JP2002053395A5 - - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】 ＳｉＣ粉末の昇華再結晶法により、基板上にα−ＳｉＣ結晶を成長させる方法において、ＣＶＤ法により作製したβ−ＳｉＣ結晶を基板として、この基板とＳｉＣ粉末原料とが内部に近接して配置された坩堝を１ユニットとし、このユニットの複数を上下に多段積層して当該積層ユニット高さより高い寸法の輻射チューブ内に配置し、当該輻射チューブを誘導加熱コイルにより加熱してチューブ内の積層ユニットを均一に加熱処理することにより複数枚の基板上にα−ＳｉＣ相を製品厚み近傍まで成長させた後、前記基板の一部または全てを除去することによりα−ＳｉＣのウェハを製造することを特徴とするα−ＳｉＣウェハの製造方法。
【請求項２】 ＳｉＣ粉末の昇華再結晶法により、基板上にα−ＳｉＣ結晶を成長させる方法において、ＣＶＤ法により作製したβ−ＳｉＣ結晶を基板として、この基板とＳｉＣ粉末原料とが内部に近接して配置された坩堝を１ユニットとし、このユニットの複数を多段積層して外装坩堝内に配置し、当該外装坩堝の全周を断熱材で囲繞し、前記多段積層された複数ユニットを囲繞する前記外装坩堝を誘導加熱コイルにより加熱し、外装坩堝内の積層ユニットを均一に加熱処理することにより複数枚の基板上にα−ＳｉＣ相を製品厚み近傍まで成長させた後、前記基板の一部または全てを除去することによりα−ＳｉＣのウェハを製造することを特徴とするα−ＳｉＣウェハの製造方法。
【請求項３】 ＳｉＣ粉末の昇華再結晶法により、基板上にα−ＳｉＣ結晶を成長させる方法において、ＣＶＤ法により作製したβ−ＳｉＣ結晶を基板として、この基板とＳｉＣ粉末原料とが内部に近接して配置された坩堝を１ユニットとし、多段積層された複数ユニットの上下周辺部に磁気シールドリングを挿入し、誘導加熱コイルによる磁束が複数ユニットの上下周辺部に集中しないようにして積層ユニットを均一に加熱処理することにより複数枚の基板上にα−ＳｉＣ相を製品厚み近傍まで成長させた後、前記基板の一部または全てを除去することによりα−ＳｉＣのウェハを製造することを特徴とするα−ＳｉＣウェハの製造方法。
【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のα−ＳｉＣウェハの製造方法において、
前記基板上にウェハ最終厚みより若干厚くα−ＳｉＣ相を成長させた後、前記基板の一部または全てを除去して成長させたバルク層を切断することなくα−ＳｉＣ相のウェハを製造することを特徴とするα−ＳｉＣウェハの製造方法。
【請求項１】 ＳｉＣ粉末の昇華再結晶法により、基板上にα−ＳｉＣ結晶を成長させる方法において、ＣＶＤ法により作製したβ−ＳｉＣ結晶を基板として、この基板とＳｉＣ粉末原料とが内部に近接して配置された坩堝を１ユニットとし、このユニットの複数を上下に多段積層して当該積層ユニット高さより高い寸法の輻射チューブ内に配置し、当該輻射チューブを誘導加熱コイルにより加熱してチューブ内の積層ユニットを均一に加熱処理することにより複数枚の基板上にα−ＳｉＣ相を製品厚み近傍まで成長させた後、前記基板の一部または全てを除去することによりα−ＳｉＣのウェハを製造することを特徴とするα−ＳｉＣウェハの製造方法。
【請求項２】 ＳｉＣ粉末の昇華再結晶法により、基板上にα−ＳｉＣ結晶を成長させる方法において、ＣＶＤ法により作製したβ−ＳｉＣ結晶を基板として、この基板とＳｉＣ粉末原料とが内部に近接して配置された坩堝を１ユニットとし、このユニットの複数を多段積層して外装坩堝内に配置し、当該外装坩堝の全周を断熱材で囲繞し、前記多段積層された複数ユニットを囲繞する前記外装坩堝を誘導加熱コイルにより加熱し、外装坩堝内の積層ユニットを均一に加熱処理することにより複数枚の基板上にα−ＳｉＣ相を製品厚み近傍まで成長させた後、前記基板の一部または全てを除去することによりα−ＳｉＣのウェハを製造することを特徴とするα−ＳｉＣウェハの製造方法。
【請求項３】 ＳｉＣ粉末の昇華再結晶法により、基板上にα−ＳｉＣ結晶を成長させる方法において、ＣＶＤ法により作製したβ−ＳｉＣ結晶を基板として、この基板とＳｉＣ粉末原料とが内部に近接して配置された坩堝を１ユニットとし、多段積層された複数ユニットの上下周辺部に磁気シールドリングを挿入し、誘導加熱コイルによる磁束が複数ユニットの上下周辺部に集中しないようにして積層ユニットを均一に加熱処理することにより複数枚の基板上にα−ＳｉＣ相を製品厚み近傍まで成長させた後、前記基板の一部または全てを除去することによりα−ＳｉＣのウェハを製造することを特徴とするα−ＳｉＣウェハの製造方法。
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前記基板上にウェハ最終厚みより若干厚くα−ＳｉＣ相を成長させた後、前記基板の一部または全てを除去して成長させたバルク層を切断することなくα−ＳｉＣ相のウェハを製造することを特徴とするα−ＳｉＣウェハの製造方法。
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Family Applications (1)
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