JP2001170797A - はんだ付け用フラックス、はんだぺ一スト、電子部品装置、電子回路モジュール、電子回路装置、及び、はんだ付け方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 実装の高密度化、部品の小型化及び部品の配
置間隔の狭ピッチ化等に対しても、十分な接合強度をも
って対応し得るはんだ付け用フラックス及びはんだペー
スト及びはんだ付け方法を提供する。 【解決手段】 フラックス３は、接着性樹脂と、硬化剤
とを含有する。このフラックスまたはこれを含有するは
んだペーストを、部品搭載基板１の上に塗布し、電子部
品４を搭載し、はんだ付けする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、はんだ付け用フラ
ックス、はんだぺ一スト、電子部品装置、電子回路モジ
ュール、電子回路装置、及び、はんだ付け方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】例えば、部品搭載基板に対する部品のは
んだ付けに当たっては、周知のように、フラックスが用
いられる。フラックスの主な機能は、部品搭載基板に設
けられた金属導体及び部品のはんだ付け用金属の表面の
酸化皮膜を除去し、はんだの濡れ性を向上させることに
ある。フラックスとしては、ロジンを主成分とするもの
が最もよく知られている。ロジンには、アビエチン酸、
レボビマル酸等のカルボン酸が含まれており、カルボキ
シル基の働きにより、はんだ付けされる金属表面の酸化
膜を除去する。

【０００３】フラックスには、通常、上述したロジンの
外、印刷性の向上及び仮止め強度を得る目的で、溶剤、
可塑剤またはチキソ剤等の各種の添加物が配合される。
例えば、特開平１１−１２１９１５号公報は、粘性を、
アルコール添加によって調整するタイプのフラックスを
開示している。

【０００４】更に、別のフラックスとして、ミル規格で
規定されているＲＭＡ（ハロゲンフリー）系フラックス
も知られている。このフラックスの場合、リフロー後、
フラックス等の洗浄工程が省略される。

【０００５】上述したフラックスは、はんだ付け後は、
はんだ付けされた部品の接着に関与せず、はんだ接合
は、はんだ金属の溶融接合によって達成される。従っ
て、はんだ付けされる金属間の接合強度は、はんだ接合
面積に依存する。

【０００６】ところが、各種電子機器において、高密度
実装が進むにつれ、部品が小型化され、部品の配置間隔
が狭ピッチ化され、これに伴い、はんだ接合面積の狭小
化が急速に進展しつつあり、現段階でも、既に、十分な
はんだ付け強度を確保することが困難になっている。し
かも、実装の高密度化、部品の小型化及び部品の配置間
隔の狭ピッチ化は、更に進展する傾向にあり、はんだ接
合面積のみによってはんだ接合強度を確保する従来手段
では、この技術動向に対応することが、ますます困難に
なる傾向にある。

【０００７】一般に、はんだ接合強度を確保する手段と
して、はんだのフィレット部を形成し、部品の端子と部
品搭載基板上の導体（ランドまたははんだバンプ）との
はんだ接合面積を拡大する手段が採られている。ところ
が、高密度実装においては、フィレット部の接合面積も
小さくなってしまうため、フィレット部による接合強度
の増大手段も採りにくい。

【０００８】また、例えば、各種の電子回路モジュール
では、両面実装タイプの部品搭載基板を用い、部品搭載
基板の一面上に高温はんだを用いて部品をはんだ付け
（通炉）した後、他面に部品を搭載し、再び通炉する。
従って、部品搭載基板の他面側における部品のはんだ付
けに当たっては、一面側の高温はんだよりも低い融点を
持つ低温はんだを用いてはんだ付けする必要がある。従
来、はんだの融点はＰｂの含有量によって調整するのが
一般的であった。

【０００９】ところが、地球環境保全の立場から、Ｐｂ
を含有しないはんだ（Ｐｂフリーはんだ）が要求され、
そのようなはんだ組成の開発が盛んに行われている。し
かし、Ｐｂフリーはんだで、従来の高温はんだに匹敵す
る高温融点のはんだ組成は、現在のところ、実用化され
ていない。理由として、Ｐｂフリーはんだ自体の融点が
２２０℃前後と、共晶はんだに比較し、約４０℃も上昇
するため、Ｐｂ以外の代替組成が見つからないからであ
る。このため、両面実装タイプの部品搭載基板におい
て、両面側で用いられるはんだの融点差を十分にとるこ
とができず、部品を部品搭載基板上に実装する際、部品
が浮動し、または脱落する等の不具合が生じる。

【００１０】更に、半導体チップを用いた電子回路モジ
ュールにおいては、半導体チップをチップ搭載基板には
んだ付けした後、封止剤を接合界面に流し込み、半導体
チップと、チップ搭載基板とを封止剤で接着固定する作
業が付加される。

【００１１】ところが、封止剤注入時にフラックスの残
渣が残っていると、フラックスのために、封止剤が半導
体チップと基板との間の界面に十分に到達せず、接着力
が発揮できない。そこで、封止剤を注入する前、フラッ
クスを洗浄する工程が付加される。フラックスの洗浄
は、通常、揮発性有機溶剤を用い、数回に分けて行なわ
れる。ところが、環境保全等の目的から、揮発性有機溶
剤の使用が規制されており、フラックスの洗浄工程は、
コストおよび環境保全の両面から、負担の大きい工程と
なっている。

【００１２】更に、上述のようにして得られた電子回路
モジュールをマザー基板に搭載して、電子回路装置を構
成する場合、チップ搭載基板にセラミックを用い、マザ
ー基板に有機樹脂基板を用いた組み合わせにおいては、
搭載後の熱衝撃試験などにおいて、セラミック基板及び
有機樹脂基板の熱膨張率の違いから、はんだ接合部に収
縮応力が集中し、クラックが入り易く、接合寿命が短い
とされている。よってはんだ接合強度向上を図るため、
封止剤の注入を行ないたいが、マザー基板全体を、フラ
ックス洗浄工程及び封止剤注入工程に付することは、か
なりのコストアップを招くため、実際には行われていな
い。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、実装
の高密度化、部品の小型化及び部品の配置間隔の狭ピッ
チ化等に対しても、十分な接合強度をもって対応し得る
はんだ付け用フラックス及びはんだペースト及びはんだ
付け方法を提供することである。

【００１４】本発明のもう一つの課題は、両面実装タイ
プの部品搭載基板において、両面側で用いられるはんだ
の融点差を十分にとらなくとも、部品の浮動または脱落
等の不具合を確実に阻止し得るはんだ付け用フラックス
及びはんだペースト及びはんだ付け方法を提供すること
である。

【００１５】本発明の更にもう一つの課題は、フラック
ス洗浄工程を必要とせず、製造コストの安価な電子部品
装置、電子回路モジュール及び電子回路装置を提供する
ことである。

【００１６】本発明の更にもう一つの課題は、はんだ接
合寿命を、従来よりも著しく長期化させた高信頼度の電
子部品装置、電子回路モジュール及び電子回路装置を提
供することである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係るはんだ付け用フラックスは、接着性
樹脂と硬化剤とを含有する。

【００１８】本発明に係るフラックスは、接着性樹脂
と、硬化剤とを含有するから、はんだ付け後に、接着性
樹脂を、部品搭載基板と部品を固定する接着剤として機
能させることができる。このため、衝撃や熱ストレスに
対し、部品の剥離、脱落を防ぎ、はんだ接合の信頼性を
向上させることができる。この点、はんだ付け後に、接
着機能を持たない従来のロジン系フラックスと著しく異
なる。

【００１９】しかも、本発明に係るフラックスを使用す
ることにより、フィレット部がなくても、十分な固着強
度を確保できる。このため、部品搭載基板上に形成され
る部品接続用導体（ランド）に、フィレット部を生じさ
せるための領域を設ける必要がなくなるので、実装密度
を向上させることが可能となる。

【００２０】本発明に係るフラックスにおいて、接着性
樹脂としては、多数の樹脂材料から、温度に応じて、高
い接着力を示す樹脂を選択し、これを接着性樹脂として
用いることができる。従って、両面実装タイプの部品搭
載基板の１面目に本発明に係るフラックスを用いて、部
品をはんだ付けした後、部品搭載基板の２面目に通常の
共晶はんだを用い、リフロー炉を通炉した場合でも、１
面目に搭載された部品がシフティング、マンハッタン現
象（部品立ち現象）または脱落等の不具合を起こすこと
はない。勿論、１面目及び２面目の両はんだ付け処理に
おいて、本発明に係るフラックスを用いることができ
る。

【００２１】本発明に係るフラックスは液状またはペー
ストの形態を採ることができる。このようなフラックス
は、印刷、ディスペンサー塗布、スプレー、はけ塗り等
の手段によって、部品搭載基板等に容易に塗布できる。

【００２２】本発明に係るフラックスにおいて、好まし
い接着性樹脂は、熱硬化性樹脂である。熱硬化性樹脂の
具体例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリ
イミド樹脂、シリコン樹脂または変性樹脂またはアクリ
ル樹脂から選択された少なくとも１種を挙げることがで
きる。例示された樹脂材料の種類及び配合量は、接着温
度帯及び目標とする皮膜硬度等に応じて選択することが
できる。

【００２３】硬化剤は、接着性樹脂を硬化させるもので
あればよい。好ましくは、カルボン酸を含む。カルボン
酸を含む硬化剤は、熱硬化性樹脂に対する硬化作用のみ
ならず、はんだ付けされる金属表面の酸化膜を除去する
フラックス作用も兼ね備える。

【００２４】本発明に係るフラックスは、溶剤、可塑剤
及びチキソ剤等を含んでいてもよい。溶剤は、接着性樹
脂の硬化温度及び硬化速度を調整すると共に、塗布形態
に応じて粘度を調整するために加えられる。可塑剤及び
チキソ剤も、塗布形態に応じて、粘度を調整するために
加えられる。溶剤、可塑剤及びチキソ剤等は、その使用
目的に合うように、配合量が選択される。

【００２５】本発明に係るフラックスは、接着性樹脂、
還元作用をもたらす有機酸、カルボン酸、溶剤または硬
化剤を封入したマイクロカプセルの形態であってもよ
い。

【００２６】更に、本発明に係るフラックスは、はんだ
粉末と混合して、はんだペーストを構成するために用い
ることもできる。はんだ粉末は、Ｓｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｓ
ｂ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｚｎ及びＢｉから選択することができ
る。Ｐｂフリーのはんだペーストを得る場合には、はん
だ粉末はＰｂ以外のはんだ粉末で構成する。

【００２７】本発明は、更に、上述したフラックスを用
いた電子部品装置、電子回路モジュール及び電子回路装
置を開示する。まず、本発明に係る電子部品装置は、少
なくとも１つの電子部品と、部品搭載基板と、はんだ付
け用フラックスとを含む。前記電子部品は、部品搭載基
板の上にはんだ付けされている。前記はんだ付け用フラ
ックスは、接着性樹脂と、硬化剤とを含有し、前記電子
部品と前記部品搭載基板との間に介在し、両者を接着し
ている。

【００２８】前記電子部品と前記部品搭載基板との間に
介在するはんだ付け用フラックスは、接着性樹脂と、硬
化剤とを含有しており、接着剤として機能する。このは
んだ付け用フラックスは洗浄する必要がなく、そのまま
接着はんだ付け用フラックスとして用いることができ
る。従って、フラックス洗浄工程を必要とせず、製造コ
ストの安価な電子部品装置を得ることができる。しか
も、はんだ付け用フラックスは、接着性樹脂と、硬化剤
とを含有しており、接着剤として機能するから、はんだ
接合寿命を、従来よりも著しく長期化させた高信頼度の
電子部品装置を得ることができる。

【００２９】次に、本発明に係る電子回路モジュール
は、半導体チップと、チップ搭載基板と、はんだ付け用
フラックスとを含む。前記半導体チップは、少なくとも
１つの半導体素子を含み、チップ搭載基板の上にはんだ
付けされている。前記はんだ付け用フラックスは、接着
性樹脂と、硬化剤とを含有し、前記半導体チップと前記
チップ搭載基板との間に介在し、両者を接着している。

【００３０】前記半導体チップと前記チップ搭載基板と
の間に介在するはんだ付け用フラックスは、接着性樹脂
と、硬化剤とを含有しており、接着剤として機能する。
このはんだ付け用フラックスは洗浄する必要がなく、そ
のまま接着はんだ付け用フラックスとして用いることが
できる。従って、フラックス洗浄工程を必要とせず、製
造コストの安価な電子回路モジュールを得ることができ
る。しかも、はんだ付け用フラックスは、接着性樹脂
と、硬化剤とを含有しており、接着剤として機能するか
ら、はんだ接合寿命を、従来よりも著しく長期化させた
高信頼度の電子回路モジュールを得ることができる。

【００３１】更に、本発明に係る電子回路装置は、電子
回路モジュールと、マザー基板と、はんだ付け用フラッ
クスとを含む。前記電子回路装置は、前記マザー基板上
にはんだ付けされている。前記はんだ付け用フラックス
は、接着性樹脂と、硬化剤とを含有し、前記半導体チッ
プと前記マザー基板との間に介在し、両者を接着してい
る。このはんだ付け用フラックスは洗浄する必要がな
く、そのまま接着はんだ付け用フラックスとして用いる
ことができる。従って、フラックス洗浄工程を必要とし
ないから、製造コストの安価な電子回路装置を得ること
ができる。しかも、はんだ付け用フラックスは、接着性
樹脂と、硬化剤とを含有しており、接着剤として機能す
るから、はんだ接合寿命を、従来よりも著しく長期化さ
せた高信頼度の電子回路装置を得ることができる。

【００３２】本発明は、更に、上述したフラックス及び
はんだペーストを用いたはんだ付け方法についても開示
する。

【００３３】

【発明の実施の形態】＜フラックス、電子部品装置＞ 実施例１ 熱硬化性樹脂としてビスフェノールＡを用い、硬化剤に
はカルボン酸の無水物を使用した。熱硬化性樹脂及び硬
化剤の配合比は重量比で１：１とした。また、粘性を確
保するために、少量の溶剤及びチクソ剤を配合した。

【００３４】上記組成にて調製したフラックス３を、予
め、はんだバンプ２１、２２を施した部品搭載基板１
（図１（ａ）参照）の上に塗布（図１（ｂ）参照）し
た。次に、図１（ｃ）に示すように、長さ１ｍｍ、幅
０．５ｍｍのチップ状の電子部品４を搭載した。電子部
品４は、基体４０の相対する両端に端部電極４１、４２
を有し、端部電極４１、４２がはんだバンプ２１、２２
上に位置するようにして、部品搭載基板１上に配置し
た。電子部品４を搭載した部品搭載基板１を、リフロー
炉に通炉し、電子部品４の基体４０の両端に設けられた
端部電極４１、４２をはんだバンプ２１、２２にはんだ
接合した。これにより、本発明に係る電子部品装置が得
られる。フラックス３は、電子部品４と部品搭載基板１
との間に生じる間隔に充填され、接着性はんだ付け用フ
ラックスとして機能する。得られた電子部品装置につい
て、図２に示すように、電子部品４を横方向Ｆ１に押
し、部品横押し強度を測定した。

【００３５】比較例１ 比較のために、従来のロジン系フラックスを用い、図１
に従って部品を搭載し、はんだ付け処理を行い、次に、
図２に示した試験方法に従い、部品横押し強度を測定し
た。

【００３６】図３は横押し強度試験結果を示している。
図３に示すように、従来のロジンフラックスを用いた比
較例１の横押し強度平均値は８００ｇ程度であったが、
本発明に係るフラックスを使用した実施例１では、平均
値１６００ｇ程度の横押し強度を得ることができた。

【００３７】電子部品４と部品搭載基板１との間に生じ
る間隔に充填されているフラックスは、接着性樹脂と、
硬化剤とを含有しており、接着性接着剤として機能す
る。このフラックス（はんだ付け用フラックス）３は洗
浄する必要がなく、そのまま接着はんだ付け用フラック
スとして用いることができる。従って、フラックス洗浄
工程を必要としない製造コストの安価な電子部品装置を
得ることができる。しかも、フラックス３で構成される
はんだ付け用フラックスは、接着性樹脂と、硬化剤とを
含有しており、接着性はんだ付け用フラックスとして機
能するから、はんだ接合寿命を、従来よりも著しく長期
化させた高信頼度の電子部品装置を得ることができる。

【００３８】実施例２ 実施例１で調製したフラックスと、はんだ粉末とを混合
し、はんだぺーストを調製した。はんだ粉末に対するフ
ラックスの配合量は１０ｗｔ％とした。このはんだペー
ストを用いて、チップ部品を部品搭載基板上にはんだ付
けした。図４（ａ）〜（ｃ）は部品搭載基板の詳細と、
部品搭載基板に対するチップ部品のはんだ付け工程を示
す部分断面図である。部品搭載基板１は、Ｃｕ膜５１
（５２）、Ｎｉ膜６１（６２）及びＡｕ膜７１（７２）
を順次に積層して形成した２つのランドを有する。

【００３９】上述した部品搭載基板１のランドの上に、
本発明に係るはんだペースト８１（８２）を塗布した
（図４（ａ）参照）。はんだペースト８１（８２）の塗
布に当たっては、厚み１００μｍのメタルマスクを用い
て印刷した。メタルマスクの開口寸法は０．５ｍｍ×
０．３ｍｍとし、電子部品４の搭載されるランド寸法と
同寸法とした。

【００４０】そして、はんだペースト８１（８２）の上
に、長さ１ｍｍ、幅０．５ｍｍの電子部品４を搭載（図
４（ｂ）参照）し、リフロー炉に通炉することにより、
電子部品４を部品搭載基板１上にはんだ付けした（図４
（ｃ）参照）。これにより、本発明に係る電子部品装置
が得られる。

【００４１】この後、図２に示した方法に従って横押し
強度を測定した。図４（ｃ）において、参照符号３は、
はんだペースト８１（８２）に含まれていた本発明に係
るフラックスを示し、端部電極４１、４２の外側でフィ
レット状になる。

【００４２】比較例２ 比較のため、従来のロジン系フラックスを含むはんだペ
ーストを用い、チップ部品を部品搭載基板にはんだ付け
した。はんだ粉末に対するロジン系フラックスの配合量
は１０ｗｔ％とした。

【００４３】図５（ａ）〜（ｃ）は部品搭載基板の詳細
と、部品搭載基板に対するチップ部品のはんだ付け工程
を示す部分断面図である。図示するように、部品搭載基
板１は、Ｃｕ膜５１（５２）、Ｎｉ膜６１（６２）及び
Ａｕ膜７１（７２）を順次に積層した２つのランドを有
する。この部品搭載基板１のランドの上に、ロジン系フ
ラックスを含有するはんだペースト９１（９２）を塗布
した（図５（ａ）参照）。

【００４４】そして、ロジン系フラックスを含有するは
んだペースト９１（９２）の上に、長さ１ｍｍ、幅０．
５ｍｍの電子部品４を搭載（図５（ｂ）参照）し、リフ
ロー炉に通炉することにより、電子部品４を部品搭載基
板１上にはんだ付けした（図５（ｃ）参照）。この後、
図２に示した方法に従って、部品横押し強度を測定し
た。

【００４５】図６は実施例２及び比較例２の部品横押し
強度試験の結果を示す図である。図示するように、比較
例２の横押し強度の平均値は６００ｇ程度であったが、
実施例２では平均値１５００ｇ程度の強度を得ることが
できた。

【００４６】実施例３ 実施例１で調製したフラックスと、はんだ粉末とを混合
し、はんだぺ一ストを調製した。はんだ粉末に対するフ
ラックスの配合量は、２０〜４５ｗｔ％まで増やした。

【００４７】このはんだぺ一ストを用い、図７に従っ
て、電子部品４を部品搭載基板１に搭載し、はんだ付け
した。図７を参照して具体的に述べると、部品搭載基板
１は、Ｃｕ膜５１（５２）、Ｎｉ膜６１（６２）及びＡ
ｕ膜７１（７２）を順次に積層して形成した２つのラン
ドを有する（図７（ａ）参照）。

【００４８】上述した部品搭載基板１のランドの上に、
本発明に係るはんだペースト８１（８２）を塗布した
（図７（ａ）参照）。はんだペースト８１（８２）の塗
布に当たっては、厚み１００μｍのメタルマスクを用い
て印刷した。メタルマスクの開口寸法は０．５ｍｍ×
０．３ｍｍとし、電子部品４の搭載されるランド寸法と
同寸法とした。

【００４９】そして、はんだペースト８１（８２）の上
に、長さ１ｍｍ、幅０．５ｍｍの電子部品４を搭載（図
７（ｂ）参照）し、リフロー炉に通炉することにより、
電子部品４を部品搭載基板１上にはんだ付けした（図７
（ｃ）参照）。これにより、本発明に係る電子部品装置
が得られる。

【００５０】はんだ付け後の外観は、図８に示す通りで
ある。図８は図７（ｃ）の８ー８線に沿った断面図であ
る。実施例３では、意図的にフラックス含有量を増やし
たはんだぺ一ストを用いたものであるが、実質、はんだ
量が少なくて済み、電子部品４は、図８に示すように、
傾斜することなく、正常な状態ではんだ付けされた。図
７（ｃ）及び図１０において、参照符号３は、はんだペ
ースト８１（８２）に含まれていた本発明に係るフラッ
クスを示し、端部電極４１、４２の外側でフィレット状
になる。

【００５１】また、本発明に係るフラックスを含有する
はんだペーストを用いたことにより、はんだ付け後の電
子部品４の周辺を、フラックスが覆い、部品横押し強度
の向上も認められた。このように、はんだぺ一スト中の
フラックス含有率を故意に向上させることにより、はん
だ厚みを、はんだぺ一ストによって制御も可能となる。
特に、フラックスの含有量が３５ｗｔ％以上の領域で、
斜めはんだ付けを回避し、かつ、従来品と同等以上の接
合強度を得ることができた。

【００５２】比較例３ 比較のために、従来のロジン系フラックス含有のはんだ
ペーストを用い、図９に従って、電子部品４を部品搭載
基板１に搭載し、はんだ付けした。図９を参照して具体
的に述べると、部品搭載基板１は、Ｃｕ膜５１（５
２）、Ｎｉ膜６１（６２）及びＡｕ膜７１（７２）を順
次に積層して形成した２つのランドを有する（図９
（ａ）参照）。

【００５３】上述した部品搭載基板１のランドの上に、
ロジン系フラックス含有のはんだペースト９１（９２）
を塗布した（図９（ａ）参照）。はんだペースト９１
（９２）の塗布に当たっては、厚み１００μｍのメタル
マスクを用いて印刷した。メタルマスクの開口寸法は
０．５ｍｍ×０．３ｍｍとし、電子部品４の搭載される
ランド寸法と同寸法とした。

【００５４】そして、はんだペースト９１（９２）の上
に、長さ１ｍｍ、幅０．５ｍｍの電子部品４を搭載（図
９（ｂ）参照）し、リフロー炉に通炉することにより、
電子部品４を部品搭載基板１上にはんだ付けした（図９
（ｃ）参照）。

【００５５】リフローはんだ付け後の外観は、図１０に
示す通りである。図１０は図９（ｃ）の１０ー１０線に
沿った部分断面図である。図１０に示すように、従来の
ロジン系フラックス含有はんだぺ一ストではんだ付けし
たものは、はんだ量が多すぎ、電子部品４が斜めにはん
だ付けされた。図９（ｃ）及び図１０において、参照符
号９３は、はんだペースト９１（９２）に含まれていた
ロジン系フラックスを示す。

【００５６】実施例４ フラックスの配合組成について検討した。接着性樹脂と
して、液状エポキシ樹脂を用い、硬化剤としてアビエチ
ン酸（カルボン酸）を用いた。液状エポキシ樹脂に対
し、アビエチン酸を、表１に示す重量比で配合した。こ
のフラックスを基板上に塗布し、２３０℃のリフロー炉
に通炉し、樹脂硬化膜について検証した。

【００５７】表１に示すように、液状エポキシ樹脂１ｗ
ｔ％に対し、アビエチン酸１ｗｔ％の配合比のとき、硬
い硬化膜となり、最も良好な結果が得られる。その他の
配合比では、硬化しなかったり、ゲル状になったり、あ
るいは弾性硬化膜になったりするので、適当でない。リ
フロー温度に対しては、エポキシ樹脂の配合比、或い
は、エポキシ樹脂の分子量、官能基数を変え、硬化剤
（カルボン酸）の種類を検討すれば、任意の温度で、所
望の硬化膜（接着性）を得ることができる。

【００５８】実施例５ 実施例４で調製したフラックスと、はんだ粉末とを混合
し、はんだペーストを調製した。はんだ粉末としては、
Ｓｎ（９６．５）Ａｇ（３．５）を用いた。フラックス
の含有量は２５ｗｔ％とした。これを実施例５とする。

【００５９】図１１は実施例５のはんだペーストを用い
てチップ部品をはんだ付けした場合、及び、従来のロジ
ン系はんだペーストを用いてチップ部品をはんだ付けし
た場合について、リフロー温度と部品横押し強度との関
係を示す図である。図において、曲線Ｌ１は実施例５の
はんだペーストを用いた場合の特性、曲線Ｌ２は従来の
ロジン系はんだペーストを用いた場合の特性である。

【００６０】図１１に示すように、フラックスを含有す
るはんだぺ一ストは、２２０〜２６０℃のリフロー温度
範囲において、従来のロジン系はんだペーストよりも高
い接合強度を示す。特に、リフロー温度２３０℃以上で
高い接合強度を確保することができた。

【００６１】実施例６ 実施例５に示したはんだペーストを用いて、チップ部品
を部品搭載基板にはんだ付けし、本発明に係る電子部品
装置を得た。この後、部品搭載基板とチップ部品の端子
極の接合性について観察したところ、フラックスを含有
するはんだペーストは、ロジン系はんだペーストと同様
の接合性を有していた。因に、従来の導電性接着剤や異
方性導電ぺ一ストを上記フラックスと同様に評価した場
合、部品搭載基板と部品の端子との接合は得られなかっ
た。

【００６２】上記実施例では、部品搭載基板１の一面に
電子部品４を搭載する例を示したが、部品搭載基板１の
両面に電子部品４を搭載することができる。この場合、
部品搭載基板１の一面上に、本発明に係るはんだペース
トによるはんだ付け処理を実行した後、部品搭載基板１
の他面上で、本発明に係るはんだペーストとは異なるは
んだ、例えば、従来のロジン系はんだペーストを用い
て、電子部品４をはんだ付けすることができる。これと
は異なって、部品搭載基板１の両面側において、本発明
に係るはんだペーストを用いて、電子部品４をはんだ付
けすることもできる。何れの場合も、電子部品４がシフ
ティング、マンハッタン現象（部品立ち現象）または脱
落等の不具合を起こすことはない。

【００６３】＜電子回路モジュール＞本発明に係る電子
回路モジュールは、既に述べた電子部品装置との対比に
おいて、電子部品が、半導体チップに置き換わる点、及
び、部品搭載基板がチップ搭載基板に置き換わる点を除
けば、本質的に異なる点はない。換言すれば、本発明に
係る電子回路モジュールの基本構成は、実質的に、電子
部品装置に開示されている。用いられる半導体チップに
は、特に限定はない。半導体チップには、一般には、半
導体素子（図示しない）または受動回路素子が含まれ
る。チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）と称される電子
回路モジュールも、当然用いることができる。

【００６４】図１２は本発明に係る電子回路モジュール
の正面部分断面図である。図示された電子回路モジュー
ルは、半導体チップ１００と、チップ搭載基板２００
と、はんだ付け用フラックス４００とを含む。図示され
た半導体チップ１００は、下面等の適当な位置に、適当
数の端子電極１１０、１２０が形成してあって、この端
子電極１１０、１２０を、はんだ２１０、２２０によっ
て、チップ搭載基板２００の上のランド２３０、２４０
に接合してある。

【００６５】チップ搭載基板２００は、セラミック基
板、有機樹脂基板またはそれらの組み合わせによって構
成することができる。チップ搭載基板２００の内部に
は、一般に、単層または複数層の導体パターン、及び、
厚み方向に設けられたビヤホール等が形成されている。
導体パターンは、単に、回路引き回しのために備えられ
る他、キャパシタまたはインダクタ等を構成するために
備えられることもある。

【００６６】はんだ付け用フラックス４００は、接着性
樹脂と、硬化剤とを含有し、半導体チップ１００と、チ
ップ搭載基板２００との間に介在し、両者を接着してい
る。はんだ付け用フラックス４００は接着剤として機能
する。

【００６７】図示実施例において、はんだ付け用フラッ
クス４００は、半導体チップ１００とチップ搭載基板２
００との間の隙間を、ほぼ埋めるように充填されてい
る。

【００６８】既に述べたように、はんだ付け用フラック
ス４００は洗浄する必要がなく、そのまま接着剤として
用いることができる。従って、フラックス洗浄工程を必
要とせず、製造コストの安価な電子回路モジュールを得
ることができる。しかも、はんだ付け用フラックスは、
接着性樹脂と、硬化剤とを含有しており、接着剤として
機能するから、はんだ接合寿命を、従来よりも著しく長
期化させた高信頼度の電子回路モジュールを得ることが
できる。

【００６９】図１３は図１２に示したＣＳＰ（チップサ
イズパッケ−ジ）等の電子回路モジュールのはんだ付け
方法を説明する図である。このはんだ付け方法は、図１
に示したはんだ付け方法を、電子回路モジュールのはん
だ付けに適用したものに相当する。既に述べたように、
接着性樹脂と、硬化剤とを含有するフラックス４００
を、予め、はんだバンプ２１０、２２０を形成したチッ
プ搭載基板２００の上に塗布する。はんだバンプ２１
０、２２０はチップ搭載基板２００の表面に設けられた
ランド２３０、２４０の上に形成されている。フラック
ス４００の詳細は、既に述べた通りである。

【００７０】そして、このチップ搭載基板２００の上に
半導体チップ１００を搭載する。半導体チップ１００
は、端子電極１１０、１２０がはんだバンプ２１０、２
２０上に位置するようにして、チップ搭載基板２００上
に配置する。その後、半導体チップ１００を搭載したチ
ップ搭載基板２００を、リフロー炉に通炉し、半導体チ
ップ１００の基体４０の両端に設けられた端子電極１１
０、１２０をはんだバンプ２１０、２２０にはんだ接合
する。これにより、図１２に示した電子回路モジュール
が得られる。

【００７１】図１４は本発明に係る電子回路モジュール
の別の例を示す正面部分断面図である。図において、図
１２に図示された構成部分と同一の構成部分には、同一
の参照符号を付してある。図示実施例において、はんだ
付け用フラックス４００は、半導体チップ１００とチッ
プ搭載基板２００との間に介在し、はんだバンプ２１
０、２２０の周りで、両者を接着している。

【００７２】この場合も、はんだ付け用フラックス４０
０は洗浄する必要がなく、そのまま接着剤として用いる
ことができる。従って、フラックス洗浄工程を必要とせ
ず、製造コストの安価な電子回路モジュールを得ること
ができる。しかも、はんだ付け用フラックスは、接着性
樹脂と、硬化剤とを含有しており、接着剤として機能す
るから、はんだ接合寿命を、従来よりも著しく長期化さ
せた高信頼度の電子回路モジュールを得ることができ
る。

【００７３】図１５は図１４に示した電子回路モジュー
ルのはんだ付け方法を説明する図である。このはんだ付
け方法は、図４〜８に示したはんだ付け方法を、電子回
路モジュールのはんだ付けに適用したものに相当する。
既に述べた組成のはんだ粉末含有フラックス４１０、４
２０を、予め、チップ搭載基板２００の表面に設けられ
たランド２３０、２４０の上に塗布する。

【００７４】そして、このチップ搭載基板２００の上に
半導体チップ１００を搭載する。半導体チップ１００
は、端子電極１１０、１２０がはんだ粉末含有フラック
ス４１０、４２０上に位置するようにして、チップ搭載
基板２００上に配置する。半導体チップ１００を搭載し
たチップ搭載基板２００を、リフロー炉に通炉し、半導
体チップ１００の両端に設けられた端子電極１１０、１
２０をはんだ粉末含有フラックス４１０、４２０に含ま
れるはんだ成分によりはんだ接合する。

【００７５】接合状態では、はんだ粉末含有フラックス
４１０、４２０に含まれる接着性樹脂及び硬化剤が、半
導体チップ１００とチップ搭載基板２００との間に介在
し、はんだバンプ２１０、２２０の周りで、両者を接着
する。これにより、図１４に示した電子回路モジュール
が得られる。図１５において、はんだ粉末含有フラック
ス４１０、４２０の量を増加させることにより、図１２
に図示したように、はんだ付け用フラックス４００が、
半導体チップ１００とチップ搭載基板２００との間の隙
間を、ほぼ埋めるように充填した構造を実現することも
できる。

【００７６】次に具体的な実施例及び比較例を挙げて説
明する。

【００７７】実施例７ まず、次の組成になる熱硬化性フラックス入りのはんだ
ぺ一ストを調製した。

【００７８】フラックス：ビスフエノールＡ樹脂／無水
フタル酸を質量比１対１で混合し、溶剤を１０質量％添
加したもの はんだ粉末：Ｓｎ−３．５Ａｇ 上記はんだ粉末に対し、上記フラックスを、１０質量％
の割合で添加した。はんだ粉末の組成はリフロー温度に
応じて選択できるもので、他の組成系でもよい。また、
フラックスの配合量も任意に選択できる。

【００７９】上述した熱硬化性フラックス入りのはんだ
ぺ一ストを、スクリーン印刷法により、有機系チップ搭
載基板上に塗布した。スクリーン印刷に当たっては、メ
タルマスタ厚み１００μｍのスクリーンを用いた。

【００８０】次に、予め、はんだバンプが形成されてい
る半導体チップを有機系チップ搭載基板上に載せ、リフ
ロー炉に通炉した。リフロー温度は、最高温度２４０℃
とし、２２０℃以上の通炉時間を３０秒とした。

【００８１】比較例７ 比較のため、封止剤を用いた従来品、および、封止剤を
用いない従来品を用意した。

【００８２】＜試験＞実施例７に係る電子回路モジュー
ル、及び、２種の従来電子回路モジュールを熱衝撃試験
に付した。熱衝撃試験は、（一５５℃）を０．５時間保
持し、次に（＋１２５℃）を０．５時間保持し、これを
１サイクルとし、２０００サイクルまで行った。その後
に、はんだ接続部分における直流抵抗（ＲＤＣ）を測定
した。

【００８３】図１６はＲＤＣ測定結果を示すグラフであ
る。図１６において、横軸に熱衝撃サイクル（サイク
ル）を採り、縦軸にＲＤＣ（Ω）を採ってある。特性Ｌ
１１は封止剤を用いない従来品の特性、特性Ｌ１２は封
止剤を用いた従来品の特性、特性Ｌ１３は本発明に係る
実施例７の特性である。

【００８４】図１６において、封止剤を用いなかった従
来品は、特性Ｌ１１で示されているように、１５００サ
イクルを越えると、ＲＤＣが急激に増大しており、ＲＤ
Ｃが劣化している。これに対して、本発明に係る実施例
７は、特性Ｌ１３で示されるように、２０００サイクル
を経過してもＲＤＣの劣化は見られなかった。これは、
封止剤を用いた従来品の特性Ｌ１２と同等の特性であ
る。

【００８５】＜電子回路装置＞本発明係る電子回路装置
は、既に述べた電子部品装置との対比において、電子部
品が、電子回路モジュールに置き換わる点、及び、部品
搭載基板がマザー基板に置き換わる点を除けば、本質的
に異なる点はない。換言すれば、本発明に係る電子回路
装置の基本構成は、実質的に、電子部品装置に開示され
ている。

【００８６】図１７は本発明に係る電子回路装置の正面
部分断面図である。図示された電子回路装置は、電子回
路モジュール３００と、マザー基板５００と、はんだ付
け用フラックス６００とを含む。

【００８７】電子回路モジュール３００は、従来タイプ
の電子回路モジュールを用いることもできるが、好まし
くは、図１２、１４に示した構造のものを用いる。電子
回路モジュール３００は、下面等の適当な位置に、適当
数の端子電極２５０、２６０が形成してあって、この端
子電極２５０、２６０を、はんだバンプ５１０、５２０
によって、マザー基板５００の上のランド５３０、５４
０に接合してある。

【００８８】マザー基板２００は、セラミック基板、有
機樹脂基板またはそれらの組み合わせによって構成する
ことができる。マザー基板５００の内部には、単層また
は複数層の導体パターン、及び、厚み方向に設けられた
ビヤホール等が形成されることがある。導体パターン
は、単に、回路引き回しのために備えられる他、キャパ
シタまたはインダクタ等を構成するために備えられるこ
ともある。

【００８９】はんだ付け用フラックス６００は、接着性
樹脂と、硬化剤とを含有し、電子回路モジュール３００
と、マザー基板５００との間に介在し、両者を接着して
いる。はんだ付け用フラックス６００は、接着剤として
機能する。図示実施例において、はんだ付け用フラック
ス６００は、電子回路モジュール３００とマザー基板５
００との間の隙間を、ほぼ埋めるように充填されてい
る。

【００９０】はんだ付け用フラックス６００は洗浄する
必要がなく、そのまま接着剤として用いることができ
る。従って、フラックス洗浄工程を必要とせず、製造コ
ストの安価な電子回路装置を得ることができる。しか
も、はんだ付け用フラックスは、接着性樹脂と、硬化剤
とを含有しており、接着剤として機能するから、はんだ
接合寿命を、従来よりも著しく長期化させた高信頼度の
電子回路装置を得ることができる。

【００９１】図１８は図１７に示した電子回路装置のは
んだ付け方法を説明する図である。このはんだ付け方法
は、図１に示したはんだ付け方法を、電子回路装置のは
んだ付けに適用したものに相当する。既に述べたよう
に、接着性樹脂と、硬化剤とを含有するフラックス６０
０を、予め、はんだバンプ５１０、５２０を形成したマ
ザー基板５００の上に塗布する。フラックス６００はは
んだ粉末を含有しない。

【００９２】はんだバンプ５１０、５２０はマザー基板
５００の表面に設けられたランド５３０、５４０の上に
形成されている。そして、このマザー基板５００の上に
電子回路モジュール３００を搭載する。電子回路モジュ
ール３００は、端子電極２５０、２６０がはんだバンプ
５１０、５２０上に位置するようにして、マザー基板５
００上に配置する。電子回路モジュール３００を搭載し
たマザー基板５００を、リフロー炉に通炉し、電子回路
モジュール３００の端子電極２５０、２６０をはんだバ
ンプ５１０、５２０にはんだ接合する。これにより、図
１７に示した電子回路装置が得られる。

【００９３】図１９は本発明に係る電子回路装置の別の
例を示す正面部分断面図である。図において、図１７に
図示された構成部分と同一の構成部分には、同一の参照
符号を付してある。図示実施例において、はんだ付け用
フラックス６００は、電子回路モジュール３００とマザ
ー基板５００との間に介在し、はんだバンプ５１０、５
２０の周りで、両者を接着している。

【００９４】この場合も、はんだ付け用フラックス６０
０は洗浄する必要がなく、そのまま接着剤として用いる
ことができる。従って、フラックス洗浄工程を必要とせ
ず、製造コストの安価な電子回路装置を得ることができ
る。しかも、はんだ付け用フラックス６００は、はんだ
粉末を含む他、接着性樹脂と、硬化剤とを含有してお
り、接着剤として機能するから、はんだ接合寿命を、従
来よりも著しく長期化させた高信頼度の電子回路装置を
得ることができる。

【００９５】図２０は図１９に示した電子回路装置のは
んだ付け方法を説明する図である。このはんだ付け方法
は、図４〜８に示したはんだ付け方法を、電子回路装置
のはんだ付けに適用したものに相当する。既に述べた組
成にて調製したはんだ粉末含有フラックス６１０、６２
０を、予め、マザー基板５００の表面に設けられたラン
ド５３０、５４０の上に塗布する。そして、このマザー
基板５００の上に電子回路モジュール３００を搭載す
る。電子回路モジュール３００は、端子電極２５０、２
６０がはんだ粉末含有フラックス６１０、６２０上に位
置するようにして、マザー基板５００上に配置する。

【００９６】次に、電子回路モジュール３００を搭載し
たマザー基板５００を、リフロー炉に通炉し、電子回路
モジュール３００に設けられた端子電極２５０、２６０
をはんだ粉末含有フラックス６１０、６２０に含まれる
はんだ成分によりはんだ接合する。はんだ粉末含有フラ
ックス６１０、６２０に含まれる接着性樹脂及び硬化剤
が、電子回路モジュール３００とマザー基板５００との
間に介在し、はんだバンプ５１０、５２０の周りで、両
者を接着する。これにより、図１９に示した電子回路装
置が得られる。図２０において、はんだ粉末含有フラッ
クス６１０、６２０の量を増加させることにより、図１
７に図示したように、はんだ付け用フラックス６００
が、電子回路モジュール３００とマザー基板５００との
間の隙間を、ほぼ埋めるように充填した構造を実現する
こともできる。

【００９７】次に具体的な実施例を挙げて説明する。

【００９８】実施例８ まず、次の組成になる熱硬化性フラックス入りのはんだ
ぺ一ストを調製した。

【００９９】フラックス：ビスフエノールＡ樹脂／無水
フタル酸を質量比１対１で混合し、溶剤を１０質量％添
加したもの はんだ粉末：Ｓｎ−３．５Ａｇ 上記はんだ粉末に対し、上記フラックスを、１０質量％
の割合で添加した。はんだ粉末の組成はリフロー温度に
応じて選択できるもので、他の組成系でもよい。また、
フラックスの配合量も任意に選択できる。

【０１００】マザー基板としては、有機系マザー基板を
用いた。電子回路モジュールは、有機系のチップ搭載基
板を用い、その上に半導体チップを搭載したものを用い
た。有機系チップ搭載基板の下面に備えられた端子電極
の表面には、有機系マザー基板とはんだ付けが可能なよ
うに、Ａｕめっき処理を施した。

【０１０１】上述した熱硬化性フラックス入りのはんだ
ぺ一ストを、スクリーン印刷法により、有機系チップ搭
載基板上に塗布した。スクリーン印刷に当たっては、メ
タルマスタ厚み１００μｍのスクリーンを用いた。

【０１０２】次に、電子回路モジュールを、有機系マザ
ー基板上に載せ、リフロー炉に通炉した。リフロー温度
は、最高温度２４０℃とし、２２０℃以上の通炉時間を
３０秒とした。

【０１０３】実施例９ 電子回路モジュールのチップ搭載基板を、セラミック基
板とした他は、実施例８と同様にして、電子回路装置を
製造した。

【０１０４】比較例８ 電子回路モジュールのチップ搭載基板を有機系材料によ
って構成し、この電子回路モジュールを、従来のフラッ
クスを用いて、有機系マザー基板にはんだ付けした。有
機系チップ搭載基板の下面に備えられた端子電極の表面
には、有機系マザー基板とはんだ付けが可能なように、
Ａｕめっき処理を施した。

【０１０５】比較例９ 電子回路モジュールのチップ搭載基板をセラミック材料
によって構成し、この電子回路モジュールを、従来のフ
ラックスを用いて、有機系マザー基板にはんだ付けし
た。セラミック系チップ搭載基板の下面に備えられた端
子電極の表面には、有機系マザー基板とはんだ付けが可
能なように、Ａｕめっき処理を施した。

【０１０６】＜試験＞実施例８、９に係る電子回路モジ
ュール、及び、比較例８、９に係る従来電子回路モジュ
ールを熱衝撃試験に付した。熱衝撃試験は、（一５５
℃）を０．５時間保持し、次に（＋１２５℃）を０．５
時間保持し、これを１サイクルとし、２０００サイクル
まで行った。その後に、はんだ接続部分における直流抵
抗（ＲＤＣ）を測定した。

【０１０７】図２１はＲＤＣ測定結果を示すグラフであ
る。図２１において、横軸に熱衝撃サイクル（サイク
ル）を採り、縦軸にＲＤＣ（Ω）を採ってある。特性Ｌ
２１は比較例９の特性、特性Ｌ２２は実施例８、９及び
比較例８の特性である。

【０１０８】図２１において、電子回路モジュールのチ
ップ搭載基板がセラミック材料でなり、マザー基板が有
機材料でなる比較例９は、特性Ｌ２１で示されているよ
うに、１０００サイクルを越えると、ＲＤＣが急激に増
大し、ＲＤＣが劣化する。これに対して、本発明に係る
実施例８、９は、特性Ｌ２２で示されるように、２００
０サイクルを経過してもＲＤＣの劣化は見られなかっ
た。特に、実施例９の特性Ｌ２２と、比較例９の特性Ｌ
２１との対比から明らかなように、電子回路モジュール
のチップ搭載基板を、セラミック基板とし、マザー基板
を有機樹脂基板とした場合、従来は著しいＲＤＣの劣化
を招いていた（特性Ｌ２１参照）が、本発明によれば、
このような基板の組み合わせにおいても、ＲＤＣの劣化
を阻止できる（特性Ｌ２２参照）という優れた効果が得
られる。

【０１０９】上述したように、本発明では、フラックス
に含まれる接着性樹脂を利用して、電子部品を部品搭載
基板に接着する。この後、電子部品と部品搭載基板とが
接着された状態で、はんだ付けの状態を検査する検査工
程に付される。はんだ付け不良の場合、部品搭載基板か
ら電子部品を取り外し、その電子部品を、再度、部品搭
載基板にはんだ付けしたい。もし、部品搭載基板から電
子部品を取り外すことができないならば、電子部品及び
部品搭載基板は、廃棄することになり、コストの増大ま
たは歩留まりの低下を招く。そこで、本発明のフラック
ス及びはんだペーストは、はんだ付けの後で部品搭載基
板から電子部品を取り外すことのできるものであること
が好ましい。

【０１１０】また、最近、地球環境保全の立場から、Ｐ
ｂを含有しないはんだ（Ｐｂフリーはんだ）が導入され
つつあり、様々な組成のはんだ成分が利用されるように
なっている。はんだ成分は、その組成により、融点が異
なるので、利用するはんだ成分の組成に応じて、様々な
値のリフロー温度を設定しなければならない。このた
め、設定される任意のリフロー温度に応じて接着性樹脂
を硬化できる技術が必要である。

【０１１１】ここでは、電子部品を、部品搭載基板には
んだ付けする場合を例にとって説明したが、半導体チッ
プをチップ搭載基板にはんだ付けする場合、及び、電子
回路モジュールをマザー基板にはんだ付けする場合も同
様である。

【０１１２】次に、上述した問題点を解決するフラック
ス及びはんだペーストの構成を開示する。まず、フラッ
クスにおいて、硬化剤は、少なくとも２種のカルボン酸
を含み、これらのカルボン酸は、互いに異なる融点を有
する。融点の低いカルボン酸は、リフロー温度で硬化剤
として機能する。また、融点の高いカルボン酸は、リフ
ロー温度より高いリペア温度で接着性樹脂の粘度を低下
させる。

【０１１３】フラックスの温度を、リペア温度前後に上
昇させると、融点の高いカルボン酸も溶融し、接着性樹
脂の粘度が低下するので、部品搭載基板から電子部品を
取り外すことができる。従って、接着機能を保持しなが
ら、従来のロジンフラックスと同様に電子部品をリペア
することができる。このような組成の接着性フラックス
は、電子回路モジュール等の高価な大型パッケージ品を
はんだ付けする場合、特に有益である。

【０１１４】しかも、互いに融点の異なるカルボン酸を
混合することにより、接着性樹脂の熱硬化温度を変える
ことができる。従って、任意のリフロー温度で接着性樹
脂を硬化できるようになり、利用するはんだ成分の融点
に合わせてリフロー温度を変更できるようになる。

【０１１５】更に、混合するカルボン酸の組み合わせま
たは混合比を変更することによっても、接着性樹脂の熱
硬化温度を変えることができ、同様な作用及び効果が得
られる。

【０１１６】次に、はんだペーストは、上述の構成のフ
ラックスと、はんだ粉末とを含む。従って、このはんだ
ペーストも、上述の構成のフラックスと同様な作用及び
効果を得られる。

【０１１７】上述した作用及び効果を、実験を参照して
具体的に説明する。まず、リペア性に優れたフラックス
及びはんだペーストを得るため、次のような実験１を行
った。

【０１１８】実験１：複数種のカルボン酸の組み合わせ
によるリペア性の獲得 熱硬化性樹脂としてビスフェノールＡを用いた。硬化剤
としては、２種類のカルボン酸、具体的には、アジピン
酸とピメリット酸とを用いた。アジピン酸及びピメリッ
ト酸はカルボン酸の範疇に含まれる。アジピン酸とピメ
リット酸とは、融点が互いに異なる。具体的には、アジ
ピン酸の融点は１５３℃、ピメリット酸の融点は２７９
℃である。ビスフェノールＡとアジピン酸とピメリット
酸とを、下記の表２に示す配合比（質量％）で配合し、
サンプル１〜４のフラックスを調製した。サンプル１〜
４のフラックスは、アジピン酸の含有率をａ（質量％）
とし、ピメリット酸の含有率をｂ（質量％）としたと
き、 ａ：ｂ＝（５０：５０）〜（９５：５）（但しａ＋ｂ＝
１００） の範囲で変化させてある。また、ビスフェノールＡとア
ジピン酸とを、下記の表２に示す配合比（質量％）で配
合し、サンプル５のフラックスを調製した。

【０１１９】次に、調製した各サンプル１〜５のフラッ
クスに、はんだ粉末を混合し、はんだペーストを調製し
た。はんだ粉末としてはＳｎ−３．５Ａｇを用いた。は
んだ粉末の組成はリフロー温度に応じて選択できるもの
で、他の組成系でもよい。また、はんだ粉末に対するフ
ラックスの配合量は２５質量％とした。フラックスの配
合量も任意に選択できる。

【０１２０】上記組成において製作したはんだぺ一スト
を用いて、マザー基板上に電子回路モジュールをはんだ
付けした。図２２〜図２５は、マザー基板に対する電子
回路モジュールのはんだ付け工程を示す正面部分断面図
である。図において、図１９に図示された構成部分と同
一の構成部分には、同一の参照符号を付してある。

【０１２１】図２２に示すように、マザー基板５００の
表面には、ランド５３０、５４０が設けられている。マ
ザー基板５００は、セラミック基板、有機樹脂基板また
はそれらの組み合わせによって構成することができる。
図示のマザー基板５００は、有機樹脂基板でなる。

【０１２２】図２３に示すように、マザー基板５００の
ランド５３０、５４０の上に、実施例１０のはんだペー
スト６１０、６２０を塗布した。はんだペースト６１
０、６２０の塗布に当たっては、メタルマスクを用いて
印刷した。

【０１２３】そして、図２４に示すように、マザー基板
５００の上に電子回路モジュール３００を搭載した。図
示の電子回路モジュール３００は、図１２に図示された
電子回路モジュールと同様な構成である。電子回路モジ
ュール３００は、ＬＧＡ構造品と称されるＣＳＰ（チッ
プサイズパッケージ）の電子回路モジュールである。電
子回路モジュール３００のチップ搭載基板２００はセラ
ミック基板でなる。図２４に示すように、電子回路モジ
ュール３００は、端子電極２５０、２６０がはんだペー
スト６１０、６２０上に位置するようにして、マザー基
板５００上に配置した。

【０１２４】次に、電子回路モジュール３００を搭載し
たマザー基板５００を、リフロー炉に通炉し、電子回路
モジュール３００に設けられた端子電極２５０、２６０
をはんだペースト６１０、６２０に含まれるはんだ成分
によりはんだ接合した。はんだペースト６１０、６２０
に含まれる接着性樹脂及び硬化剤が、電子回路モジュー
ル３００とマザー基板５００との間に介在し、はんだバ
ンプ５１０、５２０の周りで、両者を接着する。これに
より、図２５に示すように、本発明に係る電子回路装置
が得られる。図２５において、参照符号６００は、はん
だペースト６１０（６２０）に含まれていた実施例１０
のフラックスを示し、端子電極２５０、２６０の外側で
フィレット状になる。

【０１２５】上述したように、フラックス６００は、接
着性樹脂と、硬化剤とを含んでいる。硬化剤は、アジピ
ン酸と、ピメリット酸とを含み、アジピン酸と、ピメリ
ット酸は、互いに異なる融点を有する。融点の低いアジ
ピン酸は、リフロー温度で硬化剤として機能する。融点
の高いピメリット酸は、リフロー温度より高いリペア温
度で接着性樹脂の粘度を低下させる。

【０１２６】以下、具体的に、サンプル１〜５のフラッ
クスについて述べる。サンプル５のフラックスを用いた
場合、リフロー炉に通炉することにより、フラックスに
含まれるアジピン酸が溶融し、はんだが溶融した。この
結果、マザー基板のランドと、電子回路モジュールの端
子電極とが接合された。

【０１２７】サンプル１、２のフラックスを用いた場
合、リフロー炉に通炉しても、フラックスに含まれるピ
メリット酸の硬化が進行し、はんだが溶融しなかった。
このため、マザー基板のランドと電子回路モジュールの
端子電極とが接合されなかった。

【０１２８】サンプル３、４のフラックスを用いた場
合、リフロー炉に通炉することにより、フラックス６０
０に含まれるアジピン酸が溶融し、はんだが溶融した。
この結果、マザー基板５００のランド５３０、５４０
と、電子回路モジュール３００の端子電極２５０、２６
０とが接合された。

【０１２９】図２６、図２７は、マザー基板から電子回
路モジュールを取り外す工程を示す正面部分断面図であ
る。図２６に示すようにフラックス６００に熱風を吹き
込み、フラックス６００の温度を、リペア温度前後に上
昇させると、融点の高いピメリット酸が溶融し、接着性
樹脂の粘度が低下する。このため、図２７に示すよう
に、マザー基板５００から電子回路モジュール３００を
取り外すことができる。

【０１３０】従って、接着機能を保持しながら、従来の
ロジンフラックスと同様に電子回路モジュール３００を
リペアすることができる。かような組成の接着性フラッ
クスは、大型パッケージ等の高価な電子回路モジュール
３００をはんだ付けする場合、特に有効である。また、
この接着性フラックスのリペア工法は、従来はんだ付け
のリペア工法と同じ作業レベルで実行できる。

【０１３１】以下、具体的に述べる。サンプル１〜５の
フラックスのうち、リフロー実装できたサンプル３〜５
のフラックスに対してリペア実験を行った。リペア実験
では、電子回路モジュール３００のチップ搭載基板２０
０と、マザー基板５００との接合部に３００℃前後の熱
風を吹き込んだ。

【０１３２】サンプル５のフラックスは、電子回路モジ
ュールのチップ搭載基板と、マザー基板とを接着してお
り、一度軟化したが、熱風により再び硬化した。このた
め、マザー基板から電子回路モジュールを引き剥がすこ
とはできなかった。

【０１３３】サンプル３、４のフラックス６００を用い
た場合、電子回路モジュール３００のチップ搭載基板２
００と、マザー基板５００との接合部に熱風を吹き込む
と、フラックス６００に含まれるピメリット酸が再溶融
し、マザー基板５００から電子回路モジュール３００を
引き剥がすことができた。

【０１３４】よって、はんだ付けされた電子回路モジュ
ール３００をリペアするためには、接着性樹脂硬化用の
アジピン酸の他に、リペア温度付近に融点を有するピメ
リット酸を混合しておけばよい。リペア温度で、そのピ
メリット酸を溶融させると、接着性樹脂の粘度が低下す
る。このため、マザー基板５００上にはんだ付けされた
電子回路モジュール３００を、マザー基板５００から取
り外し、リペアすることができる。

【０１３５】上述した実験１の結果によれば、好ましく
は、接着性樹脂硬化用のアジピン酸に、リペア用のピメ
リット酸を１５質量％〜５質量％添加すればよい。言い
換えれば、アジピン酸の含有率ａ（質量％）と、ピメリ
ット酸の含有率ｂ（質量％）とについて、 ａ：ｂ＝（８５：１５）〜（９５：５）（但しａ＋ｂ＝
１００） を満たせばよい。

【０１３６】実験１で調製したフラックスは、はんだ粉
末と混合され、混合により得られたはんだペーストを用
いてはんだ付けを行っている。これと異なり、はんだバ
ンプを施した基板上に実験１のフラックスを塗布しては
んだ付けを行っても、同様な作用及び効果が得られる。

【０１３７】本発明に係る電子部品装置は、既に述べた
電子回路装置との対比において、電子回路モジュール
が、電子部品に置き換わる点、及び、マザー基板が部品
搭載基板に置き換わる点を除けば、本質的に異なる点は
ない。換言すれば、本発明に係る電子部品装置の基本構
成は、実質的に、電子回路装置に開示されている。

【０１３８】同様に、本発明に係る電子回路モジュール
は、既に述べた電子回路装置との対比において、電子回
路モジュールが、半導体チップに置き換わる点、及び、
マザー基板がチップ搭載基板に置き換わる点を除けば、
本質的に異なる点はない。換言すれば、本発明に係る電
子回路モジュールの基本構成は、実質的に、電子回路装
置に開示されている。

【０１３９】次に、リフロー温度を変更するため、次の
ような実験２〜５を行った。まず、実験２では、硬化剤
として一種のカルボン酸のみを配合してフラックスを調
製し、フラックスの熱硬化物性を調べた。

【０１４０】実験２：一種のカルボン酸のみを配合した
フラックスの熱硬化物性 熱硬化性樹脂としてビスフェノールＡを用いた。硬化剤
としては、下記の表３に示すように、アジピン酸、マレ
イン酸、コハク酸またはピメリット酸の１つを用いた。
熱硬化性樹脂と、上述の硬化剤とを質量比１：１の割合
で配合し、フラックスを調製した。そして、調製したフ
ラックスを２ｇ、Ｃｕ板上に塗布し、２４０℃のリフロ
ー炉に通炉し、皮膜の挙動を比較した。

【０１４１】表３に示すように、サンプル１１、１２の
フラックスでは、皮膜が、ゲル化したり、常温で硬化し
たりするので適当でない。これらに対し、サンプル１
３、１４のフラックスでは、皮膜がリフロー通炉により
硬化し、良好な結果が得られた。

【０１４２】サンプル１１〜１４のフラックスにおい
て、硬化の進み具合を比較する。硬化剤の融点が高いと
熱硬化が進み、アジピン酸を硬化剤としたフラックス
（サンプル１１）の硬化が最も遅い。硬化剤としてアジ
ピン酸とコハク酸を混合した場合、コハク酸の配合比を
増やすにつれ、より硬い硬化皮膜が得られる。

【０１４３】上述の実験２を踏まえ、アジピン酸とコハ
ク酸とを混合してリフロー温度の変更を試みた。

【０１４４】実験３：複数種のカルボン酸の混合による
リフロー温度の変更 熱硬化性樹脂としてビスフェノールＡを用いた。硬化剤
としては、２種類のカルボン酸、具体的には、アジピン
酸とコハク酸とを用いた。アジピン酸及びコハク酸はカ
ルボン酸の範疇に含まれる。アジピン酸とコハク酸と
は、融点が互いに異なる。具体的には、アジピン酸の融
点は１５３℃、コハク酸の融点は１８８℃である。ビス
フェノールＡとアジピン酸とコハク酸とを、質量比１：
０．５：０．５の割合で配合し、フラックスを調製し
た。

【０１４５】次に、調製したフラックスと、はんだ粉末
とを混合し、はんだペーストを調製した。はんだ粉末と
してはＳｎ−３．５Ａｇを用い、はんだ粉末に対するフ
ラックスの配合量は１５質量％とした。以下、このはん
だペーストを、サンプル２２のはんだペーストと呼ぶ。
はんだ粉末の組成はリフロー温度に応じて選択できるも
ので、他の組成系でもよい。フラックスの配合量も任意
に選択できる。

【０１４６】また、ビスフェノールＡとアジピン酸と
を、質量比１：１の割合で配合し、フラックスを調製し
た。そして、調製したフラックスと、はんだ粉末とを混
合し、はんだペーストを調製した。サンプル２２のはん
だペーストと同様に、はんだ粉末としてはＳｎ−３．５
Ａｇを用い、はんだ粉末に対するフラックスの配合量は
１５質量％とした。以下、このはんだペーストを、サン
プル２１のはんだペーストと呼ぶ。

【０１４７】図２８は、サンプル２１、２２のはんだペ
ーストを用いてコンデンサをはんだ付けした場合につい
て、リフロー温度と部品横押し強度との関係を示す図で
ある。試験用のコンデンサとして、１００５サイズのＳ
ＴＤ端子コンデンサと、１００５サイズのＣＳＢ端子コ
ンデンサとの２種類を用いた。ＳＴＤ端子コンデンサと
は、コンデンサ素体の両側面に端子を形成したコンデン
サである。ＣＳＢ端子コンデンサとは、コンデンサ素体
の底面の両端に端子を形成したコンデンサである。

【０１４８】図２８において、特性Ｌ３１はＳＴＤ端子
コンデンサにサンプル２１のはんだペーストを用いた場
合の特性、特性Ｌ３２はＳＴＤ端子コンデンサにサンプ
ル２２のはんだペーストを用いた場合の特性、特性Ｌ４
１はＣＳＢ端子コンデンサにサンプル２１のはんだペー
ストを用いた場合の特性、特性Ｌ４２はＣＳＢ端子コン
デンサにサンプル２２のはんだペーストを用いた場合の
特性である。部品横押し強度は、前述の図２に示した方
法に従って測定した。

【０１４９】図２８に示すように、ＳＴＤ端子コンデン
サをはんだ付けする場合、サンプル２２のはんだペース
ト（特性Ｌ３２参照）は、サンプル２１のはんだペース
ト（特性Ｌ３１参照）よりも低いリフロ−温度で同程度
の部品横押し強度を得られた。

【０１５０】また、ＣＳＢ端子コンデンサをはんだ付け
する場合、サンプル２２のはんだペースト（特性Ｌ４２
参照）は、サンプル２１のはんだペースト（特性Ｌ４１
参照）よりも低いリフロ−温度で同程度の部品横押し強
度を得られた。例えば、部品横押し強度として０．９ｋ
ｇ必要であると仮定すると、サンプル２１のはんだペー
スト（特性Ｌ４１参照）の場合、２２４〜２３０℃のリ
フロ−温度を必要とするが、サンプル２２のはんだペー
スト（特性Ｌ４２参照）の場合、２１７〜２２１℃のリ
フロ−温度で済む。

【０１５１】以上述べたように、互いに融点の異なるカ
ルボン酸（アジピン酸とコハク酸）を混合することによ
り、接着性樹脂（ビスフェノールＡ）の熱硬化温度を変
えることができる。従って、任意のリフロー温度で接着
性樹脂（ビスフェノールＡ）を硬化できるようになり、
利用するはんだ成分の融点に合わせてリフロー温度を変
更できるようになる。リフロ−温度は一定の値に固定せ
ずに済むようになる。

【０１５２】更に、混合するカルボン酸の組み合わせ
（アジピン酸及びコハク酸）を変更することによって
も、接着性樹脂（ビスフェノールＡ）の熱硬化温度を変
えることができ、同様な作用及び効果が得られる。例え
ば、アジピン酸とコハク酸との組み合わせを、アジピン
酸とピメリット酸との組み合わせに変更すると、接着性
樹脂（ビスフェノールＡ）の熱硬化温度が変わる。

【０１５３】次に、混合するカルボン酸（アジピン酸と
コハク酸）の混合比を調整して、リフロー温度の変更を
試みた。

【０１５４】実験４：カルボン酸の混合比の調整による
リフロー温度の変更 熱硬化性樹脂としてビスフェノールＡを用いた。硬化剤
としては、アジピン酸とコハク酸とを用いた。ビスフェ
ノールＡとアジピン酸とコハク酸とを、下記の表４に示
す配合比（質量％）で配合し、フラックスを調製した。
これらのフラックスは、アジピン酸の含有率をａ（質量
％）とし、コハク酸の含有率をｃ（質量％）としたと
き、 ａ：ｃ＝（１００：０）〜（０：１００）（但しａ＋ｃ
＝１００） の範囲で変化させてある。

【０１５５】次に、調製した各フラックスにはんだ粉末
を混合し、サンプル５０〜５５のはんだペーストを調製
した。はんだ粉末としては、共晶はんだ（Ｓｎ６３−Ｐ
ｂ３７）の粉末を用いた。はんだ粉末に対するフラック
スの配合量は１５質量％とした。はんだ粉末の組成はリ
フロー温度に応じて選択できるもので、他の組成系でも
よい。フラックスの配合量も任意に選択できる。

【０１５６】表４に示すように、サンプル５０のはんだ
ペーストは、はんだ付けにおいて端子を良好に接続でき
た。しかし、サンプル５０のはんだペーストは、硬化剤
としてアジピン酸しか含んでいないので、接着性樹脂
（ビスフェノールＡ）の熱硬化温度を変えることができ
ず、リフロー温度を変更できない。

【０１５７】また、サンプル５５のはんだペーストは、
はんだが溶融する前にフラックスが硬化してしまい、端
子を接合できなかった。

【０１５８】これに対し、サンプル５１〜５４のはんだ
ペーストは、それぞれ、はんだ付けにおいて端子を良好
に接続できた。

【０１５９】図３２は、サンプル５０〜５４のはんだペ
ーストを用いてコンデンサをはんだ付けした場合につい
て、リフロー温度と部品横押し強度との関係を示す図で
ある。試験用のコンデンサとしては、１００５サイズの
ＳＴＤ端子コンデンサを用いた。図２９において、特性
Ｌ５０〜Ｌ５４は、それぞれ、サンプル５０〜５４のは
んだペーストを用いた場合の特性である。

【０１６０】コハク酸の配合率を増大させることによ
り、低いリフロー温度でも、必要な部品横押し強度を確
保することができる。例えば、部品横押し強度として
１．４ｋｇ必要であると仮定すると、サンプル５２のは
んだペースト（特性Ｌ５２参照）は、２３０℃のリフロ
−温度を必要とする。これに対し、サンプル５３のはん
だペースト（特性Ｌ５３参照）は、上述のサンプル５２
よりもコハク酸の配合率を増大させてあるので、２１０
℃のリフロ−温度で済む。

【０１６１】以上述べたように、混合するカルボン酸
（アジピン酸とコハク酸）の混合比を変更することによ
り、接着性樹脂（ビスフェノールＡ）の熱硬化温度を変
えることができる。従って、任意のリフロー温度で接着
性樹脂（ビスフェノールＡ）を硬化できるようになり、
利用するはんだ成分の融点に合わせてリフロー温度を変
更できるようになる。リフロ−温度は一定の値に固定せ
ずに済むようになる。

【０１６２】上述した実験４の結果によれば、はんだ成
分として共晶はんだ（Ｓｎ６３−Ｐｂ３７）を用いる場
合、硬化剤としてアジピン酸及びコハク酸を配合すると
き、アジピン酸の含有率ａ（質量％）と、コハク酸の含
有率ｃ（質量％）とについて、 ａ：ｃ＝（９５：５）〜（２５：７５）（但しａ＋ｃ＝
１００） を満たすのが好ましい。

【０１６３】実験４では、はんだ成分として共晶はんだ
（Ｓｎ６３−Ｐｂ３７）を用いている。共晶はんだ（Ｓ
ｎ６３−Ｐｂ３７）の融点は１８３℃である。

【０１６４】かような実験４と異なり、はんだ成分とし
てＳｎ−３．５Ａｇはんだを用いた実験（以下実験５と
称する）を説明する。Ｓｎ−３．５Ａｇはんだの融点は
２１７℃であり、共晶はんだ（Ｓｎ６３−Ｐｂ３７）の
融点１８３℃よりもかなり高い。

【０１６５】実験５：フラックスと組み合わせられるは
んだ成分の変更ビスフェノールＡとアジピン酸とコハク
酸とを、下記の表５に示す配合比（質量％）で配合し、
フラックスを調製した。これらのフラックスは、アジピ
ン酸の含有率をａ（質量％）とし、コハク酸の含有率を
ｃ（質量％）としたとき、 ａ：ｃ＝（１００：０）〜（０：１００）（但しａ＋ｃ
＝１００） の範囲で変化させてある。

【０１６６】次に、調製した各フラックスにはんだ粉末
を混合し、サンプル７０〜７５のはんだペーストを調製
した。はんだ粉末としては、Ｓｎ−３．５Ａｇはんだ粉
末を用いた。はんだ粉末に対するフラックスの配合量は
１５質量％とした。

【０１６７】表５に示すように、サンプル７２〜７５の
はんだペーストは、それぞれ、はんだが溶融する前にフ
ラックスが硬化してしまい、端子を接合できなかった。

【０１６８】また、サンプル７０、７１のはんだペース
トは、それぞれ、はんだ付けにおいて端子を良好に接続
できた。

【０１６９】上述した実験５の結果によれば、はんだ成
分としてＳｎ−３．５Ａｇはんだを用いる場合、硬化剤
としてアジピン酸及びコハク酸を配合するとき、アジピ
ン酸の含有率ａ（質量％）と、コハク酸の含有率ｃ（質
量％）とについて、ａ：ｃ＝（１００：０）〜（９５：
５）（但しａ＋ｃ＝１００）を満たすのが好ましい。

【０１７０】上述した実験３〜５では、フラックスを、
はんだ粉末に混合し、混合により得られたはんだペース
トを用いてはんだ付けを行っている。これと異なり、は
んだバンプを施した基板上にフラックスを塗布してはん
だ付けを行っても、同様な作用及び効果が得られる。

【０１７１】実験３〜５で調製したはんだペーストを利
用しても、図２５に図示された電子回路装置と同様な電
子回路装置を構成できることは自明である。勿論、実験
３〜５のはんだペーストを利用して電子部品装置及び電
子回路モジュールを構成することもできる。

【０１７２】また、硬化剤として、互いに熱硬化速度の
異なるカルボン酸を混合すると、接着性樹脂の熱硬化速
度を変えることができる。従って、利用するはんだ成分
に合わせてリフロー時間またはリフロー温度を変更でき
るようになる。例えば、アジピン酸とコハク酸の場合、
コハク酸の熱硬化に必要な熱量は、アジピン酸の熱硬化
に必要な熱量よりも少ないので、コハク酸の熱硬化速度
は、アジピン酸の熱硬化速度よりも速い。従って、硬化
剤としてアジピン酸とコハク酸とを混合すると、接着性
樹脂（ビスフェノールＡ）の熱硬化速度を変更でき、リ
フロー時間またはリフロー温度を変更できる。他のカル
ボン酸の組み合わせ、例えば、アジピン酸とピメリット
酸の場合も同様である。

【０１７３】更に、混合するカルボン酸の組み合わせま
たは混合比を変更することによっても、接着性樹脂の熱
硬化速度を変えることができ、同様な作用及び効果が得
られる。

【０１７４】図示は省略するが、本発明に係るはんだペ
ーストを用いる場合、本発明に係るフラックスを封止剤
として用い、電子部品と部品搭載基板、半導体チップと
チップ搭載基板及び電子回路モジュールとマザー基板と
を、フラックスでなる封止剤によって接合することもで
きる。また、本発明に係るフラックスを用いた部品搭載
基板において、本フラックスの上層部に一般的な封止剤
を形成することもできる。

【０１７５】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）実装の高密度化、部品の小型化及び部品の配置間
隔の狭ピッチ化等に対しても、十分な接合強度をもって
対応し得るはんだ付け用フラックス及びはんだペースト
及びはんだ付け方法を提供することができる。 （ｂ）両面実装タイプの部品搭載基板において、部品の
浮動または脱落等の不具合を確実に阻止し得るはんだ付
け用フラックス及びはんだペースト及びはんだ付け方法
を提供することができる。 （ｃ）フラックス洗浄工程を必要とせず、製造コストの
安価な電子部品装置、電子回路モジュール及び電子回路
装置を提供することができる。 （ｄ）はんだ接合寿命を、従来よりも著しく長期化させ
た高信頼度の電子部品装置、電子回路モジュール及び電
子回路装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るフラックスを用いたチップ部品の
はんだ付け方法を示す部分断面図である。

【図２】部品搭載基板にはんだ付けされたチップ部品の
横押し強度試験方法を示す部分断面図である。

【図３】図２に示した部品横押し強度試験による結果を
示す図である。

【図４】本発明に係るフラックスを含有するはんだペー
ストを用いた場合について、部品搭載基板の詳細と、部
品搭載基板に対するチップ部品のはんだ付け工程を示す
部分断面図である。

【図５】従来のロジン系フラックスを含有するはんだペ
ーストを用いた場合について、部品搭載基板の詳細と、
部品搭載基板に対するチップ部品のはんだ付け工程を示
す部分断面図である。

【図６】図４に示す本発明に係るはんだ付け方法と、図
５に示す従来のはんだ付け方法とについて、部品横押し
強度試験の結果を示す図である。

【図７】本発明に係るフラックスを含有するはんだペー
ストを用いたはんだ付け方法を示す部分断面図である。

【図８】図７に示した本発明に係るはんだ付け方法によ
って、チップ部品を部品搭載基板上にはんだ付けした場
合の外観を示す図であって、図７の８ー８線に沿った部
分断面図である。

【図９】従来のロジン系フラックス含有のはんだペース
トを用いたはんだ付け方法を示す部分断面図である。

【図１０】図９に示した従来のはんだ付け方法によっ
て、チップ部品を部品搭載基板上にはんだ付けした場合
の外観を示す図であって、図９の１０ー１０線に沿った
部分断面図である。

【図１１】本発明に係るはんだペーストを用いてチップ
部品をはんだ付けした場合と、従来のロジン系フラック
ス含有はんだペーストを用いてチップ部品をはんだ付け
した場合のリフロー温度と部品横押し強度との関係を示
す図である。

【図１２】本発明に係る電子回路モジュールの正面部分
断面図である。

【図１３】図１２に示した電子回路モジュールのはんだ
付け方法を説明する図である。

【図１４】本発明に係る電子回路モジュールの別の例を
示す正面部分断面図である。

【図１５】図１４に示した電子回路モジュールのはんだ
付け方法を説明する図である。

【図１６】ＲＤＣ測定結果を示すグラフである。

【図１７】本発明に係る電子回路装置の正面部分断面図
である。

【図１８】図１７に示した電子回路装置のはんだ付け方
法を説明する図である。

【図１９】本発明に係る電子回路装置の別の例を示す正
面部分断面図である。

【図２０】図１９に示した電子回路装置のはんだ付け方
法を説明する図である。

【図２１】ＲＤＣ測定結果を示すグラフである。

【図２２】マザー基板に対する電子回路モジュールのは
んだ付け工程を示す正面部分断面図である。

【図２３】図２２に示した工程の次の工程を示す正面部
分断面図である。

【図２４】図２３に示した工程の次の工程を示す正面部
分断面図である。

【図２５】図２４に示した工程の次の工程を示す正面部
分断面図である。

【図２６】マザー基板から電子回路モジュールを取り外
す工程を示す正面部分断面図である。

【図２７】図２６に示した工程の次の工程を示す正面部
分断面図である。

【図２８】サンプル２１、２２のはんだペーストを用い
てコンデンサをはんだ付けした場合について、リフロー
温度と部品横押し強度との関係を示す図である。

【図２９】サンプル５０〜５４のはんだペーストを用い
てコンデンサをはんだ付けした場合について、リフロー
温度と部品横押し強度との関係を示す図である。

【符号の説明】

１ 部品搭載基板 ２１、２２ はんだバンプ ３ フラックス ４ チップ部品 ８１、８２ はんだペースト

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/34 ５０３ Ｈ０５Ｋ 3/34 ５０３Ｚ ５０７ ５０７Ｃ ５１０ ５１０ ５１２ ５１２Ｃ

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 接着性樹脂と、硬化剤とを含有するはん
   だ付け用フラックス。
2. 【請求項２】 請求項１に記載されたフラックスであっ
   て、液状またはペースト状であるフラックス。
3. 【請求項３】 請求項１または２の何れかに記載された
   フラックスであって、前記接着性樹脂は、熱硬化性樹脂
   を含むフラックス。
4. 【請求項４】 請求項３に記載されたフラックスであっ
   て、 前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、
   ポリイミド樹脂、シリコン樹脂、変性樹脂またはアクリ
   ル樹脂から選択された少なくとも１種を含むフラック
   ス。
5. 【請求項５】 請求項１乃至４の何れかに記載されたフ
   ラックスであって、前記硬化剤は、カルボン酸を含むフ
   ラックス。
6. 【請求項６】 請求項１乃至４の何れかに記載されたフ
   ラックスであって、前記硬化剤は、少なくとも２種のカ
   ルボン酸を含み、前記少なくとも２種のカルボン酸は、
   互いに異なる融点を有するフラックス。
7. 【請求項７】 請求項６に記載されたフラックスであっ
   て、 前記少なくとも２種のカルボン酸のうち、１種はアジピ
   ン酸であり、他の１種はピメリット酸であるフラック
   ス。
8. 【請求項８】 請求項７に記載されたフラックスであっ
   て、 前記アジピン酸の含有率をａ（質量％）とし、前記ピメ
   リット酸の含有率をｂ（質量％）としたとき、 ａ：ｂ＝（８５：１５）〜（９５：５） を満たすフラックス。
9. 【請求項９】 請求項６に記載されたフラックスであっ
   て、 前記少なくとも２種のカルボン酸のうち、１種はアジピ
   ン酸であり、他の１種はコハク酸であるフラックス。
10. 【請求項１０】 請求項９に記載されたフラックスであ
    って、前記アジピン酸の含有率をａ（質量％）とし、前
    記コハク酸の含有率をｃ（質量％）としたとき、 ａ：ｃ＝（９５：５）〜（２５：７５） を満たすフラックス。
11. 【請求項１１】 はんだ粉末と、フラックスとを含むは
    んだペーストであって、 前記フラックスは、請求項１乃至１０の何れかに記載さ
    れたものでなり、 前記はんだ粉末は、前記フラックスと混合されているは
    んだペースト。
12. 【請求項１２】 請求項１１に記載されたはんだペース
    トであって、 前記はんだ粉末は、Ｓｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｉ
    ｎ、ＺｎまたはＢｉから選択された少なくとも１種を含
    むはんだペースト。
13. 【請求項１３】 少なくとも１つの電子部品と、部品搭
    載基板と、はんだ付け用フラックスとを含む電子部品装
    置であって、 前記電子部品は、前記部品搭載基板の上にはんだ付けさ
    れており、 前記はんだ付け用フラックスは、請求項１乃至１０の何
    れかに記載されたフラックスでなり、前記電子部品と前
    記部品搭載基板との間に介在し、両者を接着している電
    子部品装置。
14. 【請求項１４】 半導体チップと、チップ搭載基板と、
    はんだ付け用フラックスとを含む電子回路モジュールで
    あって、 前記半導体チップは、少なくとも１つの半導体素子を含
    み、前記チップ搭載基板の上にはんだ付けされており、 前記はんだ付け用フラックスは、請求項１乃至１０の何
    れかに記載されたフラックスでなり、前記半導体チップ
    と前記チップ搭載基板との間に介在し、両者を接着して
    いる電子回路モジュール。
15. 【請求項１５】 電子回路モジュールと、マザー基板
    と、はんだ付け用フラックスとを含む電子回路装置であ
    って、 前記電子回路モジュールは、前記マザー基板上にはんだ
    付けされており、 前記はんだ付け用フラックスは、請求項１乃至１０の何
    れかに記載されたフラックスでなり、前記電子回路モジ
    ュールと前記マザー基板との間に介在し、両者を接着し
    ている電子回路装置。
16. 【請求項１６】 請求項１５に記載された電子回路装置
    であって、前記電子回路モジュールは、請求項１４に記
    載されたものでなる電子回路装置。
17. 【請求項１７】 請求項１乃至１０の何れかに記載され
    たフラックスを用いてはんだ付けする方法。
18. 【請求項１８】 請求項１１または１２の何れかに記載
    されたはんだペーストを用いてはんだ付けする方法。
19. 【請求項１９】 請求項１７または１８の何れかに記載
    された方法であって、 基板の上に電子部品、電子回路モジュールまたは半導体
    チップをはんだ付けするはんだ付け方法。
20. 【請求項２０】 請求項１９に記載された方法であっ
    て、 前記基板の一面上に、前記はんだペーストによるはんだ
    付け処理を実行し、 次に、前記基板の他面上で、前記はんだペーストとは異
    なるはんだを用いて、電子部品をはんだ付けする工程を
    含むはんだ付け方法。