JP2001344978A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2001344978A5 JP2001344978A5 JP2000159480A JP2000159480A JP2001344978A5 JP 2001344978 A5 JP2001344978 A5 JP 2001344978A5 JP 2000159480 A JP2000159480 A JP 2000159480A JP 2000159480 A JP2000159480 A JP 2000159480A JP 2001344978 A5 JP2001344978 A5 JP 2001344978A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- rewrite
- data input
- cell array
- data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 claims 1
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000159480A JP4156781B2 (ja) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | 半導体メモリ集積回路 |
| US09/866,065 US6501702B2 (en) | 2000-05-30 | 2001-05-25 | Semiconductor memory integrated circuit |
| KR10-2001-0029680A KR100439924B1 (ko) | 2000-05-30 | 2001-05-29 | 반도체 메모리 집적 회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000159480A JP4156781B2 (ja) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | 半導体メモリ集積回路 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001344978A JP2001344978A (ja) | 2001-12-14 |
| JP2001344978A5 true JP2001344978A5 (enExample) | 2007-08-16 |
| JP4156781B2 JP4156781B2 (ja) | 2008-09-24 |
Family
ID=18663793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000159480A Expired - Fee Related JP4156781B2 (ja) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | 半導体メモリ集積回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6501702B2 (enExample) |
| JP (1) | JP4156781B2 (enExample) |
| KR (1) | KR100439924B1 (enExample) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ITRM20010298A1 (it) * | 2001-05-31 | 2002-12-02 | Micron Technology Inc | Interfaccia di comando di utilizzatore con decodificatore programmabile. |
| KR100481179B1 (ko) * | 2002-09-10 | 2005-04-07 | 삼성전자주식회사 | 퓨즈를 구비한 회로 및 이를 이용한 반도체 장치 |
| JP2004152348A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Renesas Technology Corp | 信号生成回路 |
| KR100615596B1 (ko) * | 2004-12-22 | 2006-08-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
| US7263024B2 (en) * | 2005-10-17 | 2007-08-28 | Lattice Semiconductor Corporation | Clock reset address decoder for block memory |
| JP5563183B2 (ja) | 2007-02-15 | 2014-07-30 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 半導体メモリ集積回路 |
| US8861301B2 (en) | 2012-06-08 | 2014-10-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Clocked memory with latching predecoder circuitry |
| US8743651B2 (en) | 2012-06-08 | 2014-06-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | Clocked memory with word line activation during a first portion of the clock cycle |
| US20150279451A1 (en) * | 2014-03-27 | 2015-10-01 | Qualcomm Incorporated | Edge-triggered pulse latch |
| KR102816578B1 (ko) | 2020-08-14 | 2025-06-04 | 삼성전자주식회사 | 듀티 조절 회로, 이를 포함하는 지연 동기 루프 회로 및 반도체 메모리 장치 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100224681B1 (ko) * | 1997-01-10 | 1999-10-15 | 윤종용 | 반도체 메모리 장치의 로우 어드레스 제어 회로 |
| KR100257867B1 (ko) * | 1997-11-15 | 2000-06-01 | 윤종용 | 2차 캐시를 구비한 시스템 장치 및 동기형 메모리 장치 |
| JP4117944B2 (ja) | 1998-07-31 | 2008-07-16 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置 |
| JP4159657B2 (ja) | 1998-07-13 | 2008-10-01 | 株式会社ルネサステクノロジ | 同期型半導体記憶装置 |
| JP2000132968A (ja) | 1998-10-28 | 2000-05-12 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
| KR100313515B1 (ko) * | 1999-07-26 | 2001-11-15 | 김영환 | 반도체 메모리의 칼럼 구제 회로 |
-
2000
- 2000-05-30 JP JP2000159480A patent/JP4156781B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-05-25 US US09/866,065 patent/US6501702B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-29 KR KR10-2001-0029680A patent/KR100439924B1/ko not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000339973A5 (enExample) | ||
| TW324823B (en) | Cross-coupled bitline segments for generalized data propagation | |
| WO2001069603A3 (en) | Multiple bank simultaneous operation for a flash memory | |
| EP0986067A3 (en) | Nonvolatile semiconductor memory | |
| WO2001069602A3 (en) | Ferroelectric memory and method of operating same | |
| US20040047197A1 (en) | Memory device in which memory cells having complementary data are arranged | |
| KR100732276B1 (ko) | 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 rfid 장치 | |
| JP2001344978A5 (enExample) | ||
| KR100339428B1 (ko) | 불휘발성 강유전체 메모리의 셀 블록 구조 | |
| WO2002019340A1 (fr) | Memoire semi-conducteur et procede de rafraichissement associe | |
| EP1150211A3 (en) | Redundant memory cell for dynamic random access memories having twisted bit line architectures | |
| KR970067366A (ko) | 복수 비트 데이타를 기억하는 메모리 셀을 가진 디램 | |
| KR100339413B1 (ko) | 불휘발성 강유전체 메모리 소자의 구동회로 | |
| JP2003297078A5 (enExample) | ||
| US7898895B2 (en) | Semiconductor device | |
| KR960026781A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR960038971A (ko) | 트리플 포트 반도체 메모리장치 | |
| US7151710B2 (en) | Semiconductor memory device with data input/output organization in multiples of nine bits | |
| KR100447227B1 (ko) | 불휘발성 강유전체 메모리 장치 및 그 구동방법 | |
| KR970023432A (ko) | 신속한 랜덤 액세스를 위한 반도체 메모리 소자 | |
| WO2004055821A3 (en) | Architecture for high-speed magnetic memories | |
| KR20030041205A (ko) | 불휘발성 강유전체 메모리 장치 및 그 구동방법 | |
| TWI267084B (en) | Nonvolatile semiconductor memory device | |
| JP2001250375A5 (enExample) | ||
| KR100576483B1 (ko) | 불휘발성 강유전체 메모리 장치 |