JP2002094188A - Ｉｉｉ族窒化物系半導体レーザ素子 - Google Patents
Ｉｉｉ族窒化物系半導体レーザ素子Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 製造コストを上昇させることなく、発光特性
の優れたIII族窒化物系半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 ｎ側ＡｌＧａＮクラッド層、ｎ側ガイド
層、活性層、ｐ側ガイド層、ｐ側ＡｌＧａＮクラッド層
を含むＩＩＩ族窒化物系半導体発光素子であって、前記
ｐ側ガイド層の屈折率８が前記ｎ側ガイド層の屈折率５
よりも大であることを特徴とする窒化物半導体発光素子
をつくる。
の優れたIII族窒化物系半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 ｎ側ＡｌＧａＮクラッド層、ｎ側ガイド
層、活性層、ｐ側ガイド層、ｐ側ＡｌＧａＮクラッド層
を含むＩＩＩ族窒化物系半導体発光素子であって、前記
ｐ側ガイド層の屈折率８が前記ｎ側ガイド層の屈折率５
よりも大であることを特徴とする窒化物半導体発光素子
をつくる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化物半導体レー
ザ素子に関する。
ザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガイド層によって活性層にキャリアを閉
じ込め、クラッド層によってガイド層及び活性層に光を
閉じ込めるＳＣＨ構造を有する半導体レーザ素子があ
る。特に、（AlxGa1-x）1-yInyN（0≦ｘ≦1、0≦ｙ≦
1）で表される如きIII族窒化物系半導体からなる半導体
レーザ素子では、他の材料系からなる半導体レーザ素子
に比べて、ガイド層及び活性層への光閉じ込めが困難で
ある故に、レーザ素子を発振させるために必要な閾値電
流密度が高く、また出射ビームの遠視野像が劣化する等
の発光特性における問題が生じていた。
じ込め、クラッド層によってガイド層及び活性層に光を
閉じ込めるＳＣＨ構造を有する半導体レーザ素子があ
る。特に、（AlxGa1-x）1-yInyN（0≦ｘ≦1、0≦ｙ≦
1）で表される如きIII族窒化物系半導体からなる半導体
レーザ素子では、他の材料系からなる半導体レーザ素子
に比べて、ガイド層及び活性層への光閉じ込めが困難で
ある故に、レーザ素子を発振させるために必要な閾値電
流密度が高く、また出射ビームの遠視野像が劣化する等
の発光特性における問題が生じていた。
【０００３】図１に示すように、従来のIII族窒化物系
半導体レーザ素子は、単結晶サファイアからなる基板１
上に膜を多層に積層した構造を有していた。詳細には、
基板１上に順に、GaN又はAlNを低温にて成膜したバッフ
ァ層２、GaNからなるｎ側下地層３、AlGaNからなるｎ側
クラッド層４、GaNからなるｎ側ガイド層５、InGaNを主
たる成分とする活性層６、AlGaNからなる電子バリア層
７、GaNからなるｐ側ガイド層８、AlGaNからなるｐ側ク
ラッド層９、GaNからなるｐ側コンタクト層10が積層し
ている。なお、下地層３及びコンタクト層10の上には、
絶縁層11の窓部を介して、ｎ側電極12a及びｐ側電極12b
が各々形成されている。ここで、バッファ層２は、サフ
ァイア基板１上に平滑な単結晶膜を形成するために設け
られており、下地層３は、基板１のサファイアが導電性
を有さないために設けられている。
半導体レーザ素子は、単結晶サファイアからなる基板１
上に膜を多層に積層した構造を有していた。詳細には、
基板１上に順に、GaN又はAlNを低温にて成膜したバッフ
ァ層２、GaNからなるｎ側下地層３、AlGaNからなるｎ側
クラッド層４、GaNからなるｎ側ガイド層５、InGaNを主
たる成分とする活性層６、AlGaNからなる電子バリア層
７、GaNからなるｐ側ガイド層８、AlGaNからなるｐ側ク
ラッド層９、GaNからなるｐ側コンタクト層10が積層し
ている。なお、下地層３及びコンタクト層10の上には、
絶縁層11の窓部を介して、ｎ側電極12a及びｐ側電極12b
が各々形成されている。ここで、バッファ層２は、サフ
ァイア基板１上に平滑な単結晶膜を形成するために設け
られており、下地層３は、基板１のサファイアが導電性
を有さないために設けられている。
【０００４】上記の如き構造の従来のIII族窒化物系半
導体レーザ素子において、(1)クラッド層４の膜厚を増
加させる、若しくは、(2)クラッド層４の屈折率を下げ
る、ことでＳＣＨ構造での光閉じ込め効率を向上させる
ことが出来るのである。前記(1)の方法において、GaNか
らなる下地層３の上にGaNよりも格子定数の小さいAlGaN
からなるクラッド層４を形成した場合、クラッド層４の
内部には引っ張り応力が発生し、クラックが形成され易
くなる。特に、クラッド層４の膜厚が大きくなると、こ
の傾向は顕著となる。かかるクラッド層４のクラック
は、素子としての発光特性の劣化を引き起こすのであ
る。
導体レーザ素子において、(1)クラッド層４の膜厚を増
加させる、若しくは、(2)クラッド層４の屈折率を下げ
る、ことでＳＣＨ構造での光閉じ込め効率を向上させる
ことが出来るのである。前記(1)の方法において、GaNか
らなる下地層３の上にGaNよりも格子定数の小さいAlGaN
からなるクラッド層４を形成した場合、クラッド層４の
内部には引っ張り応力が発生し、クラックが形成され易
くなる。特に、クラッド層４の膜厚が大きくなると、こ
の傾向は顕著となる。かかるクラッド層４のクラック
は、素子としての発光特性の劣化を引き起こすのであ
る。
【０００５】そこで、上記下地層３とクラッド層４との
間に格子不整合を緩和するための歪み緩和層（図示せ
ず）を設けると、クラッド層４のクラックの発生を低減
し、且つクラッド層４の膜厚を大きくすることが出来る
のである。例えば、歪み緩和層は、厚さ0.1〜0.2μm程
度のInGaN等からなる。しかしながら、格子不整合を緩
和するための歪みエネルギーは、歪み緩和層中に転位と
して蓄えられて、歪み緩和層の結晶品質を大きく劣化さ
せてしまうのである。さらに歪み緩和層中に新たに発生
した転位の一部が貫通転位となって活性層にまで到達し
て、発光特性を劣化させてしまうのである。結果とし
て、得られた素子では、発光特性の劣化及び導波損失の
増加による閾値電流密度の上昇を招来するのである。
間に格子不整合を緩和するための歪み緩和層（図示せ
ず）を設けると、クラッド層４のクラックの発生を低減
し、且つクラッド層４の膜厚を大きくすることが出来る
のである。例えば、歪み緩和層は、厚さ0.1〜0.2μm程
度のInGaN等からなる。しかしながら、格子不整合を緩
和するための歪みエネルギーは、歪み緩和層中に転位と
して蓄えられて、歪み緩和層の結晶品質を大きく劣化さ
せてしまうのである。さらに歪み緩和層中に新たに発生
した転位の一部が貫通転位となって活性層にまで到達し
て、発光特性を劣化させてしまうのである。結果とし
て、得られた素子では、発光特性の劣化及び導波損失の
増加による閾値電流密度の上昇を招来するのである。
【０００６】さらに、前記(1)の方法では、クラッド層
４の膜厚の増大と共に、当該層の成膜時間も増加して、
製造コストを増加させるので好ましくない。前記(2)の
方法においては、AlGaNからなるクラッド層４のAl混晶
比を高めてクラッド層４の屈折率を下げることができ
る。しかしながら、AlGaN中のAl混晶比が高くなると、A
lGaN混晶の格子定数が小さくなる故、クラッド層４に
は、より大きな引っ張り応力が作用して、クラッド層４
にはクラックが生じてしまうのである。
４の膜厚の増大と共に、当該層の成膜時間も増加して、
製造コストを増加させるので好ましくない。前記(2)の
方法においては、AlGaNからなるクラッド層４のAl混晶
比を高めてクラッド層４の屈折率を下げることができ
る。しかしながら、AlGaN中のAl混晶比が高くなると、A
lGaN混晶の格子定数が小さくなる故、クラッド層４に
は、より大きな引っ張り応力が作用して、クラッド層４
にはクラックが生じてしまうのである。
【０００７】一方、上記(1)及び(2)に対して、クラッド
層４の屈折率を下げるのではなく、ガイド層５の屈折率
を高めて光の閉じ込め効率を向上させる方法がある。例
えば、Inは、わずかな量でも屈折率を大きく上昇させ得
る。ガイド層５を屈折率の高いInGaNで形成すると、ク
ラッド層４の厚さを増加させることなく、光閉じ込め効
率を高めることができるのである。
層４の屈折率を下げるのではなく、ガイド層５の屈折率
を高めて光の閉じ込め効率を向上させる方法がある。例
えば、Inは、わずかな量でも屈折率を大きく上昇させ得
る。ガイド層５を屈折率の高いInGaNで形成すると、ク
ラッド層４の厚さを増加させることなく、光閉じ込め効
率を高めることができるのである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】InGaNを有機金属気相
成長（ＭＯＣＶＤ）法で形成すると、その表面には断面
略Ｖ字状の逆円錐型の「くぼみ」が発生する。この「く
ぼみ」は、その下層の膜からの貫通転位の延長線上に発
生し、堆積させるInGaNの膜厚の大きさに比例して成長
する。ガイド層５は、活性層６への光閉じ込め効率を改
善するために一定値以上の厚さを必要とするため、ガイ
ド層５をInGaNとした場合、その成膜後の表面には、深
さ及び開口ともに非常に大きな「くぼみ」が形成されて
しまうのである。この大なる「くぼみ」は、その上に形
成される活性層６が平坦に成膜された場合であっても、
活性層６及びガイド層５を導波する光の散乱を引き起こ
して素子の発光特性を劣化させてしまうのである。それ
故、ガイド層にInGaNを用いると、ガイド層の屈折率を
高めることは出来るが、一方で、散乱損失を増加させ
て、閾値電流密度の上昇を招く結果となる。
成長（ＭＯＣＶＤ）法で形成すると、その表面には断面
略Ｖ字状の逆円錐型の「くぼみ」が発生する。この「く
ぼみ」は、その下層の膜からの貫通転位の延長線上に発
生し、堆積させるInGaNの膜厚の大きさに比例して成長
する。ガイド層５は、活性層６への光閉じ込め効率を改
善するために一定値以上の厚さを必要とするため、ガイ
ド層５をInGaNとした場合、その成膜後の表面には、深
さ及び開口ともに非常に大きな「くぼみ」が形成されて
しまうのである。この大なる「くぼみ」は、その上に形
成される活性層６が平坦に成膜された場合であっても、
活性層６及びガイド層５を導波する光の散乱を引き起こ
して素子の発光特性を劣化させてしまうのである。それ
故、ガイド層にInGaNを用いると、ガイド層の屈折率を
高めることは出来るが、一方で、散乱損失を増加させ
て、閾値電流密度の上昇を招く結果となる。
【０００９】そこで、本発明の目的は、上記を鑑みて、
製造コストを増加させることなく、発光特性の優れた半
導体発光素子を提供することにある。
製造コストを増加させることなく、発光特性の優れた半
導体発光素子を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による窒化物半導
体発光素子は、ｎ側AlGaNクラッド層、ｎ側ガイド層、
活性層、ｐ側ガイド層、ｐ側AlGaNクラッド層を含むIII
族窒化物系半導体発光素子であって、前記ｐ側ガイド層
の屈折率が前記ｎ側ガイド層の屈折率よりも大であるこ
とを特徴とする。
体発光素子は、ｎ側AlGaNクラッド層、ｎ側ガイド層、
活性層、ｐ側ガイド層、ｐ側AlGaNクラッド層を含むIII
族窒化物系半導体発光素子であって、前記ｐ側ガイド層
の屈折率が前記ｎ側ガイド層の屈折率よりも大であるこ
とを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明による半導体レーザ素子
は、素子を構成する各層の材料成分比等が一部異なって
いるが、上記従来のIII族窒化物系半導体レーザ素子と
同様の断面構造を有している。
は、素子を構成する各層の材料成分比等が一部異なって
いるが、上記従来のIII族窒化物系半導体レーザ素子と
同様の断面構造を有している。
【００１２】そこで図１に従って、これを説明すると、
サファイア基板１上には、AlNやGaN等からなる低温バッ
ファ層２が積層し、この上にSi等をドーピングして導電
性を付与したｎ側GaN下地層３が厚さ約４〜６μｍ程度
に積層している。さらに、0.6μｍの厚さを有し且つ混
晶比ｘ＝0.06のｎ側AlxGal-xNクラッド層４、ｎ側GaNガ
イド層５が積層した上に、発光層としてIny1Ga1-y1N（y
1＝0.08、30Å)／Iny2Ga 1-y2N(y2＝0.01、60Å)を５層
積層したＭＱＷ活性層６が積層している。そして、0.02
μｍの厚さのAlxGal-xN電子バリア層７、マグネシウム
をドーピングしてｐ型としたｐ側InyGa1-yNガイド層
８、0.4μｍの厚さを有し且つ混晶比ｘ＝0.06のｐ側Alx
Gal-xNクラッド層９及び0.1μｍの厚さのｐ側コンタク
ト層10が積層している。なおｐ側コンタクト層10及びｎ
側GaN下地層３上には、絶縁層11の窓を介して、それぞ
れｐ側電極12b及びｎ側電極12aが形成されている。
サファイア基板１上には、AlNやGaN等からなる低温バッ
ファ層２が積層し、この上にSi等をドーピングして導電
性を付与したｎ側GaN下地層３が厚さ約４〜６μｍ程度
に積層している。さらに、0.6μｍの厚さを有し且つ混
晶比ｘ＝0.06のｎ側AlxGal-xNクラッド層４、ｎ側GaNガ
イド層５が積層した上に、発光層としてIny1Ga1-y1N（y
1＝0.08、30Å)／Iny2Ga 1-y2N(y2＝0.01、60Å)を５層
積層したＭＱＷ活性層６が積層している。そして、0.02
μｍの厚さのAlxGal-xN電子バリア層７、マグネシウム
をドーピングしてｐ型としたｐ側InyGa1-yNガイド層
８、0.4μｍの厚さを有し且つ混晶比ｘ＝0.06のｐ側Alx
Gal-xNクラッド層９及び0.1μｍの厚さのｐ側コンタク
ト層10が積層している。なおｐ側コンタクト層10及びｎ
側GaN下地層３上には、絶縁層11の窓を介して、それぞ
れｐ側電極12b及びｎ側電極12aが形成されている。
【００１３】本実施例の半導体レーザ素子においては、
ｎ側ガイド層がGaNからなっているので、ｎ側ガイド層
５の成膜後の表面には「くぼみ」が形成されることがな
いため、上述の散乱損失の問題を生じることがない。ま
た、ｐ側ガイド層８をInGaNとして屈折率を高めている
ので、光の閉じ込め効率を改善することができるのであ
る。
ｎ側ガイド層がGaNからなっているので、ｎ側ガイド層
５の成膜後の表面には「くぼみ」が形成されることがな
いため、上述の散乱損失の問題を生じることがない。ま
た、ｐ側ガイド層８をInGaNとして屈折率を高めている
ので、光の閉じ込め効率を改善することができるのであ
る。
【００１４】なお、InGaNにマグネシウムをドーピング
すると「くぼみ」の発生が抑制される。ここで、ｐ側ガ
イド層８には、ｐ型ドーパントとしてマグネシウムがド
ーピングされている故、散乱損失を増加させるような
「くぼみ」が形成されず、好ましいのである。また、In
yGa1-yNからなるｐ側ガイド層８は、In混晶比ｙを調整
して屈折率の高低の制御を行うことができる。つまり、
光の閉じ込めの状態の制御が可能となったのである。ｐ
側ガイド層８のIn混晶比ｙを高めると、ｐ側ガイド層８
の屈折率を上昇させることが出来る。ここでInyGa1-yN
からなるｐ側ガイド層８において、厚さを0.05μｍ以
上、In混晶比をｙ＝0.005以上とすると、素子の発光特
性が改善されて、好ましいのである。
すると「くぼみ」の発生が抑制される。ここで、ｐ側ガ
イド層８には、ｐ型ドーパントとしてマグネシウムがド
ーピングされている故、散乱損失を増加させるような
「くぼみ」が形成されず、好ましいのである。また、In
yGa1-yNからなるｐ側ガイド層８は、In混晶比ｙを調整
して屈折率の高低の制御を行うことができる。つまり、
光の閉じ込めの状態の制御が可能となったのである。ｐ
側ガイド層８のIn混晶比ｙを高めると、ｐ側ガイド層８
の屈折率を上昇させることが出来る。ここでInyGa1-yN
からなるｐ側ガイド層８において、厚さを0.05μｍ以
上、In混晶比をｙ＝0.005以上とすると、素子の発光特
性が改善されて、好ましいのである。
【００１５】以下に本発明による半導体レーザ素子及び
比較例の発光特性を計算によってシミュレーションした
結果を説明する。図２に示すように、ｎ側ガイド層５及
びｐ側ガイド層８の厚さを共に0.2μｍとして、ｐ側Iny
Ga1-yNガイド層８の屈折率を変化させるべく、In混晶比
ｙを変化させた場合の活性層への光の閉じこめ係数Γを
求めた。
比較例の発光特性を計算によってシミュレーションした
結果を説明する。図２に示すように、ｎ側ガイド層５及
びｐ側ガイド層８の厚さを共に0.2μｍとして、ｐ側Iny
Ga1-yNガイド層８の屈折率を変化させるべく、In混晶比
ｙを変化させた場合の活性層への光の閉じこめ係数Γを
求めた。
【００１６】In混晶比ｙの増加とともに、特にｙ＝0.01
5近傍で急激にΓ値が上昇した後に、緩やかにΓ値は下
降している。すなわち、ｐ側ガイド層８及びｎ側ガイド
層５の厚さが共に0.2μｍである場合、ｙ＝0.015よりも
大なるIn混晶比で、ＳＣＨ構造での良好な光の閉じ込め
効率が達成されるのである。次に、図３乃至図６に示す
ように、ｎ側ガイド層５及びｐ側ガイド層８の厚さを共
に0.2μｍとして、ｐ側InyGa1-yNガイド層８の屈折率を
変化させるべく、In混晶比ｙを0（比較例）、0.010、0.
015（以上、本発明）と変化させた場合の素子の積層方
向における光強度分布と遠視野像の強度分布を計算によ
って求めた。なお、図３乃至図５中における屈折率分布
では、素子を構成する各層の屈折率を、図１において各
層を表した番号と同じ番号を付して表している。
5近傍で急激にΓ値が上昇した後に、緩やかにΓ値は下
降している。すなわち、ｐ側ガイド層８及びｎ側ガイド
層５の厚さが共に0.2μｍである場合、ｙ＝0.015よりも
大なるIn混晶比で、ＳＣＨ構造での良好な光の閉じ込め
効率が達成されるのである。次に、図３乃至図６に示す
ように、ｎ側ガイド層５及びｐ側ガイド層８の厚さを共
に0.2μｍとして、ｐ側InyGa1-yNガイド層８の屈折率を
変化させるべく、In混晶比ｙを0（比較例）、0.010、0.
015（以上、本発明）と変化させた場合の素子の積層方
向における光強度分布と遠視野像の強度分布を計算によ
って求めた。なお、図３乃至図５中における屈折率分布
では、素子を構成する各層の屈折率を、図１において各
層を表した番号と同じ番号を付して表している。
【００１７】まず、図３に示すように、比較例としての
In混晶比がｙ＝0の場合、すなわちｐ側ガイド層８がｎ
側ガイド層５と同じ材料のGaNであって、ガイド層８の
屈折率がｎ側ガイド層５及び下地層３の屈折率と同じで
ある場合において、光の強度分布16は、ｎ側ガイド層５
及びｐ側ガイド層８を含む活性層６の近傍だけでなく、
幅広く下地層３部分においても分布16a及び16bしてい
る。
In混晶比がｙ＝0の場合、すなわちｐ側ガイド層８がｎ
側ガイド層５と同じ材料のGaNであって、ガイド層８の
屈折率がｎ側ガイド層５及び下地層３の屈折率と同じで
ある場合において、光の強度分布16は、ｎ側ガイド層５
及びｐ側ガイド層８を含む活性層６の近傍だけでなく、
幅広く下地層３部分においても分布16a及び16bしてい
る。
【００１８】また、図６(a)に示すように、このときの
積層方向における遠視野像の光強度分布は、幅の狭い鋭
いピークを複数有する多峰形であって好ましくない。遠
視野像の光強度分布の形状は、素子内部の光強度分布の
影響を強く受ける。つまり、活性層６近傍への光の閉じ
込めが弱く、下地層３に光が漏れ出している場合におい
ては、遠視野像は、上記の如き幅の狭い鋭いピークを伴
った多峰形となるのである。一方、素子内部において活
性層６近傍への光の閉じ込めが良好な場合では、遠視野
像における上記の如き幅の狭い鋭いピークは相対的に小
さくなって、幅の広い単一のピーク形状に近づくのであ
る。
積層方向における遠視野像の光強度分布は、幅の狭い鋭
いピークを複数有する多峰形であって好ましくない。遠
視野像の光強度分布の形状は、素子内部の光強度分布の
影響を強く受ける。つまり、活性層６近傍への光の閉じ
込めが弱く、下地層３に光が漏れ出している場合におい
ては、遠視野像は、上記の如き幅の狭い鋭いピークを伴
った多峰形となるのである。一方、素子内部において活
性層６近傍への光の閉じ込めが良好な場合では、遠視野
像における上記の如き幅の狭い鋭いピークは相対的に小
さくなって、幅の広い単一のピーク形状に近づくのであ
る。
【００１９】次に、図４に示すように、In混晶比がｙ＝
0.010の場合、すなわち、ｐ側ガイド層８の屈折率がｎ
側ガイド層５の屈折率よりも僅かに高い場合において
も、光の強度分布16は、下地層３の部分にピーク16aを
形成して分布している。つまり下地層３部分に光が漏れ
出しているのである。更に、この場合の遠視野像は、図
6(b)に示すように、多峰形の遠視野像を形成している
が、図6(a)の場合と比べて、幅の広い単一のピーク形状
に近づいている。すなわち、In混晶比ｙ＝0の場合と比
較して、素子内部における光閉じ込め効率が向上したこ
とが判る。
0.010の場合、すなわち、ｐ側ガイド層８の屈折率がｎ
側ガイド層５の屈折率よりも僅かに高い場合において
も、光の強度分布16は、下地層３の部分にピーク16aを
形成して分布している。つまり下地層３部分に光が漏れ
出しているのである。更に、この場合の遠視野像は、図
6(b)に示すように、多峰形の遠視野像を形成している
が、図6(a)の場合と比べて、幅の広い単一のピーク形状
に近づいている。すなわち、In混晶比ｙ＝0の場合と比
較して、素子内部における光閉じ込め効率が向上したこ
とが判る。
【００２０】さらに、図５に示すように、本発明による
In混晶比がｙ＝0.015の場合、すなわちｐ側ガイド層８
の屈折率が図４における場合よりも、更に高い場合、光
の強度分布16は、ｎ側ガイド層５及びｐ側ガイド層８を
含む活性層６の近傍に集中しており、活性層６で発光
し、素子内部を導波する光が、活性層６の近傍に良好に
閉じ込められていることが判る。このときの遠視野像
は、図６(c)に示すように、幅の広い単一のピーク形状
となって、幅の狭い鋭いピークが観察されなくなって、
素子の発光特性として非常に好ましいのである。
In混晶比がｙ＝0.015の場合、すなわちｐ側ガイド層８
の屈折率が図４における場合よりも、更に高い場合、光
の強度分布16は、ｎ側ガイド層５及びｐ側ガイド層８を
含む活性層６の近傍に集中しており、活性層６で発光
し、素子内部を導波する光が、活性層６の近傍に良好に
閉じ込められていることが判る。このときの遠視野像
は、図６(c)に示すように、幅の広い単一のピーク形状
となって、幅の狭い鋭いピークが観察されなくなって、
素子の発光特性として非常に好ましいのである。
【００２１】ここまでは、ｎ側ガイド層５及びｐ側ガイ
ド層８の厚さが共に0.2μｍの場合であったが、次に、
ｐ側InyGa1-yNガイド層８のIn混晶比及びその膜厚を変
化させて、下地層３部分への光の漏れ出し及び遠視野像
の光強度分布を求めた。なお、ｎ側ガイド層５はGaNで
あり、ｎ側ガイド層５とｐ側ガイド層８は、常に同じ厚
さを有している。つまりｐ側ガイド層８の膜厚が0.1μ
ｍであるときは、ｎ側ガイド層５の膜厚も0.1μｍであ
る。
ド層８の厚さが共に0.2μｍの場合であったが、次に、
ｐ側InyGa1-yNガイド層８のIn混晶比及びその膜厚を変
化させて、下地層３部分への光の漏れ出し及び遠視野像
の光強度分布を求めた。なお、ｎ側ガイド層５はGaNで
あり、ｎ側ガイド層５とｐ側ガイド層８は、常に同じ厚
さを有している。つまりｐ側ガイド層８の膜厚が0.1μ
ｍであるときは、ｎ側ガイド層５の膜厚も0.1μｍであ
る。
【００２２】図６に示すように、曲線17は、光の漏れ出
しが無く、遠視野像が単峰形となって発光特性が最も好
ましき（境界）条件を示している。曲線17は、In混晶比
ｙとｐ側ガイド層ｔ（μm）との間において、ｙｔ＝0.0
03なる関係が成り立つことが判った。ここで図２を合わ
せて考慮すると、曲線17よりも混晶比ｙが低いと、急激
に発光特性が劣化し、一方で、混晶比ｙが高い方向へ曲
線17からはずれても発光特性の劣化は少ないのである。
すなわち、曲線17で２分割される領域において、曲線17
を含み且つ膜の厚さが大きく、混晶比ｙが大きい領域Ａ
において単峰形の遠視野像が得られて好ましいのであ
る。
しが無く、遠視野像が単峰形となって発光特性が最も好
ましき（境界）条件を示している。曲線17は、In混晶比
ｙとｐ側ガイド層ｔ（μm）との間において、ｙｔ＝0.0
03なる関係が成り立つことが判った。ここで図２を合わ
せて考慮すると、曲線17よりも混晶比ｙが低いと、急激
に発光特性が劣化し、一方で、混晶比ｙが高い方向へ曲
線17からはずれても発光特性の劣化は少ないのである。
すなわち、曲線17で２分割される領域において、曲線17
を含み且つ膜の厚さが大きく、混晶比ｙが大きい領域Ａ
において単峰形の遠視野像が得られて好ましいのであ
る。
【００２３】ところで、図７に示すように、ガイド層５
と活性層６との間に約500Å、好ましくは300ÅのInGaN
からなる中間層13を設けてもよい。上述の如く、InGaN
を有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によって約300Å
以上の厚さに形成すると、その形成後の表面には「くぼ
み」が発生する。係る「くぼみ」は、InGaN層よりも下
層にある膜中から上部に向かって延びる貫通転位部分に
発生することが知られている。例えば、図７に示すよう
に、貫通転位を有する下地層３の上にｎ側クラッド層４
及びｎ側ガイド層５を形成し、更にこの上から約500Å
以下の厚さのInGaNからなる中間層13を形成すると、そ
の表面には微細な「くぼみ」が生成するのである。中間
層13の上に活性層６を成膜すると、活性層６は微細な
「くぼみ」の上、すなわち下地層３からの貫通転位部分
を避けるようにして成長する。活性層６を貫く貫通転位
部分は、非発光再結合中心として作用するが、InGaN中
間層13を挿入して貫通転位部分を避けて成長した活性層
６では、非発光再結合による無効電流を低減できる。故
に閾値電流密度の上昇を抑えることが出来て好ましいの
である。なお、一定の大きさ以上の「くぼみ」は、活性
層６の平坦性を阻害し、導波する光を散乱するので、好
ましくない。
と活性層６との間に約500Å、好ましくは300ÅのInGaN
からなる中間層13を設けてもよい。上述の如く、InGaN
を有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によって約300Å
以上の厚さに形成すると、その形成後の表面には「くぼ
み」が発生する。係る「くぼみ」は、InGaN層よりも下
層にある膜中から上部に向かって延びる貫通転位部分に
発生することが知られている。例えば、図７に示すよう
に、貫通転位を有する下地層３の上にｎ側クラッド層４
及びｎ側ガイド層５を形成し、更にこの上から約500Å
以下の厚さのInGaNからなる中間層13を形成すると、そ
の表面には微細な「くぼみ」が生成するのである。中間
層13の上に活性層６を成膜すると、活性層６は微細な
「くぼみ」の上、すなわち下地層３からの貫通転位部分
を避けるようにして成長する。活性層６を貫く貫通転位
部分は、非発光再結合中心として作用するが、InGaN中
間層13を挿入して貫通転位部分を避けて成長した活性層
６では、非発光再結合による無効電流を低減できる。故
に閾値電流密度の上昇を抑えることが出来て好ましいの
である。なお、一定の大きさ以上の「くぼみ」は、活性
層６の平坦性を阻害し、導波する光を散乱するので、好
ましくない。
【００２４】更に、図６の点線17'は、上記の如き中間
層13を設けたときの曲線17と同一条件（すなわち、発光
特性が改善される境界条件）を満たす関係を示したもの
である。InGaN中間層13を設けない場合に比較して、同
じガイド層８の厚さであれば、混晶比が下がる方向に広
がるのである。さらに、図８に示すように、ｎ側GaN下
地層３において、SiO2等からなるマスク層14をGaN下地
層３の中間に形成してGaNの横方向成長を促進させてマ
スクの上部の半導体層における転位密度を低減するＥＬ
Ｏ（Epitaxial Laterally Overgrowth）等の技術を用い
て作成された厚膜下地上にレーザ構造体を作成する場合
においても、遠視野像の優れたレーザ素子を得ることが
出来ることも確認された。
層13を設けたときの曲線17と同一条件（すなわち、発光
特性が改善される境界条件）を満たす関係を示したもの
である。InGaN中間層13を設けない場合に比較して、同
じガイド層８の厚さであれば、混晶比が下がる方向に広
がるのである。さらに、図８に示すように、ｎ側GaN下
地層３において、SiO2等からなるマスク層14をGaN下地
層３の中間に形成してGaNの横方向成長を促進させてマ
スクの上部の半導体層における転位密度を低減するＥＬ
Ｏ（Epitaxial Laterally Overgrowth）等の技術を用い
て作成された厚膜下地上にレーザ構造体を作成する場合
においても、遠視野像の優れたレーザ素子を得ることが
出来ることも確認された。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、素子を構成する層の膜
厚を大とせずに良好な発光特性の素子を得ることが出来
るので、製造コストを増加させることもない。
厚を大とせずに良好な発光特性の素子を得ることが出来
るので、製造コストを増加させることもない。
【図１】III族窒化物系半導体レーザ素子の断面図であ
る。
る。
【図２】クラッド層におけるIn混晶比と光閉じこめ係数
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
【図３】比較例としての半導体レーザ素子（混晶比ｙ＝
０）の積層方向における屈折率及び素子内の光強度（対
数軸）分布を示す図（各軸は任意単位）である。
０）の積層方向における屈折率及び素子内の光強度（対
数軸）分布を示す図（各軸は任意単位）である。
【図４】本発明としての半導体レーザ素子（混晶比ｙ＝
0.010）の積層方向における屈折率及び素子内の光強度
（対数軸）分布を示す図（各軸は任意単位）である。
0.010）の積層方向における屈折率及び素子内の光強度
（対数軸）分布を示す図（各軸は任意単位）である。
【図５】本発明としての半導体レーザ素子（混晶比ｙ＝
0.015）の積層方向（任意単位）における屈折率及び素
子内の光強度（対数軸）分布を示す図（各軸は任意単
位）である。
0.015）の積層方向（任意単位）における屈折率及び素
子内の光強度（対数軸）分布を示す図（各軸は任意単
位）である。
【図６】ガイド層の膜厚と混晶比を変化させたときの素
子の発光特性を示すマトリクス図及び遠視野像の光強度
分布を示す図である。
子の発光特性を示すマトリクス図及び遠視野像の光強度
分布を示す図である。
【図７】本発明による他のIII族窒化物系半導体レーザ
素子の断面図である。
素子の断面図である。
【図８】本発明による他のIII族窒化物系半導体レーザ
素子の断面図である。
素子の断面図である。
１ 基板 ２ バッファ層 ３ 下地層 ４、９ クラッド層 ５、８ ガイド層 ６ 活性層 ７ 電子バリア層 １０ コンタクト層 １１ 絶縁層 １２ａ ｎ側電極 １２ｂ ｐ側電極 １３ 中間層 １４ マスク層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 温 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号 パ イオニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 園部 雅之 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 ロ ーム株式会社内 Ｆターム(参考） 5F073 AA13 AA45 AA51 AA74 CA07 CB01 CB19 DA05
Claims (7)
- 【請求項１】 ｎ側AlGaNクラッド層、ｎ側ガイド層、
活性層、ｐ側ガイド層、ｐ側AlGaNクラッド層を含むIII
族窒化物系半導体発光素子であって、前記ｐ側ガイド層
の屈折率が前記ｎ側ガイド層の屈折率よりも大であるこ
とを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。 - 【請求項２】 前記ｐ側ガイド層は、InyGa1-yN（0＜y
≦１）であることを特徴とする請求項１記載の窒化物半
導体レーザ素子。 - 【請求項３】 前記ｐ側ガイド層は、厚さ0.05μｍ以上
であることを特徴とする請求項２記載の窒化物半導体レ
ーザ素子。 - 【請求項４】 前記ｐ側ガイド層は、ｙ＝0.005以上のI
nyGa1-yNからなることを特徴とする請求項２記載の窒化
物半導体レーザ素子。 - 【請求項５】 前記ｎ側ガイド層は、GaNであることを
特徴とする請求項２記載の窒化物半導体レーザ素子。 - 【請求項６】 前記ｎ側ガイド層と前記活性層との間に
InGaNからなる中間層を有することを特徴とする請求項
５記載の窒化物半導体素子 - 【請求項７】 前記中間層は、厚さ500オングストロー
ム以下であることを特徴とする請求項６記載の窒化物半
導体レーザ素子。
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|---|---|---|---|
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
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| PL211286B1 (pl) * | 2004-08-15 | 2012-04-30 | Inst Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk | Azotkowa dioda laserowa i sposób wytwarzania azotkowej diody laserowej |
| JP4451371B2 (ja) * | 2004-12-20 | 2010-04-14 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| KR101221067B1 (ko) * | 2006-02-09 | 2013-01-11 | 삼성전자주식회사 | 리지 도파형 반도체 레이저 다이오드 |
| KR100837404B1 (ko) * | 2006-10-18 | 2008-06-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 광전 소자 |
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|---|---|---|---|---|
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| US5889295A (en) * | 1996-02-26 | 1999-03-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
| JP3717255B2 (ja) * | 1996-12-26 | 2005-11-16 | 豊田合成株式会社 | ３族窒化物半導体レーザ素子 |
| CN1964093B (zh) * | 1997-01-09 | 2012-06-27 | 日亚化学工业株式会社 | 氮化物半导体元器件 |
| JPH10209569A (ja) * | 1997-01-16 | 1998-08-07 | Hewlett Packard Co <Hp> | ｐ型窒化物半導体装置とその製造方法 |
| US6266355B1 (en) * | 1997-09-12 | 2001-07-24 | Sdl, Inc. | Group III-V nitride laser devices with cladding layers to suppress defects such as cracking |
| JPH11145551A (ja) * | 1997-11-07 | 1999-05-28 | Sony Corp | 屈折率導波型半導体レーザ及びその製造方法 |
| JPH11243259A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-09-07 | Denso Corp | 半導体レーザおよび半導体レーザの駆動方法 |
| JP4422806B2 (ja) * | 1998-02-18 | 2010-02-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ |
| JPH11251685A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-09-17 | Toshiba Corp | 半導体レーザ |
| JP2000058917A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-02-25 | Pioneer Electron Corp | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2000196201A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-07-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レ―ザ素子 |
| US6535536B2 (en) * | 2000-04-10 | 2003-03-18 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Semiconductor laser element |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011023534A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化物系半導体発光素子 |
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