JP2001322147A - 樹脂注型用金型およびそれを用いた半導体素子の製造方法 - Google Patents

樹脂注型用金型およびそれを用いた半導体素子の製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 樹脂の引けや金線破断、バリ等を生じさせず
に、低コストで半導体素子の樹脂封止を行う。 【解決手段】 キャビティ13に対してスプール11側
とは反対側に、エアーベント12を設ける。さらに、ス
プール11は、金型を樹脂の硬化温度以上の温度にした
場合に、樹脂注入中にスプール11を樹脂注入用ノズル
で密閉しないような間隔を開けられるように、径を太く
する。ゲート13aを介してキャビティ13内に自重圧
力異常2kg/cm2以下の圧力で液状の熱硬化性樹脂
を注入する。注入する熱硬化性樹脂の粘度は、3000
cps以下にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の樹脂
封止を射出成形法により行うための樹脂注型用金型およ
びそれを用いた半導体素子の製造方法に関し、特に、流
動性の高い液状の熱硬化性樹脂を封止樹脂として用いる
半導体素子の製造方法およびそれに用いられる樹脂注型
用金型に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子の樹脂封止は、従来、(1)
キャスティング成形方式、(2)トランスファー成形方
式および(3)インジェクション成形方式により行われ
ている。
【0003】このうち、(1)キャスティング成形方式
は、液状熱硬化性樹脂をPPSやTPX等からなる硬化
鋳型に注型し、これに半導体素子をマウントしてワイヤ
ーボンドしたリードフレームを挿入した上で、オーブン
にて加熱することにより硬化させる。
【0004】(2)トランスファー成形方式は、熱硬化
性樹脂の反応を途中で止めた樹脂(Bステージ樹脂)を
用いて、成形の際に熱と圧力を加えて樹脂を液状化し、
これを加熱した成形用金型に注型して、熱硬化させる。
【0005】(3)インジェクション成形方式は、主と
して熱可塑性樹脂を封止材料として用い、これに高い圧
力を加えて液状化したものを、加熱した成形金型に注型
した後、冷却することにより成形する。
【0006】従来、このインジェクション成形方式は、
熱可塑性樹脂のみを用いていたが、反応速度を速めた液
状熱硬化性樹脂が開発されたことによって、この液状熱
硬化性樹脂を用いてインジェクション成形方式による成
形が可能となった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来技術には、以下のような問題点がある。
【0008】(1)キャスティング成形方式において、
現在、封止樹脂として主に使用されているエポキシ樹脂
の成形を行った場合、その重付加反応のために硬化時間
が長く、その工程によって生産が律速されてしまうとい
う問題がある。最近では、硬化時間の短いラジカル反応
型樹脂も検討されているが、この樹脂は硬化収縮に起因
する引けが大きいため、実用化されるまでには至ってい
ない。
【0009】(2)トランスファー成形方式において
は、熱硬化性樹脂の反応を途中で止めたBステージ樹脂
を用いるため、樹脂の冷凍保存が必要であり、輸送およ
び保存にコストがかかるという問題がある。また、その
反応も重付加反応であるため、反応時間が長くなるとい
う問題もある。
【0010】(3)インジェクション成形方式におい
て、熱可塑性樹脂を用いて半導体封止を行った場合、樹
脂の射出圧力が高いために、半導体素子とリードフレー
ムをワイヤーボンドしている金線が破断されるという問
題が生じる。これを防ぐために、低圧射出によりワイヤ
ーを保護した後に、外部形状を本成形するという方法が
提案されている(特公平4−40870号公報)。しか
し、この方法では、成形タクトを要すること、および金
型面数が増加すること等の問題を有しており、量産ライ
ンに導入するには未だ至っていない。また、透明な熱可
塑性樹脂に半導体封止樹脂として要求されている耐熱性
および耐湿性を要求するのは、その樹脂特性上、困難で
ある。
【0011】これに対して、液状熱硬化性樹脂による半
導体封止をインジェクション成形方式により行った場
合、予め樹脂を付着させてこれを硬化(プリディップ硬
化)させることにより、ワイヤーを保護することが可能
である。しかし、この方法では、金型熱により低粘度化
した樹脂が、高射出圧により押し出されるため、金型合
わせ面から樹脂漏れが生じて、バリの発生原因となって
いた。
【0012】本発明は、このような従来技術の課題を解
決するためになされたものであり、樹脂の引けや金線破
断、バリ等を生じさせずに、低コストで樹脂成形を行う
ことができる樹脂注型用金型およびそれを用いた半導体
素子の製造方法を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】これまで半導体封止用の
熱硬化性樹脂として用いられてきたエポキシ樹脂は、重
付加反応のために硬化時間が長かったが、ラジカル反応
型樹脂またはカチオン重合型樹脂を用いることにより、
反応時間を大幅に短縮することができる。さらに、この
樹脂は、一定以上の熱を加えなければ反応しないため、
Bステージ樹脂のように冷凍保存する必要もない。
【0014】この樹脂をキャスティング成形により成形
すると、硬化収縮に起因する引けが発生するが、インジ
ェクション成形によれば、樹脂が連続的に供給されるた
め、樹脂がその都度補われて引けが生じない。このた
め、インジェクション成形は速硬化樹脂の成形に適した
成形方法であるが、液状熱硬化性樹脂を半導体封止に用
いるためには高射出圧によるバリの発生等が問題とな
る。
【0015】そこで、本願発明者らは、液状熱硬化性樹
脂を低射出圧で金型内に注入する手法について鋭意検討
を行った結果、本発明に至った。
【0016】本発明の樹脂注型用金型は、液状の樹脂を
キャビティに注入した後、硬化させて樹脂を成形する樹
脂注型用金型であって、該キャビティに対して少なくと
も樹脂注入口側とは反対側に、樹脂注入時に空気が金型
外部に抜ける空気抜き部を有しており、そのことにより
上記目的が達成される。
【0017】前記空気抜き部は、金型を熱硬化性樹脂の
硬化温度以上の温度にした場合に、空気は金型外部に抜
け、かつ、樹脂は硬化して金型外部に抜けないような間
隔を有していてもよい。
【0018】本発明の樹脂注型用金型は、液状の樹脂を
キャビティに注入した後、硬化させて樹脂を成形する樹
脂注型用金型であって、該キャビティに対して樹脂注入
口側とは反対側に、注入された樹脂が自重またはその近
傍の圧力で流れる程度の空気抜き部を有しており、その
ことにより上記目的が達成される。
【0019】前記空気抜き部は、前記キャビティに樹脂
が充填されると共に注入された樹脂によりキャビティ内
の空気が該空気抜き部に押し出され、かつ、樹脂は該空
気抜き部内で硬化して金型外部に漏れないような間隔を
有するのが好ましい。
【0020】前記樹脂注入口は、金型を熱硬化性樹脂の
硬化温度以上の温度にした場合であっても、樹脂注入中
に、該樹脂注入口を樹脂注入ノズルで密閉しないように
間隔を開けられる寸法に設定してあってもよい。
【0021】本発明の半導体素子の製造方法は、本発明
の樹脂注型用金型のキャビティ内に半導体素子をセット
して、樹脂注型用ノズルから金型の樹脂注入口およびゲ
ートを介してキャビティ内に自重圧力以上2kg/cm
2以下の圧力で液状の熱硬化性樹脂を注入した後、樹脂
を硬化させることにより該半導体素子を樹脂封止する工
程を含み、そのことにより上記目的が達成される。
【0022】注入する熱硬化性樹脂の粘度を、前記ゲー
トを自重圧力以上2kg/cm2以下の圧力で通過でき
るように、3000cps以下にするのが好ましい。
【0023】金型を熱硬化性樹脂の硬化温度以上の温度
にして樹脂を注入してもよい。
【0024】金型を熱硬化性樹脂の硬化温度以下の温度
にして樹脂を注入した後、該金型を熱硬化性樹脂の硬化
温度以上の温度にしてもよい。
【0025】金型を熱硬化性樹脂の硬化温度以上の温度
にした場合であっても、樹脂注入中に、前記樹脂注入口
を樹脂注入ノズルで密閉しないように、該樹脂注入口と
該樹脂注入用ノズルとの間に間隔を開けるのが好まし
い。
【0026】樹脂注入用ノズルを、熱硬化性樹脂の硬化
温度よりも十分低温に保つために冷却してもよい。
【0027】熱硬化性樹脂として液状エポキシ樹脂、液
状ビニルエステル樹脂、アリル樹脂または低粘度不飽和
ポリエステル樹脂を主成分とし、ラジカル重合またはカ
チオン重合の開始剤を添加したものを用いることができ
る。
【0028】熱硬化性樹脂として透明樹脂を用いて、受
発光素子を製造することができる。
【0029】以下、本発明の作用について説明する。
【0030】一般的な金型成形技術として、トランスフ
ァー成形方式やインジェクション(モールド)方式等が
挙げられるが、これらは、(1)強力な型締め圧(30
ton〜40ton程度)、(2)強力な射出圧(φ4
0mm程度のタブレットにて1ton程度)、(3)高
精度な金型等が要求される。
【0031】また、半導体素子等に使用される樹脂とし
ては一般にエポキシ樹脂が用いられており、硬化時間に
ついても5分〜10分程度(パッケージによる)と反応
が遅い。樹脂の硬化速度が遅いと、金型隙間(金型パー
ティング面や空気抜き部等)が広いと硬化が完了するま
で樹脂がだらだらと流れやすく、さらに、射出圧が高い
こともこれを加速させる。
【0032】さらに、樹脂硬化特性と金型内各部の寸法
(ランナーやゲート、エアーベント)によって成形物の
出来栄えが大きく左右され、各条件を調整しながら成形
物と樹脂のバリの発生とのバランスを取ることが非常に
困難であり、最悪の場合には金型の改造や再製作が必要
となることも有り得る。
【0033】従来の成形技術においても、本願発明と同
様の空気抜き(エアーベント)が設けられているもの
の、そのサイズは幅で1mm程度、深さで0.01mm
程度(パッケージによる)である。
【0034】そこで、本発明にあっては、成形に使用す
る樹脂注型金型に、キャビティに対して樹脂注入口側と
は反対側に、樹脂注入時に空気が金型外部に抜ける空気
抜き部を設ける。これにより、低圧射出(低圧注型、キ
ャスティング)により金型内に樹脂を注入することが可
能となる。また、低圧射出であるので、金型からの樹脂
漏れ対策(パーティング面の樹脂バリを防ぐ)ための強
力な型締めが不要となり、従来のような高精度な金型を
必要としない。よって、設備構造を簡素化し、金型加工
精度を低くして低コスト化を図ることが可能となる。
【0035】この空気抜き部は、後述する実施形態に示
すように、スプールと同じような形状のものを金型に設
けて開放系としてもよく、上金型と下金型との間に隙間
を開けてもよい。
【0036】この空気抜き部として、上下金型間に隙間
を開けた場合、金型を熱硬化性樹脂の硬化温度以上の温
度にした場合に、空気は金型外部に抜け、かつ、樹脂は
硬化して金型外部に抜けないような間隔にすることがで
きる。これにより、低圧射出によって金型内に樹脂を注
入することが可能となる。また、従来に比べて断面積と
しては大きくしても、Z方向寸法を狭くすることによ
り、上下金型の隙間を狭くすることができるので、熱効
率良く樹脂を硬化させてキャビティ外でバリを発生させ
ることができる。さらに、バリを発生させることによ
り、隙間から空気を金型外部に抜いた後で、金型外部へ
の樹脂漏れが生じるのを防止することができる。
【0037】一方、スプールと同じ形状の空気抜き部を
設けた場合には、空気抜き部の間隔(径)をあまり大き
くしない方が好ましい。空気抜き部の間隔が大きすぎる
と、製品部に対して空気抜き部の樹脂量が多くなって、
これが金型硬化時間を律速してしまうことになり、ま
た、使用樹脂量(廃棄される樹脂量)が増大してしまう
からである。
【0038】具体的には、成型に使用する樹脂注型用金
型は、キャビティに対して樹脂注入口側とは反対側に、
注入された樹脂が自重またはその近傍の圧力で流れる空
気抜き部を設ける。これにより、この空気抜き部が樹脂
通路として機能し、注入された樹脂が自重またはその近
傍の圧力でキャビティから空気抜き部に流れ出し、低圧
射出により金型内に樹脂を注入することが可能となる。
【0039】この空気抜き部のサイズ(間隔)は、従来
技術におけるエアーベントのサイズとは明らかに異なる
大きなサイズである。例えば従来技術では図7(a)の
ようなエアーベントが設けられるが、本発明では図7
(b)のように大きなエアーベントやゲートを設けてラ
ンナーの一部までを製品化することも可能である。
【0040】なお、ここで示した製品部の形状は一例で
あり、本発明は多品種に適用可能であるため、これらの
形状に限られるものではない。例えば発光ダイオードの
形状としては、砲弾型のリードフレームタイプや基板型
の表面実装タイプ等、様々な形状が挙げられる。またラ
ンナー、ゲート、エアーベント(空気抜き部)について
も、製品部の形状に応じて位置や形状が異なる。特に、
基板型の製品について樹脂封止を行う場合には、上述の
図7(b)に示したように製品部と断面形状のゲートや
エアーベントを作製し、後工程において製品部をカット
して製品化することが可能になる。
【0041】さらに、この空気抜き部は、キャビティに
樹脂が充填されると共に注入された樹脂によりキャビテ
ィ内の空気が空気抜き部に押し出され、かつ、樹脂は空
気抜き部内で硬化して金型外部に漏れないような間隔
(例えば断面積が0.2mm2以上(形状は求められる
パッケージ形状によって異なる)にすることができる。
これにより、キャビティ内から空気抜き部へ空気を押し
出しながら低圧射出によって金型内に樹脂を注入するこ
とが可能となる。また、樹脂を空気抜き部で効率良く硬
化させてバリを発生させ、金型外部への樹脂漏れが生じ
るのを防止することができる。
【0042】上記空気抜き部のサイズは、製品形状によ
る。図8に、製品に応じた空気抜き部の構造を示す。こ
こでは、パーティング面に空気抜き部を設けた例を示し
ている。本発明では、この空気抜き部に流れた樹脂が結
果的にバリになる。従来技術ではバリを止めるためにサ
イズを設計していたのに対して、本発明ではバリをわざ
と生じさせるようにサイズを設計する。本発明におい
て、従来技術よりも空気抜き部の間隔が広くても金型外
部へ樹脂が漏れない理由は、硬化速度が速い樹脂を用い
ているためである。なお、空気抜きのサイズの上限は本
発明では特に限定しない。
【0043】さらに、樹脂注入口は、金型を熱硬化性樹
脂の硬化温度以上の温度にした場合であっても、樹脂注
入中に、樹脂注入口を樹脂注入用ノズルで密閉してしま
わないように、間隔を開けられる寸法に設定してもよ
い。これにより、金型内の空気が樹脂により押し出され
て、注入口側からも、樹脂注入口と樹脂注入用ノズルと
の間から空気が金型外部に抜けることが可能となる。よ
って、低圧射出により金型内に樹脂を注入することが可
能となる。
【0044】この樹脂注型金型を用いた半導体素子の封
止方法としては、樹脂注型用ノズルから金型の樹脂注入
口およびゲートを介してキャビティ内に自重圧力以上2
kg/cm2以下の圧力で液状の熱硬化性樹脂を注入す
る。低圧で押し出された樹脂は、注入速度が遅く、金型
に設けた上記空気抜き部から金型外部に抜ける前に硬化
するため、バリの発生を防ぐことが可能である。さら
に、低圧で金型内に樹脂を注入するため、インジェクシ
ョン成形の問題点である金線破断を防止するためのプリ
ディップ硬化は不要である。
【0045】注入する熱硬化性樹脂がゲートを自重圧力
以上2kg/cm2以下の圧力で通過できるように、樹
脂の粘度を例えば3000cps以下にするのが好まし
い。
【0046】金型の温度を、常に注入される熱硬化性樹
脂の硬化温度以上に保つことにより、金型の急加熱、急
冷却を行う必要が無く、温度コントロールが容易であ
る。
【0047】または、金型の温度を熱硬化性樹脂の硬化
温度以下の温度にして樹脂を注入した後、金型を熱硬化
性樹脂の硬化温度以上に上げることにより、1つのノズ
ルから多数のキャビティに安定して樹脂を注入すること
が可能である。この場合には、樹脂の粘度をある程度ま
で高くして、樹脂注入時に樹脂が金型外部に抜けないよ
うにするのが好ましい。但し、後述するように金型の隙
間から空気を抜く場合には、隙間の間隔が狭いために熱
効率が良く、樹脂がすぐ硬化するので、樹脂粘度が低く
てもよく、隙間部に薄いバリを形成して後で除去するこ
とができる。なお、本発明は、基本的にはインジェクシ
ョン成型であるので、樹脂の注入量は予め設定してお
き、毎回樹脂を計量して注入する。設定量は、例えば注
入口(スプール)/ランナー/製品部の設計値+α(設
計値×20%程度)とする。さらに、注入口側が密閉さ
れていなければ、ある圧力以上で注入しても、ノズル径
や樹脂粘度等のファクターにより逆流して注入口から樹
脂が出てくる。
【0048】樹脂注入用ノズルと樹脂注入口とは、金型
を熱硬化性樹脂の硬化温度以上の温度にしても、樹脂注
入中に樹脂注入口を樹脂注入用ノズルで密閉してしまわ
ないように、間隔を開けておくのが好ましい。これによ
り、金型内の空気が樹脂により押し出されて、注入口側
からも、樹脂注入口と樹脂注入用ノズルとの間から金型
外部に抜けることが可能となる。
【0049】さらに、繰り返し連続して注型を行って
も、樹脂注入用ノズル部分で樹脂が硬化しないように、
樹脂注入用ノズルは熱硬化性樹脂の硬化温度よりも十分
低温に保つように冷却するのが好ましい。
【0050】本発明において用いられる熱硬化性樹脂と
しては、(1)グリシジルエーテル系、グリシジルエス
テル系、グリシジルアミン系、線状脂肪族エポキサイド
および脂環族エポキサイド等の液状エポキシ樹脂、
(2)アクリル酸エステルおよびメタクリル酸エステル
系ビニルエステル樹脂等の液状ビニルエステル樹脂、
(3)ポリスチレン等のアリル樹脂、(4)低粘度不飽
和ポリエステル樹脂等が挙げられる。これらの樹脂にラ
ジカル重合開始剤またはカチオン重合開始剤を添加した
ラジカル反応型樹脂またはカチオン重合型樹脂を用いる
ことにより、反応時間を大幅に短縮することができる。
さらに、このラジカル反応型樹脂またはカチオン重合型
樹脂は、一定以上の熱を加えなければ反応しないため、
輸送や保存に適している。
【0051】このような熱硬化性樹脂として透明樹脂を
用いて、高品質の受発光素子を低コストで作製すること
が可能となる。
【0052】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態につい
て説明する。
【0053】ここでは、熱硬化性樹脂として、下記組成
の液状ビニルエステル樹脂を主成分とする液状樹脂を用
いた例について説明するが、液状エポキシ樹脂、アリル
樹脂、液状ビニルエステル樹脂および低粘度不飽和ポリ
エステル樹脂等、他の液状熱硬化性樹脂を用いてもよ
い。なお、下記表において、3000MおよびBP−2
EMは各々ビニルエステル樹脂である。
【0054】
【表1】 図1(a)および図1(b)は本実施形態で使用する樹
脂注型金型と各部材の配置を示す断面図であり、図1
(c)はその上面図である。この樹脂注型金型は、3枚
型であり、右上型1a、左上型1bおよび下型2からな
る。
【0055】リードフレーム20をリードフレーム位置
決めピン21で位置決めして、右上型1aおよび左上型
1bの間に挟み、2枚の上型1a、1bを締め付ける。
そして、締め付けた左右の上型1a、1bを上型位置決
めピン15で位置決めして、下型2に締め付けている。
ここで、22はリードフレームタイバー部分である。
【0056】下型2には多連キャビティ(製品部)13
を有しており、左上型1bに設けた樹脂注入口(スプー
ル)11から注入された樹脂が、ランナー14内を通
り、複数のキャビティ13にゲート13aを介して注入
される。
【0057】キャビティ13に対して樹脂注入口(スプ
ール)11側とは反対側には、樹脂注入時に空気が金型
外部に抜けるように、スプール11と同じような形状の
空気抜き部(エアーベント)12を設けている。これに
より、低圧射出により金型内に樹脂を注入することが可
能となる。このエアーベント12の間隔(ここでは径)
は、樹脂の流れ方の点から、ランナー14の径よりも大
きくするのが好ましい。なお、エアーベント12の間隔
が大きくなりすぎると、樹脂量がムダになるおそれがあ
るが、注入時に樹脂を計量することにより対応すること
が可能である。
【0058】または、図2(a)に示すように、キャビ
ティ13に対してスプール11側とは反対側に、エアー
抜き用隙間12aを開けてもよい。このエアー抜き用隙
間12aは、上型1aおよび下型2の締め付けを調整す
ることにより間隔を調整することができる。
【0059】エアー抜き用隙間12aの間隔は、金型を
熱硬化性樹脂の硬化温度以上の温度にした場合に、空気
はエアー抜き用隙間12aから金型外部に抜けるが、樹
脂は硬化して金型外部に抜けないようにするのが好まし
い。エアー抜き用隙間12aの間隔が狭いと熱効率が良
く、樹脂がすぐ固まってしまうため、図2(b)に示す
ように、この部分に故意に薄いバリ34aを発生させ
て、後で除去することができる。或いは、図2(c)に
示すような樹脂溜まり12bを設けて、樹脂が金型外部
に抜けないようにしてもよい。
【0060】このエアー抜き用隙間12aの間隔は、樹
脂の反応スピードや表面エネルギー等によって好ましい
範囲が異なる。樹脂の反応スピードが速い場合には樹脂
が硬化しやすいのでエアー抜き用隙間12aの間隔を大
きくすることができ、樹脂の表面エネルギーが大きい場
合にもエアー抜き用隙間12aの間隔を大きくすること
ができる。このエアー抜き用隙間12aの間隔は実験に
より求めることができ、例えば、150℃に熱した基板
上でのゲル化タイムが2sec〜5sec程度の樹脂で
あれば、0.2mm2程度の間隔があれば十分である。
【0061】さらに、金型に注入される熱硬化性樹脂の
硬化温度以上の温度にした場合であっても、樹脂注入中
にスプール11を樹脂注入用ノズルで密閉せずに隙間が
開けられるように、ノズル径よりもスプール11の径を
太くするのが好ましい。この理由は、以下の通りであ
る。
【0062】図3(a)に示すように、スプール11と
樹脂注入用ノズル30との間に隙間を設けないと、ノズ
ル30でスプール11側が密閉されることになり、ゲー
ト13a付近に空気40が残る場合がある。この場合、
図3(b)に示すように、ノズル30を後退させると空
気40が抜ける。しかし、スプール11側を密閉して樹
脂31を注入し、その後でノズル30を後退させたので
は、樹脂注入中に圧力がかかるため、低圧注入すること
ができない。
【0063】これに対して、図4(a)に示すように、
スプール11と樹脂注入用ノズル30との間に隙間を設
けることにより、樹脂がノズル30とスプール11との
隙間11aに押し上げられるので低圧で注入することが
でき、図4(b)および図4(c)に示すように樹脂3
1がキャビティ13に入っていく。また、樹脂31を注
入後に樹脂が硬化するまでにノズル30を後退させる
と、キャビティ13内に残る空気が上部に上昇してくる
ので、ノズル30とスプール11との隙間11aから空
気を抜くことができる。なお、エアーベント等の隙間に
比べてスプール側は樹脂量が格段に多いために、キャビ
ティやスプールに樹脂を充填中に樹脂が硬化することは
ない。
【0064】なお、スプール11を樹脂注入用ノズル3
0で密閉しないようにした場合、この部分から空気を抜
く効果以外に、実際に樹脂にかかっている注入圧力では
なく、その注入圧力により生じる樹脂注入スピードのみ
を樹脂自重に加えた圧力で樹脂を注入し、低圧成型を行
うことができるという効果がある。これは、注入口側が
密閉されていなければ、ある圧力以上で注入されても樹
脂が逆流して注入口から出てきてしまうからである。
【0065】この隙間11aについても、実験により求
めることができる。例えば、150℃に熱した基板上で
のゲル化タイムが2sec〜5sec程度の樹脂であれ
ば、1mm〜2mm程度の間隔があれば十分である。
【0066】さらに、多連キャビティに対して樹脂を効
率良く注入するためには、図5(a)〜図5(c)に示
すように、上記スプール11はランナーの中央部に設け
るのが好ましく、エアーベント12はランナーの両端部
に設けるのが好ましい。この場合、図5(c)〜図5
(e)に示すように、中央部のスプール11から注入さ
れた樹脂がランナー14を通って各キャビティ13に注
入され、両端のエアーベント12から空気が抜ける。
【0067】以下に、上記液状熱硬化性樹脂および樹脂
注型金型を用いて、LEDランプを樹脂封止した例につ
いて説明する。
【0068】(実施形態1)本実施形態では、金型の温
度を樹脂の硬化温度以上にした場合について説明する。
【0069】まず、半導体素子がマウントされてワイヤ
ボンドされたLEDランプ用リードフレーム20を、図
6(a)に示すように、右上型1aのリードフレーム位
置決めピン21によって位置決めし、左上型1bを取り
付けて左右から締め付ける。そして、リードフレーム2
0の先端部を下型2のキャビティ13に挿入して、金型
の上下から締め付ける。キャビティ13に対してスプー
ル11側とは反対側にも、スプール11と同じような形
状のエアーベント12を設けておく。本実施形態1およ
び以下の実施形態2において、スプール11の径は例え
ばφ=5mmであり、エアーベント12の径は例えばφ
=5mmである。
【0070】次に、図6(b)に示すように、シリンダ
ータイプの樹脂注型用ノズル30をスプール11にセッ
トする。このとき、樹脂注入用ノズル30とスプール1
1とは、金型を熱硬化性樹脂の硬化温度以上の温度にし
ても、樹脂注入中にスプール11を樹脂注入用ノズル3
0で密閉してしまわないように、例えば0mm〜2mm
程度以下の隙間11aを開けておく。但し、樹脂注入用
ノズル30とスプール11とは密着させてもよい。ま
た、樹脂注入用ノズル30の先端部は、ノズル内部での
樹脂硬化を防ぐために冷却し、熱硬化性樹脂の硬化温度
以上に加熱されないように例えば60℃〜70℃程度に
保つ。金型の温度は、130℃〜150℃に設定する。
【0071】使用する樹脂は、硬化温度以下(例えば6
0℃)で加熱して3000cps以下まで粘度を下げて
おく。この低粘度化した樹脂31を、図6(c)に示す
ように、注型用ノズル30からスプール11およびゲー
ト13aを介してキャビティ13内に自重圧力以上2k
g/cm2以下の圧力で注入する。このとき、樹脂注入
用ノズル30は、熱硬化性樹脂の硬化温度よりも十分に
低く保つため、冷却する。
【0072】樹脂注入後、図6(d)に示すように、注
型用ノズル30を金型から取り外し、注入樹脂31を金
型内で硬化させる。
【0073】樹脂硬化後、図6(e)に示すように、下
型2を離型してキャビティ13から製品部32を取り出
し、図6(f)に示すように、左右の上型1a、1bを
離型して製品(LEDランプ)33を取り出す。
【0074】その後、図6(g)に示すように、上型1
a、1bに残った樹脂硬化物34を押し出しピン35等
により除去する。
【0075】このようにして得られる本実施形態の半導
体素子は、樹脂の反応時間を大幅に短縮することがで
き、樹脂の冷凍保存等も不要であるので、製造コストを
低廉価することができる。また、熱硬化性樹脂によれ
ば、半導体封止樹脂に必要とされる耐熱性および耐湿性
も満足させることができる。さらに、キャスティング成
形のように硬化収縮に起因する引けが生じず、高出射圧
でのインジェクション成形のようにバリも生じないた
め、高品質の半導体素子を得ることができる。
【0076】なお、本実施形態において、低圧射出成形
に用いるLEDランプ用リードフレームは、従来のイン
ジェクション成形と同様に、素子およびワイヤーの保護
のために成形用樹脂と同一の樹脂によってプリディップ
硬化を施してもよい。このことは以下の実施形態でも同
様である。また、フレームカップ内への気泡防止のため
にプリディップのみを施して、プリディップ硬化は施さ
なくてもよい。
【0077】(実施形態2)本実施形態では、1つのノ
ズルから多数のキャビティに安定して樹脂を注入するこ
とができるように、金型の温度を樹脂の硬化温度以下の
温度にして樹脂を注入した後、金型を樹脂の硬化温度以
上に上げた場合について説明する。
【0078】まず、半導体素子がマウントされてワイヤ
ボンドされたLEDランプ用リードフレーム20を、図
6(a)に示すように、右上型1aのリードフレーム位
置決めピン21によって位置決めし、左上型1bを取り
付けて左右から締め付ける。そして、リードフレーム2
0の先端部を下型2のキャビティ13に挿入して、金型
の上下から締め付ける。
【0079】次に、図6(b)に示すように、シリンダ
ータイプの樹脂注型用ノズル30をスプール11にセッ
トする。このとき、樹脂注入用ノズル30とスプール1
1とは間隔を開けてもよく、密着していてもよい。
【0080】使用する樹脂は、硬化温度以下(例えば6
0℃)で加熱して3000cps以下まで粘度を下げて
おく。この低粘度化した樹脂31を、図6(c)に示す
ように、注型用ノズル30からスプール11およびゲー
ト13aを介してキャビティ13内に自重圧力以上2k
g/cm2以下の圧力で注入する。このとき、金型およ
び樹脂注入用ノズル30は熱硬化性樹脂の硬化温度より
も十分に低く保ち、例えば金型は80℃〜90℃、樹脂
注入用ノズル30は60℃〜70℃とする。
【0081】樹脂注入後、図6(d)に示すように、注
型用ノズル30を金型から取り外し、金型温度を硬化温
度以上(例えば130℃〜150℃)に上げて、樹脂3
1を硬化させる。
【0082】樹脂硬化後、図6(e)に示すように、下
型2を離型してキャビティ13から製品部32を取り出
し、図6(f)に示すように、左右の上型1a、1bを
離型して製品(LEDランプ)33を取り出す。
【0083】その後、図6(g)に示すように、上型1
a、1bに残った樹脂硬化物34を押し出しピン35等
により除去する。
【0084】このようにして得られる本実施形態の半導
体素子は、樹脂の反応時間を大幅に短縮することがで
き、樹脂の冷凍保存等も不要であるので、製造コストを
低廉価することができる。また、熱硬化性樹脂によれ
ば、半導体封止樹脂に必要とされる耐熱性および耐湿性
も満足させることができる。また、キャスティング成形
のように硬化収縮に起因する引けが生じず、高出射圧で
のインジェクション成形のようにバリも生じないため、
高品質の半導体素子を得ることができる。さらに、本実
施形態では、1つのノズルから多数のキャビティに安定
して樹脂を注入することができるので、生産タクトの向
上が期待できる。
【0085】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
樹脂の反応時間を短くすることができ、樹脂の輸送や保
存にコストがかからないので、従来に比べて半導体素子
の製造コストを低廉価することができる。また、硬化収
縮に起因する引け、高射出圧による金線破断やバリ等が
生じず、耐熱性や耐湿性等の封止樹脂に要求される特性
も満足させることができるので、高品質の半導体素子を
作製することができる。さらに、金型により樹脂部とフ
レームの位置決めができるため、製品モールド精度を安
定させて向上することができ、低圧成型が可能であるた
めにトランスファー成型で金型を実現するよりも、低コ
ストで金型を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)および(b)は本発明の一実施形態であ
る樹脂注型用金型および各部材の配置を示す断面図であ
り、(c)はその上面図である。
【図2】(a)および(c)は本発明の他の実施形態で
ある樹脂注型用金型および各部材の配置を示す断面図で
あり、(b)は金型に樹脂を注入したときの状態を説明
するための斜視図である。
【図3】(a)および(b)は本発明の一実施形態であ
る樹脂注型用金型に樹脂を注入する過程を説明するため
の断面図である。
【図4】(a)〜(c)は本発明の一実施形態である樹
脂注型用金型に樹脂を注入する過程を説明するための断
面図である。
【図5】(a)は本発明の他の実施形態である樹脂注型
用金型におけるスプールとエアーベントの配置を示す上
面図であり、(b)および(c)はその断面図であり、
(d)はその部分拡大断面図であり、(e)はその部分
拡大斜視図である。
【図6】(a)〜(g)は本発明に係る半導体素子の製
造工程を説明するための断面図である。
【図7】(a)および(b)は従来技術におけるエアー
ベントと本発明におけるエアーベントの違いを説明する
ための図である。
【図8】本発明の他の実施形態である樹脂注型用金型に
おけるエアーベントの構造を示す断面図である。
【符号の説明】
1a 右上型 1b 左上型 2 下型 11 スプール 11a 隙間 12 エアーベント 12a エアー抜き用隙間 12b 樹脂溜まり 13 多連キャビティ(製品部) 13a ゲート 14 ランナー 15 上型位置決めピン 20 リードフレーム 21 リードフレーム位置決めピン 22 リードフレームタイバー部分 30 樹脂注入用ノズル 31 樹脂 32 製品部 33 製品 34 樹脂硬化物 34a エアーベント代替として故意に発生させた薄い
バリ 35 押し出しピン 40 空気
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // B29K 101:10 B29K 101:10 B29L 31:34 B29L 31:34 (72)発明者 ▲高▼田 敏幸 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Fターム(参考) 4F202 AA36 AC05 AC06 AH33 AR02 AR06 CA11 CB01 CB12 CB17 CK06 CP01 CP04 4F206 AA36 AC05 AC06 AH33 AR02 AR06 JA07 JL02 JQ81 5F061 AA01 BA01 CA21 CB02 DA08 DA16 DB01 EA02 FA01

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 液状の樹脂をキャビティに注入した後、
    硬化させて樹脂を成形する樹脂注型用金型であって、該
    キャビティに対して少なくとも樹脂注入口側とは反対側
    に、 樹脂注入時に空気が金型外部に抜ける空気抜き部を有す
    る樹脂注型用金型。
  2. 【請求項2】 前記空気抜き部は、金型を熱硬化性樹脂
    の硬化温度以上の温度にした場合に、空気は金型外部に
    抜け、かつ、樹脂は硬化して金型外部に抜けないような
    間隔を有する請求項1に記載の樹脂注型用金型。
  3. 【請求項3】 液状の樹脂をキャビティに注入した後、
    硬化させて樹脂を成形する樹脂注型用金型であって、該
    キャビティに対して樹脂注入口側とは反対側に、 注入された樹脂が自重またはその近傍の圧力で流れる程
    度の間隔の空気抜き部を有する請求項1に記載の樹脂注
    型用金型。
  4. 【請求項4】 前記空気抜き部は、前記キャビティに樹
    脂が充填されると共に注入された樹脂によりキャビティ
    内の空気が該空気抜き部に押し出され、かつ、樹脂は該
    空気抜き部内で硬化して金型外部に漏れないような間隔
    を有する請求項2に記載の樹脂注型用金型。
  5. 【請求項5】 前記樹脂注入口は、金型を熱硬化性樹脂
    の硬化温度以上の温度にした場合であっても、樹脂注入
    中に、該樹脂注入口を樹脂注入ノズルで密閉しないよう
    に間隔を開けられる寸法に設定してある請求項1乃至請
    求項4のいずれかに記載の樹脂注型用金型。
  6. 【請求項6】 請求項1乃至請求項5のいずれかに記載
    の樹脂注型用金型のキャビティ内に半導体素子をセット
    して、樹脂注型用ノズルから金型の樹脂注入口およびゲ
    ートを介してキャビティ内に自重圧力以上2kg/cm
    2以下の圧力で液状の熱硬化性樹脂を注入した後、樹脂
    を硬化させることにより該半導体素子を樹脂封止する工
    程を含む半導体素子の製造方法。
  7. 【請求項7】 注入する熱硬化性樹脂の粘度を、前記ゲ
    ートを自重圧力以上2kg/cm2以下の圧力で通過で
    きるように、3000cps以下にする請求項6に記載
    の半導体素子の製造方法。
  8. 【請求項8】 金型を熱硬化性樹脂の硬化温度以上の温
    度にして樹脂を注入する請求項6または請求項7に記載
    の半導体素子の製造方法。
  9. 【請求項9】 金型を熱硬化性樹脂の硬化温度以下の温
    度にして樹脂を注入した後、該金型を熱硬化性樹脂の硬
    化温度以上の温度にする請求項6または請求項7に記載
    の半導体素子の製造方法。
  10. 【請求項10】 金型を熱硬化性樹脂の硬化温度以上の
    温度にした場合であっても、樹脂注入中に、前記樹脂注
    入口を樹脂注入ノズルで密閉しないように、該樹脂注入
    口と該樹脂注入用ノズルとの間に間隔を開ける請求項6
    乃至請求項8のいずれかに記載の半導体素子の製造方
    法。
  11. 【請求項11】 樹脂注入用ノズルを、熱硬化性樹脂の
    硬化温度よりも十分低温に保つために冷却する請求項6
    乃至請求項10のいずれかに記載の半導体素子の製造方
    法。
  12. 【請求項12】 熱硬化性樹脂として液状エポキシ樹
    脂、液状ビニルエステル樹脂、アリル樹脂または低粘度
    不飽和ポリエステル樹脂を主成分とし、ラジカル重合ま
    たはカチオン重合の開始剤を添加したものを用いる請求
    項6乃至請求項11のいずれかに記載の半導体素子の製
    造方法。
  13. 【請求項13】 熱硬化性樹脂として透明樹脂を用いて
    受発光素子を製造する請求項12に記載の半導体素子の
    製造方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007069355A (ja) * 2005-09-02 2007-03-22 Toyota Motor Corp 成形金型
JP2009501094A (ja) * 2005-07-13 2009-01-15 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 成形部材を形成するための金型およびそれを用いた成形部材の形成方法
JP2009018559A (ja) * 2007-07-11 2009-01-29 Yiguang Electronic Ind Co Ltd Led装置におけるレンズの製造方法およびその装置
JP2010027974A (ja) * 2008-07-23 2010-02-04 Sharp Corp 発光装置の製造方法
WO2013183219A1 (ja) * 2012-06-04 2013-12-12 日本ユピカ株式会社 Led反射板用結晶性不飽和ポリエステル樹脂組成物、前記組成物からなる粒状物、及び前記粒状物を成形してなるled反射板、表面実装型発光装置、並びに該発光装置を備えた、照明装置及び画像表示装置

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3747807B2 (ja) * 2001-06-12 2006-02-22 ソニー株式会社 素子実装基板及び不良素子の修復方法
JP3773855B2 (ja) * 2001-11-12 2006-05-10 三洋電機株式会社 リードフレーム
CN100468184C (zh) * 2001-11-30 2009-03-11 松下照相·照明株式会社 闪光灯装置及其制造方法
JP2005142174A (ja) * 2002-04-25 2005-06-02 Opto Device Kenkyusho:Kk 発光ダイオード及びその製造方法
US20040137664A1 (en) * 2003-01-09 2004-07-15 Gidon Elazar Advanced packaging shell for pocketable consumer electronic devices
CN100436098C (zh) * 2003-01-22 2008-11-26 肇产业株式会社 具有精密接合面的成形品的成形装置及成形方法
JP2007502020A (ja) 2003-08-08 2007-02-01 ダウ・コーニング・コーポレイション 液体射出成形を用いた電子部品の製造方法
US7153462B2 (en) * 2004-04-23 2006-12-26 Vishay Infrared Components, Inc. Injection casting system for encapsulating semiconductor devices and method of use
JP5004410B2 (ja) * 2004-04-26 2012-08-22 Towa株式会社 光素子の樹脂封止成形方法および樹脂封止成形装置
JP5128047B2 (ja) * 2004-10-07 2013-01-23 Towa株式会社 光デバイス及び光デバイスの生産方法
RU2376474C2 (ru) * 2004-10-21 2009-12-20 Минова Интернэшнл Лимитед Способ установки анкеров для горных пород
JP4456991B2 (ja) * 2004-11-30 2010-04-28 豊田合成株式会社 成形品の成形方法
KR100784057B1 (ko) 2005-06-24 2007-12-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법
US7985357B2 (en) * 2005-07-12 2011-07-26 Towa Corporation Method of resin-sealing and molding an optical device
WO2007012910A1 (en) * 2005-07-28 2007-02-01 Infineon Technologies Ag Method for reliably positioning solder on a die pad for attaching a semiconductor chip to the die pad and molding die for solder dispensing apparatus
JP2007109831A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Towa Corp 電子部品の樹脂封止成形方法
US7876923B2 (en) * 2006-02-27 2011-01-25 Finnegan Brendan J Loudspeaker gasketing
DE102006009991B4 (de) * 2006-03-03 2007-11-29 Webasto Ag Vorrichtung und Verfahren zum Schäumen oder Spritzgießen eines Kunststoffrahmens eines flächigen Werkstücks
JP4954591B2 (ja) * 2006-04-13 2012-06-20 シャープ株式会社 発光装置およびその製造方法
TW200926450A (en) * 2007-12-14 2009-06-16 Silitek Electronic Gz Co Ltd Optical semiconductor packaging structure and its packaging method
US8182111B2 (en) * 2007-12-21 2012-05-22 3M Innovative Properties Company Low profile flexible cable lighting assemblies and methods of making same
CN101494178B (zh) * 2008-01-23 2010-11-10 旭丽电子(广州)有限公司 光电半导体封装装置及封装方法
JP5349087B2 (ja) * 2009-03-09 2013-11-20 日東電工株式会社 光半導体受光素子封止用エポキシ樹脂組成物およびその製造方法、ならびに光半導体装置
TWI385835B (zh) * 2009-10-02 2013-02-11 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體裝置之製造方法
US10265890B2 (en) * 2015-04-10 2019-04-23 Channell Commercial Corporation Method of manufacturing a thermoset polymer utility vault lid
CN110098171A (zh) * 2019-05-20 2019-08-06 北京易威芯能科技有限公司 一种新型dbc板及制备方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US134931A (en) * 1873-01-14 Improvement in molds for casting metal knobs
US840153A (en) * 1905-11-08 1907-01-01 George F Mckee Casting apparatus.
US1603545A (en) * 1925-07-13 1926-10-19 Us Electrical Mfg Company Mold for bimetallic rotors
US2714267A (en) * 1952-11-08 1955-08-02 Innerfield Barry Gartner Machine for applying liquid material
US4095637A (en) * 1975-06-09 1978-06-20 The Goodyear Tire & Rubber Company Solid polyurethane tire/wheel assembly
US4243199A (en) * 1979-12-05 1981-01-06 Hill Rodman K Mold for molding propellers having tapered hubs
JPS5717153A (en) * 1980-07-04 1982-01-28 Asahi Glass Co Ltd Sealing method of electronic parts
US4374080A (en) * 1981-01-13 1983-02-15 Indy Electronics, Inc. Method and apparatus for encapsulation casting
US4463927A (en) * 1983-02-24 1984-08-07 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Apparatus for sectioning demountable semiconductor samples
FR2560494B1 (fr) * 1984-03-02 1987-04-30 Normandie Laitiere Dispositif de moulage pour la fabrication des fromages du type pate pressee demi-ferme a partir d'un prefromage liquide
JPS60208589A (ja) 1984-03-31 1985-10-21 積水化学工業株式会社 充填材が充填された窓枠材の製造方法
FR2615037B1 (fr) * 1987-05-06 1990-04-27 Radiotechnique Compelec Procede et moule pour l'encapsulation d'un dispositif semi-conducteur par injection de resine
JP2744273B2 (ja) * 1988-02-09 1998-04-28 キヤノン株式会社 光電変換装置の製造方法
US4996170A (en) * 1990-07-30 1991-02-26 Motorola, Inc. Molding process for encapsulating semiconductor devices using a thixotropic compound
JP3216893B2 (ja) 1991-06-28 2001-10-09 株式会社クラレ 精密注型品の製造方法
JPH0564820A (ja) 1991-09-06 1993-03-19 Toshiba Corp 注型金型
JPH0647754A (ja) 1992-07-28 1994-02-22 Nippo Sangyo Kk 鋳込成形用の簡易成形型
US5589129A (en) * 1993-02-19 1996-12-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing a molding using a filler or an additive concentrated on an arbitrary portion or distributed at a gradient concentration
TW222346B (en) * 1993-05-17 1994-04-11 American Telephone & Telegraph Method for packaging an electronic device substrate in a plastic encapsulant
JPH0760764A (ja) 1993-08-25 1995-03-07 Inoac Corp 発泡成形装置
US5665281A (en) * 1993-12-02 1997-09-09 Motorola, Inc. Method for molding using venting pin
JP2838981B2 (ja) 1995-04-27 1998-12-16 日本電気株式会社 半導体装置の樹脂封止装置および樹脂封止方法
US5766987A (en) * 1995-09-22 1998-06-16 Tessera, Inc. Microelectronic encapsulation methods and equipment
US5817545A (en) * 1996-01-24 1998-10-06 Cornell Research Foundation, Inc. Pressurized underfill encapsulation of integrated circuits
US5955021A (en) * 1997-05-19 1999-09-21 Cardxx, Llc Method of making smart cards
TW400631B (en) * 1999-01-06 2000-08-01 Walsin Advanced Electronics Chip package structure

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009501094A (ja) * 2005-07-13 2009-01-15 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 成形部材を形成するための金型およびそれを用いた成形部材の形成方法
US8003036B2 (en) 2005-07-13 2011-08-23 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Mold for forming a molding member and method of fabricating a molding member using the same
JP2007069355A (ja) * 2005-09-02 2007-03-22 Toyota Motor Corp 成形金型
JP2009018559A (ja) * 2007-07-11 2009-01-29 Yiguang Electronic Ind Co Ltd Led装置におけるレンズの製造方法およびその装置
JP2010027974A (ja) * 2008-07-23 2010-02-04 Sharp Corp 発光装置の製造方法
WO2013183219A1 (ja) * 2012-06-04 2013-12-12 日本ユピカ株式会社 Led反射板用結晶性不飽和ポリエステル樹脂組成物、前記組成物からなる粒状物、及び前記粒状物を成形してなるled反射板、表面実装型発光装置、並びに該発光装置を備えた、照明装置及び画像表示装置

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