JP2001296269A - セラミック素子と電極の組立体 - Google Patents

セラミック素子と電極の組立体

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久治 西尾
Shuichi Hanai
修一 花井
Masaya Ito
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 セラミック素子及び導線部材を含む結合ユ
ニットに対して、絶縁板等の圧接部材の圧着位置を所定
の位置関係に置くことにより、圧接部材の圧着力を確実
に結合ユニットに作用させつつ、セラミック素子に亀
裂、割れ等を生じにくいセラミック素子と電極の組立体
構造を提供する。 【解決手段】 Lを近接距離、2rをスルーホールの
内径とし、α=L/2rで定義される指数αが、α≧−
2の関係を満足する位置に圧接部材を置くことにより、
圧接部材の結合ユニット10に対する圧着位置をスルー
ホール23bから遠ざけすぎることなく設けられる。そ
こで、圧接部材の圧着力を確実に結合ユニット10に作
用させて、導線部材8が抜けたりずれたりすることを防
止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば酸素センサ
等に用いるセラミックセンサ素子、セラミックヒータ素
子、セラミックグロープラグ、その他セラミックを応用
した電子機器において、セラミック素子と電極の組立体
に関し、特にセラミック素子と電極の接合部の改良技術
に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、車両排気ガスの酸素濃度を検出
する酸素センサにおいて、酸素センサのセラミック素子
と導線部材とを電気的に接続する手段が、特開平10−
253568号、特開平10−253579号等に示さ
れている。
【0003】酸素センサのセラミック素子(センサ素
子)は、内部に通電路を有してその電極端子部が外面に
露出して形成される。この電極端子部に短冊板状の導線
(リード線)が重ねられ、かつ絶縁板を介して環状のリ
ング金具が圧入されることにより、導線はリング金具と
は電気的に絶縁された状態で、セラミック素子の電極端
子部に圧着されて電気的に接続される。そして、このよ
うな組立体(アッセンブリ)に、ハウジング、リード線
等が組み付けられて酸素センサとなる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このように、リング金
具は、セラミック素子及び導線を含む結合ユニットに対
して、例えば圧入、焼嵌め、冷嵌め等の方法により締ま
りばめ嵌合される。一方、セラミック素子には、内部の
通電路と外面に露出して形成される電極端子部とを電気
的に接続するためのスルーホールが厚さ方向(即ち、導
線の圧着方向)に設けられており、このスルーホールを
含む積層形態の素子組立体を一体焼成してセラミック素
子が作製される。
【0005】セラミック素子にはこのようなスルーホー
ルが存在するために、セラミック素子の焼成時の熱収縮
やセラミック素子本体層とスルーホール及び電極端子部
のメタライズ層(Pt等の高融点金属膜を焼き付けて構
成されることが多い)との熱膨張率の差異等によって、
スルーホール近傍には高い残留応力が発生しており、場
合によってはクラックや空隙を生じることがある。さら
に、セラミック素子及び導線を含む結合ユニットに対し
てリング金具が圧入されると、セラミック素子には締め
付けに伴う圧縮応力が付加される。導線の圧着方向とそ
の軸心方向を同じくするスルーホールの周辺にも、前述
の残留応力に新たな圧縮応力の影響が加わり、メタライ
ズ層、セラミック素子本体層等に亀裂、割れ等が生じや
すくなる。
【0006】また、スルーホール及び電極端子部のメタ
ライズ層とセラミック素子本体層との間にはアルミナ等
を主体とするセラミックペーストが注入され絶縁セラミ
ック層を形成するが、このセラミックペーストがメタラ
イズ層からはみ出してしまうことがある。そして、はみ
出したセラミックペーストが、電極端子部の外面におい
て、スルーホールの開口周縁部に、開口の周方向に沿う
絶縁セラミックの盛り上がり部を形成する場合がある。
この絶縁セラミックの盛り上がり部は、スルーホール開
口周縁部への応力集中を助長し、セラミック素子の割れ
を生じやすくする。さらに、焼成によりこの絶縁セラミ
ックの盛り上がり部が残存すると、ここに重ね合わせら
れる導線にも圧接部材の圧着力が作用して、導線の断線
等を生じる恐れもある。しかし、一方で、この絶縁セラ
ミックの盛り上がり部を削り取る工程を追加することは
製造コストの面から好ましくない。
【0007】本発明の課題は、セラミック素子及び導線
部材を含む結合ユニットに対して、絶縁板等の圧接部材
の圧着位置を所定の位置関係に置くことにより、圧接部
材の圧着力を確実に結合ユニットに作用させつつ、セラ
ミック素子に亀裂、割れ等を生じにくいセラミック素子
と電極の組立体構造を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段及び作用・効果】上記課題
を解決するために、本発明のセラミック素子と電極の組
立体は、自身が有する電気的な回路と、外面に露出して
形成される電極端子部とを、電気的に接続するためのス
ルーホールが厚さ方向に設けられるセラミック素子と、
前記電極端子部を電気的に外部と接続するために、端部
が該電極端子部に重ねられ、所定方向(以下、引き出し
方向という)に引き出される導線部材と、それらセラミ
ック素子及び導線部材を含むユニット(以下、結合ユニ
ットという)を外側から挟み付けるように導線部材の外
面に接して、該導線部材を前記セラミック素子の電極端
子部に機械的に圧着させた状態に維持する圧接部材とを
備え、前記圧接部材の前記導線部材に対する、前記引き
出し方向側の接触端縁と、前記スルーホールの中心との
前記引き出し方向における距離(以下、近接距離とい
う)をL、前記スルーホールの内径を2rとし、また前
記近接距離Lについて、前記スルーホールの中心から見
て前記引き出し方向側を負の向き、それとは反対方向側
を正の向きとして、α=L/2rで定義される指数α
が、α≧−2の関係を満足することを特徴とする。
【0009】上記本発明によれば、α=L/2rで定義
される指数αが、α≧−2の関係を満足する位置に圧接
部材を置くことにより、圧接部材の結合ユニットに対す
る圧着位置をスルーホールから遠ざけすぎることなく設
けられる。そこで、圧接部材の圧着力を確実に結合ユニ
ットに作用させて、導線部材が抜けたりずれたりするこ
とを防止できる。
【0010】さらに望ましくは、本発明の指数αが、α
≧0.3の関係を満足する位置に圧接部材を置くことに
より、圧接部材の結合ユニットに対する圧着位置をスル
ーホールに近づけすぎることなく設けられる。したがっ
て、スルーホール周辺部での応力集中を避けてセラミッ
ク素子の亀裂、割れ等を生じにくくし、スルーホール及
び電極端子部のメタライズ層の断線や圧接部材の圧着力
の低下等も防止できる。
【0011】さらに本発明の電極端子部は、スルーホー
ルの開口を包含する形態でセラミック素子の外面に層状
に形成される一方、その層状の電極端子部の外面におい
て、スルーホールの開口周縁部には当該開口の周方向に
沿う絶縁セラミックの盛り上がり部が形成される場合が
ある。この絶縁セラミックの盛り上がり部は、スルーホ
ール開口周縁部への応力集中を助長し、セラミック素子
の割れを生じる恐れがある。しかし、前述の通り指数α
が既述の関係式を満足する位置に圧接部材を置くことに
より、圧接部材の圧着力を確実に結合ユニットに作用さ
せつつ、セラミック素子に亀裂、割れ等を生じにくくし
ている。
【0012】さらに本発明は、近接距離Lが、L≧rの
関係を満足する位置に圧接部材を置くことができる。こ
れにより、最も応力集中が発生しやすいスルーホールを
避けて、圧接部材の結合ユニットに対する圧着位置を設
定でき、セラミック素子の亀裂、割れ等が生じにくくな
る。
【0013】さらに本発明は、近接距離Lが、L≧(r
+i)の関係を満足する位置に圧接部材を置くことがで
きる。これにより、スルーホールと絶縁セラミックの盛
り上がり部とを回避して、圧接部材の結合ユニットに対
する圧着位置を設定できる。したがって、絶縁セラミッ
クの盛り上がり部に重ね合わせられる導線部材には圧接
部材の圧着力が直接的に作用せず、導線部材の断線等を
防止できる。
【0014】さらに本発明の圧接部材は、結合ユニット
を外側から挟み付けるように導線部材の外面に接して、
導線部材をセラミック素子の電極端子部に機械的に圧着
させた状態に維持するとともに、導線部材の外面と外部
との直接の接触を防止する絶縁部材であってよい。圧着
作用と絶縁作用を有する絶縁部材を利用してコンパクト
な構成とすることができる。
【0015】さらに本発明の圧接部材である絶縁部材
は、結合ユニットの一部を構成するとともに、この絶縁
部材を含む結合ユニットを外側から包囲するように、か
つセラミック素子の電極端子部と導線部材との圧着方向
において、この絶縁部材を含む結合ユニットに外側から
締まりばめで嵌合され、その締まりばめ嵌合の緊束力を
絶縁部材に及ぼすことによって導線部材をセラミック素
子の電極端子部に機械的に圧着させた状態に維持するリ
ング部材が設けられる。絶縁部材は、導線部材の外面と
リング部材との接触を確実に防止でき、またリング部材
の緊束力を受けて導線部材をセラミック素子の電極端子
部に確実に圧着させた状態に維持できる。
【0016】さらに本発明の圧接部材である絶縁部材
は、リング部材の内面又は導線部材の外面のうちの少な
くとも一方に形成された絶縁層で構成したり、また、導
線部材とリング部材との間に挟み込まれて、リング部材
の内面と導線部材の外面との直接の接触を防止する絶縁
板で構成したりできる。セラミック素子(セラミック応
用電子機器)の構造や使用態様等により絶縁部材の形態
を選択でき、本発明を広範囲に適用できる。
【0017】さらに本発明は、絶縁板の外面における引
き出し方向側の平坦部端縁と、リング部材の内面におけ
る引き出し方向側の平坦部端縁が、引き出し方向におい
て一致するか、又は前者よりも後者の方が引き出し方向
側に寄っている。リング部材の緊束力を絶縁板に確実に
作用させ、導線部材をセラミック素子の電極端子部に確
実に圧着させた状態に維持できるので、導線部材が抜け
たりずれたりすることを防止できる。
【0018】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を、図
面に示す実施例を参照して説明する。図1には、この発
明の一実施例である車両排気ガスの酸素濃度を検出する
酸素センサ1が示されている。この酸素センサ1はいわ
ゆる濃淡電池式のもので、小型化されたセラミック素子
2を備え、その先端側が排気管内を流れる高温の排気ガ
スに晒される。
【0019】セラミック素子2は、筒状の主体金具3内
にガラスシール4(あるいはセメント)や、外筒金具5
等によって固定されるもので、セラミック素子2の先端
側が、排気管に固定される主体金具3の先端より突出し
た状態で固定されている。主体金具3の先端外周には、
セラミック素子2の突出部分を覆う金属製のプロテクト
カバー6が抵抗溶接等によって固着されている。このカ
バー6は、キャップ状を呈するもので、その先端や周囲
に、排気管内を流れる高温の排気ガスをカバー6内に導
く開口6aが形成されている。
【0020】セラミック素子2は方形状断面を有する長
手のもので、基準電極26に連通して接する大気と、検
出電極25と接触する排気ガスとの間の酸素濃度差に基
づいて発生する電圧を取り出すための2極の電極端子部
7と、それらの電極26,25間を加熱して検出可能状
態とするヒータ回路に通電するための2極の電極端子部
(上記7の裏側にある)との、都合4極の電極端子部を
備える。つまり、セラミック素子2の一端部の、互いに
対向する一方の外面に2極の電極端子部7が、また他方
(反対側)の外面に2極の電極端子部7が、それぞれよ
く知られた白金ペースト等によるパターン形成及び焼成
等により平面的な形態で外面に露出して形成されてい
る。
【0021】セラミック素子2の各電極端子部7(4極
を総称する)には、導線部材としてそれぞれ裸の導線
(長手状金属薄板)8が電気的に接続され、それらの導
線8はさらにコネクタ部13を介して、樹脂被覆された
リード線14に電気的に接続されている。都合4本のリ
ード線14はグロメット15を貫通して外部に延び、そ
れらの先端にコネクタプラグ16が連結され、各リード
線14の外部に延びる部分には、これらを収束して保護
する保護チューブ17が被せられている。主体金具3の
端部からグロメット15にかけては、外側から外筒金具
18で被われ、外筒金具18は主体金具3及びプロテク
トカバー6と共に酸素センサ1のハウジングを構成し、
主体金具3とグロメット15とに跨って固定されてい
る。
【0022】このような酸素センサ1は主体金具3のネ
ジ部3aにおいて、図示しない車両の排気管にシール部
材3bを介して気密に固定され、またコネクタプラグ1
6が図示しないコントローラに接続されて使用に供され
る。酸素センサ1は、上述したように小型化されたもの
であるため、排気熱を受けて酸素センサ1の全体が高温
になり、セラミック素子2の電極端子部A付近の使用最
高温度も高くなる。電極端子部Aはこの高温に耐え得る
ものであり、そのA部分を図2ないし図4に基づいて説
明するが、これらの図はアッセンブリ状態のものであ
る。
【0023】図2ないし図4に示すように、前述のセラ
ミック素子2は、例えばジルコニア等のセラミックから
なる矩形柱状を呈するもので、その端部の両面に平面形
態の電極端子部7(図4参照)が2個ずつ外面に露出し
て形成されている。各電極端子部7には、例えばインコ
ネル(インコ社の商品名)、ステンレス等の金属からな
る帯状の導線8(リードフレームともいえる)が重ねら
れ、さらにその外側に絶縁部材として2枚のセラミック
製の絶縁板9が配置されている。各絶縁板9はそれぞれ
2本の導線8をセラミック素子2との間に挟む。そして
セラミック素子2とその両面に配置された各導線8及び
絶縁板9の集合物が結合ユニット10とされる(図2等
参照)。
【0024】これら結合ユニット10の外側に、金属製
のリング部材として、矩形筒状のリング金具11が、締
まりばめにより嵌合されている(図3参照)。その締ま
りばめ嵌合の緊束力が両側の絶縁板9を介して各導線8
に作用し、各導線8がセラミック素子2の電極端子部7
に機械的にほぼ面接触状態で圧着され、これらの集合で
ある前記結合ユニット10はリング金具11により強固
に一体化されている。このリング金具11は、鉄基超耐
熱合金(例えばインコロイ909(インコ社の商品
名))の時効硬化品、Ni基超耐熱合金(例えばワスパ
ロイ(ユナイテッドテクノロジー社の商品名))の時効
硬化品、あるいは非時効硬化型のNi基耐熱合金(イン
コネル625(インコ社の商品名))の加工硬化品等、
耐熱性に優れた一定以上の硬度をもつ金属からなるもの
が望ましい。
【0025】図4に示すように、リング金具11の矩形
内面の4つの角部は、緊束状態における応力集中を防止
するために円弧状その他の曲面状の凹形態にえぐられて
いる。さらに具体的には、リング金具11の4つの角部
の外面には、ほぼ90度の角を45度前後に切り落とし
た形態の斜面11b(面取り部)が形成されている。一
方、4つの角部の内面には、アール部R(円弧状面)が
形成されている。なお、リング金具11は、挟圧面11
aに平行な方向の外形幅をW、挟圧面11aと直交する
方向(圧着方向)の外形奥行きをD、軸方向の外形高さ
をHでそれぞれ表してある。
【0026】リング金具11を上述の結合ユニット10
に締まりばめ嵌合するためには、例えば圧入、焼嵌め、
冷嵌め等の手法がある。上記締まりばめ嵌合の前提とし
て、図5に示すように、嵌合前のリング金具11は、結
合ユニット10の結合寸法a(セラミック素子2の厚さ
+両側の導線8の厚さ+2枚の絶縁板9の厚さ)より小
さい保持寸法b(相対向する挟圧面11a間距離)を有
し、この保持寸法bの内面間において、結合ユニット1
0に締まりばめで嵌合され(例えば圧入等)、それによ
り絶縁板9を介して導線8がセラミック素子2の電極端
子部7に機械的に強く押し付けられ、圧着されている。
なお、結合寸法aと保持寸法bの差が締め代(a−b)
となる。
【0027】次に、以上のような酸素センサ1の製造方
法について、図5に基づき、セラミック素子2、導線8
及び絶縁板9(以上が結合ユニット10)とリング金具
11との組付工程を中心に説明する。以下の例では、前
者の結合ユニット10に後者のリング金具11が圧入に
より組み付けられる。
【0028】なお、望ましくは、リング金具11の圧入
開始端側に、外側に向かって広がるテーパ状内面11c
(テーパ角は例えば5度から30度程度)が形成される
とともに、各絶縁板9の圧入開始端側にも上記テーパ状
内面11cに対応する傾斜外面9aがそれぞれ形成され
る。
【0029】まず、セラミック素子2、4本の導線8、
2枚の絶縁板9よりなる結合ユニット10を、治具12
a、12bで仮止めする。すなわち、セラミック素子2
の両側の電極端子部7にそれぞれ帯状の導線8が重ね合
わされ、さらにその外側に絶縁板9が配置されて、これ
らの結合ユニット10が治具12aで両側からサンドイ
ッチ状に挟まれて一時的に保持される。また、これらの
結合ユニット10が治具12aの下側に位置する治具1
2bで支持される。
【0030】この状態で、リング金具11が図示しない
プッシャ等により圧入される。なお、リング金具11が
図示しない固定用治具で保持され、これに治具12a、
12bが接近して圧入を実施してもよい。いずれにして
も、圧入に先立ち、リング金具11の圧入開始端部及び
圧入面に滑剤(例えばステアリン酸のエマルジョン等)
が塗られることが望ましい。そして、リング金具11が
自身の中心線方向において結合ユニット10に相対的に
接近し、その外側に圧入される。この圧入の開始時に
は、リング金具11のテーパ状内面11cが各絶縁板9
の傾斜外面9aに圧接しつつ滑りを生じて圧入が進行す
る。
【0031】圧入の後半では、図5の下段に示すよう
に、上側の治具12aが開いて結合ユニット10から離
間する。その後、リング金具11が治具12bに当たる
まで、またはその付近まで入り込み、圧入が完了する。
【0032】このような圧入後のアッセンブリ(結合ユ
ニット10+リング金具11)は、例えば350℃程度
に加熱される工程により、滑剤が分解して除去され、滑
機能がなくなる。これによりリング金具11による高い
緊束力で、両側の絶縁板9を介して各導線8がセラミッ
ク素子2の各電極端子部7に圧着した状態に維持され
る。
【0033】以上のようにして得られたアッセンブリの
各導線8には、図1に示すようにコネクタ部13を介し
て、リード線14が接続され、各リード線14はグロメ
ット15に保持される。また、セラミック素子2が主体
金具3内に挿入され、ガラスシール4等によりその主体
金具3の中心部に固定される。その後又はこれに先立
ち、プロテクトカバー6や外筒金具5が主体金具3に溶
接され、さらに外筒金具5が外側からグロメット15等
を締付けるようにカシメ加工される。概略的には、以上
のようにして酸素センサ1が製造される。
【0034】図6の分解斜視図に示すように、セラミッ
ク素子2は方形状の軸断面を有する横長柱状(図1ない
し図4においては縦長柱状で表される)を呈し、それぞ
れ横長板状に形成された酸素濃淡電池素子20と、この
酸素濃淡電池素子20を所定の活性化温度に加熱するセ
ラミックヒータ22とにより構成されている。
【0035】酸素濃淡電池素子20はジルコニア系固体
電解質により構成された素子本体層21を有する。酸素
濃淡電池素子20において多孔質電極25,26(26
は基準電極、25は検出電極)には、素子本体層21の
長手方向に沿って酸素センサ1の取付基端側に向けて延
びる電極リード部25a,26aがそれぞれ一体化され
ている。このうち、ヒータ22と対向しない側の電極2
5からの電極リード部25aは、その末端が電極端子部
7として使用される。一方、ヒータ22に対向する側の
電極26の電極リード部26aは、図7(b)に示すよ
うに、素子本体層21を厚さ方向に横切るスルーホール
26bにより素子本体層21の外表面に形成された電極
端子部7と接続されている。各電極25,26は、Pt
又はPt合金等のペーストを用いてスクリーン印刷等に
よりパターン形成し、これを焼成することにより得られ
る多孔質電極である。
【0036】一方、セラミックヒータ(以下、単にヒー
タともいう)22は、Pt等の高融点金属あるいは導電
性セラミックで構成された抵抗発熱体パターン23をセ
ラミック基体中に埋設した構成を有する。具体的には、
ヒータ22は、絶縁性セラミックとしてのアルミナを主
体とするアルミナ系多孔質セラミックにより、ヒータ2
2の板厚方向中間位置に形成された第一絶縁層24と、
その第一絶縁層24中に埋設される形でセラミックヒー
タ22の板面方向に沿って形成される抵抗発熱体パター
ン23と、第一絶縁層24を厚さ方向両側から挟む形で
形成されるとともに、それぞれジルコニアを主成分とす
る酸素イオン伝導性固体電解質で構成された第一ヒータ
本体層28及び第二ヒータ本体層29とを備えている。
また、ヒータ22は、第一ヒータ本体層28側におい
て、アルミナ系多孔質セラミックにより構成される第二
絶縁層27を介して、酸素濃淡電池素子20の多孔質電
極26側に接合されている。なお、多孔質セラミックか
らなる第一絶縁層24及び第二絶縁層27は、素子製造
の焼成・冷却時に発生する絶縁層と各ジルコニア系固体
電解質層との間の熱収縮差を吸収する緩衝層としても機
能する。また、抵抗発熱体パターン23に通電するため
のリード部23a,23aが、図7(b)に示すよう
に、第一絶縁層24の長手方向に沿って酸素センサ1の
取付基端側に向けて延びている。リード部23a,23
aは、その末端部において、第一絶縁層24及び第二ヒ
ータ本体層29をそれぞれ厚さ方向に横切るスルーホー
ル23b,23bにより、第二ヒータ本体層29の外表
面に形成された電極端子部7,7と接続されている。
【0037】図5で製造さ9たアッセンブリの詳細構造
を、特にセラミックヒータ22を厚さ方向に横切るスル
ーホール23b周辺部を中心に、図7及び図8に示す。
リング金具11は、図6の如く積層された結合ユニット
10の結合寸法a(セラミック素子2の厚さ+両側の導
線8の厚さ+2枚の絶縁板9の厚さ)より小さい保持寸
法b(相対向する挟圧面11a間距離)を有する。そこ
で、リング金具11は、この保持寸法bを形成する挟圧
面11a間において、結合ユニット10に締まりばめで
嵌合され(例えば圧入等)、その締まりばめ嵌合の緊束
力は絶縁板9に及ぼされる。絶縁板9は、セラミック素
子2に導線8を外側から挟み付けるように導線8の外面
に接し、導線8をセラミック素子2の電極端子部7に機
械的に強く押し付けて、圧着させた状態に維持してい
る。したがって、導線8の外面とリング金具11の内面
との直接の接触を防止する絶縁板9は、結合ユニット1
0の一部を構成するとともに、本発明で言う圧接部材で
もある。
【0038】図8に表されたスルーホール23bは、セ
ラミックヒータ22の第一絶縁層24及び第二ヒータ本
体層29をそれぞれ厚さ方向に横切り、内径2r、深さ
dを有している。スルーホール23bの内面及び電極端
子部7は、Pt等の高融点金属膜を焼き付けたメタライ
ズ層で構成され、第一絶縁層24の内部で、抵抗発熱体
パターン23に通電するためのリード部23aに電気的
に接続されている。このメタライズ層と、ジルコニアを
主成分とする酸素イオン伝導性固体電解質で構成された
第二ヒータ本体層29との間に、絶縁セラミック層Sが
形成される。具体的には、絶縁セラミック層Sは、第二
ヒータ本体層29と電極端子部7のメタライズ層との隙
間t1の間、及び第二ヒータ本体層29とスルーホール
23b内面のメタライズ層との隙間t2の間に、それぞ
れ絶縁性セラミックとしてのアルミナ等を主体とするセ
ラミックペーストが注入されて形成される。その結果、
絶縁セラミック層Sは、同じくアルミナを主体とするア
ルミナ系多孔質セラミックにより形成された第一絶縁層
24から連続して延びる形態で設けられている。
【0039】図8において、絶縁板9(圧接部材)の導
線引き出し方向側の先端部内面には傾斜内面9bが設け
られる。したがって、絶縁板9の導線8に対する引き出
し方向側の接触端縁は、絶縁板9の端面位置よりも傾斜
内面9bの分だけ引き出し方向側とは反対方向側へ後退
している。そして、絶縁板9の導線8に対する引き出し
方向側の接触端縁と、スルーホール23bの中心との距
離を近接距離Lと呼ぶ。近接距離Lは、スルーホール2
3bの中心から見て導線8の引き出し方向側を負の向
き、それとは反対方向側を正の向きとし、指数α=L/
2rと定義する。ただし、2rはスルーホールの内径で
ある。
【0040】指数αが、α≧−2の関係(すなわち、L
≧−4r)を満足する位置に絶縁板9(圧接部材)を置
くと、絶縁板9の導線8に対する圧着位置はスルーホー
ル23bから遠ざかりすぎることなく設定される。よっ
て、絶縁板9の圧着力が確実に導線8に作用し、導線8
の抜けやずれが少なくなる。また、指数αが、α≧0.
3の関係(すなわち、L≧0.6r)を満足する位置に
絶縁板9を置くと、絶縁板9の導線8に対する圧着位置
はスルーホール23bに近づきすぎることなく設定され
る。したがって、さらにスルーホール23b周辺部の応
力集中が避けられセラミック素子の亀裂、割れ等が生じ
にくくなり、スルーホール23b及び電極端子部7のメ
タライズ層の断線や絶縁板9の圧着力の低下等も少なく
なる。なお、指数αが極端に大きくなると酸素センサ1
の全長が非常に大きくなるので、センサ1の許容される
長さによって制限されることになる。
【0041】また、前述の絶縁セラミック層Sを形成す
るセラミックペーストがメタライズ層からはみ出し、電
極端子部7の外面において、スルーホール23bの開口
周縁部に、開口の周方向に沿う絶縁セラミックの盛り上
がり部Mを幅iにわたって形成する場合がある。この盛
り上がり部Mは、スルーホール23b開口周縁部への応
力集中を助長し、セラミック素子の割れを生じやすくす
る。さらに、焼成によりこの盛り上がり部Mが残存する
と、ここに重ね合わせられる導線8にも絶縁板9の圧着
力が作用して、導線8の断線等を生じる恐れもある。し
かし、一方で、この絶縁セラミックの盛り上がり部Mを
削り取る工程を追加することは製造コストの面から好ま
しくない。しかし、前述の通り指数αが既述の関係式を
満足する位置に絶縁板9を置くと、絶縁板9の圧着力を
確実に導線8に作用させつつ、セラミック素子2に亀
裂、割れ等を生じにくくする。
【0042】ここで、再び近接距離Lに着目する。近接
距離Lが、L≧rの関係(すなわち、α≧0.5)を満
足するときは、絶縁板9の導線8に対する圧着位置が、
最も応力集中が発生しやすいスルーホール23bを避け
て設定できる。よって、セラミック素子2の亀裂、割れ
等が生じにくい。さらに、近接距離Lが、L≧(r+
i)の関係を満足するときは、絶縁板9の導線8に対す
る圧着位置が、スルーホール23bと絶縁セラミックの
盛り上がり部Mの両者を回避して設定できる。したがっ
て、絶縁セラミックの盛り上がり部Mに重ね合わせられ
る導線8には絶縁板9の圧着力が直接的に作用せず、導
線8の断線等が起こりにくい。
【0043】図8に示す通り、絶縁板9の導線引き出し
方向側の先端部外面には傾斜外面9aが設けられる。し
たがって、絶縁板9の外面における引き出し方向側の平
坦部端縁は、絶縁板9の端面位置よりも傾斜外面9aの
分だけ引き出し方向側とは反対方向側へ後退している。
そして、絶縁板9の外面における引き出し方向側の平坦
部端縁よりも、リング部材11の内面における引き出し
方向側の平坦部端縁の方が、導線8の引き出し方向側に
寄せてある。リング部材11の緊束力が絶縁板9に確実
に作用して、導線8がセラミック素子2の電極端子部7
に確実に圧着させた状態に維持され、導線8の抜けやず
れが起こりにくい。なお、リング部材11の圧入方向が
逆になると、絶縁板9の傾斜外面9aに代えて、リング
部材11の導線引き出し方向側の先端部内面にテーパ状
内面11cが設けられる場合がある。
【0044】なお、図8では、図7に表されたセラミッ
クヒータ22側のスルーホール23b,23bのうちの
一方についてのみ説明したが、他方のスルーホールにつ
いても同様である。また、酸素濃淡電池素子20側のス
ルーホール26bについても同様に実施できる。セラミ
ック素子2は、断面方形状の例を示したが、断面円形状
等任意の形状が適用できる。絶縁部材として、絶縁板9
を用いた例について説明したが、リング金具11の内面
又は導線8の外面のうちの少なくとも一方に形成された
絶縁層等の変更が可能である。圧接部材について、セラ
ミック素子2の両側に配置した導線8を、両側から絶縁
板9で圧着させる例について説明したが、片側のみであ
っても差し支えない。圧着力を絶縁板9に及ぼす部材
は、リング金具11以外のものでも良い。
【0045】[実施例]本発明の具体的な実施例につい
て説明する。セラミック素子2は、部分安定化ジルコニ
ア製で、幅3mm、長さ40mm、厚さ約2mm(Pt
メタライズ電極端子部7の厚さを含む)のものを使用し
た。導線8は、Ni製で、幅1mm、厚さ0.25mm
のものを使用した。絶縁板9は、矩形板状のアルミナ製
で、幅3mm、厚さによって締め代を調節した。リング
金具11は、インコロイ909製で、外形寸法が横W=
8mm、縦D=6mm、高さH=2.5mmのものを使
用した。なお、インコロイ909(インコ社商品名)
は、Fe,Ni,Crを含む耐熱鋼である。
【0046】これらを図6に示す形態で、圧入によって
結合ユニット10にリング金具11を組み付けた。スル
ーホール内径2rを一定とし、近接距離Lを変えて指数
αを変化させ、電極抜け荷重と素子割れ有無について、
評価試験を行った。電極抜け荷重は、セラミック素子2
を固定した状態で、導線8に引張力を与え、導線8が抜
ける荷重を測定した。電極抜け荷重が9.8N未満で
は、製造工程で導線8がずれたり、抜けたりする不具合
が生じる可能性がある。そこで、電極抜け荷重が9.8
N以上では〇、9.8N未満では×とした(表1各欄の
左側)。素子割れ有無は、レッドチェック液に浸した
後、拡大鏡にて目視観察した。素子割れは、Ptメタラ
イズ電極端子部7の断線や保持力の低下等、センサ機能
に不具合をもたらす。そこで、素子割れが確認されなけ
れば〇、確認されれば×とした(表1各欄の右側)。な
お、分解後の結合ユニット10の結合寸法a1と、分解
後のリング金具11の保持寸法b1を測定し、分解後締
め代δを求めた(δ=a1−b1)。以上の結果を表1
に示す。
【0047】
【表1】
【0048】表1の比較例で示すように、α<−2の場
合、分解後締め代δが0.01〜0.3mmの範囲で、
素子割れが発生した。次に、実施例1で示すように、α
≧−2の場合、分解後締め代δが0.01〜0.2mm
の範囲で、電極抜け荷重9.8N以上を満足し、素子割
れの無い良好な結果が得られた。さらに、実施例2で示
すように、α≧0.3の場合、分解後締め代δが0.0
1〜0.3mmの範囲で、電極抜け荷重9.8N以上を
満足し、素子割れの無い良好な結果が得られた。α≧
0.3の場合、分解後締め代δの許容範囲を広げること
ができ、量産性に優れたものとなる。なお、分解後締め
代δは0.01〜0.3mmの範囲が望ましい。δが
0.01mm未満では、導線8がずれたり、抜けたりす
る場合がある。一方、δが0.3mmを超えると、素子
割れの発生する場合がある。
【0049】なお、ここで比較例とは、一般的な例と特
に望ましい例とを区別するための名称であり、従来例あ
るいは発明外であることを表明するものではない。言い
換えれば、実施例なる表現は好適例といった意味であ
る。
【0050】本発明に係るセラミック素子と電極の組立
体が適用可能なセラミック応用電子機器としては、以上
で説明したセラミックヒータ素子のほかに、酸素センサ
をはじめとする各種ガスセンサに使用されるセラミック
センサ素子、さらにはセラミックグロープラグ等種々の
ものがある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である酸素センサの縦断面
図。
【図2】図1における接合部Aに用いられるアッセンブ
リ(セラミック素子、導線、絶縁板及びリング金具の一
体品)の斜視断面図。
【図3】図2の斜視図。
【図4】図3の分解斜視図。
【図5】図1の酸素センサの製造方法において、特に図
2、図3のアッセンブリの製造工程を示す工程図。
【図6】結合ユニットの構造を示す説明図。
【図7】アッセンブリの平面図及び軸断面図。
【図8】図7のアッセンブリのC−C矢視一部省略縦断
面図。
【符号の説明】
2 セラミック素子 7 電極端子部 8 導線(導線部材) 9 絶縁板(圧接部材) 10 結合ユニット 11 リング金具(リング部材) 20 酸素濃淡電池素子 21 素子本体層 22 セラミックヒータ 23 抵抗発熱体パターン 23b スルーホール 24 第一絶縁層 25 多孔質電極(検出電極) 26 多孔質電極(基準電極) 26b スルーホール 27 第二絶縁層 28 第一ヒータ本体層 29 第二ヒータ本体層 L 近接距離 M 絶縁セラミックの盛り上がり部 S 絶縁セラミック層 i 絶縁セラミックの盛り上がり部の幅 2r スルーホールの内径
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西尾 久治 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 (72)発明者 花井 修一 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 (72)発明者 伊藤 正也 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 Fターム(参考) 2G004 BB04 BB07 BC02 BD05 BE04 BF15 BF18 BG05 BH02 BH09 BH12 BJ03 BM07

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 自身が有する電気的な回路と、外面に露
    出して形成される電極端子部とを、電気的に接続するた
    めのスルーホールが厚さ方向に設けられるセラミック素
    子と、 前記電極端子部を電気的に外部と接続するために、端部
    が該電極端子部に重ねられ、所定方向(以下、引き出し
    方向という)に引き出される導線部材と、 それらセラミック素子及び導線部材を含むユニット(以
    下、結合ユニットという)を外側から挟み付けるように
    導線部材の外面に接して、該導線部材を前記セラミック
    素子の電極端子部に機械的に圧着させた状態に維持する
    圧接部材とを備え、 前記圧接部材の前記導線部材に対する、前記引き出し方
    向側の接触端縁と、前記スルーホールの中心との前記引
    き出し方向における距離(以下、近接距離という)を
    L、前記スルーホールの内径を2rとし、また前記近接
    距離Lについて、前記スルーホールの中心から見て前記
    引き出し方向側を負の向き、それとは反対方向側を正の
    向きとして、α=L/2rで定義される指数αが、α≧
    −2の関係を満足することを特徴とするセラミック素子
    と電極の組立体。
  2. 【請求項2】 前記指数αが、α≧0.3の関係を満足
    する請求項1記載のセラミック素子と電極の組立体。
  3. 【請求項3】 前記電極端子部は、前記スルーホールの
    開口を包含する形態で前記セラミック素子の外面に層状
    に形成される一方、その層状の電極端子部の外面におい
    て、前記スルーホールの開口周縁部には当該開口の周方
    向に沿う絶縁セラミックの盛り上がり部が形成されてい
    る請求項1または2記載のセラミック素子と電極の組立
    体。
  4. 【請求項4】 前記近接距離Lが、L≧rの関係を満足
    する請求項1ないし3のいずれかに記載のセラミック素
    子と電極の組立体。
  5. 【請求項5】 前記絶縁セラミックの盛り上がり部の幅
    をiとして、前記近接距離Lが、L≧(r+i)の関係
    を満足する請求項1ないし4のいずれかに記載のセラミ
    ック素子と電極の組立体。
  6. 【請求項6】 前記圧接部材が、前記結合ユニットを外
    側から挟み付けるように導線部材の外面に接して、該導
    線部材を前記セラミック素子の電極端子部に機械的に圧
    着させた状態に維持するとともに、前記導線部材の外面
    と外部との直接の接触を防止する絶縁部材である請求項
    1ないし5のいずれかに記載のセラミック素子と電極の
    組立体。
  7. 【請求項7】 前記絶縁部材は、前記結合ユニットの一
    部を構成するとともに、 当該絶縁部材を含む結合ユニ
    ットを外側から包囲するように、かつ前記セラミック素
    子の電極端子部と前記導線部材との圧着方向において、
    当該絶縁部材を含む結合ユニットに外側から締まりばめ
    で嵌合され、その締まりばめ嵌合の緊束力を前記絶縁部
    材に及ぼすことによって前記導線部材を前記セラミック
    素子の電極端子部に機械的に圧着させた状態に維持する
    リング部材が設けられる請求項6記載のセラミック素子
    と電極の組立体。
  8. 【請求項8】 前記絶縁部材は、前記リング部材の内面
    又は前記導線部材の外面のうちの少なくとも一方に形成
    された絶縁層である請求項7記載のセラミック素子と電
    極の組立体。
  9. 【請求項9】 前記絶縁部材は、前記導線部材と前記リ
    ング部材との間に挟み込まれて、該リング部材の内面と
    該導線部材の外面との直接の接触を防止する絶縁板であ
    る請求項7記載のセラミック素子と電極の組立体。
  10. 【請求項10】 前記絶縁板の外面における前記引き出
    し方向側の平坦部端縁と、前記リング部材の内面におけ
    る前記引き出し方向側の平坦部端縁が、前記引き出し方
    向において一致するか、又は前者よりも後者の方が前記
    引き出し方向側に寄っている請求項9記載のセラミック
    素子と電極の組立体。
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