JP2002025949A - 単結晶の切断方法 - Google Patents
単結晶の切断方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 レーザー加工を用いてシリコン単結晶を切断
する切断方法において、良好な切断面を得るとともに切
断ロスを極めて少なくして単結晶を加工する。 【解決手段】 単結晶の切断方法であって、単結晶の構
成原子と反応して安定な気体分子となる気体分子または
ラジカルを含むガスをノズル３０４により切断部近傍に
供給しつつ、切断部に超短パルスレーザを３０１照射し
て単結晶を切断する。
する切断方法において、良好な切断面を得るとともに切
断ロスを極めて少なくして単結晶を加工する。 【解決手段】 単結晶の切断方法であって、単結晶の構
成原子と反応して安定な気体分子となる気体分子または
ラジカルを含むガスをノズル３０４により切断部近傍に
供給しつつ、切断部に超短パルスレーザを３０１照射し
て単結晶を切断する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、単結晶をレーザを
用いて切断する方法において、切断ロスを極めて少なく
して単結晶を有効に利用することができる切断方法に関
する。
用いて切断する方法において、切断ロスを極めて少なく
して単結晶を有効に利用することができる切断方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン（Ｓｉ）やガリウム砒素（Ｇａ
Ａｓ）に代表される単結晶ウエーハは、チョクラルスキ
ー法（ＣＺ法）やフローティングゾーン法（ＦＺ法）に
より作製された単結晶棒（インゴット）をウエーハ状に
スライスすることによって得られる。従って、スライス
されるウエーハの厚さをできる限り薄くしたり、スライ
スによる切断代を少なくすることによって、１本のイン
ゴットから製品ウエーハをより多く得ることが望まれ
る。すなわち、ウエーハの厚さやウエーハ製造プロセス
の加工ロスを低減することにより原料の無駄をなくし、
製造コストを下げるという課題は従来から広く認識され
ていた。
Ａｓ）に代表される単結晶ウエーハは、チョクラルスキ
ー法（ＣＺ法）やフローティングゾーン法（ＦＺ法）に
より作製された単結晶棒（インゴット）をウエーハ状に
スライスすることによって得られる。従って、スライス
されるウエーハの厚さをできる限り薄くしたり、スライ
スによる切断代を少なくすることによって、１本のイン
ゴットから製品ウエーハをより多く得ることが望まれ
る。すなわち、ウエーハの厚さやウエーハ製造プロセス
の加工ロスを低減することにより原料の無駄をなくし、
製造コストを下げるという課題は従来から広く認識され
ていた。
【０００３】例えば、シリコン単結晶棒からシリコンウ
エーハをスライスする装置としては、ワイヤソーと内周
刃による切断装置が最も一般的に用いられている。しか
し、これらの装置を用いてシリコンウエーハを切り出す
際には切りしろが必要であるため、原料の切断ロスが発
生する。切断ロスが比較的少ないワイヤソーを用いて
も、ウエーハ１枚当たり２００μｍ程度の切断ロスが避
けられなかった。また、ワイヤソー、内周刃等による切
断は、切断後に切断面にダメージ層が残ってしまうた
め、このダメージ層を除去するためのラッピング、エッ
チング等が必要となり、これによっても原料のロスが生
じる。さらに、このような機械的加工では、原料インゴ
ットからあまりウエーハを薄く切り出すと、加工工程中
にウエーハに割れが生じ易くなるため、ウエーハを厚め
に切り出してから、最終的にデバイスが作製された後に
バックラップ、またはバックグラインドをしてウエーハ
を所望の厚さに加工する必要がある。そのため、高価な
単結晶材料のかなりの部分を無駄に捨ててしまうことに
なる。
エーハをスライスする装置としては、ワイヤソーと内周
刃による切断装置が最も一般的に用いられている。しか
し、これらの装置を用いてシリコンウエーハを切り出す
際には切りしろが必要であるため、原料の切断ロスが発
生する。切断ロスが比較的少ないワイヤソーを用いて
も、ウエーハ１枚当たり２００μｍ程度の切断ロスが避
けられなかった。また、ワイヤソー、内周刃等による切
断は、切断後に切断面にダメージ層が残ってしまうた
め、このダメージ層を除去するためのラッピング、エッ
チング等が必要となり、これによっても原料のロスが生
じる。さらに、このような機械的加工では、原料インゴ
ットからあまりウエーハを薄く切り出すと、加工工程中
にウエーハに割れが生じ易くなるため、ウエーハを厚め
に切り出してから、最終的にデバイスが作製された後に
バックラップ、またはバックグラインドをしてウエーハ
を所望の厚さに加工する必要がある。そのため、高価な
単結晶材料のかなりの部分を無駄に捨ててしまうことに
なる。
【０００４】一方、単結晶インゴットの切断を、他の分
野の溶接や切断に広く用いられているレーザ加工によっ
て行うことも考えられていた。一般にレーザ加工は従来
行われてきた機械的な加工に比べて精度が高く、正確な
加工が可能であり、原料の無駄が少ないという利点があ
る。しかし、レーザ加工は発熱による溶解などの問題が
生じ、切断部周辺が変質したり、加工痕が残ってしまう
という欠点があった。そのため、レーザ加工をμｍレベ
ル以下の加工精度が要求される半導体加工に応用するこ
とは難しかった。
野の溶接や切断に広く用いられているレーザ加工によっ
て行うことも考えられていた。一般にレーザ加工は従来
行われてきた機械的な加工に比べて精度が高く、正確な
加工が可能であり、原料の無駄が少ないという利点があ
る。しかし、レーザ加工は発熱による溶解などの問題が
生じ、切断部周辺が変質したり、加工痕が残ってしまう
という欠点があった。そのため、レーザ加工をμｍレベ
ル以下の加工精度が要求される半導体加工に応用するこ
とは難しかった。
【０００５】この問題を解決しようとして、半導体単結
晶切断に適応可能な超短パルスレーザの開発が進んでい
る。数十フェムト秒程度のパルス長の超短パルスを用い
た加工を行うと、励起時間が原子振動の緩和時間と同レ
ベルとなり、発熱することなく原子間結合そのものを切
断することが出来る。したがって、発熱による溶解とは
異なり周辺部の変質や加工痕がなく、照射した部位のみ
の高精度加工が可能となる可能性がある。さらに、エキ
シマレーザのような短波長レーザを用いると、光子エネ
ルギが原子結合を切断する際に必要なエネルギに匹敵す
るため、高い量子確率が得られ高速・高効率加工が可能
となる。同時に、超短パルスに圧縮したレーザはパルス
の最大パワーが極めて大きくなるため、２光子吸収など
の非線形光学効果により、より効果的な加工が可能であ
る。
晶切断に適応可能な超短パルスレーザの開発が進んでい
る。数十フェムト秒程度のパルス長の超短パルスを用い
た加工を行うと、励起時間が原子振動の緩和時間と同レ
ベルとなり、発熱することなく原子間結合そのものを切
断することが出来る。したがって、発熱による溶解とは
異なり周辺部の変質や加工痕がなく、照射した部位のみ
の高精度加工が可能となる可能性がある。さらに、エキ
シマレーザのような短波長レーザを用いると、光子エネ
ルギが原子結合を切断する際に必要なエネルギに匹敵す
るため、高い量子確率が得られ高速・高効率加工が可能
となる。同時に、超短パルスに圧縮したレーザはパルス
の最大パワーが極めて大きくなるため、２光子吸収など
の非線形光学効果により、より効果的な加工が可能であ
る。
【０００６】しかし、このような超短パルスレーザによ
る切断方法には、レーザ切断により除去した原子状物質
が加工側壁等に再付着したり、切断面の平坦性が得られ
なかったりして加工形状が劣化するといった問題があっ
た。そのため、エキシマレーザ等によるレーザ切断法を
シリコン等の単結晶の切断にそのまま適用しても、高速
・高効率加工が可能であるというレーザ切断の利点を活
かすことができず、機械的加工であるワイヤソーや内周
刃と比較しても、単結晶切断における歩留りを向上させ
ることはできなかった。
る切断方法には、レーザ切断により除去した原子状物質
が加工側壁等に再付着したり、切断面の平坦性が得られ
なかったりして加工形状が劣化するといった問題があっ
た。そのため、エキシマレーザ等によるレーザ切断法を
シリコン等の単結晶の切断にそのまま適用しても、高速
・高効率加工が可能であるというレーザ切断の利点を活
かすことができず、機械的加工であるワイヤソーや内周
刃と比較しても、単結晶切断における歩留りを向上させ
ることはできなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、レー
ザー加工を用いて単結晶を切断する切断方法において、
良好な切断面を得るとともに切断ロスを極めて少なくし
て単結晶を切断する方法を提供することを主たる目的と
する。
ザー加工を用いて単結晶を切断する切断方法において、
良好な切断面を得るとともに切断ロスを極めて少なくし
て単結晶を切断する方法を提供することを主たる目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明は、単結晶の切断方法であって、単結晶の構成原子と
反応して安定な気体分子となる気体分子またはラジカル
を含むガスを切断部近傍に供給しつつ、切断部に超短パ
ルスレーザを照射して単結晶を切断することを特徴とす
る単結晶の切断方法である（請求項１）。
明は、単結晶の切断方法であって、単結晶の構成原子と
反応して安定な気体分子となる気体分子またはラジカル
を含むガスを切断部近傍に供給しつつ、切断部に超短パ
ルスレーザを照射して単結晶を切断することを特徴とす
る単結晶の切断方法である（請求項１）。
【０００９】このように切断部に超短パルスレーザを照
射すると同時に、単結晶の構成原子と反応して安定な気
体分子となる気体分子またはラジカルを含むガスを切断
部近傍に供給することにより、切断加工により生じた原
子状物質を安定な気体原子として排出することができる
ため、超短パルスレーザ切断により除去した原子状物質
が切断面等に再付着し、切断面の平坦性が得られなかっ
たり加工形状が劣化することなく単結晶の切断が可能と
なる。そのため、原料の無駄が少なく、高速・高効率加
工が可能であるという超短パルスレーザ切断の利点を活
かして単結晶を切断することができる。
射すると同時に、単結晶の構成原子と反応して安定な気
体分子となる気体分子またはラジカルを含むガスを切断
部近傍に供給することにより、切断加工により生じた原
子状物質を安定な気体原子として排出することができる
ため、超短パルスレーザ切断により除去した原子状物質
が切断面等に再付着し、切断面の平坦性が得られなかっ
たり加工形状が劣化することなく単結晶の切断が可能と
なる。そのため、原料の無駄が少なく、高速・高効率加
工が可能であるという超短パルスレーザ切断の利点を活
かして単結晶を切断することができる。
【００１０】この場合、前記超短パルスレーザがエキシ
マレーザであることが好ましい（請求項２）。このよう
に、エキシマレーザを用いれば、切断部周辺に溶解によ
る変質や加工痕が残ることがなく、単結晶を切断するこ
とができる。さらに光子エネルギーが原子結合を切断す
る際に必要なエネルギーに匹敵するため、高い量子確率
が得られ高速・高効率加工が可能となる。
マレーザであることが好ましい（請求項２）。このよう
に、エキシマレーザを用いれば、切断部周辺に溶解によ
る変質や加工痕が残ることがなく、単結晶を切断するこ
とができる。さらに光子エネルギーが原子結合を切断す
る際に必要なエネルギーに匹敵するため、高い量子確率
が得られ高速・高効率加工が可能となる。
【００１１】この場合、前記超短パルスレーザがモード
同期型Ｑスイッチレーザであることが好ましい（請求項
３）。このように、超短パルスレーザがモード同期型Ｑ
スイッチレーザであれば、超短パルス形成の際にも、低
いエネルギー供給によって超短パルスを連続的励起状態
として得ることができ、単結晶切断におけるエネルギー
消費を少なくすることができる。
同期型Ｑスイッチレーザであることが好ましい（請求項
３）。このように、超短パルスレーザがモード同期型Ｑ
スイッチレーザであれば、超短パルス形成の際にも、低
いエネルギー供給によって超短パルスを連続的励起状態
として得ることができ、単結晶切断におけるエネルギー
消費を少なくすることができる。
【００１２】この場合、前記ラジカルは水素ラジカルと
することができる（請求項４）。このように水素ラジカ
ルであれば、触媒により容易にラジカルとすることがで
き、取り扱いも容易であるし、効率よく切断時に発生し
た原子状物質を除去することができる。
することができる（請求項４）。このように水素ラジカ
ルであれば、触媒により容易にラジカルとすることがで
き、取り扱いも容易であるし、効率よく切断時に発生し
た原子状物質を除去することができる。
【００１３】この場合、前記水素ラジカルのガス中の濃
度を１０％以下とすることが好ましい（請求項５）。こ
のように水素ラジカルのガス中の濃度を１０％以下に希
釈した状態でラジカル供給することにより、ラジカルの
寿命を可能な限り長くすることができる。より好ましく
は０．１〜５％とすることが好ましい。
度を１０％以下とすることが好ましい（請求項５）。こ
のように水素ラジカルのガス中の濃度を１０％以下に希
釈した状態でラジカル供給することにより、ラジカルの
寿命を可能な限り長くすることができる。より好ましく
は０．１〜５％とすることが好ましい。
【００１４】この場合、前記単結晶はシリコンとするこ
とができる（請求項６）。このように、単結晶ウエーハ
が半導体シリコンであれば、現在最も汎用されている半
導体であるので、製造コストの低減による効果は非常に
大きいものとなる。
とができる（請求項６）。このように、単結晶ウエーハ
が半導体シリコンであれば、現在最も汎用されている半
導体であるので、製造コストの低減による効果は非常に
大きいものとなる。
【００１５】この場合、切断代が５μｍ以下であるもの
とすることができる（請求項７）。このように、本発明
の切断方法はレーザ加工により単結晶を高精度で良好な
切断面で切断することができるので、従来に比べて切断
代を極めて少なくすることができる。
とすることができる（請求項７）。このように、本発明
の切断方法はレーザ加工により単結晶を高精度で良好な
切断面で切断することができるので、従来に比べて切断
代を極めて少なくすることができる。
【００１６】この場合、前記単結晶から、単結晶ウエー
ハの厚さ（μｍ）／単結晶ウエーハの直径（ｍｍ）≦３
として単結晶ウエーハを切断することができる（請求項
８）。このように、本発明の切断方法はレーザ加工によ
り単結晶を高精度で良好な切断面で切断することができ
るので、単結晶ウエーハの厚さ（μｍ）／単結晶ウエー
ハの直径（ｍｍ）≦３といった極めて薄いウエーハを切
り出すことができる。
ハの厚さ（μｍ）／単結晶ウエーハの直径（ｍｍ）≦３
として単結晶ウエーハを切断することができる（請求項
８）。このように、本発明の切断方法はレーザ加工によ
り単結晶を高精度で良好な切断面で切断することができ
るので、単結晶ウエーハの厚さ（μｍ）／単結晶ウエー
ハの直径（ｍｍ）≦３といった極めて薄いウエーハを切
り出すことができる。
【００１７】この場合、前記単結晶から、主表面が単結
晶の［１００］軸に対し、［０１１］方向にα（０°＜
α＜９０°）、［０１−１］方向にβ（０°＜β＜９０
°）、［１０−１］方向または［１０１］方向にγ（０
°≦γ＜４５°）の傾斜角度を有する面または該面と等
価な面となるように単結晶ウエーハを切断することが好
ましい。
晶の［１００］軸に対し、［０１１］方向にα（０°＜
α＜９０°）、［０１−１］方向にβ（０°＜β＜９０
°）、［１０−１］方向または［１０１］方向にγ（０
°≦γ＜４５°）の傾斜角度を有する面または該面と等
価な面となるように単結晶ウエーハを切断することが好
ましい。
【００１８】これは、近年、シリコンウエーハの表面の
面方位に依存することなく、良質な絶縁膜を形成する手
法が開発されたため（2000 Symposium on VLSI Technol
ogy,Honolulu, Hawaii, June 13th-15th, 2000 "Advant
age of Radical Oxidationfor Improving Reliability
of Ultra-Thin Gate Oxide"参照）、必ずしも半導体デ
バイスを作製するウエーハの面方位を従来の{１００}面
に限定する必要がなくなったためである。そこで、上記
で規定したような面方位となるように単結晶から単結晶
ウエーハを切断すれば、劈開面となる全ての{１１０}面
からウエーハの主表面が傾斜したものとなるため、ウエ
ーハを薄く切断したとしても、ウエーハが割れにくいも
のとなる。従って、本切断方法により、このような面を
有するウエーハを切り出せば、切断ロスが減少するのみ
ならず、出来た薄いウエーハは割れにくく、デバイス工
程等の実用に十分に耐えるものとなる。なお、本発明の
切断方法は単結晶の面方位依存性がないため、このよう
な面で切断したとしても原子オーダーの平坦加工が可能
である。
面方位に依存することなく、良質な絶縁膜を形成する手
法が開発されたため（2000 Symposium on VLSI Technol
ogy,Honolulu, Hawaii, June 13th-15th, 2000 "Advant
age of Radical Oxidationfor Improving Reliability
of Ultra-Thin Gate Oxide"参照）、必ずしも半導体デ
バイスを作製するウエーハの面方位を従来の{１００}面
に限定する必要がなくなったためである。そこで、上記
で規定したような面方位となるように単結晶から単結晶
ウエーハを切断すれば、劈開面となる全ての{１１０}面
からウエーハの主表面が傾斜したものとなるため、ウエ
ーハを薄く切断したとしても、ウエーハが割れにくいも
のとなる。従って、本切断方法により、このような面を
有するウエーハを切り出せば、切断ロスが減少するのみ
ならず、出来た薄いウエーハは割れにくく、デバイス工
程等の実用に十分に耐えるものとなる。なお、本発明の
切断方法は単結晶の面方位依存性がないため、このよう
な面で切断したとしても原子オーダーの平坦加工が可能
である。
【００１９】以下、本発明をさらに詳細に説明する。本
発明者は、シリコン等の単結晶から薄いウエーハを高精
度、高効率で切断することにより単結晶を効率良く利用
することができる方法について検討を行った。前記のよ
うに、単結晶をエキシマレーザ等の超短パルスレーザで
切断すれば、単結晶の原子結合そのものを切断すること
ができるため、照射した部位のみの高精度加工が可能で
ある。ところが、このようなレーザ加工では除去した原
子状物質が加工側壁等に付着してしまう問題点があり、
加工面の平坦性が悪化するという問題があった。
発明者は、シリコン等の単結晶から薄いウエーハを高精
度、高効率で切断することにより単結晶を効率良く利用
することができる方法について検討を行った。前記のよ
うに、単結晶をエキシマレーザ等の超短パルスレーザで
切断すれば、単結晶の原子結合そのものを切断すること
ができるため、照射した部位のみの高精度加工が可能で
ある。ところが、このようなレーザ加工では除去した原
子状物質が加工側壁等に付着してしまう問題点があり、
加工面の平坦性が悪化するという問題があった。
【００２０】そこで、本発明者は、切断部に超短パルス
レーザを照射して単結晶を切断する際に、加工により除
去された原子状物質と反応して安定な気体分子となる気
体分子またはラジカルを含むガスを切断部近傍に供給
し、加工により除去された原子状物質を安定な気体分子
とすることにより、除去した物質の加工面への付着を防
止することを発想した。
レーザを照射して単結晶を切断する際に、加工により除
去された原子状物質と反応して安定な気体分子となる気
体分子またはラジカルを含むガスを切断部近傍に供給
し、加工により除去された原子状物質を安定な気体分子
とすることにより、除去した物質の加工面への付着を防
止することを発想した。
【００２１】このようにすれば、簡単な方法によって切
断面からレーザ加工により除去された原子状物質が切断
面に再付着することを防止することができる。具体的に
は、例えばシリコン単結晶を切断する場合には、その切
断面にアシストガスとして水素ラジカルを含むガスを供
給し、切断部にエキシマレーザを照射して単結晶を切断
する。Ｓｉ−Ｓｉ結合を超短パルスレーザにより切断す
ると不要な原子状のＳｉが放出されるが、このＳｉは水
素ラジカルと反応して不活性なＳｉＨ４ガスとなる。そ
して、このＳｉＨ４ガスを排気してしまえば、良好な切
断面で効率良く切断することができる。本発明はこのよ
うな基本思想に基づき、諸条件を検討の結果、完成した
ものである。
断面からレーザ加工により除去された原子状物質が切断
面に再付着することを防止することができる。具体的に
は、例えばシリコン単結晶を切断する場合には、その切
断面にアシストガスとして水素ラジカルを含むガスを供
給し、切断部にエキシマレーザを照射して単結晶を切断
する。Ｓｉ−Ｓｉ結合を超短パルスレーザにより切断す
ると不要な原子状のＳｉが放出されるが、このＳｉは水
素ラジカルと反応して不活性なＳｉＨ４ガスとなる。そ
して、このＳｉＨ４ガスを排気してしまえば、良好な切
断面で効率良く切断することができる。本発明はこのよ
うな基本思想に基づき、諸条件を検討の結果、完成した
ものである。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明するが、本発明はこれらに限
定されるものではない。
て図面を参照しながら説明するが、本発明はこれらに限
定されるものではない。
【００２３】本発明においては、割れにくい薄いシリコ
ンウエーハをシリコン単結晶インゴットから切断するの
に超短パルスレーザを用いる。本実施形態における超短
パルスレーザの照射は、連続励起および非線形光学素子
によるモード同期型Ｑスイッチエキシマレーザにより行
う。エキシマの寿命は一般的にｎｓｅｃオーダーと極め
て短く、たとえばＫｒＦエキシマで６ｎｓｅｃ程度であ
る。したがって、有効なＱスイッチレーザとして動作さ
せるために共振器長を１．５ｍ程度以下に設定する。こ
れによりレーザの１パスに要する時間が５ｎｓｅｃ程度
以下に設定できるため、寿命が極めて短いエキシマレー
ザにおいても効率よくＱスイッチ動作を行うことが出来
る。すなわち、エキシマの寿命と同程度の走査時間を持
つような共振器を設計することにより、Ｑスイッチレー
ザとして通常は不適であるエキシマレーザを効率よく励
起することができる。
ンウエーハをシリコン単結晶インゴットから切断するの
に超短パルスレーザを用いる。本実施形態における超短
パルスレーザの照射は、連続励起および非線形光学素子
によるモード同期型Ｑスイッチエキシマレーザにより行
う。エキシマの寿命は一般的にｎｓｅｃオーダーと極め
て短く、たとえばＫｒＦエキシマで６ｎｓｅｃ程度であ
る。したがって、有効なＱスイッチレーザとして動作さ
せるために共振器長を１．５ｍ程度以下に設定する。こ
れによりレーザの１パスに要する時間が５ｎｓｅｃ程度
以下に設定できるため、寿命が極めて短いエキシマレー
ザにおいても効率よくＱスイッチ動作を行うことが出来
る。すなわち、エキシマの寿命と同程度の走査時間を持
つような共振器を設計することにより、Ｑスイッチレー
ザとして通常は不適であるエキシマレーザを効率よく励
起することができる。
【００２４】従来使用されているＤＣパルス励起型のエ
キシマを連続励起しようとするとギガＷ級の電力供給が
必要となり、超短パルス形成には不適当である。これを
回避するために、レーザの共振器のＱを上げ、マイクロ
波励起型の連続励起プラズマを使用する。レーザのＱを
上げるために、出力鏡の反射率を１００％に近い反射率
に設定する。これにより、１パスに必要なゲインを下げ
ることが可能となる。また、同時に発光断面積を１ｍｍ
２から１０ｍｍ２程度にすることで、たとえばＫｒＦエ
キシマレーザ励起に必要な飽和強度１．３ＭＷ／ｃｍ２
という極めて高い励起強度を、低いエネルギ供給によっ
て連続的励起状態として得ることができる。従来の電極
を使用した励起方式では小体積にすることによって、放
電が不安定もしくは不均一となっていたが、マイクロ波
により励起を行うことで安定した均一な励起をすること
が可能となる。また、マイクロ波励起を効率よく行うた
めには定在波による励起の局在を抑制する必要がある。
本実施形態に示す均一化機構付Ｈ面アンテナによる同位
相単一スリット放射装置によれば均一な励起を行うこと
ができレーザのゲイン長の確保と高い励起効率を両立す
ることができる。
キシマを連続励起しようとするとギガＷ級の電力供給が
必要となり、超短パルス形成には不適当である。これを
回避するために、レーザの共振器のＱを上げ、マイクロ
波励起型の連続励起プラズマを使用する。レーザのＱを
上げるために、出力鏡の反射率を１００％に近い反射率
に設定する。これにより、１パスに必要なゲインを下げ
ることが可能となる。また、同時に発光断面積を１ｍｍ
２から１０ｍｍ２程度にすることで、たとえばＫｒＦエ
キシマレーザ励起に必要な飽和強度１．３ＭＷ／ｃｍ２
という極めて高い励起強度を、低いエネルギ供給によっ
て連続的励起状態として得ることができる。従来の電極
を使用した励起方式では小体積にすることによって、放
電が不安定もしくは不均一となっていたが、マイクロ波
により励起を行うことで安定した均一な励起をすること
が可能となる。また、マイクロ波励起を効率よく行うた
めには定在波による励起の局在を抑制する必要がある。
本実施形態に示す均一化機構付Ｈ面アンテナによる同位
相単一スリット放射装置によれば均一な励起を行うこと
ができレーザのゲイン長の確保と高い励起効率を両立す
ることができる。
【００２５】図１に均一化機構付Ｈ面アンテナによる同
位相単一スリット放射装置１００の放射構造を示す。Ｈ
面アンテナ１０１に供給されたマイクロ波がスロットア
レイ１０２を介して均一化機構１０３に供給される。そ
の際スロットアレイ１０２を管内波長の半波長ピッチに
Ｈ面アンテナ１０１中央から左右に設置することで全ス
ロット１０２からの放出マイクロ波を同位相にすること
ができる。スロットアレイ１０２から同位相で放出され
たマイクロ波は均一化機構１０３で均一化され、単一ス
ロット１０４で均一なマイクロ波の放出が行われる。な
お、放電形状によっては、均一なマイクロ波放電を実現
するのにホーンアンテナ等を用いてもよい。
位相単一スリット放射装置１００の放射構造を示す。Ｈ
面アンテナ１０１に供給されたマイクロ波がスロットア
レイ１０２を介して均一化機構１０３に供給される。そ
の際スロットアレイ１０２を管内波長の半波長ピッチに
Ｈ面アンテナ１０１中央から左右に設置することで全ス
ロット１０２からの放出マイクロ波を同位相にすること
ができる。スロットアレイ１０２から同位相で放出され
たマイクロ波は均一化機構１０３で均一化され、単一ス
ロット１０４で均一なマイクロ波の放出が行われる。な
お、放電形状によっては、均一なマイクロ波放電を実現
するのにホーンアンテナ等を用いてもよい。
【００２６】この励起方式を用いた共振器に過飽和吸収
体を導入することにより、エキシマレーザのモード同期
Ｑスイッチレーザが実現される。モード同期方式では受
動モード同期であるため容易にフーリエ変換限界に近い
超短パルス光（ＫｒＦにおいて８０ｆｓｅｃ程度）を得
ることが可能である。このような装置構成を用いること
で、高繰り返し（繰り返し周波数サブＧＨｚ）、超短パ
ルス（ｐｓｅｃからｆｓｅｃオーダー）、大電力パルス
（ギガＷからテラＷ級）のエキシマレーザ（高エネルギ
ー光子）を得ることが可能となる。
体を導入することにより、エキシマレーザのモード同期
Ｑスイッチレーザが実現される。モード同期方式では受
動モード同期であるため容易にフーリエ変換限界に近い
超短パルス光（ＫｒＦにおいて８０ｆｓｅｃ程度）を得
ることが可能である。このような装置構成を用いること
で、高繰り返し（繰り返し周波数サブＧＨｚ）、超短パ
ルス（ｐｓｅｃからｆｓｅｃオーダー）、大電力パルス
（ギガＷからテラＷ級）のエキシマレーザ（高エネルギ
ー光子）を得ることが可能となる。
【００２７】図２にさらに詳細な装置構成を示す。上下
に配置された均一化機構付Ｈ面アンテナによる同位相単
一スリット放射方式によりプラズマ２０４を励起する。
また完全反射もしくはそれに近い反射率を持つ反射体２
００および２０２（ここでは反射鏡として図示）を配置
した後、共振器中に過飽和吸収体２０１を導入する。こ
のような装置構成をとることにより、エキシマレーザの
モード同期Ｑスイッチレーザが実現される。なお、反射
体としては安定性を確保するために反射鏡の利用が望ま
しい（ＸｅＣｌ，ＫｒＦ，ＡｒＦレーザ）が、仮に高反
射率のミラーがない場合（Ｆ２レーザ）などは全反射プ
リズムを用いることで高いＱを持つレーザ共振器を実現
してもよい。
に配置された均一化機構付Ｈ面アンテナによる同位相単
一スリット放射方式によりプラズマ２０４を励起する。
また完全反射もしくはそれに近い反射率を持つ反射体２
００および２０２（ここでは反射鏡として図示）を配置
した後、共振器中に過飽和吸収体２０１を導入する。こ
のような装置構成をとることにより、エキシマレーザの
モード同期Ｑスイッチレーザが実現される。なお、反射
体としては安定性を確保するために反射鏡の利用が望ま
しい（ＸｅＣｌ，ＫｒＦ，ＡｒＦレーザ）が、仮に高反
射率のミラーがない場合（Ｆ２レーザ）などは全反射プ
リズムを用いることで高いＱを持つレーザ共振器を実現
してもよい。
【００２８】このようにして得られた本レーザを用い
て、図３のようにシリコンウエーハの加工を行う。加工
に使用するレーザのビーム形状は点状もしくは線状であ
る。このビーム形状はレーザ発振器３００の出力以降に
設置された集光光学系３０１を用いて整形する。ビーム
径・幅は波長の１０倍程度以内、すなわちたとえばＫｒ
Ｆレーザの場合、３μｍ程度以内にする。したがって、
実現可能な加工径・幅は、５μｍ程度となり無駄のない
加工が可能となる。なお、この光学系に使用するレンズ
は重金属等の濃度を完全に制御した高純度ＣａＦ２等が
用いられる。また、ビームの集光は可能な限り最終段
（レーザ出力側）に近い程、レンズやミラー等へのダメ
ージが軽減されることは言うまでもない。また、加工物
の２次側には終端光学系３０３が配置される。終端光学
系３０３においては平坦度の高いミラーを設置し、透過
したレーザ光を浅い角度から斜入射させ拡散しエネルギ
密度を下げたうえで、吸収体へ導入することにより終端
する。また、ダイ入りの水などにレーザを入射し、散乱
吸収する方式を用いることも出来る。
て、図３のようにシリコンウエーハの加工を行う。加工
に使用するレーザのビーム形状は点状もしくは線状であ
る。このビーム形状はレーザ発振器３００の出力以降に
設置された集光光学系３０１を用いて整形する。ビーム
径・幅は波長の１０倍程度以内、すなわちたとえばＫｒ
Ｆレーザの場合、３μｍ程度以内にする。したがって、
実現可能な加工径・幅は、５μｍ程度となり無駄のない
加工が可能となる。なお、この光学系に使用するレンズ
は重金属等の濃度を完全に制御した高純度ＣａＦ２等が
用いられる。また、ビームの集光は可能な限り最終段
（レーザ出力側）に近い程、レンズやミラー等へのダメ
ージが軽減されることは言うまでもない。また、加工物
の２次側には終端光学系３０３が配置される。終端光学
系３０３においては平坦度の高いミラーを設置し、透過
したレーザ光を浅い角度から斜入射させ拡散しエネルギ
密度を下げたうえで、吸収体へ導入することにより終端
する。また、ダイ入りの水などにレーザを入射し、散乱
吸収する方式を用いることも出来る。
【００２９】加工の際の雰囲気、すなわちプロセスチャ
ンバ３０２の内部は、酸素などによる焼けを防ぐために
ＡｒやＮ２などといった不活性な高清浄ガスとする。こ
こで、本発明の切断方法の特徴は、高速加工・原子オー
ダーの平坦面を得るために水素を添加したガスをノズル
３０４により供給することである。この水素をラジカル
化し、切断加工により生じた原子状シリコンと水素ラジ
カルとを反応させ、不活性なＳｉＨ４ガスとして排気す
ることにより、原子状シリコンの再付着を防ぎ、良好な
切断面を保って切断することができる。
ンバ３０２の内部は、酸素などによる焼けを防ぐために
ＡｒやＮ２などといった不活性な高清浄ガスとする。こ
こで、本発明の切断方法の特徴は、高速加工・原子オー
ダーの平坦面を得るために水素を添加したガスをノズル
３０４により供給することである。この水素をラジカル
化し、切断加工により生じた原子状シリコンと水素ラジ
カルとを反応させ、不活性なＳｉＨ４ガスとして排気す
ることにより、原子状シリコンの再付着を防ぎ、良好な
切断面を保って切断することができる。
【００３０】この水素ガスの供給量としては、例えば直
径３００ｍｍウエーハを切断する際、一枚あたりの処理
時間が５ｍｉｎであるとすると、加工速度は１ｍｍ／ｓ
ｅｃとなり、この場合は最大０．３３ＳＬＭ（Ｓｔａｎ
ｄａｒｄ Ｌｉｔｅｒ ｐｅｒ ｍｉｎｕｔｅ）のＨ２
供給が必要である。なおこの場合、光学系のロスがない
場合およそ６０Ｗ程度の平均レーザ出力があればよい。
このＨ２をＡｒにより０．１〜１０％に希釈し、原子状
Ｓｉとの反応性を向上するためＮｉやＰｔ等の触媒を用
いてラジカル化し、加工雰囲気に供給する。
径３００ｍｍウエーハを切断する際、一枚あたりの処理
時間が５ｍｉｎであるとすると、加工速度は１ｍｍ／ｓ
ｅｃとなり、この場合は最大０．３３ＳＬＭ（Ｓｔａｎ
ｄａｒｄ Ｌｉｔｅｒ ｐｅｒ ｍｉｎｕｔｅ）のＨ２
供給が必要である。なおこの場合、光学系のロスがない
場合およそ６０Ｗ程度の平均レーザ出力があればよい。
このＨ２をＡｒにより０．１〜１０％に希釈し、原子状
Ｓｉとの反応性を向上するためＮｉやＰｔ等の触媒を用
いてラジカル化し、加工雰囲気に供給する。
【００３１】この場合、ラジカルの寿命を可能な限り長
くするために、１０％以下に希釈した状態でラジカル供
給することが望ましく、より好ましくは０．１〜５％と
する。なお、供給濃度が高いとラジカルの発生率が低下
するため、その際は触媒部分を加熱すれば発生率を改善
できる。なお、１ｍｍ／ｓｅｃの加工速度により加工を
行うと、加工面からの原子状Ｓｉ（ガス）の放出速度は
１．７ｍ／ｓｅｃ程度に達する。従って切断面近傍にＨ
ラジカルを吹き付けるようにすると、脱離したＳｉは速
やかにＳｉＨ４ガスとなりウエーハ外に放出されるた
め、装置壁へのＳｉの堆積を防止することが出来る。ま
た、この際、０．１７ＳＬＭ発生する反応生成物である
ＳｉＨ４は回収・再利用することができる。
くするために、１０％以下に希釈した状態でラジカル供
給することが望ましく、より好ましくは０．１〜５％と
する。なお、供給濃度が高いとラジカルの発生率が低下
するため、その際は触媒部分を加熱すれば発生率を改善
できる。なお、１ｍｍ／ｓｅｃの加工速度により加工を
行うと、加工面からの原子状Ｓｉ（ガス）の放出速度は
１．７ｍ／ｓｅｃ程度に達する。従って切断面近傍にＨ
ラジカルを吹き付けるようにすると、脱離したＳｉは速
やかにＳｉＨ４ガスとなりウエーハ外に放出されるた
め、装置壁へのＳｉの堆積を防止することが出来る。ま
た、この際、０．１７ＳＬＭ発生する反応生成物である
ＳｉＨ４は回収・再利用することができる。
【００３２】また、本発明によるウエーハの切断加工は
超短パルスレーザによる非接触式の切断方法であるた
め、従来のワイヤソー等の機械的切断方法に比べて、切
断されるウエーハを極めて薄くすることができる。例え
ば、単結晶ウエーハを半導体シリコンから切断した場合
には、従来は、直径２００ｍｍのウエーハで厚さが７０
０〜８００μｍ程度のものを切断する必要があったの
が、本発明の単結晶ウエーハではこれより薄くすること
ができ、例えば直径２００ｍｍのウエーハで厚さが６０
０μｍ以下のものとすることも可能である。そのため、
切断代が少ないことも合わせて、一本の単結晶インゴッ
トから作製可能なウエーハ枚数が大幅に増加し、製造コ
スト低減が可能となる。
超短パルスレーザによる非接触式の切断方法であるた
め、従来のワイヤソー等の機械的切断方法に比べて、切
断されるウエーハを極めて薄くすることができる。例え
ば、単結晶ウエーハを半導体シリコンから切断した場合
には、従来は、直径２００ｍｍのウエーハで厚さが７０
０〜８００μｍ程度のものを切断する必要があったの
が、本発明の単結晶ウエーハではこれより薄くすること
ができ、例えば直径２００ｍｍのウエーハで厚さが６０
０μｍ以下のものとすることも可能である。そのため、
切断代が少ないことも合わせて、一本の単結晶インゴッ
トから作製可能なウエーハ枚数が大幅に増加し、製造コ
スト低減が可能となる。
【００３３】なお、本発明によるウエーハの切断加工
は、水素ラジカルの照射により、ウエーハの面方位依存
性がない原子オーダーの平坦加工を可能にしている。さ
らに前述のように、近年、シリコンウエーハの表面の面
方位に依存することなく、良質な絶縁膜を形成する手法
が開発されたため、必ずしも半導体デバイスを作製する
ウエーハの面方位を{１００}面に限定する必要はない。
そこで、本発明において薄いウエーハを切り出す際に
は、ウエーハの表面を劈開しやすい全ての{１１０}面か
ら傾いた面方位となるようにすれば、従来の{１００}面
の単結晶ウエーハに比べて外部からの応力に対して割れ
にくく、厚さが薄いウエーハを作製することができる。
は、水素ラジカルの照射により、ウエーハの面方位依存
性がない原子オーダーの平坦加工を可能にしている。さ
らに前述のように、近年、シリコンウエーハの表面の面
方位に依存することなく、良質な絶縁膜を形成する手法
が開発されたため、必ずしも半導体デバイスを作製する
ウエーハの面方位を{１００}面に限定する必要はない。
そこで、本発明において薄いウエーハを切り出す際に
は、ウエーハの表面を劈開しやすい全ての{１１０}面か
ら傾いた面方位となるようにすれば、従来の{１００}面
の単結晶ウエーハに比べて外部からの応力に対して割れ
にくく、厚さが薄いウエーハを作製することができる。
【００３４】図４は、このような本発明の方法により切
断する単結晶ウエーハの好ましい面方位を説明する図面
である。図４中の太線で示された矢印（ベクトル）が、
切り出す単結晶ウエーハの面方位（ウエーハ表面の法線
方向）を示しており、［１００］軸（Ｘ軸）に対し、
［０１１］方向にα（０°＜α＜９０°）、［０１−
１］方向にβ（０°＜β＜９０°）、［１０−１］方向
にγ（０°≦γ＜４５°）の傾斜角度を有している。
断する単結晶ウエーハの好ましい面方位を説明する図面
である。図４中の太線で示された矢印（ベクトル）が、
切り出す単結晶ウエーハの面方位（ウエーハ表面の法線
方向）を示しており、［１００］軸（Ｘ軸）に対し、
［０１１］方向にα（０°＜α＜９０°）、［０１−
１］方向にβ（０°＜β＜９０°）、［１０−１］方向
にγ（０°≦γ＜４５°）の傾斜角度を有している。
【００３５】すなわち、この面方位からなる単結晶ウエ
ーハは、劈開面である（０１１）面、（０１−１）面、
（１０−１）面からそれぞれ角度α、β、γだけ傾斜し
た面を有することになり、{１００}面のウエーハに比
べ、外部からの応力に対する機械的強度が高くなり、よ
り薄く切断しても割れにくいようにすることができる。
ーハは、劈開面である（０１１）面、（０１−１）面、
（１０−１）面からそれぞれ角度α、β、γだけ傾斜し
た面を有することになり、{１００}面のウエーハに比
べ、外部からの応力に対する機械的強度が高くなり、よ
り薄く切断しても割れにくいようにすることができる。
【００３６】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００３７】例えば、上記実施形態では、切断部近傍に
水素ラジカルを含むガスを供給し、ウエーハの表面が完
全に水素終端されているが、これが必ずしも必要でない
場合は、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＮＦ３等の添加ガスを用い
ても同様の効果が得られる。さらに、加工される単結晶
はＳｉに限られるものではなく、たとえばＧａＡｓ、Ｇ
ａＰ、ＩｎＰ、各種酸化物単結晶、石英等も切断部に供
給する加工ガスを適宜選択（Ｈ２，ＣＣｌ４，ＣＨ３Ｂ
ｒ，ＨＣｌ等）することにより同様に加工できることも
言うまでもない。
水素ラジカルを含むガスを供給し、ウエーハの表面が完
全に水素終端されているが、これが必ずしも必要でない
場合は、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＮＦ３等の添加ガスを用い
ても同様の効果が得られる。さらに、加工される単結晶
はＳｉに限られるものではなく、たとえばＧａＡｓ、Ｇ
ａＰ、ＩｎＰ、各種酸化物単結晶、石英等も切断部に供
給する加工ガスを適宜選択（Ｈ２，ＣＣｌ４，ＣＨ３Ｂ
ｒ，ＨＣｌ等）することにより同様に加工できることも
言うまでもない。
【００３８】
【発明の効果】以上のように、本発明の単結晶の切断方
法によれば、超短パルスレーザ光を照射し原子結合を切
断する加工を行うと同時に、加工雰囲気に加工材料構成
原子と安定な気体分子を作る気体分子もしくはラジカル
を照射することにより再付着を防止し、割れにくい薄い
シリコンウエーハをインゴットから無駄なく平坦性よく
切断することができる。
法によれば、超短パルスレーザ光を照射し原子結合を切
断する加工を行うと同時に、加工雰囲気に加工材料構成
原子と安定な気体分子を作る気体分子もしくはラジカル
を照射することにより再付着を防止し、割れにくい薄い
シリコンウエーハをインゴットから無駄なく平坦性よく
切断することができる。
【図１】均一化機構付Ｈ面アンテナによる同位相単一ス
リット放射装置の概念図である。
リット放射装置の概念図である。
【図２】フェムト秒エキシマレーザ発振器の概念図であ
る。
る。
【図３】フェムト秒エキシマレーザを用いたレーザ加工
機の概略構造図である。
機の概略構造図である。
【図４】本発明の方法により切断する単結晶ウエーハの
好ましい面方位を説明する図面である。
好ましい面方位を説明する図面である。
１００…同位相単一スリット放射装置、 １０１…Ｈ面
アンテナ、１０２…スロットアレイ、 １０３…均一化
機構、 １０４…単一スロット、２００…反射体、 ２
０１…過飽和吸収体、 ２０２…反射体、２０３…透過
部、 ２０４…プラズマ、３００…レーザ発振器、 ３
０１…集光光学系、 ３０２…プロセスチャンバ、３０
３…終端光学系、 ３０４…ノズル、 ３０５…単結晶
シリコン。
アンテナ、１０２…スロットアレイ、 １０３…均一化
機構、 １０４…単一スロット、２００…反射体、 ２
０１…過飽和吸収体、 ２０２…反射体、２０３…透過
部、 ２０４…プラズマ、３００…レーザ発振器、 ３
０１…集光光学系、 ３０２…プロセスチャンバ、３０
３…終端光学系、 ３０４…ノズル、 ３０５…単結晶
シリコン。
フロントページの続き (72)発明者 須川 成利 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉05 東北大 学大学院工学研究科電子工学科内 (72)発明者 篠原 壽邦 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉05 東北大 学大学院工学研究科電子工学科内 (72)発明者 伊藤 辰夫 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越半 導体株式会社磯部工場内 (72)発明者 金谷 晃一 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越半 導体株式会社磯部工場内 Ｆターム(参考） 4E068 AE01 CJ01 DA10
Claims (9)
- 【請求項１】 単結晶の切断方法であって、単結晶の構
成原子と反応して安定な気体分子となる気体分子または
ラジカルを含むガスを切断部近傍に供給しつつ、切断部
に超短パルスレーザを照射して単結晶を切断することを
特徴とする単結晶の切断方法。 - 【請求項２】 前記超短パルスレーザがエキシマレーザ
であることを特徴とする請求項１に記載の単結晶の切断
方法。 - 【請求項３】 前記超短パルスレーザがモード同期型Ｑ
スイッチレーザであることを特徴とする請求項１または
請求項２に記載の単結晶の切断方法。 - 【請求項４】 前記ラジカルは水素ラジカルであること
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に
記載の単結晶の切断方法。 - 【請求項５】 前記水素ラジカルのガス中の濃度を１０
％以下とすることを特徴とする請求項４に記載の単結晶
の切断方法。 - 【請求項６】 前記単結晶はシリコンであることを特徴
とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の
単結晶の切断方法。 - 【請求項７】 切断代が５μｍ以下であることを特徴と
する請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の単
結晶の切断方法。 - 【請求項８】 前記単結晶から、単結晶ウエーハの厚さ
（μｍ）／単結晶ウエーハの直径（ｍｍ）≦３として単
結晶ウエーハを切断することを特徴とする請求項１ない
し請求項７のいずれか１項に記載の単結晶の切断方法。 - 【請求項９】 前記単結晶から、主表面が単結晶の［１
００］軸に対し、［０１１］方向にα（０°＜α＜９０
°）、［０１−１］方向にβ（０°＜β＜９０°）、
［１０−１］方向または［１０１］方向にγ（０°≦γ
＜４５°）の傾斜角度を有する面または該面と等価な面
となるように単結晶ウエーハを切断することを特徴とす
る請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の単結
晶の切断方法。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184724A (ja) * | 2000-12-13 | 2002-06-28 | Komatsu Ltd | シリコンインゴット切断装置、シリコンインゴットの切断方法、及びシリコンウェハ |
| JP2007507358A (ja) * | 2003-09-30 | 2007-03-29 | 松下電器産業株式会社 | 光学部品用型 |
| JP2013031879A (ja) * | 2012-09-04 | 2013-02-14 | Imra America Inc | 超短パルスレーザでの透明材料処理 |
Families Citing this family (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6709103B1 (en) | 2002-10-31 | 2004-03-23 | Johnson & Johnson Vision Care, Inc. | Methods for designing multifocal ophthalmic lenses |
| US7524708B2 (en) * | 2005-02-28 | 2009-04-28 | Neosemitech Corporation | Fabrication method of a high brightness light emitting diode with a bidirectionally angled substrate |
| US7387948B2 (en) * | 2005-08-04 | 2008-06-17 | Grace Semiconductor Manufacturing Corporation | Structure and method of forming a semiconductor material wafer |
| US8835802B2 (en) * | 2006-01-24 | 2014-09-16 | Stephen C. Baer | Cleaving wafers from silicon crystals |
| JP2008177374A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Eudyna Devices Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
| DE102009005303A1 (de) * | 2009-01-16 | 2010-07-22 | BIAS - Bremer Institut für angewandte Strahltechnik GmbH | Verfahren zum Separieren eines Halbleiter-Wafer von einem Halbleiterkristall |
| JP2013021263A (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 膜剥離装置および膜剥離方法 |
| DE102011088054A1 (de) * | 2011-12-08 | 2013-06-13 | Solarworld Innovations Gmbh | Verfahren zum Herstellen von Silizium-Wafern |
| WO2014079478A1 (en) | 2012-11-20 | 2014-05-30 | Light In Light Srl | High speed laser processing of transparent materials |
| EP2754524B1 (de) | 2013-01-15 | 2015-11-25 | Corning Laser Technologies GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie |
| EP2781296B1 (de) | 2013-03-21 | 2020-10-21 | Corning Laser Technologies GmbH | Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser |
| US11556039B2 (en) | 2013-12-17 | 2023-01-17 | Corning Incorporated | Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same |
| US9676167B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-06-13 | Corning Incorporated | Laser processing of sapphire substrate and related applications |
| US9850160B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-12-26 | Corning Incorporated | Laser cutting of display glass compositions |
| US9701563B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-07-11 | Corning Incorporated | Laser cut composite glass article and method of cutting |
| US20150165560A1 (en) | 2013-12-17 | 2015-06-18 | Corning Incorporated | Laser processing of slots and holes |
| US9815730B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-11-14 | Corning Incorporated | Processing 3D shaped transparent brittle substrate |
| US10442719B2 (en) | 2013-12-17 | 2019-10-15 | Corning Incorporated | Edge chamfering methods |
| US10293436B2 (en) | 2013-12-17 | 2019-05-21 | Corning Incorporated | Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom |
| EP3166895B1 (en) | 2014-07-08 | 2021-11-24 | Corning Incorporated | Methods and apparatuses for laser processing materials |
| TWI659793B (zh) * | 2014-07-14 | 2019-05-21 | 美商康寧公司 | 用於使用可調整雷射束焦線來處理透明材料的系統及方法 |
| EP3536440A1 (en) | 2014-07-14 | 2019-09-11 | Corning Incorporated | Glass article with a defect pattern |
| JP6788571B2 (ja) | 2014-07-14 | 2020-11-25 | コーニング インコーポレイテッド | 界面ブロック、そのような界面ブロックを使用する、ある波長範囲内で透過する基板を切断するためのシステムおよび方法 |
| WO2016010949A1 (en) | 2014-07-14 | 2016-01-21 | Corning Incorporated | Method and system for forming perforations |
| TW201616563A (zh) * | 2014-08-08 | 2016-05-01 | 製陶技術 Ｅｔｅｃ公司 | 製造薄基材的方法 |
| US10047001B2 (en) | 2014-12-04 | 2018-08-14 | Corning Incorporated | Glass cutting systems and methods using non-diffracting laser beams |
| CN107406293A (zh) | 2015-01-12 | 2017-11-28 | 康宁股份有限公司 | 使用多光子吸收方法来对经热回火的基板进行激光切割 |
| KR102546692B1 (ko) | 2015-03-24 | 2023-06-22 | 코닝 인코포레이티드 | 디스플레이 유리 조성물의 레이저 절단 및 가공 |
| WO2016160391A1 (en) | 2015-03-27 | 2016-10-06 | Corning Incorporated | Gas permeable window and method of fabricating the same |
| KR102499697B1 (ko) | 2015-07-10 | 2023-02-14 | 코닝 인코포레이티드 | 유연한 기판 시트에서의 홀의 연속 제조 방법 및 이에 관한 물품 |
| EP3957611A1 (en) | 2016-05-06 | 2022-02-23 | Corning Incorporated | Transparent substrates with improved edge surfaces |
| US10410883B2 (en) | 2016-06-01 | 2019-09-10 | Corning Incorporated | Articles and methods of forming vias in substrates |
| US10794679B2 (en) | 2016-06-29 | 2020-10-06 | Corning Incorporated | Method and system for measuring geometric parameters of through holes |
| JP7090594B2 (ja) | 2016-07-29 | 2022-06-24 | コーニング インコーポレイテッド | レーザ加工するための装置および方法 |
| US10522963B2 (en) | 2016-08-30 | 2019-12-31 | Corning Incorporated | Laser cutting of materials with intensity mapping optical system |
| CN109803786B (zh) | 2016-09-30 | 2021-05-07 | 康宁股份有限公司 | 使用非轴对称束斑对透明工件进行激光加工的设备和方法 |
| JP7066701B2 (ja) | 2016-10-24 | 2022-05-13 | コーニング インコーポレイテッド | シート状ガラス基体のレーザに基づく加工のための基体処理ステーション |
| US10752534B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-08-25 | Corning Incorporated | Apparatuses and methods for laser processing laminate workpiece stacks |
| US10688599B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-06-23 | Corning Incorporated | Apparatus and methods for laser processing transparent workpieces using phase shifted focal lines |
| US11078112B2 (en) | 2017-05-25 | 2021-08-03 | Corning Incorporated | Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same |
| US10580725B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-03-03 | Corning Incorporated | Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same |
| US10626040B2 (en) | 2017-06-15 | 2020-04-21 | Corning Incorporated | Articles capable of individual singulation |
| FR3070538B1 (fr) * | 2017-08-30 | 2020-02-21 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de desassemblage d'un module photovoltaique et installation associee |
| US11554984B2 (en) | 2018-02-22 | 2023-01-17 | Corning Incorporated | Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness |
| US11377758B2 (en) | 2020-11-23 | 2022-07-05 | Stephen C. Baer | Cleaving thin wafers from crystals |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS588128B2 (ja) * | 1979-08-05 | 1983-02-14 | 山崎 舜平 | 半導体装置作製方法 |
| JPS62188325A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体のｏｆ面出し方法及び装置 |
| JPS62226891A (ja) | 1986-03-28 | 1987-10-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体装置用基板 |
| JP2536588B2 (ja) | 1988-04-25 | 1996-09-18 | 三菱電機株式会社 | 分解除去装置 |
| JP3061634B2 (ja) * | 1990-11-09 | 2000-07-10 | 株式会社フジクラ | 酸化物超電導テープ導体 |
| JPH05299500A (ja) * | 1992-04-22 | 1993-11-12 | Kobe Steel Ltd | シリコン基板の切断加工方法 |
| TW350095B (en) * | 1995-11-21 | 1999-01-11 | Daido Hoxan Inc | Cutting method and apparatus for semiconductor materials |
| JP3485136B2 (ja) | 1995-11-21 | 2004-01-13 | エア・ウォーター株式会社 | ウエハの製法およびそれに用いる装置 |
| JPH11347758A (ja) | 1998-06-10 | 1999-12-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 超精密加工装置 |
-
2000
- 2000-07-11 JP JP2000210192A patent/JP3530114B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-07-06 EP EP01947891A patent/EP1306892B1/en not_active Expired - Lifetime
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184724A (ja) * | 2000-12-13 | 2002-06-28 | Komatsu Ltd | シリコンインゴット切断装置、シリコンインゴットの切断方法、及びシリコンウェハ |
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