JP2001510546A - 流体貯蔵および供給システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 流体貯蔵および供給システム（１０）は流体（１７）を所望の圧力にて保持するための容器（１２）を含む。この容器は所定の圧力に設定される圧力レギュレータ（２６）を有する。このレギュレータは、内部または外部のいずれに位置決めされてもよく、単一段または多段のいずれでもよく、および容器のポートに関連づけられる。供給アセンブリは、たとえばバルブ（２０）のような流量制御手段を含み、レギュレータ（２６）との間でガス／蒸気を流通するよう構成され、それによって、バルブを開くとガス／蒸気が容器（１２）から供給される。この容器内の流体は、たとえば環境温度（室温）のような一般的な温度条件にてその液化圧力を超える圧力で容器内に閉じ込められる液体によって構成されてもよい。

Description

【発明の詳細な説明】 流体貯蔵および供給システム 説明 発明の分野 この発明は、高圧の液体またはその他の流体を貯蔵するのに利用し得る流体貯 蔵およびガス供給システムに関し、このシステムは、システムからガスを供給す るためかつ供給されたガスを半導体装置および材料の製造などの応用例において 利用するためのものである。関連技術の説明 広範囲にわたる産業プロセスおよび応用において、信頼性のある処理流体供給 源が必要とされる。 このようなプロセスおよび応用分野には、半導体製造、イオン注入、フラット パネルディスプレイの製造、医学的介入および療法、水処理、救急呼吸器具、溶 接作業、宇宙での液体およびガスの送出などが含まれる。 １９８８年５月１７日に発行されたKarl O．Knollmuellerへの米国特許第４， ７４４，２２１号は、アルシンを約−３０℃から約＋３０℃の温度で細孔の大き さが約５から約１５オングストロームの範囲であるゼオライトに接触させてアル シンをゼオライトに吸着させることにより、アルシンを貯蔵し続いて送出する方 法を開示している。その後、ゼオライトを十分な時間をかけて約１７５℃の温度 まで加熱してアルシンをゼオライト材料から放出することにより、アルシンは供 給される。 Knollmueller特許に開示された方法は、ゼオライト材料に対する加熱手段を設 けてゼオライトを十分な温度まで加熱し、先に吸着されたアルシンを所望の量だ けゼオライトから脱着しなければならないという点において不利である。 アルシンを伴っているゼオライトを収容する容器の外側で加熱ジャケットまた はその他の手段を用いることには、この容器の熱容量が一般的に非常に大きいた め供給動作に多大なる遅延時間が生じるという点で問題がある。さらに、アルシ ンの加熱によってアルシンは分解しその結果水素ガスが形成されてプロセスシス テムに爆発の危険が生まれる。加えて、このような熱を媒介としたアルシンの分 解はプロセスシステムにおけるガス圧力の実質的な上昇を引き起こし、これはシ ステム寿命および動作効率ならびに安全性の点からすれば非常に不利となり得る 。 ゼオライト床そのものの内部に加熱コイルまたはその他の加熱要素を配置する ことには問題がある。なぜならこのような手段を用いてゼオライト床を均一的に 加熱して所望のとおりに均一的にアルシンガスを放出することは困難なためであ る。 上記のような欠点は、ゼオライト床が閉じ込められた容器に加熱した搬送ガス を流すことにより克服され得るかもしれないが、加熱搬送ガスによるアルシンの 脱着に必要な温度は不本意にも高くさもなければアルシンガスの最終用途に適さ ず、結果として冷却またはその他の処理を引き続いて行なって最終的な用途に応 じて放出ガスを調整することが必要になる。 １９９６年５月２１日にGlenn M.TomおよびJames V.McManusの名で発行された 米国特許第５，５１８，５２８号には、Knollmueller特許に開示されたガス供給 プロセスの上記のような欠点を克服する、ガスの貯蔵および供給のためのガス貯 蔵供給システムについて述べられている。Tom他特許のガス貯蔵供給システムは 、たとえば水素化物ガス、ハロゲン化物ガス、Ｖ族有機金属化合物などのガスを 貯蔵し供給するための吸着−脱着装置を含む。Tom他特許のガス貯蔵供給容器は 、貯蔵された収着質ガスをゼオライトまたは活性炭材料などの搬送収着媒体に可 逆的に吸着させることによってこの収着質ガスの圧力を減じている。 より具体的には、この貯蔵供給システムは、固相の物理的収着媒体を収容する ためかつガスを選択的に容器に流入させたり容器から流出させたりするために構 成された貯蔵供給容器と、上記の貯蔵供給容器に配置された内部ガス圧力の固相 の物理的収着媒体と、固相物理的収着媒体に物理的に吸着された収着質ガスと、 貯蔵供給容器と間をガスが流れるようにして結合され、貯蔵供給容器の外側の圧 力が内側の圧力を下回るようにして固相物理的収着媒体から収着質ガスが脱着し 脱着したガスが自身を通して流れるようにする供給アセンブリとを含み、固相物 理的収着媒体には、貯蔵供給容器内の収着質ガスの分解を引き起こすかもしれな い水、金属、酸化物遷移金属種などの微量成分（たとえば酸化物、亜硫酸塩およ び／または硝酸塩）などがない。 このような微量成分を固相物理的収着媒体から除去することにより、１年後２ ５℃で内部圧力条件に置かれた収着質ガスの分解は非常に低いレベルに保たれ、 たとえば分解する収着質ガスは重量比でせいぜい１５％ほどである。 Tom他特許の貯蔵供給容器はこのように、先行技術の高圧ガスシリンダの使用 に関していえば当該技術に実質的な進歩をもたらしている。従来の高圧ガスシリ ンダでは、損傷を受けているかまたは誤作動しているレギュレータアセンブリか らの漏れが生じやすく、かつガスの内部の分解によりシリンダ内でガス圧力が急 増した場合に破裂を起こしたりシリンダから望ましくない大量のガスが放出され ることもありがちである。 したがって、当該技術では上記のような種々の欠点を克服する、ガスを選択的 に供給するための改良された流体貯蔵および送出システムを提供することが必要 とされている。 当該技術の状況および以下でより詳細に説明するこの発明に関連する技術は以 下の引例を含む。Stennerへの米国特許第３，５９０，８６０号（レギュレータ 隔壁および作動ばねアセンブリを含む液体プロパンカートリッジのための手動調 整可能なレギュレータバルブ）、Coffre他への米国特許第４，８３６，２４２号 （ベローおよび入口バルブを含みベローと低圧出口との間に固体粒子フィルタを 備えた電子級ガスを供給するための圧力低減器）、Ollivierへの米国特許第５， ２３０，３５９号（高圧ガスシリンダ用の隔壁をもとにした圧力レギュレータで あり、バルブは圧力をかけられた流体の流れを調節可能に抑制するためにレギュ レータ内に配置される）、Baranowski，Jr.への米国特許第３，６９９，９９８ 号（較正可能圧力レギュレータであり板ばね固定器を利用してレギュレータ構成 要素を適所で保持する）、Maysへの米国特許第３，７９１，４１２号（低圧の抑 制された流体を供給するための１対のバルブ素子を含む高圧ガス容器のための圧 力低減バルブ）、Wormserへの米国特許第３，９７２，３４６号（Ｕリング封止 ポペットアセンブリを特徴とする圧力レギュレータ）、Eidsmoreへの米国特許第 ４，７９３，３７９号（バルブ構成要素の磁気作動を用いた、圧力をかけられた ガスシリンダの主な遮断および流量制御のためのボタン作動バルブ）、 Seneskyへの米国特許第２，６１５，２８７号（隔壁および隔壁クランプ部材素 子を含むガス圧力レギュレータ）、Martinへの米国特許第４，１７３，９８６号 （圧力レギュレータおよび応答ポペットバルブ構造を含む圧力ガス流量制御バル ブ）、Baumannへの米国特許第３，３８８，９６２号（焼結金属ペレット流れ素 子を含む圧力ガス燃料計量装置）、Jenkinsへの米国特許第１，６７９，８２６ 号（隔壁素子と、フェルトストリップを含むガスフィルタ手段を利用した高圧容 器のための流体圧力レギュレータ）、St．Clairへの米国特許第２，３５４，２ ８３号（振動を減少させるための流量制限構造を備えた圧力作動隔壁を含む液化 石油ガスタンクのための流体圧力レギュレータ）、Lhomer他への米国特許第５， ５６６，７１３号（ピストン型の圧力レギュレータおよびブロック低減器／レギ ュレータ手段を含むガス流量制御供給アセンブリ）、Amidzichへの米国特許第５ ，６４５，１９２号（封止リング／ばねアセンブリを含む容器において過剰ガス 圧力を緩和するためのバルブアセンブリ）、Cannet他への米国特許第５，６７８ ，６０２号（低減器およびインデックス付フローメータバルブを備えたレギュレ ータ手段を含む圧力ガスタンクのためのガス制御および供給アセンブリ）、Webs terへの米国特許第２，７９３，５０４号（圧力低減器およびレギュレータなら びにばねバイアス閉鎖手段を含む圧力流体容器のためのバルブ）、Harrisへの米 国特許第１，６５９，２６３号（隔壁および隔壁とレギュレータの環状シートと の間の反摩擦洗浄器を含む圧力ガスシリンダのためのレギュレータ）、Thomasへ の米国特許第２，０４７，３３９号（流量制御装置および漏れ防止バルブを含む 液化石油ガス貯蔵装置）、およびBaumann他への米国特許第３，９９４，６７４ 号（レギュレータバルブアセンブリを含む圧力液化可燃ガスの容器のための取外 し可能バーナーアセンブリ）である。 このように、この発明の目的は、上記の先行技術の実施例の欠点を克服する選 択的にガスを供給するための改良された流体貯蔵および供給システムを提供する ことである。 この発明の他の目的は、コスト、使いやすさおよび性能の点で非常に有利であ ることを特徴とする、選択的にガスを供給するための改良された流体貯蔵および 供給システムを提供することである。 この発明の他の目的および利点は、以下の開示および添付の請求の範囲からよ り明らかになるであろう。 発明の概要 この発明は、半導体製品の製造などの応用例において用いる、流体を貯蔵し供 給するためのシステムに関する。 この発明の流体貯蔵およびガス供給システムは、液体を収容するように構成さ れた貯蔵および供給容器を含み、この液体の蒸気が供給すべき流体を構成する。 流体は、たとえばこの流体が液体状態にある圧力で貯蔵および供給容器に収容さ れている。この貯蔵および供給容器は、出口ポートを含みかつ出口ポートに結合 された供給アセンブリを備え、たとえば、容器の液体から得られたガスを選択的 に放出するための供給バルブおよび出口を備えたバルブヘッドアセンブリを含む 。 流体圧力レギュレータは、出口ポートと関連付けられ、たとえば容器の首部で 出口ポートと関連付けられた圧力レギュレータ／相分離器アセンブリの一部を構 成し、容器内で流体を保持しかつ流体が液体形状であるときに液体が供給バルブ および出口に漏れないようにしてもよい。圧力レギュレータおよび任意で含まれ る相分離器は、出口ポートを通して容器から供給される流体の流路に配置される 。圧力レギュレータおよび任意で含まれる相分離器は、容器の中に配置されても よいし外に配置されてもよい。好ましくは、このような要素は内部に配置されて 使用の際に衝撃を受けたり環境にさらされたりする可能性を最小にとどめ、容器 に入れられた流体がそこから漏れる経路を最小限にする。圧力レギュレータおよ び任意で含まれる相分離器を内側に配置した場合、容器は自身の封止のために出 口ポートで片側溶接またはシームを利用してもよい。 相分離器は適切に、液体から得られた蒸気またはガスに対する透過性はあるが 液体に対する透過性はない多孔性膜を含んでもよく、相分離器は好ましくは、圧 力レギュレータの上流に保護モードで配置され、容器に収容された流体が液体の ときに、液体が圧力レギュレータ内に入り圧力レギュレータが容器内で液体を保 持しかつ液体が容器から出ないようにする機能を妨げないようにする。 レギュレータは、予め定められた圧力レベルに設定可能な流量制御装置であり 、 この圧力レベルでガスまたは蒸気をシリンダから供給することができる。圧力レ ベル設定ポイントは、供給条件および容器から放出するガスの形態次第で大気圧 より高くてもよく、大気圧より低くてもよくまたは大気圧でもよい。 この発明の流体貯蔵および供給容器は、本体部分が細長く容器の本体の断面に 比べ断面積が小さい首部を有する従来の高圧ガスシリンダの態様で形成すること ができる。このような構造の容器は、容器を洗浄してからバルブ（手動または自 動）と関連する圧力および流量制御素子とをマニホルドに配置したものを含むバ ルブヘッドアセンブリを設置する従来の製造法を適用しやすい。 この発明の流体貯蔵およびガス供給システムを使用する際には収容されている 流体の媒体は液体であることが好ましいが、貯蔵して選択的に供給する流体媒体 として高圧ガスを利用することも可能である。 流体圧力レギュレータを適切な低圧レベルに設定してガスまたは蒸気が圧力レ ギュレータの設定ポイントを下回るようにすれば、貯蔵および供給容器を容易に 充填することができる。これは、ポペット素子を含む従来の圧力レギュレータを 用いて行なわれる。ポペット素子は、ばね付勢素子のような付勢素子によって閉 位置に付勢され、設定ポイントの圧力を上回る圧力に応じて閉じた位置を保ち、 設定ポイントの圧力を下回る圧力に応じて開いて流体を通す。 このようにして充填動作を行なって、貯蔵し続いて供給すべき流体を容器に充 填することができる。これは、容器内の圧力レベルを圧力レギュレータのポペッ ト素子がその座部から外れる圧力にしてガスがシステムの供給モードと逆の流れ で容器に流れ込むようにして行なう。この態様で、容器をポートを１つのみ備え るように製造することができ、このポートはしたがって、ガスを単一ポートを通 して供給のために容器から出したり単一ポートを通して最初に容器を流体で充填 したりする役割を果たす。 その代わりとして、別々の充填および供給ラインを収容可能な二重流体流通ポ ートを備えるように容器を構成することが可能である。たとえば、供給ポートが 容器の首部に位置し従来のバルブヘッドアセンブリと関連付けられるようにし、 充填ポートが容器の構造の別の場所に設けられるようにしてもよい。 この発明の容器を、半導体製造作業において使用するために、例として水素化 物流体（たとえばアルシン、ホスフィン、スチビン、シランなど）および酸性ガ ス（たとえばフッ化水素、塩化水素、塩素、ホウ素、三塩化物、三フッ化ホウ素 、ハロゲン化シランおよびジシランなど）といった適切な流体の貯蔵および供給 のために利用してもよい。 使用の際には、供給バルブを容器のポートと関連付けられた供給アセンブリの 一部として設けてもよく、このようなバルブを手動でまたは自動的に開放して、 ガスが存在するときにはそのガスが多孔性膜または相分離器素子を通して流れ、 ガスが流体貯蔵および供給システムから放出されるためにレギュレータを通り、 次にイオン注入装置、化学蒸着室、半導体機器洗浄ステーションなどといった下 流の処理システムへと流れるようにしてもよい。 この発明は他の局面において、流体を貯蔵および供給するための方法に関し、 流体圧力レギュレータに抗して流体流路を閉じて流体を閉じ込めた状態で収容 し、流体が流体圧力レギュレータの下流に流れないようにするステップと、 流体流路を開放して流体が流体圧力レギュレータの下流に流れるようにし流体 を流体圧力レギュレータが定める速度で放出することによって閉じ込められた流 体を選択的に供給するステップとを含み、 任意的に、収容された流体は液体であり、流体は供給中に流体圧力レギュレー タの上流で相分離され、閉じ込められた状態で収容された流体からガスのみが放 出される。 他の局面において、この発明は流体貯蔵および供給システムに関し、 流体を収容するために内部容積を囲む流体貯蔵および供給容器を含み、容器は 流体流通ポートを含み、システムはさらに、 間を流体が流れるようにポートと結合された流体供給アセンブリと、 ポートと関連付けられ容器の内部容積において予め定められた圧力を保つよう にされた２段流体圧力レギュレータとを含み、 流体供給アセンブリを選択的に作動して容器の内部容積における流体から得ら れたガスを、そのガスを容器から放出するために２段流体圧力レギュレータおよ び流体供給アセンブリを通して流すことが可能である。 他の局面において、この発明は流体貯蔵およびガス供給システムに関し、 その蒸気が供給すべき流体を構成する液体を保持するように構成された貯蔵お よび供給容器を含み、流体は、その流体が液体状態にある圧力で貯蔵および供給 容器に収容され、 貯蔵および供給容器は流体流通ポートを含み、システムはさらに、 出力ポートに結合された供給アセンブリと、 容器の内部に配置された２段流体圧力レギュレータ／粒子フィルタアセンブリ と、 容器内の液体から得られたガスが、システムから放出されるために、流体レギ ュレータ／粒子フィルタアセンブリおよび供給アセンブリを通して流れるように する供給アセンブリを選択的に作動させるための手段とを含む。 さらなる局面において、この発明は流体を貯蔵および供給するための方法に関 し、 多段流体圧力レギュレータに抗して流体流路を閉じて流体を閉じ込めた状態で 収容し、流体が流体圧力レギュレータの下流に流れないようにするステップと、 流体流路を開放して流体が流体圧力レギュレータの下流に流れるようにし流体 を流体圧力レギュレータが定める速度で放出することによって閉じ込められた流 体を選択的に供給するステップとを含む。 この発明の他の局面は半導体製品を製造する方法に関し、 流体圧力レギュレータに抗して流体流路を閉じて流体を閉じ込めた状態で収容 し、流体が流体圧力レギュレータの下流に流れないようにするステップと、 流体流路を開放して流体が流体圧力レギュレータの下流に流れるようにし流体 を流体圧力レギュレータが定める速度で放出することによって閉じ込められた流 体を選択的に供給するステップと、 放出された流体を半導体製品の製造において用いるステップとを含む。 この発明のさらなる局面は、流体貯蔵および供給システムに関し、このシステ ムは、約５０ｐｓｉｇから約５０００ｐｓｉｇの内部圧力でガスが吸着した物理 的吸着媒材料を収容する容器と、容器と結合され選択的に動作してガスを容器か ら供給することが可能なガス供給アセンブリとを含む。 さらなる局面において、この発明は半導体製造システムに関し、このシステム は、ガスを利用する半導体製造装置とこのガスの供給源とを含み、このような供 給源は、約５０ｐｓｉｇから約５０００ｐｓｉｇの内部圧力でガスが吸着した物 理的吸着媒材料を収容する容器と、容器と結合され選択的に動作してガスを容器 から供給することが可能なガス供給アセンブリとを含む。 この発明のさらなる局面は流体の貯蔵および供給のための方法に関し、 約５０から約５０００ｐｓｉｇの範囲の圧力で少なくとも部分的に吸着した状 態で流体を収容するステップと、 流体を吸着状態から脱着し閉じ込められた状態から開放することによって流体 を選択的に供給するステップとを含む。 この発明の他の局面は流体貯蔵および供給システムに関し、 約５０リットル未満の内部容積を囲みかつ１インチＮＧＴよりも大きい入口開 口部を有する流体貯蔵および供給容器と、 選択的に容器から流体を供給するようにされた流体供給アセンブリと、 予め定められた内部圧力を維持するようにされた容器の内部容積内の流体圧力 レギュレータとを含む。 この容器の内部容積は約２０リットル未満でもよく、最も好ましくはたとえば 約１から約１０リットルの範囲の約１０リットル未満である。このような容器を 以下でより詳細に説明するように構成しその寸法を定めて成形してもよい。この 容器は好ましくは圧力能力、すなわち１インチ平方当り約１０００ポンド以上よ り好ましくは１インチ平方当り約５０００ポンドまでの、悪影響を及ぼすことな く（容器の破裂または容器からの流体の漏れ）収容可能な連続サービス圧力レベ ルを有する。この容器が選択的に下流のガス消費設備たとえば半導体製造設備に 供給するようにできる。 この発明のさらに他の局面は、ガスおよびこのガスの供給源を利用した半導体 製造装置を含む半導体製造システムに関し、この供給源は、 約５０リットル未満の内部容積を囲み１インチＮＧＴを上回る入口開口部を備 える流体貯蔵および供給容器と、 流体を容器から選択的に供給するようにされた流体供給アセンブリと、 予め定められた内部圧力を維持するようにされた容器の内部容積内の流体圧力 レギュレータとを含む。 他の局面において、この発明は１．５−１１．５ＮＧＴのねじ山を備える１． ５インチＮＧＴの開口部を備え、外径が４．１８７から４．２５インチで、壁の 厚みが公称０．０９４から０．１２５インチで、長さが１２．７５から１３．７ ５インチの、２．０−２．２５リットルのＤＯＴ ３ＡＡ ２０１５シリンダを 含む、流体貯蔵および供給容器に関する。 この発明のさらに他の局面は、流体貯蔵および供給アセンブリに関し、このア センブリは、内部容積が５０リットル未満で首部の開口部がａ＞１インチＮＧＴ である容器と、首部開口部に結合された供給アセンブリと、供給アセンブリに結 合され容器の内部容積内に配置されたレギュレータとを含む。 この発明における他の局面、特徴および実施例は、以下の開示および添付した 請求の範囲よりさらに明らかになるであろう。 図面の簡単な説明 図１は、この発明のある実施例に従う流体貯蔵および供給システムの概略断面 正面図である。 図２は、この発明のさらなる実施例に従う、図１に示したタイプの貯蔵および 供給システムから供給された流体を利用する半導体製造設備の概略図である。 図３は、この発明のさらなる実施例に従う流体貯蔵および供給システムの概略 断面正面図である。 図４は、図３の流体貯蔵および供給システムのバルブヘッドアセンブリの斜視 図である。 図５は、図３の流体貯蔵および供給システムにおいて用いられるディフューザ 装置の正面図である。 図６は、図３の流体貯蔵および供給システムのレギュレータの部分分解図であ る。 図７は、図３の流体貯蔵および供給システムの流体貯蔵および供給容器の上部 の断面正面図である。発明および発明の好ましい実施例の詳細な説明 この発明は一部、Tom他の米国特許第５，５１８，５２８号の流体貯蔵および 供給システムに代わるものとして提示されたタイプの流体貯蔵および供給システ ムを、流体圧力レギュレータを閉じ込められた液体の容積と、ガス流れ遮断バル ブ、集合流れコントローラなどといったガス流れ制御要素を含むガス供給アセン ブリとの間に配置することによって、容易に製造することができるということを 見出したことに基づいている。 この発見に付随して、流体圧力レギュレータを有利に流体貯蔵および供給容器 内に配置して、たとえばシリンダケースまたはハウジングなどの容器によりレギ ュレータを衝撃、環境への露出および損傷から保護できることが見出されている 。 好ましくは流体圧力レギュレータは流体貯蔵および供給容器内に配置されるが 、このような要素を本発明を広く実施した場合においては容器の外側に配置する ことが可能である。したがってこの発明は広く、容器の流体流通ポートと関連付 けられた流体圧力レギュレータ装置を内側および外側に設けることを意図してい る。 流体圧力レギュレータは、たとえばIntegrated Flow Systems，Inc.により市 販されているＳＲ４シリーズセット圧力レギュレータなどの適切なタイプのもの でよい。この明細書の発明の概要の部分で述べたように、流体圧力レギュレータ は、座部構造に対して付勢されて圧力が設定されたポイントの値を超えたときに 流れを妨げるポペット素子を含むポペットバルブタイプのものでよい。 この設定ポイントは「自然のまま」でもよく、固定された設定ポイント装置で もよく、またはこの装置が可変設定ポイント（調整可能）装置を含んでいてもよ い。好ましくは、流体圧力レギュレータは設定ポイント圧力に関しては可変かつ 調整可能な装置である。流体圧力レギュレータは例として７００Ｔｏｒｒという 適切なレベルに設定されて、容器の流体流通ポートと関連付けられた供給アセン ブリがその流れ制御バルブの開放などにより開いて流れを可能にしたときにこの ような設定ポイント圧力レベルで流体が貯蔵および供給容器から流れて供給され るようにできる。 流体貯蔵および供給容器内の流体の媒体は、供給すべきガスの供給源として、 流体圧力レギュレータにより定められる設定ポイント圧力のたとえば高圧ガスま たはその代わりとして液体といった何らかの適切な流体貯蔵状態にある適切な流 体媒体とすることができる。したがって、システム内のガス供給源は高圧ガスま たは液化ガスである。 任意にかつ望ましくは、相分離器を利用して、ガスの供給源が高圧液体である ときに液体がレギュレータバルブの座部を通して漏れないようにする。相分離器 は何らかの適切な形式をとるものでよいが、好ましくは収容された液体のガスま たは蒸気を通すが液相を通さない多孔質膜を含む。このような相分離器の透過性 膜として適切な材料は、適切な多孔度および透過特性を有する種々の重合材料膜 を含み、W.L．Gore & Associates，Inc．（メリーランド州エルクトン）により 「Gore-Tex」、「Activent」、「DryLoft」および「Gore Windstopper」という 商標名で商業的に製造されているいわゆる「呼吸可能な」織物である。 圧力レギュレータおよび相分離器を、流体貯蔵および供給容器の中に配置また はその外に配置され得るアセンブリ内において組合せて用いることができる。好 ましくは、このような流体圧力レギュレータおよび相分離器アセンブリを貯蔵お よび供給容器内に配置する。 この発明の流体貯蔵および供給容器において用いられる流体は、半導体製造作 業におけるたとえば水素化物流体といった適切な流体を含み得る。このような種 類の水素化物流体の例には、アルシン、ホスフィン、スチビン、シラン、クロロ シランおよびジボランが含まれる。ハロゲン化合物エッチャント、洗浄剤、ソー ス試薬などとして半導体製造作業において有用性のある、フッ化水素、ホウ素三 塩化物、三フッ化ホウ素、塩化水素、ハロゲン化シラン（たとえばＳｉＦ₄およ びジシラン（たとえばＳｉ₂Ｆ₆）などといった酸性ガスを含め、半導体製造作業 において役立つその他の流体を用いてもよい。 この発明の流体貯蔵および供給容器を、従来の流体圧力レギュレータ装置を利 用して容易に構成することができる。米国特許第５，５１８，５２８号において 記載された収着媒に基づいたガス貯蔵および供給システムと関連付けると、この 発明の流体貯蔵および供給容器は、流体が液相のときにさらに非常に大きな流体 貯蔵容量をもたらす。 例として、貯蔵および供給容器として「ＪＹ」シリンダを用い、供給するガス に対する収着親和力を有する物理的収着媒材料を収容する、米国特許第５，１５ ８，５２８号において示され記載されたタイプの収着媒に基づくガス貯蔵および 供給システムでは、アルシンガスの場合、典型的には約０．５キログラムのオー ダのガスを送出する。 これに対応するこの発明の流体貯蔵およびガス供給システムの容器には１リッ トルの液体アルシンを貯蔵することができ１．８キログラムのアルシンガスをこ の容器から供給することができる。 この発明の流体貯蔵および供給システムは、先行技術の収着媒に基づく貯蔵お よび供給システムにおいて利用されている収着媒材料に特徴的に存在する潜在的 な異物または不純物のない、高純度の流体供給を行なうことができる。 さらに、この発明の流体貯蔵および供給システムでは、貯蔵および供給容器を その内側に圧力レギュレータおよび任意の相分離器を配置して製造し、容器の流 体流通ポートと関連付けられたシームがこれがなければシームレスの容器構造に おける唯一の漏れの経路を構成するという点において、流体の分散については高 レベルの安全性をもたらす。さらに、従来の流体シリンダの場合、容器の本体の 断面と比較して相対的にシリンダの首部が小さいため、ガスの出入りについては 漏れの経路は最小であり、ろう付け、溶接、流体に対する透過性が非常に低い密 封剤などを用いた接着的封止により漏れ防止が簡単に可能である。 加えて上記のように、流体貯蔵および供給容器に流体流通ポートを１つのみ設 けて構成することが可能である。流体圧力レギュレータをたとえば７００Ｔｏｒ ｒといった適切な圧力レベルに設定すれば、容器の温度を、（供給すべき流体の ）ガス蒸気圧がレギュレータの設定ポイントを下回るような温度に下げることが できる。このような条件下では、レギュレータのポペット素子は座部から離れガ スが外側の供給源から貯蔵容器に流れ込むようにする。 次に図面を参照すると、図１は、この発明のある実施例に従う液体貯蔵および ガス供給システム１０の概略断面正面図である。 流体貯蔵およびガス供給システム１０は、液体１７を収容し囲まれた内部容積 １５を定める円筒形の側壁１４と、下部の床１６と、上側の首部１８とを含む貯 蔵および供給容器１２を含む。液体１７は、半導体製造作業において使用するた めの液体水素化物といった何らかの適切な液体を含み得る。水素化物の例には、 アルシン、ホスフィン、スチビン、シラン、ジボランなどが含まれる。液体１７ を容器１２内で十分な圧力下で保持して液相のままであるようにする。 容器１２の上側の首部１８には、バルブ出口２２と通じるバルブ２０を含むバ ルブヘッドアセンブリが配置され、この出口から蒸気は矢印Ａの方向で容器から 供給される。 図示されたバルブ２０はアクチュエータ２４と関連付けられ、アクチュエータ はこの発明の所与の最終用途で所望されるとおりの何らかの適切なタイプ（電気 的、空気によるものなど）とすることができる。その代わりとして、バルブ２０ を手動で作動させるまたはバルブに他の流量制御手段を設けることが可能である 。 バルブ２０は、ポペット素子を用いた従来のタイプのものである圧力レギュレ ータ２６と間をガスが流れるように接合され、ポペット素子はたとえば、閉鎖状 態ではばねで付勢されポペット素子を通る圧力差があるレベルを超えたときに移 動する。圧力レギュレータ２６はたとえば、大気圧よりも低い圧力値、大気圧の 圧力値、または大気圧を超える圧力値、例として７００Ｔｏｒｒに設定すること ができる。具体的な圧力レベルは、貯蔵および供給動作において適切になるよう 、容器に収容される液体またはその他の流体に関して選択される。 圧力レギュレータ２６には、液体１７から得られるガスまたは蒸気を通すが液 体そのものを通さない膜素子３０を含む相分離器２８が結合される。 蒸気／ガスを通し、液体を通さない膜は、液体からのガスまたは蒸気のみを通 すが液体が自身を通過して流れないようにする適切な材料から形成することがで きる。実際この膜は、たとえばポリプロピレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリテ トラフルオロエチレン、ポリフッ化アセテート、シリコンおよび表面処理された ガラス織物を含む種々の本質的に有用性のある材料から形成することができる。 で市販されているようなポリフッ化ビニリデンの「呼吸可能な」織物を含む。膜 相分離器材料として使用するために市場で入手可能な他の材料は、Norylフィル ム（マサチューセッツ州ピッツフィールドのGeneral Electric Company）を含む 。 図１の液体貯蔵およびガス供給システムを用いる際には、液体は確実に流動性 が得られる予め定められた圧力で貯蔵される。このために、圧力レギュレータ２ ６は、容器の内部容積１５内での適切な圧力を確実にする予め定められたレベル に設定される。液体は通さないがガス／蒸気を通す膜３０は、たとえ容器がほぼ 直立しているが図１に示すような垂直姿勢から傾いても決して液体がガスレギュ レータ２６に流れ込まないようにする。 ガスを容器１２から供給することが求められるときには、バルブアクチュエー タ２４を作動させてバルブ２０を開放し、液体から得られたガスまたは蒸気がバ ルブヘッド供給アセンブリから出口２２を通して出るように、ガスまたは蒸気が 透過性のある膜３０を通して流れるようにする。 バルブ２０を開放することにより、透過性膜３０の放出側では圧力が低下し、 液体から得られた蒸気が膜を通過し放出される。同時に、流体圧力レギュレータ は、供給されているガスの圧力を設定ポイントの圧力レベルに維持する。 図１の実施例の容器１２は、図示のように別個の充填ポート４２（容器の首部 の流体流通ポートと関連する）を備えてもよく、このような別個の充填ポートは 容器の充填のために液体の供給源と結合可能である。 その代わりとして、圧力レギュレータを充填のために適切な温度レベルに設定 して単にこの容器に１つの首部開口を設けてもよい。充填動作では、容器を低温 保持または冷却剤槽の中に入れて冷却し、この容器の温度が圧力レギュレータに よって確立された予め定められた圧力ポイントを下回るようにしてもよい。こう して流体圧力レギュレータは容器の内部容積１５内のガス圧力を有し、この圧力 はレギュレータの設定ポイントを下回るので圧力レギュレータのポペット素子は その座部から離れて流体は容器に入り引き続きその中で貯蔵されることとなる。 図２は、この発明に従う流体貯蔵および供給システム１１０を利用した半導体 製造システムの概略図である。流体貯蔵および供給システム１１０は、図１の容 器１２のラインにほぼ沿うように構成されたほぼ円筒形の容器１１２を含む。こ の容器は予め定められた圧力で液体を収容する。バルブヘッドアセンブリはアク チュエータ１２４を備えるバルブ１２０を含み、アクチュエータは、選択的にバ ルブを作動しライン１４２でガスが容器から放出されるようにする。 バルブアクチュエータ１２４は中央プロセッサユニット２１０により制御され 、このプロセッサユニットは、信号伝送線２１２によりバルブアクチュエータ１ ２４と制御の関係で結合されたコンピュータまたはマイクロプロセッサ制御装置 を含み得る。 中央プロセッサユニット２１０は、サイクルタイムプログラムに従いバルブを 作動するように構成可能である。その代わりとして、中央プロセッサユニット２ １０は、プロセス状態信号伝送線２１６により半導体製造設備２００におけるプ ロセス状態をモニタしてもよく、この伝送線は、所与のプロセス状態を示す信号 を中央プロセッサユニットに送り、ユニットがこれに応じてバルブアクチュエー タ１２４を対応する程度に作動し、半導体製造設備の必要性に比例してライン１ ４２のガスの流れを調整する。 中央プロセッサユニット２１０はまた、信号伝送線２１４で容器の温度に関連 する信号を受取ってもよく、この線は容器１１２と関連づけられる熱センサまた は埋込熱電対と接合されて容器１１２の温度と関連づけてライン１４２における 流体の流れを補償してもよい。 半導体製造設備２００は、半導体材料もしくは装置またはこのような材料もし くは装置を含む製品の製造のための半導体プロセス機器の適切な配置を含み得る 。 たとえば、半導体製造設備２００は、イオン注入システム、リソトラック、化 学蒸着反応器および関連の試薬供給および気化機器（液体配送機器、バブラーな どを含む）、エッチング装置、洗浄装置などを含み得る。 この発明のある具体的な実施例では、液体水素化物流体を容器１１２内の圧力 で保持し、これから得られるガスは選択的にライン１４２においてイオン注入チ ャンバを含む半導体製造設備２００に供給される。供給されたガスに対し、適切 な搬送および／または希釈剤ガスを用いてイオン化が施され、得られたイオン種 は半導体装置先駆構造またはサブアセンブリといった基板に注入される。 供給されたガスの使用に引続き、半導体製造設備２００はライン２０２におい て流出ガスの流れを放出し、このガスは最終的にライン２０６において浄化され た流れが処理され放出されるように、流出ガス処理システム２０４に流れ込む。 半導体製造設備は、多岐にわたり、かつ、たとえばこの発明に従い構成されか つ動作する対応の個々の流体貯蔵および供給容器から供給可能な多様なプロセス ガスを用いるように構成できることが理解されるであろう。 この発明の流体貯蔵および供給装置は、過度の努力または費用なしで圧力をか けて液化可能なアルシンといった流体の大容量貯蔵および送出のための非常に効 果的かつ容易に製造される手段を与えることも理解されるであろう。 さらに、流体圧力レギュレータを流体貯蔵および供給容器の内部容積内に配置 することによって、流体種の出入りのための潜在的な漏れ経路として、容器を首 部に１つだけシームを設けて製造することができる。このようにして容器を簡単 に製造することができ、使用する際には、内部に配置されたガス圧力レギュレー タは、容器の構造的な保全性または動作に悪影響を及ぼし得る衝撃および環境へ の露出から保護され、かつ貯蔵および供給容器のためのさらなる潜在的な漏れ経 路を構成する。 図１と関連づけて述べられたシステムの方策はほぼ満足のゆくものであるが、 流体容器の長期にわたる貯蔵条件下では、膜の下流側で液体の凝縮が起こる可能 性がある。たとえば、もしこの容器が横にされ液体の体積がこのような位置にお いて透過性のある相分離器の膜の高さを超えた場合、小さなポテンシャル傾斜が ありこれは上記のような液体の「頭」と関連する重力ポテンシャルに等しい。こ の液体の頭のポテンシャルを平衡させるために、液体は、膜の対向する側のそれ ぞれの液体レベルが等しくなるまで膜のバルブ側で凝縮するであろう。 加えて、従来三フッ化ホウ素（ＢＦ₃）のために用いられる高圧シリンダタイ プのガス貯蔵および供給容器について、システムのガス貯蔵容量は通常シリンダ の圧力により定められかつ制限される。このような場合のガスの液化に必要な圧 力は非常に高い可能性がある。 これに加えて、圧縮ガスサービスのために従来用いられるガスシリンダ容器は 典型的に、National Gas Taper（NGT）標準によって測定した場合、3/4インチＮ ＧＴ、1/2インチＮＧＴおよびそれよりも小さなバルブ入口を利用する。「ボト ル内レギュレータ」の方策をうまく開発するためには、現在は従来より利用でき るものよりも大きなシリンダ入口が必要である。Compressed Gas Association（ CGA）が推奨する最大圧縮ガスシリンダ入口は、最小の直径が１．７９インチで ある１．５インチＮＧＴ−11/1/2tpi（１インチ当りのねじ山）の開口部である 。3/4インチＮＧＴよりも大きな開口は典型的に、大量の流れおよびより大きな シリンダ（内側容積が５０リットルよりも大）が必要な応用例に対して設計され る。発明者らは、開口が１インチＮＧＴよりも大きく、容積５０リットル未満の シリンダには気づいておらず、１インチＮＧＴよりも大きな開口が２０リットル 未満の容積のシリンダのために用いられることは稀である。 市場で「ボトル内レギュレータ」方策を可能にするためには、米国運輸省（Ｕ ＤＯＴ）パッケージ標準を満たし、従来利用できるものよりも大きな入口開口を 有し、１平方インチ当り（ｐｓｉ）約１０００から約５０００ポンドの範囲の圧 力に耐えることができるシリンダを提供せねばならない。先行技術ではこのよう な容器は提案も製造もされておらず、市販されているものもない。 流体流通ポートを特徴とする流体貯蔵および供給容器を含み、ポートと間を流 体が流れるように結合された流体供給アセンブリを備えるこの発明の流体貯蔵お よび供給システムにおいては、この発明に従いポートと関連づけられたレギュレ ータは、上記の相分離の問題を解決するために２段レギュレータを適切に含み得 る。 上記のように、もし貯蔵および供給容器が相分離ユニットと組合せて１段レギ ュレータを利用しているならば、容器は横にされた場合に十分な液体を収容し、 その結果液体の容積は透過性のある相分離器の膜の高さを超える。このような条 件では、液体は膜の対向する側でのそれぞれの液体のレベルが等しくなるまで膜 のバルブ側で凝縮するであろう。 ２段レギュレータを用いることによりこのような欠点が軽減される。もし容器 のほぼ全体の内部容積からの液体が２段レギュレータの第１および２段間で移動 すれば、２段レギュレータの高圧段の圧力感度素子（高圧段は容器の液体との間 で最初に流体が流れるレギュレータの段であり、低圧段は引続いて流体が第１段 に流れるレギュレータの段である）は、強制的に閉位置にされる。典型的には、 それぞれのレギュレータ段の圧力感度素子はポペットバルブである。高圧段は強 制的に閉鎖され、段の間の領域（高圧段と低圧段との間）の圧力が上昇するため 、このような段間の上昇した圧力は、第２段から放出される流体の最終的な圧力 に 対しほとんど影響を与えない。 ２段レギュレータの高圧段に対し設定される圧力ポイントを、２段レギュレー タの最終段（低圧段）の圧力を上回る適切な圧力レベルに設定することができる 。このようにすることによって、単一段レギュレータ装置の液体凝縮の問題は解 決され、この場合このようなシステムの充填動作（流体充填）を含め流体貯蔵お よび供給システムの全体の動作には影響がない。 したがって、２段レギュレータを利用した貯蔵および供給システムを、先に延 べたようにほぼ図１に示されたようにして構成することができるが、圧力レギュ レータ２６は単一段レギュレータではなく２段レギュレータである。したがって ２段流体圧力レギュレータは容器のポートと関連づけられ、容器の内部容積にお ける予め定められた圧力を保つようにされる。 この発明の他の局面は、ガスに対する収着親和力を有する物理的吸着剤材料を 入れた容器を含む流体貯蔵および供給システムに関し、このガスは例として、水 素化物ガス、ハロゲン化合物ガスおよび有機金属化合物ガスからなる群より選択 される。このようなタイプのガス（すなわち物理的吸着剤材料が収着親和力を有 するもの）は、１平方インチゲージ当り（ｐｓｉｇ）約５０から約５０００ポン ドの内部容器圧力で容器に収容されている。好ましくは、このようなガスの約５ から約４０％が自由（吸着されていない）状態であり、このガスの約６０から約 ９５％が物理的収着媒材料に吸着された状態である。 吸着剤材料が入れられている容器は、その開示全体を本明細書に引用により援 用する、１９９６年５月２１日にGlenn M．TomおよびJames V．McManusの名で発 行された米国特許第５，５２８，５１８に記載されているような供給アセンブリ またはその他の放出手段を備えるように構成できる。その代わりにこの容器を本 明細書の図１に示したように構成してもよいが、液体１７は、物理的吸着剤床の 隙間におよび容器の内部容積内の頭部の空間にもあるガス種を収着して保持して いる物理的吸着剤材料の床に代えられている。 先行技術ではたとえば、１９９８年１月６日にGlenn M．Tom他に対して発行さ れた米国特許第５，７０４，９６７号（大気圧を超える圧力が「約１２００ｔｏ ｒｒ未満である」と述べている）のように大気圧を上回る圧力でガスを貯蔵お よび供給することが有利であるとして、米国特許第５，５２８，５１８に記載さ れた先に引用したタイプの収着媒を基にしたガス貯蔵および供給システムが開示 されているが、先行技術では、上記のような収着媒を基にしたガス貯蔵および送 出システムはたとえば約５０ｐｓｉｇ、より好ましくは約１００ｐｓｉｇを超え る非常に高い圧力でガスを供給するものとして有利に用いることができることを 意図していない。この状況が生じる理由は、まず収着媒材料の物理的な大きさで 体積を吸蔵することは不利であり、容器に貯蔵できるガスの正味量を減じること にもなる「失われた体積」が生まれるように思われるからである。 この状況に反して、驚くべきことにかつ予期せぬことに、容器の内部容積内で 高圧貯蔵条件を利用する収着媒を基にしたガス貯蔵および供給システムを配備す ることにより、収着媒を入れた容器の貯蔵容量が大幅に向上することが発見され ている。先のTom他の米国特許第５，５１８，５２８号に記載されたように好ま しくは分割された形状で固相物理的吸着剤材料でシリンダを充填することにより 、従来の高圧ガスシリンダと比較してガス貯蔵容量のめざましい向上を伴い、吸 着可能なガスを液相に類似する物理的状態でシリンダ内に貯蔵することができる 。 このようなガス貯蔵容量の予期せぬ向上は、以下の表Ｉのデータによって例示 されており、この表ではＢＦ₃の貯蔵容量は吸着剤を充填したガスシリンダおよ び従来のガスシリンダにおいて室温（２０℃）で比較されている。表Ｉにおける ＢＦ₃の吸着容量は、内部容積が２．２リットルのガス貯蔵および供給容器（市 販されている「ＪＹ」シリンダに匹敵する）について、±２０％の予測信頼性を 有するコンピュータモデルを用いて求めたものであり、その開示全体を本明細書 に引用により援用するTom他の米国特許第５，７０４，９６５号に開示されたタ イプの溶球活性炭収着媒材料が吸着剤である。 表Ｉのデータで示されるように、吸着媒を充填したシリンダに含まれる三フッ 化ホウ素の総量は、従来の（吸着媒のない）ガスシリンダに含まれる三フッ化ホ ウ素の量よりも一貫して大きい。たとえば、１００ｐｓｉｇでは、吸着媒を充填 したシリンダに含まれる三フッ化ホウ素の総量は、従来の（吸着媒のない）ガス シリンダに含まれる三フッ化ホウ素の量よりも１２．３５倍大きい。１５００ｐ ｓｉｇでは、吸着媒を充填したシリンダに含まれる三フッ化ホウ素の総量は、従 来の（吸着媒のない）ガスシリンダに含まれる三フッ化ホウ素の量よりも１．９ ４倍大きい。 この発明の別の局面に従うと、この発明の流体貯蔵および供給システムは、流 体流通ポートを伴う流体貯蔵および供給容器と、そのポートとの間で流体を流通 させる流体供給アセンブリと、そのポートに関連づけられる流体圧力レギュレー タとを含み、以下の特徴を伴って構成されてもよい： （ｉ） 約５０リットル未満、より好ましくは約２０リットル未満、最も好ま しくはたとえば約１〜約１０リットルの範囲にある約１０リットル未満の内部容 積と （ｉｉ） １インチＮＧＴよりも大きい入口開口。 この容器は、好ましくは、１平方インチにつき少なくとも約１０００ポンドま で、より好ましくは１平方センチにつき約５０００ポンドまでの圧力能力、つま り、不都合な影響（容器の充満またはそこからの流体の漏洩）なく対応され得る 、連続した与えられる圧力レベルを有する。 一実施例では、この容器は、入口開口がたとえばＩＦＳ設定点レギュレータの ようなレギュレータ装置に適合するように十分大きくあるよう、１．５インチＮ ＧＴシリンダバルブ入口を伴う２．０リットル内部容積のものであってもよい。 「ボトル内レギュレータ」構成の場合、そのような特徴（＞１インチＮＧＴ） の入口開口が必要であり、なぜならば、（１）ＩＦＳ設定点レギュレータのよう なレギュレータの径は典型的には１．５インチより大きくかつ１．６インチ未満 であり、したがって、そのレギュレータをシリンダ内にはめるには１．５インチ ＮＧＴのオーダの開口を必要とし、さらに、（２）ＮＧＴ開口は、ＢＦ₃、Ａｓ Ｈ₃、Ｆ₂、ＰＨ₃、ＳｉＨ₄などのガスの貯蔵および送出を伴う適用例に対し唯一 受入れられかつＵＳＤＯＴにより認可されたシリンダ入口であるからである。雄 ねじ接続またはまっすぐなねじのような他のタイプのシリンダバルブ入口は、現 在のところ、そのようなガスに対しては、ＵＳＤＯＴによって法律上許可され得 る接続としては受入れられていない。 ＞１インチＮＧＴ入口開口を伴うこのタイプの容器の製造において、そのプロ セス製造ステップは、典型的には： （１） 金属円板を円筒状のカップにコールドプレス成形するステップと、 （２） シリンダの首部を溶銑スピニング加工によって形成するステップと、 （３） 手によるまたは自動化された切削加工のいずれかを用いて容器の首部 にシリンダ開口を形成するステップとを含む。 このタイプの容器の具体的実施例は、１ 1/2〜11 1/2ＮＧＴねじ筋を伴う１． ５インチＮＧＴ開口を有する２．０〜２．２５リットルのＤＯＴ ３ＡＡ ２０ １５シリンダを含み、その容器は、４．１８７〜４．２５インチの外径と、０． ０９４〜０．１２５インチの公称壁部厚みと、２．５インチの公称首部外径と、 引延ばされた状態で１．５インチの最大首部内径と、１２．７５〜１３．７５イ ンチの長さとを有する。このような容器は、三フッ化ホウ素がガス種としてその 容器内に貯蔵されそこから供給される場合において用いるのに好適である。 図３は、この発明の例示的実施例に従う流体貯蔵および供給システム３００の 概略的な立面断面図である。このシステム３００は、概ね円筒形状の流体貯蔵お よび供給容器３０２を含み、円筒状の側壁３０４はその下端が床部部材３０６に よって閉じられている。この容器の上端には首部３０８が設けられ、それは、こ の容器の頂部開口を規定しその境界を画する円筒状のカラー３１０を含む。これ ら容器壁部、床部部材、および首部によって、図示されるように、内部容積３２ ８を封じ込める。 この容器の首部において、バルブヘッドアセンブリ３１４のねじ切りされたプ ラグ３１２が、カラー３１０の雌ねじを切られた開口とねじ込み可能なように係 合される。このバルブヘッドアセンブリ３１４は、自身の中にある中央使用容積 キャビティとの間で流体を流通させるように継がれる中央流体流路３２０を含む この中央使用容積キャビティは次いで出口３２４に継がれるが、これは、雄ねじ を切られていてもよく、または他の態様ではそれにコネクタおよび関連のパイプ 構成、導管などを取付けるよう構成されてもよい。 この中央使用容積キャビティ内には、図示される実施例においては手回し車３ ２６に継がれるバルブ要素３２２が配されるが、これは、代替的に、自動バルブ アクチュエータまたは他のコントローラもしくは作動手段に継がれてもよい。 さらに、バルブヘッドアセンブリ３１４は、そのバルブブロック内において、 容器内における総過剰圧力状態を緩和するために過剰圧力リリーフバルブ３１８ に継がれその容器の内部容積３２８と連通するガス抜き流路３１６を特徴とする 。 このバルブヘッドアセンブリ３１４内の中央流体流路３２０はその下端にてコ ネクタ流通チューブ３３０に継がれ、これが次いでレギュレータ３３２に継がれ る。このレギュレータは、容器から放出される流体の選択された圧力を維持する よう設定される。レギュレータの下端には管状嵌め合い３３６が継がれ、これが 次いで、たとえば突合せ溶接などによって、下端にディフューザ端部キャップ３ ３１を有するディフューザユニット３３４に継がれる。このディフューザユニッ トは、ステンレス鋼から形成され、そのディフューザ壁はたとえば３１６Ｌステ ンレス鋼のような焼結されたステンレス鋼から形成されてもよい。このディフュ ーザユニットは、所定の径より大きいすべての粒子、たとえばこのシステムから のガスの１分間の流量につき３０標準リットルで０．００３マイクロメータより 大きいすべての粒子の除去を可能にする壁部気孔率を有する。このタイプのフィ ルタディフューザユニットは、商標WAFERGARDのもとでミリポア・コーポレーシ ョン（Millipore Corporation）（ベッドフォード（Bedford）、ＭＡ）から市場 で入手可能である。 使用時、好適な流体試薬、たとえば、高圧ガスもしくは液化されたガス、また は代替的に、収着親和性を有する物理的収着媒に収着されるように保持される収 着可能ガスが、容器３０２の内部容積３２８内に保持される。この内部容積は、 好適な固相の物理的収着媒材料からなる床を含む。流体圧力レギュレータ３３２ は、バルブヘッドアセンブリ３１４にあるバルブが開かれると供給される流体が 流れるよう、選択された、設定された点に設定され、したがって、その流体がデ ィフューザユニット３３４、嵌め合い３３６、レギュレータ３３２、コネクタ流 通チューブ３３０、バルブヘッドアセンブリ３１４内の中央流体流路３２０、中 央使用容積キャビティおよび出口３２４を通って流れる。このバルブヘッドアセ ンブリは、この発明の所与の最終使用適用物において望ましいようにまたは要求 に応じて、他のパイプ構成、導管、流量コントローラ、モニタ手段などに継がれ てもよい。 図４は、図３の流体貯蔵および供給システムのバルブヘッドアセンブリ３１４ の斜視図である。図４では、対応の要素は図３に対応するように番号づけられて おり、プラグ３１２は、カラー３１０の内側面上のねじ筋に対し相補的にねじ筋 ３１３を設けられるように示され、それによって、バルブヘッドアセンブリのプ ラグと容器とが互いに漏出耐密態様にて相補的に噛合される。 図５は、図３の流体貯蔵および供給システム３００にて用いられるディフュー ザユニット３３４の立面図である。このディフューザユニット３３４は、図示さ れるとおりでは、ねじ筋３３７でねじ切られた管状嵌め合い部を有し、図３に示 されるレギュレータ３３２のハウジングと噛み合い可能なように係合する。 図６は、図３の流体貯蔵および供給システム３００のレギュレータ３３２の破 断図である。このレギュレータ３３２は例示されるとおりでは下側流体入口３３ ３を有し、これにディフューザユニットの管状嵌め合いがねじ筋を介して継がれ 得る。このレギュレータ３３２はその上側端に流体出口３３５が設けられ、それ が図３に示されるコネクタ流通チューブ３３０に継がれる。このレギュレータは 単一段レギュレータであってもよく、または多段レギュレータであってもよい。 先に述べたように、２段レギュレータの場合には、容器の逆転または傾きに対す る、膜相分離器の使用に付随する流体縮合問題が克服されるという利点があり、 その容器は、この発明の所与の最終使用適用例において所望されるように、単一 段または多段レギュレータを、そのような膜相分離器ユニットなしで、および粒 子濾過ディフューザユニットを伴うかまたは伴わずに用いてもよい。 図７は、図３の流体貯蔵および供給システム３００の流体貯蔵および供給容器 ３０２の上部の部分立面図である。容器３０２のこの示される部分には、円筒状 壁３０４と、首部３０８と、カラー３１０とが含まれる。このカラーの内部表面 は、バルブヘッドアセンブリ３１４のプラグ３１２上のねじ筋３１３（図４参照 ）に対し相補的なねじ筋３０９でねじ切りされる。この容器は、上に記載される ように製造される、ステンレス鋼材料もしくは他の第一鉄の金属合金、または他 の金属もしくは非金属材料の構成から形成され、＞１インチＮＧＴ首部開口およ び適切なＮＧＴねじ切りを設けてもよい。 ここにおいて例示的に開示されるさまざまな特徴および局面を、別個に、また は互いとさまざまに置換もしくは組合わせることによって、具体的な使用用件に 対し有用な原料流体装置を構成する流体貯蔵および供給システムを提供してもよ い。 このように、具体的な要素、特徴および実施例を参照しながらこの発明をここ に例示的に記載したが、この発明は構造および動作においてそのようにのみ限定 されるものではなく、ここにおける開示に整合して、当業者に対しそれら自身を 容易に示唆するように変形物、修正物および実施例を包含するよう広く解釈され るべきであることを認識されたい。産業上の利用可能性 この発明の流体貯蔵および供給システムは、たとえば、エッチング、化学蒸着 、イオン注入といったさまざまな単位工程に対しガスを必要とする半導体装置の 製造において有利に産業上用いられ得る。このようなガスの多くは有害および／ または高価であり、そのガス供給容器は漏出に対し耐密性を有し、かつ原料ガス を精密に供給することにおいて高い信頼性を有し、ならびに好ましくは高い貯蔵 能力を有さなければならず、なぜならば、半導体製造設備における空間要件は非 常 に厳しいものだからである。この発明の貯蔵および供給システムは、そのような 適用例に対し、およびそのような基準を満たすことにおいて、非常に効率のよい ものである。

【手続補正書】 【提出日】平成１２年８月１８日（２０００．８．１８） 【補正内容】 請求の範囲 １．流体貯蔵および供給システムであって、 流体を保持するための内部容積を封じ込める流体貯蔵および供給容器を含み、 前記容器は流体流通ポートを含み、前記流体貯蔵および供給システムはさらに、 前記ポートとの間で流体の流れを流通させるよう結合される流体供給アセンブ リと、 前記ポートに関連づけられ、前記容器の前記内部容積内の流体に由来する、前 記容器から放出されるガスの所定の圧力を維持するよう配される流体圧力レギュ レータとを含み、 前記流体供給アセンブリは前記容器の前記内部容積にある流体に由来するガス を、前記流体圧力レギュレータおよび流体供給アセンブリを介して、前記容器か ら放出するために流すよう選択的に作動可能な流量制御要素を含み、 したがって、前記放出中のガスは前記流量制御要素を通って流れる前に前記流 体圧力レギュレータを通って流れる、流体貯蔵および供給システム。 ２．前記流体圧力レギュレータは前記容器の前記内部容積において内部に配され る、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。 ３．前記流体圧力レギュレータは、前記流体圧力レギュレータに作動的に関連づ けられ、前記流体圧力レギュレータを介する液体の流れを防止するための相分離 器を有する、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。 ４．前記供給アセンブリは、そのためのバルブアクチュエータに作動的に結合さ れる流量制御バルブと、前記バルブアクチュエータを作動させることにより前記 バルブの調整を開始して前記容器内の流体に由来するガスの放出される流量を制 御するための自動コントローラとを含む、請求項１に記載の流体貯蔵および供給 システム。 ５．前記容器内部容積内に含まれる液体は、液化水素化物ガス、液化酸性ガス、 および液化有機金属試薬組成物からなる群から選択される、請求項１に記載の流 体貯蔵および供給システム。 ６．前記液体水素化物は、アルシン、ホスフィン、スチビン、シラン、三塩化ホ ウ素、三フッ化ホウ素およびジボランからなる群から選択される少なくとも１つ の種を含む、請求項５に記載の流体貯蔵および供給システム。 ７．前記ガスを利用する半導体製造設備とガス供給関係にて結合され、前記流体 貯蔵および供給容器は高圧ガスと液化ガスとからなる群から選択される流体を含 む、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。 ８．前記半導体製造装置は、イオン注入室、化学蒸着リアクタ、リソトラックス ユニット、バブラー、液体搬送ユニット、および清浄化装置からなる群より選択 される、請求項７に記載の流体貯蔵および供給システム。 ９．単一のシームを前記ポートに有する、請求項１に記載の流体貯蔵および供給 システム。 １０．前記レギュレータの少なくともある部分は前記容器の首部内にある、請求 項１に記載の流体貯蔵および供給システム。 １１．前記レギュレータの少なくともある部分は前記容器の前記内部容積内にあ る、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。 １２．前記ガスレギュレータは固定設定点装置である、請求項１に記載の流体貯 蔵および供給システム。 １３．前記ガスレギュレータは可変設定点装置である、請求項１に記載の流体貯 蔵および供給システム。 １４．前記レギュレータは２段流体圧力レギュレータを含む、請求項１に記載の 流体貯蔵および供給システム。 １５．前記レギュレータは多段流体圧力レギュレータを含む、請求項１に記載の 流体貯蔵および供給システム。 １６．前記容器は約５０ｐｓｉｇから約５０００ｐｓｉｇの前記容器内の内部圧 力で液体またはガスを含む、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。 １７．前記容器は、水素化物ガス、ハロゲン化物ガスおよび有機金属化合物ガス からなる群から選択されるガス種を含む、請求項１に記載の流体貯蔵および供給 システム。 １８．前記内部容積は約５０リットル未満であり、前記流体貯蔵および供給容器 は１インチＮＧＴより大きい入口開口を有する、請求項１に記載の流体貯蔵およ び供給システム。 １９．前記容器の前記内部容積は約１〜約１０リットルの範囲である、請求項１ に記載の流体貯蔵および供給システム。 ２０．前記容器の圧力能力は１平方インチにつき少なくとも１０００ポンドであ る、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。 ２１．前記容器は５０リットル未満の内部容積と＞１インチＮＧＴ首部開口とを 有し、前記供給アセンブリは前記首部開口に結合され、前記レギュレータは前記 供給アセンブリに結合されかつ前記容器の前記内部容積内に配される、請求項１ に記載の流体貯蔵および供給システム。 ２２．前記流体圧力レギュレータは減圧状態で前記容器から前記ガスの放出を行 なうよう配される、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。 ２３．流体を貯蔵および供給するための方法であって、 流体流路において流体圧力レギュレータの下流にある流体制御要素によって前 記流体圧力レギュレータの下流で流体を流通させないよう閉じられる前記流体流 路内の前記流体圧力レギュレータに対し前記流体を閉じ込めた状態にて含むステ ップと、 前記閉じ込めた流体を、前記流体流路にある前記流量制御要素を開くことによ って選択的に供給することにより、流体を前記流体圧力レギュレータの下流に流 し、流体を放出し、したがって、その放出中の流体は前記流量制御要素を通って 流れる前に前記圧力レギュレータを通って流れるステップとを含み、 前記流体は、流体流通ポートを有する流体貯蔵および供給容器の、封じられた 内部容積内において前記閉じ込められた状態にて維持され、前記流体圧力レギュ レータは、前記流体流通ポートに関連づけられる、流体を貯蔵および供給するた めの方法。 ２４．前記流体は、水素化物流体、ハロゲン化物流体および有機金属試薬流体か らなる群から選択される、請求項２３に記載の方法。 ２５．前記流体圧力レギュレータは減圧下で前記流体流路に流体を放出するよう 配される、請求項２３に記載の方法。 ２６．前記レギュレータは多段流体圧力レギュレータを含む、請求項２３に記載 の方法。 ２７．含まれる流体は液体である、請求項２３に記載の方法。 ２８．供給される液体は半導体製品を製造する際に用いられる、請求項２３に記 載の方法。 ２９．放出される流体の使用はイオン注入または化学蒸着を含む、請求項２８に 記載の方法。 ３０．前記流体圧力レギュレータは減圧下で前記容器からガスを放出するよう配 される、請求項２３に記載の方法。 ３１．前記流体は前記容器内において約５０ｐｓｉｇ〜約５０００ｐｓｉｇの範 囲の圧力で含まれる、請求項２３に記載の方法。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｊ (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，Ｅ Ａ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，Ｈ Ｕ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ， ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，Ｐ Ｔ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ， ＹＵ，ＺＷ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．流体貯蔵および供給システムであって、 流体を保持するための内部容積を封じ込める流体貯蔵および供給容器を含み、 前記容器は流体流通ポートを含み、前記流体貯蔵および供給システムはさらに、 前記ポートとの間で流体の流れを流通させるよう結合される流体供給アセンブ リと、 前記ポートに関連づけられ、前記容器の前記内部容積内の流体に由来する、前 記容器から放出されるガスの所定の圧力を維持するよう配される流体圧力レギュ レータとを含み、 前記流体供給アセンブリは、前記容器の前記内部容積にある流体に由来するガ スを、前記流体圧力レギュレータおよび流体供給アセンブリを介して、前記容器 から放出するために流すよう選択的に作動可能な流量制御要素を含み、 したがって、前記放出中のガスは前記流量制御要素を通って流れる前に前記流 体圧力レギュレータを通って流れる、流体貯蔵および供給システム。 ２．前記流体圧力レギュレータは前記容器の前記内部容積において内部に配され る、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。 ３．前記流体圧力レギュレータは、前記流体圧力レギュレータに作動的に関連づ けられ、前記流体圧力レギュレータを介する液体の流れを防止するための相分離 器を有する、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。 ４．前記相分離器は、ガス透過可能で、液体透過不可能な膜を含む、請求項３に 記載の流体貯蔵および供給システム。 ５．前記供給アセンブリは、それのためのバルブアクチュエータに作動的に結合 される流量制御バルブと、前記バルブアクチュエータを作動させることにより前 記バルブの調整を開始して前記容器内の流体に由来するガスの放出される流量を 制御するための自動コントローラとを含む、請求項１に記載の流体貯蔵および供 給システム。 ６．流体貯蔵および供給システムであって、 流体を保持するための内部容積を封じ込める流体貯蔵および供給容器を含み、 前記容器は流体流通ポートを含み、前記流体貯蔵および供給システムはさらに、 前記ポートとの間で流体の流れを流通させるよう結合される流体供給アセンブ リと、 前記ポートに関連づけられ、前記容器の前記内部容積内の流体に由来する、前 記容器から放出されるガスの所定の圧力を維持するよう配される流体圧力レギュ レータとを含み、 前記流体供給アセンブリは、前記容器の前記内部容積にある流体に由来するガ スを、前記流体圧力レギュレータおよび流体供給アセンブリを介して、前記容器 から放出するために流すよう選択的に作動可能な流量制御要素を含み、前記流体 貯蔵および供給システムはさらに、 前記容器内部容積内に含まれ、液化された水素化物ガスと液化された酸性ガス とからなる群から選択される液体を含む、流体貯蔵および供給システム。 ７．流体貯蔵および供給システムであって、 流体を保持するための内部容積を封じ込める流体貯蔵および供給容器を含み、 前記容器は流体流通ポートを含み、前記流体貯蔵および供給システムはさらに、 前記ポートとの間で流体の流れを流通させるよう結合される流体供給アセンブ リと、 前記ポートに関連づけられ、前記容器の前記内部容積内の流体に由来する、前 記容器から放出されるガスの所定の圧力を維持するよう配される流体圧力レギュ レータとを含み、 前記流体供給アセンブリは、前記容器の前記内部容積にある流体に由来するガ スを、前記流体圧力レギュレータおよび流体供給アセンブリを介して、前記容器 から放出するために流すよう選択的に作動可能な流量制御要素を含み、前記流体 貯蔵および供給システムはさらに、 前記液体水素化物は、アルシン、ホスフィン、スチビン、シランおよびジボラ ンからなる群から選択される水素化物種を含む、流体貯蔵および供給システム。 ８．流体貯蔵および供給システムであって、 流体を保持するための内部容積を封じ込める流体貯蔵および供給容器を含み、 前記容器は流体流通ポートを含み、前記流体貯蔵および供給システムはさらに、 前記ポートとの間で流体の流れを流通させるよう結合される流体供給アセンブ リと、 前記ポートに関連づけられ、前記容器の前記内部容積内の流体に由来する、前 記容器から放出されるガスの所定の圧力を維持するよう配される流体圧力レギュ レータとを含み、 前記流体供給アセンブリは、前記容器の前記内部容積にある流体に由来するガ スを、前記流体圧力レギュレータおよび流体供給アセンブリを介して、前記容器 から放出するために流すよう選択的に作動可能な流量制御要素を含み、前記流体 貯蔵および供給システムはさらに、 前記容器内部容積内に含まれ、アルシン、三塩化ホウ素および三フッ化ホウ素 からなる群から選択される液体を含む、流体貯蔵および供給システム。 ９．流体貯蔵およびガス供給システムであって、 供給されるべき流体をその蒸気が構成する液体を保持するために構築され構成 される貯蔵および供給容器を含み、前記流体は、前記貯蔵および供給容器内にお いて、前記流体が液体状態にある圧力で含まれ、 前記貯蔵および供給容器は流体流通ポートを含み、前記流体貯蔵およびガス供 給システムはさらに、 前記出口ポートに結合される供給アセンブリと、 前記容器において内部に配され、液体を前記容器内に保持し、ガス供給中に液 体が前記供給アセンブリに流入するのを防止する流体圧力レギュレータ／相分離 器アセンブリと、 前記供給アセンブリを選択的に作動させることにより、前記容器内の前記液体 に由来するガスを、前記流体レギュレータ／相分離器アセンブリおよび前記供給 アセンブリを介して流して、前記ガスを前記システムから放出させるためのコン トローラとを含み、 したがって、前記放出中のガスは前記流量制御要素を通って流れる前に前記流 体圧力レギュレータを通って流れる、流体貯蔵およびガス供給システム。 １０．流体貯蔵およびガス供給システムであって、 流体を保持するための内部容積を封じ込める流体貯蔵および供給容器を含み、 前記容器は流体流通ポートを含み、前記流体貯蔵およびガス供給システムはさら に、 前記ポートとの間で流体の流れを流通させるよう結合される流体供給アセンブ リと、 前記ポートに関連づけられ、前記容器の前記内部容積内の流体に由来する、前 記容器から放出されるガスの所定の圧力を維持するよう配される流体圧力レギュ レータとを含み、 前記流体供給アセンブリは、前記容器の前記内部容積にある流体に由来するガ スを、前記流体圧力レギュレータおよび流体供給アセンブリを介して、前記容器 から放出するために流すよう選択的に作動可能な流量制御要素を含み、 単一のシームを前記流体流通ポートに有する、流体貯蔵およびガス供給システ ム。 １１．前記相分離器は前記液体に由来するガスに対し透過性を有するが前記液体 に対しては透過性を有さない、前記圧力レギュレータの上流に配される多孔質膜 を含み、したがって、前記流体が前記流体圧力レギュレータに入って前記流体の 前記容器内における維持において前記流体圧力レギュレータの機能に干渉するこ とを防ぎ、液体が前記容器から流出するのを防ぐ、請求項９に記載の流体貯蔵お よびガス供給システム。 １２．前記容器は二重流体流通ポートを有する、請求項９に記載の流体貯蔵およ びガス供給システム。 １３．流体貯蔵およびガス供給システムであって、 流体を保持するための内部容積を封じ込める流体貯蔵および供給容器を含み、 前記容器は流体流通ポートを含み、前記流体貯蔵およびガス供給システムはさら に、 前記ポートとの間で流体の流れを流通させるよう結合される流体供給アセンブ リと、 前記ポートに関連づけられ、前記容器の前記内部容積内の流体に由来する、前 記容器から放出されるガスの所定の圧力を維持するよう配される流体圧力レギュ レータとを含み、 前記流体供給アセンブリは、前記容器の前記内部容積にある流体に由来するガ スを、前記流体圧力レギュレータおよび流体供給アセンブリを介して、前記容器 から放出するために流すよう選択的に作動可能な流量制御要素を含み、 前記容器は液化された水素化物ガスおよび液化された酸性ガスからなる群から 選択される流体を含む、流体貯蔵およびガス供給システム。 １４．ガスを利用する半導体製造装置と前記ガスの供給源とを含む半導体製造シ ステムであって、前記供給源は、 流体を保持するための内部容積を封じ込める流体貯蔵および供給容器を含み、 前記容器は流体流通ポートを含み、前記システムはさらに、 前記ポートとの間で流体の流れを流通させるよう結合される流体供給アセンブ リと、 前記ポートに関連づけられ、前記容器の前記内部容積内の流体に由来する、前 記容器から放出されるガスの所定の圧力を維持するよう配される流体圧力レギュ レータとを含み、 前記流体供給アセンブリは、前記容器の前記内部容積内の前記流体に由来する ガスを前記流体圧力レギュレータと流体供給アセンブリとを介してガスを流し前 記ガスを前記容器から放出させるよう選択的に作動可能な流通制御要素を含み、 したがって、前記放出中のガスは前記流量制御要素を通って流れる前に前記流体 圧力レギュレータを通って流れ、前記システムはさらに、 前記流体貯蔵および供給容器の前記内部容積内に流体を含み、前記流体は高圧 ガスおよび液化ガスからなる群から選択される、半導体製造システム。 １５．前記半導体製造装置は、イオン注入室、化学蒸着リアクタ、リソトラック スユニット、バブラー、液体搬送ユニット、および清浄化装置からなる群から選 択される、請求項１４に記載の半導体製造システム。 １６．流体を貯蔵および供給するための方法であって、 流体流路において流体圧力レギュレータの下流にある流体制御要素によって前 記流体圧力レギュレータの下流で流体を流通させないよう閉じられる前記流体流 路内の前記流体圧力レギュレータに対し前記流体を閉じ込めた状態にて含むステ ップと、 前記閉じ込めた流体を、前記流体流路にある前記流量制御要素を開くことによ って選択的に供給することにより、流体を前記流体圧力レギュレータの下流に流 し、流体を放出し、したがって、その放出中の流体は前記流量制御要素を通って 流れる前に前記圧力レギュレータを通って流れるステップとを含み、 前記流体は、流体流通ポートを有する流体貯蔵および供給容器の、封じられた 内部容積内において前記閉じ込められた状態にて維持され、前記流体圧力レギュ レータは、前記流体流通ポートに関連づけられる、流体を貯蔵および供給するた めの方法。 １７．前記閉じ込められた流体は液体であり、前記流体を供給中に前記流体圧力 レギュレータの上流にて相分離することにより、閉じ込められた状態にて含まれ る前記流体からガスのみが放出されることを可能にする、請求項１６に記載の方 法。 １８．半導体製品を製造する方法であって、 流体流路において流体圧力レギュレータの下流にある流体制御要素によって前 記流体圧力レギュレータの下流で流体を流通させないよう閉じられる前記流体流 路内の前記流体圧力レギュレータに対し前記流体を閉じ込めた状態にて含むステ ップと、 前記閉じ込められた流体を、前記流体流路にある前記流量制御要素を開くこと によって選択的に供給することにより、流体を前記流体圧力レギュレータの下流 に流し、流体を放出し、したがって、その放出中の流体は前記流量制御要素を通 って流れる前に前記圧力レギュレータを通って流れるステップと、 前記半導体装置の製造に前記放出された流体を用いるステップとを含み、 前記流体は、流体流通ポートを有する流体貯蔵および供給容器の、封じられた 内部容積内において前記閉じ込められた状態にて維持され、前記流体圧力レギュ レータは、前記流体流通ポートに関連づけられる、半導体製品を製造する方法。 １９．前記放出された流体の使用はイオン注入を含む、請求項１８に記載の方法 。 ２０．前記放出された流体の使用は化学蒸着を含む、請求項１８に記載の方法。 ２１．流体貯蔵および供給システムであって、 流体を保持するための内部容積を封じ込める流体貯蔵および供給容器を含み、 前記容器は流体流通ポートを含み、前記流体貯蔵および供給システムはさらに、 前記ポートとの間で流体の流れを流通させるよう結合される流体供給アセンブ リと、 前記ポートに関連づけられ、前記容器の前記内部容積内の流体に由来する、前 記容器から放出されるガスの所定の圧力を維持するよう配される流体圧力レギュ レータとを含み、 前記流体供給アセンブリは、前記容器の前記内部容積にある流体に由来するガ スを、前記流体圧力レギュレータおよび流体供給アセンブリを介して、前記容器 から放出するために流すよう選択的に作動可能な流量制御要素を含み、 前記圧力レギュレータは前記ガスを前記容器から大気圧より低い圧力で放出す るよう構成される、流体貯蔵および供給システム。 ２２．前記圧力レギュレータは前記ガスを前記容器から７００Ｔｏｒｒより下の 圧力で放出するよう構成される、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム 。 ２３．前記流体圧力レギュレータ／相分離器アセンブリは前記ガスを前記システ ムから大気圧より低い圧力で放出するよう構成される、請求項９に記載の流体貯 蔵およびガス供給システム。 ２４．前記流体圧力レギュレータ／相分離器アセンブリは前記ガスを前記システ ムから７００Ｔｏｒｒより低い圧力で放出するよう構成される、請求項９に記載 の流体貯蔵およびガス供給システム。 ２５．ガスを利用する半導体製造装置と前記ガスの供給源とを含む半導体製造シ ステムであって、前記供給源は、 流体を保持するための内部容積を封じ込める流体貯蔵および供給容器を含み、 前記容器は流体流通ポートを含み、前記システムはさらに、 前記ポートとの間で流体の流れを流通させるよう結合される流体供給アセンブ リと、 前記ポートに関連づけられ、前記容器の前記内部容積内の流体に由来する、前 記容器から放出されるガスの所定の圧力を維持するよう配される流体圧力レギュ レータとを含み、 前記流体供給アセンブリは、前記容器の前記内部容積にある流体に由来するガ スを、前記流体圧力レギュレータおよび流体供給アセンブリを介して、前記容器 から放出するために流すよう選択的に作動可能な流量制御要素を含み、 前記流体圧力レギュレータは前記ガスを前記容器から大気圧より低い圧力で放 出するよう構成される、半導体製造システム。 ２６．前記圧力レギュレータは前記ガスを前記容器から７００Ｔｏｒｒより下の 圧力で放出するよう構成される、請求項１４に記載の半導体製造システム。 ２７．流体を貯蔵および供給するための方法であって、 流体圧力レギュレータの下流において流体を流通させないよう閉じられる流体 流路における流体圧力レギュレータに対して前記流体を閉じ込められた状態にて 維持するステップと、 前記流体流路を前記流体圧力レギュレータの下流において流体流通させるよう 開くことによって前記閉じ込められた流体を選択的に供給し、流体を前記流体圧 力レギュレータにより決定される流速で放出するステップとを含み、 前記流体圧力レギュレータは流体を前記流体流路に大気圧より小さい圧力で放 出するよう構成される、流体を貯蔵し供給するための方法。 ２８．前記流体圧力レギュレータは流体を前記流体流路に７００Ｔｏｒｒより下 の圧力で放出するよう構成される、請求項１６に記載の方法。 ２９．半導体製品を製造する方法であって、 流体圧力レギュレータの下流において流体を流通させないよう閉じられる流体 流路における流体圧力レギュレータに対して前記流体を閉じ込められた状態にて 維持するステップと、 前記流体流路を前記流体圧力レギュレータの下流において流体流通させるよう 開くことによって前記封じ込められた流体を選択的に供給し、流体を前記流体圧 力レギュレータにより決定される流速で放出するステップと、 前記放出された流体を前記半導体装置の製造に用いるステップとを含み、 前記流体圧力レギュレータは流体を前記流体流路に大気圧より小さい圧力で放 出するよう構成される、半導体製品を製造する方法。 ３０．前記流体圧力レギュレータは流体を前記流体流路に７００Ｔｏｒｒより下 の圧力で放出するよう構成される、請求項１８に記載の方法。 ３１．流体貯蔵および供給システムであって、 流体を保持するための内部容積を封じる流体貯蔵および供給容器を含み、前記 容器は流体流通ポートを含み、前記システムはさらに、 前記内部容積内における大気圧より小さい圧力での流体と、 前記ポートとの間で流体を流通させるよう結合される流体供給アセンブリと、 前記ポートに関連づけられ、ガスが前記容器から前記大気圧より小さい圧力未 満の圧力で放出されるよう、前記容器の前記内部容積内の流体に由来する前記容 器から放出されるガスの所定の圧力を維持するよう構成される流体圧力レギュレ ータとを含み、 前記流体供給アセンブリは、前記容器の前記内部容積内の前記流体に由来する ガスを前記流体圧力レギュレータおよび流体供給アセンブリを通る流路に沿って 流すことにより前記ガスが前記容器から放出されるよう選択的に作動可能な流体 制御要素を含み、したがって、ガスは前記放出中において前記流量制御要素を通 って流れる前に前記流体圧力レギュレータを通って流れる、流体貯蔵および供給 システム。 ３２．前記流体は、半導体製造設備のための水素化物、ハロゲン化合物、エッチ ングガスおよび清浄化試薬からなる群から選択される流体種を含む、請求項３１ に記載の流体貯蔵および供給システム。 ３３．前記流体は、アルシン、ホスフィン、スチビン、シラン、クロロシラン、 ジボラン、および三フッ化ホウ素からなる群から選択される流体種を含む、請求 項３１に記載の流体貯蔵および供給システム。 ３４．流体貯蔵および供給装置であって、 流体貯蔵および供給容器を含み、前記流体貯蔵および供給容器は前記流体貯蔵 および供給容器のポートを規定する首部を有し、前記装置はさらに、 前記ポートに取付けられ、所定の圧力レベルに設定されることにより、前記容 器内の流体に由来するガスを前記所定の圧力レベルで供給するためのガスレギュ レータと、 前記容器の前記首部に継がれるバルブヘッドとを含み、前記バルブヘッドは、 選択的に開放可能または閉鎖可能なバルブであって、ガスを前記供給中に前記流 体圧力レギュレータを通過させてから前記バルブを通過させることにより、前記 ガスレギュレータが設定される前記所定の圧力レベルでガスを供給するよう制御 するよう構成されるバルブを含む、流体貯蔵および供給装置。 ３５．半導体製造のための流体を含む、請求項３４に記載の流体貯蔵および供給 装置。 ３６．前記ポートにおいて単一のシームを有する、請求項３４に記載の流体貯蔵 および供給装置。 ３７．前記レギュレータの少なくとも一部は前記容器の前記首部内にある、請求 項３４に記載の流体貯蔵および供給装置。 ３８．前記レギュレータの少なくとも一部は前記容器の前記内部容積内にある、 請求項３４に記載の流体貯蔵および供給装置。 ３９．前記バルブヘッドの前記バルブは自動バルブを含む、請求項３４に記載の 流体貯蔵および供給装置。 ４０．前記バルブヘッドの前記バルブは手動バルブを含む、請求項３４に記載の 流体貯蔵および供給装置。 ４１．水素化物ガスを含む流体を含む、請求項３４に記載の流体貯蔵および供給 装置。 ４２．酸性ガスを含む流体を含む、請求項３４に記載の流体貯蔵および供給装置 。 ４３．アルシン、ホスフィン、スチビン、シラン、およびジボランからなる群か ら選択される流体種を含む流体を含む、請求項３４に記載の流体貯蔵および供給 装置。 ４４．流体が前記ガスレギュレータと接触するのを防止するよう構成されるガス 透過性液体バリアをさらに含む、請求項３４に記載の流体貯蔵および供給装置。 ４５．前記ガスレギュレータは、前記所定の圧力レベルを超える圧力での流れを 防ぐよう座部構造に付勢されるポペット要素を含む、請求項３４に記載の流体貯 蔵および供給装置。 ４６．前記ガスレギュレータは固定設定点装置である、請求項３４に記載の流体 貯蔵および供給装置。 ４７．前記ガスレギュレータは可変設定点装置である、請求項３４に記載の流体 貯蔵および供給装置。 ４８．前記バルブヘッドは電気的バルブを含む、請求項３４に記載の流体貯蔵お よび供給装置。 ４９．前記バルブヘッドは空気バルブを含む、請求項３４に記載の流体貯蔵およ び供給装置。 ５０．前記容器は単一のポートを含む、請求項３４に記載の流体貯蔵および供給 装置。 ５１．前記バルブのためのバルブアクチュエータをさらに含む、請求項３４に記 載の流体貯蔵および供給装置。 ５２．前記バルブアクチュエータに対し制御を行なう関係にて結合され、ガスの 前記供給においてガスの流れを調節する中央処理装置ユニットをさらに含む、請 求項５１に記載の流体貯蔵および供給装置。 ５３．供給されたガスが消費される処理設備に対しモニタを行なう関係にて前記 中央処理装置ユニットをリンクすることにより、前記設備の処理条件をモニタし 、応答的に前記バルブアクチュエータを作動させることにより、前記ガスに対す る前記設備の用件に応じて前記設備へのガスの流れを調節する、請求項５２に記 載の流体貯蔵および供給装置。 ５４．前記処理設備は半導体製造設備を含む、請求項５３に記載の流体貯蔵およ び供給装置。 ５５．前記容器に対し熱を介してモニタを行なう関係にて前記中央処理装置ユニ ットをリンクすることにより、対応的にガスの流れを調整して、ガスの流れを前 記容器の温度との関係にて補償する、請求項５２に記載の流体貯蔵および供給装 置。 ５６．アルシンを含む流体を含む、請求項３４に記載の流体貯蔵および供給装置 。 ５７．ホスフィンを含む流体を含む、請求項３４に記載の流体貯蔵および供給装 置。 ５８．スチビンを含む流体を含む、請求項３４に記載の流体貯蔵および供給装置 。 ５９．シランを含む流体を含む、請求項３４に記載の流体貯蔵および供給装置。 ６０．ジボランを含む流体を含む、請求項３４に記載の流体貯蔵および供給装置 。 ６１．三塩化ホウ素を含む流体を含む、請求項３４に記載の流体貯蔵および供給 装置。 ６２．三フッ化ホウ素を含む流体を含む、請求項３４に記載の流体貯蔵および供 給装置。 ６３．ハロゲン化合物を含む流体を含む、請求項３４に記載の流体貯蔵および供 給装置。 ６４．清浄化試薬を含む流体を含む、請求項３４に記載の流体貯蔵および供給装 置。 ６５．前記容器は前記流体流通ポートの境界をなす首部を含む、請求項１に記載 の流体貯蔵および供給システム。 ６６．前記流体圧力レギュレータの少なくとも一部は前記容器の前記首部内にあ る、請求項６５に記載の流体貯蔵および供給システム。 ６７．前記流体圧力レギュレータの少なくとも一部は前記容器の前記内部容積内 にある、請求項６５に記載の流体貯蔵および供給システム。 ６８．前記容器の前記内部容積はヒータを含まない、請求項１に記載の流体貯蔵 および供給システム。 ６９．前記流体圧力レギュレータは大気圧より小さい所定の圧力レベルに設定さ れる、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。 ７０．前記流体圧力レギュレータは大気圧の所定の圧力レベルに設定される、請 求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。 ７１．前記流体圧力レギュレータは大気圧より大きい所定の圧力レベルに設定さ れる、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。 ７２．前記流体はガスを含む、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。 ７３．前記流体は液化ガスを含む、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システ ム。 ７４．前記流量制御要素に対し制御を行なう関係にて結合され、ガスの前記放出 時にガスの流量を調節する中央処理装置ユニットをさらに含む、請求項１に記載 の流体貯蔵および供給システム。 ７５．前記流体貯蔵および供給容器は垂直方向に細長い概ね円筒形の容器を含む 、請求項１に記載の流体貯蔵および供給システム。 ７６．流体貯蔵および供給システムであって、 流体を保持するための内部容積を封じる流体貯蔵および供給容器を含み、前記 容器は流体流通ポートを含み、前記システムはさらに、 前記ポートとの間で流体を流通するよう結合される流体供給アセンブリと、 前記ポートに関連づけられ、前記容器の前記内部容積内において所定の圧力を 維持するよう構成される２段流体圧力レギュレータとを含み、 前記流体供給アセンブリは、前記容器の前記内部容積にある前記流体に由来す るガスを前記２段流体圧力レギュレータおよび流体供給アセンブリを介して流し て前記ガスが前記容器から放出されるよう選択的に作動可能である、流体貯蔵お よび供給システム。 ７７．前記２段流体圧力レギュレータは、前記容器の前記内部容積において内部 に配される、請求項７６に記載のシステム。 ７８．前記供給アセンブリは、それのためのバルブアクチュエータに作動的に結 合される流量制御バルブと、前記バルブアクチュエータを作動させることにより 前記バルブの調整を開始して前記容器内の流体に由来するガスの放出される流量 を制御するための自動コントローラとを含む、請求項７６に記載のシステム。 ７９．前記容器内部容積に含まれ、液化水素化物ガスおよび液化酸性ガスからな る群から選択される液体をさらに含む、請求項７６に記載の流体貯蔵および供給 システム。 ８０．前記容器内部容積に含まれ、アルシン、ホスフィン、スチビン、シラン、 ジボラン、フッ化水素、三塩化ホウ素、六フッ化ホウ素、塩化水素、ハロゲン化 シランおよびジシランからなる群から選択される液体をさらに含む、請求項７６ に記載の流体貯蔵および供給システム。 ８１．前記容器内部容積に含まれ、アルシン、三塩化ホウ素および三フッ化ホウ 素からなる群から選択される液体をさらに含む、請求項７６に記載の流体貯蔵お よび供給システム。 ８２．流体貯蔵およびガス供給システムであって、 供給されるべき流体をその蒸気が構成する液体を保持するために構築され構成 される貯蔵および供給容器を含み、前記流体は、前記貯蔵および供給容器内にお いて、前記流体が液体状態にある圧力で含まれ、 前記貯蔵および供給容器は流体流通ポートを含み、前記流体貯蔵およびガス供 給システムはさらに、 前記出口ポートに結合される供給アセンブリと、 前記容器において中に配される２段流体圧力レギュレータ／粒子フィルタアセ ンブリと、 前記供給アセンブリを選択的に作動させることにより、前記容器内の前記液体 に由来するガスを、前記流体レギュレータ／粒子フィルタアセンブリおよび前記 供給アセンブリを介して流して、前記ガスを前記システムから放出させるための コントローラとを含む、流体貯蔵およびガス供給システム。 ８３．前記容器は液化された水素化物ガスおよび液化された酸性ガスからなる群 から選択される流体を含む、請求項８２に記載の流体貯蔵およびガス供給システ ム。 ８４．ガスを利用する半導体製造装置と前記ガスの供給源とを含む半導体製造シ ステムであって、前記供給源は、 流体を保持するための内部容積を封じる流体貯蔵および供給容器を含み、前記容 器は流体流通ポートを含み、前記システムはさらに、 前記ポートとの間で流体を流通するよう結合される流体供給アセンブリと、 前記ポートに関連づけられ、前記容器の前記内部容積内において所定の圧力を 維持するよう構成される多段流体圧力レギュレータとを含み、 前記流体供給アセンブリは、前記容器の前記内部容積にある前記流体に由来す るガスを前記流体圧力レギュレータおよび流体供給アセンブリを介して流して前 記ガスが前記容器から放出されるよう選択的に作動可能である、半導体製造シス テム。 ８５．前記半導体製造装置は、イオン注入室、化学蒸着リアクタ、リソトラック スユニット、バブラー、液体搬送ユニット、および清浄化設備からなる群から選 択される、請求項８４に記載の半導体製造システム。 ８６．液体を貯蔵し供給するための方法であって、 多段流体圧力レギュレータの下流において流体を流通させないよう閉じられる 流体流路における前記多段流体圧力レギュレータに対して前記流体を閉じ込めた 状態にて維持するステップと、 前記流体流路を前記流体圧力レギュレータの下流において流体流通させるよう 開くことによって前記閉じ込められた流体を選択的に供給し、流体を前記流体圧 力レギュレータにより決定される流速で放出するステップとを含む方法。 ８７．前記閉じ込められた流体は液体である、請求項８６に記載の方法。 ８８．半導体製品を製造する方法であって、 多段流体圧力レギュレータの下流において流体を流通させないよう閉じられる 流体流路における前記流体圧力レギュレータに対して前記流体を閉じ込められた 状態にて維持するステップと、 前記流体流路を前記流体圧力レギュレータの下流において流体流通させるよう 開くことによって前記閉じ込められた流体を選択的に供給し、流体を前記流体圧 力レギュレータにより決定される流速で放出するステップと、 前記放出された流体を前記半導体装置の製造に用いるステップとを含む、方法 。 ８９．前記放出された流体の使用はイオン注入を含む、請求項８８に記載の方法 。 ９０．前記放出された流体の使用は化学蒸着を含む、請求項８８に記載の方法。 ９１．前記流体圧力レギュレータは前記ガスを前記容器から大気圧より小さい圧 力で放出するよう構成される、請求項８６に記載の流体貯蔵および供給システム 。 ９２．前記流体圧力レギュレータは前記ガスを前記容器から７００Ｔｏｒｒより 下の圧力で放出するよう構成される、請求項８６に記載の流体貯蔵および供給シ ステム。 ９３．物理的吸着媒材料を含む容器を含み、前記物理的吸着媒は前記容器内にお いて約５０ｐｓｉｇ〜約５０００ｐｓｉｇの内部圧力でガスを吸着し、さらに、 前記容器に結合され前記容器からガスを供給するよう選択的に作動可能なガス供 給アセンブリを含む、流体貯蔵および供給システム。 ９４．前記ガスは、水素化物ガス、ハロゲン化合物ガスおよび有機金属化合物ガ スからなる群から選択されるガス種を含む、請求項９３に記載の流体貯蔵および 供給システム。 ９５．前記容器は前記ガスを自由な状態と並んで吸着された状態にて含む、請求 項９３に記載の流体貯蔵および供給システム。 ９６．前記ガスの約５〜約４０％は自由な状態で存在し、前記ガスの約６０〜約 ９５％は吸着された状態にて前記物理的吸着媒材料上に存在する、請求項９３に 記載の流体貯蔵および供給システム。 ９７．ガスを利用する半導体製造装置と前記ガスの供給源とを含む半導体製造シ ステムであって、前記供給源は、物理的吸着媒材料を有する容器を含み、前記物 理的吸着媒材料は前記容器内にて約５０ｐｓｉｇ〜約５０００ｐｓｉｇの内部圧 力にてガスを吸着し、さらに、前記容器に結合され前記容器からガスを供給する よう選択的に作動可能であるガス供給アセンブリを含む、半導体製造システム。 ９８．前記半導体製造装置は、イオン注入室、化学蒸着リアクタ、リソトラック スユニット、バブラー、液体搬送ユニット、および清浄化設備からなる群から選 択される、請求項９７に記載の半導体製造システム。 ９９．流体を貯蔵し供給するための方法であって、 前記流体を約５０〜約５０００ｐｓｉｇの範囲にある圧力で少なくとも部分的 に吸着された状態で含有するステップと、 前記流体を前記吸着された状態から脱着し、前記流体を含有から開放すること により、前記流体を選択的に供給するステップとを含む、流体を貯蔵し供給する ための方法。 １００．含有から開放された前記流体を半導体製造工程において用いるステップ をさらに含む、請求項９９に記載の方法。 １０１．流体貯蔵および供給システムであって、 約５０リットル未満の内部容積を封じ、かつ１インチＮＧＴより大きい入口開 口を有する、流体貯蔵および供給容器と、 流体を前記容器から選択的に供給するよう構成される流体供給アセンブリと、 前記容器の前記内部容積内に設けられ、所定の圧力をその中に維持するよう構 成される、流体圧力レギュレータとを含む、流体貯蔵および供給システム。 １０２．前記容器の前記内部容積は約２０リットル未満である、請求項１０１に 記載の流体貯蔵および供給システム。 １０３．前記容器の前記内部容積は約１０リットル未満である、請求項１０１に 記載の流体貯蔵および供給システム。 １０４．前記容器の前記内部容積は約１〜約１０リットルの範囲にある、請求項 １０１に記載の流体貯蔵および供給システム。 １０５．前記容器の圧力能力は１平方インチにつき少なくとも１０００ポンドで ある、請求項１０１に記載の流体貯蔵および供給システム。 １０６．前記容器の圧力能力は１平方インチにつき少なくとも５０００ポンドで ある、請求項１０１に記載の流体貯蔵および供給システム。 １０７．前記入口開口は１ 1/2インチＮＧＴである、請求項１０１に記載の流体 貯蔵および供給容器。 １０８．前記入口開口は１ 1/2インチＮＧＴ〜11 1/2ｔｐｉである、請求項１０ １に記載の流体貯蔵および供給容器。 １０９．ガスを利用する半導体製造装置と前記ガスの供給源とを含む半導体製造 システムであって、前記供給源は、 約５０リットル未満の内部容積を封じ、かつ１インチＮＧＴより大きい入口開 口を有する、流体貯蔵および供給容器と、 流体を前記容器から選択的に供給するよう構成される流体供給アセンブリと、 前記容器の前記内部容積内に設けられ、所定の圧力をその中に維持するよう構 成される、流体圧力レギュレータとを含む、半導体製造システム。 １１０．前記半導体製造装置は、イオン注入室、化学蒸着リアクタ、リソトラッ クスユニット、バブラー、液体搬送ユニットおよび清浄化設備からなる群から選 択される、請求項１０９に記載の半導体製造システム。 １１１．１ 1/2〜11 1/2ＮＧＴねじ筋を伴う１．５インチＮＧＴ開口と、４．１ ８７〜４．２５インチの外径と、０．０９４〜０．１２５インチの公称壁部厚み と、１２．７５〜１３．７５インチの長さとを伴う、２．０〜２．２５リットル のＤＯＴ ３ＡＡ ２０１５シリンダを含む、流体貯蔵および供給容器。 １１２．５０リットル未満の内部容積および＞１インチＮＧＴ首部開口を伴う容 器と、前記首部開口に結合される供給アセンブリと、前記供給アセンブリに結合 され前記容器の前記内部容積内に配されるレギュレータとを含む、流体貯蔵およ び供給アセンブリ。 １１３．前記首部開口は１．５インチＮＧＴ首部開口である、請求項１１２に記 載の流体貯蔵および供給アセンブリ。 １１４．前記レギュレータに接続され、粒子が前記流体供給アセンブリに入るの を防止するための粒子フィルタをさらに含む、請求項１１２に記載の流体貯蔵お よび供給アセンブリ。 １１５．前記レギュレータは多段レギュレータを含む、請求項１１２に記載の流 体貯蔵および供給アセンブリ。 １１６．前記容器は、物理的吸着媒材料と、前記物理的吸着媒が収着親和性を有 するガスとを保持する、請求項１１２に記載の流体貯蔵および供給アセンブリ。 １１７．前記容器の前記内部容積内の圧力は５０ｐｓｉｇより大きい、請求項１ １６に記載の流体貯蔵および供給容器。