JP2002033300A - フォトレジスト膜除去方法及び装置 - Google Patents
フォトレジスト膜除去方法及び装置Info
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Treatment Of Water By Oxidation Or Reduction (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトレジスト膜を短時間で剥離する。
【解決手続】 フォトレジスト膜剥離用オゾン水製造装
置は、濃度２３０ｇ／Ｎｍ3 程度のオゾンを発生させる
オゾン発生装置１、これを８００ｇ／Ｎｍ3 程度に高濃
度化するオゾン高濃度化装置２、純水供給系３、この系
に設けられオゾン水を４５℃程度に加熱する加熱器４、
超純水中にオゾンを５０ｐｐｍ程度の高濃度で溶解させ
るオゾン溶解モジュール５、等で構成されている。 【効果】例えばリンイオン打ち込み環境に曝されたよう
な難剥離性のフォトレジスト膜であっても１０分以内の
短時間で剥離処理することができる。
置は、濃度２３０ｇ／Ｎｍ3 程度のオゾンを発生させる
オゾン発生装置１、これを８００ｇ／Ｎｍ3 程度に高濃
度化するオゾン高濃度化装置２、純水供給系３、この系
に設けられオゾン水を４５℃程度に加熱する加熱器４、
超純水中にオゾンを５０ｐｐｍ程度の高濃度で溶解させ
るオゾン溶解モジュール５、等で構成されている。 【効果】例えばリンイオン打ち込み環境に曝されたよう
な難剥離性のフォトレジスト膜であっても１０分以内の
短時間で剥離処理することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、オゾンを含有した
純水をフォトレジスト膜の残留している基板と接触させ
てフォトレジスト膜を除去するフォトレジスト膜除去方
法及びこの方法を実施するための装置に関し、例えばシ
リコンウエハや化合物半導体のＩＣ、フラットパネルデ
ィスプレーのような半導体等の電子部品の微細加工を行
う工程においてフォトレジスト膜を剥離する工程部分に
好都合に利用される。
純水をフォトレジスト膜の残留している基板と接触させ
てフォトレジスト膜を除去するフォトレジスト膜除去方
法及びこの方法を実施するための装置に関し、例えばシ
リコンウエハや化合物半導体のＩＣ、フラットパネルデ
ィスプレーのような半導体等の電子部品の微細加工を行
う工程においてフォトレジスト膜を剥離する工程部分に
好都合に利用される。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体部品等の製造過程で形成さ
れるフォトレジスト膜を剥離するめには、硫酸及び過酸
化水素からなる薬品を使用したり有機溶剤を使用して処
理する方法が一般的であった。これに対して、取り扱い
の難しい薬品に代えてオゾン水を使用した革新的方法及
び装置が提案されている（特表平９−５０１０１７号公
報参照）。
れるフォトレジスト膜を剥離するめには、硫酸及び過酸
化水素からなる薬品を使用したり有機溶剤を使用して処
理する方法が一般的であった。これに対して、取り扱い
の難しい薬品に代えてオゾン水を使用した革新的方法及
び装置が提案されている（特表平９−５０１０１７号公
報参照）。
【０００３】この方法及び装置は、容器内に剥離される
べきフォトレジスト膜の付着した多数枚のウエハを並設
し、容器内の脱イオン水を冷却器で５〜９℃の温度に冷
却しつつ循環させると共に、オゾン発生器でオゾンを発
生させて容器内に供給し、ＰＴＦＥ等から成り２５〜４
０μｍ程度の大きさの多孔を有するガス透過性部材を備
えたガスディフューザーを容器内に設け、この膜にオゾ
ンを通すことによってオゾンを微細化し、これを容器内
の脱イオン水中に拡散させ、低温による飽和溶解度上昇
効果と小気泡オゾンの拡散効果とによって脱イオン水中
の溶存オゾン濃度を高くし、高濃度に溶解したオゾン水
によってフォトレジスト膜を剥離しようとするものであ
る。
べきフォトレジスト膜の付着した多数枚のウエハを並設
し、容器内の脱イオン水を冷却器で５〜９℃の温度に冷
却しつつ循環させると共に、オゾン発生器でオゾンを発
生させて容器内に供給し、ＰＴＦＥ等から成り２５〜４
０μｍ程度の大きさの多孔を有するガス透過性部材を備
えたガスディフューザーを容器内に設け、この膜にオゾ
ンを通すことによってオゾンを微細化し、これを容器内
の脱イオン水中に拡散させ、低温による飽和溶解度上昇
効果と小気泡オゾンの拡散効果とによって脱イオン水中
の溶存オゾン濃度を高くし、高濃度に溶解したオゾン水
によってフォトレジスト膜を剥離しようとするものであ
る。
【０００４】又この装置では、レジストストリップ時に
０．５ｇｐｍ（約２Ｌ／mim ）という低流量で冷却脱イ
オン水の連続流れを提供するようにしている。この流量
は、仮にピッチ５ｍｍで８インチのウエハが２５枚入れ
られているとすれば、レジスト面に対する脱イオン水の
流速が０．００１ｍ／sec 程度になる流量である。即
ち、従来の数％乃至数１０％という濃度の薬品処理時の
０又は低流速処理時の低流速に相当する程度の流速であ
る。
０．５ｇｐｍ（約２Ｌ／mim ）という低流量で冷却脱イ
オン水の連続流れを提供するようにしている。この流量
は、仮にピッチ５ｍｍで８インチのウエハが２５枚入れ
られているとすれば、レジスト面に対する脱イオン水の
流速が０．００１ｍ／sec 程度になる流量である。即
ち、従来の数％乃至数１０％という濃度の薬品処理時の
０又は低流速処理時の低流速に相当する程度の流速であ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな装置では、純水中の溶存オゾン濃度を上げられると
しても、オゾン水の温度を低くするため、酸化反応が緩
慢でフォトレジスト膜の剥離速度が遅いという問題があ
る。そこで本発明は、従来技術に於ける上記問題を解決
し、半導体製品製造工程において実用可能な程度に短時
間でフォトレジスト膜を剥離できるフォトレジスト膜除
去方法及びこの方法の実施に有効な装置を提供すること
を課題とする。
うな装置では、純水中の溶存オゾン濃度を上げられると
しても、オゾン水の温度を低くするため、酸化反応が緩
慢でフォトレジスト膜の剥離速度が遅いという問題があ
る。そこで本発明は、従来技術に於ける上記問題を解決
し、半導体製品製造工程において実用可能な程度に短時
間でフォトレジスト膜を剥離できるフォトレジスト膜除
去方法及びこの方法の実施に有効な装置を提供すること
を課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、請求項１の発明は、オゾン含有純水をフォ
トレジスト膜の残留している基板と接触させて前記フォ
トレジスト膜を除去するフォトレジスト膜除去方法にお
いて、前記オゾン含有純水をほぼ２２℃以上の温度とほ
ぼ３０ｐｐｍ以上の溶存オゾン濃度とを含む条件にする
ことを特徴とする。
するために、請求項１の発明は、オゾン含有純水をフォ
トレジスト膜の残留している基板と接触させて前記フォ
トレジスト膜を除去するフォトレジスト膜除去方法にお
いて、前記オゾン含有純水をほぼ２２℃以上の温度とほ
ぼ３０ｐｐｍ以上の溶存オゾン濃度とを含む条件にする
ことを特徴とする。
【０００７】請求項２の発明は、フォトレジスト膜を除
去するために前記フォトレジスト膜の残留している基板
と接触されるオゾン含有純水を純水中にオゾンを溶解さ
せて製造するオゾン含有純水製造装置において、前記オ
ゾンとして固体高分子電解質膜を備えた電解式オゾン発
生装置の発生させるオゾン濃度以上の濃度のオゾンを供
給するオゾン供給装置と、前記純水を供給する純水供給
系と、前記純水又は前記オゾン含有純水のうちの少なく
とも何れかを加熱する加熱器と、を有することを特徴と
する。
去するために前記フォトレジスト膜の残留している基板
と接触されるオゾン含有純水を純水中にオゾンを溶解さ
せて製造するオゾン含有純水製造装置において、前記オ
ゾンとして固体高分子電解質膜を備えた電解式オゾン発
生装置の発生させるオゾン濃度以上の濃度のオゾンを供
給するオゾン供給装置と、前記純水を供給する純水供給
系と、前記純水又は前記オゾン含有純水のうちの少なく
とも何れかを加熱する加熱器と、を有することを特徴と
する。
【０００８】請求項３の発明は、上記に加えて、前記オ
ゾン供給装置はオゾンを発生させるオゾン発生装置と発
生させたオゾンを高濃度化して前記オゾン溶解装置に供
給するオゾン高濃度化装置とで構成されていることを特
徴とする。
ゾン供給装置はオゾンを発生させるオゾン発生装置と発
生させたオゾンを高濃度化して前記オゾン溶解装置に供
給するオゾン高濃度化装置とで構成されていることを特
徴とする。
【０００９】請求項４の発明は、オゾン含有純水をフォ
トレジスト膜の残留している基板と接触させて前記フォ
トレジスト膜を除去するためのオゾン水接触装置におい
て、前記基板が複数枚並列して支持されるように設けら
れた支持部と前記オゾン含有水が前記並列方向に前記基
板を通過するように設けられた供給口及び排出口と通過
する前記オゾン含有純水の自由表面を閉鎖するように設
けられた天井部と該天井部から外部に導通するように設
けられた開口と前記排出口から前記供給口に前記オゾン
含有水を流すように設けられた循環系と前記天井部まで
前記オゾン含有純水を充満させるように設けられたオゾ
ン含有純水補給系とを有することを特徴とする。
トレジスト膜の残留している基板と接触させて前記フォ
トレジスト膜を除去するためのオゾン水接触装置におい
て、前記基板が複数枚並列して支持されるように設けら
れた支持部と前記オゾン含有水が前記並列方向に前記基
板を通過するように設けられた供給口及び排出口と通過
する前記オゾン含有純水の自由表面を閉鎖するように設
けられた天井部と該天井部から外部に導通するように設
けられた開口と前記排出口から前記供給口に前記オゾン
含有水を流すように設けられた循環系と前記天井部まで
前記オゾン含有純水を充満させるように設けられたオゾ
ン含有純水補給系とを有することを特徴とする。
【００１０】請求項５の発明は、オゾン含有純水をフォ
トレジスト膜の残留している基板と接触させて前記フォ
トレジスト膜を除去するためのオゾン水接触装置におい
て、前記基板が前記フォトレジスト膜の形成された膜面
を上面にして置かれる支持部と前記膜面と対向するよう
に間隙を持って配置された覆い部と前記膜面に前記オゾ
ン含有純水を流すように設けられたオゾン含有純水供給
部とを有することを特徴とする。
トレジスト膜の残留している基板と接触させて前記フォ
トレジスト膜を除去するためのオゾン水接触装置におい
て、前記基板が前記フォトレジスト膜の形成された膜面
を上面にして置かれる支持部と前記膜面と対向するよう
に間隙を持って配置された覆い部と前記膜面に前記オゾ
ン含有純水を流すように設けられたオゾン含有純水供給
部とを有することを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は本発明を適用したフォトレ
ジスト膜除去方法の構成例を示す。フォトレジスト膜除
去方法は、オゾンを純水に溶解させて製造されるオゾン
含有純水であるオゾン水を、フォトレジスト膜を用いて
加工されフォトレジスト膜の残留している例えば半導体
ウエハのような電子部品等の基板１００と接触させ、前
記フォトレジスト膜を除去する方法であり、オゾン水を
ほぼ２２℃以上の温度にする加熱工程Ａ１、加熱された
オゾン水をほぼ３０ｐｐｍ以上の溶存オゾン濃度にする
オゾン溶解工程Ａ２、等で構成されている。この場合、
加熱工程Ａ１とオゾン溶解工程Ａ２とは何れの工程が前
であってもよい。
ジスト膜除去方法の構成例を示す。フォトレジスト膜除
去方法は、オゾンを純水に溶解させて製造されるオゾン
含有純水であるオゾン水を、フォトレジスト膜を用いて
加工されフォトレジスト膜の残留している例えば半導体
ウエハのような電子部品等の基板１００と接触させ、前
記フォトレジスト膜を除去する方法であり、オゾン水を
ほぼ２２℃以上の温度にする加熱工程Ａ１、加熱された
オゾン水をほぼ３０ｐｐｍ以上の溶存オゾン濃度にする
オゾン溶解工程Ａ２、等で構成されている。この場合、
加熱工程Ａ１とオゾン溶解工程Ａ２とは何れの工程が前
であってもよい。
【００１２】符号Ｂ１乃至Ｂ４はそれぞれ、純水である
本例では超純水を供給する超純水供給工程、オゾン溶解
工程Ａ２を実施するために高濃度にオゾンを含有するオ
ゾンガスを発生させるオゾンガス製造工程、必要によっ
て設けられオゾンガスを超高濃度化させるオゾンガス濃
縮工程、及びオゾン水を適当な流速で基板１００に接触
させるオゾン水接触工程である。
本例では超純水を供給する超純水供給工程、オゾン溶解
工程Ａ２を実施するために高濃度にオゾンを含有するオ
ゾンガスを発生させるオゾンガス製造工程、必要によっ
て設けられオゾンガスを超高濃度化させるオゾンガス濃
縮工程、及びオゾン水を適当な流速で基板１００に接触
させるオゾン水接触工程である。
【００１３】（ａ）の加熱工程Ａ１では、オゾン水を製
造するための超純水が供給される系統に加熱器を設けて
超純水を加熱することにより、供給するオゾン水を加熱
するようにしている。但し、オゾン水を２２℃程度の低
い側の温度に加熱する場合において、超純水を製造する
装置自体に加熱器が設けられていて、超純水を製造する
ための原料水の温度が低いときにその加熱器によって加
熱されて２２℃程度の超純水が供給されるときには、超
純水供給系に別に加熱器を設けてこれによってオゾン水
を再加熱する必要はない。
造するための超純水が供給される系統に加熱器を設けて
超純水を加熱することにより、供給するオゾン水を加熱
するようにしている。但し、オゾン水を２２℃程度の低
い側の温度に加熱する場合において、超純水を製造する
装置自体に加熱器が設けられていて、超純水を製造する
ための原料水の温度が低いときにその加熱器によって加
熱されて２２℃程度の超純水が供給されるときには、超
純水供給系に別に加熱器を設けてこれによってオゾン水
を再加熱する必要はない。
【００１４】図２は本発明を適用したフォトレジスト膜
除去用オゾン水製造装置の全体構成の一例を示す。本装
置は、上記フォトレジスト膜除去方法に好都合に適用さ
れる装置であり、オゾン供給装置としてのオゾン発生装
置１及びオゾン高濃度化装置２、純水供給系３、加熱器
４、オゾンを溶解させるために設けられたオゾン溶解装
置であるオゾン溶解モジュール５、等によって構成され
ている。オゾン供給装置は固体高分子電解質膜を備えた
電解式オゾン発生装置の発生させるオゾン濃度以上の濃
度のオゾンを供給するが、本例では上記の如く、オゾン
発生装置１とオゾン高濃度化装置２とで構成されてい
る。
除去用オゾン水製造装置の全体構成の一例を示す。本装
置は、上記フォトレジスト膜除去方法に好都合に適用さ
れる装置であり、オゾン供給装置としてのオゾン発生装
置１及びオゾン高濃度化装置２、純水供給系３、加熱器
４、オゾンを溶解させるために設けられたオゾン溶解装
置であるオゾン溶解モジュール５、等によって構成され
ている。オゾン供給装置は固体高分子電解質膜を備えた
電解式オゾン発生装置の発生させるオゾン濃度以上の濃
度のオゾンを供給するが、本例では上記の如く、オゾン
発生装置１とオゾン高濃度化装置２とで構成されてい
る。
【００１５】オゾン発生装置１は、図３に示す如く、陽
極板１１及び陰極板１２間に陽極１３及び陰極１４並び
にそれらの間に固体高分子電解質膜１５を設けて形成さ
れている。この装置では、開口１６から原料水として純
水が供給され、その一部分が酸素、水素及びオゾンに電
気分解され、陽極側の開口１７から酸素及びオゾンが取
り出され、陰極側の開口１８から水素が取り出される。
符号１９及び２０は純水循環系及び気液分離タンクであ
る。陽極側から発生するオゾン含有ガスは、高純度のオ
ゾンを２００〜２５０ｇ／Ｎｍ3 という高濃度で含んで
いる。
極板１１及び陰極板１２間に陽極１３及び陰極１４並び
にそれらの間に固体高分子電解質膜１５を設けて形成さ
れている。この装置では、開口１６から原料水として純
水が供給され、その一部分が酸素、水素及びオゾンに電
気分解され、陽極側の開口１７から酸素及びオゾンが取
り出され、陰極側の開口１８から水素が取り出される。
符号１９及び２０は純水循環系及び気液分離タンクであ
る。陽極側から発生するオゾン含有ガスは、高純度のオ
ゾンを２００〜２５０ｇ／Ｎｍ3 という高濃度で含んで
いる。
【００１６】なお、３５０〜４００ｇ／Ｎｍ3 という超
高濃度のオゾンを発生させる特殊構造の放電式オゾン発
生装置も最近開発されているが、このような装置を使用
するようにしてもよい。剥離されるべきフォトレジスト
膜の種類等によっては、オゾン発生装置で発生させたオ
ゾンを更に高濃度化させるオゾン高濃度化装置２を省略
した構成にすることができるが、上記のような超高濃度
オゾンを発生させる装置であれば、そのような構成が一
層容易になる。
高濃度のオゾンを発生させる特殊構造の放電式オゾン発
生装置も最近開発されているが、このような装置を使用
するようにしてもよい。剥離されるべきフォトレジスト
膜の種類等によっては、オゾン発生装置で発生させたオ
ゾンを更に高濃度化させるオゾン高濃度化装置２を省略
した構成にすることができるが、上記のような超高濃度
オゾンを発生させる装置であれば、そのような構成が一
層容易になる。
【００１７】オゾン高濃度化装置２は、オゾン発生装置
１で発生させたオゾンを高濃度化してオゾン溶解モジュ
ール５に供給する装置であり、本例では除湿器２０と第
１乃至第４の吸脱着槽２１〜２４とで構成されている。
吸脱着槽２１〜２４は、それぞれ冷却用の冷媒配管及び
加熱用の温水配管を備えていて、内部にシリカゲルが充
填されている通常の構造のものであり、シリカゲルを例
えば温度−２０℃と４０℃との間で交互に冷却−加熱を
繰り返すように構成されている。そして、４基の吸脱着
槽２１〜２４のそれぞれでは、冷却−加熱サイクルの位
相が１／４サイクル分だけずれるように運転設定されて
いる。なお、このような除湿器及び吸脱着装置に代え
て、オゾンを低温で液化させて濃縮するような装置も使
用可能である。
１で発生させたオゾンを高濃度化してオゾン溶解モジュ
ール５に供給する装置であり、本例では除湿器２０と第
１乃至第４の吸脱着槽２１〜２４とで構成されている。
吸脱着槽２１〜２４は、それぞれ冷却用の冷媒配管及び
加熱用の温水配管を備えていて、内部にシリカゲルが充
填されている通常の構造のものであり、シリカゲルを例
えば温度−２０℃と４０℃との間で交互に冷却−加熱を
繰り返すように構成されている。そして、４基の吸脱着
槽２１〜２４のそれぞれでは、冷却−加熱サイクルの位
相が１／４サイクル分だけずれるように運転設定されて
いる。なお、このような除湿器及び吸脱着装置に代え
て、オゾンを低温で液化させて濃縮するような装置も使
用可能である。
【００１８】純水供給系３には、通常、図示しない製造
装置で製造された常温の超純水が供給される。加熱器４
は、電熱式や温水又は蒸気加熱式等の適当な形式のもの
であり、所定の温度として、電子部品等に形成され剥離
処理されるべきフォトレジスト膜の剥離難易性等の性状
に応じて、純水である超純水を２２℃程度から４５〜５
０℃程度の温度に加熱する。
装置で製造された常温の超純水が供給される。加熱器４
は、電熱式や温水又は蒸気加熱式等の適当な形式のもの
であり、所定の温度として、電子部品等に形成され剥離
処理されるべきフォトレジスト膜の剥離難易性等の性状
に応じて、純水である超純水を２２℃程度から４５〜５
０℃程度の温度に加熱する。
【００１９】加熱器４は、純水又はオゾン水の何れかを
加熱すればよいが、本例では純水供給系３に加熱器４を
設けて、供給される超純水を加熱することにより、オゾ
ン溶解モジュール５を出た後のオゾン水を加熱された状
態にしている。このようにすれば、加熱器４に耐オゾン
性のある材料を使用する必要がなくなると共に、オゾン
溶解後の加熱によるオゾン気泡発生の可能性を防止する
ことができる。一方、加熱器４をオゾン溶解モジュール
５の後のオゾン水供給系に設ければ、使用先でのオゾン
水の温度をより正確に管理できると共に、溶存オゾン濃
度を飽和又は過飽和にしてより高い値にすることができ
る。この場合、加熱器４を、図４に示すオゾン水循環供
給系６６に設けるようにしてもよい。
加熱すればよいが、本例では純水供給系３に加熱器４を
設けて、供給される超純水を加熱することにより、オゾ
ン溶解モジュール５を出た後のオゾン水を加熱された状
態にしている。このようにすれば、加熱器４に耐オゾン
性のある材料を使用する必要がなくなると共に、オゾン
溶解後の加熱によるオゾン気泡発生の可能性を防止する
ことができる。一方、加熱器４をオゾン溶解モジュール
５の後のオゾン水供給系に設ければ、使用先でのオゾン
水の温度をより正確に管理できると共に、溶存オゾン濃
度を飽和又は過飽和にしてより高い値にすることができ
る。この場合、加熱器４を、図４に示すオゾン水循環供
給系６６に設けるようにしてもよい。
【００２０】なお、前記の如く、フォトレジスト膜の種
類によって２２℃程度に加熱すれば良い場合には、超純
水製造装置に設けられる加熱器を利用し、図２の加熱器
４を省略できる可能性がある。又、図示していないが温
度センサや温度制御器等を必要に応じて設けることがで
きる。
類によって２２℃程度に加熱すれば良い場合には、超純
水製造装置に設けられる加熱器を利用し、図２の加熱器
４を省略できる可能性がある。又、図示していないが温
度センサや温度制御器等を必要に応じて設けることがで
きる。
【００２１】オゾン溶解モジュール５は、ＰＴＦＥ等の
フッ素樹脂製の多孔質中空ファイバーから成る多孔性チ
ューブ５１を多本数備えていて、入口側の水室５２から
加熱器４で加熱された超純水が供給されると共に、オゾ
ン発生装置１で発生しオゾン高濃度化装置２で高濃度化
されたオゾンがオゾン入口５３から胴体５４内で多孔性
チューブ５１の外側に超純水と対向流になる状態で供給
され、このオゾンが多孔性チューブ５１を透過して超純
水中に溶解されるように構成されている通常の構造のも
のである。符号５５乃至５７は、出口の水室、オゾン出
口及び排オゾン分解器である。
フッ素樹脂製の多孔質中空ファイバーから成る多孔性チ
ューブ５１を多本数備えていて、入口側の水室５２から
加熱器４で加熱された超純水が供給されると共に、オゾ
ン発生装置１で発生しオゾン高濃度化装置２で高濃度化
されたオゾンがオゾン入口５３から胴体５４内で多孔性
チューブ５１の外側に超純水と対向流になる状態で供給
され、このオゾンが多孔性チューブ５１を透過して超純
水中に溶解されるように構成されている通常の構造のも
のである。符号５５乃至５７は、出口の水室、オゾン出
口及び排オゾン分解器である。
【００２２】この装置では、多孔性チューブ５１の多孔
は１μ程度の微小サイズになっていて、オゾンが超純水
中に拡散して気泡を含むことなく溶解していく。その結
果、オゾン溶解効率が極めて良い。この場合、オゾンの
溶解度を上げるために、通常、超純水を０．１〜０．２
ＭＰａ程度の圧力で流され、オゾン側の圧力も０．０５
〜０．１ＭＰａ程度まで上げられる。超純水に溶解しな
かった余剰オゾンはオゾン出口５６から排出され、二酸
化マンガン等のオゾン分解触媒を有する排オゾン分解器
５７によって分解処理される。
は１μ程度の微小サイズになっていて、オゾンが超純水
中に拡散して気泡を含むことなく溶解していく。その結
果、オゾン溶解効率が極めて良い。この場合、オゾンの
溶解度を上げるために、通常、超純水を０．１〜０．２
ＭＰａ程度の圧力で流され、オゾン側の圧力も０．０５
〜０．１ＭＰａ程度まで上げられる。超純水に溶解しな
かった余剰オゾンはオゾン出口５６から排出され、二酸
化マンガン等のオゾン分解触媒を有する排オゾン分解器
５７によって分解処理される。
【００２３】図４は本発明を適用したオゾン水接触装置
の概略構造の一例を示す。オゾン水接触装置である基板
平行配置式のオゾン水接触装置６は、オゾン水をフォト
レジスト膜の残留している基板１００と接触させてフォ
トレジスト膜を除去するための装置であり、槽本体６
１、基板１００が複数枚並列して支持されるように設け
られた支持部６２、オゾン水が基板１００の並列方向に
これらの間を通過するように設けられた供給口６３及び
排出口６４、通過するオゾン水の自由表面を閉鎖するよ
うに設けられ天井部６５、この部分から外部に導通する
ように槽本体６１の上端を部分的に切り欠いて形成され
た開口６６、排出口６４から供給口６３にオゾン水を流
すように設けられた循環系６７を構成する管系６７ａ及
び循環ポンプ６７ｂ、天井部６５までオゾン水を充満さ
せるように設けられたオゾン含有水供給系であるオゾン
水補給系６８、等で構成されている。符号６９はオゾン
水を平行層流化するための抵抗付与用の多孔板である。
の概略構造の一例を示す。オゾン水接触装置である基板
平行配置式のオゾン水接触装置６は、オゾン水をフォト
レジスト膜の残留している基板１００と接触させてフォ
トレジスト膜を除去するための装置であり、槽本体６
１、基板１００が複数枚並列して支持されるように設け
られた支持部６２、オゾン水が基板１００の並列方向に
これらの間を通過するように設けられた供給口６３及び
排出口６４、通過するオゾン水の自由表面を閉鎖するよ
うに設けられ天井部６５、この部分から外部に導通する
ように槽本体６１の上端を部分的に切り欠いて形成され
た開口６６、排出口６４から供給口６３にオゾン水を流
すように設けられた循環系６７を構成する管系６７ａ及
び循環ポンプ６７ｂ、天井部６５までオゾン水を充満さ
せるように設けられたオゾン含有水供給系であるオゾン
水補給系６８、等で構成されている。符号６９はオゾン
水を平行層流化するための抵抗付与用の多孔板である。
【００２４】支持部６２は、詳細図示を省略するが、例
えば２５枚並設された８インチウエハから成る基板１０
０の並設方向の両端であって図において紙面に直角方向
の両端に設けられた支持板６２ａ、両端を支持板６２ａ
で支持され中間にピッチ４．５ｍｍで設けられた基板保
持用の溝６２ｂを備えた２本の支持棒６２ｃ等で形成さ
れている。このような支持構造によれば、オゾン水の流
れを妨げる部分が最小になるため、基板のピッチ間にオ
ゾン水を効果的流すことができる。
えば２５枚並設された８インチウエハから成る基板１０
０の並設方向の両端であって図において紙面に直角方向
の両端に設けられた支持板６２ａ、両端を支持板６２ａ
で支持され中間にピッチ４．５ｍｍで設けられた基板保
持用の溝６２ｂを備えた２本の支持棒６２ｃ等で形成さ
れている。このような支持構造によれば、オゾン水の流
れを妨げる部分が最小になるため、基板のピッチ間にオ
ゾン水を効果的流すことができる。
【００２５】オゾン水循環供給系６７及び補給系６８
は、循環水と製造されたオゾン水から成る補給水とを供
給口６３から槽内に入れ、循環水量に相当する量を排出
口６４から排出して再循環させると共に、補給水量に相
当する量を開口６６からオーバーフローさせるようにし
ている。符号７０はオーバーフロー水を受けるトレイで
ある。
は、循環水と製造されたオゾン水から成る補給水とを供
給口６３から槽内に入れ、循環水量に相当する量を排出
口６４から排出して再循環させると共に、補給水量に相
当する量を開口６６からオーバーフローさせるようにし
ている。符号７０はオーバーフロー水を受けるトレイで
ある。
【００２６】図５は本発明を適用したオゾン水接触装置
の概略構造の他の例を示す。本例の基板平面配置式のオ
ゾン水接触装置７は、基板１００がフォトレジスト膜の
形成された膜面１００ａを上面にして置かれる支持部で
ある台板７１、膜面１００ａと対向するように０．５ｍ
ｍ程度の狭い間隙を持って配置された覆い部であるカバ
ー７２、基板１００のほぼ中心位置である中心Ｃから膜
面１００ａにオゾン水を流すようにカバー７２に設けら
れたオゾン水供給部である水路部７３、等で構成されて
いる。符号７４は基板１００の外周の外側部分に形成さ
れた排水溝で、符号７５は排水溝部分に等ピッチで多数
個形成された排水穴である。
の概略構造の他の例を示す。本例の基板平面配置式のオ
ゾン水接触装置７は、基板１００がフォトレジスト膜の
形成された膜面１００ａを上面にして置かれる支持部で
ある台板７１、膜面１００ａと対向するように０．５ｍ
ｍ程度の狭い間隙を持って配置された覆い部であるカバ
ー７２、基板１００のほぼ中心位置である中心Ｃから膜
面１００ａにオゾン水を流すようにカバー７２に設けら
れたオゾン水供給部である水路部７３、等で構成されて
いる。符号７４は基板１００の外周の外側部分に形成さ
れた排水溝で、符号７５は排水溝部分に等ピッチで多数
個形成された排水穴である。
【００２７】なお図５では、台板７１及びカバー７２が
１枚の基板を処理するように示しているが、１列状又は
面状に多数枚の基板を置けるような装置にして、多数枚
の基板を同時処理できるようにしてもよい。又、基板１
００がウエハのように円板状のものであれば、図５の如
く中心Ｃからオゾン水を流すのが良いが、ＬＣＤガラス
基板のように角形の場合には、その何れかの側面側から
オゾン水を流すようにしてもよい。
１枚の基板を処理するように示しているが、１列状又は
面状に多数枚の基板を置けるような装置にして、多数枚
の基板を同時処理できるようにしてもよい。又、基板１
００がウエハのように円板状のものであれば、図５の如
く中心Ｃからオゾン水を流すのが良いが、ＬＣＤガラス
基板のように角形の場合には、その何れかの側面側から
オゾン水を流すようにしてもよい。
【００２８】以上のようなフォトレジスト膜除去用オゾ
ン水製造装置は次のように運転され、このオゾン水及び
オゾン水接触装置を用いてフォトレジスト膜除去方法が
実施され、本発明の作用効果が発生する。
ン水製造装置は次のように運転され、このオゾン水及び
オゾン水接触装置を用いてフォトレジスト膜除去方法が
実施され、本発明の作用効果が発生する。
【００２９】超純水供給工程Ｂ１において常温で供給さ
れる超純水は、加熱工程Ａ１において加熱器４で例えば
４５℃に加熱され、オゾン溶解工程Ａ２においてオゾン
溶解モジュール５の入口側の水室５２に導入され、その
中の多孔性チューブ５１内を流れて出口側の水室５５か
ら送出される。
れる超純水は、加熱工程Ａ１において加熱器４で例えば
４５℃に加熱され、オゾン溶解工程Ａ２においてオゾン
溶解モジュール５の入口側の水室５２に導入され、その
中の多孔性チューブ５１内を流れて出口側の水室５５か
ら送出される。
【００３０】一方、オゾンガス製造工程Ｂ２において
は、オゾン発生装置１で２３０ｇ／Ｎｍ3 程度に高濃度
にオゾンを含んだオゾン含有ガスが発生し、このガスは
オゾンガス濃縮工程Ｂ３において、除湿器２０を通過す
るときに随伴している水蒸気分を除去されて乾燥し、吸
脱着槽２１〜２４に送られる。吸脱着槽２１〜２４で
は、それぞれの槽でほぼ等しく位相をずらして冷媒供給
及び温水供給が行われていて、槽内に充填されているシ
リカゲルは−２０℃に冷却されたり４０℃に加熱されて
いる。そして、オゾン含有ガス中のオゾンは、シリカゲ
ルが冷却され低温になっているときにこれに吸着され、
加熱されて温度が高くなっているときにシリカゲルから
脱着され、オゾンが濃縮されてオゾン含有ガス中のオゾ
ン濃度が８００ｇ／Ｎｍ3 又はこれより少し高い程度に
超高濃度化されて排出され、オゾン溶解モジュール５に
送られる。
は、オゾン発生装置１で２３０ｇ／Ｎｍ3 程度に高濃度
にオゾンを含んだオゾン含有ガスが発生し、このガスは
オゾンガス濃縮工程Ｂ３において、除湿器２０を通過す
るときに随伴している水蒸気分を除去されて乾燥し、吸
脱着槽２１〜２４に送られる。吸脱着槽２１〜２４で
は、それぞれの槽でほぼ等しく位相をずらして冷媒供給
及び温水供給が行われていて、槽内に充填されているシ
リカゲルは−２０℃に冷却されたり４０℃に加熱されて
いる。そして、オゾン含有ガス中のオゾンは、シリカゲ
ルが冷却され低温になっているときにこれに吸着され、
加熱されて温度が高くなっているときにシリカゲルから
脱着され、オゾンが濃縮されてオゾン含有ガス中のオゾ
ン濃度が８００ｇ／Ｎｍ3 又はこれより少し高い程度に
超高濃度化されて排出され、オゾン溶解モジュール５に
送られる。
【００３１】このようなオゾン含有ガスがオゾン溶解工
程Ａ２においてオゾン入口５３からオゾン溶解モジュー
ル５に導入されると、多数の多孔性チューブ５１の外側
の周囲からチューブ内を流れる超純水と対向流に流れ、
多孔性チューブ５１の１μ程度の微小孔から超純水側に
透過し、内部に拡散しつつ溶解する。従って、従来技術
で示されている２５〜４０μ程度の小孔を持つ膜状部材
からオゾンを気泡状に噴出される方法に較べて、オゾン
の溶解効率が格段に良くなる。その結果、独立に装備さ
れオゾン溶解効率の良いオゾン溶解モジュール５とオゾ
ン高濃度化装置２による超高濃度オゾン含有ガスの供給
との総合作用により、本来的にはオゾン溶解度の低い加
熱された超純水に対しても、５０ｐｐｍ程度の高濃度に
オゾンを溶解させたオゾン水を製造することができる。
程Ａ２においてオゾン入口５３からオゾン溶解モジュー
ル５に導入されると、多数の多孔性チューブ５１の外側
の周囲からチューブ内を流れる超純水と対向流に流れ、
多孔性チューブ５１の１μ程度の微小孔から超純水側に
透過し、内部に拡散しつつ溶解する。従って、従来技術
で示されている２５〜４０μ程度の小孔を持つ膜状部材
からオゾンを気泡状に噴出される方法に較べて、オゾン
の溶解効率が格段に良くなる。その結果、独立に装備さ
れオゾン溶解効率の良いオゾン溶解モジュール５とオゾ
ン高濃度化装置２による超高濃度オゾン含有ガスの供給
との総合作用により、本来的にはオゾン溶解度の低い加
熱された超純水に対しても、５０ｐｐｍ程度の高濃度に
オゾンを溶解させたオゾン水を製造することができる。
【００３２】このように加熱昇温され超高濃度にオゾン
を溶解した加熱高濃度オゾン水は、従来の薬品処理の薬
液の流速又は従来のオゾン処理のオゾン水の流速より格
段に速い流速である約０．０５ｍ／sec 以上の流速でオ
ゾン水を基板１００に接触させるオゾン水接触工程Ｂ４
に供給される。このオゾン水は、薬品処理時の薬品濃度
に較べると１／１００〜１／１０００の５０ｐｐｍとい
う低濃度であるが、高流速化によってオゾン分を連続し
て基板表面に供給するようにしているため、電子部品等
のフォトレジスト膜を表面から強力に酸化して剥離され
るようにこれを除去することができる。そして、例えば
イオン打ち込みの環境に曝されたような難剥離性フォト
レジスト膜であっても、実用可能な剥離速度で処理する
ことができる。即ち、通常１μ程度の厚みに形成されて
いるフォトレジスト膜を、０．１μｍ／分以上の速度で
剥離し、５〜１０分程度という実際の装置に採用可能な
時間で処理を終了することができる。
を溶解した加熱高濃度オゾン水は、従来の薬品処理の薬
液の流速又は従来のオゾン処理のオゾン水の流速より格
段に速い流速である約０．０５ｍ／sec 以上の流速でオ
ゾン水を基板１００に接触させるオゾン水接触工程Ｂ４
に供給される。このオゾン水は、薬品処理時の薬品濃度
に較べると１／１００〜１／１０００の５０ｐｐｍとい
う低濃度であるが、高流速化によってオゾン分を連続し
て基板表面に供給するようにしているため、電子部品等
のフォトレジスト膜を表面から強力に酸化して剥離され
るようにこれを除去することができる。そして、例えば
イオン打ち込みの環境に曝されたような難剥離性フォト
レジスト膜であっても、実用可能な剥離速度で処理する
ことができる。即ち、通常１μ程度の厚みに形成されて
いるフォトレジスト膜を、０．１μｍ／分以上の速度で
剥離し、５〜１０分程度という実際の装置に採用可能な
時間で処理を終了することができる。
【００３３】このようなオゾン水接触工程Ｂ４では、例
えば図４に示す如く、多数の基板１００を並設した槽本
体６１内に上記オゾン水を基板面に平行に０．０５ｍ／
sec程度以上で通常０．１ｍ／sec の適当な速度で５〜
１０分程度流し、一度に全基板のフォトレジスト膜を剥
離するバッチ処理を行う。この場合、加熱高濃度オゾン
水を供給すると共に、槽本体６１を介してオゾン水を循
環させることにより、その流速を上記の如く適当に速く
する。
えば図４に示す如く、多数の基板１００を並設した槽本
体６１内に上記オゾン水を基板面に平行に０．０５ｍ／
sec程度以上で通常０．１ｍ／sec の適当な速度で５〜
１０分程度流し、一度に全基板のフォトレジスト膜を剥
離するバッチ処理を行う。この場合、加熱高濃度オゾン
水を供給すると共に、槽本体６１を介してオゾン水を循
環させることにより、その流速を上記の如く適当に速く
する。
【００３４】又図４の装置では、補給オゾン水量に相当
する量の水を天井部６５に設けた開口６６からオーバー
フローさせ、槽本体内において天井部６５までオゾン水
を充満させることによってオゾン水の外気との接触を防
止するようにしているので、オゾン水の濃度維持性が良
い。その結果、フォトレジスト膜の剥離性を良くするこ
とができる。
する量の水を天井部６５に設けた開口６６からオーバー
フローさせ、槽本体内において天井部６５までオゾン水
を充満させることによってオゾン水の外気との接触を防
止するようにしているので、オゾン水の濃度維持性が良
い。その結果、フォトレジスト膜の剥離性を良くするこ
とができる。
【００３５】上記オゾン水接触工程Ｂ３では図５に示す
オゾン水接触装置７を使用することもできる。この装置
では、カバー７２を開けた状態で基板１００を台板７１
上に設置してカバー７２を閉じ、中心Ｃの水路部７３か
らオゾン水を圧送し、最も遅い基板外周部での流速が例
えばほぼ０．１ｍ／sec 程度の適当な流速になるよう
に、基板の膜面１００ａ上の０．５ｍｍ程度の狭い間隙
内に流し、排水溝７４及び排水穴７５を介して反応済み
のオゾン水を排出する。この処理では、基板１００を１
枚づつ順次枚葉処理することが多い。
オゾン水接触装置７を使用することもできる。この装置
では、カバー７２を開けた状態で基板１００を台板７１
上に設置してカバー７２を閉じ、中心Ｃの水路部７３か
らオゾン水を圧送し、最も遅い基板外周部での流速が例
えばほぼ０．１ｍ／sec 程度の適当な流速になるよう
に、基板の膜面１００ａ上の０．５ｍｍ程度の狭い間隙
内に流し、排水溝７４及び排水穴７５を介して反応済み
のオゾン水を排出する。この処理では、基板１００を１
枚づつ順次枚葉処理することが多い。
【００３６】図５のようなオゾン水接触装置によれば、
オゾン水の水量が一定であれば、膜面上の間隙によって
オゾン水の流速を定めることができる。この場合、この
ような間隙を十分狭く自由に定めることができるので、
例えば０．５ｍｍ程度の隙間にすることにより、少ない
オゾン水量で必要な剥離速度の得られる流速にすること
ができる。又、オゾン水が中心から放射状に流れるの
で、ウエハのように円形の基板では、オゾン水が無駄な
く基板面に作用することになる。更に、基板の外周部で
必要流速を維持するようにすれば、外周部から内側の中
心までの部分では流速が速くなるので、中心近傍の部分
では膜剥離速度が加速され、全体としてフォトレジスト
膜を速く剥離することができる。
オゾン水の水量が一定であれば、膜面上の間隙によって
オゾン水の流速を定めることができる。この場合、この
ような間隙を十分狭く自由に定めることができるので、
例えば０．５ｍｍ程度の隙間にすることにより、少ない
オゾン水量で必要な剥離速度の得られる流速にすること
ができる。又、オゾン水が中心から放射状に流れるの
で、ウエハのように円形の基板では、オゾン水が無駄な
く基板面に作用することになる。更に、基板の外周部で
必要流速を維持するようにすれば、外周部から内側の中
心までの部分では流速が速くなるので、中心近傍の部分
では膜剥離速度が加速され、全体としてフォトレジスト
膜を速く剥離することができる。
【００３７】ところで、電子部品等に形成されたフォト
レジスト膜の種類によっては、ある程度容易に剥離する
ものもあり、そのような製品に対しては、加熱温度、オ
ゾン発生装置で発生させるオゾン濃度、オゾン高濃度化
装置の採否等にある程度の選択性がある。この点につい
ては後述する。
レジスト膜の種類によっては、ある程度容易に剥離する
ものもあり、そのような製品に対しては、加熱温度、オ
ゾン発生装置で発生させるオゾン濃度、オゾン高濃度化
装置の採否等にある程度の選択性がある。この点につい
ては後述する。
【００３８】発明者等は、実施例及び比較例として、本
発明を適用した図１の方法、図２及び図４の装置並びに
図２の装置の加熱器４を冷却器として使用した装置によ
り、各種フォトレジスト膜を有する製品のサンプルを用
いて以下のような実験を行った。図４の装置では、基板
１００のフォトレジスト膜面に対するオゾン水の流速を
ほぼ０．１ｍ／sec とした。 〔使用したフォトレジスト膜〕特にサブミクロンの微細
加工に最適に利用されるポジ型ノボララック系のフォト
レジスト膜をシリコンウエハの基板上に塗布後、 Ｃ−１６０℃で２０分間焼成したもの Ｂ−更にフッ素系ガスにより400 Ｗで20分間プラズマエ
ッチングしたもの Ａ−同様に焼成しリンイオンを打ち込み強度として１ｃ
ｍ2 当たりの原子数を１０の１４乗したもの Ｅ−１２０℃で２０分間焼成したもの Ｄ−更にフッ素系ガスにより400 Ｗで20分間プラズマエ
ッチングしたもの 〔実験結果１−上記Ａ使用時〕 オゾン水温度 溶存オゾン濃度 膜剥離速度 （℃） （ｐｐｍ） （μｍ／分） 実施例１−１ ４５ ５０ ０．１６ 比較例１−１ ３５ ７０ ０．０４ 比較例１−２ ２５ １１０ ０．０１６ 比較例１−３ ７ １１０ ０．００１ 〔実験結果２−前記Ｂ使用時〕 オゾン水温度 溶存オゾン濃度 膜剥離速度 （℃） （ｐｐｍ） （μｍ／分） 実施例２ ２５ ５０ ０．２５ 比較例２ ７ ５０ ０．１ 〔実験結果３−前記Ｃ使用時〕 オゾン水温度 溶存オゾン濃度 膜剥離速度 （℃） （ｐｐｍ） （μｍ／分） 実施例３ ２５ ５０ ０．５ 比較例３ ７ ５０ ０．１３ 〔実験結果４−前記Ｄ使用時〕 オゾン水温度 溶存オゾン濃度 膜剥離速度 （℃） （ｐｐｍ） （μｍ／分） 実施例４ ２２ ５０ ０．２５ 実施例５ ２２ １００ ０．４ 比較例４ ７ ５０ ０．１１ 〔実験結果５−前記Ｅ使用時〕 オゾン水温度 溶存オゾン濃度 膜剥離速度 （℃） （ｐｐｍ） （μｍ／分） 実施例６ ２２ ５０ ０．３３ 実施例７ ２２ １００ ０．５ 比較例４ ７ ５０ ０．１７ 以上の実験結果を考察すれば次のとおりである。 ・実施例１−１ 剥離非容易性の最も高い難剥離性フォトレジスト膜Ａで
あっても、本発明を適用した図２の装置で実施例１−１
のような条件で運転すれば、膜剥離速度を０．１６μｍ
／分とし、通常の１μｍ厚みのフォトレジスト膜を約６
分という十分実用性のある短い時間で剥離することがで
きた。 ・比較例１−１〜３ 難剥離性フォトレジスト膜Ａでは、比較例１−１〜３に
示すように、オゾン水温度を３５℃以下にすると、溶存
オゾン濃度を上げることはできても、総合的効果として
剥離速度が低下し、従来技術のように温度条件を７℃に
したものを含めて、実用可能なレベルには到達しないこ
とが明確になった。 ・実施例２ 剥離非容易性が中程度の通常剥離性フォトレジスト膜Ｂ
では、本発明を適用した図２の装置により、実施例２−
１のように加熱器でオゾン水を常温より少し高い温度で
ある２５℃程度の温度まで加熱することにより、０．２
５μｍ／分という十分に実用性のある剥離速度を得るこ
とができた。なお、このようにオゾン水が２５℃であれ
ば、図２の装置によって前記比較例１−２のように溶存
オゾン濃度を１１０ｐｐｍまで上げられるが、実施例２
ではその実験目的からオゾン水濃度を５０ｐｐｍまで下
げて運転した。
発明を適用した図１の方法、図２及び図４の装置並びに
図２の装置の加熱器４を冷却器として使用した装置によ
り、各種フォトレジスト膜を有する製品のサンプルを用
いて以下のような実験を行った。図４の装置では、基板
１００のフォトレジスト膜面に対するオゾン水の流速を
ほぼ０．１ｍ／sec とした。 〔使用したフォトレジスト膜〕特にサブミクロンの微細
加工に最適に利用されるポジ型ノボララック系のフォト
レジスト膜をシリコンウエハの基板上に塗布後、 Ｃ−１６０℃で２０分間焼成したもの Ｂ−更にフッ素系ガスにより400 Ｗで20分間プラズマエ
ッチングしたもの Ａ−同様に焼成しリンイオンを打ち込み強度として１ｃ
ｍ2 当たりの原子数を１０の１４乗したもの Ｅ−１２０℃で２０分間焼成したもの Ｄ−更にフッ素系ガスにより400 Ｗで20分間プラズマエ
ッチングしたもの 〔実験結果１−上記Ａ使用時〕 オゾン水温度 溶存オゾン濃度 膜剥離速度 （℃） （ｐｐｍ） （μｍ／分） 実施例１−１ ４５ ５０ ０．１６ 比較例１−１ ３５ ７０ ０．０４ 比較例１−２ ２５ １１０ ０．０１６ 比較例１−３ ７ １１０ ０．００１ 〔実験結果２−前記Ｂ使用時〕 オゾン水温度 溶存オゾン濃度 膜剥離速度 （℃） （ｐｐｍ） （μｍ／分） 実施例２ ２５ ５０ ０．２５ 比較例２ ７ ５０ ０．１ 〔実験結果３−前記Ｃ使用時〕 オゾン水温度 溶存オゾン濃度 膜剥離速度 （℃） （ｐｐｍ） （μｍ／分） 実施例３ ２５ ５０ ０．５ 比較例３ ７ ５０ ０．１３ 〔実験結果４−前記Ｄ使用時〕 オゾン水温度 溶存オゾン濃度 膜剥離速度 （℃） （ｐｐｍ） （μｍ／分） 実施例４ ２２ ５０ ０．２５ 実施例５ ２２ １００ ０．４ 比較例４ ７ ５０ ０．１１ 〔実験結果５−前記Ｅ使用時〕 オゾン水温度 溶存オゾン濃度 膜剥離速度 （℃） （ｐｐｍ） （μｍ／分） 実施例６ ２２ ５０ ０．３３ 実施例７ ２２ １００ ０．５ 比較例４ ７ ５０ ０．１７ 以上の実験結果を考察すれば次のとおりである。 ・実施例１−１ 剥離非容易性の最も高い難剥離性フォトレジスト膜Ａで
あっても、本発明を適用した図２の装置で実施例１−１
のような条件で運転すれば、膜剥離速度を０．１６μｍ
／分とし、通常の１μｍ厚みのフォトレジスト膜を約６
分という十分実用性のある短い時間で剥離することがで
きた。 ・比較例１−１〜３ 難剥離性フォトレジスト膜Ａでは、比較例１−１〜３に
示すように、オゾン水温度を３５℃以下にすると、溶存
オゾン濃度を上げることはできても、総合的効果として
剥離速度が低下し、従来技術のように温度条件を７℃に
したものを含めて、実用可能なレベルには到達しないこ
とが明確になった。 ・実施例２ 剥離非容易性が中程度の通常剥離性フォトレジスト膜Ｂ
では、本発明を適用した図２の装置により、実施例２−
１のように加熱器でオゾン水を常温より少し高い温度で
ある２５℃程度の温度まで加熱することにより、０．２
５μｍ／分という十分に実用性のある剥離速度を得るこ
とができた。なお、このようにオゾン水が２５℃であれ
ば、図２の装置によって前記比較例１−２のように溶存
オゾン濃度を１１０ｐｐｍまで上げられるが、実施例２
ではその実験目的からオゾン水濃度を５０ｐｐｍまで下
げて運転した。
【００３９】この例によれば、図２の装置でオゾン高濃
度化装置２を省略することも可能である。即ち、オゾン
水が２５℃であれば、比較例１−２のように濃度８００
ｇ／Ｎｍ3 の超高濃度オゾンで１１０ｐｐｍの超高濃度
オゾン水を製造できるので、例えばオゾン発生装置１で
濃度２００〜２５０ｇ／Ｎｍ3 の高濃度オゾンを発生さ
せ、オゾン高濃度化装置２を使用することなく、３０ｐ
ｐｍ程度以上のオゾン水を製造可能であることが推定さ
れる。
度化装置２を省略することも可能である。即ち、オゾン
水が２５℃であれば、比較例１−２のように濃度８００
ｇ／Ｎｍ3 の超高濃度オゾンで１１０ｐｐｍの超高濃度
オゾン水を製造できるので、例えばオゾン発生装置１で
濃度２００〜２５０ｇ／Ｎｍ3 の高濃度オゾンを発生さ
せ、オゾン高濃度化装置２を使用することなく、３０ｐ
ｐｍ程度以上のオゾン水を製造可能であることが推定さ
れる。
【００４０】なお計算によれば、詳細計算を省略する
が、温度２５℃の水に対する濃度２００ｇ／Ｎｍ3 のオ
ゾンガスの飽和溶解度は約５４ｐｐｍであるため、実質
的には溶存オゾン濃度４０ｐｐｍ程度のオゾン水を得る
ことが可能である。従って、上記３０ｐｐｍ程度の濃度
のオゾン水の製造は確実に実現可能であり、この濃度の
オゾン水でも、約０．１５μｍ／分のフォトレジスト膜
剥離速度が得られることになる。その結果、通常剥離性
フォトレジスト膜Ｂを処理する場合には、オゾン高濃度
化装置を設けない構成にすることが可能である。なお、
オゾン発生装置１を特殊放電式の濃度３５０〜４００ｇ
／Ｎｍ3 の装置にすれば、オゾン高濃度化装置を設ける
ことなく剥離時間を短縮することができる。 ・比較例２ 通常剥離性フォトレジスト膜Ｂでは、本発明のオゾン水
を加熱する構成部分を適用することなく、その反対にオ
ゾン水を７℃まで冷却しても、オゾン高濃度化装置を設
ける構成を採用すれば、比較例２から一応実用可能な剥
離速度が得られる。しかし、冷却して溶存オゾン濃度を
上げるのは、総合的膜剥離効果の点で不利になる方向で
あると共に、冷水や冷媒を必要とする冷却は加熱に較べ
て実施容易性の点で劣っていることから、比較例２の方
法は実用的でないということができる。 ・実施例３及び比較例３ 剥離容易なフォトレジスト膜Ｃを対象とした実施例３及
び比較例３は、上記実施例２及び比較例２と同様の結果
になっている。但し、実施例３では膜剥離速度がより大
きくなっているので、オゾン発生装置１としてオゾン濃
度２００〜２５０ｇ／Ｎｍ3 程度の電解式オゾン発生装
置を使用し、オゾン高濃度化装置２を設けることなく、
約０．３μｍ／分という十分高い剥離速度を得ることが
できる。 ・実験結果４及び５ 更に剥離容易なフォトレジスト膜Ｄ及びＥでは、各実施
例のようにオゾン水温度を２２℃まで低くしても、十分
高い膜剥離速度が得られた。そしてこの速度は、比較例
の温度７℃の場合よりも十分高い値であった。
が、温度２５℃の水に対する濃度２００ｇ／Ｎｍ3 のオ
ゾンガスの飽和溶解度は約５４ｐｐｍであるため、実質
的には溶存オゾン濃度４０ｐｐｍ程度のオゾン水を得る
ことが可能である。従って、上記３０ｐｐｍ程度の濃度
のオゾン水の製造は確実に実現可能であり、この濃度の
オゾン水でも、約０．１５μｍ／分のフォトレジスト膜
剥離速度が得られることになる。その結果、通常剥離性
フォトレジスト膜Ｂを処理する場合には、オゾン高濃度
化装置を設けない構成にすることが可能である。なお、
オゾン発生装置１を特殊放電式の濃度３５０〜４００ｇ
／Ｎｍ3 の装置にすれば、オゾン高濃度化装置を設ける
ことなく剥離時間を短縮することができる。 ・比較例２ 通常剥離性フォトレジスト膜Ｂでは、本発明のオゾン水
を加熱する構成部分を適用することなく、その反対にオ
ゾン水を７℃まで冷却しても、オゾン高濃度化装置を設
ける構成を採用すれば、比較例２から一応実用可能な剥
離速度が得られる。しかし、冷却して溶存オゾン濃度を
上げるのは、総合的膜剥離効果の点で不利になる方向で
あると共に、冷水や冷媒を必要とする冷却は加熱に較べ
て実施容易性の点で劣っていることから、比較例２の方
法は実用的でないということができる。 ・実施例３及び比較例３ 剥離容易なフォトレジスト膜Ｃを対象とした実施例３及
び比較例３は、上記実施例２及び比較例２と同様の結果
になっている。但し、実施例３では膜剥離速度がより大
きくなっているので、オゾン発生装置１としてオゾン濃
度２００〜２５０ｇ／Ｎｍ3 程度の電解式オゾン発生装
置を使用し、オゾン高濃度化装置２を設けることなく、
約０．３μｍ／分という十分高い剥離速度を得ることが
できる。 ・実験結果４及び５ 更に剥離容易なフォトレジスト膜Ｄ及びＥでは、各実施
例のようにオゾン水温度を２２℃まで低くしても、十分
高い膜剥離速度が得られた。そしてこの速度は、比較例
の温度７℃の場合よりも十分高い値であった。
【００４１】以上の如く、発明者等は、オゾン水の温度
を上げることが溶存オゾン濃度を上げる点で相当のマイ
ナス作用をすることが知られているにもかかわらず、敢
えてオゾン水を加熱・昇温させることにより、酸化作用
を促進させる効果が大きくなり、プラスマイナスを総合
した効果としてフォトレジスト膜剥離に極めて有効であ
ることを見出した。
を上げることが溶存オゾン濃度を上げる点で相当のマイ
ナス作用をすることが知られているにもかかわらず、敢
えてオゾン水を加熱・昇温させることにより、酸化作用
を促進させる効果が大きくなり、プラスマイナスを総合
した効果としてフォトレジスト膜剥離に極めて有効であ
ることを見出した。
【００４２】この場合、オゾン水の加熱温度を４５℃と
し、オゾン高濃度化装置を設けた装置構成にすれば、難
剥離性フォトレジスト膜Ａのような製品にも対処可能で
あるが、温度条件や装置構成としては、処理対象となる
フォトレジスト膜の剥離難易性やオゾン発生装置の種類
とオゾン濃度等によって選択の幅がある。そのような選
択性を実験データ又は実験データからの推定によってま
とめると、次のようになる。
し、オゾン高濃度化装置を設けた装置構成にすれば、難
剥離性フォトレジスト膜Ａのような製品にも対処可能で
あるが、温度条件や装置構成としては、処理対象となる
フォトレジスト膜の剥離難易性やオゾン発生装置の種類
とオゾン濃度等によって選択の幅がある。そのような選
択性を実験データ又は実験データからの推定によってま
とめると、次のようになる。
【００４３】 フォトレジスト膜剥離非容易性ランク Ａ Ｂ Ｃ 加熱器の有無 有 有 有 最低加熱温度（℃） 40〜45 25 25 オゾン発生装置のオゾン濃度(g/Nm3) 200〜250 同左又は約400 200〜250 オゾン高濃度化装置 有 無 無 オゾン水濃度（ｐｐｍ） 50 約30又は50 約30 膜剥離速度（μｍ/ 分） 0.16 約0.15又は0.25 約0.3 フォトレジスト膜剥離非容易性ランクがＤ及びＥの基板
では、上記Ｃのオゾン濃度条件で最低加熱温度を２２℃
まで下げても十分速い膜剥離速度を得ることができる。
では、上記Ｃのオゾン濃度条件で最低加熱温度を２２℃
まで下げても十分速い膜剥離速度を得ることができる。
【００４４】以上のような実施例及び比較例から成る諸
実験に加えて、発明者等は、本発明を適用した図４の装
置の特に循環系の効果を実証するために次のような比較
実験を行った。 〔実験条件〕 使用したフォトレジスト膜：前記Ｄ及びＥ オゾン水温度 ：２２℃ オゾン水濃度 ：１００ｐｐｍ 循環水量 ：120 Ｌ／mim 、60Ｌ／mim 又は０の３種類 新補給オゾン水量 ：１０Ｌ／mim 〔実験結果６〕 Ａ）フォトレジスト膜Ｄの剥離速度（μｍ／分） 循環水量１２０Ｌ／mim のとき ： ０．４ ６０Ｌ／mim のとき ： ０．０５ ０ のとき ： ０．０２ Ｂ）フォトレジスト膜Ｅの剥離速度（μｍ／分） 循環水量１２０Ｌ／mim のとき ： ０．５ ６０Ｌ／mim のとき ： ０．０８ ０ のとき ： ０．０３ 以上のような実験結果によれば、循環水量を補給水量の
１０倍程度より多くすれば、極めて大きな膜剥離速度を
得られることが明らかになった。その結果、本発明を適
用した図４の装置によれば、オゾン発生装置１、オゾン
高濃度化装置２、オゾン溶解モジュール５等の高価な主
要機器の容量を大きくしてオゾン水量を増加させること
なく、管系６７ａ及び循環ポンプ６７ｂを設けるだけの
極めて安価で簡易な構成により、膜剥離速度を大きく
し、処理時間を短縮した実用性の高い装置を提供するこ
とができる。なお、上記の循環水量１２０Ｌ／mim のと
きには、基板１００のフォトレジスト膜面に対するオゾ
ン水の流速はほぼ０．１ｍ／sec であった。
実験に加えて、発明者等は、本発明を適用した図４の装
置の特に循環系の効果を実証するために次のような比較
実験を行った。 〔実験条件〕 使用したフォトレジスト膜：前記Ｄ及びＥ オゾン水温度 ：２２℃ オゾン水濃度 ：１００ｐｐｍ 循環水量 ：120 Ｌ／mim 、60Ｌ／mim 又は０の３種類 新補給オゾン水量 ：１０Ｌ／mim 〔実験結果６〕 Ａ）フォトレジスト膜Ｄの剥離速度（μｍ／分） 循環水量１２０Ｌ／mim のとき ： ０．４ ６０Ｌ／mim のとき ： ０．０５ ０ のとき ： ０．０２ Ｂ）フォトレジスト膜Ｅの剥離速度（μｍ／分） 循環水量１２０Ｌ／mim のとき ： ０．５ ６０Ｌ／mim のとき ： ０．０８ ０ のとき ： ０．０３ 以上のような実験結果によれば、循環水量を補給水量の
１０倍程度より多くすれば、極めて大きな膜剥離速度を
得られることが明らかになった。その結果、本発明を適
用した図４の装置によれば、オゾン発生装置１、オゾン
高濃度化装置２、オゾン溶解モジュール５等の高価な主
要機器の容量を大きくしてオゾン水量を増加させること
なく、管系６７ａ及び循環ポンプ６７ｂを設けるだけの
極めて安価で簡易な構成により、膜剥離速度を大きく
し、処理時間を短縮した実用性の高い装置を提供するこ
とができる。なお、上記の循環水量１２０Ｌ／mim のと
きには、基板１００のフォトレジスト膜面に対するオゾ
ン水の流速はほぼ０．１ｍ／sec であった。
【００４５】
【発明の効果】以上の如く本発明によれば、請求項１の
発明においては、オゾン含有純水（以下「オゾン水」と
いう）をフォトレジスト膜の残留している基板と接触さ
せてフォトレジスト膜を除去するフォトレジスト膜除去
方法を、オゾン水をほぼ２２℃以上の温度とほぼ３０ｐ
ｐｍ以上の溶存オゾン濃度とを含む条件にするので、例
えば１２０℃で２０分間焼成したフォトレジスト膜やこ
れをフッ素ガスによるプラズマエッチング条件に曝した
程度の比較的剥離容易な膜から、焼成温度を上げたりイ
オン打ち込み条件に曝した難剥離性膜まで、オゾン水の
温度及び濃度に対応して、０．１μｍ／mim 程度以上の
剥離速度でフォトレジスト膜を剥離できるという実用的
なフォトレジスト膜除去方法を提供することができる。
発明においては、オゾン含有純水（以下「オゾン水」と
いう）をフォトレジスト膜の残留している基板と接触さ
せてフォトレジスト膜を除去するフォトレジスト膜除去
方法を、オゾン水をほぼ２２℃以上の温度とほぼ３０ｐ
ｐｍ以上の溶存オゾン濃度とを含む条件にするので、例
えば１２０℃で２０分間焼成したフォトレジスト膜やこ
れをフッ素ガスによるプラズマエッチング条件に曝した
程度の比較的剥離容易な膜から、焼成温度を上げたりイ
オン打ち込み条件に曝した難剥離性膜まで、オゾン水の
温度及び濃度に対応して、０．１μｍ／mim 程度以上の
剥離速度でフォトレジスト膜を剥離できるという実用的
なフォトレジスト膜除去方法を提供することができる。
【００４６】請求項２の発明においては、フォトレジス
ト膜剥離用オゾン水製造装置が所定の構成を備えたオゾ
ン供給装置と純水供給系と加熱器とを有するので、半導
体部品等の製造過程で形成されるフォトレジスト膜の種
類に対応して、その膜剥離工程部分における膜剥離処理
を実用的な処理速度で行うことができるオゾン水を製造
することができる。
ト膜剥離用オゾン水製造装置が所定の構成を備えたオゾ
ン供給装置と純水供給系と加熱器とを有するので、半導
体部品等の製造過程で形成されるフォトレジスト膜の種
類に対応して、その膜剥離工程部分における膜剥離処理
を実用的な処理速度で行うことができるオゾン水を製造
することができる。
【００４７】即ち、例えばフッ素ガスによるプラズマエ
ッチング条件に曝された程度のフォトレジスト膜であっ
て剥離難易性が通常程度である膜では、オゾン供給装置
を固体高分子電解質膜を備えた電解式オゾン発生装置と
して２００〜２５０ｇ／ｍ3程度の濃度のオゾンを発生
させ、純水供給系から供給される純水中に高い溶存オゾ
ン濃度で溶解させ、純水供給系又はこれから後流側のオ
ゾン水供給系の純水を２２℃程度以上に加熱することに
より、少なくとも純水中の溶存オゾン濃度を３０ｐｐｍ
程度にすると共に加熱によるオゾン水酸化反応を促進さ
せることにより、総合的にフォトレジスト膜の剥離速度
を約０．１５μｍ／分程度という速い速度にすることが
できる。なお、オゾンを純水に溶解させる装置として
は、多数の多孔性チューブを備えオゾン溶解効率の高い
通常オゾン溶解モジュールと称されるオゾン溶解装置を
独立して設けることが望ましい。
ッチング条件に曝された程度のフォトレジスト膜であっ
て剥離難易性が通常程度である膜では、オゾン供給装置
を固体高分子電解質膜を備えた電解式オゾン発生装置と
して２００〜２５０ｇ／ｍ3程度の濃度のオゾンを発生
させ、純水供給系から供給される純水中に高い溶存オゾ
ン濃度で溶解させ、純水供給系又はこれから後流側のオ
ゾン水供給系の純水を２２℃程度以上に加熱することに
より、少なくとも純水中の溶存オゾン濃度を３０ｐｐｍ
程度にすると共に加熱によるオゾン水酸化反応を促進さ
せることにより、総合的にフォトレジスト膜の剥離速度
を約０．１５μｍ／分程度という速い速度にすることが
できる。なお、オゾンを純水に溶解させる装置として
は、多数の多孔性チューブを備えオゾン溶解効率の高い
通常オゾン溶解モジュールと称されるオゾン溶解装置を
独立して設けることが望ましい。
【００４８】その結果、通常１μｍ程度の厚みのフォト
レジスト膜を実用可能な速度である１０分程度以内の短
時間で剥離することができる。なお、オゾン供給装置を
特殊構造の放電式のものであって濃度３５０〜４００ｇ
／ｍ3 のオゾンを発生可能な装置にすれば、更に剥離時
間を短縮することができる。
レジスト膜を実用可能な速度である１０分程度以内の短
時間で剥離することができる。なお、オゾン供給装置を
特殊構造の放電式のものであって濃度３５０〜４００ｇ
／ｍ3 のオゾンを発生可能な装置にすれば、更に剥離時
間を短縮することができる。
【００４９】このようなフォトレジスト膜剥離用オゾン
水製造装置によれば、オゾン供給装置と純水供給系とオ
ゾン溶解装置と加熱器という通常の構成機器から成る簡
易な装置構成にすることができる。そして、取り扱いの
難しい薬品を使用することなく、又、従来のオゾン使用
の剥離装置のように長い剥離時間を必要とすることな
く、半導体の製造工場等におけるフォトレジスト膜剥離
工程に実際に使用可能なオゾン水を供給することができ
る。
水製造装置によれば、オゾン供給装置と純水供給系とオ
ゾン溶解装置と加熱器という通常の構成機器から成る簡
易な装置構成にすることができる。そして、取り扱いの
難しい薬品を使用することなく、又、従来のオゾン使用
の剥離装置のように長い剥離時間を必要とすることな
く、半導体の製造工場等におけるフォトレジスト膜剥離
工程に実際に使用可能なオゾン水を供給することができ
る。
【００５０】請求項３の発明においては、オゾン供給装
置をオゾン発生装置と発生させたオゾンを高濃度化して
オゾン溶解装置に供給するオゾン高濃度化装置とで構成
するので、例えばオゾン発生装置を上記電解式の２００
〜２５０ｇ／ｍ3 程度の濃度のオゾンを発生させる装置
とし、このオゾンを吸脱着式等のオゾン高濃度化装置で
８００ｇ／ｍ3 又はこれより少し高い程度の濃度まで高
濃度化すると共に、加熱器によって純水を４５℃程度に
加熱することにより、フォトレジスト膜のうち最も剥離
の困難なイオン打ち込み条件に曝された膜であっても、
十分実用可能な剥離時間で剥離させるオゾン水を供給す
ることができる。
置をオゾン発生装置と発生させたオゾンを高濃度化して
オゾン溶解装置に供給するオゾン高濃度化装置とで構成
するので、例えばオゾン発生装置を上記電解式の２００
〜２５０ｇ／ｍ3 程度の濃度のオゾンを発生させる装置
とし、このオゾンを吸脱着式等のオゾン高濃度化装置で
８００ｇ／ｍ3 又はこれより少し高い程度の濃度まで高
濃度化すると共に、加熱器によって純水を４５℃程度に
加熱することにより、フォトレジスト膜のうち最も剥離
の困難なイオン打ち込み条件に曝された膜であっても、
十分実用可能な剥離時間で剥離させるオゾン水を供給す
ることができる。
【００５１】請求項４の発明においては、オゾン水をフ
ォトレジスト膜の残留している基板と接触させてフォト
レジスト膜を除去するためのオゾン水接触装置を、所定
の構成を備えた支持部とオゾン水供給口と天井部と開口
とオゾン水供給系とを有する構成にするので、供給オゾ
ン水量に相当する量の水を天井部に設けた開口からオー
バーフローさせ、槽本体内において天井部までオゾン水
を充満させることにより、オゾン水の外気と接触を防止
することができる。その結果、オゾン水の濃度維持性が
良く、フォトレジスト膜の剥離性の良いオゾン接触装置
を提供することができる。
ォトレジスト膜の残留している基板と接触させてフォト
レジスト膜を除去するためのオゾン水接触装置を、所定
の構成を備えた支持部とオゾン水供給口と天井部と開口
とオゾン水供給系とを有する構成にするので、供給オゾ
ン水量に相当する量の水を天井部に設けた開口からオー
バーフローさせ、槽本体内において天井部までオゾン水
を充満させることにより、オゾン水の外気と接触を防止
することができる。その結果、オゾン水の濃度維持性が
良く、フォトレジスト膜の剥離性の良いオゾン接触装置
を提供することができる。
【００５２】又、オゾン水の排出口とこれからオゾン水
を供給口まで戻す循環系とを設けているので、オゾン供
給装置やオゾン溶解装置等の諸装置を大きくしたり純水
供給量を多くしてオゾン水量を増やすことなく、基板を
通過するオゾン水の膜面に対する流速を速くして、膜面
へのオゾン供給量を多くすることができる。その結果、
フォトレジスト膜の剥離性を一層良くすることができ
る。
を供給口まで戻す循環系とを設けているので、オゾン供
給装置やオゾン溶解装置等の諸装置を大きくしたり純水
供給量を多くしてオゾン水量を増やすことなく、基板を
通過するオゾン水の膜面に対する流速を速くして、膜面
へのオゾン供給量を多くすることができる。その結果、
フォトレジスト膜の剥離性を一層良くすることができ
る。
【００５３】請求項５の発明においては、オゾン接触装
置を、基板がフォトレジスト膜の形成された膜面を上面
にして置かれる支持部と膜面と対向するように間隙を持
って配置された覆い部と膜面にオゾン水を流すように設
けられたオゾン水供給部とを有する構成にするので、前
記間隙を十分狭く自由に定めることができる。
置を、基板がフォトレジスト膜の形成された膜面を上面
にして置かれる支持部と膜面と対向するように間隙を持
って配置された覆い部と膜面にオゾン水を流すように設
けられたオゾン水供給部とを有する構成にするので、前
記間隙を十分狭く自由に定めることができる。
【００５４】その結果、少ないオゾン水量で必要な剥離
速度の得られる流速を得ることができる。又、基板がウ
エハのような円形の場合には、オゾン水供給部を膜面の
中心位置にすることにより、オゾン水を中心から放射状
に流し、オゾン水を無駄なく基板面に作用させることが
できる。又、基板の外周部で必要流速を維持するように
すれば、外周部から内側の中心までの部分では流速が速
くなるので、中心近傍の部分では膜剥離速度が加速さ
れ、全体としてフォトレジスト膜を速く剥離することが
できる。
速度の得られる流速を得ることができる。又、基板がウ
エハのような円形の場合には、オゾン水供給部を膜面の
中心位置にすることにより、オゾン水を中心から放射状
に流し、オゾン水を無駄なく基板面に作用させることが
できる。又、基板の外周部で必要流速を維持するように
すれば、外周部から内側の中心までの部分では流速が速
くなるので、中心近傍の部分では膜剥離速度が加速さ
れ、全体としてフォトレジスト膜を速く剥離することが
できる。
【図１】本発明を適用したフォトレジスト膜除去方法の
一例を示す説明図である。
一例を示す説明図である。
【図２】上記方法に適用できる本発明を適用したフォト
レジスト膜除去用オゾン水製造装置の全体構成の一例を
示す説明図である。
レジスト膜除去用オゾン水製造装置の全体構成の一例を
示す説明図である。
【図３】上記装置のオゾン発生装置の構成例を示す説明
図である。
図である。
【図４】前記方法に適用できる本発明を適用したオゾン
水接触装置の構造例を示す説明図である。
水接触装置の構造例を示す説明図である。
【図５】前記方法に適用できる本発明を適用したオゾン
水接触装置の他の構造例を示す説明図である。
水接触装置の他の構造例を示す説明図である。
１ オゾン発生装置（オゾン発生装置、
オゾン供給装置） ２ オゾン高濃度化装置（オゾン供給装
置） ３ 純水供給系 ４ 加熱器 ６ 基板平行配置式のオゾン水接触装置 ７ 基板平面配置式のオゾン水接触装置 ２０ 除湿器（オゾン高濃度化装置） ２１〜２４ 吸脱着槽（オゾン高濃度化装置） ６２ 支持部 ６３ 供給口 ６４ 排出口 ６５ 天井部 ６６ 開口 ６７ 循環系 ６７ａ 管系（循環系） ６７ｂ 循環ポンプ（循環系） ６８ オゾン水補給系（オゾン含有水供給
系） ７１ 台板（支持部） ７２ カバー（覆い部） ７３ 水路部（オゾン含有純水供給部） １００ 基板 １００ａ 膜面 Ａ１ 加熱工程 Ａ２ オゾン溶解工程 Ｃ 中心（中
心位置）
オゾン供給装置） ２ オゾン高濃度化装置（オゾン供給装
置） ３ 純水供給系 ４ 加熱器 ６ 基板平行配置式のオゾン水接触装置 ７ 基板平面配置式のオゾン水接触装置 ２０ 除湿器（オゾン高濃度化装置） ２１〜２４ 吸脱着槽（オゾン高濃度化装置） ６２ 支持部 ６３ 供給口 ６４ 排出口 ６５ 天井部 ６６ 開口 ６７ 循環系 ６７ａ 管系（循環系） ６７ｂ 循環ポンプ（循環系） ６８ オゾン水補給系（オゾン含有水供給
系） ７１ 台板（支持部） ７２ カバー（覆い部） ７３ 水路部（オゾン含有純水供給部） １００ 基板 １００ａ 膜面 Ａ１ 加熱工程 Ａ２ オゾン溶解工程 Ｃ 中心（中
心位置）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/42 Ｃ０２Ｆ 1/46 １０１Ｚ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｂ (72)発明者 前田 直忠 大阪府大阪市西淀川区竹島４丁目７番32号 株式会社ササクラ内 (72)発明者 三保 慶明 大阪府大阪市西淀川区竹島４丁目７番32号 株式会社ササクサ内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 LA03 4D050 AA05 BB02 BD03 4D061 DA02 DB09 EA03 EB12 5F046 MA02 MA05 MA10
Claims (5)
- 【請求項１】 オゾン含有純水をフォトレジスト膜の残
留している基板と接触させて前記フォトレジスト膜を除
去するフォトレジスト膜除去方法において、 前記オゾン含有純水をほぼ２２℃以上の温度とほぼ３０
ｐｐｍ以上の溶存オゾン濃度とを含む条件にすることを
特徴とするフォトレジスト膜除去方法。 - 【請求項２】 フォトレジスト膜を除去するために前記
フォトレジスト膜の残留している基板と接触されるオゾ
ン含有純水を純水中にオゾンを溶解させて製造するオゾ
ン含有純水製造装置において、 前記オゾンとして固体高分子電解質膜を備えた電解式オ
ゾン発生装置の発生させるオゾン濃度以上の濃度のオゾ
ンを供給するオゾン供給装置と、前記純水を供給する純
水供給系と、前記純水又は前記オゾン含有純水のうちの
少なくとも何れかを加熱する加熱器と、を有することを
特徴とするフォトレジスト膜除去用オゾン水製造装置。 - 【請求項３】 前記オゾン供給装置はオゾンを発生させ
るオゾン発生装置と発生させたオゾンを高濃度化して前
記オゾン溶解装置に供給するオゾン高濃度化装置とで構
成されていることを特徴とする請求項２に記載のフォト
レジスト膜剥離用オゾン水製造装置。 - 【請求項４】 オゾン含有純水をフォトレジスト膜の残
留している基板と接触させて前記フォトレジスト膜を除
去するためのオゾン水接触装置において、 前記基板が複数枚並列して支持されるように設けられた
支持部と前記オゾン含有水が前記並列方向に前記基板を
通過するように設けられた供給口及び排出口と通過する
前記オゾン含有純水の自由表面を閉鎖するように設けら
れた天井部と該天井部から外部に導通するように設けら
れた開口と前記排出口から前記供給口に前記オゾン含有
水を流すように設けられた循環系と前記天井部まで前記
オゾン含有純水を充満させるように設けられたオゾン含
有純水供給系とを有することを特徴とするオゾン水接触
装置。 - 【請求項５】 オゾン含有純水をフォトレジスト膜の残
留している基板と接触させて前記フォトレジスト膜を除
去するためのオゾン水接触装置において、 前記基板が前記フォトレジスト膜の形成された膜面を上
面にして置かれる支持部と前記膜面と対向するように間
隙を持って配置された覆い部と前記膜面に前記オゾン含
有純水を流すように設けられたオゾン含有純水供給部と
を有することを特徴とするオゾン水接触装置。
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|---|---|---|---|
| JP2000217877A JP4221736B2 (ja) | 2000-07-18 | 2000-07-18 | フォトレジスト膜除去方法及び装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002033300A true JP2002033300A (ja) | 2002-01-31 |
| JP4221736B2 JP4221736B2 (ja) | 2009-02-12 |
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|---|---|---|---|
| JP2000217877A Expired - Fee Related JP4221736B2 (ja) | 2000-07-18 | 2000-07-18 | フォトレジスト膜除去方法及び装置 |
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-
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- 2000-07-18 JP JP2000217877A patent/JP4221736B2/ja not_active Expired - Fee Related
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