JP2001329061A - ヒドロキシポリアミド - Google Patents
ヒドロキシポリアミドInfo
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Abstract
率のパターンを得られ、同時に微細パターンの解像性及
びパターン形状に優れ、さらには、半導体素子の表面保
護膜、層間絶縁膜用途として要求される耐熱性と力学的
性能をも高レベルで満足する耐熱性樹脂前駆体であるヒ
ドロキシポリアミドおよびその感光性樹脂組成物を提供
する。 【解決手段】 下記で表される末端構造を有するヒドロ
キシポリアミドを製造し、感光性キノンジアジド化合物
と組み合わせてポジ型感光性樹脂組成物を調製する。 【化1】
Description
のパターンを得ることができ、特に現像後パターンの形
状及び微細パターンの解像性に優れる感光性樹脂組成物
に関するものである。
縁膜として、優れた耐熱性と電気特性、機械特性などを
併せ持つポリイミド樹脂が用いられている。近年、半導
体素子の更なる高集積化、大型化が進む中、封止樹脂パ
ッケージの薄型化、小型化の要求に応えるため LOC( リ
ード・オン・チップ) や半田リフローによる表面実装等
の方式が採用され、これまで以上に微細加工性、機械特
性、耐熱性等に優れたポリイミド樹脂が必要とされるよ
うになってきた。これらの要求に対し、ポリイミド樹脂
自身に感光性能を付与することで光による微細パターン
の形成を容易にした感光性ポリイミド樹脂が開発・実用
化され、広く用いられてきている。これらの技術の発展
として、最近、アルカリ水溶液で現像ができるポジ型の
感光性樹脂の研究がなされており、例えば、特公平01-4
6862号公報、特開平08-269198 号公報、特開昭64-6947
号公報, 特開平3-20743 号公報においてはヒドロキシポ
リアミドと感光性キノンジアジド化合物よりなるポジ型
感光性樹脂が開示されている。これは優れた耐熱性、電
気特性、微細加工性をもち、ウェハーコート用途のみな
らず層間絶縁膜としての適用の可能性がある。
ミド組成物は、ノボラック樹脂と感光性キノンジアジド
化合物からなる一般のポジレジストと比較すると、露光
部と未露光部の溶解度差が小さく、すなわち低コントラ
ストであり、かつ著しく低感度であるため実用上は問題
があった。この技術に関しては、例えば特開平 9-32103
8 号公報、特開平 8-123034 号公報等において開示され
ている技術も知られている。特開平11-312675 号公報で
は、ヒドロキシポリアミドの末端部位に2 重結合性の官
能基を導入し感度が良好な系が存在するが、高温キュア
時の物性低下が起こる。また、WO99/54787号公報におい
てはポリマー末端部位に脂肪族性の基を導入して感度の
良好性と高温キュア時の物性が良好性を両立しているも
のの、キュア後の膜厚保持率が若干悪かった。すなわち
これまでの系では、感度や、パターンの形状及び微細パ
ターンの解像性、耐熱性、、および力学的性能、現像
時、キュア時の膜厚維持性に関して、それぞれの性能を
同時に満たすような特性が得られているとはいえなかっ
た。
から要望されていた特性を同時に満たすヒドロキシポリ
アミドおよびその感光性樹脂組成物を提供すること、す
なわち、高感度で現像時及びキュア後において高残膜率
のパターンを得られ、同時に微細パターンの解像性及び
パターン形状に優れ、さらには、半導体素子の表面保護
膜、層間絶縁膜用途として要求される耐熱性と力学的性
能をも高レベルで満足する耐熱性樹脂前駆体であるヒド
ロキシポリアミドおよびその感光性樹脂組成物を提供す
ることを目的とするものである。
の末端基に着目し、特定の構造を有するヒドロキシポリ
アミド、および、これと感光性キノンジアジド化合物よ
りなる感光性樹脂組成物が前記特性を満たし得ることを
見出した。すなわち、本願は、以下の発明を提供する。 (1)下記一般式(1)で表わされるヒドロキシポリア
ミド。
ある。
F3 )2 −、−CO−、−SO2 −である。) X2 、X4 は、下記に示される二価の基である。
F3 )2 −、−CO−、−SO2 −である。) X3 は2価の有機基である。a,bはモル分率を表し、
a+b=100モル% a=60〜100モル% b=0〜40モル% X5 は、少なくとも40モル%以上が下記の基である。
る。)] (2)(A)上記一般式(1)におけるヒドロキシポリ
アミドの100重量部、および(B)感光性キノンジア
ジド化合物の1〜50重量部を必須成分とするポジ型感
光性樹脂組成物。
特開昭64-6947 号公報、特開昭60-223824 号公報、特開
昭63-96162号公報、特開平5-197153号公報等に記載の方
法である、ジカルボン酸を塩化チオニル等を用いて酸ク
ロライド化し、ジヒドロキシジアミンと縮合させる方法
や、ジカルボン酸とジヒドロキシジアミンをジシクロヘ
キシルカルボジイミド等の縮合剤により縮合する方法に
より得ることができる。これら縮合の際、ジカルボン酸
に対して、ジヒドロキシジアミンを小過剰量を使用し、
縮合する方法に引き続いて、特定の構造をもつ酸無水物
等を利用してアミンの末端を酸アミド化することにより
得る。このポリアミドフェノールを約300〜400℃
で加熱すると脱水閉環し、ポリベンゾオキサゾールとい
う耐熱性樹脂に変化する。
ば、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、3,3’
−ジフェニルジカルボン酸、3,4’−ジフェニルジカ
ルボン酸、4,4’−ジフェニルジカルボン酸、3,
3’−ジフェニルエーテルジカルボン酸、3,4’−ジ
フェニルエーテルジカルボン酸、4,4’−ジフェニル
エーテルジカルボン酸、2,2−ビス(4−カルボキシ
フェニル)ヘキサフルオロプロパン、3,3’−ベンゾ
フェノンジカルボン酸、3,4’−ベンゾフェノンジカ
ルボン酸、4,4’−ベンゾフェノンジカルボン酸、
3,3’−ジフェニルスルホンジカルボン酸、3,4’
−ジフェニルスルホン−ジカルボン酸、4,4’−ジフ
ェニルスルホンジカルボン酸等が挙げられる。また使用
にあたっては、1種類でも2種類以上の混合物でもかま
わない。
えば、2,4 −ジヒドロキシ−m −フェニレンジアミ
ン、2,5−ジヒドロキシ−p−フェニレンジアミン、
4,6−ジアミノレゾルシノール、3,3’−ジアミノ
−4,4’−ジヒドロキシジフェニル、4,4’−ジア
ミノ−3,3’−ジヒドロキシジフェニル、3,4’−
ジアミノ−3’,4−ジヒドロキシジフェニル、3,
3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルエ
ーテル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシ
ジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノ−3’,4−
ジヒドロキシジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノ
−4,4’−ジヒドロキシジフェニルヘキサフルオロプ
ロパン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシ
ジフェニルヘキサフルオロプロパン、3,4’−ジアミ
ノ−3’,4−ジヒドロキシジフェニルヘキサフルオロ
プロパン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキ
シベンゾフェノン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジ
ヒドロキシベンゾフェノン、3,4’−ジアミノ−
3’,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、3,3’−ジ
アミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルフォ
ン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシジフ
ェニルスルフォン、3,4’−ジアミノ−3’,4−ジ
ヒドロキシジフェニルスルフォン等が挙げられる。また
使用にあたっては、1種類でも2種類以上の混合物でも
かまわない。
全ジアミンの40モル% を超えない範囲でフェノール性
OH基を持たない芳香族またはシリコーンジアミンを使
用することもできる。フェノール性OHを持たないジア
ミンとしては例えば、m−フェニレンジアミン、p−フ
ェニレンジアミン、2,5−ジアミノ−トルエン、3,
5−ジアミノ−トルエン、2,4−ジアミノ−トルエ
ン、m−キシレン−2,5−ジアミン,p−キシレン−
2,5−ジアミン、2,6−ジアミノ−ピリジン、2,
5−ジアミノ−ピリジン、2,5−ジアミノ−1,3,
4−オキサジアゾール、1,4−ジアミノ−シクロヘキ
サン、ピペラジン、メチレン−ジアミン、エチレン−ジ
アミン、プロピレン−ジアミン、2,2−ジメチル−プ
ロピレン−ジアミン、テトラメチレン−ジアミン、ペン
タメチレン−ジアミン、ヘキサメチレン−ジアミン、
2,5−ジメチル−ヘキサメチレン−ジアミン、3−メ
トキシ−ヘキサメチレン−ジアミン、ヘプタメチレン−
ジアミン、2,5−ジメチル−ヘプタメチレン−ジアミ
ン、3−メチル−ヘプタメチレン−ジアミン、4,4′
−ジアミノ−ジフェニルプロパン、3,3′−ジアミノ
−ジフェニルプロパン、4,4′−ジアミノ−ジフェニ
ルエタン、3,3′−ジアミノ−ジフェニルエタン、
4,4′−ジアミノ−ジフェニルメタン、3,3′−ジ
アミノ−ジフェニルメタン、4,4′−ジアミノ−ジフ
ェニルスルフィド、3,3′−ジアミノ−ジフェニルス
ルフィド、4,4′−ジアミノ−ジフェニルスルホン、
3,3′−ジアミノ−ジフェニルスルホン、4,4′−
ジアミノ−ジフェニルエーテル、3 ,4′−ジアミノ−
ジフェニルエーテル、3,3′−ジアミノ−ジフェニル
エーテル、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノ−
ビフェニル、3,3′−ジメトキシ−ベンジジン、4,
4′−ジアミノ−p−テルフェニル、3,3′−ジアミ
ノ−p−テルフェニル、ビス(p−アミノ−シクロヘキ
シル)メタン、ビス(p−β−アミノ−t−ブチルフェ
ニル)エーテル、ビス(p−β−メチル−δ−アミノペ
ンチル)ベンゼン、p−ビス(2−メチル−4−アミノ
−ペンチル)ベンゼン、p−ビス(1,1−ジメチル−
5−アミノ−ペンチル)ベンゼン、1,5−ジアミノ−
ナフタレン、2,6−ジアミノ−ナフタレン、1,3−
ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス
(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(γ
−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3
−ビス(p−アミノフェニル)テトラメチルジシロキサ
ン、1,4−ビス(γ−アミノプロピルジメチルシリ
ル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノブチル)テト
ラメチルジシロキサン、1,3−ビス(γ−アミノプロ
ピル)テトラフェニルジシロキサン、1,3−ビス(4
−アミノフェノキシメチル)テトラメチルジシロキサ
ン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシメチル)テト
ラメチルジシロキサン、4,4′−ビス(4−アミノフ
ェノキシ)ビフェニル、ビス〔4−(4−アミノフェノ
キシ)フェニル〕エーテル、ビス〔4−(3−アミノフ
ェノキシ)フェニル〕スルフォン、ビス〔4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕スルフォン、4,4′−ビ
ス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ〕ジフェ
ニルスルホン、4,4′−ビス(3−アミノフェノキ
シ)ビフェニル、2,2′−ビス〔4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2′−ビス〔4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプ
ロパン、2,2′−ビス〔4−(3−アミノフェノキ
シ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、4,4′−ジ
アミノ−3,3′,5,5′−テトラメチルジフェニル
メタン、2,6−ジアミノ−4−カルボキシリックベン
ゼン(メタクリル酸−2−ヒドロキシエチル)エステル
等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
また使用にあたっては、1種類でも2種類以上の混合物
でもかまわない。全ジアミンのうち、フェノール性OH
を持たないジアミンのモル比が40% を超えると、本発
明のポリアミドフェノールのアルカリ性現像液に対する
親和性が著しく低下し、現像が実質的に不可能となるた
め好ましくない。
て、特に環状の飽和脂肪族構造をもつ酸無水物等が好ま
しい。例としては、1,2−シクロヘキサンジカルボン
酸無水物、4−メチルシクロヘキサン−1,2−ジカル
ボン酸無水物、3−メチルシクロヘキサン−1,2−ジ
カルボン酸無水物、1,2−シクロペンタンジカルボン
酸無水物、1,2−シクロブタンジカルボン酸無水物、
1,2−シクロプロパンジカルボン酸無水物、1,1−
シクロペンタンジアセトン無水物、デカリン−1,10
−ジカルボン酸無水物、ビシクロ[2.2.1]ヘプタ
ン−2,3−ジカルボン酸無水物、ビシクロ[2.2.
1]ヘプタン−1−メチル−2,3−ジカルボン酸無水
物、ビシクロ[2.2.2]オクタン−2,3−ジカル
ボン酸無水物、オキサビシクロ[2.2.1]ヘプタン
−2,3−ジカルボン酸無水物、が挙げられるがこれに
限定されるものではない。この際、全アミン末端の少な
くとも40モル%以上を酸アミド化する必要がある。こ
の比率が40%を下回ると、ポジ型レジストとした場合
の保存安定性、リソグラフィー特性、キュア後の硬化膜
物性が得られず好ましくない。
アジド化合物は、一般にポジレジストに使用される、ポ
リヒドロキシ化合物の1,2−ナフトキノンジアジド−
4−スルフォン酸エステルおよび/ または1,2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルフォン酸エステルを含む感
光性キノンジアジド化合物であれば、特に限定されるも
のではない。本発明で用いる感光性キノンジアジド化合
物は、常法に従ってキノンジアジドスルフォン酸化合物
をクロルスルフォン酸でスルフォニルクロライドとし、
得られたキノンジアジドスルフォニルクロライドと、ポ
リヒドロキシ化合物とを縮合反応させることにより得ら
れる。例えば、ポリヒドロキシ化合物と1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルフォニルクロリドまたは1,
2−ナフトキノンジアジド−4−スルフォニルクロリド
の所定量をジオキサン、アセトンまたはテトラヒドロフ
ラン等の溶媒中において、トリエチルアミン等の塩基性
触媒の存在下反応させてエステル化を行い、得られた生
成物を水洗、乾燥することにより得ることができる。
ト)となるポリヒドロキシ化合物の具体例としては、以
下の化合物を挙げられるが、これらに限定されるもので
はない。また使用にあたっては、1種類でも2種類以上
の混合物でもかまわない。以下具体例を列挙する。
限定されるものではないが、ヒドロキシポリアミド10
0重量部に対して、通常、1〜100重量部、好ましく
は1〜50重量部である。この配合比率が少なすぎると
十分な残膜率が得られず、逆に配合比率が多すぎるとパ
ターンの解像度が大幅に低下するだけでなく、フィルム
の引っ張り伸び率が著しく低下する。本発明の感光性樹
脂組成物には、必要に応じて従来感光性樹脂組成物の添
加剤として用いられているフェノール、染料、界面活性
剤、安定剤、基板との密着性を高めるための接着助剤等
を添加することも可能である。フェノールとしては、前
記化9等の化合物も使用できる。
スタルバイオレット、マラカイトグリーン等が、界面活
性剤としては、例えばポリプロピレングリコールまたは
ポリオキシエチレンラウリルエーテル等のポリグリコー
ル類及びその誘導体の非イオン系界面活性剤、例えばフ
ロラード( 商品名、住友3M社製) 、メガファック(商
品名、大日本インキ化学工業社製) 、スルフロン( 商品
名、旭硝子社製) 等のフッ素系界面活性剤、例えばKP
341( 商品名、信越化学工業社製) 等の有機シロキサ
ン界面活性剤が、接着助剤の例としては、アルキルイミ
ダゾリン、酪酸、アルキル酸、ポリヒドロキシスチレ
ン、ポリビニルメチルエーテル、t−ブチルノボラッ
ク、エポキシシラン、エポキシポリマー等、及び各種シ
ランカップリング剤が挙げられる。
解し、ワニス状にして使用する。溶剤としては、N−メ
チル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N−
ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジ
プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチ
ル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−1,3−ブチレ
ングリコールアセテート、1,3−ブチレングリコール
−3−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビ
ン酸エチル、メチル−3−メトキシプロピオネート等を
単独または混合して使用できる。
水溶液は、アルカリ可溶性ポリマーを溶解除去するもの
であり、アルカリ化合物を溶解した水溶液であることが
必須である。アルカリ化合物としては、無機アルカリ性
化合物、有機アルカリ性化合物のいずれをも用いること
ができる。無機アルカリ性化合物としては、例えば水酸
化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、リン
酸水素ナトリウム、リン酸水素二アンモニウム、リン酸
水素二カリウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水
素アンモニウム、リン酸二水素二カリウム、リン酸二水
素ナトリウム、ケイ酸リチウム、ケイ酸ナトリウム、ケ
イ酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウム、ホウ酸リチウム、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カ
リウム、アンモニア等が使用できる。また、有機アルカ
リ化合物としては、例えばテトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウム
ヒドロキシド、モノメチルアミン、ジメチルアミン、ト
リメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、
トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプ
ロピルアミン、エタノールアミン等が使用できる。更
に、必要に応じて上記アルカリ水溶液に、メタノール、
エタノール、プロパノール、エチレングリコール等の水
溶性有機溶媒、界面活性剤、保存安定剤、樹脂の溶解抑
止剤等を適量添加することができる。
て使用できる。この組成物を適当な基板、例えばシリコ
ンウェハー、セラミック基板、アルミ基板等にスピナー
を用いた回転塗布やロールコーターによる塗布を行う。
これをオーブンやホットプレートを用いて50〜1 40
℃で乾燥し、マスクを介して、コンタクトアライナーや
ステッパーを用いて化学線の照射を行う。次に照射部を
現像液で溶解除去し、引き続きリンス液によるリンスを
行うことで所望のレリーフパターンを得る。現像方法と
してはスプレー、パドル、ディップ、超音波等の方式が
可能である。リンス液は蒸留水、脱イオン水等が使用で
きる。このレリーフパターンを加熱処理して、オキサゾ
ール構造を有する耐熱性被膜を形成することができる。
本発明による感光性樹脂組成物は半導体用途のみなら
ず、多層回路の層間絶縁やフレキシブル銅張板のカバー
コート、ソルダーレジスト膜や液晶配向膜等としても有
用である。
成
LセパラブルフラスコにN,N−ジメチルアセトアミド
(DMAC)(700g)、3,3’ジアミノ−4,
4’ジヒドロキシジフェニルヘキサフルオロプロパン
(0.54モル、197.8g)、ピリジン(0.30
モル、23.7g)を室温で混合攪拌し、これに4,4
‘−ジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリド(0.
45モル、132.8g)のジエチレングリコールジメ
チルエーテル(DMDG)(420g)溶液を0〜20
℃で加え、室温で3時間攪拌後、1,2−シクロヘキサ
ンジカルボン酸無水物(0.54モル、83.3g)、
ピリジン(1.32モル、104.4g)を加え、室温
で15時間攪拌した。この際の反応率はポリマー分子内
に残存するアミノ基を定量することから算出できる。反
応率は99%であった。
下で滴下し重合体を分散析出させ、これを回収し、水
洗、脱水後、真空乾燥によりヒドロキシポリアミド(P
−1)を得た。
ボン酸クロリドおよび無水カルボン酸を変更して実施例
1と同様にポリマー(P−2)、(P−3)、(P−
4)、(P−5)を合成した。(P−4)、(P−5)
を合成時使用する無水ジカルボン酸[化10]は、公知
の方法(Org.Prep.Proced.Int.,
31(2),220−222;1999)により合成し
た。
ンジアジド(A−1:下記化11のポリヒドロキシ化合
物の1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルフォン酸
エステル)、(A−2:下記化12のポリヒドロキシ化
合物の1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルフォン
酸エステル)である。
量部、ナフトキノンジアジド(A−1)15重量部をγ
−ブチロラクトン230重量部に溶解した後、0.5μ
m のテフロン(登録商標)フィルターで濾過して感光性
樹脂組成物を調製した。 (1)パターニング評価 この組成物を、東京エレクトロン社製スピンコーター
(MARK7)にて、0.5%アミノプロピルトリエトキシ
シランのメタノール溶液を用いて200℃、20分で処
理した5インチシリコンウェハーに、スピン塗布し、1
30℃、240秒間ホットプレートにてプリベークを行
い、塗布後13μm の塗膜を形成する。膜厚は大日本ス
クリーン社製膜厚測定装置(ラムダエース)にて測定し
た。この塗膜に、テストパターンつきレチクルを通して
i- 線(365nm)の露光波長を有するステッパ(ニ
コン製、NSR1755i7B) を用いて露光量を段階
的に変化させて露光した。これをクラリアントジャパン
社製アルカリ現像液(AZ300MIFデベロッパー
2.38重量%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶
液)で23℃の条件下で現像後膜厚が11μmとなるよ
うに現像時間を調整して現像を行いポジ型パターンを形
成した。結果を以下表3に示す。
機械物性の評価を行った。すなわちこの組成物をスピン
コーターを用いてシリコンウェハー上に均一塗布し、1
30℃ホットプレート中で240秒間プリベークした。
次にこの試料を縦型キュア炉(光陽リンドバーグ製)に
セットし、窒素雰囲気中、350℃キュアで1時間加熱
処理し、硬化膜を得た。この硬化膜をシリコンウェハー
から剥離し、機械物性を測定した。評価方法はASTM
D−882−88に準拠した。結果を以下表4に示す。
組成物を用いて、実施例1と同様の操作により処理した
ところ、以下表3〜表4に示すように良好な結果を得
た。
ンジカルボン酸無水物のかわりに、5−ノルボルネン−
2,3−ジカルボン酸無水物(0.54モル、88.6
g)を加え、それ以外は、同様の操作を行い、ポリマー
(P−4)を得た。反応率は94%であった。
ンジカルボン酸無水物のかわりに、4−メチル−4−シ
クロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物(0.54
モル、89.7g)を加え、それ以外は同様の処理を行
い、ポリマー(P−5)を得た。反応率は94%であっ
た。
ンジカルボン酸無水物の代わりにグルタル酸無水物
(0.36モル、41.1g)を使用して、他は同様に
処理して、ポリマー(P−6)を得た。反応率は90%
であった。
て、実施例4と同様な操作を行い以下表5〜表6の結果
を得た。
高感度、高コントラストで、特に現像後パターン形状及
び微細パターンの解像性に優れ、なおかつ熱硬化後の伸
度が良好で、熱硬化後の残膜保持率が高い、感光性樹脂
組成物を提供することができ、半導体素子等の表面保護
膜、層間絶縁膜等に好適である。
Claims (2)
- 【請求項1】 下記一般式(1)で表わされるヒドロキ
シポリアミド。 【化1】 [式中X1 は、下記に示される四価の基である。 【化2】 (A1 は、単結合、−O−、−C(CF3 )2 −、−C
O−、−SO2 −である。) X2 、X4 は、下記に示される二価の基である。 【化3】 (A2 は、単結合、−O−、−C(CF3 )2 −、−C
O−、−SO2 −である。) X3 は2価の有機基である。a,bはモル分率を表し、
a+b=100モル% a=60〜100モル% b=0〜40モル% X5 は、少なくとも40モル%以上が下記の基である。 【化4】 (Yは環状構造をもつ飽和脂肪族基である。)] - 【請求項2】 (A)請求項1に記載のヒドロキシポリ
アミドの100重量部、および(B)感光性キノンジア
ジド化合物の1〜50重量部を必須成分とするポジ型感
光性樹脂組成物。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004145320A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-05-20 | Toray Ind Inc | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP2006227387A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | 感光性樹脂組成物、レリーフパターンの形成方法及び電子部品 |
JP2006257345A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Osaka Prefecture | 機能性ポリアミド微粒子の製造方法 |
JP2010518081A (ja) * | 2007-02-06 | 2010-05-27 | リクスト・バイオテクノロジー・ホールディングス,インコーポレイテッド | オキサビシクロヘプタンおよびオキサビシクロヘプテン、それらの製造および使用 |
US8097386B2 (en) | 2006-08-14 | 2012-01-17 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Positive-type photosensitive resin composition, method for producing patterns, and electronic parts |
US8541458B2 (en) | 2008-08-01 | 2013-09-24 | Lixte Biotechnology, Inc. | Oxabicycloheptanes and oxabicycloheptenes, their preparation and use |
US9526915B2 (en) | 2008-08-01 | 2016-12-27 | John S. Kovach | Methods for regulating cell mitosis by inhibiting serine/threonine phosphatase |
US11931354B2 (en) | 2013-04-09 | 2024-03-19 | Lixte Biotechnology, Inc. | Formulations of oxabicycloheptanes and oxabicycloheptenes |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6396162A (ja) * | 1986-10-02 | 1988-04-27 | ヘキスト・セラニーズ・コーポレイシヨン | ポリアミド |
JPH05197153A (ja) * | 1991-05-07 | 1993-08-06 | Siemens Ag | 耐高熱性ポジ型レジスト及び耐高熱性レリーフ構造物の製法 |
WO1999054787A1 (fr) * | 1998-04-15 | 1999-10-28 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Composition de resine photosensible positive |
JP2000302863A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-10-31 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 芳香族ポリヒドロキシアミド |
-
2000
- 2000-06-12 JP JP2000176059A patent/JP4518627B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6396162A (ja) * | 1986-10-02 | 1988-04-27 | ヘキスト・セラニーズ・コーポレイシヨン | ポリアミド |
JPH05197153A (ja) * | 1991-05-07 | 1993-08-06 | Siemens Ag | 耐高熱性ポジ型レジスト及び耐高熱性レリーフ構造物の製法 |
WO1999054787A1 (fr) * | 1998-04-15 | 1999-10-28 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Composition de resine photosensible positive |
JP2000302863A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-10-31 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 芳香族ポリヒドロキシアミド |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004145320A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-05-20 | Toray Ind Inc | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP2006227387A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | 感光性樹脂組成物、レリーフパターンの形成方法及び電子部品 |
JP2006257345A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Osaka Prefecture | 機能性ポリアミド微粒子の製造方法 |
US8097386B2 (en) | 2006-08-14 | 2012-01-17 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Positive-type photosensitive resin composition, method for producing patterns, and electronic parts |
US10023587B2 (en) | 2007-02-06 | 2018-07-17 | Lixte Biotechnology, Inc. | Oxabicycloheptanes and oxabicycloheptenes, their preparation and use |
JP2010518081A (ja) * | 2007-02-06 | 2010-05-27 | リクスト・バイオテクノロジー・ホールディングス,インコーポレイテッド | オキサビシクロヘプタンおよびオキサビシクロヘプテン、それらの製造および使用 |
US8426444B2 (en) | 2007-02-06 | 2013-04-23 | Lixte Biotechnology, Inc. | Oxabicycloheptanes and oxabicycloheptenes, their preparation and use |
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US8541458B2 (en) | 2008-08-01 | 2013-09-24 | Lixte Biotechnology, Inc. | Oxabicycloheptanes and oxabicycloheptenes, their preparation and use |
US9526915B2 (en) | 2008-08-01 | 2016-12-27 | John S. Kovach | Methods for regulating cell mitosis by inhibiting serine/threonine phosphatase |
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