JP2001158766A - 高純度ベンジルシアニド誘導体の製造方法 - Google Patents

高純度ベンジルシアニド誘導体の製造方法

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JP2001158766A
JP2001158766A JP34191499A JP34191499A JP2001158766A JP 2001158766 A JP2001158766 A JP 2001158766A JP 34191499 A JP34191499 A JP 34191499A JP 34191499 A JP34191499 A JP 34191499A JP 2001158766 A JP2001158766 A JP 2001158766A
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cyanide
benzyl
bromide
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Osamu Miyano
修 宮野
Tadayoshi Ogino
忠義 荻野
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Tosoh Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】安価で容易に入手しうる出発原料を用い、高収
率、高純度でベンジルシアニド誘導体を容易に製造する
方法を提供する。 【解決の手段】ベンジルブロミド誘導体及びベンザルブ
ロミド誘導体を含む混合物に、シアン化物を加えてベン
ジルシアニド誘導体を含む反応液を得た後、反応液をア
ミン誘導体と接触させ、反応液からベンジルシアニド誘
導体を高純度に分離する高純度ベンジルシアニド誘導体
の製造方法を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、医薬、農薬などを
製造する上で有用な中間体であるベンジルシアニド誘導
体を高純度に得るための製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ベンジルシアニド誘導体の製造方
法としては、トルエン誘導体を臭素化して得られるベン
ジルブロミド誘導体及びベンザルブロミド誘導体を青酸
ソーダと反応させる方法が知られている。しかしなが
ら、この方法では臭素化が行き過ぎたベンザルブロミド
誘導体が存在することから、そのままでは目的物である
ベンジルシアニド誘導体の分離・精製を困難にさせてい
る。さらに、ベンザルブロミド誘導体は、高温では微量
の水分により加水分解されて臭化水素を発生するため、
蒸留などの装置への腐食の原因ともなっている。また、
ベンザルブロミド誘導体は酸、アルカリにより加水分解
されてベンズアルデヒド誘導体に変換可能であるが、そ
の条件では目的とするベンジルシアニド誘導体自体の加
水分解も起こることなど、様々な課題を有していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記課題に
鑑みてなされたものであり、安価で容易に入手しうる出
発原料を用い、高収率、高純度でベンジルシアニド誘導
体を容易に製造する方法を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、ベンジルブロミド
誘導体をニトリル化してベンジルシアニド誘導体及びそ
の副生成物等を含む混合物を得た後、この混合物をアミ
ン誘導体と接触させることにより、目的物であるベンジ
ルシアニド誘導体に実質的に影響することなく、混在す
るベンザルブロミド誘導体を分離精製容易な化合物に変
換できることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【0005】すなわち、上記課題を解決すべくなされた
本発明のベンジルシアニド誘導体を製造する方法は、ベ
ンジルシアニド誘導体を製造するにおいて、ベンジルブ
ロミド誘導体とベンザルブロミド誘導体を含む混合物
に、シアン化物を反応させてベンジルブロミド誘導体を
ニトリル化した後、反応液の成分をアミン誘導体と接触
させ、その後反応液中のベンジルシアニド誘導体を分離
して高純度なベンジルシアニド誘導体を得ることを特徴
とするものである。
【0006】以下、本発明を反応工程に従って詳しく説
明する。
【0007】<第1工程>本発明の方法において、第1
工程は、ベンジルブロミド誘導体及びベンザルブロミド
誘導体を含む混合物に、シアン化物を加えてベンジルシ
アニド誘導体を含む反応液を得るものである。
【0008】ここで、本発明の方法において用いられる
出発原料としては、通常ベンジルブロミド誘導体を製造
する工程で得られるベンジルブロミド誘導体とこの反応
中に副生するベンザルブロミド誘導体等の反応副生物と
を含む混合物(以下、「原料混合物」という)であれ
ば、本発明の方法により最終的に高純度のベンジルシア
ニド誘導体を得るにあたり効果的となる。
【0009】この原料混合物に含まれるベンジルブロミ
ド誘導体としては、上記一般式(1)(式中、nは1〜
5の整数であり、Rはアルキル基、アルケニル基又はハ
ロゲンを表わす。)のものが好ましく用いられる。ここ
で、一般式(1)において、置換基(R)nは、芳香環
の任意の炭素に結合していてよく、また、nが2以上の
場合における置換基(R)nの位置としても芳香環の任
意の炭素に結合したものでよく、置換基(R)nの構造
としても上記の構造のものであれば同じ構造であっても
異なるものであってもよい。さらに、置換基(R)nに
ついては、以下で示すニトリル化において立体障害とな
らない程度の構造を有したものであることが好ましい。
【0010】一方、原料混合物に含まれうるベンザルブ
ロミド誘導体としては、α位の臭素の置換数が異なる以
外は上記のベンジルブロミド誘導体と同様の構造を有し
ておればよく、さらに、置換基(R)nについては、以
下で示すアミン誘導体との接触において立体障害となら
ない程度の構造を有したものであることが好ましい。
【0011】本発明の方法において用いられ、出発原料
をニトリル化させるために用いられるシアン化物として
は、MCN(式中、Mはアルカリ金属を表わす。)で示
されるものであり、例えば、青酸カリ、青酸ソーダなど
が挙げられる。
【0012】そして、この原料混合物とシアン化物とを
反応させてベンジルシアニド誘導体を含む反応液を得る
のである。その反応温度としては、通常30〜100℃
であるが、40〜60℃で行われることが望ましく、ま
た、反応時間としては、1〜24時間、通常8〜16時
間で実施すればよい。
【0013】さらに、原料混合物とシアン化物とを反応
させる際に、テトラブチルアンモニウムブロミド等の触
媒を用いてより速やかに反応させることもできる。
【0014】こうして、ベンジルシアニド誘導体を含む
反応液が得られるが、さらに、反応に用いた未反応のシ
アン化物等を除去等した後、次の第2工程を実施しても
よい。このような第1工程の後処理は、例えば、次亜塩
素酸ナトリウム等にて処理し、分液、洗浄等の処理を行
なえばよく、通常実施される方法であればよく、こうす
ることで反応に用いられるシアン化物よりシアン化水素
が発生するのを抑制できる。
【0015】<第2工程>次に、第2工程は、上記の第
1工程で得られた反応液をアミン誘導体と接触させるも
のである。
【0016】ここで、第2工程で用いられるアミン誘導
体としては、第1級アミン、第2級アミン、第3級アミ
ンのいずれも用いることができるが、第1工程で得られ
た反応液と接触させ、さらに反応させる際の温度によっ
ては用いるアミン誘導体の沸点を超えることも考慮すれ
ば、第2級アミン、第3級アミンが好ましく用いられ
る。これらの具体的な例示としては、上記一般式(3)
(式中、R1は水素又はアルキル基であり、R2は水
素、アルキル基又はアルケニル基であり、R3はアルキ
ル基、アルケニル基又はシクロアルキル基を表わす。)
などで表わされる非環状のアミン誘導体や、上記一般式
(4)(式中、R1は水素又はアルキル基であり、R4
はアルキレン基であり、R5はアルキレン基であり、A
はメチレン、NH又はOを表わす。)などで表わされる
環内に窒素を含む環状アミン誘導体を挙げることがで
き、さらに具体的にいえば、シクロヘキシルアミン、N
−メチルシクロヘキシルアミン、N,N−ジメチルシク
ロヘキシルアミン、モルホリン、N−メチルモルホリ
ン、ピペラジン、ピペリジンなどを挙げることができ
る。
【0017】そして、第1工程で得られた反応液をアミ
ン誘導体と接触させるのであるが、第1工程で得られた
反応液にはベンジルシアニド誘導体のみならず反応原料
や反応副生物が含まれており、本発明の方法において
は、これらとアミン誘導体とを接触させる。この接触の
際の温度としては、60〜150℃の範囲が好ましく、
さらに80〜110℃の範囲が好ましく用いられる。ま
た、その時間としては、1〜24時間、通常12〜20
時間で実施すればよい。さらに、使用されるアミン誘導
体の使用量としては、原料混合物や反応副生物として含
まれるベンザルブロミド誘導体の量に対して、2〜6当
量用いることが好ましい。尚、アミン誘導体と接触させ
る前に通常の後処理として、例えば、次亜塩素酸ナトリ
ウム等にて処理し、分液、洗浄等の処理を行なえばよ
く、通常実施される方法であればよい。
【0018】<第3工程>このようにして第2工程で得
られる反応物に通常用いられる後処理を行い、蒸留など
の分離方法を用いることにより高純度のベンジルシアニ
ド誘導体が得られる。
【0019】本発明の方法により得られるベンジルシア
ニド誘導体は、医薬、農薬などの種々の化合物を合成す
る際の中間体として有用である。
【0020】
【実施例】以下に、実施例により本発明を詳細に説明す
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
【0021】実施例1 出発原料である粗o−ブロモベンジルブロミドの組成
は、ガスクロマトグラフィーによる分析(GC面積%)
より、o−ブロモトルエン 7.08%、o−ブロモベ
ンジルブロミド 80.68%、o−ブロモベンザルブ
ロミド 10.65%を含むものであった。
【0022】<ニトリル化>上記の、粗o−ブロモベン
ジルブロミド(368.76g)とテトラブチルアンモ
ニウムブロミド(2g、0.006mol)を500m
lの反応器に仕込み、40℃に加熱した。青酸ソーダ
(61.26g、1.25mol)を水(206g)に
溶解し、6時間かけて反応器に滴下し、さらにその温度
で12時間熟成した。その後分液し、水(220g)を
加えて洗浄した。さらに、分液後、12%NaClO
(6.0g、0.0096mol)を水(220g)に
希釈して加え、分液後、水(220g)を加えて洗浄
し、分液した。得られた反応生成物をガスクロマトグラ
フィーにより分析(GC面積%)したところ、o−ブロ
モトルエン 6.87%、o−ブロモベンジルシアニド
78.63%、o−ブロモベンザルブロミド 10.
10%を含む混合物であった。
【0023】<アミン処理>上記のニトリル化処理を行
なった、粗o−ブロモベンジルシアニド(298.71
g)にN,N−ジメチルシクロヘキシルアミン(60
g、0.47mol)と水(60g)を加えて加熱し、
還流状態で24時間反応させた。その後、室温まで冷却
し、分液後、水(120g)で2回洗浄し、これを蒸留
することにより、o−ブロモベンジルシアニドを17
8.5g得た。収率は、出発原料であるo−ブロモベン
ジルブロミドに対して76.5%であり、純度はガスク
ロマトグラフィーによる分析で99.5%であった。
【0024】実施例2 アミン処理で用いられるアミン誘導体としてモルホリン
(40.95g、0.47mol)を使う以外は、実施
例1と同様の条件で実施した。得られたo−ブロモベン
ジルシアニドの収量は191.9g、出発原料であるo
−ブロモベンジルブロミドに対して82.3%、純度は
ガスクロマトグラフィーによる分析で99.5%であっ
た。
【0025】実施例3 アミン処理で用いられるアミン誘導体としてシクロヘキ
シルアミン(46.6g、0.47mol)を使う以外
は、実施例1と同様の条件で実施した。得られたo−ブ
ロモベンジルシアニドの収量は187.6g、出発原料
であるo−ブロモベンジルブロミドに対して80.4
%、純度はガスクロマトグラフィーによる分析で99.
5%であった。
【0026】以上の実施例から、原料に含まれるo−ブ
ロモトルエン、o−ブロモベンザルブロミドはニトリル
化反応においては殆ど反応することがなく、o−ブロモ
ベンジルブロミドがほぼ完全にo−ブロモベンジルシア
ニドに変換していることが分かる。そして、その後のア
ミン処理により、高純度のo−ブロモベンジルシアニド
を得られることが分かる。
【0027】
【発明の効果】本発明の高純度ベンジルシアニド誘導体
の製造方法によれば、ベンザルブロミド誘導体を腐食性
のない、分離精製が容易な化合物に変換できることか
ら、蒸留などの精製工程が極めて容易となり、目的物で
あるベンジルシアニド誘導体が高収率、高純度で得ら
れ、工業上極めて有用である。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】以下の工程を含むベンジルシアニド誘導体
    の製造方法において、 1)ベンジルブロミド誘導体及びベンザルブロミド誘導
    体を含む混合物に、一般式MCN(式中、Mはアルカリ
    金属を表わす。)で表されるシアン化物を加えてベンジ
    ルシアニド誘導体を含む反応液を得る第1工程、 2)第1工程で得られた反応液をアミン誘導体と接触さ
    せる第2工程、 3)第2工程で得られた反応液から高純度のベンジルシ
    アニド誘導体を分離する第3工程、の3工程を経ること
    を特徴とする高純度ベンジルシアニド誘導体の製造方
    法。
  2. 【請求項2】請求項1に記載の第1工程の後に、未反応
    のシアン化物を除去することを特徴とする高純度ベンジ
    ルシアニド誘導体の製造方法。
  3. 【請求項3】ベンジルブロミド誘導体が、一般式(1)
    (式中、nは1〜5の整数であり、Rはアルキル基、ア
    ルケニル基又はハロゲンを表わす。)であることを特徴
    とする請求項1又は請求項2に記載の高純度ベンジルシ
    アニド誘導体の製造方法。 【化1】
  4. 【請求項4】ベンザルブロミド誘導体が、一般式(2)
    (式中、nは1〜5の整数であり、Rはアルキル基、ア
    ルケニル基又はハロゲンを表わす。)であることを特徴
    とする請求項1〜3のいずれかに記載の高純度ベンジル
    シアニド誘導体の製造方法。 【化2】
  5. 【請求項5】アミン誘導体が、一般式(3)(式中、R
    1は水素又はアルキル基であり、R2は水素、アルキル
    基又はアルケニル基であり、R3はアルキル基、アルケ
    ニル基又はシクロアルキル基を表わす。)及び/又は一
    般式(4)(式中、R1は水素又はアルキル基であり、
    R4はアルキレン基であり、R5はアルキレン基であ
    り、Aはメチレン、NH又はOを表わす。)であること
    を特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の高純度ベ
    ンジルシアニド誘導体の製造方法。 【化3】 【化4】
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