JP2001269608A - 処理液供給装置及び処理液供給方法 - Google Patents

処理液供給装置及び処理液供給方法

Info

Publication number
JP2001269608A
JP2001269608A JP2000087342A JP2000087342A JP2001269608A JP 2001269608 A JP2001269608 A JP 2001269608A JP 2000087342 A JP2000087342 A JP 2000087342A JP 2000087342 A JP2000087342 A JP 2000087342A JP 2001269608 A JP2001269608 A JP 2001269608A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing liquid
pump
resist
pipe
discharge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000087342A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3706294B2 (ja
Inventor
Akihiro Fujimoto
昭浩 藤本
Kosuke Yoshihara
孝介 吉原
Masahiro Enomoto
昌弘 榎本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2000087342A priority Critical patent/JP3706294B2/ja
Priority to US09/816,457 priority patent/US6578772B2/en
Priority to KR1020010015726A priority patent/KR100583089B1/ko
Priority to TW090107081A priority patent/TW497168B/zh
Publication of JP2001269608A publication Critical patent/JP2001269608A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3706294B2 publication Critical patent/JP3706294B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Degasification And Air Bubble Elimination (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】気泡を効率的に除去する。 【解決手段】ウェハにレジスト液を吐出する吐出ノズル
67と、レジスト液を収容するレジストタンク62と、
吐出ノズル67とタンク62とを結ぶ供給配管63a〜
63dと、供給配管63c,63d間に配設されたポン
プ66と、ポンプ66の作動を制御するポンプ駆動機構
と、一端が配管63bから分岐し、他端がポンプ66に
配設された循環配管68と、供給配管63b、63c間
に配設され、レジスト液を濾過して気泡を除去するフィ
ルタ65と、このフィルタ65により濾過され気泡を含
むレジスト液を排出するドレン配管71と、ドレン配管
71に配設され、フィルタ65から排出されるレジスト
液の流量を制御するバルブ71aからなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板上に処
理液を供給するための処理液供給装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、例えばウェハW等の被処理基板に
レジスト液を供給するレジスト液供給装置では、処理液
を収容する収容容器からレジストノズルまでポンプによ
り処理液を送り、レジストノズルから所定量吐出するこ
とによりレジスト液の供給を行っていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
レジスト液供給装置では、レジスト液を収容する容器に
ガスを送入して容器内のレジスト液を加圧してレジスト
液を供給する方法をとっているため、レジスト液の加圧
により気泡が発生しやすい。このような気泡が含まれる
レジスト液がウェハWに向けて吐出されると、ウェハW
表面にレジスト液が均一に拡がらないという問題があっ
た。
【0004】そこで、この気泡発生を防止すべくレジス
ト液にフィルタをかけて気泡を除去する方法も考えられ
ている。しかしながら、この方法では、既に顕在化して
いる気泡を除去することは容易であったが、多数回の吐
出工程を経て徐々に形成される気泡を除去することは非
常に困難であった。
【0005】本発明は上記課題を解決するためになされ
たもので、その目的とするところは、気泡を効率的に除
去する処理液供給装置及び処理液供給方法を提供するこ
とにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明によれば、被処
理基板に処理液を吐出する吐出ノズルと、前記処理液を
収容する収容容器と、前記吐出ノズルと前記容器とを結
ぶ供給配管と、前記供給配管に配設されたポンプと、前
記ポンプの作動を制御するポンプ駆動機構と、一端が前
記容器と前記ポンプとの間の配管から分岐し、他端が前
記ポンプに配設された循環配管と、前記供給配管途中で
あって前記循環配管の一端と他端の間に配設され、前記
処理液を濾過して異物を除去するフィルタと、このフィ
ルタにより濾過され異物を含む処理液を排出するドレン
配管と、このドレン配管に配設され、前記フィルタから
排出される処理液の流量を制御するバルブとを具備して
なることを特徴とする処理液供給装置処理液供給装置が
提供される。
【0007】ここで、異物には、懸濁粒状物のみなら
ず、レジスト液中に含まれる気泡も含まれる。
【0008】このような構成によれば、循環配管に処理
液の一部を循環させて処理液の供給を行うため、処理液
の一部は再度フィルタを通過して吐出ノズルから吐出さ
れることとなる。従って、処理液中に存在する異物を効
率的に除去することができる。
【0009】好ましくは、循環口は、前記吐出口よりも
前記ポンプの上部に開口しているこれにより、ポンプ内
の上部に集中する傾向にある気泡の循環効率が高まる。
【0010】好ましくは、収容容器内の処理液を加圧す
る加圧手段と、この加圧手段による加圧タイミングで前
記バルブを開栓するコントローラを有する。これによ
り、気泡を多く含むレジスト液を加圧手段により押し出
してドレン配管から排出することができ、気泡を多く含
むレジスト液が吐出されるのを抑制できる。
【0011】好ましくは、ポンプの下流側であって吐出
ノズルよりも上流側に配設され、処理液中の気泡を除去
する除去部をさらに有する。これにより、さらなるレジ
スト液中の気泡の除去が可能となる。
【0012】好ましくは、ポンプは、前記循環配管に連
通する循環口と、前記供給配管の下流側に連通する吐出
口と、前記供給配管の上流側に連通する吸入口とを有
し、前記ポンプ駆動機構は、吸入タイミングで前記吐出
口を塞ぎ、吐出タイミングで前記吸入口を塞ぐと共に前
記循環配管に前記処理液を供給する。これにより、通常
の吐出動作において循環配管をレジスト液を循環させる
ことができる。従って、レジスト液に含まれる気泡やレ
ジスト液に含まれる溶存ガスを吐出動作時にフィルタに
蓄積することができ、泡抜制御において効率的な泡抜が
実現できる。
【0013】また好ましくは、前記循環配管には、吸入
タイミングで前記ポンプ内に蓄積した処理液のうち、吐
出タイミングで前記吐出口から吐出する吐出量と循環配
管に残りの処理液を循環させる循環量を制御する循環量
制御部が設けられてなる。これにより、気泡の発生量に
応じて循環量を制御することができ、効率的な泡抜制御
を実現することができる。
【0014】好ましくはフィルタは、処理液中の異物を
捕捉する多孔性部材を有する。これにより、処理液中に
含まれる気泡等の異物を充分に除去することができる。
【0015】また好ましくはフィルタは、少くとも1つ
の液面を検出する液面検出部を有する。これにより、泡
抜が必要か否かを検出部の出力に基づいて容易に判断す
ることが可能となる。
【0016】また、別の本発明によれば、被処理基板に
処理液を吐出する吐出ノズルと、前記処理液を収容する
収容容器と、前記吐出ノズルと前記容器とを結ぶ供給配
管と、前記供給配管に配設されたポンプと、前記ポンプ
の作動を制御するポンプ駆動機構と、一端が前記容器と
前記ポンプとの間の配管から分岐し、他端が前記ポンプ
に配設された循環配管と、前記供給配管途中であって前
記循環配管の一端と他端の間に配設され、前記処理液を
濾過して異物を除去するフィルタと、このフィルタによ
り濾過され異物を含む処理液を排出するドレン配管と、
このドレン配管に配設され、前記フィルタから排出され
る処理液の流量を制御するバルブとを準備する工程と、
前記収容容器から前記ポンプに処理液を吸入する吸入工
程と、前記ポンプに吸入された処理液を前記吐出ノズル
に吐出するとともに、前記循環配管に処理液を循環させ
て前記フィルタで処理液中の気泡の少なくとも一部を分
離する吐出工程とを有することを特徴とする処理液供給
方法が提供される。ここで、異物には、懸濁粒状物のみ
ならず、レジスト液中に含まれる気泡も含まれる。
【0017】このような構成によれば、通常の吐出工程
で処理液に含まれる気泡等の異物をフィルタに蓄積する
ことができ、簡便な泡抜制御が実現できる。
【0018】好ましくは、収容容器を加圧するとともに
前記処理液を前記フィルタで濾過して気泡を含む処理液
を前記ドレン配管から排出する泡抜工程を有する。これ
により、処理液中に含まれる気泡を押し出してドレン配
管から排出することができる。
【0019】また、好ましくは、吸入工程又は吐出工程
中に、供給配管中の処理液の気泡量を検出し、気泡量が
所定量を超えた場合に泡抜工程を行う。これにより、不
必要な泡抜が行われず、かつ気泡の多く含まれる処理液
が供給されるのを防止できる。
【0020】また、好ましくは、泡抜工程中であって前
記収容容器の加圧を開始する前のタイミングでバルブを
開栓する。これにより、加圧により顕在化していた気泡
が処理液中に溶解するのを防止できる。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態を説明する。
【0022】(第1実施形態) (塗布現像処理システムの構成)図1は本発明の一実施
形態に係る基板処理装置が適用される塗布現像処理シス
テムの全体構成を示す図である。
【0023】図1に示すように、塗布現像処理システム
1は、複数個のカセットCRを受け入れるカセットステ
ーション11と、ウェハWにレジスト液塗布及び現像の
プロセス処理を行うプロセス処理部12と、レジスト液
が塗布されたウェハWを図示しない露光装置に受け渡す
インターフェース部13とを備えている。カセットステ
ーション11は、半導体ウェハWを例えば25枚単位で
収納したカセットCRが出し入れされる載置台14と、
カセットCRからウェハWを取り出す第1のサブアーム
機構15とを備えている。
【0024】載置台14はY軸方向に延出して設けら
れ、カセットCRは等ピッチ間隔に載置台14の上に載
置されるようになっている。カセットステーション11
には、図1に示すように、載置台14上に例えば4つの
カセット搬送機構であるスライドステージ14bが配置
され、各スライドステージ14b上にカセットCRを載
置すると、3つの突起14aによりカセットCRが、ウ
ェハ出入り口41をプロセス処理部12側に向けて位置
決めされるようになっている。
【0025】第1のサブアーム機構15は、ウェハWを
プロセス処理部12のメインアーム機構16に受け渡す
ことができ、後述するプロセス処理部12側の第3の処
理ユニット群G3の多段ユニット部に属するアライメン
トユニット(ALIM)及びエクステンションユニット
(EXT)にもアクセスできるようになっている。
【0026】カセットステーション11とプロセス処理
部12間でのウェハWの受け渡しは第3のユニット群G
3を介して行われる。この第3の処理ユニット群G3
は、図3に示すように複数のプロセス処理ユニットを上
下多段縦型に積み上げてなるものである。すなわち、こ
の処理ユニット群G3は、例えばウェハWを冷却処理す
るクーリングユニット(COL)、ウェハWに対するレ
ジスト液の密着性を高めるための疎水化処理を行うアド
ヒージョンユニット(AD)、ウェハWの位置合わせを
するアライメントユニット(ALIM)、ウェハWを待
機させておくためのエクステンションユニット(EX
T)、露光処理前のレジスト膜を加熱する2つのプリベ
ーキングユニット(PREBAKE)、現像処理後のレ
ジスト膜の加熱処理を行うポストベーキングユニット
(POBAKE)及び露光後の加熱処理を行うポストエ
クスポージャベーキングユニット(PEBAKE)を順
次下から上へと積み上げて構成されている。
【0027】ウェハWのメインアーム機構16への受け
渡しは、エクステンションユニット(EXT)及びアラ
イメントユニット(ALIM)を介して行われる。
【0028】また、図1に示すように、このメインアー
ム機構16の周囲には、第3の処理ユニット群G3を含
む第1〜第5の処理ユニット群G1〜G5がこのメイン
アーム機構16を囲むように設けられている。前述した
第3の処理ユニット群G3と同様に、他の処理ユニット
群G1,G2,G4,G5も各種の処理ユニットを上下
方向に積み上げ的に構成されている。
【0029】一方、メインアーム機構16は、図3に示
すように、上下方向に延接された筒状のガイド17の内
側に、メインアーム18を上下方向(Z方向)に昇降自
在に装備している。筒状のガイド17はモータ(図示せ
ず)の回転軸に接続されており、このモータの回転駆動
力によって、回転軸を中心としてメインアーム18と一
体に回転し、これによりメインアーム18はθ方向に回
転自在となっている。なお、筒状のガイド17は前記モ
ータによって回転される別の回転軸(図示せず)に接続
するように構成してもよい。上記したようにメインアー
ム18を上下方向に駆動することで、ウェハWを各処理
ユニット群G1〜G5の各処理ユニットに対して任意に
アクセスさせることができるようになっている。
【0030】カセットステーション11から第3の処理
ユニット群G3のエクステンションユニット(EXT)
を介してウェハWを受け取ったメインアーム機構16
は、先ず、このウェハWを第3の処理ユニット群G3の
アドヒージョンユニット(AD)に搬入し、疎水化処理
を行う。次いで、アドヒージョンユニット(AD)から
ウェハWを搬出し、クーリングユニット(COL)で冷
却処理する。
【0031】冷却処理されたウェハWは、メインアーム
機構16によって第1の処理ユニット群G1(もしくは
第2の処理ユニット群G2)のレジスト液塗布処理装置
(COT)に対向位置決めされ、搬入される。
【0032】レジスト液が塗布されたウェハWは、メイ
ンアーム機構16によってアンロードされ、第4の処理
ユニット群G4を介してインターフェース部13に受け
渡される。
【0033】この第4の処理ユニット群G4は、図3に
示すように、例えばクーリングユニット(COL)、エ
クステンション・クーリングユニット(EXT・CO
L)、エクステンションユニット(EXT)、クーリン
グユニット(COL)、2つのプリベーキングユニット
(PREBAKE)、及び2つのポストベーキングユニ
ット(POBAKE)を下から上へと順次積み上げて構
成したものである。
【0034】レジスト液塗布ユニット(COT)から取
り出されたウェハWは、先ず、プリベーキングユニット
(PREBAKE)に挿入され、レジスト液から溶剤
(シンナー)を飛ばして乾燥される。なお、この乾燥は
例えば、減圧法によるものであってもよい。すなわち、
ウェハWをプリベーキングユニット(PREBAKE)
若しくはこれとは別に設けられたチャンバ内に挿入し、
ウェハW周辺を減圧することで溶剤を除去(レジスト液
を乾燥)する方法であってもよい。
【0035】次に、このウェハWはクーリングユニット
(COL)で冷却された後、エクステンションユニット
(EXT)を介して前記インターフェース部13に設け
られた第2のサブアーム機構19に受け渡される。
【0036】ウェハWを受け取った第2のサブアーム機
構19は、受け取ったウェハWを順次バッファカセット
BUCR内に収納する。このインターフェース部13
は、前記ウェハWを図示しない露光装置に受け渡し、露
光処理後のウェハWを受け取る。
【0037】露光後のウェハWは、周辺露光装置(WE
E)にてウェハ周辺部の不要レジスト膜が露光された
後、前記とは逆の動作を経てメインアーム機構16に受
け渡され、このメインアーム機構16は、この露光後の
ウェハWをポストエクスポージャベーキングユニット
(PEBAKE)に挿入して加熱処理を行った後、クー
リングユニット(COL)にて所定の温度に冷却処理さ
れる。その後、現像装置(DEV)に挿入し現像を行わ
せる。現像処理後のウェハWはいずれかのポストベーキ
ングユニット(POBAKE)に搬送され加熱乾燥した
後、この第3の処理ユニット群G3のエクステンション
ユニット(EXT)を介してカセットステーション11
に搬送され、カセットCRに収納される。
【0038】なお、第5の処理ユニット群G5は、選択
的に設けられるもので、この例では前記第4の処理ユニ
ット群G4と同様に構成されている。また、この第5の
処理ユニット群G5はレール20によって移動可能に保
持され、前記メインアーム機構16及び第1〜第4の処
理ユニット群G1〜G4に対するメンテナンス処理を容
易に行い得るようになっている。
【0039】この発明の処理液供給装置を図1〜図3に
示した塗布現像ユニットに適用した場合、各処理ユニッ
トが上下に積み上げ式に構成されているから装置の設置
面積を著しく減少させることができる。
【0040】(レジスト塗布ユニットの全体構成)図4
は、本実施形態に係る処理液供給装置が適用されるレジ
スト塗布ユニット(COT)の全体構成を示す縦断面図
である。図4に示すように、このレジスト塗布ユニット
(COT)の中央部には環状のカップCPが配設され、
カップCPの内側にはスピンチャック41が配置されて
いる。スピンチャック41は真空吸着によりウェハWを
固定保持した状態で駆動モータ42により回転駆動され
る。
【0041】駆動モータ42は、ユニット底板43に設
けられた開口44に昇降移動可能に配置され、例えばア
ルミニウムからなるキャップ状のフランジ部材45を介
して例えばエアシリンダからなる昇降駆動手段46及び
昇降ガイド手段47と結合されている。
【0042】ウェハW表面に塗布液としてのレジスト液
を吐出するためのレジストノズル48は、レジストノズ
ルスキャンアーム49の先端部にノズル保持体50を介
して着脱可能に取り付けられている。このレジストノズ
ルスキャンアーム49は、ユニット底板43の上に一方
向(Y方向)に敷設されたガイドレール51上で水平移
動可能な垂直支持部材52の上端部に取り付けられてお
り、図示しないY方向駆動機構によって垂直支持部材5
2と一体にY方向に移動可能になっている。
【0043】図4に示すように、レジストノズル48
は、レジスト供給管48aを介してレジスト塗布ユニッ
ト(COT)の下方室内に配設されたレジスト液供給機
構(図示せず)に接続されている。
【0044】図5は本実施形態に係るレジスト塗布ユニ
ット(COT)の平面図である。レジストノズルスキャ
ンアーム49は、レジストノズル待機部53でレジスト
ノズル48を選択的に取り付けるためにY方向と垂直な
X方向にも移動可能であり、図示しないX方向駆動機構
によってX方向にも移動できる。
【0045】さらに、レジストノズル待機部53でレジ
ストノズル48の吐出口が溶媒雰囲気室の口54に挿入
され、中で溶媒の雰囲気に晒されることで、レジストノ
ズル48の先端のレジスト液が固化又は劣化しないよう
になっている。レジストノズル48はレジスト液の種類
や粘度等に応じて複数設けられ、処理条件に応じて使い
分けられるようになっている。
【0046】さらに、ガイドレール51上には、レジス
トノズルスキャンアーム49を支持する垂直支持部材5
2だけでなく、リンスノズルスキャンアーム55を支持
しY方向に移動可能な垂直支持部材56も設けられてい
る。
【0047】Y方向駆動機構(図示せず)によってリン
スノズルスキャンアーム55はカップCPの側方に設定
され、実線により示されるリンスノズル大気位置と、ス
ピンチャック41に設置されている半導体ウェハWの周
縁部直上に設定され、一点鎖線で示されたリンス液吐出
位置との間で並進又は直線移動するようになっている。
【0048】(処理液供給系統の構成)図6は本実施形
態に係る処理液供給装置の処理液供給系統を示す図であ
る。図6(a)に示すように、レジスト供給装置61
は、収容容器としてのレジストタンク62を有し、この
レジストタンク62から供給されるレジスト液の吐出経
路としての供給配管63a〜63dに沿って、レジスト
液の供給量を検出するリキッドエンドセンサ64、レジ
スト液中の溶存ガス、気泡の脱泡や懸濁粒状物等の異物
を分離及び除去するフィルタ65、レジスト液の吐出及
び吸入を行うポンプ66及びレジスト液を吐出するレジ
ストノズル67が吐出経路の上流側から下流側に順に設
けられている。
【0049】レジストタンク62とリキッドエンドセン
サ64は供給配管63aにより連通され、リキッドエン
ドセンサ64とフィルタ65は供給配管63bにより連
通され、フィルタ65とポンプ66は供給配管63cに
より連通され、ポンプ66とレジストノズル67は供給
配管63dにより連通されている。
【0050】また、レジストタンク62には、レジスト
液の吐出経路への円滑な供給を行うために、タンク内の
レジスト液を加圧するN2ガス供給機構68がガス供給
管68aを介して接続されている。また、ガス供給管6
8aには切換エアオペレーティドバルブ68bが取り付
けられている。エアオペレーティドバルブ68bの詳細
な構成を図6(b)及び(c)に示す。バルブ68bは
第1流路68d及び第2流路68eを有し、切り換え動
作により、各流路68d,68eを交互に切換可能であ
る。図6(b)はN2加圧開放用の第1流路68dがN2
ガス供給機構68からガス供給管68aへのガス流路側
にシフトしている。この第1流路68dはガス供給機構
68からガス供給管68aへのガス流路を塞ぐととも
に、ガス供給管68cにN2ガスが導入される。ガス供
給管68cに導かれたN2ガスはレジスト塗布ユニット
(COT)外あるいはクリーンルーム外に放出される。
図6(c)はN2加圧用の第2流路68eがN2ガス供給
機構68からガス供給管68aへのガス流路側にシフト
している。この第2流路68eはガス供給機構68から
ガス供給管68aへのガス流路を連通させるとともに、
ガス供給管68cの供給口を塞ぐ。これにより、N2
スはタンク62内に供給され、タンク62内のレジスト
液を加圧することができる。
【0051】(ポンプ、循環系の構成)ポンプ66は、
底壁、側周壁及び天井壁により周囲を規定されている。
ポンプ66は吸入されるレジスト液を受け入れる吸入口
66aと、レジスト液を吐出してレジストノズル67に
供給する吐出口66bを有し、この吸入口66aから吐
出口66bへのレジスト液の流路によりレジスト液の吐
出経路が規定される。さらに、ポンプ66はポンプから
のレジスト液を放出させてレジスト液を循環させるため
の循環口66cが設けられている。この循環口66cに
は循環配管68の一端が連通している。この循環配管6
8の他端は供給配管63bに連通しており、フィルタ6
5を経由するレジスト液の吐出経路とは異なる経路であ
って、かつフィルタ65を経由せずにレジスト液を吐出
経路に再び戻す循環経路を規定している。
【0052】(逆止弁の構成)レジスト液の吐出経路を
規定する供給配管63a、63b、63c、63dに
は、逆止弁69a,69b,69c,69dがそれぞれ
に対応して設けられており、吐出経路をレジスト液が逆
流するのを防止する。また、循環配管68には逆止弁7
0が設けられており、レジスト液が循環経路をレジスト
液が逆流するのを防止する。
【0053】(ポンプの詳細な構成)図7はポンプ66
の詳細な構成を示す図である。ポンプ66はポンプ室8
1の内圧を変動させて液の吸入及び吐出を繰り返すチュ
ーブフラムポンプである。ポンプ室81は略円柱状をな
し、その内部にPTFE樹脂からなる弾性隔膜82を有
する。ベローズ部83の全部とポンプ室81の一部には
圧力伝達媒体84である油状物が封入されている。この
圧力伝達媒体84はベローズ部83の伸縮により生じる
ポンプ駆動力をポンプ室81の弾性隔膜82に伝達する
ための媒体である。ベローズ部83はステッピングモー
タ85によって高精度に伸縮駆動され、コントローラ7
3によってその伸縮動作タイミングや伸縮速度、すなわ
ちレジスト液の吸入・吐出タイミングや吸入・吐出速度
が設定条件に従って制御されるようになっている。ま
た、ステッピングモータ85にはエンコーダ86が取り
付けられている。
【0054】可動支持部88aの近傍には光透過型のセ
ンサ87が取り付けられている。このセンサ87の光軸
を横切ることが可能なようにシャッタ部材88dが可動
支持部88aに取り付けられ、ベローズ部83の変位が
検出されるようになっている。図7に示すように、ベロ
ーズ部83が伸びきったところ、すなわち液吸入工程の
終点ではシャッタ部材88dがセンサ87の光軸を遮る
ので、センサ87の受光部は光を検出しない。
【0055】一方、図8に示すようにベローズ部83が
伸びきったところ、すなわち液吐出工程の終点では、シ
ャッタ部材88dはセンサ87の光軸を遮らないので、
センサ87の受光部は光を検出する。この検出信号がコ
ントローラ73に入力されると、コントローラ73はモ
ータ85の電源89に司令を出し、ベルト機構90a〜
90c及びボールスクリュー88をそれぞれ駆動させ、
ベローズ部83を伸長させる。
【0056】(ポンプ室の詳細な構成)ポンプ室81の
詳細な構成を以下説明する。
【0057】図9は図7に示すポンプ室81の詳細な構
成を示す断面図、図10は図8に示すポンプ室81の詳
細な構成を示す断面図である。
【0058】ポンプ室81は側周壁91aと底壁91b
と天井壁91cとで周囲を規定されている。ポンプ室8
1は隔膜82で内外に仕切られ、隔膜82の内側領域に
はレジスト液が供給され、隔膜82の外側領域には圧力
伝達媒体84が封入されている。天井壁91cの中央に
凹所91dが形成され、この凹所91dに逆流防止弁9
2を介して供給配管63cが連通している。逆流防止弁
92は、ボール92aと、入口92bと、ボール収納室
92cと、ストッパ92dと、出口92eとを備えてい
る。
【0059】吸入工程では、ボール92aがストッパ9
2dに嵌まり込み、レジスト液は入口92b及び出口9
2eを通過してポンプ室81内に流れ込む。吐出工程で
はボール92aが入口92bを塞ぎ、レジスト液はポン
プ室81内に流れ込まない。ポンプ室81の径は60〜
70mm、高さは60〜70mm程度である。
【0060】チューブフラム93は側周壁91aの開口
によりポンプ室81に連通し、ベローズ部83からのポ
ンプ駆動力を圧力伝達媒体84を介して隔膜82に伝達
するようになっている。隔膜82はポンプ室81の中心
を軸として同心円状に設けられている。隔膜82は例え
ばテトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニ
ルエーテル共重合体(PFA)のような弾性に富む樹脂
材料により構成される。また、底壁91bの周縁部には
循環配管68が開口している。底壁91bの周縁部は中
央部より高く、ここに泡集合部91eが形成されてい
る。レジスト液の吸入工程においては気泡95は泡集合
部91eに集合し、さらに吐出工程では気泡95は泡集
合部91eから循環配管68を介してポンプ室81内か
ら排出されるようになっている。なお、泡集合部91e
の水平面に対する傾斜角度θは5〜10°の範囲にする
ことが望ましい。
【0061】底壁91bの中央部には逆流防止弁94を
介して供給配管63dが開口している。この吐出側の逆
流防止弁94は吸入側の逆流防止弁92と実質的に同じ
である。
【0062】図7に示すようにベローズ部83を伸長さ
せると、図9に示すようにポンプ室81内にレジスト液
が吸入される。一方、図8に示すようにベローズ部83
を収縮させると、図10に示すようにポンプ室81から
レジスト液が吐出される。供給配管63c,63dはと
もに大気圧下に開放されているので、ベローズ部83か
らのポンプ圧力が減少又は増加し、これによりレジスト
液がポンプ室81に吸入され、あるいはポンプ室81か
ら吐出される。
【0063】なお、チューブフラム93に封入される圧
力伝達媒体84としては、テフロン(登録商標)オイル
やその他のオイルか、又は純水等の液体を用いることが
好ましい。圧力伝達媒体84に液体を採用することによ
り、チューブフラム93内の経年的な容量変化を抑制で
き、ポンプ室81の周囲の壁91a〜91cの変位特定
の長期安定化を図ることができる。
【0064】さらに、ポンプ室81の天井壁91cには
気泡95排出用の循環配管68が開口している。この循
環配管68の開口と供給配管63cの間には高低差hを
設けてある。この高低差hにより、気泡95は供給配管
63cに侵入しなくなる。なお、循環配管68はバルブ
(図示せず)を介して大気圧雰囲気に連通している。定
期的に例えばレジストタンク62を交換する度等、この
バルブを開けてポンプ室81内の上部に溜まった気泡9
5を排出する。
【0065】このように、ポンプ66に設けられた吸入
口66a及び循環口66cは、ポンプ66の天井壁91
cに設けられており、吐出口66bはポンプ66の底壁
91bに設けられている。吐出口66bがポンプ66底
壁91bに設けられるのは、ポンプ66内のレジスト液
に気泡95が混入した場合に、この気泡95はポンプ6
6上部に集まるため、比較的気泡95の少ないポンプ6
6底壁91bからのレジスト液吐出部分の気泡95を少
なくするためである。
【0066】循環口66cをポンプ66の天井壁91c
に設けたのは、吐出口66bをポンプ66の底壁91b
に設けたのと逆の理由によるためである。すなわち、ポ
ンプ66上部に集まる気泡95の比較的多いレジスト液
を吐出経路に再び戻すことにより効率的に気泡95を取
り除くためである。
【0067】(フィルタの構成)フィルタ65内には、
供給配管63bから供給配管63cへの吐出経路を塞ぐ
多孔性部材65aが設けられている。この多孔性部材6
5aにより、レジスト液のみを孔に通過させ、レジスト
液中に混入する懸濁粒状物や気泡をレジスト液と分離す
ることができる。多孔性部材65aは、例えばポリテト
ラフルオロエチレン(PFE)や高分子ポリエチレンか
らなる多孔質又は繊維状の円筒成形体である。多孔性部
材65aの平均孔径は例えば0.05μm以下であるこ
とが望ましい。また、フィルタ65に連通する供給配管
63b及び63cにより規定される吐出経路から分岐す
るように、ドレン配管71の一端がフィルタ65に連通
している。このドレン配管71の他端はドレンタンク
(図示せず)に連通しており、フィルタ65内の多孔性
部材65aにより分離された懸濁粒状物や気泡等の異物
を含むレジスト液をドレンタンクに導く。このドレン配
管71にはエアオペレーティドバルブ71aが取り付け
られており、ドレン配管71を開閉する。
【0068】このように、レジスト供給装置61では、
吐出経路にフィルタ65を有するため、レジスト液はフ
ィルタ65を通過した後にレジストノズル67から吐出
されるようになっている。
【0069】(リキッドエンドセンサの構成)リキッド
エンドセンサ64は、センサ(図示せず)を有する。こ
のセンサはセンサ64内の気泡の割合を測定する。気泡
はセンサ内の上部に集まるため、このようにセンサを設
けることにより、気泡がどれだけ溜まっているかを検出
することができる。また、リキッドエンドセンサ64の
上部にはさらにドレン配管72の一端が連通しており、
その他端はドレンタンク(図示せず)に連通し、気泡あ
るいは気泡を含むレジスト液をドレンタンクに導く。こ
のドレン配管72にはドレンバルブ72aが取り付けら
れており、ドレン配管72を開閉する。
【0070】(コントローラの構成)ポンプ66はコン
トローラ73に接続されており、レジスト液吐出動作及
び循環動作を制御する。また、リキッドエンドセンサ6
4及び切換エアオペレーティドバルブ68bはコントロ
ーラ73に接続されている。このセンサ64から得られ
る気泡量はコントローラ73に出力され、切換エアオペ
レーティドバルブ68bの流路をガス供給管68c側か
らガス供給管68b側に切換、N2加圧による泡抜操作
が行われる。さらに、バルブ67a,70a,71a,
72aはコントローラ73に接続され、吐出動作あるい
は泡抜動作時に各配管の開閉制御を行う。
【0071】(循環系の構成)このように、レジストタ
ンク62から供給配管63bを介して供給されるレジス
ト液は、フィルタ65、供給配管63c、ポンプ66、
循環配管68を経由して再び供給配管63bに戻る循環
経路が設けられている。この循環経路を流れるレジスト
液と、ポンプ66の吐出口66bから吐出されるレジス
ト液との比率は適宜コントローラ73により設定可能で
ある。なお、この比率は循環口66c近傍に循環配管6
8を部分的に塞ぐ閉塞板(図示せず)を設け、この閉塞
板をスライドさせて循環口66cを塞ぐ面積を変えるこ
とにより設定可能である。もちろん、バルブ70aによ
りこの比率を制御することも可能である。
【0072】例えば吐出動作を行っている際にレジスト
タンク62から供給されるレジスト液が4ml/min
である場合、循環配管68を1ml/minのレジスト
液が循環する構成をとることができる。この場合、レジ
ストノズル67から吐出されるレジスト液は3ml/m
inとなる。また、気泡が多い場合には、循環するレジ
スト液の比率を高めることにより、気泡を効率的に除去
することができる。このようなレジスト液の供給速度
は、内蔵するステッピングモータ85で調節可能であ
る。
【0073】(コントローラの機能)コントローラ73
は、吐出制御と泡抜制御の2つの制御を選択的に行うこ
とができる。吐出制御は、通常のレジスト液吐出動作に
関する制御である。すなわち、ポンプ66を制御し、レ
ジスト液を吐出経路に沿ってレジストノズル67から吐
出させる制御と、供給配管63a,63b及び63cを
通過してポンプ66に吸入口66aから吸入されたレジ
スト液の一部をポンプ66に溜まった気泡や溶存ガスと
ともに循環配管68を経由させる制御である。
【0074】泡抜制御は、レジスト液内の気泡や溶存ガ
スの除去に関する制御である。すなわち、ポンプ66の
吐出口63cを塞いでレジスト液を吐出経路で滞留させ
るとともに、N2ガスがガス供給管68aからレジスト
タンク62内に送入されるように切換エアオペレーティ
ドバルブ68bを切り換え、レジストタンク62内のレ
ジスト液を加圧してフィルタ65により気泡あるいは溶
存ガスを除去する制御である。
【0075】(レジスト供給プロセス)次に、本実施形
態に係る処理液供給装置の動作を図11に示すフローチ
ャートに基づいて説明する。
【0076】まず、レジスト供給装置61の起動と同時
に切換エアオペレーティドバルブ68bを切り換えてガ
ス供給管68aをレジストタンク62に連通させ、この
状態でレジストタンク62内のレジスト液を加圧する
(s1)。
【0077】そして、この加圧状態を保持しながらポン
プ66を作動し(s2)、レジスト液を吐出経路に沿っ
て流し込む(s3)。
【0078】このレジスト液の流入に伴い、供給配管6
3a〜63dやフィルタ65内の空気が順次押し出さ
れ、これら配管63a〜63d等には最初空気が流れ、
やがて泡を大量に含むレジスト液が流れる。さらにレジ
スト液が流入すると、泡の量は徐々に減少していき、最
終的には泡をほとんど含まないレジスト液が配管63a
〜63dを流れ出す。このレジスト液の初期供給動作
は、レジスト液がレジストノズル67まで達するのを目
視により確認し、あるいはリキッドエンドセンサ64の
センサ出力によりセンサ64内にレジストが所定量以上
備蓄されたのを確認することにより終了が確認できる。
【0079】レジストが所定量備蓄されたのを確認した
後(s4)、レジストの吐出制御を開始する(s5)。
レジストの吐出制御は、上記レジスト液の流入動作とほ
ぼ同じであるが、吐出制御ではコントローラ73により
ポンプ66にステップ状の入力を与えてポンプ66を脈
動させ、かつ1回のポンプの駆動により供給配管63d
を介してノズル67から吐出されるレジスト量を例えば
4ccというように制御する。この場合、リキッドエン
ドセンサ64から供給されるレジスト量を5ccとする
と、残りの1ccのレジスト液は循環配管68を循環し
て吐出経路に戻る。500回の吐出動作を行ったことを
確認した後、レジスト液の泡抜制御を行う(s7)。そ
して、すべての吐出動作が終了したことを確認して(s
8)レジスト供給が終了する。
【0080】(吐出制御プロセス)吐出制御のより詳細
なプロセスを図12のフローチャートを用いて説明す
る。
【0081】吐出制御では吐出動作と吸入動作の2つに
分けられる。吸入動作の際には(s21)、フィルタ6
5を通過したレジスト液が供給配管63cを介して大量
にポンプ室81内に流れ込むとともに、気泡95も流れ
込む(s23)。供給配管63cを介してポンプ室81
に流れ込むレジスト量は例えば5ccである。この際、
循環配管68のエアオペレーティドバルブ70aは閉じ
ておく(s22)。このエアオペレーティドバルブ70
aの働きにより循環配管68の進路は塞がれ、バルブ7
0aよりも下流側までレジスト液が流れ込むことはな
い。また、供給配管63dはボールにより塞がれ、レジ
スト液が供給配管63dに流れ込むことはない(s2
4)。レジスト液中の気泡95は、レジスト液との比重
の差によりポンプ室81の上方に集中する。
【0082】ポンプ室81内に充分な量のレジスト液が
流入されると、吸入動作を終了して(s25)次に吐出
動作に入る(s26)。吐出動作の際には、供給配管6
3dが開放されてレジスト液がレジストノズル67に達
する(s28)。供給配管63dに吐出されるレジスト
量は例えば4ccである。この吐出タイミングと同時に
エアオペレーティドバルブ70aを開栓しておく(s2
7)。これにより、循環配管68にもレジスト液が大量
の気泡95と共に流れ込む(s29)。ポンプ室81に
吸入されたレジスト量が5cc、吐出されるレジスト量
が4ccであるため、循環配管68に流れ込むレジスト
量は1ccである。この吐出タイミングではポンプ66
の供給配管63cはボール92aにより塞がれてレジス
ト液が流れ込むことはない(s30)。
【0083】循環配管68に流れ込むレジスト液は、吐
出ノズル67に達することができず、ポンプ室81内に
戻ったものが多く、比較的液圧は低くなっている。この
液圧の低くなったレジスト液は、フィルタ65周辺の供
給配管63b、63cに供給される。このように、液圧
の低くなったレジスト液では、もともと顕在化していた
気泡95のみならず、液圧の高い場合には溶存ガスとし
てレジスト液中に溶解していた気泡95が顕在化する。
これら顕在化した気泡95は、再びフィルタ65を通過
する。これにより、気泡95の一部を分離することがで
きる。(s31)。その後再びエアオペレーティドバル
ブ70aを閉栓して(s32)吐出動作が終了すると
(s33)、再び吸入動作が開始される(s21)。
【0084】上記吸入及び吐出動作におけるN2ガスに
よるレジストタンク62内のレジスト液の加圧は、ポン
プ66の吐出動作と同じタイミングで設定してもよく、
吐出動作以外のタイミングでは加圧してもしなくてもよ
い。
【0085】但し、常にレジスト液を加圧していると、
レジスト液中の液圧が高くなる。従って、レジスト液内
の溶存ガスを増加させることとなるため、例えばレジス
ト液の吸入動作と同じタイミング、あるいはそのタイミ
ングの一部で加圧を解除する。このタイミングで切換エ
アオペレーティドバルブ68bを切り換えてN2ガスを
ガス供給管68cを介して大気中に放出する。図13は
本実施形態のレジスト吐出制御中のN2ガスによる加圧
タイミングを示すタイミングチャートである。(a)は
吸入タイミング、(b)は吐出タイミング、(c)は加
圧タイミングを示す。横軸は時間、縦軸は(a)、
(b)に関してはレジスト量を、(c)に関しては加圧
量を示す。図13に示すように、t1からt3、t4か
らt7までのタイミングでポンプ66による吸入動作を
行い、t2からt5、t6からt8までのタイミングで
吐出動作を行う。この吐出タイミングのうち、吐出開始
時t2、t6よりもわずかに遅れたt2a、t6aで加
圧を開始し、吐出動作が終了する前のt5a,t8aで
加圧を終了する。
【0086】また、この吸入及び吐出動作におけるN2
ガス加圧は全く行わなくてもよい。この場合、レジスト
液の初期供給動作終了を確認(s4)した後に、バルブ
68bを切り換えて加圧を解除すればよい。
【0087】また、この吐出制御を行っている限り、す
べての気泡95をレジスト液を循環経路を経由させてフ
ィルタ65で除去するのは困難である。そこで、例えば
上記吐出動作を500回行った後に(s6)、泡抜制御
を行う(s7)。
【0088】泡抜制御のフローチャートを図14に示
す。
【0089】泡抜制御では、例えばポンプ66を停止し
て供給配管63cからポンプ66にレジスト液が流れ込
まない状態する(s41)。この状態では、上記吐出動
作で充分に低圧となったレジスト液が供給配管63bに
流れ込んでいる。次に、エアオペレーティドバルブ71
aを開栓するとともに、バルブ70aを閉栓する(s4
2)。その後、切換エアオペレーティドバルブ68bを
ガス供給管68b側に切り換えてレジストタンク62内
のレジスト液を加圧する(s43)。これにより、レジ
スト液中に顕在化した気泡をフィルタ65により分離
し、気泡を多く含むレジスト液をドレン配管71からド
レンタンク(図示せず)に放出する(s44)。なお、
一部のレジスト液は供給配管63dから吐出される。も
ちろん、供給配管63dに流れ込むレジスト液はフィル
タ65を通過した後であるため、気泡95はほとんど除
去されている。このレジスト液の放出の際、レジスト液
には充分な気泡が存在するため、レジスト液の無駄な廃
棄をほとんどなくすことができる。かつ、この泡抜動作
は多数回レジスト吐出制御を行った後に行うため、レジ
スト液をドレンタンクに廃棄するレジスト量を極力低減
することができる。なお、1回の泡抜制御で気泡95が
充分に除去されなかった場合には、再度泡抜動作を行っ
ても良い(s45)。この場合、例えばフィルタ65に
設けたセンサ(図示せず)により監視することにより気
泡量を確認し、泡抜動作が再度必要か否か判定すること
ができる。この判定をコントローラ73を用いて自動制
御で行っても良いことはもちろんである。
【0090】また、フィルタ65をポンプ66の吐出経
路上流側に設置しているため、気泡を含んだレジスト液
が再循環するのを極力防止することができる。
【0091】すべての吐出制御が終了したことを確認し
た後、レジスト供給は終了する。なお、すべての吐出制
御が終了していない場合には再び吐出制御を開始する。
【0092】なお、本実施形態では泡抜制御と吐出制御
を別個に行う場合を示したが、必ずしも泡抜制御を吐出
制御と別個独立に行う必要はない。吐出制御のみでも、
レジストの再循環及びフィルタリングにより、吐出動作
の度にレジスト液の気泡の顕在化を行うことができる。
吐出制御のみで泡抜を行う場合のフローチャートを図1
5に示す。図15に示すように、吐出制御のみで泡抜を
行う場合には、ポンプ66の吐出タイミングにエアオペ
レーティドバルブ71aを開栓し、その都度泡抜を行っ
ても良い。この場合、吐出タイミングのすべての時間で
エアオペレーティドバルブ71aを行う必要はなく、例
えば吐出タイミングに入ってからN2ガスによるレジス
ト液の加圧タイミングを経た後にエアオペレーティドバ
ルブ71aを開栓するようにしてもよい。
【0093】なお、この泡抜制御は、例えばフィルタ6
5等にセンサ(図示せず)を設け、このセンサ出力から
気泡量を算出してその算出値が所定量を超えた場合に行
うものでもよい。この場合のレジスト供給動作は図16
に示すフローチャートで示される。
【0094】(第2実施形態)図17は本発明の第2実
施形態に係る基板処理装置を説明するための図である。
なお、この第2実施形態が上記第1実施形態と共通する
部分についての詳細な説明は省略し、同一の構成には同
一符号を付す。第1実施形態ではフィルタを気泡及び溶
存ガスの除去用に用いたが、本実施形態は、トラップタ
ンクをレジスト液の循環経路に設けてレジスト液中の気
泡及び溶存ガスを除去する。
【0095】(処理液供給装置の構成)図17に示すよ
うに、レジスト(処理液)供給装置80は、収容容器と
してのレジストタンク62を有し、このレジストタンク
62から供給されるレジスト液の吐出経路としての供給
配管63a,112,113,114,115に沿っ
て、リキッドエンドセンサ64、レジスト液中に気泡の
分離及び除去を行うトラップタンク111、レジスト液
の吐出及び吸入を行うポンプ66、気泡の脱泡や懸濁粒
状物等の異物を分離及び除去するフィルタ65、及びレ
ジスト液を吐出するレジストノズル67が吐出経路の上
流側から下流側に順に設けられている。
【0096】レジストタンク62とリキッドエンドセン
サ64は供給配管63aにより連通され、リキッドエン
ドセンサ64とトラップタンク111は供給配管112
により連通され、トラップタンク111とポンプ66は
供給配管113により連通され、ポンプ66とフィルタ
65は供給配管114により連通され、フィルタ65と
レジストノズル67は供給配管115により連通されて
いる。
【0097】また、レジストタンク62には、レジスト
液中の気泡の発生を防止すべく、タンク62内のレジス
ト液を加圧するためのN2ガス供給機構68がガス供給
管68aを介して接続されている。また、ガス供給管6
8aには切換エアオペレーティドバルブ68bが取り付
けられており、切換操作によりタンク62内に供給する
経路とは異なる経路にガス供給管68cを介してN2
スを導くことができるようになっている。ガス供給管6
8cに導かれたN2ガスはレジスト塗布ユニット(CO
T)外あるいはクリーンルーム外に放出される。なお、
エアオペレーティドバルブ68bの詳細な切換動作は図
6(b)及び(c)と同様である。
【0098】(ポンプ、循環系の構成)ポンプ66は、
底壁、側周壁及び天井壁により周囲を規定されている。
ポンプ66は吸入されるレジスト液を受け入れる吸入口
66aと、レジスト液を吐出してレジストノズル67に
供給する吐出口66bを有し、この吸入口66aから吐
出口66bへのレジスト液の流路によりレジスト液の吐
出経路が設定される。さらに、ポンプ66はポンプ66
内からレジスト液を放出させてレジスト液を循環させる
ための循環口66cが設けられている。この循環口66
cには循環配管68の一端が連通している。この循環配
管68の他端はトラップタンク111の天井壁に連通し
ている。この循環配管68により、吐出経路とは異なる
経路である循環経路を規定している。なお、ポンプ66
に設けられた吸入口66a、吐出口66b、循環口66
cの上下方向の位置関係やポンプ66の詳細な構成、及
びポンプ室81内の詳細な構成は第1実施形態と同様に
規定されている。
【0099】(逆止弁の構成)レジスト液の吐出経路を
規定する供給配管63a、112、113、114、1
15には、逆止弁69a、116、117、118、1
19がそれぞれの配管に対応して設けられており、吐出
経路におけるレジスト液の逆流を防止する。また、循環
配管68には逆止弁70が設けられており、レジスト液
が循環方向とは逆方向に流れ込むのを防止する。
【0100】(フィルタの構成)フィルタ65内には、
供給配管63bから供給配管63cへの吐出経路を塞ぐ
多孔性部材65aが設けられている。この多孔性部材6
5aにより、レジスト液のみを孔に通過させ、レジスト
液中に混入する懸濁粒状物や気泡をレジスト液と分離す
ることができる。また、フィルタ65に連通する供給配
管114及び115で規定される吐出経路から分岐する
ように、ドレン配管71の一端がフィルタ65に連通し
ている。このドレン配管71の他端はドレンタンク(図
示せず)に連通しており、フィルタ65内の多孔性部材
65aにより分離された懸濁粒状物や気泡を含むレジス
ト液をドレンタンクに導く。このドレン配管71にはド
レンバルブ71bが取り付けられており、ドレン配管7
1を開閉する。
【0101】(リキッドエンドセンサの構成)リキッド
エンドセンサ64は、センサ(図示せず)を有する。こ
のセンサはセンサ64内の気泡の割合を測定する。気泡
はセンサ内の上部に集まるため、このようにセンサを設
けることにより、気泡がどれだけ溜まっているかを検出
することができる。また、リキッドエンドセンサ64の
上部にはさらにドレン配管72の一端が連通しており、
その他端はドレンタンク(図示せず)に連通し、気泡あ
るいは気泡を含むレジスト液をドレンタンクに導く。こ
のドレン配管72にはドレンバルブ72aが取り付けら
れており、ドレン配管72を開閉する。
【0102】(トラップタンクの構成)トラップタンク
111は、天井壁、側周壁及び底壁により周囲を規定さ
れるタンク本体111a、タンク本体111a内に設け
られ、本体111a内のレジスト液の液面を検出する上
部センサ111b及び下部センサ111cを有する。こ
れらセンサ111b,111cはそれぞれタンク本体1
11a内の上部及び下部の気泡の割合を測定する。気泡
はタンク本体111a内の上部に集まるため、このよう
にセンサをタンク本体111aの上下方向に2つ設ける
ことにより、気泡がどれだけ溜まっているかを3段階で
検出することができる。また、タンク本体111aの天
井壁にはさらにドレン配管120の一端が連通してお
り、その他端はドレンタンク(図示せず)に連通し、気
泡あるいは気泡を含むレジスト液をドレンタンクに導
く。このドレン配管120にはドレンバルブ120aが
取り付けられており、ドレン配管72を開閉する。
【0103】また、タンク本体111a内には、フィル
タ65内と同様に、供給配管112から供給配管113
への吐出経路を塞ぐように多孔性部材(図示せず)が設
けられている。この多孔性部材により、レジスト液のみ
を孔に通過させ、レジスト液中に混入する懸濁粒状物や
気泡をレジスト液と分離することができる。また、吐出
経路から分岐するように、ドレン配管120の一端がタ
ンク本体111aに連通している。このドレン配管12
0の他端はドレンタンク(図示せず)に連通しており、
多孔性部材により分離された懸濁粒状物や気泡を含むレ
ジスト液をドレンタンクに導く。このドレン配管120
にはエアオペレーティドバルブ82aが取り付けられて
おり、ドレン配管120を開閉する。
【0104】(コントローラの構成)ポンプ66はコン
トローラ73に接続されており、レジスト液吐出動作及
び循環動作を制御する。また、上部センサ111b、下
部センサ111c及び切換エアオペレーティドバルブ6
8bはコントローラ73に接続されている。これらセン
サ111b,111cから得られる気泡量はコントロー
ラ73に出力され、切換エアオペレーティドバルブ68
bの流路をガス供給管68c側からガス供給管68b側
に切換、N2加圧による泡抜操作が行われる。さらに、
バルブ67a,70a,71b,72a、120aはコ
ントローラ73に接続され、吐出動作あるいは泡抜動作
時に各配管の開閉制御を行う。なお、特に言及されない
限り他のコントローラ73の機能は第1実施形態と共通
するので省略する。
【0105】(循環系の構成)このように、レジストタ
ンク62から供給配管63bを介して供給されるレジス
ト液は、トラップタンク111、供給配管113、ポン
プ66、循環配管68を経由して再びトラップタンク1
11に戻る循環経路が設けられている。この循環経路を
流れるレジスト液と、ポンプ66の吐出口66bから吐
出されるレジスト液との比率は適宜コントローラ73に
より設定可能である。例えば吐出動作を行っている際に
レジストタンク62から供給されるレジスト液が4ml
/minである場合、循環配管68を1ml/minの
レジスト液が循環する構成をとることができる。また、
気泡が多い場合には、循環するレジスト液の比率を高め
ることにより、気泡を効率的に除去することができる。
このようなレジスト液の供給速度は、内蔵するステッピ
ングモータ85で調節可能である。
【0106】(レジスト供給プロセス)次に、本実施形
態に係るレジスト供給フローを図18に沿って説明す
る。なお、レジスト供給プロセスの概略的フローは図1
1と共通するので説明は省略する。
【0107】図18は本実施形態に係るレジスト液の吐
出制御8に関するフローチャートを示す図である。この
吐出制御は吐出動作と吸入動作の2つに分けられる。
【0108】吸入動作の際には(s81)、トラップタ
ンク111を通過したレジスト液が供給配管113を介
して大量にポンプ室81内に流れ込む(s83)。供給
配管113を介してポンプ室81に流れ込むレジスト量
は例えば5ccである。この際、循環配管68のエアオ
ペレーティドバルブ70aは閉じておく(s82)。ま
た、供給配管114はボールにより塞がれ、レジスト液
が供給配管114に流れ込むことはない(s84)。レ
ジスト液中の気泡95は、レジスト液との比重の差によ
りポンプ室81の上方に集中する。
【0109】ポンプ室81内に充分な量のレジスト液が
流入されると、吸入動作を終了して(s85)吐出動作
に入る(s86)。吐出動作の際には、供給配管114
が開放されてレジスト液がレジストノズル67に達する
(s88)。供給配管114に吐出されるレジスト量は
例えば4ccである。この吐出タイミングと同時にエア
オペレーティドバルブ70aを開栓しておく(s8
7)。
【0110】また、この吐出タイミングでは、そのタイ
ミングに合わせて適宜バルブ71bを開栓して気泡や懸
濁粒状物を除去する(s89)。このステップs89
は、例えばフィルタ65に気泡量等を検出するセンサ
(図示せず)を設け、このセンサ出力に基づいて必要に
なった際に行っても、または目視により確認して必要か
否かを確認して適宜行えばよい。また、このフィルタ6
5でのレジスト液の排出は、泡抜制御時に同時に行うも
のでもよい。このような工程を経て循環配管68にレジ
スト液が大量の気泡95とともに流れ込む(s90)。
ポンプ室81に吸入されたレジスト量が5cc、吐出さ
れるレジスト量が4ccであるため、循環配管68に流
れ込むレジスト量は1ccである。
【0111】この吐出タイミングではポンプ66の供給
配管114はボール92aにより塞がれてレジスト液が
流れ込むことはない(s91)。循環配管68流れ込む
レジスト液の気泡95の一部はトラップタンク111に
より捕捉される。これにより、気泡95の一部を分離す
ることができる(s92)。その後再びエアオペレーテ
ィドバルブ70aを閉栓して(s93)吐出動作が終了
すると(s94)、再び吸入動作が開始される(s8
1)。
【0112】なお、レジストタンク62のN2加圧タイ
ミングは、第1実施形態と同様である。
【0113】次に、上記吐出制御を500回行った後
に、トラップタンク111に捕捉された気泡95を分離
及び除去する泡抜制御を行う。本実施形態における泡抜
制御は第1実施形態と同様に、レジストタンク62内の
レジスト液をN2加圧してトラップタンク111から気
泡95を含むレジスト液を押し出す。この泡抜制御は第
1実施形態の図14に示したステップに沿って行われ
る。なお、本実施形態の場合、トラップタンク111に
はセンサ111b,111cが設けられているため、泡
抜が充分に行われたか否かを容易に確認することができ
る。例えば、センサ111cで気泡量が大量に蓄積され
たことを確認した場合に、少なくともセンサ111bで
気泡量が少ないと確認できる程度まで泡抜を行う。
【0114】このように本実施形態によれば、第1実施
形態と同様の効果を奏する上、フィルタ65によりさら
に泡抜が行える。従って、第1実施形態よりも気泡量を
低減できる。また、トラップタンク111により気泡量
を確認しながら泡抜が行えるため、確実な泡抜制御が可
能となり、大量の気泡を含むレジスト液が供給される危
険性がなくなる。
【0115】本発明は上記実施形態に限定されるもので
はない。上記実施形態ではレジスト液の吐出動作及び循
環動作を制御するポンプ66に設けられる吸入口66
a、循環口66cをポンプ66の天井壁に、吐出口66
cを底壁に配設する場合を示したが、これに限定される
ものではないことはもちろんである。
【0116】吸入口66aに対して吐出口66cがポン
プ66の下側に配設される場合であれば、例えば両者と
もポンプ66の側周壁に配設されてもよい。また、ポン
プ66は底壁、側周壁及び天井壁で周囲を規定されるも
のに限らず、他の構成でもよいことはもちろんである。
この場合、吸入口66aに対して吐出口66cがポンプ
66の下側に配設され、かつ循環口66bが吐出口66
cよりもポンプ66上側に配設される構成であれば、気
泡の除去効率を高く保持することができる。
【0117】例えば、循環配管68の開口がポンプ室8
1のなかで最も高いところに位置するようにポンプ室8
1を水平面に対して1〜20°傾斜させるようにしても
よい。この場合、気泡95は循環配管68を介してさら
に速やかにポンプ室81から排出されるようになる。さ
らには、図7〜図10に示されるポンプ室81を水平面
に対して90°傾斜させるようにしても良い。
【0118】また、ポンプ66としてはチューブフラム
方式のポンプの他にベローズがポンプに直結されたベロ
ーズ方式のポンプを用いて同様の制御を行っても良いこ
とはもちろんである。
【0119】また、各ドレン配管はドレンタンクに通
じ、気泡等を含むレジスト液を廃棄する場合を示した
が、各ドレン配管をレジストタンクに戻してリサイクル
することも可能である。この場合、レジストの廃棄量が
さらに低減され、さらなるレジストの有効利用が可能と
なる。
【0120】また、第1実施形態のフィルタ65あるい
は第2実施形態のトラップタンク111のドレン配管に
設けられたバルブ71a,82aはドレン配管の開閉を
制御するものを示したが、これに限定されるものではな
く、開閉のみならず吐出・吸入及び泡抜の各タイミング
での流量を制御するものであってもよい。
【0121】さらに、本実施形態のフローチャートでは
説明の便宜のため、ポンプの吸入動作が終了してから吐
出動作が開始され、吐出動作が終了してから吸入動作が
開始される流れで示したが、これに限定されるものでは
ない。例えば、吸入動作が終了する前に吐出動作を開始
し、あるいは吐出動作が終了する前に吸入動作を開始し
てもよい。
【0122】さらに、上記実施形態ではレジスト液供給
装置に本発明を適用する場合を示したが、例えば、現像
液供給装置や、反射防止膜溶液(ARC液)塗布装置
等、低粘度の液を用いることにより気泡の発生が問題と
なるすべての液処理系ユニットに適用可能である。
【0123】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、処
理液中に含まれる気泡を効率的に除去することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体
構成を示す図。
【図2】同実施形態に係る基板処理装置の正面図。
【図3】同実施形態に係る基板処理装置の背面図。
【図4】同実施形態に係るレジスト塗布ユニット(CO
T)の全体構成を示す縦断面図。
【図5】同実施形態に係るレジスト塗布ユニット(CO
T)の全体構成を示す平面図。
【図6】同実施形態に係るレジスト供給装置の処理液供
給系統を示す模式図。
【図7】同実施形態に係るポンプの吸入動作時の詳細な
構成を示す図。
【図8】同実施形態に係るポンプの吐出動作時の詳細な
構成を示す図。
【図9】同実施形態に係るポンプ室内の吸入動作時の詳
細な構成を示す図。
【図10】同実施形態に係るポンプ室内の吐出動作時の
詳細な構成を示す図。
【図11】同実施形態に係るレジスト供給動作のフロー
チャートを示す図。
【図12】同実施形態に係る吐出制御のフローチャート
を示す図。
【図13】同実施形態に係る吐出制御におけるタイミン
グチャートを示す図。
【図14】同実施形態に係る泡抜制御のフローチャート
を示す図。
【図15】同実施形態の変形例に係るレジスト供給動作
のフローチャートを示す図。
【図16】同実施形態の変形例に係るレジスト供給動作
のフローチャートを示す図。
【図17】本発明の第2実施形態に係るレジスト供給装
置の処理液供給系統を示す模式図。
【図18】同実施形態に係るレジスト供給動作のフロー
チャートを示す図。
【符号の説明】
1…塗布現像処理システム、11…カセットステーショ
ン、12…プロセス処理部、13…インターフェース
部、14…載置台、14a…突起、14b…スライドス
テージ、15…第1のサブアーム機構、15a…アー
ム、16…メインアーム機構、17…ガイド、18…メ
インアーム、19…第2のサブアーム機構、41…スピ
ンチャック、42…駆動モータ、43…ユニット底板、
44…開口、45…フランジ部材、46…昇降移動手
段、47…昇降ガイド手段、48…レジストノズル、4
8a…レジスト供給管、49…レジストノズルスキャン
アーム、50…ノズル保持体、51…ガイドレール、5
2…垂直支持部材、53…レジストノズル待機部、54
…溶媒雰囲気室の口、55…リンスノズルスキャンアー
ム、56…垂直支持部材、61…レジスト供給装置、6
2…レジストタンク、63a〜63d…供給配管、64
…リキッドエンドセンサ(L/E)、64a…上部セン
サ、64b…下部センサ、65…フィルタ、66…ポン
プ、66a…吸入口、66b…吐出口、66c…循環
口、67…レジストノズル、68…循環配管、68a…
ガス供給管、68b…切換エアオペレーティドバルブ、
68c…ガス供給管、68d…第1流路、68e…第2
流路、69a〜69d,70…逆止弁、71,72…ド
レン配管、71a…エアオペレーティドバルブ、72a
…ドレンバルブ、73…コントローラ、81…ポンプ
室、82…弾性隔膜、83…ベローズ部、84…圧力伝
達媒体、85…ステッピングモータ、86…エンコー
ダ、87…センサ、88…ボールスクリュー、88a…
可動支持部、88b、スクリュー部材、88c…支持部
材、88d…シャッタ部材、89…電源、90a〜90
c…ベルト機構、91a…側周壁、91b…底壁、91
c…天井壁、91d…凹所、91e…泡集合部、92…
逆流防止弁、92a…ボール、92b…入口、92c…
ボール収納室、92d…ストッパ、92e…出口、93
…チューブフラム、94…逆流防止弁、95…気泡、1
11…トラップタンク、111a…タンク本体、111
b…上部センサ、111c…下部センサ、112,11
3,114,115…供給配管、116,117,11
8,119…逆止弁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/30 569A (72)発明者 榎本 昌弘 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 Fターム(参考) 2H025 AA18 EA04 4D011 AA08 AD03 AD06 4D075 AC74 AC84 4F042 AA07 BA12 CA01 CA07 CB02 CB03 CB19 CB20 CB25 EB18 5F046 JA02 JA03 LA03 LA04

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理基板に処理液を吐出する吐出ノズ
    ルと、 前記処理液を収容する収容容器と、 前記吐出ノズルと前記容器とを結ぶ供給配管と、 前記供給配管に配設されたポンプと、 前記ポンプの作動を制御するポンプ駆動機構と、 一端が前記容器と前記ポンプとの間の配管から分岐し、
    他端が前記ポンプに配設された循環配管と、 前記供給配管途中であって前記循環配管の一端と他端の
    間に配設され、前記処理液を濾過して異物を除去するフ
    ィルタと、 このフィルタにより濾過され異物を含む処理液を排出す
    るドレン配管と、 このドレン配管に配設され、前記フィルタから排出され
    る処理液の流量を制御するバルブとを具備してなること
    を特徴とする処理液供給装置。
  2. 【請求項2】 前記収容容器内の処理液を加圧する加圧
    手段と、この加圧手段による加圧タイミングで前記バル
    ブを開栓するコントローラをさらに有することを特徴と
    する請求項1に記載の処理液供給装置。
  3. 【請求項3】 前記ポンプの下流側であって前記吐出ノ
    ズルよりも上流側に配設され、処理液中の気泡を除去す
    る除去部をさらに具備することを特徴とする請求項1に
    記載の処理液供給装置。
  4. 【請求項4】 前記ポンプは、前記循環配管に連通する
    循環口と、前記供給配管の下流側に連通する吐出口と、
    前記供給配管の上流側に連通する吸入口とを有し、前記
    ポンプ駆動機構は、吸入タイミングで前記吐出口を塞
    ぎ、吐出タイミングで前記吸入口を塞ぐと共に前記循環
    配管に前記処理液を供給するものであることを特徴とす
    る請求項1に記載の処理液供給装置。
  5. 【請求項5】 前記循環配管には、吸入タイミングで前
    記ポンプ内に蓄積した処理液のうち、吐出タイミングで
    前記吐出口から吐出する吐出量と循環配管に残りの処理
    液を循環させる循環量を制御する循環量制御部が設けら
    れてなることを特徴とする請求項4に記載の処理液供給
    装置。
  6. 【請求項6】 前記フィルタは、処理液中の異物を捕捉
    する多孔性部材を有することを特徴とする請求項1に記
    載の処理液供給装置。
  7. 【請求項7】 前記フィルタは、少くとも1つの液面を
    検出する液面検出部を有し、この液面検出部から検出さ
    れた前記フィルタ内の液位に基づいて泡抜動作の必要の
    有無を判定することを特徴とする請求項1に記載の処理
    液供給装置。
  8. 【請求項8】 前記循環口は、前記吐出口よりも前記ポ
    ンプの上部に開口していることを特徴とする請求項4に
    記載の処理液供給装置。
  9. 【請求項9】 被処理基板に処理液を吐出する吐出ノズ
    ルと、前記処理液を収容する収容容器と、前記吐出ノズ
    ルと前記容器とを結ぶ供給配管と、前記供給配管に配設
    されたポンプと、前記ポンプの作動を制御するポンプ駆
    動機構と、一端が前記容器と前記ポンプとの間の配管か
    ら分岐し、他端が前記ポンプに配設された循環配管と、
    前記供給配管途中であって前記循環配管の一端と他端の
    間に配設され、前記処理液を濾過して異物を除去するフ
    ィルタと、このフィルタにより濾過され異物を含む処理
    液を排出するドレン配管と、このドレン配管に配設さ
    れ、前記フィルタから排出される処理液の流量を制御す
    るバルブとを準備する工程と、 前記収容容器から前記ポンプに処理液を吸入する吸入工
    程と、 前記ポンプに吸入された処理液を前記吐出ノズルに吐出
    するとともに、前記循環配管に処理液を循環させて前記
    フィルタで処理液中の気泡の少なくとも一部を分離する
    吐出工程とを有することを特徴とする処理液供給方法。
  10. 【請求項10】 請求項9に記載の処理液供給方法はさ
    らに、 前記収容容器を加圧するとともに前記処理液を前記フィ
    ルタで濾過して気泡を含む処理液を前記ドレン配管から
    排出する泡抜工程を有することを特徴とする処理液供給
    方法。
  11. 【請求項11】 前記泡抜工程は、前記吐出工程中に行
    われることを盗聴とする請求項10に記載の処理液供給
    方法。
  12. 【請求項12】 前記吸入工程又は吐出工程中に、前記
    供給配管中の処理液の気泡量を検出し、気泡量が所定量
    を超えた場合に前記泡抜工程を行うことを特徴とする請
    求項10に記載の処理液供給方法。
  13. 【請求項13】 前記泡抜工程中であって前記収容容器
    の加圧を開始する前のタイミングで前記バルブを開栓す
    ることを特徴とする請求項10に記載の処理液供給方
    法。
  14. 【請求項14】 前記気泡量は、前記フィルタに設けら
    れた液面センサで検出することを特徴とする請求項12
    に記載の処理液供給方法。
  15. 【請求項15】 前記ポンプは、前記循環配管に連通す
    る循環口と、前記供給配管の下流側に連通する吐出口
    と、前記供給配管の上流側に連通する吸入口とを有し、
    前記ポンプ駆動機構は、吸入タイミングで前記吐出口を
    塞ぎ、吐出タイミングで前記吸入口を塞ぐと共に前記循
    環配管に前記処理液を供給するものであることを特徴と
    する請求項9に記載の処理液供給方法。
  16. 【請求項16】 前記循環配管は、該配管を流れる処理
    液の流量を制御する流量制御部を有し、この流量制御部
    により、吸入タイミングで該ポンプ内に蓄積した処理液
    のうち、吐出タイミングで前記吐出口から吐出する吐出
    量と循環配管に残りの処理液を循環させる循環量を制御
    することを特徴とする請求項15に記載の処理液供給方
    法。
JP2000087342A 2000-03-27 2000-03-27 処理液供給装置及び処理液供給方法 Expired - Lifetime JP3706294B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000087342A JP3706294B2 (ja) 2000-03-27 2000-03-27 処理液供給装置及び処理液供給方法
US09/816,457 US6578772B2 (en) 2000-03-27 2001-03-26 Treatment solution supply apparatus and treatment solution supply method
KR1020010015726A KR100583089B1 (ko) 2000-03-27 2001-03-26 처리액 공급장치 및 처리액 공급방법
TW090107081A TW497168B (en) 2000-03-27 2001-03-26 Treatment solution supply apparatus and treatment solution supply method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000087342A JP3706294B2 (ja) 2000-03-27 2000-03-27 処理液供給装置及び処理液供給方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001269608A true JP2001269608A (ja) 2001-10-02
JP3706294B2 JP3706294B2 (ja) 2005-10-12

Family

ID=18603364

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000087342A Expired - Lifetime JP3706294B2 (ja) 2000-03-27 2000-03-27 処理液供給装置及び処理液供給方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6578772B2 (ja)
JP (1) JP3706294B2 (ja)
KR (1) KR100583089B1 (ja)
TW (1) TW497168B (ja)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003347205A (ja) * 2002-03-19 2003-12-05 Tokyo Electron Ltd 処理液供給機構および処理液供給方法
JP2004095535A (ja) * 2002-07-09 2004-03-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置及びそれを用いた発光装置の作製方法
JP2007273568A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Hitachi High-Technologies Corp 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法
JP2007305765A (ja) * 2006-05-11 2007-11-22 Tokyo Electron Ltd 処理液供給システム、処理液供給方法、処理液供給プログラム及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2009500172A (ja) * 2005-07-11 2009-01-08 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. 泡からの液体及び気体の分離
KR100929526B1 (ko) * 2002-03-19 2009-12-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리액 공급기구 및 처리액 공급방법
KR100934364B1 (ko) 2007-12-07 2009-12-30 세메스 주식회사 약액 공급 장치
US7744438B2 (en) 2002-07-09 2010-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Production apparatus and method of producing a light-emitting device by using the same apparatus
WO2011058792A1 (ja) * 2009-11-11 2011-05-19 株式会社コガネイ 薬液供給装置および薬液供給方法
JP5409957B1 (ja) * 2012-12-20 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び液処理用記憶媒体
CN103567110A (zh) * 2012-08-03 2014-02-12 东京毅力科创株式会社 处理液供给装置的运转方法和处理液供给装置
KR20150039565A (ko) * 2013-10-02 2015-04-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법
JP2015088702A (ja) * 2013-11-01 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法
JP2015144318A (ja) * 2015-04-21 2015-08-06 東京エレクトロン株式会社 フィルタウエッティング方法、フィルタウエッティング装置及び記憶媒体
JP2015175895A (ja) * 2014-03-13 2015-10-05 セイコーインスツル株式会社 現像装置
JP2016197710A (ja) * 2015-04-03 2016-11-24 キヤノン株式会社 インプリント材吐出装置
CN106179871A (zh) * 2014-09-26 2016-12-07 斯克林集团公司 涂布装置及清洗方法
US9975073B2 (en) 2012-10-09 2018-05-22 Tokyo Electron Limited Processing liquid supply method, processing liquid supply apparatus and storage medium
JP7459628B2 (ja) 2020-04-03 2024-04-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置の運転方法及び液処理装置

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120127755A (ko) * 2002-12-10 2012-11-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
JP4464063B2 (ja) * 2003-03-24 2010-05-19 日本電産株式会社 スピンドルモータ製造方法及び製造装置
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7371022B2 (en) 2004-12-22 2008-05-13 Sokudo Co., Ltd. Developer endpoint detection in a track lithography system
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
JP4985191B2 (ja) * 2006-08-15 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 バッファタンク、中間貯留装置、液処理装置及び処理液の供給方法
JP5231028B2 (ja) * 2008-01-21 2013-07-10 東京エレクトロン株式会社 塗布液供給装置
JP4418001B2 (ja) 2008-03-12 2010-02-17 三井造船株式会社 原料供給装置
JP5840894B2 (ja) 2011-08-19 2016-01-06 株式会社荏原製作所 基板処理装置及び基板処理方法
US10537914B2 (en) 2011-11-02 2020-01-21 Laser Bonding Tech Inc. Metering device for the manually-controlled metering of a light-curing material, kit, and method
JP5439579B2 (ja) * 2012-02-27 2014-03-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP6032190B2 (ja) * 2013-12-05 2016-11-24 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体
TWI585539B (zh) * 2014-05-15 2017-06-01 東京威力科創股份有限公司 用以在光阻分配系統中增進再循環及過濾的方法及設備
JP5684426B1 (ja) * 2014-09-30 2015-03-11 株式会社フジクラ 光ファイバ再被覆装置
BR112017011680B1 (pt) * 2014-12-01 2022-07-05 Ecolab Usa Inc Bomba de diafragma para uso como uma bomba de dosagem de detergente, sistema de dosagem compreendendo a dita bomba e método para controlar a mesma
JP6966265B2 (ja) * 2017-08-31 2021-11-10 株式会社Screenホールディングス ポンプ装置、処理液供給装置、基板処理装置、液抜き方法および液置換方法
JP6905902B2 (ja) * 2017-09-11 2021-07-21 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置
CN112786499B (zh) * 2021-03-11 2021-12-17 长江存储科技有限责任公司 供液装置
CN115502052A (zh) * 2022-09-29 2022-12-23 颀中科技(苏州)有限公司 适于高粘度光阻的缓冲装置与光阻供液系统
CN116995003B (zh) * 2023-09-28 2023-12-15 威海奥牧智能科技有限公司 基于空气泵的芯片刻蚀清洗液内循环控制系统和方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3826426A (en) * 1973-05-30 1974-07-30 G Bonvicini Motor-driven spraying machine to be carried on the worker{40 s back
US3901184A (en) * 1974-07-23 1975-08-26 Continental Can Co Pneumatic powder flow diverting device
JPS5620052Y2 (ja) * 1975-07-21 1981-05-13
US4015613A (en) * 1975-10-17 1977-04-05 Papworth Charles A Tank cleaning apparatus
US4516725A (en) * 1982-09-30 1985-05-14 501 Binks Manufacturing Co. Dual component pumping system
US5648221A (en) * 1993-06-14 1997-07-15 Nikon Corporation Optical inspection method
US5565034A (en) * 1993-10-29 1996-10-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate
DE69814710T2 (de) * 1997-03-03 2004-03-18 Tokyo Electron Ltd. Beschichtungs-Vorrichtung und Verfahren

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003347205A (ja) * 2002-03-19 2003-12-05 Tokyo Electron Ltd 処理液供給機構および処理液供給方法
KR100929526B1 (ko) * 2002-03-19 2009-12-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리액 공급기구 및 처리액 공급방법
JP2004095535A (ja) * 2002-07-09 2004-03-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置及びそれを用いた発光装置の作製方法
US8197295B2 (en) 2002-07-09 2012-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Production apparatus and method of producing a light-emitting device by using the same apparatus
US7744438B2 (en) 2002-07-09 2010-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Production apparatus and method of producing a light-emitting device by using the same apparatus
JP4628656B2 (ja) * 2002-07-09 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の製造装置及び発光装置の作製方法
US7922554B2 (en) 2002-07-09 2011-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Production apparatus and method of producing a light-emitting device by using the same apparatus
JP2009500172A (ja) * 2005-07-11 2009-01-08 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. 泡からの液体及び気体の分離
JP4669045B2 (ja) * 2005-07-11 2011-04-13 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. 泡からの液体及び気体の分離
JP4703467B2 (ja) * 2006-03-30 2011-06-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法
JP2007273568A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Hitachi High-Technologies Corp 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法
JP2007305765A (ja) * 2006-05-11 2007-11-22 Tokyo Electron Ltd 処理液供給システム、処理液供給方法、処理液供給プログラム及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR100934364B1 (ko) 2007-12-07 2009-12-30 세메스 주식회사 약액 공급 장치
JP2011101851A (ja) * 2009-11-11 2011-05-26 Koganei Corp 薬液供給装置および薬液供給方法
WO2011058792A1 (ja) * 2009-11-11 2011-05-19 株式会社コガネイ 薬液供給装置および薬液供給方法
CN103567110A (zh) * 2012-08-03 2014-02-12 东京毅力科创株式会社 处理液供给装置的运转方法和处理液供给装置
JP2014033111A (ja) * 2012-08-03 2014-02-20 Tokyo Electron Ltd 処理液供給装置の運転方法、処理液供給装置及び記憶媒体
US9975073B2 (en) 2012-10-09 2018-05-22 Tokyo Electron Limited Processing liquid supply method, processing liquid supply apparatus and storage medium
JP5453561B1 (ja) * 2012-12-20 2014-03-26 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び液処理用記憶媒体
JP5453567B1 (ja) * 2012-12-20 2014-03-26 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び液処理用記憶媒体
JP2014140029A (ja) * 2012-12-20 2014-07-31 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及び液処理用記憶媒体
JP2014140030A (ja) * 2012-12-20 2014-07-31 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及び液処理用記憶媒体
JP5409957B1 (ja) * 2012-12-20 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び液処理用記憶媒体
US10734251B2 (en) 2012-12-20 2020-08-04 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium for liquid process
KR20150039565A (ko) * 2013-10-02 2015-04-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법
JP2015072985A (ja) * 2013-10-02 2015-04-16 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法
KR102319897B1 (ko) 2013-10-02 2021-11-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법
JP2015088702A (ja) * 2013-11-01 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法
JP2015175895A (ja) * 2014-03-13 2015-10-05 セイコーインスツル株式会社 現像装置
CN106179871A (zh) * 2014-09-26 2016-12-07 斯克林集团公司 涂布装置及清洗方法
JP2016197710A (ja) * 2015-04-03 2016-11-24 キヤノン株式会社 インプリント材吐出装置
JP2020129671A (ja) * 2015-04-03 2020-08-27 キヤノン株式会社 インプリント材吐出装置
JP2015144318A (ja) * 2015-04-21 2015-08-06 東京エレクトロン株式会社 フィルタウエッティング方法、フィルタウエッティング装置及び記憶媒体
JP7459628B2 (ja) 2020-04-03 2024-04-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置の運転方法及び液処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100583089B1 (ko) 2006-05-23
JP3706294B2 (ja) 2005-10-12
US20010025890A1 (en) 2001-10-04
US6578772B2 (en) 2003-06-17
TW497168B (en) 2002-08-01
KR20010090572A (ko) 2001-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001269608A (ja) 処理液供給装置及び処理液供給方法
US11342198B2 (en) Processing liquid supplying apparatus and processing liquid supplying method
TW405170B (en) Coating apparatus and coating method
JP4879253B2 (ja) 処理液供給装置
TWI614064B (zh) 濾材潤濕方法、濾材潤濕裝置及記憶媒體
US8034167B2 (en) Buffer tank, intermediate accumulation apparatus, liquid treatment apparatus, and supplying method of treating liquid
JP5635452B2 (ja) 基板処理システム
KR101069455B1 (ko) 보호막 제거 장치, 약액의 회수 방법 및 기억 매체
KR100346659B1 (ko) 탈기장치, 탈기방법 및 처리장치
JP5018255B2 (ja) 薬液供給システム及び薬液供給方法並びに記憶媒体
KR102369120B1 (ko) 처리액 공급 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 및 처리액 공급 장치
TW201919772A (zh) 處理液供給裝置
JP4106017B2 (ja) 現像装置及び現像方法
JPWO2019117043A1 (ja) 液供給装置及び液供給方法
JP3189821U (ja) 処理液供給配管回路
EP0851301A1 (en) Liquid supplying device
JP2003347205A (ja) 処理液供給機構および処理液供給方法
JP4353628B2 (ja) 塗布装置
US7826032B2 (en) Circulation system for high refractive index liquid in pattern forming apparatus
JP3926589B2 (ja) 基板の現像処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050315

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050516

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050726

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050728

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3706294

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080805

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110805

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110805

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140805

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term