JP2002001594A - 誘電体ブロックのプレス成形方法 - Google Patents
誘電体ブロックのプレス成形方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 加圧途中における上下の芯金の接触位置の精
度を高め、ステップ部近傍にクラックが発生し難い誘電
体ブロックのプレス成形方法を提供する。 【解決方法】 上芯金７２ａ，７２ｂと下芯金７１ａ，
７１ｂを接触させた状態で、上芯金７２ａ，７２ｂと下
芯金７１ａ，７１ｂを下パンチ６１側に摺動させ、上芯
金７２ａ，７２ｂと下芯金７１ａ，７１ｂの接触位置Ｆ
をキャビティ５１内の所定の位置に移送する。このと
き、キャビティ５１内の誘電粉末４には、圧力を加えな
いようにする。次に、上芯金７２ａ，７２ｂと下芯金７
１ａ，７１ｂを接触させた状態で、上パンチ６２と下パ
ンチ６１にてキャビティ５１内の誘電体粉末４を加圧圧
縮して誘電体ブロックを成形する。
度を高め、ステップ部近傍にクラックが発生し難い誘電
体ブロックのプレス成形方法を提供する。 【解決方法】 上芯金７２ａ，７２ｂと下芯金７１ａ，
７１ｂを接触させた状態で、上芯金７２ａ，７２ｂと下
芯金７１ａ，７１ｂを下パンチ６１側に摺動させ、上芯
金７２ａ，７２ｂと下芯金７１ａ，７１ｂの接触位置Ｆ
をキャビティ５１内の所定の位置に移送する。このと
き、キャビティ５１内の誘電粉末４には、圧力を加えな
いようにする。次に、上芯金７２ａ，７２ｂと下芯金７
１ａ，７１ｂを接触させた状態で、上パンチ６２と下パ
ンチ６１にてキャビティ５１内の誘電体粉末４を加圧圧
縮して誘電体ブロックを成形する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体ブロックの
プレス成形方法に関する。
プレス成形方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種のプレス成形方法として、
実開昭５５−７１６９７号公報に開示された方法が知ら
れている。図１７において５０７はダイスであり、５０
８は上パンチ、５０９は下パンチである。上パンチ５０
８は下降したときダイス５０７内に入るものであり（図
１８参照）、下パンチ５０９はダイス５０７内に位置し
ているものである。上パンチ５０８と下パンチ５０９に
は、それぞれ偏心した位置に芯金５１０，５１１が昇降
自在に嵌挿されており、ともにスプリング５１２，５１
３により、近接する方向に加圧されるようになってい
る。
実開昭５５−７１６９７号公報に開示された方法が知ら
れている。図１７において５０７はダイスであり、５０
８は上パンチ、５０９は下パンチである。上パンチ５０
８は下降したときダイス５０７内に入るものであり（図
１８参照）、下パンチ５０９はダイス５０７内に位置し
ているものである。上パンチ５０８と下パンチ５０９に
は、それぞれ偏心した位置に芯金５１０，５１１が昇降
自在に嵌挿されており、ともにスプリング５１２，５１
３により、近接する方向に加圧されるようになってい
る。
【０００３】この成形型は、図１９に示した、軸部に設
けた孔５１６がステップ部５１５を有している誘電体ブ
ロック５２０を成形するためのものである。図１７に示
すように、この成形型において、下パンチ５０９の芯金
５１１を所定の高さまで上昇させ、上パンチ５０８を下
降させて、芯金５１０を芯金５１１に接触させた状態で
誘電体セラミック粉末５１４を圧縮すると（図１８参
照）、図１９に示すような誘電体ブロック５２０が得ら
れる。
けた孔５１６がステップ部５１５を有している誘電体ブ
ロック５２０を成形するためのものである。図１７に示
すように、この成形型において、下パンチ５０９の芯金
５１１を所定の高さまで上昇させ、上パンチ５０８を下
降させて、芯金５１０を芯金５１１に接触させた状態で
誘電体セラミック粉末５１４を圧縮すると（図１８参
照）、図１９に示すような誘電体ブロック５２０が得ら
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、誘電体ブロ
ック５２０のプレス成形において、孔５１６のステップ
部５１５近傍にクラックを発生させることなくプレス成
形を行うためには、誘電体セラミック粉末５１４を加圧
圧縮する工程にて、上下パンチ５０８，５０９間で加圧
成形される部位Ａ２のセラミック密度と、芯金５１０と
下パンチ５０９間で加圧成形される部位Ａ３のセラミッ
ク密度と、芯金５１１と上パンチ５０８間で加圧成形さ
れる部位Ａ１のセラミック密度とを一定にする必要があ
る。
ック５２０のプレス成形において、孔５１６のステップ
部５１５近傍にクラックを発生させることなくプレス成
形を行うためには、誘電体セラミック粉末５１４を加圧
圧縮する工程にて、上下パンチ５０８，５０９間で加圧
成形される部位Ａ２のセラミック密度と、芯金５１０と
下パンチ５０９間で加圧成形される部位Ａ３のセラミッ
ク密度と、芯金５１１と上パンチ５０８間で加圧成形さ
れる部位Ａ１のセラミック密度とを一定にする必要があ
る。
【０００５】しかしながら、従来のプレス成形方法で
は、対向する上下の芯金５１０，５１１の接触位置の制
御をスプリング５１２，５１３のばね力のバランスで行
っており、加圧途中における芯金５１０，５１１の接触
位置を精度良く制御することは難しかった。このため、
部位Ａ２と部位Ａ１間、並びに、部位Ａ２と部位Ａ３間
には、セラミック密度の差が生じ、ステップ部５１５近
傍にクラックが発生し易いという問題があった。
は、対向する上下の芯金５１０，５１１の接触位置の制
御をスプリング５１２，５１３のばね力のバランスで行
っており、加圧途中における芯金５１０，５１１の接触
位置を精度良く制御することは難しかった。このため、
部位Ａ２と部位Ａ１間、並びに、部位Ａ２と部位Ａ３間
には、セラミック密度の差が生じ、ステップ部５１５近
傍にクラックが発生し易いという問題があった。
【０００６】そこで、本発明の目的は、加圧途中におけ
る上下の芯金の接触位置の精度を高め、ステップ部近傍
にクラックが発生し難い誘電体ブロックのプレス成形方
法を提供することにある。
る上下の芯金の接触位置の精度を高め、ステップ部近傍
にクラックが発生し難い誘電体ブロックのプレス成形方
法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】前記目的を達成
するため、本発明に係る誘電体ブロックのプレス成形方
法は、（ａ）摺動可能な下芯金を有した下パンチをダイ
スのキャビティ内に嵌挿した下型の前記キャビティ内
に、前記下芯金を前記キャビティ内に突出させた状態
で、所定量の誘電体粉末を充填する充填工程と、（ｂ）
摺動可能な上芯金を有した上パンチが前記キャビティ内
を摺動することができる上型と、前記上芯金の下端面が
前記下芯金の上端面と接触するように、前記下型を、接
触させるアプローチ工程と、（ｃ）前記上芯金と前記下
芯金を接触させた状態で、前記上芯金と前記下芯金を前
記下パンチ側に摺動させ、前記上芯金と前記下芯金の接
触位置を前記キャビティ内の所定の位置に移送する移送
工程と、（ｄ）前記上芯金と前記下芯金を接触させた状
態で、前記上パンチと前記下パンチにて前記キャビティ
内の前記誘電体粉末を加圧圧縮して誘電体ブロックを成
形する加圧工程と、を備えたことを特徴とする。
するため、本発明に係る誘電体ブロックのプレス成形方
法は、（ａ）摺動可能な下芯金を有した下パンチをダイ
スのキャビティ内に嵌挿した下型の前記キャビティ内
に、前記下芯金を前記キャビティ内に突出させた状態
で、所定量の誘電体粉末を充填する充填工程と、（ｂ）
摺動可能な上芯金を有した上パンチが前記キャビティ内
を摺動することができる上型と、前記上芯金の下端面が
前記下芯金の上端面と接触するように、前記下型を、接
触させるアプローチ工程と、（ｃ）前記上芯金と前記下
芯金を接触させた状態で、前記上芯金と前記下芯金を前
記下パンチ側に摺動させ、前記上芯金と前記下芯金の接
触位置を前記キャビティ内の所定の位置に移送する移送
工程と、（ｄ）前記上芯金と前記下芯金を接触させた状
態で、前記上パンチと前記下パンチにて前記キャビティ
内の前記誘電体粉末を加圧圧縮して誘電体ブロックを成
形する加圧工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】ここで、例えば、下芯金の形状を半径ｒ１
の円柱形状とし、上芯金の形状を半径ｒ２の円柱形状と
したとき、下芯金の中心と上芯金の中心の距離Ｐは０≦
Ｐ≦ｒ１＋ｒ２の関係を有する。
の円柱形状とし、上芯金の形状を半径ｒ２の円柱形状と
したとき、下芯金の中心と上芯金の中心の距離Ｐは０≦
Ｐ≦ｒ１＋ｒ２の関係を有する。
【０００９】以上の方法により、移送工程において、キ
ャビティ内の誘電体粉末に殆ど圧力を加えない状態で、
予め、キャビティ内の誘電体粉末を、加圧圧縮後の誘電
体ブロックの形状を下型と上型の加圧方向に拡大した形
に成形しておく。この後、キャビティ内の誘電体粉末を
加圧圧縮することにより、キャビティ内の誘電体粉末の
密度が略均一になる。従って、誘電体フィルタや誘電体
デュプレクサ等の誘電体ブロックに成形された孔のステ
ップ部近傍にクラックが発生し難くなる。
ャビティ内の誘電体粉末に殆ど圧力を加えない状態で、
予め、キャビティ内の誘電体粉末を、加圧圧縮後の誘電
体ブロックの形状を下型と上型の加圧方向に拡大した形
に成形しておく。この後、キャビティ内の誘電体粉末を
加圧圧縮することにより、キャビティ内の誘電体粉末の
密度が略均一になる。従って、誘電体フィルタや誘電体
デュプレクサ等の誘電体ブロックに成形された孔のステ
ップ部近傍にクラックが発生し難くなる。
【００１０】また、上型の位置と下型の位置をそれぞれ
サーボ制御することにより、加圧途中における上下の芯
金の接触位置を精度良く制御することができ、より確実
にキャビティ内の誘電体粉末の密度を均一化することが
できる。
サーボ制御することにより、加圧途中における上下の芯
金の接触位置を精度良く制御することができ、より確実
にキャビティ内の誘電体粉末の密度を均一化することが
できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る誘電体ブロ
ックのプレス成形方法の実施の形態について添付の図面
を参照して説明する。
ックのプレス成形方法の実施の形態について添付の図面
を参照して説明する。
【００１２】［第１実施形態、図１〜図７］図１に本第
１実施形態のプレス成形方法で得られる誘電体ブロック
の斜視図を示し、図２に、その正面図を示す。この誘電
体ブロック１は、誘電体フィルタ用として使用される。
図１に示すように、誘電体ブロック１の対向する面１
ａ，１ｂを貫通して二つの同軸共振器孔２ａ，２ｂが成
形されている。それぞれの同軸共振器孔２ａ，２ｂは、
横断面円形の大径孔部２２ａ，２２ｂと、その大径孔部
２２ａ，２２ｂに連通した横断面円形状の小径孔部２３
ａ，２３ｂとを有している。
１実施形態のプレス成形方法で得られる誘電体ブロック
の斜視図を示し、図２に、その正面図を示す。この誘電
体ブロック１は、誘電体フィルタ用として使用される。
図１に示すように、誘電体ブロック１の対向する面１
ａ，１ｂを貫通して二つの同軸共振器孔２ａ，２ｂが成
形されている。それぞれの同軸共振器孔２ａ，２ｂは、
横断面円形の大径孔部２２ａ，２２ｂと、その大径孔部
２２ａ，２２ｂに連通した横断面円形状の小径孔部２３
ａ，２３ｂとを有している。
【００１３】小径孔部２３ａ，２３ｂの軸は、それぞれ
大径孔部２２ａ，２２ｂの軸に対して偏心している。す
なわち、大径孔部２２ａ，２２ｂの半径をｒ１、小径孔
部２３ａ，２３ｂの半径をｒ２、大径孔部２２ａ，２２
ｂの軸と小径孔部２３ａ，２３ｂの軸相互のずれ距離を
Ｐ（図２参照）とすると、ｒ１−ｒ２≦Ｐ≦ｒ１＋ｒ２
を満足する。従って、同軸共振器孔２ａ，２ｂは、屈曲
した形状、つまり小径孔部２３ａ，２３ｂが大径孔部２
２ａ，２２ｂからはみ出している形状を有している。大
径孔部２２ａと小径孔部２３ａのステップ部２４ａの位
置と、大径孔部２２ｂと小径孔部２３ｂのステップ部２
４ｂの位置は、長さＬの同軸共振器孔２ａ，２ｂの中央
（Ｌ／２）である。
大径孔部２２ａ，２２ｂの軸に対して偏心している。す
なわち、大径孔部２２ａ，２２ｂの半径をｒ１、小径孔
部２３ａ，２３ｂの半径をｒ２、大径孔部２２ａ，２２
ｂの軸と小径孔部２３ａ，２３ｂの軸相互のずれ距離を
Ｐ（図２参照）とすると、ｒ１−ｒ２≦Ｐ≦ｒ１＋ｒ２
を満足する。従って、同軸共振器孔２ａ，２ｂは、屈曲
した形状、つまり小径孔部２３ａ，２３ｂが大径孔部２
２ａ，２２ｂからはみ出している形状を有している。大
径孔部２２ａと小径孔部２３ａのステップ部２４ａの位
置と、大径孔部２２ｂと小径孔部２３ｂのステップ部２
４ｂの位置は、長さＬの同軸共振器孔２ａ，２ｂの中央
（Ｌ／２）である。
【００１４】ただし、大径孔部２２ａ，２２ｂの軸と小
径孔部２３ａ，２３ｂの軸相互のずれ距離Ｐは、関係式
０≦Ｐ≦ｒ１＋ｒ２を満足していればよく、Ｐ＝０の場
合、つまり、大径孔部２２ａ，２２ｂの軸と小径孔部２
３ａ，２３ｂの軸が一致している場合でもよい。
径孔部２３ａ，２３ｂの軸相互のずれ距離Ｐは、関係式
０≦Ｐ≦ｒ１＋ｒ２を満足していればよく、Ｐ＝０の場
合、つまり、大径孔部２２ａ，２２ｂの軸と小径孔部２
３ａ，２３ｂの軸が一致している場合でもよい。
【００１５】次に、上記で説明した誘電体ブロック１を
成形するためのプレス成形装置の概要を説明する。図３
に示すように、該装置は下型６と上型７を有している。
下型６はダイス５と、下パンチ６１と、下パンチ６１に
対して摺動可能な下芯金７１ａ，７１ｂとを備えてい
る。ダイス５は横断面略矩形状のキャビティ５１を有し
ており、そのキャビティ５１の内部に下パンチ６１を嵌
挿している。下芯金７１ａ，７１ｂの形状は半径ｒ１の
円柱形状である。また、上型７は、上パンチ６２と、上
パンチ６２に対して摺動可能な上芯金７２ａ，７２ｂと
を備えている。上芯金７２ａ，７２ｂの形状は半径ｒ２
の円柱形状である。
成形するためのプレス成形装置の概要を説明する。図３
に示すように、該装置は下型６と上型７を有している。
下型６はダイス５と、下パンチ６１と、下パンチ６１に
対して摺動可能な下芯金７１ａ，７１ｂとを備えてい
る。ダイス５は横断面略矩形状のキャビティ５１を有し
ており、そのキャビティ５１の内部に下パンチ６１を嵌
挿している。下芯金７１ａ，７１ｂの形状は半径ｒ１の
円柱形状である。また、上型７は、上パンチ６２と、上
パンチ６２に対して摺動可能な上芯金７２ａ，７２ｂと
を備えている。上芯金７２ａ，７２ｂの形状は半径ｒ２
の円柱形状である。
【００１６】下型６の位置と上型７の位置はそれぞれサ
ーボ制御されている。下芯金７１ａ，７１ｂ、ダイス
５、上パンチ６２および上芯金７２ａ，７２ｂの駆動
（下降又は上昇）は、それぞれＡＣサーボモータＭ１，
Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４を利用している。そして、下パンチ６
１の上面を基準面とし、この基準面から上パンチ６２の
下面の位置、上芯金７２ａ，７２ｂの下面の位置、下芯
金７１ａ，７１ｂの上面の位置およびダイス５の上面ま
での距離をリニアスケール（図示せず）で測定し、それ
ぞれの測定された位置情報に基づいてＡＣサーボモータ
Ｍ１〜Ｍ４を数値制御する。つまり、上パンチ６２、上
下芯金７２ａ，７２ｂ，７１ａ，７１ｂおよびダイス５
の「実際（動作途中）の位置」と「指定している位置
（目標値入力信号）」との間に位置ずれが生じていない
かどうかを、スケールフィードバック制御を用いて常に
監視し、補正するように制御する。
ーボ制御されている。下芯金７１ａ，７１ｂ、ダイス
５、上パンチ６２および上芯金７２ａ，７２ｂの駆動
（下降又は上昇）は、それぞれＡＣサーボモータＭ１，
Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４を利用している。そして、下パンチ６
１の上面を基準面とし、この基準面から上パンチ６２の
下面の位置、上芯金７２ａ，７２ｂの下面の位置、下芯
金７１ａ，７１ｂの上面の位置およびダイス５の上面ま
での距離をリニアスケール（図示せず）で測定し、それ
ぞれの測定された位置情報に基づいてＡＣサーボモータ
Ｍ１〜Ｍ４を数値制御する。つまり、上パンチ６２、上
下芯金７２ａ，７２ｂ，７１ａ，７１ｂおよびダイス５
の「実際（動作途中）の位置」と「指定している位置
（目標値入力信号）」との間に位置ずれが生じていない
かどうかを、スケールフィードバック制御を用いて常に
監視し、補正するように制御する。
【００１７】次に、上記で説明した誘電体ブロック１の
プレス成形方法を説明する。図３に示すように、下芯金
７１ａ，７１ｂを、予め、面ｆ１の位置まで上昇させ、
その後、Ｂａ−Ｔｉ系セラミックやＢａ−Ｔｉ−Ｎｄ系
セラミックなどの誘電体粉末４を所定量充填する（充填
工程）。本第１実施形態では誘電体粉末４の上面が面ｆ
１と略同一になるまでキャビティ５１内に誘電体粉末４
を充填した。
プレス成形方法を説明する。図３に示すように、下芯金
７１ａ，７１ｂを、予め、面ｆ１の位置まで上昇させ、
その後、Ｂａ−Ｔｉ系セラミックやＢａ−Ｔｉ−Ｎｄ系
セラミックなどの誘電体粉末４を所定量充填する（充填
工程）。本第１実施形態では誘電体粉末４の上面が面ｆ
１と略同一になるまでキャビティ５１内に誘電体粉末４
を充填した。
【００１８】次に、上型７を下降させ、図４に示すよう
に、上パンチ６２および上芯金７２ａ，７２ｂのそれぞ
れの下端面が、下芯金７１ａ，７１ｂの上端面に接触す
る位置に上型７が達すると、上型７の下降を一旦停止す
る（アプローチ工程）。上芯金７２ａ，７２ｂと下芯金
７１ａ，７１ｂが接触した部分は、後工程で、同軸共振
器孔２ａ，２ｂのステップ部２４ａ，２４ｂを成形す
る。
に、上パンチ６２および上芯金７２ａ，７２ｂのそれぞ
れの下端面が、下芯金７１ａ，７１ｂの上端面に接触す
る位置に上型７が達すると、上型７の下降を一旦停止す
る（アプローチ工程）。上芯金７２ａ，７２ｂと下芯金
７１ａ，７１ｂが接触した部分は、後工程で、同軸共振
器孔２ａ，２ｂのステップ部２４ａ，２４ｂを成形す
る。
【００１９】次に、図５に示すように、キャビティ５１
内の誘電体粉末４に圧力を加えないようにして、上芯金
７２ａ，７２ｂの下端面と下芯金７１ａ，７１ｂの上端
面をそれぞれ接触させた状態で、上芯金７２ａ，７２ｂ
と下芯金７１ａ，７１ｂを下パンチ６１側へ摺動させ
る。そして、上芯金７２ａ，７２ｂと下芯金７１ａ，７
１ｂの接触位置Ｆがキャビティ５１内の所定の位置に達
すると、上下芯金７２ａ，７２ｂ，７１ａ，７１ｂの下
降を一旦停止する（移送工程）。
内の誘電体粉末４に圧力を加えないようにして、上芯金
７２ａ，７２ｂの下端面と下芯金７１ａ，７１ｂの上端
面をそれぞれ接触させた状態で、上芯金７２ａ，７２ｂ
と下芯金７１ａ，７１ｂを下パンチ６１側へ摺動させ
る。そして、上芯金７２ａ，７２ｂと下芯金７１ａ，７
１ｂの接触位置Ｆがキャビティ５１内の所定の位置に達
すると、上下芯金７２ａ，７２ｂ，７１ａ，７１ｂの下
降を一旦停止する（移送工程）。
【００２０】こうして、予め、キャビティ５１内の誘電
体粉末４を、加圧完了後の誘電体ブロック１の形状に対
して加圧方向へ拡大した形状に成形しておく。そして、
上芯金７２ａ，７２ｂと下芯金７１ａ，７１ｂの接触位
置Ｆは、下パンチ６１の上面と上パンチ６２の下面の間
の距離をＬ１とすると、下パンチ６１の上面から距離Ｌ
１／２の位置にある。なお、上パンチ６２は、誘電体粉
末４に接している。
体粉末４を、加圧完了後の誘電体ブロック１の形状に対
して加圧方向へ拡大した形状に成形しておく。そして、
上芯金７２ａ，７２ｂと下芯金７１ａ，７１ｂの接触位
置Ｆは、下パンチ６１の上面と上パンチ６２の下面の間
の距離をＬ１とすると、下パンチ６１の上面から距離Ｌ
１／２の位置にある。なお、上パンチ６２は、誘電体粉
末４に接している。
【００２１】次に、図６に示すように、ダイス５と上パ
ンチ６２と下芯金７１ａ，７１ｂと上芯金７２ａ，７２
ｂを下側方向に移動させ、誘電体粉末４を加圧圧縮して
誘電体ブロック１の形状に成形する（加圧工程）。この
とき、上芯金７２ａ，７２ｂの下端面と下芯金７１ａ，
７１ｂの上端面をそれぞれ接触させた状態で、上芯金７
２ａ，７２ｂと下芯金７１ａ，７１ｂを下方向に摺動さ
せる。そして、加圧圧縮中は、上芯金７２ａ，７２ｂと
下芯金７１ａ，７１ｂの接触位置Ｆが、常に下パンチ６
１の上面の位置と上パンチ６２の下面の位置の中間にな
るように、上パンチ６２と下芯金７１ａ，７１ｂと上芯
金７２ａ，７２ｂをスケールフィードバック制御しなが
らサーボモータＭ１，Ｍ３，Ｍ４によって下降させる。
なお、下芯金７１ａ，７１ｂの下降に併せてダイス５
も、サーボモータＭ２によって下降させる。
ンチ６２と下芯金７１ａ，７１ｂと上芯金７２ａ，７２
ｂを下側方向に移動させ、誘電体粉末４を加圧圧縮して
誘電体ブロック１の形状に成形する（加圧工程）。この
とき、上芯金７２ａ，７２ｂの下端面と下芯金７１ａ，
７１ｂの上端面をそれぞれ接触させた状態で、上芯金７
２ａ，７２ｂと下芯金７１ａ，７１ｂを下方向に摺動さ
せる。そして、加圧圧縮中は、上芯金７２ａ，７２ｂと
下芯金７１ａ，７１ｂの接触位置Ｆが、常に下パンチ６
１の上面の位置と上パンチ６２の下面の位置の中間にな
るように、上パンチ６２と下芯金７１ａ，７１ｂと上芯
金７２ａ，７２ｂをスケールフィードバック制御しなが
らサーボモータＭ１，Ｍ３，Ｍ４によって下降させる。
なお、下芯金７１ａ，７１ｂの下降に併せてダイス５
も、サーボモータＭ２によって下降させる。
【００２２】上記加圧工程が完了後、図７に示すよう
に、ダイス５と下芯金７１ａ，７１ｂを下方向に移動さ
せ、上パンチ６２と上芯金７２ａ，７２ｂを上方向に移
動させて、成形された誘電体ブロック１を取り出す（開
放工程）。
に、ダイス５と下芯金７１ａ，７１ｂを下方向に移動さ
せ、上パンチ６２と上芯金７２ａ，７２ｂを上方向に移
動させて、成形された誘電体ブロック１を取り出す（開
放工程）。
【００２３】以上の方法で得られた誘電体ブロック１は
移送工程において、キャビティ５１内の誘電体粉末４に
殆ど圧力を加えない状態で、予め、キャビティ５１内の
誘電体粉末４を、加圧圧縮後の誘電体ブロック１の形状
を下型６と上型７の加圧方向に拡大した形状に成形し、
その後、キャビティ５１内の誘電体粉末４を加圧圧縮す
るので、キャビティ５１内の誘電体粉末４の密度を略均
一にすることができる。従って、同軸共振器孔２ａ，２
ｂのステップ部２４ａ，２４ｂ近傍にクラックが発生し
難い誘電体ブロック１を得ることができる。
移送工程において、キャビティ５１内の誘電体粉末４に
殆ど圧力を加えない状態で、予め、キャビティ５１内の
誘電体粉末４を、加圧圧縮後の誘電体ブロック１の形状
を下型６と上型７の加圧方向に拡大した形状に成形し、
その後、キャビティ５１内の誘電体粉末４を加圧圧縮す
るので、キャビティ５１内の誘電体粉末４の密度を略均
一にすることができる。従って、同軸共振器孔２ａ，２
ｂのステップ部２４ａ，２４ｂ近傍にクラックが発生し
難い誘電体ブロック１を得ることができる。
【００２４】また、上型７の位置と下型６の位置をそれ
ぞれサーボ制御しているので、加圧途中における上下の
芯金７１ａ，７１ｂ，７２ａ，７２ｂの接触位置Ｆを精
度良く制御することができ、より確実にキャビティ５１
内の誘電体粉末４の密度を均一化することができる。
ぞれサーボ制御しているので、加圧途中における上下の
芯金７１ａ，７１ｂ，７２ａ，７２ｂの接触位置Ｆを精
度良く制御することができ、より確実にキャビティ５１
内の誘電体粉末４の密度を均一化することができる。
【００２５】［第２実施形態、図８〜図１４］図８に本
第２実施形態のプレス成形方法で得られる誘電体ブロッ
クの斜視図を示し、図９に、その正面図を示す。この誘
電体ブロック２は、第１実施形態で得られる誘電体ブロ
ック１と同様に誘電体フィルタ用として使用される。図
８に示すように、誘電体ブロック２の対向する面１ａ，
１ｂを貫通して二つの同軸共振器孔２ａ，２ｃが成形さ
れている。それぞれの同軸共振器孔２ａ，２ｃは、横断
面円形の大径孔部２２ａ，２２ｃと、その大径孔部２２
ａ，２２ｃに連通した横断面円形状の小径孔部２３ａ，
２３ｃとを有している。一方の小径孔部２３ａの軸は、
大径孔部２２ａの軸に対して偏心している。他方の小径
孔部２３ｃの軸は、大径孔部２２ｃの軸に対して略一致
している。
第２実施形態のプレス成形方法で得られる誘電体ブロッ
クの斜視図を示し、図９に、その正面図を示す。この誘
電体ブロック２は、第１実施形態で得られる誘電体ブロ
ック１と同様に誘電体フィルタ用として使用される。図
８に示すように、誘電体ブロック２の対向する面１ａ，
１ｂを貫通して二つの同軸共振器孔２ａ，２ｃが成形さ
れている。それぞれの同軸共振器孔２ａ，２ｃは、横断
面円形の大径孔部２２ａ，２２ｃと、その大径孔部２２
ａ，２２ｃに連通した横断面円形状の小径孔部２３ａ，
２３ｃとを有している。一方の小径孔部２３ａの軸は、
大径孔部２２ａの軸に対して偏心している。他方の小径
孔部２３ｃの軸は、大径孔部２２ｃの軸に対して略一致
している。
【００２６】次に、上記で説明した誘電体ブロック２を
成形するためのプレス成形装置の概要を説明する。な
お、第１実施形態と同一の部品および同一の部分には同
じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
成形するためのプレス成形装置の概要を説明する。な
お、第１実施形態と同一の部品および同一の部分には同
じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００２７】図１０に示すように、該装置は下型６と上
型７を有している。下型６はダイス５と下パンチ６１
と、下パンチ６１に対して摺動可能な下芯金７１ａ，７
１ｃとを備えている。下芯金７１ｃは、半径ｒ１の円柱
部７４ａの上に、これと同じ中心軸を有し、半径ｒ１よ
り小さい半径ｒ２の円柱部７４ｂを設けた形状をしてい
る。つまり、下芯金７１ｃは、大径孔部２２ｃを成形す
る部位と小径孔部２３ｃを成形する部位を一体化したも
のである。円柱部７４ａと７４ｂの段部７３は、後工程
で、同軸共振器孔２ｃのステップ部２４ｃを成形する。
また、上型７は、上パンチ６２と、上パンチ６２に対し
て摺動可能な上芯金７２ａとを備えている。上パンチ６
２には孔６２ａが設けられており、この孔６２ａは下芯
金７１ｃの円柱部７４ｂが嵌挿して摺動可能である。
型７を有している。下型６はダイス５と下パンチ６１
と、下パンチ６１に対して摺動可能な下芯金７１ａ，７
１ｃとを備えている。下芯金７１ｃは、半径ｒ１の円柱
部７４ａの上に、これと同じ中心軸を有し、半径ｒ１よ
り小さい半径ｒ２の円柱部７４ｂを設けた形状をしてい
る。つまり、下芯金７１ｃは、大径孔部２２ｃを成形す
る部位と小径孔部２３ｃを成形する部位を一体化したも
のである。円柱部７４ａと７４ｂの段部７３は、後工程
で、同軸共振器孔２ｃのステップ部２４ｃを成形する。
また、上型７は、上パンチ６２と、上パンチ６２に対し
て摺動可能な上芯金７２ａとを備えている。上パンチ６
２には孔６２ａが設けられており、この孔６２ａは下芯
金７１ｃの円柱部７４ｂが嵌挿して摺動可能である。
【００２８】従って、本第２実施形態では、同軸共振器
孔２ａ，２ｃは、大径孔部２２ａ，２２ｃの半径をｒ
１、小径孔部２３ａ，２３ｃの半径をｒ２、大径孔部２
２ａ，２２ｃの軸と小径孔部２３ａ，２３ｃの軸相互の
ずれ距離をＰ（図９参照）とすると、それぞれ関係式０
≦Ｐ≦ｒ１＋ｒ２と０≦Ｐ≦ｒ１−ｒ２を満足する範囲
で、大径孔部２２ａ，２２ｃの軸を基準にして小径孔部
２３ａ，２３ｃの軸を偏心させることができる。言い換
えると、同軸共振器孔２ａは小径孔部２３ａが大径孔部
２２ａからはみ出している形状を有し、同軸共振器孔２
ｃは小径孔部２３ｃが大径孔部２２ｃ内に収まる形状を
有している。
孔２ａ，２ｃは、大径孔部２２ａ，２２ｃの半径をｒ
１、小径孔部２３ａ，２３ｃの半径をｒ２、大径孔部２
２ａ，２２ｃの軸と小径孔部２３ａ，２３ｃの軸相互の
ずれ距離をＰ（図９参照）とすると、それぞれ関係式０
≦Ｐ≦ｒ１＋ｒ２と０≦Ｐ≦ｒ１−ｒ２を満足する範囲
で、大径孔部２２ａ，２２ｃの軸を基準にして小径孔部
２３ａ，２３ｃの軸を偏心させることができる。言い換
えると、同軸共振器孔２ａは小径孔部２３ａが大径孔部
２２ａからはみ出している形状を有し、同軸共振器孔２
ｃは小径孔部２３ｃが大径孔部２２ｃ内に収まる形状を
有している。
【００２９】下型６の位置と上型７の位置はそれぞれサ
ーボ制御されている。下芯金７１ａ，７１ｃ、ダイス
５、上パンチ６２および上芯金７２ａの駆動（下降また
は上昇）はそれぞれＡＣサーボモータＭ１，Ｍ２，Ｍ
３，Ｍ４，Ｍ５を利用している。下パンチ６１の上面を
基準面とし、この基準面から上パンチ６２の下面の位
置、上芯金７２ａの下面の位置、下芯金７１ａ，７１ｃ
の上面の位置およびダイス５の上面までの距離をリニア
スケール（図示せず）で測定し、それぞれの測定された
位置情報に基づいて、サーボモータＭ１〜Ｍ５を数値制
御する。
ーボ制御されている。下芯金７１ａ，７１ｃ、ダイス
５、上パンチ６２および上芯金７２ａの駆動（下降また
は上昇）はそれぞれＡＣサーボモータＭ１，Ｍ２，Ｍ
３，Ｍ４，Ｍ５を利用している。下パンチ６１の上面を
基準面とし、この基準面から上パンチ６２の下面の位
置、上芯金７２ａの下面の位置、下芯金７１ａ，７１ｃ
の上面の位置およびダイス５の上面までの距離をリニア
スケール（図示せず）で測定し、それぞれの測定された
位置情報に基づいて、サーボモータＭ１〜Ｍ５を数値制
御する。
【００３０】次に、上記で説明した誘電体ブロック２の
プレス成形方法を説明する。図１０に示すように、下芯
金７１ａ，７１ｃを、予め、面ｆ１の位置まで上昇さ
せ、その後、誘電体粉末４を所定量充填する（充填工
程）。本第２実施形態では誘電体粉末４の上面が面ｆ１
と同一になるまでキャビティ５１内に誘電体粉末４を充
填した。
プレス成形方法を説明する。図１０に示すように、下芯
金７１ａ，７１ｃを、予め、面ｆ１の位置まで上昇さ
せ、その後、誘電体粉末４を所定量充填する（充填工
程）。本第２実施形態では誘電体粉末４の上面が面ｆ１
と同一になるまでキャビティ５１内に誘電体粉末４を充
填した。
【００３１】次に、上型７を下降させ、図１１に示すよ
うに、上パンチ６２および上芯金７２ａのそれぞれの下
端面が、下芯金７１ａの上端面に接触する位置に上型７
が達すると、上型７の下降を一旦停止する（アプローチ
工程）。上芯金７２ａと下芯金７１ａが接触した部分
は、第１実施形態と同様に、後工程で、同軸共振器孔２
ａのステップ部２４ａを成形する。
うに、上パンチ６２および上芯金７２ａのそれぞれの下
端面が、下芯金７１ａの上端面に接触する位置に上型７
が達すると、上型７の下降を一旦停止する（アプローチ
工程）。上芯金７２ａと下芯金７１ａが接触した部分
は、第１実施形態と同様に、後工程で、同軸共振器孔２
ａのステップ部２４ａを成形する。
【００３２】次に、図１２に示すように、キャビティ５
１内の誘電体粉末４に圧力を加えないようにして、上芯
金７２ａの下端面と下芯金７１ａの上端面を接触させた
状態で、上芯金７２ａと下芯金７１ａを下パンチ６１側
へ摺動させる。そして、上芯金７２ａと下芯金７１ａの
接触位置Ｆがキャビティ５１内の所定の位置に達する
と、上芯金７２ａと下芯金７１ａの下降を停止する（移
送工程）。なお、本第２実施形態では、下芯金７１ｃの
段部７３の位置をすでにキャビティ５１内の所定の位置
に設定しているので、移送工程中に下芯金７１ｃを上昇
または下降させる必要がない。
１内の誘電体粉末４に圧力を加えないようにして、上芯
金７２ａの下端面と下芯金７１ａの上端面を接触させた
状態で、上芯金７２ａと下芯金７１ａを下パンチ６１側
へ摺動させる。そして、上芯金７２ａと下芯金７１ａの
接触位置Ｆがキャビティ５１内の所定の位置に達する
と、上芯金７２ａと下芯金７１ａの下降を停止する（移
送工程）。なお、本第２実施形態では、下芯金７１ｃの
段部７３の位置をすでにキャビティ５１内の所定の位置
に設定しているので、移送工程中に下芯金７１ｃを上昇
または下降させる必要がない。
【００３３】こうして、予め、キャビティ５１内の誘電
体粉末４を、加圧圧縮完了後の誘電体ブロック２の形状
に対して加圧方向へ拡大した形状に成形しておく。そし
て、上芯金７２ａと下芯金７１ａの接触位置Ｆと下芯金
７１ｃの段部７３は、下パンチ６１の上面と上パンチ６
２の下面の間の距離をＬ１とすると、下パンチ６１の上
面から距離Ｌ１／２の位置にある。
体粉末４を、加圧圧縮完了後の誘電体ブロック２の形状
に対して加圧方向へ拡大した形状に成形しておく。そし
て、上芯金７２ａと下芯金７１ａの接触位置Ｆと下芯金
７１ｃの段部７３は、下パンチ６１の上面と上パンチ６
２の下面の間の距離をＬ１とすると、下パンチ６１の上
面から距離Ｌ１／２の位置にある。
【００３４】次に、図１３に示すように、ダイス５と上
パンチ６２と下芯金７１ａ，７１ｃと上芯金７２ａを下
側方向に移動させ、誘電体粉末４を加圧圧縮して誘電体
ブロック２の形状に成形する（加圧工程）。このとき、
上芯金７２ａの下端面と下芯金７１ａの上端面を接触さ
せた状態で、上芯金７２ａと下芯金７１ａを下方向に摺
動させる。そして、加圧圧縮中は、上芯金７２ａと下芯
金７１ａの接触位置Ｆと下芯金７１ｃの段部７３の位置
が、常に下パンチ６１の上面の位置と上パンチ６２の下
面の位置の中間になるように、上パンチ６２と下芯金７
１ａ，７１ｃと上芯金７２ａをスケールフィードバック
制御しながらサーボモータＭ１，Ｍ２，Ｍ４，Ｍ５によ
って下降させる。
パンチ６２と下芯金７１ａ，７１ｃと上芯金７２ａを下
側方向に移動させ、誘電体粉末４を加圧圧縮して誘電体
ブロック２の形状に成形する（加圧工程）。このとき、
上芯金７２ａの下端面と下芯金７１ａの上端面を接触さ
せた状態で、上芯金７２ａと下芯金７１ａを下方向に摺
動させる。そして、加圧圧縮中は、上芯金７２ａと下芯
金７１ａの接触位置Ｆと下芯金７１ｃの段部７３の位置
が、常に下パンチ６１の上面の位置と上パンチ６２の下
面の位置の中間になるように、上パンチ６２と下芯金７
１ａ，７１ｃと上芯金７２ａをスケールフィードバック
制御しながらサーボモータＭ１，Ｍ２，Ｍ４，Ｍ５によ
って下降させる。
【００３５】次に、図１４に示すように、ダイス５と下
芯金７１ａ，７１ｃを下方向に移動させ、上パンチ６２
と上芯金７２ａを上方向に移動させ、成形された誘電体
ブロック２を取り出す（開放工程）。なお、下芯金７１
ａ，７１ｃの下降に併せてダイス５も、サーボモータＭ
３によって下降させる。
芯金７１ａ，７１ｃを下方向に移動させ、上パンチ６２
と上芯金７２ａを上方向に移動させ、成形された誘電体
ブロック２を取り出す（開放工程）。なお、下芯金７１
ａ，７１ｃの下降に併せてダイス５も、サーボモータＭ
３によって下降させる。
【００３６】本第２実施形態のプレス成形方法は、第１
実施形態と同様の作用効果を奏する。
実施形態と同様の作用効果を奏する。
【００３７】［他の実施形態、図１５、図１６］本発明
は、前記第１実施形態や第２実施形態に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨の範囲内で種々に変更すること
ができる。
は、前記第１実施形態や第２実施形態に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨の範囲内で種々に変更すること
ができる。
【００３８】例えば、第１実施形態や第２実施形態で
は、アプローチ工程と移送工程の工程間に上型７を一旦
停止するとしたが、これに限定されるものではなく、連
続的にアプローチ工程から移送工程に移ってもよい。同
様に、移送工程と加圧工程の工程間に上下芯金７２ａ，
７２ｂ，７１ａ，７１ｂの下降を一旦停止するとした
が、これに限定されるものではなく、連続的に移送工程
から加圧工程に移ってもよい。
は、アプローチ工程と移送工程の工程間に上型７を一旦
停止するとしたが、これに限定されるものではなく、連
続的にアプローチ工程から移送工程に移ってもよい。同
様に、移送工程と加圧工程の工程間に上下芯金７２ａ，
７２ｂ，７１ａ，７１ｂの下降を一旦停止するとした
が、これに限定されるものではなく、連続的に移送工程
から加圧工程に移ってもよい。
【００３９】さらに、上芯金７２ａ，７２ｂがそれぞれ
下芯金７１ａ，７１ｂに誘電体粉末４を挟むことなく接
触していればよく、下芯金７１ａ，７１ｂの上面を誘電
体粉末４の上面より突出させた状態で、アプローチ工程
を行ってもよい。
下芯金７１ａ，７１ｂに誘電体粉末４を挟むことなく接
触していればよく、下芯金７１ａ，７１ｂの上面を誘電
体粉末４の上面より突出させた状態で、アプローチ工程
を行ってもよい。
【００４０】また、前記第１実施形態の加圧工程では、
下パンチ６１を固定して、上パンチ６２や上下芯金７２
ａ，７１ａなどを下パンチ６１側に下降させ、誘電体粉
末４を加圧圧縮しているが、必ずしもこれに限定される
ものではない。例えば、上下芯金７２ａ，７１ａの接触
位置Ｆを固定して、下パンチ６１を上昇させると共に、
上パンチ６２を下降させ、接触位置Ｆを中心にして上下
方向から上パンチ６２と下パンチ６１にて誘電体粉末４
を加圧圧縮してもよい。
下パンチ６１を固定して、上パンチ６２や上下芯金７２
ａ，７１ａなどを下パンチ６１側に下降させ、誘電体粉
末４を加圧圧縮しているが、必ずしもこれに限定される
ものではない。例えば、上下芯金７２ａ，７１ａの接触
位置Ｆを固定して、下パンチ６１を上昇させると共に、
上パンチ６２を下降させ、接触位置Ｆを中心にして上下
方向から上パンチ６２と下パンチ６１にて誘電体粉末４
を加圧圧縮してもよい。
【００４１】また、誘電体ブロックに成形される同軸共
振器孔の数や形状などは任意である。例えば、図１５お
よび図１６に示した誘電体デュプレクサ用として使用さ
れる誘電体ブロック１１に対しても本発明を適用するこ
とができる。図１５は誘電体ブロック１１の正面図、図
１６は、図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ断面図を示す。誘電体
ブロック１１には、７個の同軸共振器孔９ａ〜９ｇが成
形されている。
振器孔の数や形状などは任意である。例えば、図１５お
よび図１６に示した誘電体デュプレクサ用として使用さ
れる誘電体ブロック１１に対しても本発明を適用するこ
とができる。図１５は誘電体ブロック１１の正面図、図
１６は、図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ断面図を示す。誘電体
ブロック１１には、７個の同軸共振器孔９ａ〜９ｇが成
形されている。
【００４２】同軸共振器孔９ａ〜９ｃ，９ｅ，９ｇは、
大径孔部の軸と小径孔部の軸が互いにずれている。しか
も、同軸共振器孔９ｅ，９ｇは、小径孔部が大径孔部か
らはみ出している。一方、同軸共振器孔９ｄ，９ｆは、
大径孔部の軸と小径孔部の軸が互いに一致している。特
に、同軸共振器孔９ｄは大径孔部の径と小径孔部の径が
等しい。
大径孔部の軸と小径孔部の軸が互いにずれている。しか
も、同軸共振器孔９ｅ，９ｇは、小径孔部が大径孔部か
らはみ出している。一方、同軸共振器孔９ｄ，９ｆは、
大径孔部の軸と小径孔部の軸が互いに一致している。特
に、同軸共振器孔９ｄは大径孔部の径と小径孔部の径が
等しい。
【００４３】そして、同軸共振器孔９ａ〜９ｃと同軸共
振器孔９ｅ，９ｇと同軸共振器孔９ｆのそれぞれのステ
ップ部は、同軸共振器孔の軸方向の任意の位置に設けら
れている。この場合、圧縮工程では、加圧圧縮中の下芯
金と上芯金の接触位置や下芯金の段部の位置は、上パン
チの下面の位置からの距離と下パンチの上面の位置から
の距離の比が常に一定になるように設定される。
振器孔９ｅ，９ｇと同軸共振器孔９ｆのそれぞれのステ
ップ部は、同軸共振器孔の軸方向の任意の位置に設けら
れている。この場合、圧縮工程では、加圧圧縮中の下芯
金と上芯金の接触位置や下芯金の段部の位置は、上パン
チの下面の位置からの距離と下パンチの上面の位置から
の距離の比が常に一定になるように設定される。
【００４４】また、上芯金と下芯金の形状は円柱形状と
して説明していたが、これに限定されるものではなく、
例えば、横断面が矩形や楕円形の柱状芯金であってもよ
い。矩形の上下芯金を使用すれば、横断面が矩形の孔が
得られる。また、円形状と矩形状が混在する芯金を有す
る型であってもよい。さらに、一つの同軸共振器孔を、
例えば、円形状の上芯金と矩形状の下芯金とを組み合わ
せて成形してもよい。
して説明していたが、これに限定されるものではなく、
例えば、横断面が矩形や楕円形の柱状芯金であってもよ
い。矩形の上下芯金を使用すれば、横断面が矩形の孔が
得られる。また、円形状と矩形状が混在する芯金を有す
る型であってもよい。さらに、一つの同軸共振器孔を、
例えば、円形状の上芯金と矩形状の下芯金とを組み合わ
せて成形してもよい。
【００４５】また、誘電体ブロックは一つの同軸共振器
孔に対して大径孔部と小径孔部の二つの径を有する孔で
構成されているが、これらの径の関係はｒ１＞ｒ２の関
係に限定されるものではなく、ｒ１＜ｒ２やｒ１＝ｒ２
の関係でもよい。
孔に対して大径孔部と小径孔部の二つの径を有する孔で
構成されているが、これらの径の関係はｒ１＞ｒ２の関
係に限定されるものではなく、ｒ１＜ｒ２やｒ１＝ｒ２
の関係でもよい。
【００４６】また、下芯金や上芯金などの上昇及び下降
にはＡＣサーボモータを用いたが、これに限定されるも
のではなく、所定の精度で位置決め制御できる他のモー
タやシリンダ等を用いてもよい。
にはＡＣサーボモータを用いたが、これに限定されるも
のではなく、所定の精度で位置決め制御できる他のモー
タやシリンダ等を用いてもよい。
【００４７】また、上芯金と下芯金のずれの方向は、図
１５において左右横方向に限定されるものではなく縦方
向や斜め方向であってもよい。
１５において左右横方向に限定されるものではなく縦方
向や斜め方向であってもよい。
【００４８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、移送工
程において、キャビティ内の誘電体粉末に殆ど圧力を加
えない状態で、予め、キャビティ内の誘電体粉末を、加
圧圧縮後の誘電体ブロックの形状を下型と上型の加圧方
向に拡大した形状に成形し、この後、キャビティ内の誘
電体粉末を加圧圧縮することにより、キャビティ内の誘
電体粉末の密度を略均一にすることができる。従って、
誘電体フィルタや誘電体デュプレクサ等の誘電体ブロッ
クに成形された孔のステップ部近傍にクラックが発生し
難くなる。
程において、キャビティ内の誘電体粉末に殆ど圧力を加
えない状態で、予め、キャビティ内の誘電体粉末を、加
圧圧縮後の誘電体ブロックの形状を下型と上型の加圧方
向に拡大した形状に成形し、この後、キャビティ内の誘
電体粉末を加圧圧縮することにより、キャビティ内の誘
電体粉末の密度を略均一にすることができる。従って、
誘電体フィルタや誘電体デュプレクサ等の誘電体ブロッ
クに成形された孔のステップ部近傍にクラックが発生し
難くなる。
【００４９】また、上型の位置と下型の位置をそれぞれ
サーボ制御することにより、加圧途中における上下の芯
金の接触位置を精度良く制御することができ、より確実
にキャビティ内の誘電体粉末の密度を均一化することが
できる。
サーボ制御することにより、加圧途中における上下の芯
金の接触位置を精度良く制御することができ、より確実
にキャビティ内の誘電体粉末の密度を均一化することが
できる。
【図１】本発明に係るプレス成形方法で成形された誘電
体ブロックの一例を示す斜視図。
体ブロックの一例を示す斜視図。
【図２】図１に示した誘電体ブロックの正面図。
【図３】図１に示した誘電体ブロックのプレス成形方法
を示す縦概略断面図。
を示す縦概略断面図。
【図４】図３に続く工程を示す縦概略断面図。
【図５】図４に続く工程を示す縦概略断面図。
【図６】図５に続く工程を示す縦概略断面図。
【図７】図６に続く工程を示す縦概略断面図。
【図８】本発明に係るプレス成形方法で成形された誘電
体ブロックの他の例を示す斜視図。
体ブロックの他の例を示す斜視図。
【図９】図８に示した誘電体ブロックの正面図。
【図１０】図８に示した誘電体ブロックのプレス成形方
法を示す縦概略断面図。
法を示す縦概略断面図。
【図１１】図１０に続く工程を示す縦概略断面図。
【図１２】図１１に続く工程を示す縦概略断面図。
【図１３】図１２に続く工程を示す縦概略断面図。
【図１４】図１３に続く工程を示す縦概略断面図。
【図１５】本発明に係るプレス成形方法で成形された誘
電体ブロックのさらに他の例を示す正面図。
電体ブロックのさらに他の例を示す正面図。
【図１６】図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ断面図。
【図１７】従来のプレス成形方法を示す縦概略断面図。
【図１８】図１７に続く工程を示す縦概略断面図。
【図１９】（１）は図１８の工程後に成形される誘電体
ブロックの正面図、（２）はその断面図。
ブロックの正面図、（２）はその断面図。
１，２，１１…誘電体ブロック ２ａ，２ｂ，２ｃ，９ａ〜９ｇ…同軸共振器孔 ４…誘電体粉末 ５…ダイス ６…下型 ７…上型 ２２ａ〜２２ｃ…大径孔部 ２３ａ〜２３ｃ…小径孔部 ２４ａ，２４ｂ…ステップ部 ５１…キャビティ ６１…下パンチ ６２…上パンチ ７１ａ〜７１ｃ…下芯金 ７２ａ，７２ｂ…上芯金 Ｍ１〜Ｍ５…サーボモータ
Claims (4)
- 【請求項１】 摺動可能な下芯金を有した下パンチをダ
イスのキャビティ内に嵌挿した下型の前記キャビティ内
に、前記下芯金を前記キャビティ内に突出させた状態
で、所定量の誘電体粉末を充填する充填工程と、 摺動可能な上芯金を有した上パンチが前記キャビティ内
を摺動することができる上型と、前記上芯金の下端面が
前記下芯金の上端面と接触するように、前記下型を、接
触させるアプローチ工程と、 前記上芯金と前記下芯金を接触させた状態で、前記上芯
金と前記下芯金を前記下パンチ側に摺動させ、前記上芯
金と前記下芯金の接触位置を前記キャビティ内の所定の
位置に移送する移送工程と、 前記上芯金と前記下芯金を接触させた状態で、前記上パ
ンチと前記下パンチにて前記キャビティ内の前記誘電体
粉末を加圧圧縮して誘電体ブロックを成形する加圧工程
と、 を備えたことを特徴とする誘電体ブロックのプレス成形
方法。 - 【請求項２】 前記下型の位置と前記上型の位置をそれ
ぞれサーボ制御することを特徴とする請求項１記載の誘
電体ブロックのプレス成形方法。 - 【請求項３】 前記下芯金の形状が半径ｒ１の円柱形状
で、前記上芯金の形状が半径ｒ２の円柱形状で、前記下
芯金の中心と前記上芯金の中心の距離Ｐが０≦Ｐ≦ｒ１
＋ｒ２の関係を有することを特徴とする請求項１又は請
求項２記載の誘電体ブロックのプレス成形方法。 - 【請求項４】 前記誘電体ブロックが誘電体フィルタ及
び誘電体デュプレクサのいずれか一方の誘電体ブロック
であることを特徴とする請求項１ないし請求項３記載の
誘電体ブロックのプレス成形方法。
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|---|---|---|---|
| JP2000185997A JP3687492B2 (ja) | 2000-06-21 | 2000-06-21 | 誘電体ブロックのプレス成形方法 |
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| CNB011233907A CN100453213C (zh) | 2000-06-21 | 2001-06-21 | 用于加压成形电介质块的方法 |
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| DE10130092A DE10130092B4 (de) | 2000-06-21 | 2001-06-21 | Verfahren zum Preßformen eines dielektrischen Blocks |
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|---|---|---|---|
| JP2000185997A JP3687492B2 (ja) | 2000-06-21 | 2000-06-21 | 誘電体ブロックのプレス成形方法 |
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|---|---|
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| JP3687492B2 JP3687492B2 (ja) | 2005-08-24 |
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