|
EP1301927B1
(en)
*
|
2000-07-07 |
2012-06-27 |
Mosaid Technologies Incorporated |
Method and apparatus for synchronization of row and column access operations
|
|
JP4743999B2
(ja)
*
|
2001-05-28 |
2011-08-10 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
半導体記憶装置
|
|
JP4249412B2
(ja)
*
|
2001-12-27 |
2009-04-02 |
Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 |
半導体記憶装置
|
|
US6798711B2
(en)
*
|
2002-03-19 |
2004-09-28 |
Micron Technology, Inc. |
Memory with address management
|
|
JP3792602B2
(ja)
*
|
2002-05-29 |
2006-07-05 |
エルピーダメモリ株式会社 |
半導体記憶装置
|
|
ITMI20021185A1
(it)
*
|
2002-05-31 |
2003-12-01 |
St Microelectronics Srl |
Dispositivo e metodo di lettura per memorie non volatili dotate di almeno un'interfaccia di comunicazione pseudo parallela
|
|
WO2004001761A1
(ja)
|
2002-06-25 |
2003-12-31 |
Fujitsu Limited |
半導体メモリ
|
|
US7124260B2
(en)
*
|
2002-08-26 |
2006-10-17 |
Micron Technology, Inc. |
Modified persistent auto precharge command protocol system and method for memory devices
|
|
JP4236903B2
(ja)
*
|
2002-10-29 |
2009-03-11 |
Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 |
半導体記憶装置及びその制御方法
|
|
US6999368B2
(en)
*
|
2003-05-27 |
2006-02-14 |
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
Semiconductor memory device and semiconductor integrated circuit device
|
|
KR100532477B1
(ko)
*
|
2003-10-24 |
2005-12-01 |
삼성전자주식회사 |
입력 신호의 트랜지션 구간에서 안정적으로 동작하는 패스게이트 회로와 이를 구비하는 셀프 리프레쉬 회로 및 패스게이트 회로의 제어방법
|
|
JP4996094B2
(ja)
*
|
2003-10-24 |
2012-08-08 |
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション |
半導体記憶装置及びそのリフレッシュ方法
|
|
US7345940B2
(en)
*
|
2003-11-18 |
2008-03-18 |
Infineon Technologies Ag |
Method and circuit configuration for refreshing data in a semiconductor memory
|
|
KR100554848B1
(ko)
*
|
2003-12-10 |
2006-03-03 |
주식회사 하이닉스반도체 |
어드레스 억세스 타임 조절 회로를 구비한 반도체 메모리소자
|
|
US7486574B2
(en)
*
|
2004-04-13 |
2009-02-03 |
Hynix Semiconductor Inc. |
Row active control circuit of pseudo static ranom access memory
|
|
US7167400B2
(en)
*
|
2004-06-22 |
2007-01-23 |
Micron Technology, Inc. |
Apparatus and method for improving dynamic refresh in a memory device
|
|
US7102933B2
(en)
*
|
2004-10-15 |
2006-09-05 |
Infineon Technologies Ag |
Combined receiver and latch
|
|
JP4753637B2
(ja)
*
|
2005-06-23 |
2011-08-24 |
パトレネラ キャピタル リミテッド， エルエルシー |
メモリ
|
|
US8027212B2
(en)
*
|
2006-03-31 |
2011-09-27 |
Kristopher Chad Breen |
Method and apparatus for a dynamic semiconductor memory with compact sense amplifier circuit
|
|
US7492656B2
(en)
*
|
2006-04-28 |
2009-02-17 |
Mosaid Technologies Incorporated |
Dynamic random access memory with fully independent partial array refresh function
|
|
US7619944B2
(en)
*
|
2007-01-05 |
2009-11-17 |
Innovative Silicon Isi Sa |
Method and apparatus for variable memory cell refresh
|
|
US20080164149A1
(en)
*
|
2007-01-05 |
2008-07-10 |
Artz Matthew R |
Rapid gel electrophoresis system
|
|
KR100894252B1
(ko)
*
|
2007-01-23 |
2009-04-21 |
삼성전자주식회사 |
반도체 메모리 장치 및 그의 동작 제어방법
|
|
JP5554476B2
(ja)
*
|
2008-06-23 |
2014-07-23 |
ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル |
半導体記憶装置および半導体記憶装置の試験方法
|
|
JP2011065732A
(ja)
*
|
2009-09-18 |
2011-03-31 |
Elpida Memory Inc |
半導体記憶装置
|
|
JP5430484B2
(ja)
|
2010-04-15 |
2014-02-26 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
半導体記憶装置、及びその制御方法
|
|
JP2012094217A
(ja)
*
|
2010-10-27 |
2012-05-17 |
Toshiba Corp |
同期型半導体記憶装置
|
|
JP2012252731A
(ja)
*
|
2011-05-31 |
2012-12-20 |
Renesas Electronics Corp |
半導体装置
|
|
US9350386B2
(en)
|
2012-04-12 |
2016-05-24 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Memory device, memory system, and method of operating the same
|
|
US8817557B2
(en)
*
|
2012-06-12 |
2014-08-26 |
SK Hynix Inc. |
Semiconductor memory device and an operation method thereof
|
|
KR102023487B1
(ko)
*
|
2012-09-17 |
2019-09-20 |
삼성전자주식회사 |
오토 리프레쉬 커맨드를 사용하지 않고 리프레쉬를 수행할 수 있는 반도체 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템
|
|
US9524771B2
(en)
*
|
2013-07-12 |
2016-12-20 |
Qualcomm Incorporated |
DRAM sub-array level autonomic refresh memory controller optimization
|
|
KR102373544B1
(ko)
|
2015-11-06 |
2022-03-11 |
삼성전자주식회사 |
요청 기반의 리프레쉬를 수행하는 메모리 장치, 메모리 시스템 및 메모리 장치의 동작방법
|
|
US9959912B2
(en)
|
2016-02-02 |
2018-05-01 |
Qualcomm Incorporated |
Timed sense amplifier circuits and methods in a semiconductor memory
|
|
US9928895B2
(en)
|
2016-02-03 |
2018-03-27 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Volatile memory device and electronic device comprising refresh information generator, information providing method thereof, and refresh control method thereof
|
|
US10192608B2
(en)
*
|
2017-05-23 |
2019-01-29 |
Micron Technology, Inc. |
Apparatuses and methods for detection refresh starvation of a memory
|
|
KR102401873B1
(ko)
*
|
2017-09-25 |
2022-05-26 |
에스케이하이닉스 주식회사 |
라이트 제어 회로 및 이를 포함하는 반도체 장치
|
|
CN108346404B
(zh)
*
|
2018-03-05 |
2020-11-24 |
昆山龙腾光电股份有限公司 |
一种时序控制器及屏驱动电路的参数调试方法
|
|
US11069394B2
(en)
*
|
2019-09-06 |
2021-07-20 |
Micron Technology, Inc. |
Refresh operation in multi-die memory
|
|
KR20210127339A
(ko)
*
|
2020-04-14 |
2021-10-22 |
에스케이하이닉스 주식회사 |
리프레시 주기가 다른 다수의 영역을 구비한 메모리 장치, 이를 제어하는 메모리 컨트롤러 및 이를 포함하는 메모리 시스템
|
|
US11790974B2
(en)
|
2021-11-17 |
2023-10-17 |
Micron Technology, Inc. |
Apparatuses and methods for refresh compliance
|