JP2002093858A - チップ実装装置及びそれにおけるキャリブレーション方法 - Google Patents

チップ実装装置及びそれにおけるキャリブレーション方法

Info

Publication number
JP2002093858A
JP2002093858A JP2000279454A JP2000279454A JP2002093858A JP 2002093858 A JP2002093858 A JP 2002093858A JP 2000279454 A JP2000279454 A JP 2000279454A JP 2000279454 A JP2000279454 A JP 2000279454A JP 2002093858 A JP2002093858 A JP 2002093858A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recognition
mark
recognition mark
chip
recognizing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000279454A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiyuki Arai
義之 新井
Akira Yamauchi
朗 山内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Engineering Co Ltd
Original Assignee
Toray Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Engineering Co Ltd filed Critical Toray Engineering Co Ltd
Priority to JP2000279454A priority Critical patent/JP2002093858A/ja
Priority to PCT/JP2001/007742 priority patent/WO2002025720A1/ja
Priority to KR1020037003669A priority patent/KR100797733B1/ko
Priority to US10/363,693 priority patent/US6811627B2/en
Priority to TW090122561A priority patent/TW523843B/zh
Publication of JP2002093858A publication Critical patent/JP2002093858A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67294—Apparatus for monitoring, sorting or marking using identification means, e.g. labels on substrates or labels on containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/08—Monitoring manufacture of assemblages
    • H05K13/089—Calibration, teaching or correction of mechanical systems, e.g. of the mounting head

Abstract

(57)【要約】 【課題】 チップ実装装置におけるキャリブレーション
に関し、メカ的な変形及び環境雰囲気の温度変化に左右
されずに高精度に、しかも効率的に行うことができるよ
うにする。 【解決手段】 上方のチップ保持可能なヘッド２側の第
１の認識マーク５（図示されていない）を認識する第１
認識手段３と、下方の基板保持可能なステージ１側の第
２の認識マーク６を認識する第２認識手段４と、第１の
認識マーク５を第２の認識マーク６に近接又は接触させ
た状態において両認識マーク５，６を同時に認識する第
３認識手段１８と、第１認識手段３又は第２認識手段４
に装着された温度検出手段１７とを備え、温度検出手段
１７が許容以上の温度変化を検出したときに前記認識マ
ークの認識に基づくキャリブレーションを行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ実装装置及
びそれにおけるキャリブレーション方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、周知のように、チップ実装は、上
方のヘッドが保持しているチップに対して、その下方の
基板保持ステージに保持されている基板（例えば、液晶
基板）の実装位置を精密に位置決めせしめた状態におい
てヘッドを降下させて実装する。
【０００３】その為、かかる実装に先立って、例えば、
チップ及び基板に設けられている実装用の認識マーク
（アライメントマーク）の位置を二視野の認識手段等の
適当な認識手段で認識し、両実装用認識マークの位置ず
れを無くするように基板保持ステージを所定に移動制御
することによってチップと基板との位置合わせを行って
いるが、その際、前記認識手段は、退避位置から認識位
置へ移動せしめられたり或いはそれと反対方向へ移動せ
しめられて退避せしめられる。
【０００４】ところが、そのような工程を経て次々と実
装して行くうちに、作業室内の温度が上昇するといった
環境条件の変化により、装置各部の寸法変化が生じるの
で前記認識手段の移動制御を永続的に同一条件で実施し
て行くと、実装用の認識マークの位置認識に誤差が発生
し、これに起因して高精度の実装が困難になる。
【０００５】そこで、μｍ単位の実装精度を保つ為に、
必要に応じて認識手段の移動制御系のキャリブレーショ
ンが随時行われていると共に既に各種のキャリブレーシ
ョン方法が提案されている。
【０００６】例えば、特開平９−８１０４号公報の段落
［００３６］〜［００４２］においては、ヘッド（ボン
ディングツールが該当）が装着されているＺテーブルに
昇降装置を介してマーク用テーブルを装着し、かかる昇
降装置を駆動してマーク用テーブルを、ヘッドに真空吸
着保持されているチップ（半導体チップが該当）と同一
レベルの位置へ移動させると共に、それの下方へ認識手
段（チップ用カメラ及び基板用カメラが該当）を移動さ
せてマーク用テーブルに設けられている認識マーク（キ
ャリブレーション用基準マークが該当）を認識し、次い
で、認識手段をそこから退避させた後、昇降装置を駆動
してマーク用テーブルを、下方の基板保持ステージ（ボ
ンディングステージが該当）に保持されている基板（回
路基板が該当）と同一レベルの位置へ移動させると共
に、それの上方へ認識手段を移動させて前記認識マーク
を認識し、もって、両認識によって得られる所定の制御
パラメータに基づいて認識手段の移動制御系に入力され
ている先行の制御パラメータを補正更新するキャリブレ
ーション方法が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このキャリ
ブレーション方法は、チップ及び基板夫々に設けられて
いる実装用の認識マーク（アライメントマーク）を認識
する位置から大きく離れた位置で前記実装用認識マーク
とは別のキャリブレーション用の認識マークを認識する
ようにしている為に、認識手段が、それらのうちの一方
のマーク（例えば、上記キャリブレーション用認識マー
ク）を認識する位置へ移動せしめられたときと、他方の
マーク（例えば、上記実装用認識マーク）を認識する位
置へ移動せしめられたときとでは、かかる認識手段を移
動させる可動テーブルに作用する荷重（曲げモーメン
ト）が相異し、その為による撓み量の差が、認識マーク
の位置認識誤差になって、より一段と高精度にキャリブ
レーションすることが妨げられていた。
【０００８】また、キャリブレーションを経験的知見に
基づいて適宜に行っている為に、キャリブレーションを
行うタイミングが必ずしも最適ではなく、従って、キャ
リブレーション回数が多くなって無駄な時間が累積され
てしまうといった欠点があった。
【０００９】また、二視野の認識手段を採用すると、そ
れの上側の光軸と下側の光軸とのずれが生じてそれの補
正が必要とされ、かつ、その為に必要とされる補正パラ
メータが、二視野の認識手段の精度測定結果等から経験
的に決定される一方において季節の変化（環境温度の変
化）等の影響を受け易い為に、キャリブレーション精度
を一定に維持することの困難性を有していると共にキャ
リブレーション精度を一定に維持しようとすると、キャ
リブレーション時間が長くなって効率が低下し、そうか
といって時間短縮の為にキャリブレーション回数を減ら
すと、一定精度に維持することが困難になってしまうと
いった相反する解決し難い欠点があった。
【００１０】本発明は、このような欠点に鑑みて発明さ
れたものであって、その目的は、最適なタイミングでキ
ャリブレーションを行うことができてキャリブレーショ
ン回数を減らすことができ、もって、効率的にキャリブ
レーションを行うことができると共に認識手段の移動制
御機構のメカ的な変形に影響されずに、より一段と高精
度にキャリブレーションすることができるようにするこ
とである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する為
に、本発明に係るチップ実装装置においては、請求項１
に記載するように、上下に互いに遠ざけられているチッ
プ保持可能なヘッド側の第１の認識マーク及び基板保持
可能なステージ側の第２の認識マークと、前記第１の認
識マークを認識する第１認識手段及び前記第２の認識マ
ークを認識する第２認識手段と、前記第１の認識マーク
を前記第２の認識マークに近接又は接触させた状態にお
いて前記第１，２の認識マークを同時に認識する第３認
識手段と、前記認識マークの認識に基づくキャリブレー
ションの実行開始信号としての許容以上の温度変化を検
出する温度検出手段を装着している。
【００１２】また、本発明に係るチップ実装装置におけ
るキャリブレーション方法においては、請求項１２に記
載するように、上下に互いに遠ざけられているチップ保
持可能なヘッド側の第１の認識マークと基板保持可能な
ステージ側の第２の認識マークとを認識する工程と、前
記第１の認識マークを前記第２の認識マークに近接又は
接触させる工程と、前記近接又は接触せしめられた前記
第１，２の認識マークを同時に認識する工程と、前記認
識マークの認識に基づくキャリブレーションの実行開始
信号としての許容以上の温度変化を検出する工程とを有
している。
【００１３】
【発明の実施の形態】斜視図である図１及び図２におい
て、下方のステージ１と上方のヘッド２との間へ第１認
識手段３（例えば、ＣＣＤカメラ）と第２認識手段４
（例えば、ＣＣＤカメラ）とが移動せしめられた姿が示
されているが、第１認識手段３と第２認識手段４とは一
体に移動せしめられるように装着、すなわち、二視野の
認識手段の形態に装着されている。
【００１４】よって、第１認識手段３で上側の第１の認
識マーク５を認識することができると共に第２認識手段
４で下側の第２の認識マーク６を認識することができる
が、第１の認識マーク５は、ヘッド２の先端部を構成し
ているツール７の加圧面７ａに設けられていると共に第
２の認識マーク６は、ステージ１のマーク認識部８の上
面８ａに設けられている。
【００１５】また、ステージ１は、可動テーブル９の最
上段を形成している回転テーブル１０上に装着されてい
るが、可動テーブル９は、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向又はＸＹ
両軸方向に移動（以下、単に平行移動という。）し得る
平行移動テーブル１１上に所定方向（図示θ方向）に回
転し得るように回転テーブル１０を装着して構成されて
いる。その為、ステージ１は、可動テーブル９の駆動制
御によって平行移動及び／又は所定方向に回転され得
る。
【００１６】なお、ステージ１は、マーク認識部８と基
板保持部１２とを形成しているが、マーク認識部８は、
透視又は透過部材で構成されていると共に基板保持部１
２は、その上面１２ａに、基板（例えば、液晶基板）を
吸着保持する為の基板保持用吸気孔１３を開口してい
る。
【００１７】また、基板保持用吸気孔１３と連通せしめ
られるように耐圧ホース１４の一端が基板保持部１２に
取り付けられていると共に、その他端が図示されていな
い真空ポンプに取り付けられている。
【００１８】一方、ヘッド２は、図示されていない機構
によって、平行移動及び／又は回転できないが、Ｚ軸方
向（垂直方向）に移動自在、すなわち、上下動自在に装
着され、かつ、ツール７の加圧面７ａを所定温度に加熱
する為のヒータ（図示されていない）を内蔵していると
共に、かかる加圧面７ａにチップを吸着保持する為の微
小のチップ保持用吸気孔１５を開口している。
【００１９】なお、チップ保持手段としてのチップ保持
用吸気孔１５は、ヘッド２の垂直軸心Ｂ−Ｂ上に位置さ
れているが、この吸気孔１５と連通せしめられるように
耐圧ホース１６の一端がツール７に取り付けられている
と共に、その他端が図示されていない真空ポンプに取り
付けられている。
【００２０】また、一体化された形態に設けられている
第１，２認識手段３，４は、例えば、平行移動制御及び
昇降制御が可能な可動テーブル（図示してない）に装着
されている。その為、第１，２認識手段３，４は一緒
に、前記可動テーブルの水平動制御によって退避位置か
ら下方のステージ１と上方のヘッド２との間へ移動され
得ると共に、反対にそこから前記退避位置へ移動され得
る。その際、第１認識手段３及び第２認識手段４の高さ
位置も前記可動テーブルの昇降制御によって所定に調整
される。
【００２１】また、第１認識手段３又は第２認識手段４
に温度検出手段１７（例えば、熱電対）が装着されてい
るが、ここにおいていう「第１認識手段３又は第２認識
手段４に温度検出手段１７が装着」とは、第１認識手段
３と第２認識手段４との重ね合わせの境界位置に温度検
出手段１７が装着される場合も包含される。
【００２２】また、基板保持手段としての基板保持用吸
気孔１３は、第２の認識マーク６に対して所定に離れた
位置に設けられている為、基板保持部１２の上面１２ａ
上に基板を吸着保持せしめても第２の認識マーク６は、
かかる基板によって覆われないで（基板の下方に位置さ
れないで）露出していると共に、可動テーブル９の回転
テーブル１０上に第３認識手段（例えば、ＣＣＤカメ
ラ）１８が平行移動し得るように装着されている。
【００２３】よって、可動テーブル９の平行移動及び／
又は回転制御によってステージ１を図示のようにキャリ
ブレーション実行位置に位置決めさせることができる
が、このキャリブレーション実行位置は、第１認識手段
３及び第２認識手段４の視野範囲内、すなわち、両認識
手段３，４が、第１，２の認識マーク５，６を認識する
ことができる範囲内の所定位置に設定されている。
【００２４】なお、これは必要に応じて行われ、第１，
２の認識マーク５，６の両マークが第１認識手段３及び
第２認識手段４の視野範囲内にある場合においては省く
ことができる。
【００２５】以下、図示のように、ヘッド側の第１の認
識マーク５とステージ側の第２の認識マーク６とが上下
に互いに遠ざけられている状態において、上方の待機位
置へ移動せしめられているヘッド２とその下方のステー
ジ１との間に第１認識手段３及び第２認識手段４が一緒
に移動される。
【００２６】次いで、両認識手段３，４によって第１，
２の認識マーク５，６が同時に認識されると共に、これ
によって得られる所定の制御パラメータに基づいてキャ
リブレーションが行われる。すなわち、これによって、
第１，２認識手段３，４の移動制御系に入力されている
先行の制御パラメータが補正更新される。
【００２７】その際、第１の認識マーク５が、チップ保
持用吸気孔１５に接近した位置に設けられているので、
実装（熱圧着）に先立って、ヘッド２が吸着保持してい
るチップの実装用認識マーク（アライメントマーク）
と、その下方のステージ１が保持している基板の実装用
認識マーク（アライメントマーク）とを第１，２認識手
段３，４で認識する場合と略同一ストロークに第１，２
認識手段３，４が移動制御される。このように、略同一
ストローク位置ですべてのマークを認識する為、荷重差
による撓みの影響を受けない。
【００２８】そして、引き続いて、第１，２認識手段
３，４が、ヘッド２とステージ１との間のマーク認識位
置から右側の退避位置へ移動されると、ヘッド２が上方
の待機位置から降下され、これにより、ヘッド２のツー
ル７の加圧面７ａが、ステージ１のマーク認識部８の上
面８ａに近接若しくは軽く接触せしめられる。
【００２９】すると、マーク認識部８の下面側に位置さ
れている第３認識手段１８で第１，２の認識マーク５，
６が同時に認識されると共に、これによって得られる所
定の制御パラメータに基づいて前記移動制御系に入力さ
れている先行の制御パラメータが補正更新される。
【００３０】なお、前記一連のマーク認識を通じて、二
視野の認識手段の形態に設けられている第１認識手段３
の光軸３ａと第２認識手段４の光軸４ａとのずれ量等が
求められ、得られた所定の制御パラメータに基づいて先
行の制御パラメータが補正更新される。
【００３１】第３認識手段１８を利用してのキャリブレ
ーションは、ステージ又はヘッド位置の熱変形に対する
ものであり、光学系の変形頻度の多い二視野の認識手段
（一体化されている第１，２認識手段）を利用してのそ
れよりも少ない頻度で必要に応じて行えばよい。
【００３２】このように、二視野の認識手段（第１，２
認識手段３，４）を利用してのキャリブレーションと、
第３認識手段１８を利用してのキャリブレーションとの
二段階にキャリブレーションを行うようにしている。そ
の為、認識手段の移動制御の煩雑化を防止しながら、従
来のキャリブレーションよりも、より一段と高精度にキ
ャリブレーションすることができる。また、上述のよう
に、認識手段の移動制御をより少ない回数で完了できる
ようにした為、キャリブレーションに要する時間を短縮
することができる。
【００３３】なお、このようなキャリブレーションは、
ステージ１に保持されている液晶基板等の基板（図示さ
れていない）にチップを次々と実装（熱圧着）して行く
途中において必要に応じて適宜に行われる。その際、キ
ャリブレーションは、第１認識手段３又は第２認識手段
４に装着されている温度検出手段１７が許容以上の温度
変化を検出したときのみにおいて行われる。
【００３４】よって、ヘッド２とステージ１との間へ第
１認識手段３及び第２認識手段４が移動しても、温度検
出手段１７が前回のキャリブレーションを行ったときの
温度に対し、許容以上の温度変化を検出しないときにお
いては、上述のキャリブレーションは行われない。
【００３５】その為、最適なタイミングでキャリブレー
ションを行うことができてキャリブレーション回数を減
らすことができるから、効率的にキャリブレーションを
行うことができ、しかも、キャリブレーション精度を一
定に維持、すなわち、環境雰囲気の温度が変化するよう
な場合においても高精度に維持することができる。
【００３６】換言すると、第１認識手段３の光軸３ａと
第２認識手段の光軸４ａとのずれ量αと第１，２認識手
段３，４の温度とが相関関係にあることに基づいて許容
温度変化を設定するから、上述のような効果を得ること
ができる。
【００３７】なお、本発明においては、図３において示
されているように、第１の認識マーク５を認識する第１
認識手段３と、第２の認識マーク６を認識する第２認識
手段４とを互いに独立して移動制御し得るように装着し
てもよいが、そのように装着すると、それらの移動制御
が煩雑になってキャリブレーション時間が遅くなったり
或いはマーク認識精度が悪化したりする等の為に、それ
らを一体に移動し得るように、すなわち、上述のよう
に、二視野の認識手段の形態に装着するのが好ましい。
【００３８】しかし、その一方において、両者の光軸同
士のずれが生じる為、それの補正が必要とされ、かつ、
その為に必要とされる補正パラメータが、認識手段の精
度測定結果等から経験的に決定されると共に季節の変化
（環境温度の変化）等の影響を受け易い為に、キャリブ
レーション精度を一定に維持することの困難性を有して
いると共に、キャリブレーション精度を一定に維持しよ
うとすると、キャリブレーション時間が長くなって効率
が低下し、そうかといって、時間短縮の為にキャリブレ
ーション回数を減らすと、一定精度に維持することが困
難になってしまうといった相反する解決し難い問題があ
ったが、本発明によると、このような問題も解消するこ
とができる。
【００３９】なお、かかる許容温度変化の設定に関し、
複数の認識手段について加熱テストを行って、それの温
度変化量ｔと光軸のずれ量αとを求めた結果、少しのば
らつきはあるけれども、平均して１℃当りの変化により
光軸のずれ量が、約２〜６μｍであることが確認され
た。従って、このデータに基づいて光軸のずれ許容精度
を外れる温度変化を計算し、それを許容温度変化として
設定するのも一例である。
【００４０】周知のように、二視野の認識手段の形態に
装着された第１，２認識手段３，４は、その周囲雰囲気
等の温度影響を受けると、上側の光軸３ａと下側の光軸
４ａとのずれ量αが生じる。従って、それを予め測定
し、測定ずれ量αの許容値から温度変化許容値を算出す
ることができる為、認識手段の温度を熱電対等の適当な
温度検出手段１７で測定して、その温度変化が許容精度
以上になった場合においてのみキャリブレーションを行
うことができるように設けることができる。
【００４１】なお、上述とは異なり、チップを基板に対
して実装（熱圧着）する場合においては、キャリブレー
ション実行位置とは異なった位置、すなわち、実装実行
位置へステージ１が移動せしめられるが、これは、可動
テーブル９の駆動制御によって行われ、そして、実装実
行位置へ移動されると、第２認識手段４によってステー
ジ１の基板保持用吸気孔１３を介して基板保持部１２に
真空吸着保持されている基板の実装用認識マーク（アラ
イメントマーク）が認識されると共に第１認識手段３に
よってヘッド２のチップ保持用吸気孔１５を介して真空
吸着保持されているチップ（図示されていない）の実装
用認識マーク（アライメントマーク）が認識される。
【００４２】以下、両マークの位置を合わせるように、
基板保持ステージ１が平行移動及び／又は回転せしめら
れ、これによって、基板の実装しようとする個所にチッ
プが精密に位置決めせしめられ、従って、その後、ヘッ
ド２を降下させることによって所定に実装（熱圧着）す
ることができる。
【００４３】以上、一実施形態について述べたが、本発
明においては、第１の認識マーク５を認識する第１認識
手段３と、第２の認識マーク６を認識する第２認識手段
４とを一体に移動し得るように装着（二視野の認識手段
の形態に装着）することの他に、それらを互いに独立し
て移動制御し得るように装着してもよい。
【００４４】また、第１，２認識手段３，４を二視野の
認識手段の形態に装着する場合において、それを利用し
てのキャリブレーションと、第３認識手段１８を利用し
てのそれとは、どちらを先に行ってもよい。
【００４５】また、その他、二視野の認識手段（第１，
２認識手段３，４）を利用してのキャリブレーション
と、第３認識手段１８を利用してのそれとを並行させる
だけでなく、二視野の認識手段（第１，２認識手段３，
４）を利用してのキャリブレーションの前若しくは後に
おいて第３認識手段１８を利用してのキャリブレーショ
ンを間欠的に行ってもよい。
【００４６】更に、第１，２認識手段３，４を互いに独
立して移動制御し得るように装着する場合においては、
第１認識手段３を利用してのキャリブレーションと、第
２認識手段４を利用してのキャリブレーションと、第３
認識手段１８を利用してのキャリブレーションとを、い
かなる順序に行ってもよい。
【００４７】また、本発明においては、ヘッド２は、ヒ
ータを備えたものに限定されず、熱圧着しない場合にお
いては、ヒータを備えていないものを選択することがで
きる。なお、ヘッド２は、少なくとも上下動（昇降）し
得るように装着されておればよく、従って、必要に応じ
て上下動に加えて、平行移動及び／又は回転自在に装着
することができる。例えば、上下動と平行移動と回転と
が自在、或るいは、上下動と平行移動とが自在、等のよ
うにである。
【００４８】更に、その構造についても、図２，３にお
いて示されているように、ツール７の加圧面７ａに直
接、第１の認識マーク５を設けたものに限定されず、図
４，１１において示されているように、ツール７に装着
のアタッチメント１９に第１の認識マーク５を設けもの
であってよいが、アタッチメント１９は、第１の認識マ
ーク５が設けられている加圧面１９ａに、チップ保持手
段としてのチップ保持用吸気孔１５を開口し、かつ、ツ
ール７に対して真空吸着手段によって着脱自在に装着さ
れている。
【００４９】その為、加圧面１９ａに保持するチップの
種類、大きさ及び基板の実装スペース等の諸条件に対応
して所定のものを選択して交換することができるから、
チップ実装装置の汎用化を図ることができる。なお、ツ
ール７に対して着脱自在に装着する手段は、真空吸着手
段に限定されず、他の手段例えば、マグネット吸着手段
等であってもよい。
【００５０】また、ステージ１についても、一般には、
平行移動及び／又は回転自在に装着されるが、必要に応
じて、それらと昇降とを組み合わした態様に装着しても
よい。例えば、平行移動と回転と昇降とが自在、或るい
は、平行移動と昇降とが自在、等のようにである。更
に、昇降のみが自在のように装着したり、場合によって
は固定ステージの態様に装着してもよい。
【００５１】なお、その構造も図１，８，９において示
されているものに限定されず、図５，６，７において示
されているものであってもよいが、図６，７において示
されているステージ１は、その全体が透視又は透視部材
で構成されている。また、一般には、基板保持部１２に
ヒータ（図示されていない）が内蔵されているが、必要
に応じてそれを省くことができる。図６，７において示
されているステージ１においても同様である。
【００５２】よって、上述からして明らかのように、本
発明においては、図２，３，４に示されているチップ保
持用吸気孔１５及び第１の認識マーク５を設けたヘッド
２夫々と、図１，５，６に示されている基板保持用吸気
孔１３及び第２の認識マーク６を設けたステージ１夫々
との組み合わせに係る認識態様、すなわち、ヘッド２に
設けられている第１の認識マーク５と、ステージ２に設
けられている第２の認識マーク６とを認識する第１の態
様を包含している。
【００５３】更に、本発明においては、図７，８，９に
おいて示されているように、ステージ１に保持されてい
る基板２０に第２の認識マーク６を設けてもよい。従っ
て、図２，３，４に示されているチップ保持用吸気孔１
５及び第１の認識マーク５を設けたヘッド２夫々と、図
７，８，９において示されている基板保持用吸気孔１３
だけを設けたステージ１夫々との組み合わせに係る認識
態様、すなわち、ヘッド２に設けられている第１の認識
マーク５と、ステージ２に保持されている基板２０に設
けられている第２の認識マーク６とを認識する第２の態
様も包含している。
【００５４】なお、前記第１，２の態様においては、第
１の認識マーク５をチップ保持用吸気孔１５とは別に設
けている。しかし、本発明においては、そのように個別
的に設けないで、チップ保持兼第１の認識マーク用の吸
気孔としてもよい。この態様については図示されていな
いが、図２，３，４において第１の認識マーク５を削除
した姿になる。
【００５５】更に、本発明においては、図１０，１１に
おいて示されているように、ヘッド２に保持されている
チップ２１に第１の認識マーク５を設けてもよい。従っ
て、チップ保持用吸気孔１５だけを設けている図１０，
１１において示されているヘッド２夫々と、図１，５，
６に示されている基板保持用吸気孔１３及び第２の認識
マーク６を設けたステージ１夫々との組み合わせに係る
認識態様、すなわち、ヘッド２に保持されているチップ
２１に設けられている第１の認識マーク５と、ステージ
２に設けられている第２の認識マーク６とを認識する第
３の態様も包含している。
【００５６】更に、本発明においては、図１０，１１に
おいて示されているヘッド２夫々と、図７，８，９にお
いて示されているステージ１夫々との組み合わせに係る
認識態様、すなわち、ヘッド２に保持されているチップ
２１に設けられている第１の認識マーク５と、ステージ
２に保持されている基板２０に設けられている第２の認
識マーク６とを認識する第４の態様も包含している。
【００５７】なお、ヘッド２のチップ保持手段は、上述
の真空吸着式の保持手段（前記チップ保持用吸気孔１５
が該当）に限定されず、図１２，１３において示されて
いるツメ式のチップ保持手段であってもよい。図１２の
それは、一対の可動ツメ２２でチップ２１を保持するも
のであると共に図１３のそれは、固定ツメ２３と可動ツ
メ２２とでチップ２１を保持するものである。その他、
例えば、静電式のもの、磁気式のもの等、いかなる型式
の保持手段であってもよい。
【００５８】また、そのようなチップ保持手段を備えた
ヘッド２の場合、その加圧面７ａに第１の認識マーク５
を設ければ、上述の第１又は第２の態様と同様にマーク
認識を行うことができると共に、保持されているチップ
２１に第１の認識マーク５を設ければ、上述の第３又は
第４の態様と同様にマーク認識を行うことができる。
【００５９】また、ステージ１の基板保持手段も、上述
の真空吸着式の保持手段（前記基板保持用吸気孔１３が
該当）に限定されず、ヘッド２のチップ保持手段と同様
に、一対の可動ツメ２２で基板２０を保持するもの或る
いは固定ツメ２３と可動ツメ２２とで基板２０を保持す
るもの、その他、例えば、静電式のもの、磁気式のもの
等、いかなる型式の保持手段であってもよい。
【００６０】なお、ヘッド２のチップ保持用吸気孔１５
及びステージ１の基板保持用吸気孔１３は、必要に応じ
て所定個数に設けられる。マーク認識部８にも必要に応
じて基板保持用吸気孔１３が設けられる。
【００６１】また、第１，２，３認識手段３，４，１８
は、ＣＣＤカメラ以外の例えば、赤外線カメラ、Ｘ線カ
メラ、適当なセンサー等、認識マークを認識するに適し
ているものである限りにおいてはいかなる形態のもので
あってもよいと共にステージ１のマーク認識部８は、選
択された所定の第３認識手段１８に対応して所定の透視
又は透過部材で構成すればよい。
【００６２】図６のように設ける場合もそれと同様であ
るが、一般には、ＣＣＤカメラを利用する場合において
は、透明ガラス材で構成されると共に赤外線カメラやＸ
線カメラを利用する場合においては、ゲルマニウム材や
シリコン材で構成される。
【００６３】また、温度検出手段１７は、熱電対以外の
例えば、測温抵抗体、放射温度計等であってもよく、か
つ、その装着も、第１の認識手段３又は第２の認識手段
４に装着することの他に、第１，２の認識手段３，４と
分離した態様に装着、すなわち、例えば、第１，２の認
識手段３，４（又は本チップ実装装置）の周辺に装着し
てもよい。その場合において、必要に応じて、第１，２
の認識手段３，４とは別に独立して移動し得るように装
着してもよい。更には、第１，２の認識手段３，４が装
着されている前記可動テーブルに装着してもよい。その
ような装着態様に対応して、温度検出手段１７は、実装
装置自体若しくは実装装置周辺（環境）の温度変化を検
出する。
【００６４】また、温度検出手段１７を単数でなく複数
個設けてもよい。その際、同一箇所に集中的に複数個を
設けたり或るいは異なる箇所に個々に分散的に設けた
り、必要に応じてその設置形態が選択される。そのよう
に温度検出手段１７を複数個設けた場合においては、各
温度検出手段１７が、それぞれの温度変化（環境温度変
化）を検出し、それらの検出結果を総合的に判断してキ
ャリブレーションの実行開始信号としての許容以上の温
度変化であるか否かを判定すればよい。
【００６５】また、第１の認識マーク５は、いかなる形
態のものであってもよい。一般には、ヘッド２及び／ス
テージ１の加熱に対する耐熱性の樹脂印刷マークが選択
されるが、それ以外の例えば、孔マークや溝マーク等で
あってもよい。
【００６６】これをツール７の加圧面７ａ又はアタッチ
メント１９の加圧面１９ａに設ける場合（図２，３，４
参照）においてはそのいかなる位置に設けてもよい。し
かし、保持されるチップで覆われる加圧面領域内に設け
る場合においては、保持されるチップの平行度を狂わせ
ないように極薄に設けるか、若しくは、加圧面に形成し
た凹部内に、それを設けた耐熱性板を固着してもよい。
それをチップ２１に設ける場合（図１０，１１参照）に
おいても、そのいかなる位置に設けてもよい。
【００６７】また、本発明においていうチップとは、Ｉ
Ｃチップ、半導体チップ、ウエハ、光素子などの電子部
品等、基板に対して接合せしめられるもののことであっ
て、その形態はいかなるものであってもよい。
【００６８】また、基板とは、上述のチップが接合せし
められるもののことであって、樹脂基板、ガラス基板、
各種のチップ、ウエハ等、その形態はいかなるものであ
ってもよい。しかし、図７，８，９に示されているよう
に、ステージ１に保持されている基板２０の第２の認識
マーク６を認識するような場合においては、第３認識手
段１８でそれを認識することができる所定材質の基板を
選択する必要がある。
【００６９】また、チップ実装装置とは、各種のチップ
を搭載するマウント装置や、それを接合するボンディン
グ装置等のことであって、熱圧着型や単なる圧着型（又
は接着型）等を包含する広い概念の装置をいう。
【００７０】また、上述したように第１，２，３認識手
段３，４，１８及び温度検出手段１７を利用してキャリ
ブレーションを行うのが好ましいが、必要に応じて、第
１，２認識手段３，４及び温度検出手段１７だけを利用
してキャリブレーションを行ってもよい。その場合にお
いては、第３認識手段１８を装着しているが、これを利
用しない。
【００７１】なお、場合によっては、第３認識手段１８
を装着しなくてもよい。図１４（Ａ）、図１５（Ａ）、
図１６（Ａ）において、その場合の実施形態が示されて
いる。
【００７２】図１４（Ａ）おいては、ヘッド２に装着さ
れているマーク治具２５の上面に上側の認識マーク２６
ａが設けられていると共に下面に下側の認識マーク２６
ｂが設けられている。その為、温度検出手段１７が許容
以上の温度変化を検出すると、二視野の認識手段の形態
に設けられている第１，２認識手段３，４が一緒に退避
位置からマーク治具２５の下面側へ移動し、第１認識手
段３の上光軸３ａで認識マーク２６ｂを認識することが
できる。
【００７３】この姿が同図（Ｂ）に示されているが、認
識マーク２６ｂの認識後、第１，２認識手段３，４は一
緒に、そこから退避（マーク治具２５の降下に邪魔にな
らない位置へ退避）する。すると、ヘッド２が降下し、
引き続いて、第１，２認識手段３，４は一緒にマーク治
具２５の上面側へ移動して第２認識手段４の下光軸４ａ
で認識マーク２６ａを認識する。この姿が同図（Ｃ）に
示されている。なお、認識マーク２６ａ，２６ｂは同一
の垂直軸線上の所定位置（基準位置）に設けられている
ので、上光軸３ａと下光軸４ａとのずれ量は、前記垂直
軸線からの差である。従って、それを求めればよい。
【００７４】上述した図１４（Ａ）の実施形態とは異な
り、図１５（Ａ）おいては、ヘッド２と分離されて別個
独立した態様にマーク治具２５が所定位置に設置されて
いるが、このマーク治具２５の凹部内の上面に認識マー
ク２６ｂが設けられていると共に前記凹部内の下面に認
識マーク２６ａが設けられている。
【００７５】その為、温度検出手段１７が許容以上の温
度変化を検出すると、第１，２認識手段３，４は一緒に
同図（Ｂ）のようにマーク治具２５の前記凹部内へ移動
し、第１認識手段３の上光軸３ａで認識マーク２６ｂを
認識すると共に第２認識手段４の下光軸４ａで認識マー
ク２６ａを認識することができ、従って、これにおいて
も、上述した図１４（Ａ）のそれと同様に、上光軸３ａ
と下光軸４ａとのずれ量を求めることができる。
【００７６】更に図１６（Ａ）においては、他の実施形
態が示されている。これにおいては、第１，２認識手段
３，４は互い独立して平行移動及び／又は昇降し得るよ
うに装着されていると共に第１，２認識手段３，４それ
ぞれに温度検出手段１７が装着されている。なお、マー
ク治具２５は、図１５（Ａ）のそれと同様に、ヘッド２
と分離されて別個独立した態様に所定位置に設置されて
いるが、これの上面に認識マーク２６ａが設けられてい
ると共に下面に認識マーク２６ｂが設けられている。
【００７７】その為、どちらか一方又は両方の温度検出
手段１７が許容以上の温度変化を検出すると、第１認識
手段３はマーク治具２５の下面側へ移動すると共に第２
認識手段４はマーク治具２５の上面側へ移動し、第１認
識手段３の上光軸３ａで認識マーク２６ｂを認識すると
共に第２認識手段４の下光軸４ａで認識マーク２６ａを
認識することができ、従って、これにおいても、図１４
（Ａ），図１５（Ａ）のそれと同様に、上光軸３ａと下
光軸４ａとのずれ量を求めることができる。
【００７８】なお、上述した図１４（Ａ）、図１５
（Ａ）、図１６（Ａ）の実施形態においても、各種態様
に変形させることができる。
【００７９】例えば、温度検出手段１７を単数でなく複
数個設けてもよい。その際、同一箇所に集中的に複数個
を設けたり或るいは異なる箇所に個々に分散的に設けた
り、必要に応じてその設置形態が選択される。そのよう
に温度検出手段１７を複数個設けた場合においては、各
温度検出手段１７が、それぞれの環境温度変化を検出
し、それらの検出結果を総合的に判断してキャリブレー
ションの実行開始信号としての許容以上の温度変化であ
るか否かを判定すればよい。
【００８０】温度検出手段１７の装着も、第１の認識手
段３又は第２の認識手段４に装着することの他に、第
１，２の認識手段３，４と分離した態様に装着、すなわ
ち、例えば、第１，２の認識手段３，４（又は本チップ
実装装置）の周辺に装着してもよい。その場合におい
て、必要に応じて、第１，２の認識手段３，４とは別に
独立して移動し得るように装着してもよい。更には、第
１，２の認識手段３，４が装着されている可動テーブル
に装着してもよい。
【００８１】
【発明の効果】上述のように、本発明によると、キャリ
ブレーション時間を短縮できると共に、チップに対する
基板のアライメント時とキャリブレーション時の位置的
違いから生ずるモーメントによるメカ的な変形に影響さ
れずに高精度にキャリブレーションすることができ、し
かも、最適なタイミングでキャリブレーションを行うこ
とができてキャリブレーション回数を減らすことができ
るから、効率的にキャリブレーションを行うことができ
ると共にキャリブレーション精度を一定に維持、すなわ
ち、環境雰囲気の温度が変化するような場合においても
高精度に維持することができる。なお、高精度に維持し
ながらもキャリブレーション回数を減らすことができる
為、生産効率を高めることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】チップ実装装置における第１，２，３認識手段
による第１，２，３の認識マークの認識態様を示す斜視
図である。
【図２】二視野の認識手段の形態に装着された第１，２
認識手段による第１，２の認識マークの認識態様を示す
斜視図である。
【図３】互いに分離した形態に装着された第１，２認識
手段による第１，２の認識マークの認識態様を示す斜視
図である。
【図４】ヘッドの他の形態を示す斜視図である。
【図５】ステージの他の形態を示す斜視図である。
【図６】ステージの他の形態を示す斜視図である。
【図７】基板の保持態様を示す斜視図である。
【図８】基板の他の保持態様を示す斜視図である。
【図９】基板の他の保持態様を示す斜視図である。
【図１０】チップの保持態様を示す斜視図である。
【図１１】チップの他の保持態様を示す斜視図である。
【図１２】チップの他の保持態様を示す図である。
【図１３】チップの他の保持態様を示す図である。
【図１４】第３認識手段を装着していないチップ実装装
置の一実施形態を示し、（Ａ）は装置構成を示す斜視
図、（Ｂ）は第１認識手段による認識マークの認識状態
を示す正面図、（Ｃ）は第２認識手段による認識マーク
の認識状態を示す正面図である。
【図１５】第３認識手段を装着していないチップ実装装
置の他の実施形態を示し、（Ａ）は装置構成を示す斜視
図、（Ｂ）は第１，２認識手段による認識マークの認識
状態を示す正面図である。
【図１６】第３認識手段を装着していないチップ実装装
置の更に他の実施形態を示し、（Ａ）は装置構成を示す
斜視図、（Ｂ）は第１，２認識手段による認識マークの
認識状態を示す正面図である。
【符号の説明】
１：ステージ ２：ヘッド ３：第１認識手段 ４：第２認識手段 ５：第１の認識マーク ６：第２の認識マーク ７：ツール ７ａ：加圧面 ８：マーク認識部 ９：可動テーブル １２：基板保持部 １３：基板保持用吸気孔 １７：温度検出手段 １８：第３認識手段 １９：アタッチメント １９ａ：加圧面 ２０：基板 ２１：チップ

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 上下に互いに遠ざけられているチップ保
    持可能なヘッド側の第１の認識マーク及び基板保持可能
    なステージ側の第２の認識マークと、前記第１の認識マ
    ークを認識する第１認識手段及び前記第２の認識マーク
    を認識する第２認識手段と、前記第１の認識マークを前
    記第２の認識マークに近接又は接触させた状態において
    前記第１，２の認識マークを同時に認識する第３認識手
    段と、前記認識マークの認識に基づくキャリブレーショ
    ンの実行開始信号としての許容以上の温度変化を検出す
    る温度検出手段とを備えていることを特徴とするチップ
    実装装置。
  2. 【請求項２】 前記第１の認識マークが前記ヘッドに設
    けられていると共に前記第２の認識マークが前記ステー
    ジに設けられていることを特徴とする請求項１に記載の
    チップ実装装置。
  3. 【請求項３】 前記第１の認識マークが前記ヘッドに設
    けられていると共に前記第２の認識マークが前記ステー
    ジに保持されている基板に設けられていることを特徴と
    する請求項１に記載のチップ実装装置。
  4. 【請求項４】 前記第１の認識マークが前記ヘッドに保
    持されているチップに設けられていると共に前記第２の
    認識マークが前記ステージに設けられていることを特徴
    とする請求項１に記載のチップ実装装置。
  5. 【請求項５】 前記第１の認識マークが前記ヘッドに保
    持されているチップに設けられていると共に前記第２の
    認識マークが前記ステージに保持されている基板に設け
    られていることを特徴とする請求項１に記載のチップ実
    装装置。
  6. 【請求項６】 前記第１の認識マークがチップ保持兼用
    の吸気孔であることを特徴とする請求項２又は３に記載
    のチップ実装装置。
  7. 【請求項７】 前記第１認識手段と前記第２認識手段と
    が一体に移動し得るように装着されていることを特徴と
    する請求項１〜６のいずれか一つに記載のチップ実装装
    置。
  8. 【請求項８】 前記温度検出手段が前記第１認識手段又
    は前記第２認識手段に装着されていることを特徴とする
    請求項１〜７のいずれか一つに記載のチップ実装装置。
  9. 【請求項９】 前記ヘッドが上下動のみし得るように装
    着されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか
    一つに記載のチップ実装装置。
  10. 【請求項１０】 前記ヘッドがヒータを備えていること
    を特徴とする請求項１〜９のいずれか一つに記載のチッ
    プ実装装置。
  11. 【請求項１１】 前記ステージが可動自在に装着されて
    いることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一つに
    記載のチップ実装装置。
  12. 【請求項１２】 前記ステージが平行移動及び／又は回
    転し得るように装着されていることを特徴とする請求項
    １１に記載のチップ実装装置。
  13. 【請求項１３】 上下に互いに遠ざけられているチップ
    保持可能なヘッド側の第１の認識マークと基板保持可能
    なステージ側の第２の認識マークとを認識する工程と、
    前記第１の認識マークを前記第２の認識マークに近接又
    は接触させる工程と、前記近接又は接触せしめられた前
    記第１，２の認識マークを同時に認識する工程と、前記
    認識マークの認識に基づくキャリブレーションの実行開
    始信号としての許容以上の温度変化を検出する工程とを
    有していることを特徴とするチップ実装装置におけるキ
    ャリブレーション方法。
  14. 【請求項１４】 上下に互いに遠ざけられているヘッド
    側の第１の認識マークとステージ側の第２の認識マーク
    とを同時に認識することを特徴とする請求項１３に記載
    のチップ実装装置におけるキャリブレーション方法。
JP2000279454A 2000-09-14 2000-09-14 チップ実装装置及びそれにおけるキャリブレーション方法 Pending JP2002093858A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000279454A JP2002093858A (ja) 2000-09-14 2000-09-14 チップ実装装置及びそれにおけるキャリブレーション方法
PCT/JP2001/007742 WO2002025720A1 (en) 2000-09-14 2001-09-06 Chip mounting device and calibration method therein
KR1020037003669A KR100797733B1 (ko) 2000-09-14 2001-09-06 칩 실장 장치 및 그에 있어서의 측정 방법
US10/363,693 US6811627B2 (en) 2000-09-14 2001-09-06 Chip mounting device and callibration method therein
TW090122561A TW523843B (en) 2000-09-14 2001-09-12 Chip mounting device and calibration method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000279454A JP2002093858A (ja) 2000-09-14 2000-09-14 チップ実装装置及びそれにおけるキャリブレーション方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002093858A true JP2002093858A (ja) 2002-03-29

Family

ID=18764457

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000279454A Pending JP2002093858A (ja) 2000-09-14 2000-09-14 チップ実装装置及びそれにおけるキャリブレーション方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6811627B2 (ja)
JP (1) JP2002093858A (ja)
KR (1) KR100797733B1 (ja)
TW (1) TW523843B (ja)
WO (1) WO2002025720A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010212505A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Toshiba Corp 半導体装置の接合装置及び半導体装置の製造方法
KR101065899B1 (ko) * 2002-04-04 2011-09-19 토레이 엔지니어링 컴퍼니, 리미티드 얼라이먼트 방법 및 그 방법을 이용한 실장 방법
JP2012156329A (ja) * 2011-01-26 2012-08-16 Panasonic Corp 部品実装方法および部品実装装置

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3838985B2 (ja) * 2003-03-05 2006-10-25 株式会社東芝 チップマウント装置及びそれを用いたチップのマウント方法
JP4128540B2 (ja) * 2003-06-05 2008-07-30 株式会社新川 ボンディング装置
EP1598861A1 (en) * 2004-05-19 2005-11-23 Axalto S.A. Method and machine for calibrating and controlling the embedding process in the manufacturing of chip cards
DE102005022780B4 (de) * 2005-05-12 2017-12-28 Infineon Technologies Ag Halbleiterchips für Tag-Anwendungen und Verfahren zur Packung von Halbleiterchips
CN101146413B (zh) * 2006-09-12 2010-09-29 颜陈祥 电路板的定位组合装置及方法
KR101030769B1 (ko) * 2007-01-23 2011-04-27 삼성전자주식회사 스택 패키지 및 스택 패키징 방법
US11131431B2 (en) 2014-09-28 2021-09-28 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED tube lamp
DE102014104523A1 (de) * 2014-03-31 2015-10-01 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Messmarkensystem zur Kalibrierung einer Maschine
CN115095808A (zh) 2014-09-28 2022-09-23 嘉兴山蒲照明电器有限公司 一种led直管灯
US10560989B2 (en) 2014-09-28 2020-02-11 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED tube lamp
JP6128337B2 (ja) * 2014-10-23 2017-05-17 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体装置の製造方法及び製造装置
US10514134B2 (en) 2014-12-05 2019-12-24 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED tube lamp
US11028973B2 (en) 2015-03-10 2021-06-08 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. Led tube lamp
US11519565B2 (en) 2015-03-10 2022-12-06 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED lamp and its power source module
US9897265B2 (en) 2015-03-10 2018-02-20 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED tube lamp having LED light strip
US11035526B2 (en) 2015-12-09 2021-06-15 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED tube lamp

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2789387B2 (ja) * 1990-11-30 1998-08-20 株式会社新川 ボンディング装置
JP3734608B2 (ja) * 1997-09-10 2006-01-11 富士通株式会社 半導体ベアチップ実装方法
JP4100648B2 (ja) * 1999-03-16 2008-06-11 東レエンジニアリング株式会社 チップボンディング装置及びそれにおけるキャリブレーション方法
JP4100649B2 (ja) * 1999-03-16 2008-06-11 東レエンジニアリング株式会社 チップボンディング装置及びそれにおけるキャリブレーション方法
JP4562254B2 (ja) * 1999-07-27 2010-10-13 東レエンジニアリング株式会社 チップ実装装置及びそれにおけるキャリブレーション方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101065899B1 (ko) * 2002-04-04 2011-09-19 토레이 엔지니어링 컴퍼니, 리미티드 얼라이먼트 방법 및 그 방법을 이용한 실장 방법
KR101086097B1 (ko) 2002-04-04 2011-11-25 토레이 엔지니어링 컴퍼니, 리미티드 얼라이먼트 방법 및 그 방법을 이용한 실장 방법
JP2010212505A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Toshiba Corp 半導体装置の接合装置及び半導体装置の製造方法
JP2012156329A (ja) * 2011-01-26 2012-08-16 Panasonic Corp 部品実装方法および部品実装装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6811627B2 (en) 2004-11-02
KR100797733B1 (ko) 2008-01-24
TW523843B (en) 2003-03-11
KR20030033059A (ko) 2003-04-26
WO2002025720A1 (en) 2002-03-28
US20040026006A1 (en) 2004-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002093858A (ja) チップ実装装置及びそれにおけるキャリブレーション方法
JP3328878B2 (ja) ボンディング装置
JP6422499B2 (ja) 実装装置および測定方法
JP6653273B2 (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP5986741B2 (ja) 部品搭載方法及び装置及びプログラム
WO2002041384A1 (fr) Dispositif de montage de puces et procede d'etalonnage du dispositif
KR102362976B1 (ko) 제1 물체를 제2 물체에 대하여 위치 결정하는 장치 및 방법
JP2001102397A (ja) チップ実装装置及びそれにおけるキャリブレーション方法
JP2000353725A (ja) チップ実装方法及びその装置
JPH098104A (ja) チップボンディング装置におけるキャリブレーション方法
JP4100649B2 (ja) チップボンディング装置及びそれにおけるキャリブレーション方法
WO2001091534A1 (fr) Dispositif de montage de puces et procede d'alignement associe
JP4100648B2 (ja) チップボンディング装置及びそれにおけるキャリブレーション方法
JP3153699B2 (ja) 電子部品のボンディング方法
KR102534445B1 (ko) 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2000332033A (ja) チッ実装装置及びそれにおけるキャリブレーション方法
KR101990822B1 (ko) 칩 본딩 장치
JP3399334B2 (ja) バンプ付電子部品の熱圧着装置および熱圧着方法
JP2011035109A (ja) チップ部品接合装置、チップ部品接合方法
JP2011181675A (ja) 回路部品の実装装置
JP2004128384A (ja) 部品実装装置および部品実装方法
TWI789924B (zh) 轉移設備及轉移方法
JP2001298235A (ja) 電子部品の搭載装置
JP3257614B2 (ja) インナーリードボンディング装置
KR20210112734A (ko) 다이 본딩 방법 및 다이 본딩 장치