JP2001358443A - 回路基板の製造方法，回路基板及び電子部品の実装構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子部品を実装する際に極めて有用な回路基
板の製造方法を提供する。 【解決手段】 導体１ａを覆う樹脂層２を基板１の導体
形成面に形成する工程と、基板１の導体１ａに達する逆
円錐台状の孔２ａを樹脂層２に形成する工程と、逆円錐
台状の孔２ａ内の残渣を取り除く工程と、樹脂層２の逆
円錐台状の孔２ａに導電材料を充填することによって上
端が孔２ａから露出した逆円錐台状の接続部３を孔２ａ
に形成する工程と、接続部３の上端露出部分の表面に接
合層４を形成する工程を順に実施することによって、樹
脂層２の孔２ａから上端が露出した逆円錐台状の接続部
３を有する回路基板を製造する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品が実装さ
れ得る回路基板の製造方法，回路基板及び電子部品の実
装構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】特開平７−１５３７９７号公報には、電
子部品の実装に用いられる回路基板が開示されている。
この回路基板は、導体を有する基板と、導体を覆うよう
に基板に形成されたポリイミド層と、基板の導体に達す
るようにポリイミド層に形成された円柱状の孔と、金属
メッキによってポリイミド層の孔に形成された円柱状の
バンプとから成る。ポリイミド層は基板にポリイミド樹
脂の溶液を塗布しこれを硬化させることによって形成さ
れ、ポリイミド層の孔はエキシマレーザによって形成さ
れている。また、円柱状のバンプにはバンプがポリイミ
ド層から突出するように半田メッキ層が形成されてい
る。

【０００３】この回路基板によればバンプを利用して電
子部品の実装を行うことが可能であり、バンプに電子部
品の端子を突き合わせてバンプを加熱溶融することによ
って端子をバンプに半田付けすることができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前述の回路基板では、
バンプの形状が円柱状であるため、バンプのサイズを小
さくすると、部品端子の位置公差によってバンプと部品
端子とに接続不良を生じる恐れがある。逆に、バンプと
部品端子との接続を良好に行うためにバンプのサイズを
大きくすると、バンプ全体の体積、つまり、バンプ材料
の量が増加してコスト面で不利になる。つまり、この種
のバンプとしては、バンプと部品端子との接続不良を解
消でき、しかも、バンプ材料の量を低減できることが望
ましいと言える。

【０００５】本発明は前述の事情に鑑みて創作されたも
ので、その目的とするところは、電子部品を実装する際
に極めて有用な回路基板の製造方法，回路基板及び電子
部品の実装構造を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る回路基板の製造方法は、導体を覆う樹
脂層を基板の導体形成面に形成する工程と、基板の導体
に達する逆円錐台状の孔を樹脂層に形成する工程と、樹
脂層の逆円錐台状の孔に導電材料を充填することによっ
て上端が孔から露出した逆円錐台状の接続部を孔に形成
する工程とを備えることをその主たる特徴とする。この
回路基板の製造方法によれば、前記工程を順に実施する
ことによって、樹脂層の孔から上端が露出した逆円錐台
状の接続部を有する回路基板を簡単、且つ、安定して製
造することができる。

【０００７】また、本発明に係る回路基板は、導体を有
する基板と、導体を覆うように基板の導体形成面に形成
された樹脂層と、基板の導体に達するように樹脂層に形
成された逆円錐台状の孔と、樹脂層の逆円錐台状の孔に
充填された導電材料から成り上端が孔から露出する逆円
錐台状の接続部とを備えることをその特徴とする。この
回路基板によれば、回路基板に形成された接続部の形状
が逆円錐台状であることから、上端外径が同じ円柱状の
接続部を形成する場合に比べて、接続部を形成するのに
必要な導電材料の量が少なくて済むためコスト面で極め
て有利である。

【０００８】さらに、本発明に係る電子部品の実装構造
は、導体を有する基板と、導体を覆うように基板の導体
形成面に形成された樹脂層と、基板の導体に達するよう
に樹脂層に形成された逆円錐台状の孔と、樹脂層の逆円
錐台状の孔に充填された導電材料から成り上端が孔から
露出する逆円錐台状の接続部とを有する回路基板と、回
路基板の逆円錐台状の接続部の上端露出部分に外部端子
を接合された電子部品とを備えることをその主たる特徴
とする。この電子部品の実装構造によれば、回路基板に
形成された接続部の形状が逆円錐台状であることから、
接続部のサイズを小さくする場合でも接続部の上端露出
部分に十分な面積を確保することが可能であるので、電
子部品の外部端子の位置公差を原因として接続部と外部
端子とに接続不良を生じることを防止して、所期の部品
実装を的確に行うことができる。

【０００９】本発明の前記目的とそれ以外の目的と、構
成特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって
明らかとなる。

【００１０】

【発明の実施の形態】図１〜図５には本発明に係る回路
基板の製造方法の一実施形態を示してある。

【００１１】回路基板を製造するときには、まず、図１
に示すような基板１、即ち、一表面に導体１ａを有する
樹脂やセラミック等から成る基板１を用意する。

【００１２】そして、図２に示すように、導体１ａを覆
う樹脂層２を基板１の導体形成面に所定の厚みで形成す
る工程を実施する。この工程は、自然硬化可能な液相樹
脂を塗布してこれを硬化させる方法や、熱付加や光照射
等によって硬化可能な液相樹脂を塗布してこれを熱や光
等を利用して強制的に硬化させる方法や、樹脂フィルム
を耐熱性接着剤を介して貼り付ける方法等によって行わ
れる。

【００１３】樹脂層２を構成する樹脂の種類には特段制
限はないが、後述の接続部形成の段階や部品実装の段階
等で熱処理を要する場合には耐熱性に優れた樹脂、例え
ば、ポリイミド樹脂やポリアミドイミド樹脂等を用いる
とよい。ちなみに、液相樹脂を用いる場合にはこの段階
で完全に硬化させる必要はなく、後続の工程中で自然硬
化が完了するようにしたり、後続の工程中で強制硬化を
再度行うようにすれば製造時間の短縮に貢献できる。

【００１４】次に、図３に示すように、基板１の導体１
ａに達する逆円錐台状の孔２ａを樹脂層２に形成する工
程を実施する。この工程は、集光されたレーザービーム
ＬＢを樹脂層２に照射することによって行われる。レー
ザービームＬＢを樹脂層２に照射すると、樹脂層２のビ
ーム照射部分がレーザービームＬＢのエネルギーによっ
て加熱溶融されて消失し、これにより、レーザービーム
ＬＢの集光態様にほぼ整合した逆円錐台状の孔２ａが樹
脂層２に形成される。レーザービームＬＢはレンズＯＬ
によって集光させてもよいし、集光作用を有する他の光
学機器によって集光させてもよい。また、レーザービー
ムＬＢとしてはＹＡＧレーザの基本波や高調波を利用で
きる他、樹脂層２の種類によってはＣＯ₂ レーザやエキ
シマレーザ等の他のレーザの出力波も利用できる。

【００１５】レーザービームＬＢによって樹脂層２に孔
２ａを形成するときには、加工時の残渣が孔２ａ内に残
ることがあるので、孔形成後に必要に応じて、孔２ａ内
の残渣を取り除く工程を実施する。この工程は、孔２ａ
にエアーを吹き付ける方法や孔２ａを洗浄する方法の他
に、残渣を溶解可能な化学処理液を用いる方法や、低出
力のレーザービームによるアブレーション等によって行
われる。

【００１６】次に、図４に示すように、樹脂層２の逆円
錐台状の孔２ａに導電材料を充填することによって上端
が孔２ａから露出した逆円錐台状の接続部３を孔２ａに
形成する工程を実施する。この工程は、導電材料として
金属を用いこれを電解メッキや無電解メッキやＣＶＤや
ＰＶＤ等の周知のメッキ処理によって孔２ａに形成する
方法や、自然硬化や強制硬化が可能な液相の金属または
導電性樹脂等の導電材料を孔２ａに真空充填する方法等
によって行われる。熱付加や光照射等によって硬化可能
な液相の導電材料を用いる場合には、充填後に、孔２ａ
に充電された導電材料を熱や光等を利用して強制的に硬
化させる処理を行う。図４から分かるように、孔２ａに
充填された導電材料はその下端を導体１ａに面接触して
おり、また、その上端は湾曲した面を有していて湾曲し
た面を孔２ａの上端よりも上方に僅かに突出している。

【００１７】接続部３用の導電材料には特段の制限はな
いが、導電材料には基板１の導体１ａと馴染みの良い材
料を用いることが望ましい。例えば、導体１ａがＣｕ等
の卑金属またはその合金である場合には、導電材料とし
てＣｕ等の卑金属またはその合金を用いるとよい。導体
１ａが卑金属またはその合金の場合には、導電材料とし
てパラジウム等の白金族金属またはその合金やＡｕ，Ａ
ｇ等の貴金属またはその合金を用いることも可能ではあ
るが、卑金属系を用いたほうが接続部３に要する材料コ
ストを低減できる点でメリットがある。また、接続部用
の導電材料としては導電性樹脂を用いることも可能であ
り、導電性樹脂を用いる場合には低温処理が可能である
ので周囲に与える熱的ダメージを軽減できるメリットが
ある。

【００１８】次に、図５に示すように、接続部３の上端
露出部分の表面に接合層４を形成する工程を実施する。
この工程は、半田等の金属製の接合材料の被膜を電解メ
ッキや無電解メッキやＣＶＤやＰＶＤ等の周知のメッキ
処理によって接続部３の上端表面に形成する方法や、ク
リーム半田や異方性導電樹脂等の液相接合材料を接続部
３の上端表面に塗布する方法や、導電性樹脂フィルムを
貼り付ける方法等によって行われる。尚、電子部品の外
部端子に接合材料層が設けられている場合には、前記の
接合層４は必ずしも接続部３に設ける必要はない。ま
た、外部端子に設けられている接合材料層が半田等の金
属から成る場合には、接続部３の上端表面にフラックス
を塗布してこれを接合層４としてもよい。

【００１９】以上で図５に示したような回路基板、即
ち、導体１ａを有する基板１と、導体１ａを覆うように
基板１の導体形成面に形成された樹脂層２と、基板１の
導体１ａに達するように樹脂層２に形成された逆円錐台
状の孔２ａと、樹脂層２の逆円錐台状の孔２ａに充填さ
れた導電材料から成り上端が孔から露出する逆円錐台状
の接続部３と、接続部３の上端露出部分の表面に形成さ
れた接合層４とを備えた回路基板が製造される。

【００２０】この回路基板に電子部品、例えば、底面に
多数の外部端子ＥＴを有するＩＣ等の電子部品ＥＣを実
装するときには、図６及び図７に示すように、電子部品
ＥＣを回路基板上に搭載して電子部品ＥＣの外部端子Ｅ
Ｔを回路基板の接続部３の上端露出部分に接触させた状
態で、熱処理等によって接合層４を介して外部端子ＥＴ
を接続部３に接合する。勿論、チップ部品やアレイ等の
他の電子部品を実装する場合も同様に行われる。

【００２１】前述の実施形態によれば、導体１ａを覆う
樹脂層２を基板１の導体形成面に形成する工程と、基板
１の導体１ａに達する逆円錐台状の孔２ａを樹脂層２に
形成する工程と、逆円錐台状の孔２ａ内の残渣を取り除
く工程と、樹脂層２の逆円錐台状の孔２ａに導電材料を
充填することによって上端が孔２ａから露出した逆円錐
台状の接続部３を孔２ａに形成する工程と、接続部３の
上端露出部分の表面に接合層４を形成する工程を順に実
施することによって、図５に示すような回路基板、即
ち、樹脂層２の孔２ａから上端が露出した逆円錐台状の
接続部３を有する回路基板を簡単、且つ、安定して製造
することができる。

【００２２】また、回路基板に形成された接続部３の形
状が逆円錐台状であることから、上端外径が同じ円柱状
の接続部を形成する場合に比べて、接続部３を形成する
のに必要な導電材料の量が少なくて済むためコスト面で
極めて有利である。また、接続部３のサイズを小さくす
る場合でも接続部３の上端露出部分に十分な面積を確保
することが可能であるので、電子部品ＥＣの外部端子Ｅ
Ｔの位置公差を原因として接続部３と外部端子ＥＴとに
接続不良を生じることを防止して、所期の部品実装を的
確に行うことができる。

【００２３】さらに、樹脂層２に逆円錐台状の孔２ａを
形成する工程を、集光されたレーザービームＬＢを樹脂
層２に照射することによって行っているので、ビーム照
射によって逆円錐台状の孔２ａを樹脂層２に的確に形成
できると共に、レーザービームＬＢの集光態様を変化さ
せることによって逆円錐台状の孔２ａの縦断面における
傾斜角度やサイズを任意に変更することができる。

【００２４】さらにまた、樹脂層２の逆円錐台状の孔２
ａに導電材料を充填して逆円錐台状の接続部３を孔２ａ
に形成する前段階で、逆円錐台状の孔２ａを樹脂層２に
形成する段階で生じた残渣を孔２ａ内から取り除くよう
にしているので、孔２ａに導電材料を充填する工程を充
填不良等の問題を生じることなく実施できると共に、接
続部３が歪な形状となることを防止して逆円錐台状の接
続部３を的確に形成でき、接続部３の下端を導体１ａに
面接触させて接続部３と導体１ａとの間で導通不良を生
じることを防止できる。また、孔２ａが逆円錐台状であ
るため、孔２ａ内の残渣を取り除く処理を容易、且つ、
確実に実施できる。

【００２５】さらにまた、逆円錐台状の接続部３の上端
に湾曲した面が設けられていて湾曲した面が孔２ａ上端
よりも上方に突出しているので、外部端子３の被接合面
に傾きがある場合でも接続部３と電子部品ＥＣの外部端
子ＥＴとを確実に接触させて接合を良好に行うことがで
きる。

【００２６】図８は、接続部３の上端に平らな面３ａを
形成する工程を示すものであり、この工程は前記実施形
態においては逆円錐台状の接続部３を孔２ａに形成する
工程と、接続部３の上端表面に接合層４を形成する工程
との間で実施され得る。この工程は、図８（Ａ）に示す
ように、接続部３の孔２ａ上端よりも上方に突出してい
る部分を研磨や研削等の手法によって平らにすることに
より行われる。前記の接合層４は、図８（Ｂ）に示すよ
うに、接続部３の平らな面３ａを覆うように形成され
る。図面には、接続部３の上端に形成された平らな面３
ａを孔２ａの上端と一致させたものを例示してあるが、
平らな面３ａが孔２ａ上端よりも上方に位置するように
接続部３の上端を孔２ａ上端よりも僅かに突出させてお
いてもよい。換言すれば、接続部３の上端が孔２ａ上端
よりも僅かに突出するように、接続部３の上端に平らな
面３ａを形成するようにしてもよい。

【００２７】逆円錐台状の接続部３の上端に平らな面３
ａを設ければ、回路基板に電子部品を実装するときに電
子部品ＥＣを接続部３によって安定な姿勢で支持するこ
とができる。また、接続部３の上端表面に設けられた平
らな面３ａを利用して電子部品の外部端子との接続面積
を十分に確保することができる。さらに、平らな面３ａ
を利用して電子部品の外部端子と接続部３との間におけ
る接合層４の厚みをほぼ均一にできるので、接合層４が
硬化時に収縮する際に生じる応力のばらつきを抑制する
ことができる。

【００２８】図９は、導体１ａの表面を含む逆円錐台状
の孔２ａの内面に導体層５を形成する工程を示すもので
あり、この工程は前記実施形態においては逆円錐台状の
孔２ａ内の残渣を取り除く工程と、逆円錐台状の接続部
３を孔２ａに形成する工程との間で実施され得る。この
工程は、図９（Ａ）に示すように、導電材料として金属
を用いこの被膜を電解メッキや無電解メッキやＣＶＤや
ＰＶＤ等の周知のメッキ処理によって孔２ａの内面に形
成する方法によって行われる。前記の接合層４は、図９
（Ｂ）に示すように、接続部３の湾曲した面を覆うよう
に形成される。

【００２９】導電材料には基板１の導体１ａ，樹脂層２
及び接続部３と馴染みの良い材料を用いることが望まし
い。例えば、導体１ａ及び接続部３がＣｕ等の卑金属ま
たはその合金である場合には導電材料としてＣｕ等の卑
金属またはその合金を用いるとよいが、パラジウム等の
白金族金属またはその合金や、Ａｕ，Ａｇ等の貴金属ま
たはその合金を用いることも可能である。また、導体層
用の導電材料としては導電性樹脂を用いることも可能で
あり、導電性樹脂を用いる場合には低温処理が可能であ
るので周囲に与える熱的ダメージを軽減できるメリット
がある。

【００３０】逆円錐台状の接続部３を孔２ａに形成する
前段階で、導体１ａの表面を含む逆円錐台状の孔２ａの
内面に導体層５を形成しておけば、導体層５によって樹
脂層２に対する接続部３の密着強度を高めることができ
るし、メッキ処理によって接続部３を形成する際のメッ
キ処理を容易に行うことができる。また、導体層５を形
成する前段階で逆円錐台状の孔２ａ内の残渣を取り除い
ておけば、導体１ａの表面を含む逆円錐台状の孔２ａの
内面に導体層５を綺麗に形成することができる。さら
に、接続部３として樹脂層２に対してマイグレイション
を生じる恐れのある金属、例えばＡｇ等を用いる場合で
も、このマイグレイションを導体層５によって防止する
ことができる。

【００３１】図１０は接続部の他の形状例を示すもので
あり、前記実施形態のものとは、孔２ｂの上端口径を大
きくした点と、接続部６の上端表面に平らな面を形成し
た点と、接続部６の上端外周部を孔２ｂの上端よりも外
側に膨らませた点で異なる。

【００３２】逆円錐台状の接続部６の上端に平らな面が
設けられているので、回路基板に電子部品を実装すると
きに電子部品ＥＣを接続部６によって安定な姿勢で支持
することができる。また、接続部６の上端表面に設けら
れた平らな面を利用して電子部品の外部端子との接続面
積を十分に確保することができる。さらに、平らな面を
利用して電子部品の外部端子と接続部６との間における
接合層７の厚みをほぼ均一にできるので、接合層７が硬
化時に収縮する際に生じる応力のばらつきを抑制するこ
とができる。さらにまた、接続部６の上端外周部が孔２
ｂの上端よりも外側に膨らんでいるので、平らな面の面
積をより大きなものとする場合に有効である。

【００３３】尚、前述の説明では、接続部を図面左右方
向に等間隔で形成した回路基板及びその製造方法を示し
てあるが、接続部の形成位置は、回路基板に実装される
電子部品それぞれの外部端子の位置に応じて適宜設定さ
れることは言うまでもない。また、電子部品の外部端子
として所定厚みを有する円盤状または矩形状のものを示
してあるが、半球形或いは球形の外部端子を有する電子
部品であっても前記同様の部品実装を行うことができ
る。さらに、基板として単層のものを例示してあるが、
基板は多層基板であっても構わない。

【００３４】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
樹脂層の孔から上端が露出した逆円錐台状の接続部を有
する回路基板を簡単、且つ、安定して製造することがで
きる。また、回路基板に形成された接続部の形状が逆円
錐台状であることから、上端外径が同じ円柱状の接続部
を形成する場合に比べて、接続部を形成するのに必要な
導電材料の量が少なくて済むためコスト面で極めて有利
である。さらに、回路基板に形成された接続部の形状が
逆円錐台状であることから、接続部のサイズを小さくす
る場合でも接続部の上端露出部分に十分な面積を確保す
ることが可能であるので、電子部品の外部端子の位置公
差を原因として接続部と外部端子とに接続不良を生じる
ことを防止して、所期の部品実装を的確に行うことがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】基板の部分縦断面図

【図２】樹脂層を基板の導体形成面に形成する工程を示
す図

【図３】逆円錐台状の孔を樹脂層に形成する工程を示す
図

【図４】逆円錐台状の接続部を孔に形成する工程を示す
図

【図５】接続部の上端露出部分の表面に接合層を形成す
る工程を示す図

【図６】回路基板に電子部品を実装する手順を示す図

【図７】回路基板に電子部品を実装する手順を示す図

【図８】接続部の上端を研磨して平らな面を形成する工
程を示す図

【図９】導体の表面を含む逆円錐台状の孔の内面に導体
層を形成する工程を示す図

【図１０】接続部の他の形状例を示す図

【符号の説明】

１…基板、１ａ…導体、２…樹脂層、２ａ…逆円錐台状
の孔、ＬＢ…レーザービーム、３…接続部、３ａ…平ら
な面、４…接合層、ＥＣ…電子部品、ＥＴ…外部端子、
５…導体層、６…接続部、７…接合層。

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導体を覆う樹脂層を基板の導体形成面に
   形成する工程と、 基板の導体に達する逆円錐台状の孔を樹脂層に形成する
   工程と、 樹脂層の逆円錐台状の孔に導電材料を充填することによ
   って上端が孔から露出した逆円錐台状の接続部を孔に形
   成する工程とを備える、 ことを特徴とする回路基板の製造方法。
2. 【請求項２】 樹脂層に逆円錐台状の孔を形成する工程
   は、集光されたレーザービームを樹脂層に照射すること
   によって行われる、 ことを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方
   法。
3. 【請求項３】 逆円錐台状の孔を樹脂層に形成する工程
   と、逆円錐台状の接続部を孔に形成する工程との間に、
   逆円錐台状の孔内の残渣を取り除く工程を備える、 ことを特徴とする請求項１または２に記載の回路基板の
   製造方法。
4. 【請求項４】 逆円錐台状の孔を樹脂層に形成する工程
   と、逆円錐台状の接続部を孔に形成する工程との間に、
   導体の表面を含む逆円錐台状の孔の内面に導体層を形成
   する工程を備える、 ことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の回
   路基板の製造方法。
5. 【請求項５】 逆円錐台状の接続部を孔に形成する工程
   では、接続部の上端が孔上端よりも上方に突出するよう
   に接続部を孔に形成する、 ことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の回
   路基板の製造方法。
6. 【請求項６】 逆円錐台状の接続部を孔に形成する工程
   の後に、接続部の上端に平らな面を形成する工程を備え
   る、 ことを特徴とする請求項５に記載の回路基板の製造方
   法。
7. 【請求項７】 逆円錐台状の接続部を孔に形成する工程
   の後に、接続部の上端露出部分の表面に接合層を形成す
   る工程を備える、 ことを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の回
   路基板の製造方法。
8. 【請求項８】 導体を有する基板と、 導体を覆うように基板の導体形成面に形成された樹脂層
   と、 基板の導体に達するように樹脂層に形成された逆円錐台
   状の孔と、 樹脂層の逆円錐台状の孔に充填された導電材料から成り
   上端が孔から露出する逆円錐台状の接続部とを備える、 ことを特徴とする回路基板。
9. 【請求項９】 逆円錐台状の孔は、集光されたレーザー
   ビームを樹脂層に照射することによって形成されてい
   る、 ことを特徴とする請求項８に記載の回路基板。
10. 【請求項１０】 導体の表面を含む逆円錐台状の孔の内
    面と、逆円錐台状の接続部との間には、導体層が設けら
    れている、 ことを特徴とする請求項８または９に記載の回路基板。
11. 【請求項１１】 逆円錐台状の接続部の上端は湾曲した
    面を有しており、湾曲した面は孔上端よりも上方に突出
    している、 ことを特徴とする請求項８〜１０の何れか１項に記載の
    回路基板。
12. 【請求項１２】 逆円錐台状の接続部の上端は接続部の
    上端は平らな面を有しており、平らな面は孔上端と一致
    するか或いは孔上端よりも上方に突出していている、 ことを特徴とする請求項８〜１０の何れか１項に記載の
    回路基板。
13. 【請求項１３】 接続部の上端露出部分には接合層が設
    けられている、 ことを特徴とする請求項８〜１２の何れか１項に記載の
    回路基板。
14. 【請求項１４】 導体を有する基板と、導体を覆うよう
    に基板の導体形成面に形成された樹脂層と、基板の導体
    に達するように樹脂層に形成された逆円錐台状の孔と、
    樹脂層の逆円錐台状の孔に充填された導電材料から成り
    上端が孔から露出する逆円錐台状の接続部とを有する回
    路基板と、 回路基板の逆円錐台状の接続部の上端露出部分に外部端
    子を接合された電子部品とを備える、 ことを特徴とする電子部品の実装構造。
15. 【請求項１５】 逆円錐台状の接続部の上端は湾曲した
    面を有しており、湾曲した面は孔上端よりも上方に突出
    している、 ことを特徴とする請求項１４に記載の電子部品の実装構
    造。
16. 【請求項１６】 逆円錐台状の接続部の上端は接続部の
    上端は平らな面を有しており、平らな面は孔上端と一致
    するか或いは孔上端よりも上方に突出していている、 ことを特徴とする請求項１４に記載の電子部品の実装構
    造。