JP2002011341A - 管内クリーニング装置 - Google Patents
管内クリーニング装置Info
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- JP2002011341A JP2002011341A JP2000309713A JP2000309713A JP2002011341A JP 2002011341 A JP2002011341 A JP 2002011341A JP 2000309713 A JP2000309713 A JP 2000309713A JP 2000309713 A JP2000309713 A JP 2000309713A JP 2002011341 A JP2002011341 A JP 2002011341A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 管体中を流れる排出流体が管体の内壁
に付着するのを防止するクリーニング装置を開発するこ
とにある。 【解決手段】 流体の流れ方向に向け、外面から内
面に向けて斜めに貫通するように形成された開口部(6)
を有する管本体(4)と、開口部(6)を取り巻くように配設
された外筒部(3)と、外筒部(3)と管本体(4)との間に形
成された流体溜まり空間(7)内に配設され、その流体噴
出口(5a)が管本体(4)の周方向に開口している流体噴出
部(5)とで構成されている事を特徴とする。
に付着するのを防止するクリーニング装置を開発するこ
とにある。 【解決手段】 流体の流れ方向に向け、外面から内
面に向けて斜めに貫通するように形成された開口部(6)
を有する管本体(4)と、開口部(6)を取り巻くように配設
された外筒部(3)と、外筒部(3)と管本体(4)との間に形
成された流体溜まり空間(7)内に配設され、その流体噴
出口(5a)が管本体(4)の周方向に開口している流体噴出
部(5)とで構成されている事を特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配管或いはスクラ
バのような管体中を流れている流体が管体の内壁に接触
して、例えば粉塵のような流体の構成物が管体内壁に付
着するのを防止する、或いは付着物を吹き飛ばす又は洗
い流すための管内クリーニング装置に関するものであ
る。
バのような管体中を流れている流体が管体の内壁に接触
して、例えば粉塵のような流体の構成物が管体内壁に付
着するのを防止する、或いは付着物を吹き飛ばす又は洗
い流すための管内クリーニング装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図７，８に示すように、半導体製造工程
で使用される各種プロセスガスはＣＶＤ装置(27)に供給
され、ＣＶＤ装置(27)内で様々な化学反応を起こし、デ
ポジット、ドライエッチング或いはクリーニングなど半
導体ウェハー処理に関する様々な処理を行う。その後、
排出ガス(31)となってＣＶＤ装置(27)から排出される。
この時ＳｉＨ4やＳｉＨ2Ｃｌ2その他がプロセスガスと
して使用され、ＣＶＤ装置(27)に供給されるが、これら
の大半は人体に有害で且つ爆発性を有している。
で使用される各種プロセスガスはＣＶＤ装置(27)に供給
され、ＣＶＤ装置(27)内で様々な化学反応を起こし、デ
ポジット、ドライエッチング或いはクリーニングなど半
導体ウェハー処理に関する様々な処理を行う。その後、
排出ガス(31)となってＣＶＤ装置(27)から排出される。
この時ＳｉＨ4やＳｉＨ2Ｃｌ2その他がプロセスガスと
して使用され、ＣＶＤ装置(27)に供給されるが、これら
の大半は人体に有害で且つ爆発性を有している。
【０００３】プロセス終了後、ＣＶＤ装置(27)から排出
される排出ガス(31)内にはＣＶＤ装置(27)に供給された
プロセスガスの未反応分が残留しているし、ＣＶＤ装置
(27)内での反応によって新たに生成した有害・爆発性成
分や粉塵(30)などが含まれている。
される排出ガス(31)内にはＣＶＤ装置(27)に供給された
プロセスガスの未反応分が残留しているし、ＣＶＤ装置
(27)内での反応によって新たに生成した有害・爆発性成
分や粉塵(30)などが含まれている。
【０００４】この様なＣＶＤ装置(27)から排出される排
出ガス(31)は、従来では、大量の窒素ガスで希釈して排
出ガス(31)の濃度が爆発下限界以下になるようにしてか
ら、規制値以下まで空気を混入して希釈し、そのまま大
気放出するという方法が取られていた。
出ガス(31)は、従来では、大量の窒素ガスで希釈して排
出ガス(31)の濃度が爆発下限界以下になるようにしてか
ら、規制値以下まで空気を混入して希釈し、そのまま大
気放出するという方法が取られていた。
【０００５】ところが、温室効果や大気・土壌・水質汚
染などに対して、環境保護の観点から大気放出が規制さ
れるようになってきており、最近では半導体製造工程で
発生する排出ガス(31)を除害するための除害装置(29)が
設置されるようになってきた。従って、ＣＶＤ装置(27)
内で使用されたり、或いはその他の装置の化学反応によ
り発生した有毒・爆発性排出ガス(31)や粉塵(30)、或い
は排出流体は配管(22)を流れて除害装置(29)へと搬送さ
れるが、その排出ガス(31)中の粉塵(30)が配管(22)の内
壁に接触して付着し、次第に堆積して管路を狭める。
染などに対して、環境保護の観点から大気放出が規制さ
れるようになってきており、最近では半導体製造工程で
発生する排出ガス(31)を除害するための除害装置(29)が
設置されるようになってきた。従って、ＣＶＤ装置(27)
内で使用されたり、或いはその他の装置の化学反応によ
り発生した有毒・爆発性排出ガス(31)や粉塵(30)、或い
は排出流体は配管(22)を流れて除害装置(29)へと搬送さ
れるが、その排出ガス(31)中の粉塵(30)が配管(22)の内
壁に接触して付着し、次第に堆積して管路を狭める。
【０００６】配管(22)の内壁に付着して積層した粉塵(3
0)は除去しなければならず、定期的なメンテナンスが必
要であった。メンテナンスは一般的には配管(22)の一部
に設けられた点検口(23)を開け、ブラシを通して積層し
た粉塵(30)を払い落としてこれを回収する事によって行
われるが、メンテナンス前に十分に窒素パージして配管
(22)内に残留している有害・爆発性排出ガス(31)を除去
しておくとしても、なお幾分かは粉塵(30)内に残留して
いるものであり、点検口(23)を開口させた時に配管(22)
内に流入した空気中の酸素と反応を起こして爆発すると
いう危険性もあった。従って、粉塵(30)が過剰に溜まる
前にメンテナンスを行う必要があり頻繁にメンテナンス
を行わねばならなかった。
0)は除去しなければならず、定期的なメンテナンスが必
要であった。メンテナンスは一般的には配管(22)の一部
に設けられた点検口(23)を開け、ブラシを通して積層し
た粉塵(30)を払い落としてこれを回収する事によって行
われるが、メンテナンス前に十分に窒素パージして配管
(22)内に残留している有害・爆発性排出ガス(31)を除去
しておくとしても、なお幾分かは粉塵(30)内に残留して
いるものであり、点検口(23)を開口させた時に配管(22)
内に流入した空気中の酸素と反応を起こして爆発すると
いう危険性もあった。従って、粉塵(30)が過剰に溜まる
前にメンテナンスを行う必要があり頻繁にメンテナンス
を行わねばならなかった。
【０００７】また、メンテナンスに当たってはＣＶＤ装
置(27)の稼働も停止しなければならず、メンテナンスを
頻繁に行うとそれだけ稼働率が低下し、生産性を損なう
という問題もあった。従って、配管(22)の内壁に粉塵(3
0)などが付着するのを出来るだけ抑制し、配管(22)のメ
ンテナンス回数を出来るだけ少なくすることが安全性或
いは生産性の点で重要な課題であった。また、除害装置
(29)のスクラバ(32)おいても同様の問題があった。即
ち、スクラバ(32)の頂部には配管(22)に接続された排ガ
ス導入管(33)が挿入されており、その周面に水供給部(3
4)が形成されており、水供給部(34)から流出した水(36)
がスクラバ(35)の内周面を洗浄し、内周面に付着した粉
塵(30)を洗い流すようにしていた。それ故、スクラバ本
体(35)の内周面への粉塵(30)の付着は防止出来たが、水
冷されている排ガス導入管(33)の内周面(33a)に温度の
高い排ガス(31)が接触して急冷され、排ガス(31)及び排
ガス(31)に混入した周囲ガスに含まれている水分が結露
し、前記内周面(33a)に付着する。この結露水によって
排ガス(31)中の粉塵(30)が捕集され、次第にその層を増
し、遂には排ガス導入管(33)を閉塞するに至る。このよ
うに排ガス(31)中に含まれる粉塵(30)はＣＶＤ装置(27)
の出口からスクラバ(32)の排ガス導入管(33)の出口に至
るまであらゆる箇所に堆積して層を形成し、管体の閉塞
原因となる。
置(27)の稼働も停止しなければならず、メンテナンスを
頻繁に行うとそれだけ稼働率が低下し、生産性を損なう
という問題もあった。従って、配管(22)の内壁に粉塵(3
0)などが付着するのを出来るだけ抑制し、配管(22)のメ
ンテナンス回数を出来るだけ少なくすることが安全性或
いは生産性の点で重要な課題であった。また、除害装置
(29)のスクラバ(32)おいても同様の問題があった。即
ち、スクラバ(32)の頂部には配管(22)に接続された排ガ
ス導入管(33)が挿入されており、その周面に水供給部(3
4)が形成されており、水供給部(34)から流出した水(36)
がスクラバ(35)の内周面を洗浄し、内周面に付着した粉
塵(30)を洗い流すようにしていた。それ故、スクラバ本
体(35)の内周面への粉塵(30)の付着は防止出来たが、水
冷されている排ガス導入管(33)の内周面(33a)に温度の
高い排ガス(31)が接触して急冷され、排ガス(31)及び排
ガス(31)に混入した周囲ガスに含まれている水分が結露
し、前記内周面(33a)に付着する。この結露水によって
排ガス(31)中の粉塵(30)が捕集され、次第にその層を増
し、遂には排ガス導入管(33)を閉塞するに至る。このよ
うに排ガス(31)中に含まれる粉塵(30)はＣＶＤ装置(27)
の出口からスクラバ(32)の排ガス導入管(33)の出口に至
るまであらゆる箇所に堆積して層を形成し、管体の閉塞
原因となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の解決課題は、
製造設備からの排出流体中に含まれる粉塵などその構成
成分が配管やスクラバなどの管体の内壁に付着するのを
防止する、或いは付着したものを吹き飛ばしたり洗い流
したりする管体のクリーニング装置を開発することにあ
る。
製造設備からの排出流体中に含まれる粉塵などその構成
成分が配管やスクラバなどの管体の内壁に付着するのを
防止する、或いは付着したものを吹き飛ばしたり洗い流
したりする管体のクリーニング装置を開発することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】「請求項１」に記載の管
体(K)内部のクリーニング装置(1)は「流体の流れ方向に
向け、外面から内面に向けて斜めに貫通するように形成
された開口部(6)を有する管本体(4)と、開口部(6)を取
り巻くように配設された外筒部(3)と、外筒部(3)と管本
体(4)との間に形成された流体溜まり空間(7)内に配設さ
れ、その流体噴出口(5a)が管本体(4)の周方向に開口し
ている流体噴出部(5)とで構成されている」事を特徴と
する。
体(K)内部のクリーニング装置(1)は「流体の流れ方向に
向け、外面から内面に向けて斜めに貫通するように形成
された開口部(6)を有する管本体(4)と、開口部(6)を取
り巻くように配設された外筒部(3)と、外筒部(3)と管本
体(4)との間に形成された流体溜まり空間(7)内に配設さ
れ、その流体噴出口(5a)が管本体(4)の周方向に開口し
ている流体噴出部(5)とで構成されている」事を特徴と
する。
【００１０】これによれば、保護流体(10)が流体噴出部
(5)から流体溜まり空間(7)内へ噴出され、管本体(4)周
りを回転しながらかつ開口部(6)へと螺旋を描くように
高速で流れる。その後、保護流体(10)は開口部(6)から
管本体(4)内に噴出され、さらに管本体(4)に接続された
一般配管(2)或いはスクラバ(24)などの管体(K)内を流れ
る。前記保護流体(10)の流れ方はこれら一般配管(2)或
いはスクラバ(24)などの管体(K)内においても管本体(4)
と同様に管体(K)の内壁に沿って、遠心力によって螺旋
を描きながら且つ内壁面に流体層(11)を形成しつつ排出
流体(20)の流れる方向に流れる。この様にして保護流体
(10)が管体(K)の内壁面に接触しながら前進する事によ
り、管体(K)の内周面に螺旋流の流体層(11)が形成され
る。
(5)から流体溜まり空間(7)内へ噴出され、管本体(4)周
りを回転しながらかつ開口部(6)へと螺旋を描くように
高速で流れる。その後、保護流体(10)は開口部(6)から
管本体(4)内に噴出され、さらに管本体(4)に接続された
一般配管(2)或いはスクラバ(24)などの管体(K)内を流れ
る。前記保護流体(10)の流れ方はこれら一般配管(2)或
いはスクラバ(24)などの管体(K)内においても管本体(4)
と同様に管体(K)の内壁に沿って、遠心力によって螺旋
を描きながら且つ内壁面に流体層(11)を形成しつつ排出
流体(20)の流れる方向に流れる。この様にして保護流体
(10)が管体(K)の内壁面に接触しながら前進する事によ
り、管体(K)の内周面に螺旋流の流体層(11)が形成され
る。
【００１１】こうして内壁面に螺旋流の流体層(11)が形
成されると、前記流体層(11)が開口部(6)より管本体(4)
及びこれに続く一般配管(2)或いはスクラバ(24)などの
管体(K)の内壁面を保護する役割を果たし、管体(K)内を
流れる排出流体(20)は内壁面に直接接触することはな
く、排出流体(20)の粉塵が内壁面に付着するのを抑制す
ることが出来る。従って、図示しない点検口を開けて一
般配管(2)やスクラバ(24)などの管体(K)内をブラッシン
グしたり甚だしくは一般配管(2)を取り外したり、スク
ラバ(24)を解体したりして内壁面に付着或いは堆積した
排出流体(20)の粉塵を排出するようなメンテナンス回数
を減らすことが出来る。
成されると、前記流体層(11)が開口部(6)より管本体(4)
及びこれに続く一般配管(2)或いはスクラバ(24)などの
管体(K)の内壁面を保護する役割を果たし、管体(K)内を
流れる排出流体(20)は内壁面に直接接触することはな
く、排出流体(20)の粉塵が内壁面に付着するのを抑制す
ることが出来る。従って、図示しない点検口を開けて一
般配管(2)やスクラバ(24)などの管体(K)内をブラッシン
グしたり甚だしくは一般配管(2)を取り外したり、スク
ラバ(24)を解体したりして内壁面に付着或いは堆積した
排出流体(20)の粉塵を排出するようなメンテナンス回数
を減らすことが出来る。
【００１２】「請求項２，３」に記載の管体(K)内部の
クリーニング装置(1)は、請求項１に記載のクリーニン
グ装置(1)の接続対象を限定したものであって、「管本
体(4)が、一般配管(2)に接続されるようになっている」
事を特徴とし、後者は「管本体(4)が、スクラバ(24)の
排ガス導入口(25)に接続されるようになっている」事を
特徴とする。
クリーニング装置(1)は、請求項１に記載のクリーニン
グ装置(1)の接続対象を限定したものであって、「管本
体(4)が、一般配管(2)に接続されるようになっている」
事を特徴とし、後者は「管本体(4)が、スクラバ(24)の
排ガス導入口(25)に接続されるようになっている」事を
特徴とする。
【００１３】これによれば、本発明のクリーニング装置
(1)は独立して構成されているため、一般配管(2)の途中
の適宜な位置或いはスクラバ(24)の頂部の排ガス導入口
(25)にクリーニング装置(1)を配設することが出来る。
従って、一般配管(2)に配設するクリーニング装置(1)の
個数も任意に決定する事が出来、また既設の一般配管
(2)或いはスクラバ(24)にも新たにクリーニング装置(1)
を配設したり或いは追加することが出来る。
(1)は独立して構成されているため、一般配管(2)の途中
の適宜な位置或いはスクラバ(24)の頂部の排ガス導入口
(25)にクリーニング装置(1)を配設することが出来る。
従って、一般配管(2)に配設するクリーニング装置(1)の
個数も任意に決定する事が出来、また既設の一般配管
(2)或いはスクラバ(24)にも新たにクリーニング装置(1)
を配設したり或いは追加することが出来る。
【００１４】「請求項４」に記載のクリーニング装置
(1)は、請求項１〜３の何れかに記載のクリーニング装
置(1)を限定したものであって、「流体溜まり空間(7)内
にヒータ(9)が配設されている」事を特徴とする。
(1)は、請求項１〜３の何れかに記載のクリーニング装
置(1)を限定したものであって、「流体溜まり空間(7)内
にヒータ(9)が配設されている」事を特徴とする。
【００１５】流体噴出部(5)から噴出される保護流体(1
0)は圧縮されているが、流体溜まり空間(7)内に噴出さ
れると断熱膨張により温度が下がる。これに対して本請
求項によれば、ヒータ(9)が流体溜まり空間(7)内に配設
されているため、温度が下がった保護流体(10)を熱する
ことが出来る。その結果、例えば排出流体(20)中に腐食
性成分がガス状で含まれており、温度が下がると結露し
て一般配管(2)を腐食してしまうような場合に、保護流
体(10)を加熱することで排出流体(20)の結露を防止する
事が出来、一般配管(2)或いはスクラバ(24)等の管体(K)
の保護に有効に働く。
0)は圧縮されているが、流体溜まり空間(7)内に噴出さ
れると断熱膨張により温度が下がる。これに対して本請
求項によれば、ヒータ(9)が流体溜まり空間(7)内に配設
されているため、温度が下がった保護流体(10)を熱する
ことが出来る。その結果、例えば排出流体(20)中に腐食
性成分がガス状で含まれており、温度が下がると結露し
て一般配管(2)を腐食してしまうような場合に、保護流
体(10)を加熱することで排出流体(20)の結露を防止する
事が出来、一般配管(2)或いはスクラバ(24)等の管体(K)
の保護に有効に働く。
【００１６】「請求項５」に記載のクリーニング装置
(1)は、請求項１〜４の何れかに記載のクリーニング装
置(1)を限定したものであって、「流体溜まり空間(7)が
開口部(6)に向かって次第に幅狭に形成されている」事
を特徴する。
(1)は、請求項１〜４の何れかに記載のクリーニング装
置(1)を限定したものであって、「流体溜まり空間(7)が
開口部(6)に向かって次第に幅狭に形成されている」事
を特徴する。
【００１７】流体噴出部(5)より噴出された保護流体(1
0)は開口部(6)に向かって流れるが、本請求項によれば
開口部(6)にいくに従って幅狭となっているため、保護
流体(10)は開口部(6)に近付くにつれ圧縮される。その
結果、開口部(6)から管本体(4)内に噴出される保護流体
(10)の圧力も大きくなり、管本体(4)の内壁面に流体層
(11)を確実に形成する事が出来る。
0)は開口部(6)に向かって流れるが、本請求項によれば
開口部(6)にいくに従って幅狭となっているため、保護
流体(10)は開口部(6)に近付くにつれ圧縮される。その
結果、開口部(6)から管本体(4)内に噴出される保護流体
(10)の圧力も大きくなり、管本体(4)の内壁面に流体層
(11)を確実に形成する事が出来る。
【００１８】「請求項６」は、請求項１〜５の何れかに
記載のクリーニング装置(1)を更に限定したものであっ
て、「流体溜まり空間(7)内に流体噴出部挿入部(12)か
ら開口部(6)にかけて螺旋状に隔壁(8)が設けられてい
る」事を特徴とする。
記載のクリーニング装置(1)を更に限定したものであっ
て、「流体溜まり空間(7)内に流体噴出部挿入部(12)か
ら開口部(6)にかけて螺旋状に隔壁(8)が設けられてい
る」事を特徴とする。
【００１９】これによれば、螺旋状に設けられた隔壁
(8)により、流体噴出部(5)より噴出された保護流体(10)
の流れは前記隔壁(8)間に規制されるため、開口部(6)に
達するまでに、流体溜まり空間(7)内に滞るのを防止す
る事が出来、円滑な保護流体(10)の螺旋流を形成する事
が出来る。
(8)により、流体噴出部(5)より噴出された保護流体(10)
の流れは前記隔壁(8)間に規制されるため、開口部(6)に
達するまでに、流体溜まり空間(7)内に滞るのを防止す
る事が出来、円滑な保護流体(10)の螺旋流を形成する事
が出来る。
【００２０】
【発明の実施の態様】図１は半導体製造工程を示した図
であり、ＣＶＤ装置(17)と、前記ＣＶＤ装置(17)から排
出流体(20)を排出させる排気ファン(18)と、排出流体(2
0)が通過する一般配管(2)並びに本発明のクリーニング
装置(1)と、排出流体(20)を除害する除害装置(19)を示
している。スクラバ(24)は除害装置(19)の１構成要素
で、図２にその１例を示す。
であり、ＣＶＤ装置(17)と、前記ＣＶＤ装置(17)から排
出流体(20)を排出させる排気ファン(18)と、排出流体(2
0)が通過する一般配管(2)並びに本発明のクリーニング
装置(1)と、排出流体(20)を除害する除害装置(19)を示
している。スクラバ(24)は除害装置(19)の１構成要素
で、図２にその１例を示す。
【００２１】次に、本発明のクリーニング装置(1)を実
施例に従って説明する。第１実施例のクリーニング装置
(1A)は図３に示すように、排出流体(20)が流れる管本体
(4)と、前記管本体(4)の周囲に配設される外筒部(3)
と、前記管本体(4)と前記外筒部(3)との間に形成される
流体溜まり空間(7)内に配設される流体噴出部(5)及びヒ
ータ(9)とで構成されている。
施例に従って説明する。第１実施例のクリーニング装置
(1A)は図３に示すように、排出流体(20)が流れる管本体
(4)と、前記管本体(4)の周囲に配設される外筒部(3)
と、前記管本体(4)と前記外筒部(3)との間に形成される
流体溜まり空間(7)内に配設される流体噴出部(5)及びヒ
ータ(9)とで構成されている。
【００２２】管本体(4)の内径は一般配管(2)やスクラバ
(24)の排ガス導入口(25)の内径と等しいため、これらは
内径が一致した状態で一体に接続される。また管本体
(4)には管本体(4)の全周にわたって、開口部(6)が排出
流体(20)の流れ方向に向かって、外面から内面に向けて
斜めに貫通するように形成されている。開口部(6)は前
述のように斜めに形成されているが、後述する理由から
開口部(6)の角度(α)は管本体(4)に対して鋭角であるほ
ど好ましい。また、管本体(4)の上流側及び下流側のそ
れぞれの端部にはフランジ(15)(16)が配設されており、
これらのフランジ(15)(16)が一般配管(2)のフランジ(15
a)(16a)或いはスクラバ(24)の排ガス導入口(25)のフラ
ンジ(26)と接続される。
(24)の排ガス導入口(25)の内径と等しいため、これらは
内径が一致した状態で一体に接続される。また管本体
(4)には管本体(4)の全周にわたって、開口部(6)が排出
流体(20)の流れ方向に向かって、外面から内面に向けて
斜めに貫通するように形成されている。開口部(6)は前
述のように斜めに形成されているが、後述する理由から
開口部(6)の角度(α)は管本体(4)に対して鋭角であるほ
ど好ましい。また、管本体(4)の上流側及び下流側のそ
れぞれの端部にはフランジ(15)(16)が配設されており、
これらのフランジ(15)(16)が一般配管(2)のフランジ(15
a)(16a)或いはスクラバ(24)の排ガス導入口(25)のフラ
ンジ(26)と接続される。
【００２３】管本体(4)の外周には開口部(6)を取り巻く
ように円筒状の外筒部(3)が配設されており、管本体(4)
との間に流体溜まり空間(7)が形成されている。外筒部
(3)の上流側の端部は、管本体(4)の上流側の端部に固着
されているが、一方外筒部(3)の下流側の端部は開口部
(6)を取り巻く位置までとなっており、流体溜まり空間
(7)は開口部(6)を通じて管本体(4)内に連通している。
ように円筒状の外筒部(3)が配設されており、管本体(4)
との間に流体溜まり空間(7)が形成されている。外筒部
(3)の上流側の端部は、管本体(4)の上流側の端部に固着
されているが、一方外筒部(3)の下流側の端部は開口部
(6)を取り巻く位置までとなっており、流体溜まり空間
(7)は開口部(6)を通じて管本体(4)内に連通している。
【００２４】外筒部(3)の開口部(6)付近に流体噴出部挿
入部(12)が設けられており、また前記噴出部挿入部(12)
の上流側にはヒータコード挿入部(14)が設けられてい
る。本実施例では、噴出部挿入部(12)の上流側にヒータ
コード挿入部(14)が設けられているが、この配置とは逆
に、ヒータコード挿入部(14)の上流側に流体噴出部挿入
部(12)が設けられていても良い。
入部(12)が設けられており、また前記噴出部挿入部(12)
の上流側にはヒータコード挿入部(14)が設けられてい
る。本実施例では、噴出部挿入部(12)の上流側にヒータ
コード挿入部(14)が設けられているが、この配置とは逆
に、ヒータコード挿入部(14)の上流側に流体噴出部挿入
部(12)が設けられていても良い。
【００２５】外筒部(3)の開口部(6)付近に設けられた流
体噴出部挿入部(12)から流体溜まり空間(7)内に流体噴
出部(5)が挿入され、その先端部分が屈曲されてその流
体噴出口(5a)は管本体(4)の周方向に開口している。
尚、本実施例では、流体噴出部(5)は管本体(4)の周りに
対向する２箇所に設けられているが、２箇所に限定する
わけではなく、流体噴出部(5)の個数が多いほどより圧
力の高い保護流体(10)の流れを形成することが出来る。
またヒータコード挿入部(14)から２本のヒータコード(1
3)が挿入されており、その先端のヒータ(9)が流体溜ま
り空間(7)内に配設されている。
体噴出部挿入部(12)から流体溜まり空間(7)内に流体噴
出部(5)が挿入され、その先端部分が屈曲されてその流
体噴出口(5a)は管本体(4)の周方向に開口している。
尚、本実施例では、流体噴出部(5)は管本体(4)の周りに
対向する２箇所に設けられているが、２箇所に限定する
わけではなく、流体噴出部(5)の個数が多いほどより圧
力の高い保護流体(10)の流れを形成することが出来る。
またヒータコード挿入部(14)から２本のヒータコード(1
3)が挿入されており、その先端のヒータ(9)が流体溜ま
り空間(7)内に配設されている。
【００２６】本実施例では噴出される保護流体(10)とし
て窒素ガス等の不活性ガスを用いているが、排出流体(2
0)と反応を起こさないものであれば、どのような気体で
も良く、また、本実施例の管内クリーニング装置(1)は
ＣＶＤ装置(17)以外の装置の配管にも適用することが可
能であり、水等の液体を用いることが出来る場合もあ
る。
て窒素ガス等の不活性ガスを用いているが、排出流体(2
0)と反応を起こさないものであれば、どのような気体で
も良く、また、本実施例の管内クリーニング装置(1)は
ＣＶＤ装置(17)以外の装置の配管にも適用することが可
能であり、水等の液体を用いることが出来る場合もあ
る。
【００２７】尚、本実施例のクリーニング装置(1A)は一
般配管(2)に３〜４ｍ毎に配設されているが、クリーニ
ング装置(1A)の配設される距離は、保護流体(10)の質量
(例えば洗浄水)が大きくなったり、或いは噴出される保
護流体(10)の圧力が高くなったりすれば、配設する距離
間をもっと長くすることが出来る。なお、保護流体(10)
としては、気体(窒素、アルゴンガスなどの不活性ガス)
或いは液体(水、アルカリ液、酸性液など各種薬液)が考
えられ、本実施例の場合は窒素が使用される。
般配管(2)に３〜４ｍ毎に配設されているが、クリーニ
ング装置(1A)の配設される距離は、保護流体(10)の質量
(例えば洗浄水)が大きくなったり、或いは噴出される保
護流体(10)の圧力が高くなったりすれば、配設する距離
間をもっと長くすることが出来る。なお、保護流体(10)
としては、気体(窒素、アルゴンガスなどの不活性ガス)
或いは液体(水、アルカリ液、酸性液など各種薬液)が考
えられ、本実施例の場合は窒素が使用される。
【００２８】次に本実施例の作用について説明する。流
体溜まり空間(7)内に配設された流体噴出部(5)から保護
流体(10)が噴出される。そして、流体噴出口(5a)から噴
出された保護流体(10)は、流体溜まり空間(7)内を管本
体(4)周りに沿って回転し、その後流体溜まり空間(7)に
おいて唯一開口している開口部(6)へと螺旋を描きなが
ら流れる。
体溜まり空間(7)内に配設された流体噴出部(5)から保護
流体(10)が噴出される。そして、流体噴出口(5a)から噴
出された保護流体(10)は、流体溜まり空間(7)内を管本
体(4)周りに沿って回転し、その後流体溜まり空間(7)に
おいて唯一開口している開口部(6)へと螺旋を描きなが
ら流れる。
【００２９】ここで流体噴出部(5)から噴出された保護
流体(10)は圧縮されているが、流体溜まり空間(7)内に
噴出されると同時に膨張する。その結果保護流体(10)の
温度は下がるが、ヒータ(9)により保護流体(10)は熱せ
られ、温度が下がらないようになっている。従って、排
出流体(20)と接触しても排出流体(20)の温度は下がら
ず、たとえ腐食性成分が気体で混入していても一般配管
(2)或いはスクラバ(24)のような管体(K)内で結露するよ
うな事はない。
流体(10)は圧縮されているが、流体溜まり空間(7)内に
噴出されると同時に膨張する。その結果保護流体(10)の
温度は下がるが、ヒータ(9)により保護流体(10)は熱せ
られ、温度が下がらないようになっている。従って、排
出流体(20)と接触しても排出流体(20)の温度は下がら
ず、たとえ腐食性成分が気体で混入していても一般配管
(2)或いはスクラバ(24)のような管体(K)内で結露するよ
うな事はない。
【００３０】開口部(6)から管本体(4)内に送り込まれた
保護流体(10)は、その後も同様に下流側の管本体(4)の
内壁面に接触して螺旋を描きながら前進し、さらに一般
配管(2)或いはスクラバ(24)内へと移動する。
保護流体(10)は、その後も同様に下流側の管本体(4)の
内壁面に接触して螺旋を描きながら前進し、さらに一般
配管(2)或いはスクラバ(24)内へと移動する。
【００３１】こうして、開口部(6)から管本体(4)内に螺
旋状に噴出された保護流体(10)によって管本体(4)及び
一般配管(2)或いはスクラバ(24)などの管体(K)の内壁面
に流体層(11)が形成されるのであるが、保護流体(10)は
流れる距離を増していくと、内壁面との接触抵抗により
保護流体(10)は開口部(6)から噴出されたときの勢いを
失っていくが、これに対して一般配管(2)に接続されて
いる場合には、勢いが弱まる距離、例えば３〜４ｍ毎に
クリーニング装置(1A)が接続されているため、新たな流
体層(11)を形成することが出来、流体層(11)が途絶える
ことはない。
旋状に噴出された保護流体(10)によって管本体(4)及び
一般配管(2)或いはスクラバ(24)などの管体(K)の内壁面
に流体層(11)が形成されるのであるが、保護流体(10)は
流れる距離を増していくと、内壁面との接触抵抗により
保護流体(10)は開口部(6)から噴出されたときの勢いを
失っていくが、これに対して一般配管(2)に接続されて
いる場合には、勢いが弱まる距離、例えば３〜４ｍ毎に
クリーニング装置(1A)が接続されているため、新たな流
体層(11)を形成することが出来、流体層(11)が途絶える
ことはない。
【００３２】こうして一般配管(2)及びスクラバ(24)な
どの管体(K)の内壁面が流体層(11)によって保護されて
いる事を確認すると、排気ファン(18)によってＣＶＤ装
置(17)内に発生した排出流体(20)を除害装置(19)へと送
る。排気ファン(18)によってＣＶＤ装置(17)から一般配
管(2)内へ導入された排出流体(20)は、保護流体(10)に
より流体層(11)が形成されているため前記内壁面に直接
接触せず、従って排出流体(20)が内壁面に付着すること
なくスクラバ(24)に至る。スクラバ(24)でも同様にその
排ガス導入口(25)にクリーニング装置(1)が取り付けら
れているので、クリーニング装置(1)からスクラバ(24)
内に噴出された保護流体(10)の螺旋流によってスクラバ
(24)の内壁が保護され、スクラバ(24)内に粉塵が堆積し
がたくなる。
どの管体(K)の内壁面が流体層(11)によって保護されて
いる事を確認すると、排気ファン(18)によってＣＶＤ装
置(17)内に発生した排出流体(20)を除害装置(19)へと送
る。排気ファン(18)によってＣＶＤ装置(17)から一般配
管(2)内へ導入された排出流体(20)は、保護流体(10)に
より流体層(11)が形成されているため前記内壁面に直接
接触せず、従って排出流体(20)が内壁面に付着すること
なくスクラバ(24)に至る。スクラバ(24)でも同様にその
排ガス導入口(25)にクリーニング装置(1)が取り付けら
れているので、クリーニング装置(1)からスクラバ(24)
内に噴出された保護流体(10)の螺旋流によってスクラバ
(24)の内壁が保護され、スクラバ(24)内に粉塵が堆積し
がたくなる。
【００３３】なお、保護流体(10)の噴出方法であるが、
排出流体(20)の排出中、連続して噴出させる方法と、間
欠的に噴出させる方法とがある。前者の場合、最初から
最後まで排出流体(20)を包み込んで排出していくが、後
者の場合はある程度粉塵が溜まった処で吹き飛ばしてい
く事になる。図１中、(21)は保護流体(10)の開閉バルブ
である。
排出流体(20)の排出中、連続して噴出させる方法と、間
欠的に噴出させる方法とがある。前者の場合、最初から
最後まで排出流体(20)を包み込んで排出していくが、後
者の場合はある程度粉塵が溜まった処で吹き飛ばしてい
く事になる。図１中、(21)は保護流体(10)の開閉バルブ
である。
【００３４】次に第２実施例(1B)について説明するが、
説明の煩雑さを避けるため第１実施例(1A)と異なる点を
中心に説明する。本実施例のクリーニング装置(1B)は図
３に示すように、管本体(4)と、外筒部(3)と、流体噴出
部(5)とで構成されている。
説明の煩雑さを避けるため第１実施例(1A)と異なる点を
中心に説明する。本実施例のクリーニング装置(1B)は図
３に示すように、管本体(4)と、外筒部(3)と、流体噴出
部(5)とで構成されている。
【００３５】外筒部(3)は第１実施例(1A)と同様に管本
体(4)に形成された開口部(6)を取り巻くように配設され
ているが、第１実施例のように円筒状ではなく、開口部
(6)に近付くにつれて流体溜まり空間(7)は開口部(6)に
向かって次第に幅狭に形成されている。また、第１実施
例(1A)と同様に流体溜まり空間(7)内に流体噴出部(5)が
配設されているが、その配置場所は第１実施例(1A)と異
なり流体溜まり空間(7)の上流側に配設されている。
体(4)に形成された開口部(6)を取り巻くように配設され
ているが、第１実施例のように円筒状ではなく、開口部
(6)に近付くにつれて流体溜まり空間(7)は開口部(6)に
向かって次第に幅狭に形成されている。また、第１実施
例(1A)と同様に流体溜まり空間(7)内に流体噴出部(5)が
配設されているが、その配置場所は第１実施例(1A)と異
なり流体溜まり空間(7)の上流側に配設されている。
【００３６】次に本実施例(1B)の作用について説明す
る。第１実施例(1A)と同様に流体噴出部(5)から流体溜
まり空間(7)内に噴出された保護流体(10)は管本体(4)の
周りを回転する。本実施例の流体噴出部(5)は流体溜ま
り空間(7)内の上流側に配設されているため、下流側に
形成された開口部(6)へ向かって螺旋を描くように流れ
ていく。
る。第１実施例(1A)と同様に流体噴出部(5)から流体溜
まり空間(7)内に噴出された保護流体(10)は管本体(4)の
周りを回転する。本実施例の流体噴出部(5)は流体溜ま
り空間(7)内の上流側に配設されているため、下流側に
形成された開口部(6)へ向かって螺旋を描くように流れ
ていく。
【００３７】この時、流体溜まり空間(7)が開口部(6)に
向かって次第に幅狭に形成されているため保護流体(10)
が開口部(6)に近付くにつれて圧縮されることになり、
渦状に螺旋を描いて開口部(6)に達する。従って、保護
流体(10)は開口部(6)に近付くにつれてその流速を上げ
開口部(6)から管本体(4)内に噴出される保護流体(10)の
圧力は大きくなる。以下の作用は前記と同様である。
向かって次第に幅狭に形成されているため保護流体(10)
が開口部(6)に近付くにつれて圧縮されることになり、
渦状に螺旋を描いて開口部(6)に達する。従って、保護
流体(10)は開口部(6)に近付くにつれてその流速を上げ
開口部(6)から管本体(4)内に噴出される保護流体(10)の
圧力は大きくなる。以下の作用は前記と同様である。
【００３８】次に第３実施例(1C)について説明するが、
説明の煩雑さを避けるため第２実施例(1B)と異なる点を
中心に説明する。本実施例のクリーニング装置(1C)は図
５に示すように、第２実施例と同様、流体溜まり空間
(7)が開口部(6)に向かって次第に幅狭に形成されている
が、本実施例(1C)には流体溜まり空間(7)内に隔壁(8)が
流体噴出部挿入部(12)から開口部(6)にかけて螺旋状に
設けられている。
説明の煩雑さを避けるため第２実施例(1B)と異なる点を
中心に説明する。本実施例のクリーニング装置(1C)は図
５に示すように、第２実施例と同様、流体溜まり空間
(7)が開口部(6)に向かって次第に幅狭に形成されている
が、本実施例(1C)には流体溜まり空間(7)内に隔壁(8)が
流体噴出部挿入部(12)から開口部(6)にかけて螺旋状に
設けられている。
【００３９】次に本実施例(1C)の作用について説明す
る。流体噴出部(5)から流体溜まり空間(7)内に噴出され
た保護流体(10)は、管本体(4)の周りを回転するが、隔
壁(8)が螺旋状に設けられているため、噴出された保護
流体(10)は隔壁(8)間に沿って流れ、開口部(6)に近づい
て行くに従って次第に圧縮され、流速を速めていく。そ
して、高速で開口部(6)から噴出された保護流体(10)
は、既述の実施例同様、下流側の管本体(4)及び一般配
管(2)或いはスクラバ(24)などの管体(K)の内壁面に螺旋
保護流体層(11)を形成する。以下の作用は前記と同様で
ある。
る。流体噴出部(5)から流体溜まり空間(7)内に噴出され
た保護流体(10)は、管本体(4)の周りを回転するが、隔
壁(8)が螺旋状に設けられているため、噴出された保護
流体(10)は隔壁(8)間に沿って流れ、開口部(6)に近づい
て行くに従って次第に圧縮され、流速を速めていく。そ
して、高速で開口部(6)から噴出された保護流体(10)
は、既述の実施例同様、下流側の管本体(4)及び一般配
管(2)或いはスクラバ(24)などの管体(K)の内壁面に螺旋
保護流体層(11)を形成する。以下の作用は前記と同様で
ある。
【００４０】
【発明の効果】本発明のクリーニング装置を装着する事
で、開口部の下流の管本体やこれに接続させた一般配管
或いはスクラバなどの管体の内壁面に螺旋流の流体層を
形成する事が出来、保護流体を連続的に流すことによ
り、管体内を流れる排出流体が前記内壁面に直接接触す
るのを防止し、前記排出流体中の構成成分が前記内壁面
に付着するのを抑制することが出来る。また、保護流体
を間欠的に流すことにより、管体内に付着した粉塵を吹
き飛ばす或いは洗い流す事が出来、メンテナンス期間を
大幅に延長する事が出来る。
で、開口部の下流の管本体やこれに接続させた一般配管
或いはスクラバなどの管体の内壁面に螺旋流の流体層を
形成する事が出来、保護流体を連続的に流すことによ
り、管体内を流れる排出流体が前記内壁面に直接接触す
るのを防止し、前記排出流体中の構成成分が前記内壁面
に付着するのを抑制することが出来る。また、保護流体
を間欠的に流すことにより、管体内に付着した粉塵を吹
き飛ばす或いは洗い流す事が出来、メンテナンス期間を
大幅に延長する事が出来る。
【図１】本発明のクリーニング装置を一般配管に接続し
た場合の配置状態を示す正面図
た場合の配置状態を示す正面図
【図２】本発明のクリーニング装置をスクラバの排ガス
導入口に接続した場合の断面図
導入口に接続した場合の断面図
【図３】本発明に係る第１実施例の縦断面図
【図４】本発明に係る第２実施例の縦断面図
【図５】本発明に係る第３実施例の縦断面図
【図６】本発明のクリーニング装置の横断面図
【図７】従来の配管状態を示す正面図
【図８】従来のスクラバの断面図
(3)…外筒部 (4)…管本体 (5)…流体噴出部 (5a)…流体噴出口 (6)…開口部 (7)…流体留まり空間
Claims (6)
- 【請求項１】 流体の流れ方向に向け、外面から内
面に向けて斜めに貫通するように形成された開口部を有
する管本体と、開口部を取り巻くように配設された外筒
部と、外筒部と管本体との間に形成された流体溜まり空
間内に配設され、その流体噴出口が管本体の周方向に開
口している流体噴出部とで構成されている事を特徴とす
る管内クリーニング装置。 - 【請求項２】 管本体が、一般配管に接続されるよ
うになっている事を特徴とする請求項１に記載の管内ク
リーニング装置。 - 【請求項３】 管本体が、スクラバの排ガス導入口
に接続されるようになっている事を特徴とする請求項１
に記載の管内クリーニング装置。 - 【請求項４】 流体溜まり空間内にヒータが配設さ
れている事を特徴とする請求項１〜３に記載の管内クリ
ーニング装置。 - 【請求項５】 流体溜まり空間が開口部に向かって
次第に幅狭に形成されている事を特徴する請求項１〜４
の何れかに記載の管内クリーニング装置。 - 【請求項６】 流体溜まり空間内に流体噴出部挿入
部から開口部にかけて螺旋状に隔壁が設けられている事
を特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の管内クリー
ニング装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000309713A JP2002011341A (ja) | 2000-04-27 | 2000-10-10 | 管内クリーニング装置 |
| TW90106388A TW522040B (en) | 2000-04-27 | 2001-03-19 | Apparatus for cleaning interior of pipe |
| SG200102172A SG86464A1 (en) | 2000-04-27 | 2001-04-18 | Device for cleaning the interior of a pipe |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-127917 | 2000-04-27 | ||
| JP2000127917 | 2000-04-27 | ||
| JP2000309713A JP2002011341A (ja) | 2000-04-27 | 2000-10-10 | 管内クリーニング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002011341A true JP2002011341A (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=26590991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000309713A Pending JP2002011341A (ja) | 2000-04-27 | 2000-10-10 | 管内クリーニング装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002011341A (ja) |
| SG (1) | SG86464A1 (ja) |
| TW (1) | TW522040B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160073006A (ko) * | 2014-12-16 | 2016-06-24 | 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 | 사전 수처리 장치를 포함하는 스크러버 |
| CN106435520A (zh) * | 2016-11-22 | 2017-02-22 | 上海华力微电子有限公司 | 一种炉管尾气处理管道 |
| WO2021090737A1 (ja) * | 2019-11-06 | 2021-05-14 | エドワーズ株式会社 | 排ガス処理装置 |
| CN113913784A (zh) * | 2020-11-13 | 2022-01-11 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 气体幕帘元件、传送气体的导管系统与传送气体的方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3325222A (en) * | 1966-01-26 | 1967-06-13 | Alberta Res Council | Method and apparatus for pumping mixtures of liquids and large solid bodies |
| US3983895A (en) * | 1975-04-17 | 1976-10-05 | Marathon Oil Company | Pump station bypass system |
| JP2803850B2 (ja) * | 1989-07-20 | 1998-09-24 | 清之 堀井 | 半導体基板表面の清浄化方法 |
-
2000
- 2000-10-10 JP JP2000309713A patent/JP2002011341A/ja active Pending
-
2001
- 2001-03-19 TW TW90106388A patent/TW522040B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-04-18 SG SG200102172A patent/SG86464A1/en unknown
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160073006A (ko) * | 2014-12-16 | 2016-06-24 | 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 | 사전 수처리 장치를 포함하는 스크러버 |
| KR101635065B1 (ko) | 2014-12-16 | 2016-07-01 | 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 | 사전 수처리 장치를 포함하는 스크러버 |
| CN106435520A (zh) * | 2016-11-22 | 2017-02-22 | 上海华力微电子有限公司 | 一种炉管尾气处理管道 |
| WO2021090737A1 (ja) * | 2019-11-06 | 2021-05-14 | エドワーズ株式会社 | 排ガス処理装置 |
| JP2021077715A (ja) * | 2019-11-06 | 2021-05-20 | エドワーズ株式会社 | 排ガス処理装置 |
| JP7321892B2 (ja) | 2019-11-06 | 2023-08-07 | エドワーズ株式会社 | 排ガス処理装置 |
| CN113913784A (zh) * | 2020-11-13 | 2022-01-11 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 气体幕帘元件、传送气体的导管系统与传送气体的方法 |
| CN113913784B (zh) * | 2020-11-13 | 2024-03-08 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 气体幕帘元件、传送气体的导管系统与传送气体的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SG86464A1 (en) | 2002-02-19 |
| TW522040B (en) | 2003-03-01 |
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