |
2012-12-10 |
Renesas Electronics Corp |
半導体発光素子
|
|
US10686291B2
(en)
|
2015-03-19 |
2020-06-16 |
Sony Corporation |
Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting element assembly
|
|
WO2019079239A1
(en)
*
|
2017-10-16 |
2019-04-25 |
Crystal Is, Inc. |
ELECTROCHEMICAL REMOVAL OF ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATES FOR ELECTRONIC AND OPTOELECTRONIC DEVICES
|
|
JP7639610B2
(ja)
|
2021-08-19 |
2025-03-05 |
ウシオ電機株式会社 |
窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
|