JP2002052829A - 光学記録材料 - Google Patents

光学記録材料

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JP2002052829A
JP2002052829A JP2001136366A JP2001136366A JP2002052829A JP 2002052829 A JP2002052829 A JP 2002052829A JP 2001136366 A JP2001136366 A JP 2001136366A JP 2001136366 A JP2001136366 A JP 2001136366A JP 2002052829 A JP2002052829 A JP 2002052829A
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義徳 高畑
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 620〜830nmのレーザによる光学記録
媒体に合致した、特にDVD−RとCD−R規格に適し
たインドシアニン系化合物からなる光学記録材料を提供
する。 【解決手段】 下記一般式で表される化合物からなるこ
とを特徴とする光学記録材料。 【化1】

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報をレーザ等に
よる熱的情報パターンとして付与することにより記録す
る光学記録媒体に使用される光学記録材料に関し、詳し
くは、可視及び近赤外領域の波長を有し、かつ低エネル
ギーのレーザ等により高密度の光学記録及び再生が可能
な光学記録媒体に使用される光学記録材料に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】光学記
録媒体は、一般に記憶容量が大きく、記録又は再生が非
接触で行われる等の優れた特徴を有することから広く普
及している。WORM、CD−R、DVD−R等の追記
型の光ディスクでは記録層の微少面積にレーザを集光さ
せ、記録層の性状を変えて記録し、未記録部分との反射
光量の違いによって再生を行っている。
【0003】光ディスクに代表される光学記録媒体の記
録層には、記録層を形成するのが容易なので、有機系の
色素が使用されており、特にインドシアニン系の化合物
が感度が高く、高速化に対応できることから検討されて
いる。
【0004】現在、上記の光ディスクにおいては、記録
及び再生に用いる半導体レーザの波長は、620〜83
0nmの範囲である。例えば、DVD−Rの規格は、6
35nm、650nm、660nmであり、CD−Rの
規格は780nmである。これらの光ディスクに対応し
たインドシアニン系の化合物は、例えば、特開昭59−
55795号公報、特開平7−329424号公報、W
O98/34988号公報、特開平11−34499号
公報、特開2000−108510号公報等に報告され
ている。
【0005】しかし、上記のインドシアニン系の化合物
の吸収波長は、上記の光ディスクの規格に対して、短波
長側にずれており、合致しているとは言えなかった。
【0006】光ディスクに用いられているインドシアニ
ン化合物をスピンコート等により薄膜にした記録層の4
00〜800nmにおける吸収スペクトルには、2つの
ピークがある。短波長側のピークは、分子間の相互作用
により多量化した分子に由来するものであり、長波長側
のピークは、多量化していない分子に由来するものであ
ると言われている。記録層には、記録に用いられるレー
ザの波長に対して充分な強度の吸収が必要であり、これ
は、長波長側のピークに依存している。従来のインドシ
アニン系の化合物を用いた記録層は、620〜830n
mの光に対して吸収が不足しており、この領域の記録光
に対して感度が小さいという問題点がある。
【0007】従って、本発明の目的は、620〜830
nmのレーザによる光学記録媒体に合致した、特にDV
D−RとCD−R規格に適したインドシアニン系化合物
からなる光学記録材料を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、620〜
830nmの光に対する感度を大きくするには、分子間
の相互作用を低減させて、多量化していない分子の割合
を大きくして長波長側のピークを大きくさせるか、吸収
全体を適度に長波長側にシフトさせることが有効である
と考え、検討を重ねた結果、特定の分子構造を有するイ
ンドシアニン化合物が、上記課題を解決し得ることを知
見し、本発明に到達した。
【0009】本発明は、上記知見に基づいてなされたも
のであり、下記一般式で表される化合物からなることを
特徴とする光学記録材料、及び基体上に該光学記録材料
からなる薄膜を形成したことを特徴とする光学記録媒体
を提供するものである。
【0010】
【化2】
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
詳細に説明する。
【0012】本発明の光学記録材料は、上記一般式で表
されるように、分子中にスピロ環Cが導入されたインド
シアニン化合物からなることが特徴である。
【0013】本発明に係るインドシアニン化合物は、上
記のスピロ環Cの効果により、DVD−R及びCD−R
規格の波長のレーザを用いる光学記録媒体に適した光学
記録層を与えるものであり、その分子構造は、光学記録
に用いるレーザ波長に適合させるために適宜選択される
ものである。上記一般式において、Qが連結基(I)で
表されるものであるトリメチンインドシアニン化合物の
吸収波長は、DVD−R規格に適合し、Qが連結基(I
I)で表されるものであるペンタメチンインドシアニン
化合物の吸収波長は、CD−R規格に適合する。
【0014】上記一般式において、環A及び環Bで表さ
れる置換基を有してもよいベンゼン環又はナフタレン環
の置換基としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハ
ロゲン基、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、
ブチル、第二ブチル、第三ブチル、イソブチル、アミ
ル、イソアミル、第三アミル、ヘキシル、シクロヘキシ
ル、ヘプチル、イソヘプチル、第三ヘプチル、n−オク
チル、イソオクチル、第三オクチル、2−エチルヘキシ
ル等のアルキル基、フェニル、ナフチル、2−メチルフ
ェニル、3−メチルフェニル、4−メチルフェニル、4
−ビニルフェニル、3−イソプロピルフェニル、4−イ
ソプロピルフェニル、4−ブチルフェニル、4−イソブ
チルフェニル、4−第三ブチルフェニル、4−ヘキシル
フェニル、4−シクロヘキシルフェニル、2,3−ジメ
チルフェニル、2,4−ジメチルフェニル、2,5−ジ
メチルフェニル、2,6−ジメチルフェニル、3,4−
ジメチルフェニル、3,5−ジメチルフェニル、2,4
−ジ第三ブチルフェニル、2,5−ジ第三ブチルフェニ
ル、2,6−ジ−第三ブチルフェニル、2,4−ジ第三
ペンチルフェニル、2,4−ジクミルフェニル、ビフェ
ニル、ベンジル、フェネチル、2−フェニルプロパン−
2−イル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、ス
チリル、シンナミル等のアリール含有基、メトキシ、エ
トキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、第二
ブトキシ、第三ブトキシ等のアルコキシ基、メチルチ
オ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブ
チルチオ、第二ブチルチオ、第三ブチルチオ等のアルキ
ルチオ基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。環Cで
表される3〜6員環の酸素、硫黄、窒素原子を含んでも
よく、置換基を有してもよい有機基としては、シクロプ
ロパン−1,1−ジイル、シクロブタン−1,1−ジイ
ル、2,4−ジメチルシクロブタン−1,1−ジイル、
3−ジメチルシクロブタン−1,1−ジイル、シクロペ
ンタン−1,1−ジイル、シクロヘキサン−1,1−ジ
イル、テトラヒドロピラン−4,4−ジイル、チアン−
4,4−ジイル、ピペリジン−4,4−ジイル、N−置
換ピペリジン−4,4−ジイル、モルホリン−2,2−
ジイル、モルホリン−3,3−ジイル、N−置換モルホ
リン−2,2−ジイル、N−置換モルホリン−3,3−
ジイル等が挙げられ、そのN−置換基としては、環Aで
例示のものが挙げられる。R1 及びR2 で表される炭素
数1〜4のアルキル基としては、メチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、第二ブチル、第三ブチ
ル、イソブチル等が挙げられる。R1 とR2 が連結して
形成される3〜6員環の酸素、窒素原子を含んでもよい
有機基としては、環Cで例示のものが挙げられる。Xで
表されるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、
ヨウ素等が挙げられる。また、Yで表される有機基とし
ては特に制限を受けず、例えば、メチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、第二ブチル、第三ブチ
ル、イソブチル、アミル、イソアミル、第三アミル、ヘ
キシル、シクロヘキシル、シクロヘキシルメチル、2−
シクロヘキシルエチル、ヘプチル、イソヘプチル、第三
ヘプチル、n−オクチル、イソオクチル、第三オクチ
ル、2−エチルヘキシル、ノニル、イソノニル、デシ
ル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシ
ル、ヘキサデシル、ペプタデシル、オクタデシル等のア
ルキル基、ビニル、1−メチルエテニル、2−メチルエ
テニル、プロペニル、ブテニル、イソブテニル、ペンテ
ニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、デセニ
ル、ぺンタデセニル、1−フェニルプロペン−3−イル
等のアルケニル基、フェニル、ナフチル、2−メチルフ
ェニル、3−メチルフェニル、4−メチルフェニル、4
−ビニルフェニル、3−イソプロピルフェニル、4−イ
ソプロピルフェニル、4−ブチルフェニル、4−イソブ
チルフェニル、4−第三ブチルフェニル、4−ヘキシル
フェニル、4−シクロヘキシルフェニル、4−オクチル
フェニル、4−(2−エチルヘキシル)フェニル、4−
ステアリルフェニル、2,3−ジメチルフェニル、2,
4−ジメチルフェニル、2,5−ジメチルフェニル、
2,6−ジメチルフェニル、3,4−ジメチルフェニ
ル、3,5−ジメチルフェニル、2,4−ジ第三ブチル
フェニル、シクロヘキシルフェニル等のアルキルアリー
ル基、ベンジル、フェネチル、2−フェニルプロパン−
2−イル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、ス
チリル、シンナミル等のアリールアルキル基等、それが
エーテル結合、チオエーテル結合で中断されたもの、例
えば、2−メトキシエチル、3−メトキシプロピル、4
−メトキシブチル、2−ブトキシエチル、メトキシエト
キシエチル、メトキシエトキシエトキシエチル、3−メ
トキシブチル、2−フェノキシエチル、2−メチルチオ
エチル、2−フェニルチオエチルが挙げられる。さら
に、これらの基は、アルコキシ基、アルケニル基、ニト
ロ基、シアノ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよ
い。
【0015】また、Anm-で表されるアニオンとして
は、例えば、一価のものとして、塩素アニオン、臭素ア
ニオン、ヨウ素アニオン、フッ素アニオン等のハロゲン
アニオン;過塩素酸アニオン、塩素酸アニオン、チオシ
アン酸アニオン、六フッ化リンアニオン、六フッ化アン
チモンアニオン、四フッ化ホウ素アニオン等の無機系ア
ニオン、ベンゼンスルホン酸アニオン、トルエンスルホ
ン酸アニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン
等の有機スルホン酸アニオン;オクチルリン酸アニオ
ン、ドデシルリン酸アニオン、オクタデシルリン酸アニ
オン、フェニルリン酸アニオン、ノニルフェニルリン酸
アニオン、2,2’−メチレンビス(4,6−ジ第三ブ
チルフェニル)ホスホン酸アニオン等の有機リン酸系ア
ニオン等が挙げられ、二価のものとしては、例えば、ベ
ンゼンジスルホン酸アニオン、ナフタレンジスルホン酸
アニオン等が挙げられる。また、金属錯体化合物である
クエンチャーアニオンも必要に応じて用いることができ
る。
【0016】上記のクエンチャーアニオンとしては、特
開昭60−234892号公報に記載されたようなアニ
オンが挙げられる。例えば、下記一般式(A)及び
(B)で表されるアニオンが挙げられる。
【0017】
【化3】
【0018】また、上記一般式において、環Cについて
は、シクロヘキサン−1,1−ジイルであるものが、導
入が容易で低コストであることから好ましく、Xについ
ては、光学記録層の保存安定性がよいので水素原子が好
ましい。
【0019】本発明に係る上記一般式において、Qが連
結基(I)で表されるものであるトリメチンシアニン化
合物の具体例としては、下記化合物No.1〜24等が
挙げられる。なお、以下の例示では、アニオンを省いた
シアニン色素カチオンで示している。
【0020】
【化4】
【0021】
【化5】
【0022】
【化6】
【0023】また、本発明に係る上記一般式において、
Qが連結基(II)で表されるものであるペンタメチンシ
アニン化合物の具体例としては、下記化合物No.25
〜48等が挙げられる。なお、以下の例示では、アニオ
ンを省いたシアニン色素カチオンで示している。
【0024】
【化7】
【0025】
【化8】
【0026】
【化9】
【0027】本発明に係る上記一般式で表される化合物
は、その製造法によって制限を受けることなく、従来周
知の方法に準じて製造することができる。例えば、該当
する構造を有する環状化合物とトリメチン鎖を導入する
ためのブリッジ剤化合物とを反応剤により反応させた
後、必要に応じてアニオン交換を行うことで合成するこ
とができる。例えば、下記のルートで合成される。
【0028】
【化10】
【0029】上記のDで表されるハロゲンとしては、塩
素、臭素、ヨウ素が挙げられ、スルホニルオキシとして
は、フェニルスルホニルオキシ、4−メチルスルホニル
オキシ、4−クロロスルホニルオキシ等が挙げられる。
【0030】本発明に係る上記の化合物は、光学記録媒
体の記録層として適用され、該記録層の形成にあたって
は従来周知の方法を用いることができる。一般には、メ
タノール、エタノール等の低級アルコール類、メチルセ
ロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ブチ
ルジグリコール等のエーテルアルコール類、アセトン、
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロ
ヘキサノン、ジアセトンアルコール等のケトン類、酢酸
エチル、酢酸ブチル、酢酸メトキシエチル等のエステル
類、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル等のアクリル
酸エステル類、2,2,3,3−テトラフルオロプロパ
ノール等のフッ化アルコール類、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の炭化水素類、メチレンジクロライド、ジク
ロロエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素類等の有
機溶媒に溶解した溶液を基体上に塗布することによって
容易に形成することができる。
【0031】上記記録層の厚さは、通常、0.001〜
10μmであり、好ましくは0.01〜5μmの範囲が
適当である。上記記録層の形成方法は特に制限を受け
ず、例えばスピンコート法等の通常用いられる方法を用
いることができる。
【0032】本発明の光学記録材料を、光学記録媒体の
記録層に含有させる際の該記録層に対する使用量は、好
ましくは50〜100重量%である。
【0033】また、上記記録層は、本発明の光学記録材
料のほかに、必要に応じて、シアニン系化合物、アゾ系
化合物、フタロシアニン系化合物等の光学記録層に用い
られる化合物、ポリエチレン、ポリエステル、ポリスチ
レン、ポリカーボネート等の樹脂類を含有してもよく、
界面活性剤、帯電防止剤、滑剤、難燃剤、ラジカル捕捉
剤、ピット形成促進性、ピット制御性、分散剤、酸化防
止剤、架橋剤、耐光性付与剤等を含有してもよい。
【0034】さらに、上記記録層は、一重項酸素等のク
エンチャーとして芳香族ニトロソ化合物、アミニウム化
合物、イミニウム化合物、ビスイミニウム化合物、遷移
金属キレート化合物等を含有してもよい。これらは、記
録層に対して好ましくは0〜50重量%の範囲で使用さ
れる。
【0035】このような記録層を設層する上記基体の材
質は、書き込み光及び読み出し光に対して実質的に透明
なものであれば特に制限はなく、例えば、ポリメチルメ
タクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリカー
ボネート等の樹脂、ガラス等が用いられる。また、その
形状は、用途に応じ、テープ、ドラム、ベルト、ディス
ク等の任意の形状のものが使用できる。
【0036】また、上記記録層上に、金、銀、アルミニ
ウム、銅等を用いて蒸着法あるいはスパッタリング法に
より反射膜を形成することもできるし、アクリル樹脂、
紫外線硬化性樹脂等による保護層を形成することもでき
る。
【0037】本発明の光学記録材料は、書き込み、再生
に620〜830nmの波長の光を用いる光学記録媒体
に好適であり、特にLD、CD、DVD、CD−R、D
VD−R等の光ディスクに好適である。
【0038】
【実施例】以下、製造例及び実施例によって本発明をさ
らに詳細に説明する。しかしながら、本発明は以下の実
施例によって何ら制限を受けるものではない。
【0039】[製造例1] <化合物No.3の六フッ化リン塩の製造> (Step1)窒素置換した反応フラスコに4−クロロ
フェニルヒドラジン硫酸塩34.5g、エタノール4
2.1gを仕込み、70℃まで加温してから、アセチル
シクロヘキサン23.9gを15分で滴下した。さらに
硫酸を2.7gを加え4時間反応させた後、エタノール
を留去し、トルエン200mlを加えた溶液を洗浄水が
中性になるまで水洗し、硫酸ナトリウムで乾燥し、トル
エンを除いて中間体(A1)を40.2g得た。
【0040】(Step2)窒素置換した反応フラスコ
に、中間体(A1 )23.4gとヨウ化イソアミル1
9.8gを仕込み、125℃で3時間反応させた後、酢
酸エチルを92.4gを滴下し、30分還流させ、冷却
した。固相を濾取し、洗浄、乾燥を行い中間体(B1
を16.0g得た。
【0041】(Step3)窒素置換した反応フラスコ
に、中間体(B1 )8.6g、N,N’−ジフェニルア
ミジン2.0g、ピリジン15.8g、無水酢酸3.1
gを仕込み、120℃で2時間反応させた後、ジメチル
ホルムアミド14.7gに六フッ化リンカリウム7.4
gを溶かした溶液を加え80℃で2時間反応させた。反
応液を冷却後、クロロホルム100mlと水100ml
を加え、油水分離して得られた油相について、5%六フ
ッ化リンカリウム水溶液洗浄、水洗浄を行った。溶媒留
去して得られた残渣をクロロホルム45.8g、メタノ
ール92.1gの混合溶媒で晶析して得た結晶をメタノ
ールで洗浄した後、乾燥させて目的物である化合物N
o.3の赤金色の結晶5.0g(収率22.6%)を得
た。
【0042】(分析) 構造解析: 1H−NMR測定 (ケミカルシフトppm;多重度;プロトン数)(0.
96〜0.99;d;12)(1.53〜2.13;m
+m+m+m+m;26)(4.13〜4.17;t;
4)(6.37〜6.42;d;2)(7.53〜7.
58;d;2)(7.58〜7.61;d;2)(7.
98;s;1)(8.62〜8.69;t;1) 光学的特性:クロロホルム溶媒でのUVスペクトル測
定 λmax ;572nm、ε;1.75×105
【0043】[製造例2] <化合物No.9の過塩素酸塩の製造> (Step1)窒素置換した反応フラスコに2−ナフチ
ルヒドラジン30.1g、エタノール94.8gを仕込
み、70℃まで加温してから、アセチルシクロヘキサン
48.0gを5分で滴下した。さらに硫酸を39.2g
を加え3時間反応させた後、エタノールを留去し、トル
エン500ml、20%水酸化ナトリウム水溶液200
gを加え油水分離した。油相を洗浄水が中性になるまで
水洗し、硫酸ナトリウムで乾燥後、脱溶媒して得た残渣
を60℃のトルエン94gで溶解させた溶液に、N−ヘ
キサン94gを加えて晶析を行い、結晶を濾取、乾燥し
て中間体(A2 )を31.6g得た。
【0044】(Step2)窒素置換した反応フラスコ
に、中間体(A2 )25.0gとヨウ化イソアミル2
3.8gを仕込み、110℃で4時間反応させた後、酢
酸エチルを102.4gを滴下し30分還流させ、冷却
した。固相を濾取し、洗浄、乾燥を行い中間体(B2
を31.6g得た。
【0045】(Step3)窒素置換した反応フラスコ
に、中間体(B2 )13.5g、N,N’−ジフェニル
アミジン3.0g、ピリジン23.8g、無水酢酸4.
6gを仕込み、120℃で2時間反応させた後、メタノ
ール20.2gに過塩素酸ナトリウム一水和物5.0g
を溶かした溶液を加え、80℃で2時間反応させた。反
応液を冷却後、メタノール10.0gで晶析して得た結
晶をメタノール洗浄した後、乾燥させて目的物である化
合物No.9の緑色の結晶5.2g(収率10.7%)
を得た。
【0046】(分析) 構造解析: 1H−NMR測定 (ケミカルシフトppm;多重度;プロトン数)(0.
93〜0.96;d;12)(1.54〜2.20;m
+m+m+m+m;26)(4.42〜4.47;t;
4)(6.56〜6.70;d;2)(7.52〜7.
57;m;2)(7.63〜7.80;m+m;6)
(8.05〜8.14;m+s;5)(8.31〜8.
34;d;2) 光学的特性:クロロホルム溶媒でのUVスペクトル測
定 λmax ;615nm、ε;0.899×105
【0047】[製造例3] <化合物No.10の過塩素酸塩製造>窒素置換した反
応用フラスコに上記中間体(B2 )13.8g、ピリジ
ン23.7gを仕込み、50℃まで加温した系に無水酢
酸3.1gに下記式の原料化合物5.1gを溶解させた
溶液を30分で滴下した後、70℃で2時間反応させ
た。この系に過塩素酸ナトリウム一水和物3.4g、メ
タノール35.6gを加え1時間還流させた。反応系を
冷却後、析出した結晶をメタノール、水で洗浄した後、
乾燥させて目的物である紫色の結晶2.6g(収率3
7.3g)を得た。
【0048】
【化11】
【0049】(分析) 構造解析: 1H−NMR測定 (0.92〜0.96;t;3)(1.09〜1.1
4;d;6)(1.38〜1.49;m;1)(1.7
4〜2.01;m+m+m+m;22)(4.36〜
4.41;m;4)(6.68〜6.72;d;2)
(6.76〜6.80;d;2)(7.35〜7.5
7;m;2)(7.67〜7.80;m+m;4)
(8.06〜8.16;m;4)(8.27〜8.5
7;m;3) 光学的特性:クロロホルム溶媒でのUVスペクトル測
定 λmax ;605nm、ε;1.20×105
【0050】[製造例4] <化合物No.20の六フッ化リン塩の製造> (Step1)窒素置換した反応フラスコに上記中間体
(A1 )11.7g、ベンゼンスルホン酸モノフェニル
プロピル13.8g及びジメチルアセトアミド25.5
gを仕込み、125℃で3時間反応させた後、酢酸エチ
ル50.1 gを滴下して30分還流させ、冷却した。固
相を濾取し、洗浄、乾燥を行い、中間体(B3 )13.
0g(収率50.8%)を得た。
【0051】(Step2)窒素置換した反応フラスコ
に中間体(B3 )5.1 g、1,1,3,3−テトラメ
トキシプロパン0.8g、ピリジン15.8gを仕込
み、100℃で6時間反応させた。クロロホルム30
g、六フッ化リンカリウム2.8g、水30gを加え、
油水分離を行った。さらに水30gで3回水洗を行い、
溶媒留去して得られた油状物にクロロホルム30gを加
えて加熱溶解させ、メタノール60gを加えて冷却し
た。固相を濾取し、メタノール洗浄した後、乾燥させて
緑色結晶1.1 g(収率25.0%)を得た。
【0052】(分析) 構造解析: 1H−NMR測定 (1.56〜2.18;m+m+m+m+m;24)
(2.70〜2.74;t;4)(4.16〜4.2
0;t;4)(6.19〜6.22;d;2)(6.4
6〜6.52;t;1)(7.14〜7.31;m+
m;10)(7.41〜7.55;d+d;4)(7.
91;s;2)(8.16〜8.22;t;2) 光学的特性:メタノール溶媒でのUVスペクトル測定 λmax ;664nm、ε;2.48×105
【0053】[製造例5] <化合物No.21の六フッ化リン塩の製造> (Step1)窒素置換した反応フラスコに上記中間体
(A1 )23.4g、ベンゼンスルホン酸モノイソアミ
ル25.1g及びジメチルアセトアミド46.2gを仕
込み、125℃で3時間反応させた後、酢酸エチル9
2.4gを滴下して30分還流させ、冷却した。固相を
濾取、洗浄、乾燥を行い、中間体(B4 )19.1g
(収率41.3%)を得た。
【0054】(Step2)窒素置換した反応フラスコ
に中間体(B4 )9.9g、マロンアルデヒドビスフェ
ニルイミン塩酸塩2.6g、ピリジン15.8g及び無
水酢酸3.1gを仕込み、70℃で4時間反応させた。
クロロホルム30g、六フッ化リンカリウム5.5g、
水30gを加え、油水分離を行った。さらに水30gで
3回水洗を行い、溶媒留去して得られた油状物にジメチ
ルホルムアミド15.8gを加えて加熱溶解させ、メタ
ノール60gを加えて冷却した。固相を濾取し、メタノ
ール洗浄した後、乾燥させて青緑色結晶4.7g(収率
60.0%)を得た。
【0055】(分析) 構造解析: 1H−NMR測定 (0.97〜0.99;d;12)(1.50〜2.1
9;m+m+m+m+m;26)(4.10〜4.1
4;t;4)(6.26〜6.29;d;2)(6.6
1〜6.70;t;1)(7.45〜7.47;d;
2)(7.54〜7.56;d;2)(7.92;s;
2)(8.15〜8.21;t;2) 光学的特性:メタノール溶媒でのUVスペクトル測定 λmax ;662nm、ε;2.78×105
【0056】[製造例6] <化合物No.22の過塩素酸塩の製造> (Step1)窒素置換した反応フラスコに4−メトキ
シヒドラジン塩酸塩87.3g及びエタノール100.
0gを仕込み、60℃まで加温した。発熱に注意しなが
らシクロヘキシルメチルケトン66.2gを滴下し、2
時間還流させた後、トルエン200.0gを加え、水2
00.0gにて3回油水分離を行った。トルエン相を還
流脱水した後、脱溶媒を行い、中間体(A4 )を10
8.7g(収率94.8%)を得た。
【0057】(Step2)窒素置換した反応フラスコ
に中間体(A4 )22.9g、ベンゼンスルホン酸モノ
イソアミル27.4g及びジメチルアセトアミド45.
8gを仕込み、120℃で2時間反応させた。酢酸エチ
ル91.5gを滴下して30分還流させ、室温まで冷却
した。固相を濾取、洗浄、乾燥を行い、中間体(B5
36.1g(収率73.4%)を得た。
【0058】(Step3)窒素置換した反応フラスコ
に中間体(B5 )19.7g、マロンアルデヒドビスフ
ェニルイミン塩酸塩5.2g、ピリジン31.6g及び
無水酢酸6.7gを仕込み、70℃で3時間反応させ
た。クロロホルム60g、過塩素酸ナトリウム一水和物
6.1g、水60.0gを加え、油水分離を行った。さ
らに水60.0gで3回水洗を行い、溶媒留去して得ら
れた油状物にジメチルホルムアミド40.0gを加えて
加熱溶解させ、メタノール80.0gを加えて冷却し
た。固相を濾取し、メタノール洗浄した後、乾燥させて
緑色結晶6.0g(収率40.8%)を得た。
【0059】(分析) 構造解析: 1H−NMR測定 (0.97〜0.99;d;12)(1.51〜2.1
9;m+m+m+m+m;26)(4.08〜4.1
2;t;4)(6.16〜6.19;d;2)(6.5
0〜6.56;t;1)(7.03〜7.06;d;
2)(7.34〜7.36;d;2)(7.40;s;
2)(8.03〜8.10;t;2) 光学的特性:メタノール溶媒でのUVスペクトル測定 λmax ;679nm、ε;2.09×105
【0060】[実施例1] <記録媒体の製造及び評価>チタンキレート化合物(T
−50:日本曹達社製)を塗布、加水分解して下地層
(0.01μm)を設けた直径12cmのポリカーボネ
ートディスク基板上に、上記で得た化合物No.3の六
フッ化リン塩、No.9及びNo.10の過塩素酸塩、
並びに下記に示した比較化合物1及び2の2,2,3,
3−テトラフルオロプロパノール溶液(濃度2%)をス
ピンコーティング法にて塗布し、厚さ100nmの記録
層を形成し光学記録媒体を得た。
【0061】これらの光学記録媒体についてUVスペク
トル吸収の測定による評価を行った。評価は、各記録媒
体のλmax の強度1に対する相対強度で行った。この値
が0.15より小さいと記録及び読み込みの特性が悪化
し、0.45を超えると記録層の耐光性が悪くなり、記
録の保存安定性が悪くなるので0.15〜0.45が好
適な範囲である。結果を表1及び表2に記す。尚、表中
に好適な範囲にあるものについては○で示した。
【0062】
【化12】
【0063】
【表1】
【0064】上記の表1より、化合物No.3の六フッ
化リン塩を用いた光学記録材料は、620〜635nm
波長域で優れた特性を示すことが確認できた。
【0065】
【表2】
【0066】上記の表2より、化合物No.9の過塩素
酸塩を用いた光学記録媒体が660〜690nmの波長
域で優れた特性を示すことが確認できた。また、化合物
No.10の過塩素酸塩を用いた光学記録媒体が650
〜660nmの波長域で優れた特性を示すことが確認で
きた。尚、650nmにおける比較化合物2と化合物N
o.10の過塩素酸塩を用いた光学記録材料を比較する
と、その相対強度から化合物No.10の過塩素酸塩を
用いたものが優れている。
【0067】[実施例2] <記録媒体の製造及び評価>実施例1と同様の操作によ
り、化合物No.22、No.23及びNo.27の過
塩素酸塩、並びに下記に示した比較化合物3及び4を用
いて光学記録媒体を得た。これらの光学記録媒体につい
て、UVスペクトル吸収の測定による評価を行った。結
果を表3に示す。
【0068】
【化13】
【0069】
【表3】
【0070】上記の表3より、化合物No.22、N
o.23及びNo.27の過塩素酸塩を用いた光学記録
媒体がCD−Rの規格である780nmの波長域で優れ
た特性を示すことが確認できた。
【0071】
【発明の効果】本発明によって、光学記録媒体に合致し
たインドシアニン系化合物からなる光学記録材料を提供
できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大矢 桂二 東京都荒川区東尾久7丁目2番35号 旭電 化工業株式会社内 Fターム(参考) 2H111 FB43 4H056 CA01 CC02 CC08 CE03 CE06 DD03 5D029 JA04 JB28

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式で表される化合物からなるこ
    とを特徴とする光学記録材料。 【化1】
  2. 【請求項2】 上記Qが、連結基(I)である請求項1
    に記載の光学記録材料。
  3. 【請求項3】 上記Qが、連結基(II)である請求項1
    に記載の光学記録材料。
  4. 【請求項4】 上記Xが、水素原子である請求項1〜3
    のいずれかに記載の光学記録材料。
  5. 【請求項5】 上記環Cが、シクロヘキサン−1,1−
    ジイルである請求項1〜4のいずれかに記載の光学記録
    材料。
  6. 【請求項6】 基体上に、請求項1〜5のいずれかに記
    載の光学記録材料からなる薄膜を形成したことを特徴と
    する光学記録媒体。
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