JP2001195140A - 過熱保護回路及びそれを備えた安定化電源回路 - Google Patents
過熱保護回路及びそれを備えた安定化電源回路Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、その回路構成を簡略するとともに十
分に過熱保護作用を行うことのできる過熱保護回路を提
供することを目的とする。 【解決手段】安定化電源回路内の温度上昇に伴って、ト
ランジスタＱ３，Ｑ４のベース・エミッタ間の閾値電圧
の大きさが小さくなる。よって、抵抗Ｒ３にかかる電圧
が高くなり、流れる電流が大きくなるため、抵抗Ｒ４に
流れる電流が大きくなり、トランジスタＱ６のベース・
エミッタ間の電圧が大きくなる。そして、トランジスタ
Ｑ６がＯＮするとともにトランジスタＱ７がＯＮして、
トランジスタＱ２のベース電流が遮断される。このと
き、トランジスタＱ９にトランジスタＱ５に流れる電流
と同量の電流が流れて、トランジスタＱ３，Ｑ５のベー
スにかかる基準電圧が高くなる。よって、安定化電源回
路内の温度がある程度低下したときに、初めて、トラン
ジスタＱ６，Ｑ７がＯＦＦとなり、トランジスタＱ２の
ベースに電流が流れるようになる。
分に過熱保護作用を行うことのできる過熱保護回路を提
供することを目的とする。 【解決手段】安定化電源回路内の温度上昇に伴って、ト
ランジスタＱ３，Ｑ４のベース・エミッタ間の閾値電圧
の大きさが小さくなる。よって、抵抗Ｒ３にかかる電圧
が高くなり、流れる電流が大きくなるため、抵抗Ｒ４に
流れる電流が大きくなり、トランジスタＱ６のベース・
エミッタ間の電圧が大きくなる。そして、トランジスタ
Ｑ６がＯＮするとともにトランジスタＱ７がＯＮして、
トランジスタＱ２のベース電流が遮断される。このと
き、トランジスタＱ９にトランジスタＱ５に流れる電流
と同量の電流が流れて、トランジスタＱ３，Ｑ５のベー
スにかかる基準電圧が高くなる。よって、安定化電源回
路内の温度がある程度低下したときに、初めて、トラン
ジスタＱ６，Ｑ７がＯＦＦとなり、トランジスタＱ２の
ベースに電流が流れるようになる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置の過熱保護回路に関するもので、特に、安定化電源回
路における過熱保護回路に関する。
置の過熱保護回路に関するもので、特に、安定化電源回
路における過熱保護回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の安定化電源回路に使用されている
過熱保護回路について、図３を参照して説明する。図３
に示す安定化電源回路は、電圧制御トランジスタとして
ｐｎｐ型トランジスタＱ１を備え、このトランジスタＱ
１のベース電流を制御することで、所定の出力電圧を得
る定電圧回路である。このトランジスタＱ１のエミッタ
が入力端子ＩＮに接続されるとともに、そのコレクタが
出力端子ＯＵＴに接続される。そして、このトランジス
タＱ１のコレクタは、分圧抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して接地
されている。
過熱保護回路について、図３を参照して説明する。図３
に示す安定化電源回路は、電圧制御トランジスタとして
ｐｎｐ型トランジスタＱ１を備え、このトランジスタＱ
１のベース電流を制御することで、所定の出力電圧を得
る定電圧回路である。このトランジスタＱ１のエミッタ
が入力端子ＩＮに接続されるとともに、そのコレクタが
出力端子ＯＵＴに接続される。そして、このトランジス
タＱ１のコレクタは、分圧抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して接地
されている。
【０００３】又、分圧抵抗Ｒ１，Ｒ２の接続ノードに差
動アンプＡの逆相入力端子ｂが接続されるととともに、
その正相入力端子ａに基準電圧発生回路５より与えられ
る基準電圧Ｖrefが印加される。この差動アンプＡの出
力端子には、トランジスタＱ１のベースにコレクタが接
続されるとともにエミッタが接地されたｎｐｎ型トラン
ジスタＱ２のベースが接続される。このように構成する
ことによって、抵抗Ｒ１，Ｒ２で分圧された電圧を帰還
電圧として用い、この帰還電圧と基準電圧Ｖrefを比較
し、トランジスタＱ２に流れるベース電流を加減する。
よって、トランジスタＱ２が、そのベース電流に応じて
出力端子ＯＵＴより出力される出力電圧を制御する。
動アンプＡの逆相入力端子ｂが接続されるととともに、
その正相入力端子ａに基準電圧発生回路５より与えられ
る基準電圧Ｖrefが印加される。この差動アンプＡの出
力端子には、トランジスタＱ１のベースにコレクタが接
続されるとともにエミッタが接地されたｎｐｎ型トラン
ジスタＱ２のベースが接続される。このように構成する
ことによって、抵抗Ｒ１，Ｒ２で分圧された電圧を帰還
電圧として用い、この帰還電圧と基準電圧Ｖrefを比較
し、トランジスタＱ２に流れるベース電流を加減する。
よって、トランジスタＱ２が、そのベース電流に応じて
出力端子ＯＵＴより出力される出力電圧を制御する。
【０００４】このような安定化電源回路において、基準
電圧発生回路５より与えられる基準電圧Ｖrefを分圧す
る分圧抵抗Ｒａ，Ｒｂと、この抵抗Ｒａ，Ｒｂの接続ノ
ードにベースが接続されるとともにエミッタが接地され
たｎｐｎ型トランジスタＱａによって構成された温度検
出回路２３と、トランジスタＱａのコレクタにセット端
子Ｓが接続されたＲＳフリップフロップ２２と、このＲ
Ｓフリップフロップ２２のリセット端子Ｒに接続された
イニシャルリセット回路２１と、ＲＳフリップフロップ
２２の出力端子Ｑに一端が接続されるとともに他端が接
地された抵抗Ｒｃと、この抵抗Ｒｃの一端にベースが接
続されるとともにエミッタが接地されたｎｐｎ型トラン
ジスタＱｂとによって、過熱保護回路が形成される。更
に、トランジスタＱｂのコレクタが差動アンプＡの出力
端子に接続されるとともに、基準電圧回路発生回路５と
イニシャルリセット回路２１とが入力端子ＩＮに接続さ
れる。
電圧発生回路５より与えられる基準電圧Ｖrefを分圧す
る分圧抵抗Ｒａ，Ｒｂと、この抵抗Ｒａ，Ｒｂの接続ノ
ードにベースが接続されるとともにエミッタが接地され
たｎｐｎ型トランジスタＱａによって構成された温度検
出回路２３と、トランジスタＱａのコレクタにセット端
子Ｓが接続されたＲＳフリップフロップ２２と、このＲ
Ｓフリップフロップ２２のリセット端子Ｒに接続された
イニシャルリセット回路２１と、ＲＳフリップフロップ
２２の出力端子Ｑに一端が接続されるとともに他端が接
地された抵抗Ｒｃと、この抵抗Ｒｃの一端にベースが接
続されるとともにエミッタが接地されたｎｐｎ型トラン
ジスタＱｂとによって、過熱保護回路が形成される。更
に、トランジスタＱｂのコレクタが差動アンプＡの出力
端子に接続されるとともに、基準電圧回路発生回路５と
イニシャルリセット回路２１とが入力端子ＩＮに接続さ
れる。
【０００５】このような過熱保護回路は、安定化電源回
路の周囲温度が上昇したとき、トランジスタＱａを駆動
するためのそのベース・エミッタ間の閾値電圧が低くな
り、抵抗Ｒａ，Ｒｂの接続ノードに表れる電圧によって
駆動されようになる。よって、ＲＳフリップフロップ２
２のセット端子Ｓにローレベルの信号が入力される。よ
って、ＲＳフリップフロップ２２がセットされるととも
に出力端子Ｑよりハイレベルの信号がトランジスタＱｂ
のベースに入力されて、トランジスタＱｂが駆動する。
よって、トランジスタＱ２のベースへ流れる電流が遮断
される。又、イニシャルリセット回路２１によって、電
源投入時にＲＳフリップフロップ２２が初期状態になる
ようにイニシャルリセットされる。
路の周囲温度が上昇したとき、トランジスタＱａを駆動
するためのそのベース・エミッタ間の閾値電圧が低くな
り、抵抗Ｒａ，Ｒｂの接続ノードに表れる電圧によって
駆動されようになる。よって、ＲＳフリップフロップ２
２のセット端子Ｓにローレベルの信号が入力される。よ
って、ＲＳフリップフロップ２２がセットされるととも
に出力端子Ｑよりハイレベルの信号がトランジスタＱｂ
のベースに入力されて、トランジスタＱｂが駆動する。
よって、トランジスタＱ２のベースへ流れる電流が遮断
される。又、イニシャルリセット回路２１によって、電
源投入時にＲＳフリップフロップ２２が初期状態になる
ようにイニシャルリセットされる。
【０００６】上記のように、図３のような構成の安定化
電源回路において、過熱保護回路が動作するため、何ら
かの原因でその周囲温度が上昇したときに、自動的に出
力伝電圧を遮断して、紙フェノール製のプリント基板に
組み込まれた装置などの焼損などを未然に防ぐことがで
きる。
電源回路において、過熱保護回路が動作するため、何ら
かの原因でその周囲温度が上昇したときに、自動的に出
力伝電圧を遮断して、紙フェノール製のプリント基板に
組み込まれた装置などの焼損などを未然に防ぐことがで
きる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにＲＳフリップフロップを用いて過熱遮断を行う場
合、上記で説明したように、ＲＳフリップフロップを電
源投入時に初期状態にイニシャルリセットするためのイ
ニシャルリセット回路が必要となる。よって、このＲＳ
フリップフロップ及びイニシャルリセット回路によっ
て、その回路規模が大きくなり、その製品コストも増大
する。
うにＲＳフリップフロップを用いて過熱遮断を行う場
合、上記で説明したように、ＲＳフリップフロップを電
源投入時に初期状態にイニシャルリセットするためのイ
ニシャルリセット回路が必要となる。よって、このＲＳ
フリップフロップ及びイニシャルリセット回路によっ
て、その回路規模が大きくなり、その製品コストも増大
する。
【０００８】上記のような問題を鑑みて、本発明は、そ
の回路構成を簡略するとともに十分に過熱保護作用を行
うことのできる過熱保護回路を提供することを目的とす
る。
の回路構成を簡略するとともに十分に過熱保護作用を行
うことのできる過熱保護回路を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の過熱保護回路は、半導体集積回路装置内
の温度を検出する温度検出回路と、該温度検出回路によ
って所定の温度が検出されたときに半導体集積回路装置
内の所定回路の動作を遮断する遮断回路とを有する過熱
保護回路において、前記遮断回路が動作して前記所定回
路の動作を遮断したときに前記温度検出回路の感度を変
更する感度変更回路を有し、前記遮断回路が動作して前
記所定回路の動作を遮断したとき、前記感度変更回路で
前記温度検出回路の感度が変更されて、前記遮断回路を
動作させた温度よりも低い温度で前記遮断回路の動作を
停止して、前記所定回路の動作を復帰させることを特徴
とする。
めに、本発明の過熱保護回路は、半導体集積回路装置内
の温度を検出する温度検出回路と、該温度検出回路によ
って所定の温度が検出されたときに半導体集積回路装置
内の所定回路の動作を遮断する遮断回路とを有する過熱
保護回路において、前記遮断回路が動作して前記所定回
路の動作を遮断したときに前記温度検出回路の感度を変
更する感度変更回路を有し、前記遮断回路が動作して前
記所定回路の動作を遮断したとき、前記感度変更回路で
前記温度検出回路の感度が変更されて、前記遮断回路を
動作させた温度よりも低い温度で前記遮断回路の動作を
停止して、前記所定回路の動作を復帰させることを特徴
とする。
【００１０】このような過熱保護回路において、前記温
度検出回路に制御電極に所定の基準電圧が与えられたト
ランジスタが設けられる。このとき、温度の変化により
変化する該トランジスタの第２電極及び制御電極間の電
圧が所定値よりも小さくなったとき該トランジスタがＯ
Ｎになる。そして、該トランジスタの第２電極及び制御
電極間の電圧によって、該トランジスタを流れる電流の
電流量が決定し、この電流量が所定の大きさより大きく
なったとき、前記遮断回路が前記所定回路をＯＦＦする
ように動作する。又、この温度検出回路に与えられる基
準電圧が前記感度変更回路により変更されることによっ
て、その感度が変更され、前記半導体集積回路装置内の
温度が十分に低下したときに、前記所定回路の動作を復
帰させるようにすることができる。
度検出回路に制御電極に所定の基準電圧が与えられたト
ランジスタが設けられる。このとき、温度の変化により
変化する該トランジスタの第２電極及び制御電極間の電
圧が所定値よりも小さくなったとき該トランジスタがＯ
Ｎになる。そして、該トランジスタの第２電極及び制御
電極間の電圧によって、該トランジスタを流れる電流の
電流量が決定し、この電流量が所定の大きさより大きく
なったとき、前記遮断回路が前記所定回路をＯＦＦする
ように動作する。又、この温度検出回路に与えられる基
準電圧が前記感度変更回路により変更されることによっ
て、その感度が変更され、前記半導体集積回路装置内の
温度が十分に低下したときに、前記所定回路の動作を復
帰させるようにすることができる。
【００１１】又、前記遮断回路が、第１電極と第２電極
と制御電極を有するトランジスタを有し、該トランジス
タの第２電極及び制御電極間の電圧を、前記温度検出回
路を流れる電流量に応じて変化させる。このとき、該ト
ランジスタの第２電極及び制御電極間の電圧が所定の電
圧より大きくなって、該トランジスタがＯＮとなる間、
前記所定回路の動作をＯＦＦすることによって、半導体
集積回路装置内の温度を低下させる。
と制御電極を有するトランジスタを有し、該トランジス
タの第２電極及び制御電極間の電圧を、前記温度検出回
路を流れる電流量に応じて変化させる。このとき、該ト
ランジスタの第２電極及び制御電極間の電圧が所定の電
圧より大きくなって、該トランジスタがＯＮとなる間、
前記所定回路の動作をＯＦＦすることによって、半導体
集積回路装置内の温度を低下させる。
【００１２】又、前記温度検出回路が、第１電極と第２
電極と制御電極を有するとともに、その制御電極に所定
の基準電圧が与えられた第１トランジスタと、第１電極
と第２電極と制御電極を有するとともに、その制御電極
に前記所定の基準電圧が与えられ、第２電極が前記第１
トランジスタの第２電極と接続された第２トランジスタ
と、第１電極と第２電極と制御電極を有するとともに、
その制御電極と第１電極が前記第１トランジスタの第２
電極と接続された第３トランジスタと、前記第３トラン
ジスタの第２電極に一端が接続された第１抵抗と、を有
することを特徴とする。
電極と制御電極を有するとともに、その制御電極に所定
の基準電圧が与えられた第１トランジスタと、第１電極
と第２電極と制御電極を有するとともに、その制御電極
に前記所定の基準電圧が与えられ、第２電極が前記第１
トランジスタの第２電極と接続された第２トランジスタ
と、第１電極と第２電極と制御電極を有するとともに、
その制御電極と第１電極が前記第１トランジスタの第２
電極と接続された第３トランジスタと、前記第３トラン
ジスタの第２電極に一端が接続された第１抵抗と、を有
することを特徴とする。
【００１３】このようにすることによって、前記半導体
集積回路装置内の温度に応じて、前記第１〜第３トラン
ジスタの制御電極及び第２電極間の電圧が変化するた
め、前記第１抵抗の両端に印加される電圧の値が変化す
る。よって、前記第１抵抗を流れる電流量が温度に応じ
て変化するとともに、第１、第２トランジスタを流れる
電流量が変化する。
集積回路装置内の温度に応じて、前記第１〜第３トラン
ジスタの制御電極及び第２電極間の電圧が変化するた
め、前記第１抵抗の両端に印加される電圧の値が変化す
る。よって、前記第１抵抗を流れる電流量が温度に応じ
て変化するとともに、第１、第２トランジスタを流れる
電流量が変化する。
【００１４】又、前記遮断回路が、前記第１トランジス
タの第１電極に一端が接続された第２抵抗と、前記第１
トランジスタと逆極性であるトランジスタであるととも
に、その制御電極が前記第１トランジスタの第１電極と
前記第２抵抗の接続ノードに接続され、前記第２電極が
前記第２抵抗の他端に接続された第４トランジスタと、
を有し、前記第４トランジスタがＯＮのとき、前記所定
回路の動作をＯＦＦにすることを特徴とする。
タの第１電極に一端が接続された第２抵抗と、前記第１
トランジスタと逆極性であるトランジスタであるととも
に、その制御電極が前記第１トランジスタの第１電極と
前記第２抵抗の接続ノードに接続され、前記第２電極が
前記第２抵抗の他端に接続された第４トランジスタと、
を有し、前記第４トランジスタがＯＮのとき、前記所定
回路の動作をＯＦＦにすることを特徴とする。
【００１５】このようにすることによって、温度によっ
て変化する前記第１トランジスタを流れる電流が前記第
２抵抗に流れるため、前記第２抵抗の両端にかかる電圧
が前記半導体集積回路装置内の温度に応じて変化する。
よって、温度に応じて、前記第４トランジスタの制御電
極及び第２電極間にかかる電圧が変化する。そして、温
度が高くなって、前記第２抵抗の両端にかかる電圧が大
きくなって、前記第４トランジスタがＯＮとなるとき、
前記所定回路の動作をＯＦＦにする。
て変化する前記第１トランジスタを流れる電流が前記第
２抵抗に流れるため、前記第２抵抗の両端にかかる電圧
が前記半導体集積回路装置内の温度に応じて変化する。
よって、温度に応じて、前記第４トランジスタの制御電
極及び第２電極間にかかる電圧が変化する。そして、温
度が高くなって、前記第２抵抗の両端にかかる電圧が大
きくなって、前記第４トランジスタがＯＮとなるとき、
前記所定回路の動作をＯＦＦにする。
【００１６】又、前記感度変更回路が、前記第２トラン
ジスタの第１電極及び第２電極間を流れる電流と同じ電
流量の電流を、前記温度検出回路に前記基準電圧を与え
る回路に与えることを特徴とする。
ジスタの第１電極及び第２電極間を流れる電流と同じ電
流量の電流を、前記温度検出回路に前記基準電圧を与え
る回路に与えることを特徴とする。
【００１７】更に、前記感度変更回路が、前記第１トラ
ンジスタと逆極性であるトランジスタであるとともに、
その制御電極と第１電極とが前記第２トランジスタの第
１電極に接続された第５トランジスタと、前記第１トラ
ンジスタと逆極性であるトランジスタであるとともに、
その制御電極が前記第５トランジスタの第１電極と制御
電極との接続ノードに接続され、第１電極が前記温度検
出回路に基準電圧を与える回路に接続された第６トラン
ジスタと、を有することを特徴とする。
ンジスタと逆極性であるトランジスタであるとともに、
その制御電極と第１電極とが前記第２トランジスタの第
１電極に接続された第５トランジスタと、前記第１トラ
ンジスタと逆極性であるトランジスタであるとともに、
その制御電極が前記第５トランジスタの第１電極と制御
電極との接続ノードに接続され、第１電極が前記温度検
出回路に基準電圧を与える回路に接続された第６トラン
ジスタと、を有することを特徴とする。
【００１８】このように、前記温度検出回路に前記基準
電圧を与える回路に前記第２トランジスタの第１電極及
び第２電極間を流れる電流と同じ電流量の電流を与える
ことによって、前記基準電圧を前記第２トランジスタの
第１電極及び第２電極間を流れる電流に応じて変化させ
ることができる。よって、前記遮断回路が動作して前記
所定回路をＯＦＦにしたとき、前記感度変更回路によっ
て前記基準電圧を変更して、前記温度検出回路の感度が
変化されるため、前記遮断回路が動作したときの温度よ
りも低い温度になったときに前記遮断回路の動作を停止
させることができる。
電圧を与える回路に前記第２トランジスタの第１電極及
び第２電極間を流れる電流と同じ電流量の電流を与える
ことによって、前記基準電圧を前記第２トランジスタの
第１電極及び第２電極間を流れる電流に応じて変化させ
ることができる。よって、前記遮断回路が動作して前記
所定回路をＯＦＦにしたとき、前記感度変更回路によっ
て前記基準電圧を変更して、前記温度検出回路の感度が
変化されるため、前記遮断回路が動作したときの温度よ
りも低い温度になったときに前記遮断回路の動作を停止
させることができる。
【００１９】又、本発明の安定化電源回路は、出力電圧
を制御する電圧制御トランジスタと、出力電圧が分圧さ
れるとともに負帰還された電圧と基準電圧が入力されて
差動増幅を行う差動増幅回路と、該差動増幅回路の出力
に応じて電圧制御トランジスタの制御電極を流れる電流
を制御する制御回路を有する安定化電源回路において、
上記のような過熱保護回路を有するとともに、該過熱保
護回路が動作したとき、前記制御回路がＯＦＦになるこ
とを特徴とする。
を制御する電圧制御トランジスタと、出力電圧が分圧さ
れるとともに負帰還された電圧と基準電圧が入力されて
差動増幅を行う差動増幅回路と、該差動増幅回路の出力
に応じて電圧制御トランジスタの制御電極を流れる電流
を制御する制御回路を有する安定化電源回路において、
上記のような過熱保護回路を有するとともに、該過熱保
護回路が動作したとき、前記制御回路がＯＦＦになるこ
とを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態について、図面
を参照して説明する。図１は、本発明の過熱保護回路を
含む安定化電源回路の構成を示す回路図である。尚、図
３に示す安定化電源回路と同一の目的で使用する素子に
ついては、同一の符号を付してその詳細な説明は省略す
る。
を参照して説明する。図１は、本発明の過熱保護回路を
含む安定化電源回路の構成を示す回路図である。尚、図
３に示す安定化電源回路と同一の目的で使用する素子に
ついては、同一の符号を付してその詳細な説明は省略す
る。
【００２１】図３に示す安定化電源回路は、トランジス
タＱ１，Ｑ２と、基準電圧発生回路５と、抵抗Ｒ１，Ｒ
２と、差動アンプＡと、過熱保護回路１とを有する。そ
して、この過熱保護回路１は、ｎｐｎ型トランジスタＱ
３〜Ｑ５と抵抗Ｒ３で構成される温度検出回路２と、抵
抗Ｒ４，Ｒ５とｐｎｐ型トランジスタＱ６とｎｐｎ型ト
ランジスタＱ７とで構成される遮断回路３と、ｐｎｐ型
トランジスタＱ８〜Ｑ１０で構成される感度変更回路４
とを有する。
タＱ１，Ｑ２と、基準電圧発生回路５と、抵抗Ｒ１，Ｒ
２と、差動アンプＡと、過熱保護回路１とを有する。そ
して、この過熱保護回路１は、ｎｐｎ型トランジスタＱ
３〜Ｑ５と抵抗Ｒ３で構成される温度検出回路２と、抵
抗Ｒ４，Ｒ５とｐｎｐ型トランジスタＱ６とｎｐｎ型ト
ランジスタＱ７とで構成される遮断回路３と、ｐｎｐ型
トランジスタＱ８〜Ｑ１０で構成される感度変更回路４
とを有する。
【００２２】温度検出回路２において、トランジスタＱ
３，Ｑ５のベースに基準電圧発生回路５より基準電圧Ｖ
refが与えられ、このトランジスタＱ３，Ｑ５のエミッ
タが、それぞれトランジスタＱ４のベースとコレクタに
接続される。そして、抵抗Ｒ３が、その一端が接地され
るとともに、他端がトランジスタＱ４のエミッタに接続
される。尚、トランジスタＱ３〜Ｑ５は、本安定化電源
回路で温度が最も高くなるトランジスタＱ１に近接して
設けられており、例えば、本安定化電源回路をモノシリ
ックＩＣにて構成する場合、トランジスタＱ１と同一の
チップ内に設けられる。
３，Ｑ５のベースに基準電圧発生回路５より基準電圧Ｖ
refが与えられ、このトランジスタＱ３，Ｑ５のエミッ
タが、それぞれトランジスタＱ４のベースとコレクタに
接続される。そして、抵抗Ｒ３が、その一端が接地され
るとともに、他端がトランジスタＱ４のエミッタに接続
される。尚、トランジスタＱ３〜Ｑ５は、本安定化電源
回路で温度が最も高くなるトランジスタＱ１に近接して
設けられており、例えば、本安定化電源回路をモノシリ
ックＩＣにて構成する場合、トランジスタＱ１と同一の
チップ内に設けられる。
【００２３】このような構成の温度検出回路２による
と、抵抗Ｒ３を流れる電流Ｉ1が、次式によって表され
る。又、この電流Ｉ1は、トランジスタＱ３を流れる電
流Ｉ2にトランジスタＱ５を流れる電流Ｉ3が加わった電
流である。 Ｉ1＝｛Ｖref−(ＶBE1＋ＶBE2)｝／Ｒ３ …（１） 尚、ＶBE1：トランジスタＱ３が駆動するためのベース
・エミッタ間の閾値電圧、ＶBE2：トランジスタＱ４が
駆動するためのベース・エミッタ間の閾値電圧、Ｒ３：
抵抗Ｒ３の抵抗値、である。
と、抵抗Ｒ３を流れる電流Ｉ1が、次式によって表され
る。又、この電流Ｉ1は、トランジスタＱ３を流れる電
流Ｉ2にトランジスタＱ５を流れる電流Ｉ3が加わった電
流である。 Ｉ1＝｛Ｖref−(ＶBE1＋ＶBE2)｝／Ｒ３ …（１） 尚、ＶBE1：トランジスタＱ３が駆動するためのベース
・エミッタ間の閾値電圧、ＶBE2：トランジスタＱ４が
駆動するためのベース・エミッタ間の閾値電圧、Ｒ３：
抵抗Ｒ３の抵抗値、である。
【００２４】トランジスタＱ３，Ｑ４は、それぞれを駆
動するためのベース・エミッタ間の閾値電圧ＶBE1，ＶB
E2が、それぞれ、温度上昇とともに、−２［mV/℃］の
割合で変化する。そして、このトランジスタＱ３，Ｑ４
の閾値電圧ＶBE1，ＶBE2の和が、基準電圧Ｖrefより小
さくなったとき、トランジスタＱ３，Ｑ４がＯＮする。
このとき、トランジスタＱ５のベース・エミッタ間の閾
値電圧が小さくなるため、同様にＯＮする。又、このよ
うに、閾値電圧ＶBE1，ＶBE2が温度上昇とともに低下す
るために、（１）式より、抵抗Ｒ３を流れる電流Ｉ1が
温度上昇とともに増加していくことがわかる。尚、抵抗
Ｒ３の抵抗率は温度上昇とともに増加するが、その増加
する割合が、閾値電圧ＶBE1，ＶBE2の減少する割合に比
べて小さいため、結果的に、電流Ｉ1は、温度上昇とと
もに増加する。
動するためのベース・エミッタ間の閾値電圧ＶBE1，ＶB
E2が、それぞれ、温度上昇とともに、−２［mV/℃］の
割合で変化する。そして、このトランジスタＱ３，Ｑ４
の閾値電圧ＶBE1，ＶBE2の和が、基準電圧Ｖrefより小
さくなったとき、トランジスタＱ３，Ｑ４がＯＮする。
このとき、トランジスタＱ５のベース・エミッタ間の閾
値電圧が小さくなるため、同様にＯＮする。又、このよ
うに、閾値電圧ＶBE1，ＶBE2が温度上昇とともに低下す
るために、（１）式より、抵抗Ｒ３を流れる電流Ｉ1が
温度上昇とともに増加していくことがわかる。尚、抵抗
Ｒ３の抵抗率は温度上昇とともに増加するが、その増加
する割合が、閾値電圧ＶBE1，ＶBE2の減少する割合に比
べて小さいため、結果的に、電流Ｉ1は、温度上昇とと
もに増加する。
【００２５】又、遮断回路３において、抵抗Ｒ４が入力
端子ＩＮとトランジスタＱ３のコレクタの間に接続され
るとともに、トランジスタＱ６のベースが抵抗Ｒ４とト
ランジスタＱ３のコレクタとの接続ノードに接続され
る。このトランジスタＱ６は、そのエミッタに入力端子
ＩＮが接続されるとともに、そのコレクタに一端が接地
された抵抗Ｒ５の他端とエミッタが接地されたトランジ
スタＱ７のベースとの接続ノードが接続される。又、ト
ランジスタＱ７のコレクタは、トランジスタＱ２のベー
スに接続される。
端子ＩＮとトランジスタＱ３のコレクタの間に接続され
るとともに、トランジスタＱ６のベースが抵抗Ｒ４とト
ランジスタＱ３のコレクタとの接続ノードに接続され
る。このトランジスタＱ６は、そのエミッタに入力端子
ＩＮが接続されるとともに、そのコレクタに一端が接地
された抵抗Ｒ５の他端とエミッタが接地されたトランジ
スタＱ７のベースとの接続ノードが接続される。又、ト
ランジスタＱ７のコレクタは、トランジスタＱ２のベー
スに接続される。
【００２６】このような構成の遮断回路３によると、ト
ランジスタＱ３がＯＮしたとき、トランジスタＱ３を流
れる電流Ｉ2が抵抗Ｒ４に流れ、抵抗Ｒ４に、Ｉ2×Ｒ４
［V］の電圧降下が生じる。上述したように、本安定化
電源回路内の温度が上昇して電流Ｉ1が増加するととも
に、電流Ｉ2も増加する。よって、抵抗Ｒ４に生じる電
圧降下が大きくなり、トランジスタＱ６を駆動させるた
めのベース・エミッタ間の閾値電圧に達するため、トラ
ンジスタＱ６が駆動して、抵抗Ｒ５に電流Ｉ4が流れ始
める。この電流Ｉ4が流れることによって、トランジス
タＱ７のベース・エミッタ間に、Ｉ4×Ｒ５の電圧が生
じる。このＩ4×Ｒ５の電圧が、トランジスタＱ７を駆
動させるためのベース・エミッタ間の閾値電圧に達する
と、トランジスタＱ７が駆動して、トランジスタＱ２の
駆動を停止させて、過熱保護が働く。
ランジスタＱ３がＯＮしたとき、トランジスタＱ３を流
れる電流Ｉ2が抵抗Ｒ４に流れ、抵抗Ｒ４に、Ｉ2×Ｒ４
［V］の電圧降下が生じる。上述したように、本安定化
電源回路内の温度が上昇して電流Ｉ1が増加するととも
に、電流Ｉ2も増加する。よって、抵抗Ｒ４に生じる電
圧降下が大きくなり、トランジスタＱ６を駆動させるた
めのベース・エミッタ間の閾値電圧に達するため、トラ
ンジスタＱ６が駆動して、抵抗Ｒ５に電流Ｉ4が流れ始
める。この電流Ｉ4が流れることによって、トランジス
タＱ７のベース・エミッタ間に、Ｉ4×Ｒ５の電圧が生
じる。このＩ4×Ｒ５の電圧が、トランジスタＱ７を駆
動させるためのベース・エミッタ間の閾値電圧に達する
と、トランジスタＱ７が駆動して、トランジスタＱ２の
駆動を停止させて、過熱保護が働く。
【００２７】又、感度変更回路４において、トランジス
タＱ８，Ｑ９のエミッタが入力端子ＩＮと接続されると
ともに、トランジスタＱ８のベースとコレクタがトラン
ジスタＱ９のベースに接続されて、トランジスタＱ８，
Ｑ９によってカレントミラー回路が構成される。トラン
ジスタＱ８のコレクタには、トランジスタＱ１０のベー
スが接続されるとともにトランジスタＱ５のコレクタが
接続される。又、トランジスタＱ９のコレクタにはトラ
ンジスタＱ１０のエミッタが接続されるとともに、トラ
ンジスタＱ１０のコレクタが基準電圧発生回路５と接続
される。更に、トランジスタＱ９のコレクタとトランジ
スタＱ１０のエミッタの接続ノードがトランジスタＱ１
のベースに接続される。
タＱ８，Ｑ９のエミッタが入力端子ＩＮと接続されると
ともに、トランジスタＱ８のベースとコレクタがトラン
ジスタＱ９のベースに接続されて、トランジスタＱ８，
Ｑ９によってカレントミラー回路が構成される。トラン
ジスタＱ８のコレクタには、トランジスタＱ１０のベー
スが接続されるとともにトランジスタＱ５のコレクタが
接続される。又、トランジスタＱ９のコレクタにはトラ
ンジスタＱ１０のエミッタが接続されるとともに、トラ
ンジスタＱ１０のコレクタが基準電圧発生回路５と接続
される。更に、トランジスタＱ９のコレクタとトランジ
スタＱ１０のエミッタの接続ノードがトランジスタＱ１
のベースに接続される。
【００２８】このような構成の感度変更回路４による
と、トランジスタＱ８，Ｑ９がカレントミラー回路を構
成しているので、トランジスタＱ５がＯＮしたとき、ト
ランジスタＱ５を流れる電流Ｉ3と等しい電流がトラン
ジスタＱ８，Ｑ９に流れる。今、トランジスタＱ３，Ｑ
５がＯＮして、本安定化電源回路内の温度が上昇して遮
断回路３による過熱保護が働くと、トランジスタＱ２の
ベース電流が遮断されるため、トランジスタＱ２の駆動
が停止されて、トランジスタＱ１のベースが遮断された
状態になる。よって、トランジスタＱ１のベースからト
ランジスタＱ１０のエミッタへ電流が流れない。
と、トランジスタＱ８，Ｑ９がカレントミラー回路を構
成しているので、トランジスタＱ５がＯＮしたとき、ト
ランジスタＱ５を流れる電流Ｉ3と等しい電流がトラン
ジスタＱ８，Ｑ９に流れる。今、トランジスタＱ３，Ｑ
５がＯＮして、本安定化電源回路内の温度が上昇して遮
断回路３による過熱保護が働くと、トランジスタＱ２の
ベース電流が遮断されるため、トランジスタＱ２の駆動
が停止されて、トランジスタＱ１のベースが遮断された
状態になる。よって、トランジスタＱ１のベースからト
ランジスタＱ１０のエミッタへ電流が流れない。
【００２９】よって、遮断回路３による過熱保護が働く
と、トランジスタＱ８，Ｑ９，Ｑ１０には、それぞれ電
流Ｉ3と等しい電流値の電流が流れる。今、トランジス
タＱ９，Ｑ１０に流れる電流を電流Ｉ3’とする。この
電流Ｉ3’が基準電圧発生回路５に流れ込む。このよう
に、電流Ｉ3’が基準電圧発生回路５に流れ込むことに
よって、基準電圧Ｖrefが上昇する。尚、この上昇する
過程については後述する。このように、基準電圧Ｖref
が上昇するため、（１）式より電流Ｉ1が増大する。
と、トランジスタＱ８，Ｑ９，Ｑ１０には、それぞれ電
流Ｉ3と等しい電流値の電流が流れる。今、トランジス
タＱ９，Ｑ１０に流れる電流を電流Ｉ3’とする。この
電流Ｉ3’が基準電圧発生回路５に流れ込む。このよう
に、電流Ｉ3’が基準電圧発生回路５に流れ込むことに
よって、基準電圧Ｖrefが上昇する。尚、この上昇する
過程については後述する。このように、基準電圧Ｖref
が上昇するため、（１）式より電流Ｉ1が増大する。
【００３０】又、基準電圧Ｖrefの上昇によって、電流
Ｉ1をトランジスタＱ６の駆動を停止させるための電流
値にするには、（１）式よりトランジスタＱ３，Ｑ４の
閾値電圧ＶBE１，ＶBE2の値を遮断回路３が動作を始め
たときよりも大きくする必要がある。よって、トランジ
スタＱ６の駆動を停止させるためには、遮断回路３が動
作を始めたときよりも安定化電源回路内の温度を低くす
る必要がある。よって、安定化電源回路内の温度がある
程度まで低くなるまで、遮断回路３がラッチ状態とな
り、過熱保護動作が行われる。又、この感度変更回路４
において、上記のような過熱保護の行われていない通常
動作では、トランジスタＱ９が、トランジスタＱ１を流
れる電流が逆流することを防ぐ役割を果たす。
Ｉ1をトランジスタＱ６の駆動を停止させるための電流
値にするには、（１）式よりトランジスタＱ３，Ｑ４の
閾値電圧ＶBE１，ＶBE2の値を遮断回路３が動作を始め
たときよりも大きくする必要がある。よって、トランジ
スタＱ６の駆動を停止させるためには、遮断回路３が動
作を始めたときよりも安定化電源回路内の温度を低くす
る必要がある。よって、安定化電源回路内の温度がある
程度まで低くなるまで、遮断回路３がラッチ状態とな
り、過熱保護動作が行われる。又、この感度変更回路４
において、上記のような過熱保護の行われていない通常
動作では、トランジスタＱ９が、トランジスタＱ１を流
れる電流が逆流することを防ぐ役割を果たす。
【００３１】以下に、トランジスタＱ１０から基準電圧
発生回路５に電流Ｉ3’が流入したときの動作につい
て、図２を参照して説明する。図２は、基準電圧発生回
路５の構成を示す回路図である。図２に示すように、基
準電圧回路５では、ｐｎｐ型トランジスタＱ２１〜Ｑ２
３と、ｎｐｎ型トランジスタＱ２４，Ｑ２５と、抵抗Ｒ
２１，Ｒ２２とで構成される。
発生回路５に電流Ｉ3’が流入したときの動作につい
て、図２を参照して説明する。図２は、基準電圧発生回
路５の構成を示す回路図である。図２に示すように、基
準電圧回路５では、ｐｎｐ型トランジスタＱ２１〜Ｑ２
３と、ｎｐｎ型トランジスタＱ２４，Ｑ２５と、抵抗Ｒ
２１，Ｒ２２とで構成される。
【００３２】この基準電圧発生回路５において、トラン
ジスタＱ２１，Ｑ２２のエミッタが入力端子ＩＮが接続
されるとともに、トランジスタＱ２１のベースにトラン
ジスタＱ２２のベースとコレクタが接続されることによ
って、トランジスタＱ２１，Ｑ２２がカレントミラー回
路を構成する。このトランジスタＱ２１のコレクタに、
エミッタが入力端子ＩＮに接続されたトランジスタＱ２
３のベースが接続される。
ジスタＱ２１，Ｑ２２のエミッタが入力端子ＩＮが接続
されるとともに、トランジスタＱ２１のベースにトラン
ジスタＱ２２のベースとコレクタが接続されることによ
って、トランジスタＱ２１，Ｑ２２がカレントミラー回
路を構成する。このトランジスタＱ２１のコレクタに、
エミッタが入力端子ＩＮに接続されたトランジスタＱ２
３のベースが接続される。
【００３３】又、トランジスタＱ２１，Ｑ２２のコレク
タに、それぞれ、トランジスタＱ２４，Ｑ２５のコレク
タが接続され、トランジスタＱ２３のコレクタにトラン
ジスタＱ２４，Ｑ２５のベース同士が接続された接続ノ
ードが接続される。更に、トランジスタＱ２４のエミッ
タが抵抗Ｒ２１，Ｒ２２を介して接地されるとともに、
トランジスタＱ２５のエミッタが抵抗Ｒ２１，Ｒ２２の
接続ノードに接続されて、抵抗Ｒ２２を介して接地され
る。そして、トランジスタＱ２４，Ｑ２５のベースの接
続ノードより基準電圧Ｖrefが出力されるとともに電流
Ｉ3’が入力される。尚、トランジスタＱ２４，Ｑ２５
のエミッタ面積比が、４：１となっている。
タに、それぞれ、トランジスタＱ２４，Ｑ２５のコレク
タが接続され、トランジスタＱ２３のコレクタにトラン
ジスタＱ２４，Ｑ２５のベース同士が接続された接続ノ
ードが接続される。更に、トランジスタＱ２４のエミッ
タが抵抗Ｒ２１，Ｒ２２を介して接地されるとともに、
トランジスタＱ２５のエミッタが抵抗Ｒ２１，Ｒ２２の
接続ノードに接続されて、抵抗Ｒ２２を介して接地され
る。そして、トランジスタＱ２４，Ｑ２５のベースの接
続ノードより基準電圧Ｖrefが出力されるとともに電流
Ｉ3’が入力される。尚、トランジスタＱ２４，Ｑ２５
のエミッタ面積比が、４：１となっている。
【００３４】このような基準電圧発生回路５において、
抵抗Ｒ２１の両端にかかる電圧Ｖ1が次式で表される。 Ｖ1＝ＶBE11−ＶBE12 …（２） 尚、ＶBE11：トランジスタＱ２４のベース・エミッタ間
電圧、ＶBE12：トランジスタＱ２５のベース・エミッタ
間電圧、である。
抵抗Ｒ２１の両端にかかる電圧Ｖ1が次式で表される。 Ｖ1＝ＶBE11−ＶBE12 …（２） 尚、ＶBE11：トランジスタＱ２４のベース・エミッタ間
電圧、ＶBE12：トランジスタＱ２５のベース・エミッタ
間電圧、である。
【００３５】又、このトランジスタＱ２４，Ｑ２５のベ
ース・エミッタ間電圧ＶBE11，ＶBE12が、それぞれ次式
で表される。 ＶBE11＝(ｋＴ／ｑ)・ln(４Ｎ) …（３） ＶBE12＝(ｋＴ／ｑ)・ln(Ｎ) …（４） 尚、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度、ｑ：電子の電
荷量、Ｎ：電荷分布密度及びベース電流によって決まる
値、である。
ース・エミッタ間電圧ＶBE11，ＶBE12が、それぞれ次式
で表される。 ＶBE11＝(ｋＴ／ｑ)・ln(４Ｎ) …（３） ＶBE12＝(ｋＴ／ｑ)・ln(Ｎ) …（４） 尚、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度、ｑ：電子の電
荷量、Ｎ：電荷分布密度及びベース電流によって決まる
値、である。
【００３６】上記の（３）式、（４）式で表されるトラ
ンジスタＱ２４，Ｑ２５のベース・エミッタ間電圧ＶBE
11，ＶBE12を（２）式に代入することによって、抵抗Ｒ
２１の両端にかかる電圧Ｖ1が次のような式で表され
る。 Ｖ1＝(ｋＴ／ｑ)・ln(４) …（５） よって、抵抗Ｒ２１を流れる電流Ｉが次式のようにな
る。 Ｉ＝｛(ｋＴ／ｑ)・ln(４)｝／Ｒ２１ …（６） 尚、Ｒ２１：抵抗Ｒ２１の抵抗値である。
ンジスタＱ２４，Ｑ２５のベース・エミッタ間電圧ＶBE
11，ＶBE12を（２）式に代入することによって、抵抗Ｒ
２１の両端にかかる電圧Ｖ1が次のような式で表され
る。 Ｖ1＝(ｋＴ／ｑ)・ln(４) …（５） よって、抵抗Ｒ２１を流れる電流Ｉが次式のようにな
る。 Ｉ＝｛(ｋＴ／ｑ)・ln(４)｝／Ｒ２１ …（６） 尚、Ｒ２１：抵抗Ｒ２１の抵抗値である。
【００３７】そして、この電流Ｉは、トランジスタＱ２
１，Ｑ２４にも流れるとともに、トランジスタＱ２１，
Ｑ２２がカレントミラー回路を構成しているため、トラ
ンジスタＱ２２にも電流Ｉが流れる。よって、トランジ
スタＱ２５にも電流Ｉが流れるため、抵抗Ｒ２２には、
２×Ｉの電流値となる電流が流れる。よって、抵抗Ｒ２
１，Ｒ２２の接続ノードに表れる電圧Ｖは、次式で表さ
れる。 Ｖ＝２・Ｉ・Ｒ２２ …（７） 尚、Ｒ２２：抵抗Ｒ２２の抵抗値である。
１，Ｑ２４にも流れるとともに、トランジスタＱ２１，
Ｑ２２がカレントミラー回路を構成しているため、トラ
ンジスタＱ２２にも電流Ｉが流れる。よって、トランジ
スタＱ２５にも電流Ｉが流れるため、抵抗Ｒ２２には、
２×Ｉの電流値となる電流が流れる。よって、抵抗Ｒ２
１，Ｒ２２の接続ノードに表れる電圧Ｖは、次式で表さ
れる。 Ｖ＝２・Ｉ・Ｒ２２ …（７） 尚、Ｒ２２：抵抗Ｒ２２の抵抗値である。
【００３８】よって、トランジスタＱ２４，Ｑ２５のベ
ースに表れる基準電圧Ｖrefは、（７）式より次式で表
される。 Ｖref＝Ｖ＋ＶBE12 ＝２・Ｉ・Ｒ２２＋ＶBE12 …（８） ここで、トランジスタＱ１０より電流Ｉ3’が流入され
ると、トランジスタＱ２４，Ｑ２５のベース電流が増加
する。その結果、トランジスタＱ２５のベース・エミッ
タ間電圧ＶBE12が大きくなる。よって、（８）式より、
基準電圧Ｖrefの値が大きくなる。
ースに表れる基準電圧Ｖrefは、（７）式より次式で表
される。 Ｖref＝Ｖ＋ＶBE12 ＝２・Ｉ・Ｒ２２＋ＶBE12 …（８） ここで、トランジスタＱ１０より電流Ｉ3’が流入され
ると、トランジスタＱ２４，Ｑ２５のベース電流が増加
する。その結果、トランジスタＱ２５のベース・エミッ
タ間電圧ＶBE12が大きくなる。よって、（８）式より、
基準電圧Ｖrefの値が大きくなる。
【００３９】
【発明の効果】本発明の過熱保護回路によると、ＲＳフ
リップフロップ及びイニシャルリセット回路を用いた従
来の過熱保護回路と比較して、簡便な回路で構成するこ
とができる。よって、その素子数を少なくすることがで
きるので、このような過熱保護回路を有する半導体集積
回路装置のチップサイズを縮小化することができる。
又、感度変更回路によって、遮断回路が所定回路の動作
を停止した後、温度検出回路の感度を変更して、十分に
低い温度になったときに所定回路の動作を復帰させるこ
とができる。よって、半導体集積回路装置内の温度特性
が、定常状態とならず、十分にその温度が低下してから
動作することができる。
リップフロップ及びイニシャルリセット回路を用いた従
来の過熱保護回路と比較して、簡便な回路で構成するこ
とができる。よって、その素子数を少なくすることがで
きるので、このような過熱保護回路を有する半導体集積
回路装置のチップサイズを縮小化することができる。
又、感度変更回路によって、遮断回路が所定回路の動作
を停止した後、温度検出回路の感度を変更して、十分に
低い温度になったときに所定回路の動作を復帰させるこ
とができる。よって、半導体集積回路装置内の温度特性
が、定常状態とならず、十分にその温度が低下してから
動作することができる。
【図１】本発明の安定化電源回路の内部構成を示すブロ
ック回路図。
ック回路図。
【図２】基準回路の内部構成を示す回路図。
【図３】従来の安定化電源回路の内部構成を示すブロッ
ク回路図。
ク回路図。
１ 過熱保護回路 ２ 温度検出回路 ３ 遮断回路 ４ 感度変更回路 ５ 基準電圧発生回路 ２１ イニシャルリセット回路 ２２ ＲＳフリップフロップ ２３ 温度検出回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5G053 AA14 BA01 CA02 EB04 EC03 5H420 BB02 BB03 BB12 BB14 CC02 DD02 EA10 EA18 EA23 EA24 EA39 EB15 EB37 FF03 FF14 FF23 FF25 LL07 NB02 NB12 NC02 NC03 NC12 NC20 NC23 NC25 NC33 NE16 5H430 BB01 BB05 BB09 BB11 BB13 EE03 FF04 FF13 GG08 HH03 LA10 LA17 LA26
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体集積回路装置内の温度を検出する
温度検出回路と、該温度検出回路によって所定の温度が
検出されたときに半導体集積回路装置内の所定回路の動
作を遮断する遮断回路とを有する過熱保護回路におい
て、 前記遮断回路が動作して前記所定回路の動作を遮断した
ときに前記温度検出回路の感度を変更する感度変更回路
を有し、 前記遮断回路が動作して前記所定回路の動作を遮断した
とき、前記感度変更回路で前記温度検出回路の感度が変
更されて、前記遮断回路を動作させた温度よりも低い温
度で前記遮断回路の動作を停止して、前記所定回路の動
作を復帰させることを特徴とする過熱保護回路。 - 【請求項２】 前記温度検出回路が、 第１電極と第２電極と制御電極を有するとともに、その
制御電極に所定の基準電圧が与えられたトランジスタを
有し、 温度の変化により変化する該トランジスタの第２電極及
び制御電極間の電圧によって、該トランジスタを流れる
電流の電流量が決定し、この電流量が所定の大きさより
大きくなったとき、前記遮断回路が前記所定回路をＯＦ
Ｆするように動作することを特徴とする請求項１に記載
の過熱保護回路。 - 【請求項３】 前記感度変更回路が、前記温度検出回路
に与えられる基準電圧を変更することによって、前記温
度検出回路の感度を変更することを特徴とする請求項２
に記載の過熱保護回路。 - 【請求項４】 前記遮断回路が、第１電極と第２電極と
制御電極を有するトランジスタを有し、 該トランジスタの第２電極及び制御電極間の電圧を、前
記温度検出回路を流れる電流量に応じて変化させ、該ト
ランジスタの第２電極及び制御電極間の電圧が所定の電
圧より大きくなって、該トランジスタがＯＮの間、前記
所定回路の動作をＯＦＦすることを特徴とする請求項２
又は請求項３に記載の過熱保護回路。 - 【請求項５】 前記温度検出回路が、第１電極と第２電
極と制御電極を有するとともに、その制御電極に所定の
基準電圧が与えられた第１トランジスタと、 第１電極と第２電極と制御電極を有するとともに、その
制御電極に前記所定の基準電圧が与えられ、第２電極が
前記第１トランジスタの第２電極と接続された第２トラ
ンジスタと、 第１電極と第２電極と制御電極を有するとともに、その
制御電極と第１電極が前記第１トランジスタの第２電極
と接続された第３トランジスタと、 前記第３トランジスタの第２電極に一端が接続された第
１抵抗と、 を有することを特徴とする請求項１に記載の過熱保護回
路。 - 【請求項６】 前記遮断回路が、 前記第１トランジスタの第１電極に一端が接続された第
２抵抗と、 前記第１トランジスタと逆極性であるトランジスタであ
るとともに、その制御電極が前記第１トランジスタの第
１電極と前記第２抵抗の接続ノードに接続され、前記第
２電極が前記第２抵抗の他端に接続された第４トランジ
スタと、を有し、 前記第４トランジスタがＯＮのとき、前記所定回路の動
作をＯＦＦにすることを特徴とする請求項５に記載の過
熱保護回路。 - 【請求項７】 前記感度変更回路が、前記第２トランジ
スタの第１電極及び第２電極間を流れる電流と同じ電流
量の電流を、前記温度検出回路に前記基準電圧を与える
回路に与えることを特徴とする請求項５又は請求項６に
記載の過熱保護回路。 - 【請求項８】 前記感度変更回路が、 前記第１トランジスタと逆極性であるトランジスタであ
るとともに、その制御電極と第１電極とが前記第２トラ
ンジスタの第１電極に接続された第５トランジスタと、 前記第１トランジスタと逆極性であるトランジスタであ
るとともに、その制御電極が前記第５トランジスタの第
１電極と制御電極との接続ノードに接続され、第１電極
が前記温度検出回路に基準電圧を与える回路に接続され
た第６トランジスタと、 を有することを特徴とする請求項７に記載の過熱保護回
路。 - 【請求項９】 出力電圧を制御する電圧制御トランジス
タと、出力電圧が分圧されるとともに負帰還された電圧
と基準電圧が入力されて差動増幅を行う差動増幅回路
と、該差動増幅回路の出力に応じて電圧制御トランジス
タの制御電極を流れる電流を制御する制御回路を有する
安定化電源回路において、 請求項１〜請求項７のいずれかに記載の過熱保護回路を
有するとともに、 該過熱保護回路が動作したとき、前記制御回路がＯＦＦ
になることを特徴とする安定化電源回路。 - 【請求項１０】 出力電圧を制御する電圧制御トランジ
スタと、出力電圧が分圧されるとともに負帰還された電
圧と基準電圧が入力されて差動増幅を行う差動増幅回路
と、該差動増幅回路の出力に応じて電圧制御トランジス
タの制御電極を流れる電流を制御する制御回路を有する
安定化電源回路において、 請求項８に記載の過熱保護回路を有するとともに、 該過熱保護回路が動作したとき、前記制御回路がＯＦＦ
になることを特徴とする安定化電源回路。 - 【請求項１１】 前記感度変更回路が、 前記第１トランジスタと逆極性であるトランジスタであ
るとともに、その制御電極が前記第５トランジスタの第
１電極と制御電極との接続ノードに接続され、第１電極
が前記温度検出回路に基準電圧を与える回路に接続さ
れ、第２電極が前記第６トランジスタの第１電極に接続
された第７トランジスタを有し、 前記電圧制御トランジスタの制御電極に前記第６トラン
ジスタの第１電極と前記第７トランジスタの第２電極と
の接続ノードが接続されることを特徴とする請求項１０
に記載の安定化電源回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| CN108646847A (zh) * | 2018-08-13 | 2018-10-12 | 广东工业大学 | 一种带隙基准电压的温度保护电路及带隙基准电压电路 |
| WO2019021492A1 (ja) * | 2017-07-28 | 2019-01-31 | 株式会社村田製作所 | 直流電圧供給回路 |
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-
2000
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007079884A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | New Japan Radio Co Ltd | 定電圧回路 |
| JP4634898B2 (ja) * | 2005-09-14 | 2011-02-16 | 新日本無線株式会社 | 定電圧回路 |
| WO2019021492A1 (ja) * | 2017-07-28 | 2019-01-31 | 株式会社村田製作所 | 直流電圧供給回路 |
| CN110945732A (zh) * | 2017-07-28 | 2020-03-31 | 株式会社村田制作所 | 直流电压提供电路 |
| JPWO2019021492A1 (ja) * | 2017-07-28 | 2020-06-18 | 株式会社村田製作所 | 直流電圧供給回路 |
| CN110945732B (zh) * | 2017-07-28 | 2022-01-04 | 株式会社村田制作所 | 直流电压提供电路 |
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| CN108646847A (zh) * | 2018-08-13 | 2018-10-12 | 广东工业大学 | 一种带隙基准电压的温度保护电路及带隙基准电压电路 |
| CN112235895A (zh) * | 2020-09-10 | 2021-01-15 | 深圳市崧盛电子股份有限公司 | 一种过温保护电路及驱动电源 |
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