JP2001244139A

JP2001244139A - 薄膜コンデンサ及びその製造方法

Info

Publication number: JP2001244139A
Application number: JP2000052938A
Authority: JP
Inventors: Yusuke Tsutsumi; 祐介堤
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2000-02-29
Filing date: 2000-02-29
Publication date: 2001-09-07

Abstract

(57)【要約】【課題】誘電体薄膜の結晶相の不均一性を解消して、コ
ンデンサの静電容量のばらつきを解消でき、、低コスト
で、大容量化できる薄膜コンデンサ及び簡単、且つ確実
に形成することができる薄膜コンデンサの製造方法を提
供する。【解決手段】Ａｕを有する下部電極２と上部電極４との
間に、金属元素としてＰｂ、Ｍｇ、Ｎｂ、ＴｉおよびＺ
ｒを含有する誘電体薄膜３を介在させて成る薄膜コンデ
ンサにおいて、前記上部電極４は、誘電体薄膜３と接触
するＡｕからなる第１の電極層４１と、該第１の電極層
４１上に被着形成される第２の電極層４２とからなる薄
膜コンデンサである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば１μｍ以下
の誘電体薄膜を用いた薄膜コンデンサ及びその製造方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、２種以上の金属からなる複合
ペロブスカイト酸化物、特にＰｂ（Ｍｇ_1/3Ｎｂ_2/3）Ｏ
₃（以下、ＰＭＮという）は室温で大きな比誘電率を有
するため、コンデンサ材料として有用であることが知ら
れている。

【０００３】このようなＰＭＮ焼結体として、従来、Ｐ
ｂＯ粉末とＭｇＣＯ₃粉末とＮｂ₃Ｏ ₅粉末とを一括して
混合粉砕し、焼結する固相焼結法が知られている。しか
しながら、このような一括して混合粉砕する固相焼結法
によるＰＭＮ焼結体の作製では、ほぼペロブスカイト単
相からなる焼結体を得るのは困難であり、低温で安定な
パイロクロア相が生成し易く、また生成したパイロクロ
ア相は比誘電率が低いため、結果として焼結体の比誘電
率が低くなり、コンデンサを構成する誘電体材料として
不適当であると考えられていた。

【０００４】このため、従来、固相焼結法では、ＭｇＮ
ｂ酸化物（ＭｇＮｂ₂Ｏ₆）とＰｂ原料、およびＴｉ原料
を反応させるコランバイト法による合成が行われ、ほぼ
ペロブスカイト単相の焼結体を得ている。

【０００５】一方、近年、電子機器の小型、薄形化に伴
い、電子部品の小型化、薄膜化が要求されている。特に
受動部品であるコンデンサの小型、薄形化は必須となっ
ている。ＰＭＮ等の高誘電率材料を薄膜化し、薄膜コン
デンサに応用しようとされているが、従来の固相焼結法
では膜厚はせいぜい１０μｍ程度であった。

【０００６】そこで、本出願人は、先に、絶縁基板上
に、下部電極を被着形成し、この下部電極上に、Ｐｂ、
Ｍｇ、Ｎｂ、ＴｉおよびＺｒを有する前駆体溶液を塗布
・乾燥し、加熱処理してぺロブスカイト結晶構造を有す
る誘電体薄膜を形成し、この誘電体薄膜上に上部電極を
構成した薄膜コンデンサを提案した。そして、誘電体薄
膜を形成すべく加熱処理して、比誘電率が低いパイロク
ロア相が形成されても、誘電体薄膜の特性を劣化させな
いように、ぺロブスカイト粒子やパイロクロア粒子の粒
径などを制御していた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の薄膜コ
ンデンサは、ぺロブスカイト粒子やパイロクロア粒子の
粒径などを制御することは非常に難しく、前駆体溶液の
組成などを高精度に管理しなくてはならなかった。

【０００８】また、誘電体薄膜の形成において、前駆体
溶液を塗布・乾燥し、直ちに加熱処理している。このた
め、誘電体薄膜の下部電極側と上部表面側では、ぺロブ
スカイト結晶相が均一に形成されず、その結果、誘電体
薄膜の厚み方向でし比誘電率が相違してしまい、実質的
に異なる比誘電率の層が直列的接続されたことになり、
逆に誘電体薄膜の比誘電率を最大に引き出すことができ
なかった。

【０００９】これは、下部電極側ではその電極層の結晶
面に応じて、安定的にペロブスカイト相が生成されやす
く、逆に表面側は、前駆体溶液の塗布膜が大気に晒され
て加熱処理されるため、ペロブスカイト相が安定して形
成されにくいことに起因する。

【００１０】本発明は、上述の課題に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、誘電体薄膜の結晶相の不均一
性を解消して、コンデンサの静電容量のばらつきを解消
するとともに、低コストで、大容量化できる薄膜コンデ
ンサを提供するものである。

【００１１】また、このようなコンデンサを簡単、且つ
確実に形成することができる薄膜コンデンサの製造方法
を提供するものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、Ａｕからなる
下部電極と上部電極との間に、金属元素としてＰｂ、Ｍ
ｇ、Ｎｂ、ＴｉおよびＺｒを含有する誘電体薄膜を介在
させて成る薄膜コンデンサにおいて、前記上部電極は、
誘電体薄膜と接触するＡｕからなる第１の電極層と、該
第１の電極層上に被着形成される第２の電極層とからな
ることを特徴とする薄膜コンデンサである。

【００１３】好ましくは、前記第２の電極層は、Ａｇま
たはＣｕである。

【００１４】また、本発明は、上述の薄膜コンデンサの
製造方法であり、絶縁基板上に、Ａｕからなる下部電極
を被着形成する工程、前記下部電極上に、Ｐｂ、Ｍｇ、
Ｎｂ、ＴｉおよびＺｒを有する前駆体溶液を塗布・乾燥
し、誘電体塗布膜を形成する工程と、前記誘電体塗布膜
上に、上部電極を構成するＡｕからなる第１の電極層を
被着形成する工程と、前記誘電体塗布膜を加熱処理し
て、ぺロブスカイト結晶構造を有する誘電体薄膜を形成
する工程と、前記上部電極を構成する第１の電極層の上
面に、該上部電極を構成する第２の電極層を被着形成す
るを工程とから成る特徴とする薄膜コンデンサの製造方
法である。

【作用】本発明の薄膜コンデンサでは、上部電極が多層
構造となっており、好くなとも誘電体薄膜と接触するＡ
ｕからなる第１の電極層となっている。そしてこの第１
の電極層上に、第２の電極層が形成されている。

【００１５】従って、誘電体薄膜の上部電極において、
高価な材料であるＡｕの消費を減少させることができ、
低コスト化が可能となる。

【００１６】また、上部電極の第２の電極層として、Ａ
ｇやＣｕなどを用いることにより、第１の電極層との合
金化を有効に抑えることができ、合金により抵抗率の悪
化に伴う上部電極の高抵抗化を防止できる。

【００１７】また、製造方法、誘電体塗布膜を形成した
後、Ａｕからなる第１の電極層を被着形成した後、この
誘電体塗布膜を加熱処理している。即ち、誘電体塗布膜
の加熱処理時には、ペロブスカイト型結晶相の成長の成
長起点となるＡｕからなる電極層が被着されているた
め、安定したペロブスカイト型結晶層の成長が可能とな
る。また、この加熱処理時に、誘電体塗布膜は、実質的
に大気に晒されることがないことからも、安定してペロ
ブスカイト型結晶相を形成させることができる。

【００１８】従って、このような製法方法によって形成
された薄膜コンデンサでは、誘電体薄膜のペロブスカイ
ト型結晶相は、誘電体薄膜の下部電極側及び上部電極側
ともに安定成長し、もって、誘電体薄膜に均一な比誘電
率を有するようにすることができる。

【００１９】よって、誘電体薄膜の厚み方向で、異なる
比誘電率を有する結晶相が直列接続されることを有効に
抑えることができ、静電容量を最大限に導出することが
できる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の薄膜コンデンサ及
びその製造方法を図面に基づいて詳説する。

【００２１】図１は、本発明の薄膜コンデンサの断面図
を示す。

【００２２】図において、１は絶縁基板であり、２は下
部電極であり、３は誘電体薄膜であり、４は上部電極で
ある。下部電極２は、基板側の第１の電極層２１と、誘
電体薄膜３と接触する側の第２の電極層２２とから構成
される。また、上部電極４は、誘電体薄膜３と接触する
側の第１の電極層４１と、第２の電極層４２とから構成
される。そして、誘電体薄膜３は、厚み方向に渡って略
均一に分布するペロブスカイト型結晶粒子とからなって
いる。

【００２３】絶縁基板１は、アルミナなどのセラミック
基板、サファイアなどの単結晶基板である。

【００２４】絶縁基板１表面には、下部電極２が被着形
成されている。この下部電極２は、例えば、０．３μｍ
の厚みを有し、第１の電極層２１と第２の電極層２２と
からなっている。第１の電極層２１は、例えば、Ｔｉな
どから成り、その厚みは、例えば、０．１〜２μｍであ
る。また、第２の電極層２２はＡｕからなり、その厚み
は、例えば０．１〜２μｍであり、いずれも、スパッタ
りングなどの薄膜技法によって形成される。ここで、第
１の電極層２１は、Ａｕから成る第２の電極層２２を安
定的に形成するための下地層として作用する。また、第
２の電極層２２は、その表面の結晶面を（１１１）にす
ることが望ましく、これにより、誘電体薄膜３の所定結
晶層を安定的に形成することができる。

【００２５】このような下部電極２上には、誘電体薄膜
３が被着形成されている。この誘電体薄膜３は、金属元
素としてＰｂ、Ｍｇ、Ｎｂ、ＴｉおよびＺｒを含有する
有機化合物から成る前駆体溶液を塗布し、乾燥し、加熱
料によって形成される。その厚みは、例えば、０．５〜
１μｍである。

【００２６】このような誘電体薄膜３上には、下部電極
２と対向するように、上部電極４が被着形成されてい
る。この上部電極４は、例えば、０．３μｍの厚みを有
し、第１の電極層４１と第２の電極層４２とからなって
いる。第１の電極層４１は、Ａｕからなり、その厚み
は、〜０．１μｍの厚み、例えば、１００〜数１００Å
である。また、第２の電極層２２は、Ａｇ、Ｃｕなどか
らなり、その厚みは、この上部電極と実質に同じ厚みと
なっている。第１の電極層４１、第２の電極層４２は、
いずれも、スパッタリングなどの薄膜技法によって形成
される。

【００２７】ここで、第１の電極層４１は、誘電体薄膜
３の所定結晶相を上部側から安定的に成長されること、
さらに、誘電体薄膜３の製造するための加熱処理時、大
気を遮断するためである。また、第２の電極層４２は、
上部電極４として安定的な厚みを得るものであり、しか
も、ＡｇやＣｕで形成することにより、第１の電極層
（Ａｕ）との合金反応を抑制して、上部電極４の抵抗を
大きくすることを防止している。また、上部電極４全体
を高価なＡｕを用いることをなくし、低コスト化を達成
するためである。

【００２８】このような構造の薄膜コンデンサは、以下
の製造工程によって形成される。

【００２９】第１の工程では、絶縁基板１上に、Ａｕを
有する下部電極２を被着形成する工程である。

【００３０】実際には、第１の電極層２１として、Ｔｉ
を例えば３００℃でスパッタ蒸着により形成する。続い
て、第２の電極層２２として、Ａｕを例えば３００℃で
スパッタ蒸着により形成する。ここで、絶縁基板１上に
形成された下部電極２の表面となる電極層は、その結晶
表面が（１１１）となるように形成する。即ち、Ａｕを
有する下部電極２とは、少なくとも、誘電体薄膜３に接
触する電極層２２がＡｕで構成されていることであり、
例えば、第１の電極層２１及び第２の電極層２２の概念
をなくして、下部電極２全体をＡｕで形成しても構わな
い。

【００３１】第２の工程は、下部電極２上に、Ｐｂ、Ｍ
ｇ、Ｎｂ、ＴｉおよびＺｒを有する前駆体溶液を塗布・
乾燥し、誘電体薄膜３となる誘電体塗布膜を形成する工
程である。

【００３２】例えば、前駆体溶液は、Ｐｂ、Ｍｇ、Ｎ
ｂ、ＴｉおよびＺｒの有機金属化合物が均一に溶解した
前駆体溶液を調製する。

【００３３】具体的には、Ｍｇ及びＮｂの有機酸塩、無
機塩、アルコキシドから選択される少なくとも１種のＭ
ｇ化合物、Ｎｂ化合物を、Ｍｇ：Ｎｂを所定モル比で、
Ｒ1ＯＨ、Ｒ2 ＯＣ2 Ｈ4 ＯＨ、Ｒ3 ＣＯＯＨ（Ｒ1 、
Ｒ2 、Ｒ3 ：炭素数１以上のアルキル基）で示される溶
媒に混合する。混合後、所定の操作を行い、ＩＲスペク
トルにおいて６５６ｃｍ^-1付近に吸収を有し、他の求核
性の有機金属化合物の存在下においても安定なＭｇ−Ｏ
−Ｎｂ結合を有するＭｇＮｂ複合アルコキシド分子を合
成する。尚、ＩＲスペクトルにおいて６５６ｃｍ^-1付近
に吸収を有するＭｇＮｂ複合アルコキシド分子を得るに
は、以下のような方法がある。

【００３４】第１の方法として、ＭｇおよびＮｂのアル
コキシド原料を溶媒に混合し、溶媒の沸点まで溶液の温
度を上昇させ、例えば酸等の触媒の共存下で還流操作を
行うことにより、分子内での脱エーテル反応を促進する
方法。

【００３５】第２の方法として、上記のようにＭｇおよ
びＮｂのアルコキシド原料を溶媒に混合し、溶媒の沸点
まで溶液の温度を上昇させ、還流操作による複合化を行
った後、無水酢酸、エタノールアミン、アセチルアセト
ン等に代表される安定化剤を添加する方法。

【００３６】第３の方法として、Ｍｇのカルボン酸塩と
Ｎｂのアルコキシドとの還流操作により、分子内での脱
エステル反応を促進する方法。

【００３７】第４の方法として、Ｍｇの水酸化物とＮｂ
のアルコキシド、あるいはＭｇのアルコキシドとＮｂの
水酸化物の還流操作により、分子内での脱アルコール反
応を促進する方法。

【００３８】第５の方法として、鉛前駆体の求核性を小
さくする為、前述の無水酢酸，エタノールアミン、アセ
チルアセトン等の安定化剤を添加する方法。

【００３９】以上のいずれかの手法を用いることによ
り、他の求核性有機金属化合物の存在下においても安定
なＭｇ−Ｏ−Ｎｂ結合を有するＭｇＮｂ複合アルコキシ
ド分子を合成できる。これらのうちでも、第２の還流操
作後に安定化剤を添加する方法が最も望ましい。

【００４０】また、合成した上記ＭｇＮｂ複合アルコキ
シド溶液に水と溶媒の混合溶液を適下し、部分加水分解
を行い、前述のＭｇＮｂ複合アルコキシドが重縮合した
ＭｇＮｂゾルを形成させる。部分加水分解とは、分子内
のアルコキシル基の一部を水酸基と置換し、置換された
分子内での脱水、あるいは脱アルコール反応により、重
縮合させる方法である。

【００４１】次に、鉛（Ｐｂ）の有機酸塩、無機塩、ア
ルコキシドから選択される少なくとも１種の鉛化合物を
Ｒ1 ＯＨ、Ｒ2 ＯＣ2 Ｈ4 ＯＨ、Ｒ3 ＣＯＯＨ
（Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3：炭素数１以上のアルキル基）で示さ
れる溶媒に混合する。この時、鉛化合物が結晶水を含む
場合には、作製したＰｂ前駆体溶液中に水が存在しない
ように脱水処理する。

【００４２】作製したＰｂ前駆体溶液とＭｇＮｂ複合ア
ルコキシド溶液、あるいはＭｇＮｂゾルをＰｂ：（Ｍｇ
＋Ｎｂ）を所定モル比で混合し、ＰＭＮ前駆体溶液とす
る。

【００４３】Ｔｉの有機酸塩、アルコキシド等から選択
される１種のＴｉ化合物と前述したＰｂ前駆体溶液とを
Ｐｂ：Ｔｉを所定モル比で混合した後、還流操作を行い
ＰＴ前駆体溶液を合成する。

【００４４】同様にＺｒの有機酸塩、アルコキシド等か
ら選択される１種のＺｒ化合物と前述したＰｂ前駆体溶
液とをＰｂ：Ｚｒを所定モル比で混合した後、還流操作
を行いＰＺ前駆体溶液を合成する。

【００４５】前述のＰＭＮ前駆体溶液とＰＴ前駆体溶液
とＰＺ前駆体溶液をモル比でＰＭＮ：ＰＴ：ＰＺを所定
比率になる（１−ｘ−ｙ）：ｘ：ｙとなる様に混合し、
（１−ｘ−ｙ）ＰＭＮ−ｘＰＴ−ｙＰＺ前駆体溶液とす
る。

【００４６】または、Ｔｉの有機酸塩、アルコキシド等
から選択される１種のＴｉ化合物をＲ1 ＯＨ、Ｒ2 ＯＣ
2 Ｈ4 ＯＨ、Ｒ3 ＣＯＯＨ（Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 ：炭素数
１以上のアルキル基）で示される溶媒に混合し、Ｔｉ溶
液を作製する。同様にＺｒ溶液を作製する。作製したＴ
ｉ溶液、Ｚｒ溶液をＭｇＮｂ複合アルコキシド溶液、あ
るいはＭｇＮｂゾルと混合した後、アセチルアセトン等
のキレート剤を加え混合する。

【００４７】作製したＰｂ前駆体溶液もしくは酢酸Ｐｂ
・３水和物のような鉛（Ｐｂ）の有機酸塩と混合し、
（１−ｘ−ｙ）ＰＭＮ−ｘＰＴ−ｙＰＺ前駆体溶液とす
る。

【００４８】そして、上述のように形成した前駆体溶液
を、下部電極２上にスピンコート法、ディップコート
法、スプレー法等の手法により塗布する。

【００４９】塗布した後、３６０〜４００℃の間の温度
で１分間乾燥処理を行い、膜中に残留した有機物を燃焼
させゲル膜とする。１回の膜厚は０．１μｍ以下が望ま
しい。そして、上述の塗布−乾燥処理を繰り返して所定
の膜厚の誘電体塗布膜を形成する。尚、誘電体塗布膜の
膜厚は、後の加熱処理後、２μｍ以下となるようにする
ことが望ましい。

【００５０】第３の工程は、誘電体薄膜３となる誘電体
塗布膜上に、上部電極を構成するＡｕからなる第１の電
極層を被着形成する工程である。

【００５１】実際には、第１の電極層４１として、Ａｕ
をターゲットとして、例えば、３００℃でスパッタ蒸着
により形成する。その膜厚は、例えば、〜２００Åであ
る。これにより、実質的に誘電体塗布膜は、表面が大気
に晒されることが防止できる。

【００５２】第４の工程は、前記誘電体塗布膜を加熱処
理して、ぺロブスカイト結晶構造を有する誘電体薄膜を
形成する工程である。

【００５３】即ち、表面側に上部電極４の第１の電極層
４１が被着形成された誘電体塗布膜を、８２０〜８６０
℃で加熱処理を行う。これにより、誘電体塗布膜は、主
にペロブスカイト型結晶相を有する誘電体薄膜３とな
る。この誘電体薄膜３の膜厚は、上述のように２μｍ以
下とすることが望ましい。即ち、これより厚くなると、
上述の前駆体溶液の塗布−乾燥処理の工程数が増加する
ばかりでなく、薄膜コンデンサを構成した場合、容量が
小さくなるからである。

【００５４】第５の工程は、上部電極を構成する第２の
電極層４２を被着形成する工程である。

【００５５】第２の電極層４２は、ＡｇやＣｕなどのよ
うに、低抵抗材料で、且つ第１の電極層であるＡｕと合
金反応を起こしにくい材料が選択される。そして、例え
ば、Ｃｕを例えば３００℃でスパッタ蒸着により形成す
る。

【００５６】これにより、本発明の図１に示す薄膜コン
デンサが製造される。

【００５７】上述の製造方法において、第２の工程で、
前駆体溶液を塗布、乾燥して、誘電体塗布膜（乾燥ゲ
ル）を形成して、その後、第３の工程でＡｕからなる上
部電極４の第１の電極層４１を被着形成し、その後、第
４の工程で、誘電体塗布膜を加熱（焼成処理）してペロ
ブスカイト型結晶層を有する誘電体薄膜３を形成してい
る。

【００５８】ここで、第４の工程である加熱処理によ
り、誘電体塗布膜（乾燥ゲル）は誘電体薄膜３となる
が、誘電体塗布膜は、上下面がＡｕで挟持された状態で
結晶化する。即ち、従来において、下部電極２側の電極
層のみが結晶生成の反応種（面）として作用していた
が、本発明では、誘電体塗布膜の上下面が夫々結晶生成
の反応種（面）となるため、誘電体薄膜３の厚み方向で
安定してペロブスカイト型結晶相を生成することができ
る。これは、本発明の誘電体塗布膜の上面側が大気に晒
されることなく加熱焼成されることにも起因する。

【００５９】従って、本発明では、誘電体薄膜３の下部
側も上部側も結晶相が均一して成長し、部分的に比誘電
率が異なるようになることが有効に抑えられ、誘電体薄
膜３内で２種類のことなる比誘電率の層が直列接続され
るようなことが解消される。

【００６０】これにより、誘電体薄膜３において、その
静電容量を最大限に向上させることができ、薄型とあい
まって、大容量の薄膜コンデンサを得ることができる。

【００６１】また、誘電体塗布膜３の上部電極４のＡｕ
かち成る第１の電極層４１において、その膜厚が極端に
薄い。これは、高価なＡｕ材料の使用を削減するだけで
なく、誘電体塗布膜を加熱（焼成）した時に、誘電体塗
布膜の焼結収縮に対応できるようにするためである。こ
の収縮によって、第１の電極層４１にはクラックが発生
して、誘電体薄膜３内に収縮応力に伴う内部応力を残存
させないようにしている。特に、残存応力が内在する
と、薄膜コンデンサを実装基板に実装した時に、また、
長期的に使用した時、熱衝撃などにより変形してしま
う。本発明では、このような問題を解決できる。

【００６２】同時に、第５の工程で、第２の電極層４２
を形成している。これは、上部電極４として充分な厚み
を確保するものであり、これより、外部回路と安定的に
接続する事できる。

【００６３】また、上述したように、第１の電極層４１
でクラックが発生しても、この第２の電極層４２でクラ
ックを充填するようにして、安定した容量が得られるよ
うにしている。

【００６４】本発明者は、本発明の薄膜コンデンサと、
従来の薄膜コンデンサとにおいて、誘電体薄膜３部分の
断層ＳＥＭ写真を取り、また、Ｘ線回折測定により分析
した。その結果、本発明では、誘電体薄膜３の上部側に
生成されやすいパイロクロア型結晶相（低温で生成しや
すく低誘電体率）の存在率が、従来に比較して大幅に減
少したことを確認した。

【００６５】即ち、誘電体薄膜３内に均一に、ペロブス
カイト型結晶粒子が全量中７０〜９０体積％存在し、前
記パイロクロア型結晶粒子が全量中１０〜３０体積％存
在するものとなり、比誘電率を２５００以上、例えば、
２８００以上とすることができた。

【００６６】

【発明の効果】以上のように、薄膜コンデンサでは、誘
電体薄膜の結晶相の不均一性を解消して、コンデンサの
静電容量のばらつきを解消でき、、低コストで、大容量
化できる薄膜コンデンサとなる。

【００６７】また、このような薄膜コンデンサを簡単、
且つ確実に形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の薄膜コンデンサの断面図である。

【符号の説明】

１・・・絶縁基板２・・・下部電極２１・・・第１の電極層２２・・・第２の電極層３・・・誘電体薄膜４・・・上部電極４１・・・第１の電極層４２・・・第２の電極層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ａｕからなる下部電極と上部電極との間
に、金属元素としてＰｂ、Ｍｇ、Ｎｂ、ＴｉおよびＺｒ
を含有する誘電体薄膜を介在させて成る薄膜コンデンサ
において、前記上部電極は、誘電体薄膜と接触するＡｕからなる第
１の電極層と、該第１の電極層上に被着形成される第２
の電極層とからなることを特徴とする薄膜コンデンサ。
【請求項２】前記第２の電極層は、ＡｇまたはＣｕで
あることを特徴とする請求項１記載の薄膜コンデンサ。
【請求項３】絶縁基板上に、Ａｕからなる下部電極を被
着形成する工程、前記下部電極上に、Ｐｂ、Ｍｇ、Ｎｂ、ＴｉおよびＺｒ
を有する前駆体溶液を塗布・乾燥し、誘電体塗布膜を形
成する工程と、前記誘電体塗布膜上に、上部電極を構成するＡｕからな
る第１の電極層を被着形成する工程と、前記誘電体塗布膜を加熱処理して、ぺロブスカイト結晶
構造を有する誘電体薄膜を形成する工程と、前記上部電極を構成する第１の電極層の上面に、上部電
極を構成する第２の電極層を被着形成するを工程とから
成る特徴とする薄膜コンデンサの製造方法。