JP2002043552A - ウェーハの製造方法 - Google Patents
ウェーハの製造方法Info
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- JP2002043552A JP2002043552A JP2000227224A JP2000227224A JP2002043552A JP 2002043552 A JP2002043552 A JP 2002043552A JP 2000227224 A JP2000227224 A JP 2000227224A JP 2000227224 A JP2000227224 A JP 2000227224A JP 2002043552 A JP2002043552 A JP 2002043552A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】シリコン単結晶インゴットまたはウェーハの除
去量が少なく、材料ロスをなくし、また、スライス、表
面加工研磨に長時間を要せず、経済的で、生産性が高い
ウェーハの製造方法を提供する。 【解決手段】シリコン単結晶インゴットまたはウェーハ
を用意し、インゴットまたはウェーハの外周面に切欠部
２ｃを形成し、外周面から圧力をかけ、インゴットまた
はウェーハ２を切欠部２ｃから結晶面に沿って劈開させ
てウェーハを製造する。
去量が少なく、材料ロスをなくし、また、スライス、表
面加工研磨に長時間を要せず、経済的で、生産性が高い
ウェーハの製造方法を提供する。 【解決手段】シリコン単結晶インゴットまたはウェーハ
を用意し、インゴットまたはウェーハの外周面に切欠部
２ｃを形成し、外周面から圧力をかけ、インゴットまた
はウェーハ２を切欠部２ｃから結晶面に沿って劈開させ
てウェーハを製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウェーハの製造方法
に関し、特にシリコン単結晶インゴットまたはウェーハ
の外周面から圧力をかけ、側圧破断によりシリコン単結
晶インゴットまたはウェーハを破断してウェーハを製造
するウェーハの製造方法に関する。
に関し、特にシリコン単結晶インゴットまたはウェーハ
の外周面から圧力をかけ、側圧破断によりシリコン単結
晶インゴットまたはウェーハを破断してウェーハを製造
するウェーハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコンウェーハは、シリコン単
結晶インゴットを内周刃やワイヤソーを用いてウェーハ
形状にスライスし、これを研削、研磨等の表面加工する
ことにより製造されていた。しかし、このスライスおよ
び表面加工工程を経て行われるウェーハの製造方法で
は、シリコン単結晶インゴットの多くを切屑として除去
するため、材料ロスが大きく、不経済であり、さらに、
スライス、表面加工に長時間を要し、生産性も低下する
などの問題点がある。
結晶インゴットを内周刃やワイヤソーを用いてウェーハ
形状にスライスし、これを研削、研磨等の表面加工する
ことにより製造されていた。しかし、このスライスおよ
び表面加工工程を経て行われるウェーハの製造方法で
は、シリコン単結晶インゴットの多くを切屑として除去
するため、材料ロスが大きく、不経済であり、さらに、
スライス、表面加工に長時間を要し、生産性も低下する
などの問題点がある。
【０００３】また、素子が形成される単結晶シリコン層
（ＳＯＩ層）を埋め込み酸化膜上に形成するＳＯＩ（Ｓ
ｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ）ウェーハ
は、デバイス作動の高速化が可能であるなどの優れた特
性を有するため、高集積化半導体デバイス化に伴なう高
集積化、高速化の要求により、需要が増大しつつある。
（ＳＯＩ層）を埋め込み酸化膜上に形成するＳＯＩ（Ｓ
ｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ）ウェーハ
は、デバイス作動の高速化が可能であるなどの優れた特
性を有するため、高集積化半導体デバイス化に伴なう高
集積化、高速化の要求により、需要が増大しつつある。
【０００４】このようなＳＯＩウェーハ２１は、図４に
示すように、チョクラルスキー法により引き上げられた
シリコン単結晶を結晶面（１００）に沿ってスライスし
て２枚のシリコンウェーハを製造し、そのうちの１枚に
必要な厚さの酸化膜２２ｍを形成した厚さ約６２５μｍ
のシリコンのボンドウェーハ２２と、他の１枚のベース
ウェーハ２３とを用意する（Ｐ０１）。
示すように、チョクラルスキー法により引き上げられた
シリコン単結晶を結晶面（１００）に沿ってスライスし
て２枚のシリコンウェーハを製造し、そのうちの１枚に
必要な厚さの酸化膜２２ｍを形成した厚さ約６２５μｍ
のシリコンのボンドウェーハ２２と、他の１枚のベース
ウェーハ２３とを用意する（Ｐ０１）。
【０００５】次に洗浄を行い、乾燥後、室温で貼り合わ
せる。この場合、酸化膜２２ｍがＳＯＩ層の埋め込み酸
化膜となる。
せる。この場合、酸化膜２２ｍがＳＯＩ層の埋め込み酸
化膜となる。
【０００６】さらに、ＳＯＩ層２２ｓの貼り合わせ境界
面を強固にして耐剥離性を向上させるために、１１００
℃で２時間のアニールを行い、貼り付ける（Ｐ０２）。
面を強固にして耐剥離性を向上させるために、１１００
℃で２時間のアニールを行い、貼り付ける（Ｐ０２）。
【０００７】張り合わされたウェーハのボンドウェーハ
２２の厚さが６２５μｍから約２０μｍになるまで研削
（粗研削ビトリファイド＃３２０砥石→鏡面研削ビトリ
ファイド＃２０００砥石）を行う（Ｐ０３）。
２２の厚さが６２５μｍから約２０μｍになるまで研削
（粗研削ビトリファイド＃３２０砥石→鏡面研削ビトリ
ファイド＃２０００砥石）を行う（Ｐ０３）。
【０００８】さらに、ボンドウェーハ２２を厚さ約２０
μｍから研磨して、２μｍのＳＯＩ層２２ｓを有するＳ
ＯＩウェーハ２１を得る（Ｐ０４）。
μｍから研磨して、２μｍのＳＯＩ層２２ｓを有するＳ
ＯＩウェーハ２１を得る（Ｐ０４）。
【０００９】上記のように、従来のＳＯＩウェーハ２１
の製造方法は、アニール後の厚さ６２５μｍのボンドウ
ェーハ２２を研削および研磨により、ＳＯＩ層２μｍの
ＳＯＩウェーハ２１を製造するので、ボンドウェーハ２
２の大部分を除去するため、材料ロスが大きく、不経済
であり、また、研削、研磨等の表面加工に長時間を要
し、生産性も低下するなどの問題点がある。さらに、こ
れらの問題点を解決するために、最初からボンドウェー
ハの厚さを薄くしておく、方法もあるが、薄いボンドウ
ェーハを用いると、アニール時にそりを発生し、貼り合
わせが不可能になる。
の製造方法は、アニール後の厚さ６２５μｍのボンドウ
ェーハ２２を研削および研磨により、ＳＯＩ層２μｍの
ＳＯＩウェーハ２１を製造するので、ボンドウェーハ２
２の大部分を除去するため、材料ロスが大きく、不経済
であり、また、研削、研磨等の表面加工に長時間を要
し、生産性も低下するなどの問題点がある。さらに、こ
れらの問題点を解決するために、最初からボンドウェー
ハの厚さを薄くしておく、方法もあるが、薄いボンドウ
ェーハを用いると、アニール時にそりを発生し、貼り合
わせが不可能になる。
【００１０】そこで、シリコン単結晶インゴットまたは
ウェーハの除去量が少なく、材料ロスをなくし、また、
スライス、表面加工に長時間を要せず、経済的で、生産
性が高いウェーハの製造方法が要望されていた。
ウェーハの除去量が少なく、材料ロスをなくし、また、
スライス、表面加工に長時間を要せず、経済的で、生産
性が高いウェーハの製造方法が要望されていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した事情
を考慮してなされたもので、シリコン単結晶インゴット
またはウェーハの除去量が少なく、材料ロスをなくし、
また、スライス、表面加工に長時間を要せず、経済的
で、生産性が高いウェーハの製造方法を提供することを
目的とする。
を考慮してなされたもので、シリコン単結晶インゴット
またはウェーハの除去量が少なく、材料ロスをなくし、
また、スライス、表面加工に長時間を要せず、経済的
で、生産性が高いウェーハの製造方法を提供することを
目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述目的を達成するため
になされた本願請求項１の発明は、複数枚の半導体単結
晶ウェーハを用意し、１枚の単結晶ウェーハの表面に酸
化膜を形成してボンドウェーハを製造する工程と、ボン
ドウェーハの表面から所定の位置の外周面に切欠部を形
成する工程と、ボンドウェーハと単結晶ウェーハを接着
して貼り合わせウェーハを製造する工程と、貼り合わせ
ウェーハの外周面から圧力をかけ、ボンドウェーハを切
欠部から結晶面に沿って劈開させてＳＯＩウェーハを製
造する工程と、ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層面を研磨する
工程とを有することを特徴とするウェーハの製造方法で
あることを要旨としている。
になされた本願請求項１の発明は、複数枚の半導体単結
晶ウェーハを用意し、１枚の単結晶ウェーハの表面に酸
化膜を形成してボンドウェーハを製造する工程と、ボン
ドウェーハの表面から所定の位置の外周面に切欠部を形
成する工程と、ボンドウェーハと単結晶ウェーハを接着
して貼り合わせウェーハを製造する工程と、貼り合わせ
ウェーハの外周面から圧力をかけ、ボンドウェーハを切
欠部から結晶面に沿って劈開させてＳＯＩウェーハを製
造する工程と、ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層面を研磨する
工程とを有することを特徴とするウェーハの製造方法で
あることを要旨としている。
【００１３】本願請求項２の発明では、上記ボンドウェ
ーハは、ボンドウェーハの両表面から所定の位置の外周
面に２個の切欠部が形成され、かつ、両表面には単結晶
ウェーハが接着され３層の貼り合わせウェーハが形成さ
れることを特徴とする請求項１に記載のウェーハの製造
方法であることを要旨としている。
ーハは、ボンドウェーハの両表面から所定の位置の外周
面に２個の切欠部が形成され、かつ、両表面には単結晶
ウェーハが接着され３層の貼り合わせウェーハが形成さ
れることを特徴とする請求項１に記載のウェーハの製造
方法であることを要旨としている。
【００１４】本願請求項３の発明では、上記貼り合わせ
ウェーハは、高圧容器内に積層され、貼り合わせウェー
ハの外周面から高圧がかけられることを特徴とする請求
項１または２に記載のウェーハの製造方法であることを
要旨としている。
ウェーハは、高圧容器内に積層され、貼り合わせウェー
ハの外周面から高圧がかけられることを特徴とする請求
項１または２に記載のウェーハの製造方法であることを
要旨としている。
【００１５】本願請求項４の発明では、上記切欠部は、
ボンドウェーハの外周面に形成されたリング形状の溝で
あることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項
に記載のウェーハの製造方法であることを要旨としてい
る。
ボンドウェーハの外周面に形成されたリング形状の溝で
あることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項
に記載のウェーハの製造方法であることを要旨としてい
る。
【００１６】本願請求項５の発明は、〈１００〉方向に
引き上げられたシリコン単結晶インゴットの外周面を研
磨した後、その外周面に軸方向にウェーハの厚みごとに
等間隔にノッチを入れた後、該インゴットの外周面に周
方向から加圧し、劈開により、ウェーハを製造すること
を特徴とするウェーハの製造方法であることを要旨とし
ている。
引き上げられたシリコン単結晶インゴットの外周面を研
磨した後、その外周面に軸方向にウェーハの厚みごとに
等間隔にノッチを入れた後、該インゴットの外周面に周
方向から加圧し、劈開により、ウェーハを製造すること
を特徴とするウェーハの製造方法であることを要旨とし
ている。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係わるウェーハの
製造方法の第１実施形態について説明する。
製造方法の第１実施形態について説明する。
【００１８】図１は、第１実施形態であるＳＯＩウェー
ハの製造方法の製造プロセスである。
ハの製造方法の製造プロセスである。
【００１９】図２に示すように、一般に用いられている
チョクラルスキー法により、結晶方位が正確に定められ
て加工されたシードを用い、結晶方位〈１００〉のシリ
コン単結晶を引き上げ、結晶面（１００）に沿ってスラ
イスして、結晶面（１００）の３枚のシリコンウェーハ
Ｗを得る。
チョクラルスキー法により、結晶方位が正確に定められ
て加工されたシードを用い、結晶方位〈１００〉のシリ
コン単結晶を引き上げ、結晶面（１００）に沿ってスラ
イスして、結晶面（１００）の３枚のシリコンウェーハ
Ｗを得る。
【００２０】このうちの１枚はボンドウェーハ２とし
て、他の２枚はベースウェーハ３として用意する（Ｐ
１）。
て、他の２枚はベースウェーハ３として用意する（Ｐ
１）。
【００２１】ＳＯＩウェーハ１を製造するのに必要なボ
ンドウェーハ２を製造するために、燃焼酸化により、表
面に酸化膜２ｍを形成する（Ｐ２）。
ンドウェーハ２を製造するために、燃焼酸化により、表
面に酸化膜２ｍを形成する（Ｐ２）。
【００２２】しかる後、ボンドウェーハ２を溝加工装置
に取り付け、ボンドウェーハ２の外周面に両面から所定
の位置、例えば上面から１０μｍおよび下面から１０μ
ｍのところに、ダイヤポイントを用いてリング形状でダ
メージ用の溝２ｃを２条形成する（Ｐ３）。
に取り付け、ボンドウェーハ２の外周面に両面から所定
の位置、例えば上面から１０μｍおよび下面から１０μ
ｍのところに、ダイヤポイントを用いてリング形状でダ
メージ用の溝２ｃを２条形成する（Ｐ３）。
【００２３】ボンドウェーハ２とベースウェーハ３の洗
浄を行い、乾燥後、ボンドウェーハ２を両面からサンド
ウイッチ状態に２枚のベースウェーハ３で挟み、接着剤
を用いて、室温で接着して貼り合わせ３層の貼り合わせ
ウェーハ１ａを形成し、さらに、ＳＯＩ層２ｓの貼り合
わせ境界面を強固にして耐剥離性を向上させるために、
１１００℃で２時間のアニールを行い、貼り付ける（Ｐ
４）。
浄を行い、乾燥後、ボンドウェーハ２を両面からサンド
ウイッチ状態に２枚のベースウェーハ３で挟み、接着剤
を用いて、室温で接着して貼り合わせ３層の貼り合わせ
ウェーハ１ａを形成し、さらに、ＳＯＩ層２ｓの貼り合
わせ境界面を強固にして耐剥離性を向上させるために、
１１００℃で２時間のアニールを行い、貼り付ける（Ｐ
４）。
【００２４】しかる後、図２に示すような側圧破断装置
１０を用い、多数の貼り合わせウェーハ１ａを積層し、
この積層された貼り合わせウェーハ１ａを外周面から圧
力をかけ、ボンドウェーハ２を結晶面（１００）に沿っ
て劈開させる（Ｐ５）。
１０を用い、多数の貼り合わせウェーハ１ａを積層し、
この積層された貼り合わせウェーハ１ａを外周面から圧
力をかけ、ボンドウェーハ２を結晶面（１００）に沿っ
て劈開させる（Ｐ５）。
【００２５】この劈開に用いられる側圧破断装置１０
は、図３に示すような構造を有し、圧力室１１が設けら
れたシリンダ形状の容器本体１２と、両端に設けられた
蓋体１３と、この蓋体１３と容器本体１２間に設けられ
た気密保持用のＯリング１４を有し、さらに、圧力室１
１内に圧力油を送るための油圧ポンプ１５が接続されて
いる。
は、図３に示すような構造を有し、圧力室１１が設けら
れたシリンダ形状の容器本体１２と、両端に設けられた
蓋体１３と、この蓋体１３と容器本体１２間に設けられ
た気密保持用のＯリング１４を有し、さらに、圧力室１
１内に圧力油を送るための油圧ポンプ１５が接続されて
いる。
【００２６】従って、側圧破断装置１０を用いた上記ボ
ンドウェーハ２の劈開は、図３に示すように、貼り合わ
せウェーハ１ａを圧力室１１に複数枚積層し、両面から
押当板１６を当て、さらに蓋体１３で押圧し、気密保持
用のＯリング１４により圧力室１１の気密を保つ。
ンドウェーハ２の劈開は、図３に示すように、貼り合わ
せウェーハ１ａを圧力室１１に複数枚積層し、両面から
押当板１６を当て、さらに蓋体１３で押圧し、気密保持
用のＯリング１４により圧力室１１の気密を保つ。
【００２７】しかる後、油圧ポンプ１５を作動させ、高
圧、例えば１０００ｋｇ／ｃｍ２以上の圧力油を圧力室
１１に送り、貼り合わせウェーハ１ａの外周面から圧力
油により圧縮力を与える。なお、圧縮力は必ずしも外周
面全体にかける必要はなく、圧力板などにより複数箇所
からかけてもよい。
圧、例えば１０００ｋｇ／ｃｍ２以上の圧力油を圧力室
１１に送り、貼り合わせウェーハ１ａの外周面から圧力
油により圧縮力を与える。なお、圧縮力は必ずしも外周
面全体にかける必要はなく、圧力板などにより複数箇所
からかけてもよい。
【００２８】一般に材料によっては、材料に機械的な力
によって、常に簡単な有理数を持つ平滑な平面が平行に
分離する結晶の性質を有し、特に切欠部が存在する材料
では切欠部の存在によって材料の変形は局所的に拘束さ
れ、局所応力が上昇し、劈開が生じ易くなる。
によって、常に簡単な有理数を持つ平滑な平面が平行に
分離する結晶の性質を有し、特に切欠部が存在する材料
では切欠部の存在によって材料の変形は局所的に拘束さ
れ、局所応力が上昇し、劈開が生じ易くなる。
【００２９】従って、圧縮力（機械的な力）を与えられ
た貼り合わせウェーハ１ａのボンドウェーハ２は、ボン
ドウェーハ２の外周面に形成された溝２ｃから結晶面
（１００）に沿って劈開し、厚さ１０μｍのＳＯＩ層２
ｓを有する２枚のＳＯＩウェーハ１ｂが得られる。この
とき、溝２ｃはボンドウェーハ２の外周面にリング形状
に形成されているので、溝２ｃから複数箇所同時に劈開
を発生させ、正確な厚さのＳＯＩ層２ｓを得ることがで
きる。
た貼り合わせウェーハ１ａのボンドウェーハ２は、ボン
ドウェーハ２の外周面に形成された溝２ｃから結晶面
（１００）に沿って劈開し、厚さ１０μｍのＳＯＩ層２
ｓを有する２枚のＳＯＩウェーハ１ｂが得られる。この
とき、溝２ｃはボンドウェーハ２の外周面にリング形状
に形成されているので、溝２ｃから複数箇所同時に劈開
を発生させ、正確な厚さのＳＯＩ層２ｓを得ることがで
きる。
【００３０】さらに、ＳＯＩウェーハ１ｂのＳＯＩ層２
ｓ面を研磨して、ＳＯＩ層２ｓの厚さが２μｍのＳＯＩ
ウェーハ１を２枚製造する（Ｐ６）。
ｓ面を研磨して、ＳＯＩ層２ｓの厚さが２μｍのＳＯＩ
ウェーハ１を２枚製造する（Ｐ６）。
【００３１】溝２ｃの位置を変えることにより、ＳＯＩ
層の厚さを変えることができ、例えば２〜５０μｍまで
のＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを製造することがで
きる。
層の厚さを変えることができ、例えば２〜５０μｍまで
のＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを製造することがで
きる。
【００３２】上記ＳＯＩウェーハ１の製造工程におい
て、従来の製造方法が相当の厚さを有するボンドウェー
ハを極めて薄いＳＯＩ層にするのに、研削、研磨等の表
面加工により、ボンドウェーハの大部分を除去している
ため、材料ロスが大きく、不経済であり、また、表面加
工に長時間を要し、生産性も低下するのに比べ、結晶の
劈開を利用してボンドウェーハ２を一気に薄いＳＯＩ層
２ｓを形成し、しかる後研磨して、ＳＯＩウェーハ１を
製造するので、材料ロスもなく、経済的であり、製造時
間も短縮できて生産性の向上も図れる。さらに、ボンド
ウェーハ２の両表面に単結晶ウェーハ３が接着された３
層の貼り合わせウェーハ１ａを用いる場合には、片面に
のみボンドウェーハ２が接着された２層の貼り合わせウ
ェーハを用いた場合に比べてさらに材料ロスをなくし、
製造時間を短縮できる。
て、従来の製造方法が相当の厚さを有するボンドウェー
ハを極めて薄いＳＯＩ層にするのに、研削、研磨等の表
面加工により、ボンドウェーハの大部分を除去している
ため、材料ロスが大きく、不経済であり、また、表面加
工に長時間を要し、生産性も低下するのに比べ、結晶の
劈開を利用してボンドウェーハ２を一気に薄いＳＯＩ層
２ｓを形成し、しかる後研磨して、ＳＯＩウェーハ１を
製造するので、材料ロスもなく、経済的であり、製造時
間も短縮できて生産性の向上も図れる。さらに、ボンド
ウェーハ２の両表面に単結晶ウェーハ３が接着された３
層の貼り合わせウェーハ１ａを用いる場合には、片面に
のみボンドウェーハ２が接着された２層の貼り合わせウ
ェーハを用いた場合に比べてさらに材料ロスをなくし、
製造時間を短縮できる。
【００３３】また、ＳＯＩ層２ｓ製造後に発生するボン
ドウェーハ２の薄い円板形状の残部は、単結晶製造時の
原料として再利用することができる。
ドウェーハ２の薄い円板形状の残部は、単結晶製造時の
原料として再利用することができる。
【００３４】次に本発明に係わるウェーハの製造方法の
第２実施形態について説明する。
第２実施形態について説明する。
【００３５】第２実施形態のウェーハの製造方法は、従
来と同様にワイヤソーによるスライス直前のシリコン単
結晶インゴットを準備し、〈１００〉方向に外周にウェ
ーハの厚みごとにできるだけうすい切り込み（ノッチ）
を入れた後、外周面を２方向以上の周方向から押圧す
る。単結晶インゴットは、劈開によりウェーハ状にな
る。さらにこれを数μｍなめる程度、表面を研磨すれ
ば、従来と同様にシリコンウェーハが得られる。
来と同様にワイヤソーによるスライス直前のシリコン単
結晶インゴットを準備し、〈１００〉方向に外周にウェ
ーハの厚みごとにできるだけうすい切り込み（ノッチ）
を入れた後、外周面を２方向以上の周方向から押圧す
る。単結晶インゴットは、劈開によりウェーハ状にな
る。さらにこれを数μｍなめる程度、表面を研磨すれ
ば、従来と同様にシリコンウェーハが得られる。
【００３６】この第２実施形態のシリコンの製造方法に
おいて、スライスを経ず、研磨工程もごく短時間である
ので、シリコン単結晶インゴットの多くを切屑として除
去する必要がなくて、材料ロスがなく、経済的であり、
さらに、破断、表面加工に時間を要しないので、生産性
も向上する。
おいて、スライスを経ず、研磨工程もごく短時間である
ので、シリコン単結晶インゴットの多くを切屑として除
去する必要がなくて、材料ロスがなく、経済的であり、
さらに、破断、表面加工に時間を要しないので、生産性
も向上する。
【００３７】
【発明の効果】本発明に係わるＳＯＩウェーハの製造方
法によれば、シリコン単結晶インゴットまたはウェーハ
の除去量が少なく、材料ロスをなくし、また、スライ
ス、表面加工に長時間を要せず、経済的で、生産性が高
いウェーハの製造方法を提供することができる。
法によれば、シリコン単結晶インゴットまたはウェーハ
の除去量が少なく、材料ロスをなくし、また、スライ
ス、表面加工に長時間を要せず、経済的で、生産性が高
いウェーハの製造方法を提供することができる。
【００３８】すなわち、表面から所定の位置の外周面に
切欠部を形成したボンドウェーハと単結晶ウェーハを接
着して貼り合わせウェーハを製造し、この貼り合わせウ
ェーハの外周面から圧力をかけ、ボンドウェーハを切欠
部から結晶面に沿って劈開させてウェーハを製造するの
で、結晶の劈開を利用してボンドウェーハから一気に薄
いＳＯＩ層を形成することが可能であり、研削、研磨等
の表面加工による材料ロスもなく、経済的であり、製造
時間が短縮できて生産性の向上が図れる。
切欠部を形成したボンドウェーハと単結晶ウェーハを接
着して貼り合わせウェーハを製造し、この貼り合わせウ
ェーハの外周面から圧力をかけ、ボンドウェーハを切欠
部から結晶面に沿って劈開させてウェーハを製造するの
で、結晶の劈開を利用してボンドウェーハから一気に薄
いＳＯＩ層を形成することが可能であり、研削、研磨等
の表面加工による材料ロスもなく、経済的であり、製造
時間が短縮できて生産性の向上が図れる。
【００３９】また、ボンドウェーハは、ボンドウェーハ
の両表面から所定の位置の外周面に２個の切欠部が形成
され、かつ、両表面には単結晶ウェーハが接着され３層
の貼り合わせウェーハが形成されるので、１枚のボンド
ウェーハを用いて２枚のＳＯＩウェーハを製造すること
ができるので、さらに材料ロスをなくし、製造時間を短
縮できる。
の両表面から所定の位置の外周面に２個の切欠部が形成
され、かつ、両表面には単結晶ウェーハが接着され３層
の貼り合わせウェーハが形成されるので、１枚のボンド
ウェーハを用いて２枚のＳＯＩウェーハを製造すること
ができるので、さらに材料ロスをなくし、製造時間を短
縮できる。
【００４０】また、貼り合わせウェーハは、高圧容器内
に積層され、貼り合わせウェーハの外周面から高圧がか
けられるので、容易にボンドウェーハの所定の位置に劈
開を発生させることができ、所定厚さのＳＯＩ層を得る
ことができる。
に積層され、貼り合わせウェーハの外周面から高圧がか
けられるので、容易にボンドウェーハの所定の位置に劈
開を発生させることができ、所定厚さのＳＯＩ層を得る
ことができる。
【００４１】また、切欠部は、ボンドウェーハの外周面
に形成されたリング形状の溝であるので、溝から複数箇
所同時に劈開を発生させ、正確な厚さのＳＯＩ層を得る
ことができる。
に形成されたリング形状の溝であるので、溝から複数箇
所同時に劈開を発生させ、正確な厚さのＳＯＩ層を得る
ことができる。
【００４２】また、〈１００〉方向に引き上げられたシ
リコン単結晶インゴットの外周面を研磨した後、その外
周面に軸方向にウェーハの厚みごとに等間隔にノッチを
入れた後、該インゴットの外周面に周方向から加圧し、
劈開により、ウェーハを製造するので、シリコン単結晶
インゴットの多くを切屑として除去する必要がなくて、
材料ロスがなく、経済的であり、さらに、破断、表面加
工に時間を要しないので、生産性も向上する。
リコン単結晶インゴットの外周面を研磨した後、その外
周面に軸方向にウェーハの厚みごとに等間隔にノッチを
入れた後、該インゴットの外周面に周方向から加圧し、
劈開により、ウェーハを製造するので、シリコン単結晶
インゴットの多くを切屑として除去する必要がなくて、
材料ロスがなく、経済的であり、さらに、破断、表面加
工に時間を要しないので、生産性も向上する。
【図１】本発明に係わるウェーハの製造方法の第１実施
形態を実施するための製造プロセス図。
形態を実施するための製造プロセス図。
【図２】本発明に係わるウェーハの製造方法の第１実施
形態に用いられるシリコン単結晶の概念図。
形態に用いられるシリコン単結晶の概念図。
【図３】本発明に係わるウェーハの製造方法に用いられ
る側圧破断装置の断面図。
る側圧破断装置の断面図。
【図４】従来のＳＯＩウェーハの製造方法における製造
プロセス図。
プロセス図。
１ ＳＯＩウェーハ１ １ａ 貼り合わせウェーハ ２ ボンドウェーハ ２ｃ 溝 ２ｍ 酸化膜 ２ｓ ＳＯＩ層 ３ ベースウェーハ １０ 側圧破断装置 １１ 圧力室 １２ 容器本体 １３ 蓋体 １４ Ｏリング １５ 油圧ポンプ １６ 押当板
Claims (5)
- 【請求項１】 複数枚の半導体単結晶ウェーハを用意
し、１枚の単結晶ウェーハの表面に酸化膜を形成してボ
ンドウェーハを製造する工程と、ボンドウェーハの表面
から所定の位置の外周面に切欠部を形成する工程と、ボ
ンドウェーハと単結晶ウェーハを接着して貼り合わせウ
ェーハを製造する工程と、貼り合わせウェーハの外周面
から圧力をかけ、ボンドウェーハを切欠部から結晶面に
沿って劈開させてＳＯＩウェーハを製造する工程と、Ｓ
ＯＩウェーハのＳＯＩ層面を研磨する工程とを有するこ
とを特徴とするウェーハの製造方法。 - 【請求項２】 上記ボンドウェーハは、ボンドウェーハ
の両表面から所定の位置の外周面に２個の切欠部が形成
され、かつ、両表面には単結晶ウェーハが接着され３層
の貼り合わせウェーハが形成されることを特徴とする請
求項１に記載のウェーハの製造方法。 - 【請求項３】 上記貼り合わせウェーハは、高圧容器内
に積層され、貼り合わせウェーハの外周面から高圧がか
けられることを特徴とする請求項１または２に記載のウ
ェーハの製造方法。 - 【請求項４】 上記切欠部は、ボンドウェーハの外周面
に形成されたリング形状の溝であることを特徴とする請
求項１ないし３のいずれか１項に記載のウェーハの製造
方法。 - 【請求項５】 〈１００〉方向に引き上げられたシリコ
ン単結晶インゴットの外周面を研磨した後、その外周面
に軸方向にウェーハの厚みごとに等間隔にノッチを入れ
た後、該インゴットの外周面に周方向から加圧し、劈開
により、ウェーハを製造することを特徴とするウェーハ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000227224A JP2002043552A (ja) | 2000-07-27 | 2000-07-27 | ウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000227224A JP2002043552A (ja) | 2000-07-27 | 2000-07-27 | ウェーハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002043552A true JP2002043552A (ja) | 2002-02-08 |
Family
ID=18720709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000227224A Pending JP2002043552A (ja) | 2000-07-27 | 2000-07-27 | ウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002043552A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005533396A (ja) * | 2002-07-17 | 2005-11-04 | エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ | 特に光学、電子工学、または光電子工学における基板を製造する方法 |
| CN102543691A (zh) * | 2012-03-16 | 2012-07-04 | 上海新储集成电路有限公司 | 一种绝缘体上硅材料的制备方法 |
| JP2018145091A (ja) * | 2016-03-25 | 2018-09-20 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物結晶製造方法及びｒａｍｏ４基板 |
-
2000
- 2000-07-27 JP JP2000227224A patent/JP2002043552A/ja active Pending
Cited By (4)
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| JP4708185B2 (ja) * | 2002-07-17 | 2011-06-22 | エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ | 特に光学、電子工学、または光電子工学における基板を製造する方法 |
| CN102543691A (zh) * | 2012-03-16 | 2012-07-04 | 上海新储集成电路有限公司 | 一种绝缘体上硅材料的制备方法 |
| JP2018145091A (ja) * | 2016-03-25 | 2018-09-20 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物結晶製造方法及びｒａｍｏ４基板 |
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