JP2001172790A - 電気ニッケルめっき浴。 - Google Patents
電気ニッケルめっき浴。Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 めっき排水中のほう酸やほう素の除去処理を
行わなくてもよい、ほう酸を使用しないめっき浴で、緻
密で欠陥の少ないニッケルめっき皮膜が得られる電気ニ
ッケルめっき浴を提供する。 【解決手段】 硫酸ニッケル：２００〜３６０ｇ／Ｌ、
塩化ニッケル：３０〜９０ｇ／Ｌ、クエン酸ニッケル：
２４〜４２ｇ／Ｌまたはクエン酸：１２〜２１ｇ／Ｌを
含み、ｐＨ：３〜５である電気ニッケルめっき浴であ
り、ニッケルめっき皮膜が緻密で、ピットやピンホール
欠陥が殆どなく、また共析物質が少ないためニッケルめ
っき皮膜の純度が高く、耐食性が良好なものである。ま
たほう酸を使用しないので、めっき排水中のほう酸やほ
う素の除去処理を行わなくてもよいものである。
行わなくてもよい、ほう酸を使用しないめっき浴で、緻
密で欠陥の少ないニッケルめっき皮膜が得られる電気ニ
ッケルめっき浴を提供する。 【解決手段】 硫酸ニッケル：２００〜３６０ｇ／Ｌ、
塩化ニッケル：３０〜９０ｇ／Ｌ、クエン酸ニッケル：
２４〜４２ｇ／Ｌまたはクエン酸：１２〜２１ｇ／Ｌを
含み、ｐＨ：３〜５である電気ニッケルめっき浴であ
り、ニッケルめっき皮膜が緻密で、ピットやピンホール
欠陥が殆どなく、また共析物質が少ないためニッケルめ
っき皮膜の純度が高く、耐食性が良好なものである。ま
たほう酸を使用しないので、めっき排水中のほう酸やほ
う素の除去処理を行わなくてもよいものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気ニッケルめっ
き浴に係り、特に、クエン酸ニッケルまたはクエン酸を
含む電気ニッケルめっき浴に関するものである。
き浴に係り、特に、クエン酸ニッケルまたはクエン酸を
含む電気ニッケルめっき浴に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より電気ニッケルめっき浴として、
硫酸ニッケル、塩化ニッケル、ほう酸からなるワット浴
が、装飾用、防食用をはじめ電子部品のニッケルめっき
等に広く用いられている。また、硫酸ニッケル、塩化ニ
ッケル、酢酸ニッケルからなる電気ニッケルめっき浴に
ついての検討もなされている。
硫酸ニッケル、塩化ニッケル、ほう酸からなるワット浴
が、装飾用、防食用をはじめ電子部品のニッケルめっき
等に広く用いられている。また、硫酸ニッケル、塩化ニ
ッケル、酢酸ニッケルからなる電気ニッケルめっき浴に
ついての検討もなされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術のニッケル電
気めっきのワット浴に含まれているほう酸は、めっき液
のｐＨ緩衝作用やめっき皮膜の物性を改善する役割を持
つとされ、ニッケルめっきには欠かせない成分である。
ところで、めっき作業で生じためっき排水は、その有害
成分の除去を行い処理している。めっき排水中のほう素
を除去する技術についても提案がなされている。しかし
ながら、めっき排水中のほう酸やほう素の除去は難く、
またその除去設備も必要でコストがかかるという問題が
ある。また、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、酢酸ニッケ
ルからなる電気ニッケルめっき浴では、ほう酸を含んで
いないので、その除去処理は容易であるが、良好な品質
のニッケルめっき皮膜は得られず、生産性、品質の観点
からほう酸を共に加える必要があり、ほう酸を使用しな
い電気ニッケルめっき浴とすることはできないものであ
る。本発明は、従来技術の課題であるめっき排水中のほ
う酸やほう素の除去処理を行わなくてもよい、ほう酸を
使用しないめっき浴で、緻密で欠陥の少ないニッケルめ
っき皮膜が得られる電気ニッケルめっき浴を提供するも
のである。
気めっきのワット浴に含まれているほう酸は、めっき液
のｐＨ緩衝作用やめっき皮膜の物性を改善する役割を持
つとされ、ニッケルめっきには欠かせない成分である。
ところで、めっき作業で生じためっき排水は、その有害
成分の除去を行い処理している。めっき排水中のほう素
を除去する技術についても提案がなされている。しかし
ながら、めっき排水中のほう酸やほう素の除去は難く、
またその除去設備も必要でコストがかかるという問題が
ある。また、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、酢酸ニッケ
ルからなる電気ニッケルめっき浴では、ほう酸を含んで
いないので、その除去処理は容易であるが、良好な品質
のニッケルめっき皮膜は得られず、生産性、品質の観点
からほう酸を共に加える必要があり、ほう酸を使用しな
い電気ニッケルめっき浴とすることはできないものであ
る。本発明は、従来技術の課題であるめっき排水中のほ
う酸やほう素の除去処理を行わなくてもよい、ほう酸を
使用しないめっき浴で、緻密で欠陥の少ないニッケルめ
っき皮膜が得られる電気ニッケルめっき浴を提供するも
のである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するためのもので、硫酸ニッケル：２００〜３６０
ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：３０〜９０ｇ／Ｌ、クエン酸ニ
ッケル：２４〜４２ｇ／Ｌを含み、ｐＨ：３〜５である
ことを特徴とする電気ニッケルめっき浴である。また本
発明は、硫酸ニッケル：２００〜３６０ｇ／Ｌ、塩化ニ
ッケル：３０〜９０ｇ／Ｌ、クエン酸：１２〜２１ｇ／
Ｌを含む、ｐＨ：３〜５であることを特徴とする電気ニ
ッケルめっき浴である。また本発明は、硫酸ニッケル：
２００〜３６０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：３０〜９０ｇ／
Ｌ、クエン酸：１２〜２１ｇ／Ｌを含む溶液に塩基性炭
酸ニッケル又は水酸化ニッケルでｐＨ：３〜５とし、め
っき浴中にクエン酸ニッケルを存在させることを特徴と
する電気ニッケルめっき浴である。また本発明の電気ニ
ッケルめっき浴は、光沢剤を含むことを特徴とするもの
である。
解決するためのもので、硫酸ニッケル：２００〜３６０
ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：３０〜９０ｇ／Ｌ、クエン酸ニ
ッケル：２４〜４２ｇ／Ｌを含み、ｐＨ：３〜５である
ことを特徴とする電気ニッケルめっき浴である。また本
発明は、硫酸ニッケル：２００〜３６０ｇ／Ｌ、塩化ニ
ッケル：３０〜９０ｇ／Ｌ、クエン酸：１２〜２１ｇ／
Ｌを含む、ｐＨ：３〜５であることを特徴とする電気ニ
ッケルめっき浴である。また本発明は、硫酸ニッケル：
２００〜３６０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：３０〜９０ｇ／
Ｌ、クエン酸：１２〜２１ｇ／Ｌを含む溶液に塩基性炭
酸ニッケル又は水酸化ニッケルでｐＨ：３〜５とし、め
っき浴中にクエン酸ニッケルを存在させることを特徴と
する電気ニッケルめっき浴である。また本発明の電気ニ
ッケルめっき浴は、光沢剤を含むことを特徴とするもの
である。
【０００５】
【作用】本発明の電気ニッケルめっき浴は、硫酸ニッケ
ル：２００〜３６０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：３０〜９０
ｇ／Ｌ、クエン酸ニッケル：２４〜４２ｇ／Ｌまたはク
エン酸：１２〜２１ｇ／Ｌを含み、ｐＨ：３〜５である
ことにより、形成されたニッケルめっき皮膜が緻密で、
ピットやピンホール欠陥が殆どなく、また共析物質が少
ないためニッケルめっき皮膜の純度が高く、耐食性が良
好なものである。また本発明の電気ニッケルめっき浴
は、ほう酸を使用しないので、めっき排水中のほう酸や
ほう素の除去処理を行わなくてもよいものである。
ル：２００〜３６０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：３０〜９０
ｇ／Ｌ、クエン酸ニッケル：２４〜４２ｇ／Ｌまたはク
エン酸：１２〜２１ｇ／Ｌを含み、ｐＨ：３〜５である
ことにより、形成されたニッケルめっき皮膜が緻密で、
ピットやピンホール欠陥が殆どなく、また共析物質が少
ないためニッケルめっき皮膜の純度が高く、耐食性が良
好なものである。また本発明の電気ニッケルめっき浴
は、ほう酸を使用しないので、めっき排水中のほう酸や
ほう素の除去処理を行わなくてもよいものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の電気ニッケルめっき浴に
おいて、硫酸ニッケル：２００〜３６０ｇ／Ｌとは、Ｎ
ｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ：２００〜３６０ｇ／Ｌであり、塩
化ニッケル：３０〜９０ｇ／ＬとはＮｉＣｌ２・６Ｈ２
Ｏ：３０〜９０ｇ／Ｌであり、クエン酸ニッケル：２４
〜４２ｇ／ＬとはＮｉ３（Ｃ６Ｈ５Ｏ７）２・１４Ｈ２
Ｏ（クエン酸ニッケルの十四水塩）：２４〜４２ｇ／Ｌ
であり、またクエン酸：１２〜２１ｇ／ＬとはＨＯＯＣ
ＣＨ２Ｃ（ＯＨ）（ＣＯＯＨ）ＣＨ２ＣＯＯＨ・Ｈ２Ｏ
（クエン酸一水和物）（分子式Ｃ６Ｈ８Ｏ７・Ｈ
２Ｏ）：１２〜２１ｇ／Ｌである。本発明の電気ニッケ
ルめっき浴について、成分の役割と作用を説明する。硫
酸ニッケルは、めっき浴のニッケルイオンの主供給源で
ある。硫酸ニッケルが２００ｇ／Ｌ以下では、陰極面に
充分なニッケルイオンを供給することができず、また焦
げの発生や電流効率の低下を招くことになる。３６０ｇ
／Ｌ以上では、めっき浴の粘度が高くなり、ピットを発
生しやすくなるので、硫酸ニッケルは、２００〜３６０
ｇ／Ｌにした。塩化ニッケルは、めっき浴に塩化物イオ
ンを供給し陽極が不動態化して不溶化するのを防止し、
まためっき浴の電導性をよくし、陰極電流効率を高める
ものである。同時にニッケルイオンをめっき浴に供給す
るものである。塩化ニッケルが３０ｇ／Ｌ以下では、め
っき浴に必要な塩化物イオンを供給することができず、
めっき浴の電導性や陽極の溶解効率が低下する。また９
０ｇ／Ｌ以上では、ニッケルめっき膜の内部応力を増大
させることになるので塩化ニッケルは３０〜９０ｇ／Ｌ
とした。
おいて、硫酸ニッケル：２００〜３６０ｇ／Ｌとは、Ｎ
ｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ：２００〜３６０ｇ／Ｌであり、塩
化ニッケル：３０〜９０ｇ／ＬとはＮｉＣｌ２・６Ｈ２
Ｏ：３０〜９０ｇ／Ｌであり、クエン酸ニッケル：２４
〜４２ｇ／ＬとはＮｉ３（Ｃ６Ｈ５Ｏ７）２・１４Ｈ２
Ｏ（クエン酸ニッケルの十四水塩）：２４〜４２ｇ／Ｌ
であり、またクエン酸：１２〜２１ｇ／ＬとはＨＯＯＣ
ＣＨ２Ｃ（ＯＨ）（ＣＯＯＨ）ＣＨ２ＣＯＯＨ・Ｈ２Ｏ
（クエン酸一水和物）（分子式Ｃ６Ｈ８Ｏ７・Ｈ
２Ｏ）：１２〜２１ｇ／Ｌである。本発明の電気ニッケ
ルめっき浴について、成分の役割と作用を説明する。硫
酸ニッケルは、めっき浴のニッケルイオンの主供給源で
ある。硫酸ニッケルが２００ｇ／Ｌ以下では、陰極面に
充分なニッケルイオンを供給することができず、また焦
げの発生や電流効率の低下を招くことになる。３６０ｇ
／Ｌ以上では、めっき浴の粘度が高くなり、ピットを発
生しやすくなるので、硫酸ニッケルは、２００〜３６０
ｇ／Ｌにした。塩化ニッケルは、めっき浴に塩化物イオ
ンを供給し陽極が不動態化して不溶化するのを防止し、
まためっき浴の電導性をよくし、陰極電流効率を高める
ものである。同時にニッケルイオンをめっき浴に供給す
るものである。塩化ニッケルが３０ｇ／Ｌ以下では、め
っき浴に必要な塩化物イオンを供給することができず、
めっき浴の電導性や陽極の溶解効率が低下する。また９
０ｇ／Ｌ以上では、ニッケルめっき膜の内部応力を増大
させることになるので塩化ニッケルは３０〜９０ｇ／Ｌ
とした。
【０００７】本発明の電気ニッケルめっき浴において、
クエン酸ニッケルは、電気ニッケルめっき浴において、
ｐＨを緩衝する作用を有し、めっき浴のｐＨの変動を防
ぐものであり、クエン酸ニッケルを２４〜４２ｇ／Ｌに
より、めっき浴のｐＨの変動を防き、緻密でピットやピ
ンホール欠陥が殆どない、耐食性が良好なニッケルめっ
き皮膜を得ることができるものである。
クエン酸ニッケルは、電気ニッケルめっき浴において、
ｐＨを緩衝する作用を有し、めっき浴のｐＨの変動を防
ぐものであり、クエン酸ニッケルを２４〜４２ｇ／Ｌに
より、めっき浴のｐＨの変動を防き、緻密でピットやピ
ンホール欠陥が殆どない、耐食性が良好なニッケルめっ
き皮膜を得ることができるものである。
【０００８】クエン酸ニッケルが２４ｇ／Ｌ以下では、
ｐＨ緩衝剤としての役割である陰極に接近した陰極膜内
でｐＨ５以下に抑えることができず、水酸化ニッケルの
沈殿を生ずることになる。また皮膜には、焦げ、条跡が
生じることになる。４２ｇ／Ｌ以上では、浴電圧の上
昇、陰極電流効率が低下する。また、ニッケルの電気め
っきは、陰極での反応は主としてニッケルめっき反応で
あるが、同時に水素発生反応も伴うものであり、本発明
の電気ニッケルめっき浴において、ｐＨが３以下では、
水素発生反応が多くなり、ピットが生じやすい。ｐＨが
５を越えると高電流部に焦げを生じやすく、内部応力が
大きく、めっき皮膜が硬いものとなる。
ｐＨ緩衝剤としての役割である陰極に接近した陰極膜内
でｐＨ５以下に抑えることができず、水酸化ニッケルの
沈殿を生ずることになる。また皮膜には、焦げ、条跡が
生じることになる。４２ｇ／Ｌ以上では、浴電圧の上
昇、陰極電流効率が低下する。また、ニッケルの電気め
っきは、陰極での反応は主としてニッケルめっき反応で
あるが、同時に水素発生反応も伴うものであり、本発明
の電気ニッケルめっき浴において、ｐＨが３以下では、
水素発生反応が多くなり、ピットが生じやすい。ｐＨが
５を越えると高電流部に焦げを生じやすく、内部応力が
大きく、めっき皮膜が硬いものとなる。
【０００９】また、本発明の電気ニッケルめっき浴にお
いて、クエン酸は、電気ニッケルめっき浴のｐＨを緩衝
する作用を有し、めっき浴のｐＨの変動を防ぐものであ
り、クエン酸が１２ｇ／Ｌ以下では、陰極に接近した陰
極膜内でｐＨ５に押さえることができず、水酸化ニッケ
ルの沈殿を生じる。また皮膜には、焦げ、条跡が生じる
ことになる。２１ｇ／Ｌ以上では、浴電圧の上昇、陰極
電流効率が低下する。また、本発明の電気ニッケルめっ
き浴は、硫酸ニッケル：２００〜３６０ｇ／Ｌ、塩化ニ
ッケル：３０〜９０ｇ／Ｌ、クエン酸：１２〜２１ｇ／
Ｌを含む溶液に塩基性炭酸ニッケル又は水酸化ニッケル
でｐＨ：３〜５とし、めっき浴中にクエン酸ニッケルを
存在させるものである。めっき浴中に存在するクエン酸
ニッケルは、ｐＨを緩衝する作用を有し、めっき浴のｐ
Ｈの変動を防ぎ、緻密でピットやピンホール欠陥が殆ど
なく、純度の高い耐食性が良好なニッケルめっき皮膜の
形成に有用なものである。そしてクエン酸ニッケルを２
４〜４２ｇ／Ｌ含むようにし、ｐＨを３〜５にするもの
である。
いて、クエン酸は、電気ニッケルめっき浴のｐＨを緩衝
する作用を有し、めっき浴のｐＨの変動を防ぐものであ
り、クエン酸が１２ｇ／Ｌ以下では、陰極に接近した陰
極膜内でｐＨ５に押さえることができず、水酸化ニッケ
ルの沈殿を生じる。また皮膜には、焦げ、条跡が生じる
ことになる。２１ｇ／Ｌ以上では、浴電圧の上昇、陰極
電流効率が低下する。また、本発明の電気ニッケルめっ
き浴は、硫酸ニッケル：２００〜３６０ｇ／Ｌ、塩化ニ
ッケル：３０〜９０ｇ／Ｌ、クエン酸：１２〜２１ｇ／
Ｌを含む溶液に塩基性炭酸ニッケル又は水酸化ニッケル
でｐＨ：３〜５とし、めっき浴中にクエン酸ニッケルを
存在させるものである。めっき浴中に存在するクエン酸
ニッケルは、ｐＨを緩衝する作用を有し、めっき浴のｐ
Ｈの変動を防ぎ、緻密でピットやピンホール欠陥が殆ど
なく、純度の高い耐食性が良好なニッケルめっき皮膜の
形成に有用なものである。そしてクエン酸ニッケルを２
４〜４２ｇ／Ｌ含むようにし、ｐＨを３〜５にするもの
である。
【００１０】また、本発明のクエン酸ニッケルまたはク
エン酸を含む電気ニッケルめっき浴に光沢剤を用いて、
例えば光沢剤としてブチンジオール、サッカリンを用い
て光沢めっきを行った場合、共折する光沢剤が少ないニ
ッケルめっき皮膜が得られる。光沢剤成分の共析物質が
少く平滑でよい光沢のものあり、また光沢剤成分の共析
物質が少ないため、硬さや応力が小さいものが得られ
た。また、ニッケルめっき皮膜は、光沢剤成分の共折量
が少ないため、硬さや応力が小さいもので、めっき後に
二次加工する場合に、皮膜の割れが生じ難く、二次加工
性に優れたものが得られる。
エン酸を含む電気ニッケルめっき浴に光沢剤を用いて、
例えば光沢剤としてブチンジオール、サッカリンを用い
て光沢めっきを行った場合、共折する光沢剤が少ないニ
ッケルめっき皮膜が得られる。光沢剤成分の共析物質が
少く平滑でよい光沢のものあり、また光沢剤成分の共析
物質が少ないため、硬さや応力が小さいものが得られ
た。また、ニッケルめっき皮膜は、光沢剤成分の共折量
が少ないため、硬さや応力が小さいもので、めっき後に
二次加工する場合に、皮膜の割れが生じ難く、二次加工
性に優れたものが得られる。
【００１１】なお、従来例（特開昭５７−９４５８９号
公報）で、電解質としてクエン酸を用いたニッケルの電
気めっき浴が知られているが、これは不溶性陽極を使用
するに適した電気メッキ浴で、本発明の硫酸ニッケル：
２００〜３６０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：３０〜９０ｇ／
Ｌを含むものとは浴組成の配合割合が異なり、またクエ
ン酸の配合割合も異なるものである。また、従来例（特
開昭５３−８７９４２号公報）に、クエン酸を用いたニ
ッケルの電気めっき浴が記載されているが、本発明の硫
酸ニッケル：２００〜３６０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：３
０〜９０ｇ／Ｌを含むものとは浴組成の配合割合が異な
り、またクエン酸の配合割合も相違し、、めっき浴のｐ
Ｈの変動を防き、緻密でピットやピンホール欠陥が殆ど
ない、耐食性が良好なニッケルめっき皮膜を得るものと
は異なるものである。また、スルファミン酸ニッケル、
およびクエン酸ニッケルを２〜４ｇ／Ｌ含むめっき浴
（例えば、特開昭６３−２４３２９４号公報）が知られ
ているが、本発明の電気ニッケルめっき浴とは、浴組成
が異なるものである。また、ニッケル系の合金のめっき
浴でクエン酸を使用している例があるが、これは、ニッ
ケル外の金属をニッケルと共析させて合金を得るための
錯化剤成分として使用されているもので、本発明の電気
ニッケルめっき浴とは、浴組成、またクエン酸ニッケル
によりｐＨを緩衝する作用を有し、めっき浴のｐＨの変
動を防ぎ、および良質の単一のニッケルめっき皮膜を得
るものとは異なるものである。また、無電解ニッケルめ
っき浴でクエン酸を使用しているものがあるが、無電解
ニッケルめっきは、ニッケル電気めっきとは異なり、ま
た浴組成の配合割合も異なるものである。
公報）で、電解質としてクエン酸を用いたニッケルの電
気めっき浴が知られているが、これは不溶性陽極を使用
するに適した電気メッキ浴で、本発明の硫酸ニッケル：
２００〜３６０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：３０〜９０ｇ／
Ｌを含むものとは浴組成の配合割合が異なり、またクエ
ン酸の配合割合も異なるものである。また、従来例（特
開昭５３−８７９４２号公報）に、クエン酸を用いたニ
ッケルの電気めっき浴が記載されているが、本発明の硫
酸ニッケル：２００〜３６０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：３
０〜９０ｇ／Ｌを含むものとは浴組成の配合割合が異な
り、またクエン酸の配合割合も相違し、、めっき浴のｐ
Ｈの変動を防き、緻密でピットやピンホール欠陥が殆ど
ない、耐食性が良好なニッケルめっき皮膜を得るものと
は異なるものである。また、スルファミン酸ニッケル、
およびクエン酸ニッケルを２〜４ｇ／Ｌ含むめっき浴
（例えば、特開昭６３−２４３２９４号公報）が知られ
ているが、本発明の電気ニッケルめっき浴とは、浴組成
が異なるものである。また、ニッケル系の合金のめっき
浴でクエン酸を使用している例があるが、これは、ニッ
ケル外の金属をニッケルと共析させて合金を得るための
錯化剤成分として使用されているもので、本発明の電気
ニッケルめっき浴とは、浴組成、またクエン酸ニッケル
によりｐＨを緩衝する作用を有し、めっき浴のｐＨの変
動を防ぎ、および良質の単一のニッケルめっき皮膜を得
るものとは異なるものである。また、無電解ニッケルめ
っき浴でクエン酸を使用しているものがあるが、無電解
ニッケルめっきは、ニッケル電気めっきとは異なり、ま
た浴組成の配合割合も異なるものである。
【００１２】本発明の電気ニッケルめっき浴の調整につ
いて、具体的に説明する。クエン酸ニッケルを用いる場
合、まず硫酸ニッケル：２００〜３６０ｇ／Ｌ、塩化ニ
ッケル：３０〜９０ｇ／Ｌの範囲内の所定量の硫酸ニッ
ケルと塩化ニッケルを水に溶解し、次に２４〜４２ｇ／
Ｌの範囲内の所定量のクエン酸ニッケルを溶解する。こ
のときにめっき液のｐＨは３以下となり、めっき液は懸
濁する。これを放置して、硫酸ニッケル、塩化ニッケル
が溶けている液にクエン酸ニッケルが溶け込んで安定化
させる。安定化させた後にめっき液のｐＨ調整を行う。
ｐＨ調整は、水でペースト状にした塩基性炭酸ニッケル
をｐＨ：３〜５の範囲内の所定のｐＨになるまで添加す
る。次いで吸引ろ過して不溶性分をろ別除去する。ろ液
であるめっき液は、希硫酸にて所定のｐＨ値に微調整す
る。必要があれば、弱電解活性炭処理を行ってもよい。
いて、具体的に説明する。クエン酸ニッケルを用いる場
合、まず硫酸ニッケル：２００〜３６０ｇ／Ｌ、塩化ニ
ッケル：３０〜９０ｇ／Ｌの範囲内の所定量の硫酸ニッ
ケルと塩化ニッケルを水に溶解し、次に２４〜４２ｇ／
Ｌの範囲内の所定量のクエン酸ニッケルを溶解する。こ
のときにめっき液のｐＨは３以下となり、めっき液は懸
濁する。これを放置して、硫酸ニッケル、塩化ニッケル
が溶けている液にクエン酸ニッケルが溶け込んで安定化
させる。安定化させた後にめっき液のｐＨ調整を行う。
ｐＨ調整は、水でペースト状にした塩基性炭酸ニッケル
をｐＨ：３〜５の範囲内の所定のｐＨになるまで添加す
る。次いで吸引ろ過して不溶性分をろ別除去する。ろ液
であるめっき液は、希硫酸にて所定のｐＨ値に微調整す
る。必要があれば、弱電解活性炭処理を行ってもよい。
【００１３】本発明の硫酸ニッケル：２００〜３６０ｇ
／Ｌ、塩化ニッケル：３０〜９０ｇ／Ｌ、クエン酸：１
２〜２１ｇ／Ｌを含む溶液に塩基性炭酸ニッケルを添加
してｐＨ：３〜５とするもので、水でペースト状にした
塩基性炭酸ニッケルを用いる場合を示す。まず、硫酸ニ
ッケル：２００〜３６０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：３０〜
９０ｇ／Ｌの範囲内の所定量の硫酸ニッケルと塩化ニッ
ケルを水に溶解し、次に１２〜２１ｇ／Ｌの範囲内の所
定量のクエン酸を溶解する。めっき液のｐＨは２以下に
低下する。なお、めっき液は懸濁しなかった。
／Ｌ、塩化ニッケル：３０〜９０ｇ／Ｌ、クエン酸：１
２〜２１ｇ／Ｌを含む溶液に塩基性炭酸ニッケルを添加
してｐＨ：３〜５とするもので、水でペースト状にした
塩基性炭酸ニッケルを用いる場合を示す。まず、硫酸ニ
ッケル：２００〜３６０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：３０〜
９０ｇ／Ｌの範囲内の所定量の硫酸ニッケルと塩化ニッ
ケルを水に溶解し、次に１２〜２１ｇ／Ｌの範囲内の所
定量のクエン酸を溶解する。めっき液のｐＨは２以下に
低下する。なお、めっき液は懸濁しなかった。
【００１４】次いで、水でペースト状にした塩基性炭酸
ニッケルをｐＨ：３〜５の範囲内の所定のｐＨになるま
で添加する。次いで吸引ろ過して不溶性分をろ別除去す
る。ろ液であるめっき液は懸濁する。この液に希硫酸を
添加して、所定のｐＨ値に調整する。この懸濁している
めっき液は、しばらくすると液は澄む。ここでｐＨ値を
測定し、必要に応じて再度、希硫酸で所定のｐＨ値にめ
っき液を調整する。必要があれば、弱電解活性炭処理を
行ってもよい。本発明の電気ニッケルめっき浴の調整に
ついて、塩基性炭酸ニッケルを水でペースト状にして用
いる場合を示したが、粉末状で用いてもよい。
ニッケルをｐＨ：３〜５の範囲内の所定のｐＨになるま
で添加する。次いで吸引ろ過して不溶性分をろ別除去す
る。ろ液であるめっき液は懸濁する。この液に希硫酸を
添加して、所定のｐＨ値に調整する。この懸濁している
めっき液は、しばらくすると液は澄む。ここでｐＨ値を
測定し、必要に応じて再度、希硫酸で所定のｐＨ値にめ
っき液を調整する。必要があれば、弱電解活性炭処理を
行ってもよい。本発明の電気ニッケルめっき浴の調整に
ついて、塩基性炭酸ニッケルを水でペースト状にして用
いる場合を示したが、粉末状で用いてもよい。
【００１５】なお、本発明の電気ニッケルめっき浴で、
２４〜４２ｇ／Ｌのクエン酸ニッケルを用いる場合、め
っき液のｐＨを調整するために用いる塩基性炭酸ニッケ
ルは、その塩基性炭酸ニッケル中のニッケルの溶解量は
少なく、吸引ろ過するため塩基性炭酸ニッケルによるニ
ッケルイオン濃度の増加は少ない。一方、クエン酸を用
い、水でペースト状にした塩基性炭酸ニッケルをｐＨ：
３〜５の範囲内の所定のｐＨになるまで添加し、ろ過し
て建浴する場合には、塩基性炭酸ニッケル中のニッケル
の溶解量が少ないため、建浴時のニッケルイオンの供給
源としての硫酸ニッケル濃度を考慮する必要がある。こ
の場合には、クエン酸濃度の１．５倍モル分だけ建浴時
の硫酸ニッケルからのニッケルイオンがクエン酸ニッケ
ルとして使用される。また、本発明の電気ニッケルめっ
き浴の調整について、塩基性炭酸ニッケルを水でペース
ト状にして用いる場合を示したが、粉末の塩基性炭酸ニ
ッケルを直接添加し用いてもよい。例えば、ｐＨ４に調
整する場合、クエン酸濃度１モルに対して約１／２モル
の塩基性炭酸ニッケルを要するものであり、この塩基性
炭酸ニッケルは全て溶解するため、建浴時の硫酸ニッケ
ル濃度を考慮する必要はないものである。また、水酸化
ニッケルも塩基性炭酸ニッケルと同様の作用効果を有す
るものである。
２４〜４２ｇ／Ｌのクエン酸ニッケルを用いる場合、め
っき液のｐＨを調整するために用いる塩基性炭酸ニッケ
ルは、その塩基性炭酸ニッケル中のニッケルの溶解量は
少なく、吸引ろ過するため塩基性炭酸ニッケルによるニ
ッケルイオン濃度の増加は少ない。一方、クエン酸を用
い、水でペースト状にした塩基性炭酸ニッケルをｐＨ：
３〜５の範囲内の所定のｐＨになるまで添加し、ろ過し
て建浴する場合には、塩基性炭酸ニッケル中のニッケル
の溶解量が少ないため、建浴時のニッケルイオンの供給
源としての硫酸ニッケル濃度を考慮する必要がある。こ
の場合には、クエン酸濃度の１．５倍モル分だけ建浴時
の硫酸ニッケルからのニッケルイオンがクエン酸ニッケ
ルとして使用される。また、本発明の電気ニッケルめっ
き浴の調整について、塩基性炭酸ニッケルを水でペース
ト状にして用いる場合を示したが、粉末の塩基性炭酸ニ
ッケルを直接添加し用いてもよい。例えば、ｐＨ４に調
整する場合、クエン酸濃度１モルに対して約１／２モル
の塩基性炭酸ニッケルを要するものであり、この塩基性
炭酸ニッケルは全て溶解するため、建浴時の硫酸ニッケ
ル濃度を考慮する必要はないものである。また、水酸化
ニッケルも塩基性炭酸ニッケルと同様の作用効果を有す
るものである。
【００１６】本発明は、陽極にニッケル、陰極にワーク
を備えためっき槽での電気ニッケルめっき浴として用い
られるもので、温度は４０〜６０℃、電流密度は０．１
〜１５Ａ／ｄｍ２である。標準的な静止（引っかけ）め
っきでの設定電流密度１〜５Ａ／ｄｍ２、回転（バレ
ル）めっきで設定電流密度０．１〜１Ａ／ｄｍ２でめっ
き作業を行うことが好ましい。
を備えためっき槽での電気ニッケルめっき浴として用い
られるもので、温度は４０〜６０℃、電流密度は０．１
〜１５Ａ／ｄｍ２である。標準的な静止（引っかけ）め
っきでの設定電流密度１〜５Ａ／ｄｍ２、回転（バレ
ル）めっきで設定電流密度０．１〜１Ａ／ｄｍ２でめっ
き作業を行うことが好ましい。
【００１７】
【実施例１】本発明の実施例１について、表１、図１、
図２を参照して説明する。表１に示す電気ニッケルめっ
き浴について、ハルセル試験を行った。ハルセル試験
は、図１に示す、めっき槽（１）に、ハルセル黄銅板の
試験片（２）、ニッケル陽極板（３）を挿入して、通電
して、めっきを施した。めっき槽（１）の短辺（４）は
４７．６ｍｍ、長辺（５）は１２７ｍｍ、深さは６３．
５ｍｍであり、試験片（２）は１００ｍｍ×６５ｍｍ、
陽極板（３）は６３．５ｍｍであり、めっき液は、めっ
き槽（１）に２６７ｍＬ入れた。めっき条件は、めっき
浴の初期のｐＨ４、めっき浴温度；５０℃、電流：３Ａ
で、５分電気めっきを行い、試験片（２）の皮膜を観察
し、図２に示す。
図２を参照して説明する。表１に示す電気ニッケルめっ
き浴について、ハルセル試験を行った。ハルセル試験
は、図１に示す、めっき槽（１）に、ハルセル黄銅板の
試験片（２）、ニッケル陽極板（３）を挿入して、通電
して、めっきを施した。めっき槽（１）の短辺（４）は
４７．６ｍｍ、長辺（５）は１２７ｍｍ、深さは６３．
５ｍｍであり、試験片（２）は１００ｍｍ×６５ｍｍ、
陽極板（３）は６３．５ｍｍであり、めっき液は、めっ
き槽（１）に２６７ｍＬ入れた。めっき条件は、めっき
浴の初期のｐＨ４、めっき浴温度；５０℃、電流：３Ａ
で、５分電気めっきを行い、試験片（２）の皮膜を観察
し、図２に示す。
【表１】
【００１８】図２に示すように、試験片（２）の皮膜
は、Ｎｏ１のクエン酸を含まない電気ニッケルめっき浴
では、焦げ、条跡、が生じた。またＮｏ２のクエン酸：
４．２ｇ／Ｌ、Ｎｏ３のクエン酸：８．４ｇ／Ｌでは、
電流密度の高いときに、焦げが生じた。これに対して、
本発明の電気ニッケルめっき浴であるＮｏ４のクエン
酸：１２．６ｇ／Ｌ、Ｎｏ５のクエン酸：１６．８ｇ／
Ｌ、Ｎｏ６のクエン酸：２１．０ｇ／Ｌでは、焦げ、条
跡の発生がなく、無光沢、半光沢の良好な皮膜が形成さ
れた。また、めっきの電流は３Ａとしたが、めっき槽
（１）の短辺（４）に近いところでは、電流密度が１５
Ａ／ｄｍ２にもなる。また長辺（５）に近いところで
は、電流密度が０．１Ａ／ｄｍ２にもなる。このハルセ
ル試験の結果から、使用する電流密度範囲は、焦げや条
痕、ビリやクラックがなく、半光沢から無光沢めっき面
が得られる、０．１〜１５Ａ／ｄｍ２の範囲が好まし
い。
は、Ｎｏ１のクエン酸を含まない電気ニッケルめっき浴
では、焦げ、条跡、が生じた。またＮｏ２のクエン酸：
４．２ｇ／Ｌ、Ｎｏ３のクエン酸：８．４ｇ／Ｌでは、
電流密度の高いときに、焦げが生じた。これに対して、
本発明の電気ニッケルめっき浴であるＮｏ４のクエン
酸：１２．６ｇ／Ｌ、Ｎｏ５のクエン酸：１６．８ｇ／
Ｌ、Ｎｏ６のクエン酸：２１．０ｇ／Ｌでは、焦げ、条
跡の発生がなく、無光沢、半光沢の良好な皮膜が形成さ
れた。また、めっきの電流は３Ａとしたが、めっき槽
（１）の短辺（４）に近いところでは、電流密度が１５
Ａ／ｄｍ２にもなる。また長辺（５）に近いところで
は、電流密度が０．１Ａ／ｄｍ２にもなる。このハルセ
ル試験の結果から、使用する電流密度範囲は、焦げや条
痕、ビリやクラックがなく、半光沢から無光沢めっき面
が得られる、０．１〜１５Ａ／ｄｍ２の範囲が好まし
い。
【００１９】
【実施例２】本発明の実施例２について表２を参照して
説明する。実施例２はクエン酸ニッケルを含む電気ニッ
ケルめっき浴について、実施例１同じ条件で、ハルセル
試験を行い、試験片の皮膜を観察した。
説明する。実施例２はクエン酸ニッケルを含む電気ニッ
ケルめっき浴について、実施例１同じ条件で、ハルセル
試験を行い、試験片の皮膜を観察した。
【表２】
【００２０】その結果、Ｎｏ７のクエン酸ニッケルを含
まない電気ニッケルめっき浴では、焦げ、条跡、が生じ
た。またＮｏ８のクエン酸ニッケル：８．１ｇ／Ｌ、Ｎ
ｏ９のクエン酸：１６．１ｇ／Ｌでは、電流密度の高い
ときに、焦げが生じた。これに対して、本発明の電気ニ
ッケルめっき浴であるＮｏ１０のクエン酸ニッケル：２
４．２ｇ／Ｌ、Ｎｏ１１のクエン酸：３２．２ｇ／Ｌ、
Ｎｏ１２のクエン酸：４０．３ｇ／Ｌでは、焦げ、条跡
の発生がなく、無光沢、半光沢の良好な皮膜が形成され
た。
まない電気ニッケルめっき浴では、焦げ、条跡、が生じ
た。またＮｏ８のクエン酸ニッケル：８．１ｇ／Ｌ、Ｎ
ｏ９のクエン酸：１６．１ｇ／Ｌでは、電流密度の高い
ときに、焦げが生じた。これに対して、本発明の電気ニ
ッケルめっき浴であるＮｏ１０のクエン酸ニッケル：２
４．２ｇ／Ｌ、Ｎｏ１１のクエン酸：３２．２ｇ／Ｌ、
Ｎｏ１２のクエン酸：４０．３ｇ／Ｌでは、焦げ、条跡
の発生がなく、無光沢、半光沢の良好な皮膜が形成され
た。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電気ニッ
ケルめっき浴によれば、ほう酸を使用しないので、めっ
き排水中のほう酸やほう素の除去処理を行わなくてもよ
いものであり、また得られたニッケルめっきは、その皮
膜が、緻密でピットやピンホール欠陥が殆どなく、また
共析物質がないため純度が高く、耐食性が良好なニッケ
ル皮膜が得られるという効果を奏するものである。
ケルめっき浴によれば、ほう酸を使用しないので、めっ
き排水中のほう酸やほう素の除去処理を行わなくてもよ
いものであり、また得られたニッケルめっきは、その皮
膜が、緻密でピットやピンホール欠陥が殆どなく、また
共析物質がないため純度が高く、耐食性が良好なニッケ
ル皮膜が得られるという効果を奏するものである。
【図１】本発明の実施例を説明するハルセル試験を示す
図
図
【図２】本発明の実施例を説明するハルセル試験の試験
片の皮膜を観察した図
片の皮膜を観察した図
１．めっき槽 ２．試験片 ３．陽極板
Claims (4)
- 【請求項１】 硫酸ニッケル：２００〜３６０ｇ／Ｌ、
塩化ニッケル：３０〜９０ｇ／Ｌ、クエン酸ニッケル：
２４〜４２ｇ／Ｌを含み、ｐＨ：３〜５であることを特
徴とする電気ニッケルめっき浴。 - 【請求項２】 硫酸ニッケル：２００〜３６０ｇ／Ｌ、
塩化ニッケル：３０〜９０ｇ／Ｌ、クエン酸：１２〜２
１ｇ／Ｌを含む、ｐＨ：３〜５であることを特徴とする
電気ニッケルめっき浴。 - 【請求項３】 塩基性炭酸ニッケル又は水酸化ニッケル
でｐＨ：３〜５とし、めっき浴中にクエン酸ニッケルを
存在させることを特徴とする請求項２に記載の電気ニッ
ケルめっき浴。 - 【請求項４】 めっき浴が、光沢剤を含むことを特徴と
する請求項１〜３のいずれかに記載の電気ニッケルめっ
き浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35748099A JP3261676B2 (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 電気ニッケルめっき浴。 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35748099A JP3261676B2 (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 電気ニッケルめっき浴。 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001172790A true JP2001172790A (ja) | 2001-06-26 |
| JP3261676B2 JP3261676B2 (ja) | 2002-03-04 |
Family
ID=18454348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35748099A Expired - Lifetime JP3261676B2 (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 電気ニッケルめっき浴。 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3261676B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006077311A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Murata Mfg Co Ltd | ニッケルめっき浴、及び電子部品 |
| US7842397B2 (en) | 2005-09-27 | 2010-11-30 | Hitachi Cable, Ltd. | Nickel plating solution and its preparation method, nickel plating method and printed wiring board copper foil |
| JP2011208175A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Asahi Plating Co Ltd | めっき物の製造方法及びめっき物 |
| JP2012117105A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Nittoh Kogaku Kk | ニッケルめっき浴およびこれを用いた電鋳型の製造方法 |
| WO2012081274A1 (ja) * | 2010-12-14 | 2012-06-21 | メルテックス株式会社 | ニッケルめっき液及びニッケルめっき方法 |
| JP2015217610A (ja) * | 2014-05-19 | 2015-12-07 | 株式会社ボンマーク | メタルマスク及びその製造方法 |
| WO2016095896A1 (de) * | 2014-12-15 | 2016-06-23 | Harting Ag & Co. Kg | Verfahren zur elektrolytischen abscheidung eines nickelüberzuges auf ein elektrisches kontaktelement in einem borsäurefreien elektrolytischen bad |
| EP3312308A1 (en) | 2016-10-24 | 2018-04-25 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Nickel plating solution |
| JP2020524746A (ja) * | 2017-06-23 | 2020-08-20 | アトテック ドイチェランド ゲーエムベーハー | 基材上に装飾ニッケルコーティングを堆積させるためのニッケル電気メッキ浴 |
| CN111926352A (zh) * | 2018-06-12 | 2020-11-13 | 北京航空航天大学 | 一种镀镍溶液 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108998817B (zh) * | 2018-07-06 | 2021-04-16 | 鹤山市精工制版有限公司 | 一种打底镀镍液用添加剂及其应用 |
-
1999
- 1999-12-16 JP JP35748099A patent/JP3261676B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006077311A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Murata Mfg Co Ltd | ニッケルめっき浴、及び電子部品 |
| JP4666134B2 (ja) * | 2004-09-13 | 2011-04-06 | 株式会社村田製作所 | ニッケルめっき浴、及び電子部品 |
| US7842397B2 (en) | 2005-09-27 | 2010-11-30 | Hitachi Cable, Ltd. | Nickel plating solution and its preparation method, nickel plating method and printed wiring board copper foil |
| JP2011208175A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Asahi Plating Co Ltd | めっき物の製造方法及びめっき物 |
| JP2012117105A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Nittoh Kogaku Kk | ニッケルめっき浴およびこれを用いた電鋳型の製造方法 |
| WO2012081274A1 (ja) * | 2010-12-14 | 2012-06-21 | メルテックス株式会社 | ニッケルめっき液及びニッケルめっき方法 |
| JP2015217610A (ja) * | 2014-05-19 | 2015-12-07 | 株式会社ボンマーク | メタルマスク及びその製造方法 |
| WO2016095896A1 (de) * | 2014-12-15 | 2016-06-23 | Harting Ag & Co. Kg | Verfahren zur elektrolytischen abscheidung eines nickelüberzuges auf ein elektrisches kontaktelement in einem borsäurefreien elektrolytischen bad |
| EP3312308A1 (en) | 2016-10-24 | 2018-04-25 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Nickel plating solution |
| JP2020524746A (ja) * | 2017-06-23 | 2020-08-20 | アトテック ドイチェランド ゲーエムベーハー | 基材上に装飾ニッケルコーティングを堆積させるためのニッケル電気メッキ浴 |
| EP3642396B1 (en) * | 2017-06-23 | 2021-07-28 | ATOTECH Deutschland GmbH | Nickel electroplating bath for depositing a decorative nickel coating on a substrate |
| CN111926352A (zh) * | 2018-06-12 | 2020-11-13 | 北京航空航天大学 | 一种镀镍溶液 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3261676B2 (ja) | 2002-03-04 |
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