JP2001154049A - 光配線層の製造方法並びに光・電気配線基板の製造方法 - Google Patents
光配線層の製造方法並びに光・電気配線基板の製造方法Info
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- JP2001154049A JP2001154049A JP33287099A JP33287099A JP2001154049A JP 2001154049 A JP2001154049 A JP 2001154049A JP 33287099 A JP33287099 A JP 33287099A JP 33287099 A JP33287099 A JP 33287099A JP 2001154049 A JP2001154049 A JP 2001154049A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】光配線層にかかる応力を緩和し、光配線層のそ
りやまるまりを抑えることを第１の課題とし、ドライエ
ッチングや、ダイシングソー、電子線露光などをなるべ
く用いずに導波路パターンや、ミラーや回折格子といっ
た光学素子を形成することを第２の課題とする。 【解決手段】コアとクラッドを有する光配線層の製造方
法であって、好ましくはコアの型または光学素子の型が
形成された第１支持体１上に少なくともコア３と第１ク
ラッド４を形成する工程と、第２支持体５にコアと第１
クラッドを転写する工程と、前記コア上に第２クラッド
７を形成する工程と、第２支持体より光配線層を剥離す
る工程と、を含む。
りやまるまりを抑えることを第１の課題とし、ドライエ
ッチングや、ダイシングソー、電子線露光などをなるべ
く用いずに導波路パターンや、ミラーや回折格子といっ
た光学素子を形成することを第２の課題とする。 【解決手段】コアとクラッドを有する光配線層の製造方
法であって、好ましくはコアの型または光学素子の型が
形成された第１支持体１上に少なくともコア３と第１ク
ラッド４を形成する工程と、第２支持体５にコアと第１
クラッドを転写する工程と、前記コア上に第２クラッド
７を形成する工程と、第２支持体より光配線層を剥離す
る工程と、を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光配線と電気配線
とが積層されている光・電気配線基板の製造方法に関す
る。
とが積層されている光・電気配線基板の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】より速く演算処理が行えるコンピュータ
を作るために、ＣＰＵのクロック周波数は益々増大する
傾向にあり、現在では１ＧＨｚオーダーのものが出現す
るに至っている。この結果、コンピュータの中のプリン
ト基板上の銅による電気配線には高周波電流が流れる部
分が存在することになるので、ノイズの発生により誤動
作が生じたり、また電磁波が発生して周囲に悪影響を与
えることにもなる。
を作るために、ＣＰＵのクロック周波数は益々増大する
傾向にあり、現在では１ＧＨｚオーダーのものが出現す
るに至っている。この結果、コンピュータの中のプリン
ト基板上の銅による電気配線には高周波電流が流れる部
分が存在することになるので、ノイズの発生により誤動
作が生じたり、また電磁波が発生して周囲に悪影響を与
えることにもなる。
【０００３】このような問題を解決するために、プリン
ト基板上の銅による電気配線の一部を光ファイバー又は
光導波路による光配線に置き換え、電気信号の代わりに
光信号を利用することが行われている。なぜなら、光信
号の場合は、ノイズ及び電磁波の発生を抑えられるから
である。
ト基板上の銅による電気配線の一部を光ファイバー又は
光導波路による光配線に置き換え、電気信号の代わりに
光信号を利用することが行われている。なぜなら、光信
号の場合は、ノイズ及び電磁波の発生を抑えられるから
である。
【０００４】高密度実装又は小型化の観点からは、電気
配線と光配線とが同一の基板上で積み重なっている光・
電気配線基板を作ることが望ましい。たとえば、特開平
３−２９９０５号公報にて述べられているように、電気
配線基板上に光ファイバを絶縁膜にて固定させた基板が
提案されている。しかし、光配線として光ファイバを用
いる場合、その屈曲性の限界から、複雑な形状の光配線
には対応しきれず、設計の自由度が低くなってしまい、
高密度配線あるいは基板の小型化に対応できないという
問題がある。
配線と光配線とが同一の基板上で積み重なっている光・
電気配線基板を作ることが望ましい。たとえば、特開平
３−２９９０５号公報にて述べられているように、電気
配線基板上に光ファイバを絶縁膜にて固定させた基板が
提案されている。しかし、光配線として光ファイバを用
いる場合、その屈曲性の限界から、複雑な形状の光配線
には対応しきれず、設計の自由度が低くなってしまい、
高密度配線あるいは基板の小型化に対応できないという
問題がある。
【０００５】このため、電気配線基板の上に、光配線と
して、いわゆる、光導波路を用いた光・電気配線基板の
構成がいくつか提案されている。光導波路の構成は光信
号が伝搬するコア層が、光信号をコア層に閉じこめるク
ラッド層に埋設されている。コアパターンの形成方法
は、フォトリソグラフィ技術により、メタルマスクを形
成し、ドライエッチングで作製するか、コア材料に感光
性が付与されている場合は、露光、現像処理にて作製で
きる。このため、フォトマスクのパターンを基に光配線
を形成できるため、その設計の自由度は高くなる。ま
た、比較的短距離の伝送にも対応が可能となる。
して、いわゆる、光導波路を用いた光・電気配線基板の
構成がいくつか提案されている。光導波路の構成は光信
号が伝搬するコア層が、光信号をコア層に閉じこめるク
ラッド層に埋設されている。コアパターンの形成方法
は、フォトリソグラフィ技術により、メタルマスクを形
成し、ドライエッチングで作製するか、コア材料に感光
性が付与されている場合は、露光、現像処理にて作製で
きる。このため、フォトマスクのパターンを基に光配線
を形成できるため、その設計の自由度は高くなる。ま
た、比較的短距離の伝送にも対応が可能となる。
【０００６】しかし、電気配線基板上に光配線層として
光導波路を形成する際、光配線層の下地としての電気配
線基板表面は、電気配線が多層化されていることで、非
常に大きな凹凸が形成されている。このため、その表面
直に光導波路を形成すると、その凹凸のために光信号の
伝搬損失が大きくなるという問題点が発生する。
光導波路を形成する際、光配線層の下地としての電気配
線基板表面は、電気配線が多層化されていることで、非
常に大きな凹凸が形成されている。このため、その表面
直に光導波路を形成すると、その凹凸のために光信号の
伝搬損失が大きくなるという問題点が発生する。
【０００７】この問題点を解決するため、光配線層をフ
ィルム形状にして、電気配線基板に接着剤にて貼り合わ
せることが提案されている。光配線フィルムをラミネー
タ等で貼り合わせることにより、下地の凹凸による光配
線のうねりの曲率を可能な限り大きくすることにより損
失を抑えることが狙いである。しかし、このフィルム化
の際、フィルムにかかる応力の影響でフィルムがそる、
もしくは丸まるという問題があった。
ィルム形状にして、電気配線基板に接着剤にて貼り合わ
せることが提案されている。光配線フィルムをラミネー
タ等で貼り合わせることにより、下地の凹凸による光配
線のうねりの曲率を可能な限り大きくすることにより損
失を抑えることが狙いである。しかし、このフィルム化
の際、フィルムにかかる応力の影響でフィルムがそる、
もしくは丸まるという問題があった。
【０００８】また、このようにして作られた導波路フィ
ルム内にドライエッチングやダイシングソー、電子線露
光を用いて、ミラーや回折格子といった光学素子を形成
するという提案がなされている。しかし、ドライエッチ
ングは真空引き等も含めて時間と手間がかかる方法であ
り、量産に向かない。一方、ダイシングソーを用いる場
合、細かい部分への加工には向かない上に、やはり量産
には向いていない。電子線露光も量産には適さない。
ルム内にドライエッチングやダイシングソー、電子線露
光を用いて、ミラーや回折格子といった光学素子を形成
するという提案がなされている。しかし、ドライエッチ
ングは真空引き等も含めて時間と手間がかかる方法であ
り、量産に向かない。一方、ダイシングソーを用いる場
合、細かい部分への加工には向かない上に、やはり量産
には向いていない。電子線露光も量産には適さない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は係る従来技術
の欠点に鑑みなされたもので、光配線層にかかる応力を
緩和し、光配線層のそりやまるまりを抑えることを課題
とする。
の欠点に鑑みなされたもので、光配線層にかかる応力を
緩和し、光配線層のそりやまるまりを抑えることを課題
とする。
【００１０】また、ドライエッチングや、ダイシングソ
ー、電子線露光などをなるべく用いずに導波路パターン
や、ミラーや回折格子といった光学素子を形成すること
を課題とする。
ー、電子線露光などをなるべく用いずに導波路パターン
や、ミラーや回折格子といった光学素子を形成すること
を課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明において上記の課
題を達成するために、請求項１記載の発明は、コアとク
ラッドを有する光配線層の製造方法であって、第１支持
体上に少なくともコアと第１クラッドを形成する工程
と、第２支持体にコアと第１クラッドを転写する工程
と、前記コア上に第２クラッドを形成する工程と、第２
支持体より光配線層を剥離する工程と、を含むことを特
徴とする光配線層の製造方法である。請求項２記載の発
明は、上記第１支持体にコアの型が形成されていること
を特徴とする請求項１記載の光配線層の製造方法であ
る。請求項３記載の発明は、上記コアの型が異方性エッ
チングにより形成されていることを特徴とする請求項２
記載の光配線層の製造方法である。請求項４記載の発明
は、第１支持体上に光学素子の型が形成されていること
を特徴とする請求項１記載の光配線層の製造方法であ
る。請求項５記載の発明は、上記光学素子がミラーであ
ることを特徴とする請求項４記載の光配線層の製造方法
である。請求項６記載の発明は、上記光学素子が回折格
子であることを特徴とする請求項４記載の光配線層の製
造方法である。請求項７記載の発明は、光配線と電気配
線を有する光・電気配線基板の製造方法であって、請求
項１〜６に記載の光配線層を電気配線を有する基板に接
着させることを特徴とする光・電気配線基板の製造方法
である。請求項８記載の発明は、光配線層を電気配線を
有する基板に接着させた後、第２支持体より光配線層を
剥離する工程を行うことを特徴とする請求項７記載の光
・電気配線基板の製造方法である。請求項９記載の発明
は、光配線層と電気配線基板を接着させた後、ビアホー
ルによって基板の電気配線と電気接続しているパッドを
作ることを特徴とする請求項７〜８に記載の光・電気配
線基板の製造方法である。
題を達成するために、請求項１記載の発明は、コアとク
ラッドを有する光配線層の製造方法であって、第１支持
体上に少なくともコアと第１クラッドを形成する工程
と、第２支持体にコアと第１クラッドを転写する工程
と、前記コア上に第２クラッドを形成する工程と、第２
支持体より光配線層を剥離する工程と、を含むことを特
徴とする光配線層の製造方法である。請求項２記載の発
明は、上記第１支持体にコアの型が形成されていること
を特徴とする請求項１記載の光配線層の製造方法であ
る。請求項３記載の発明は、上記コアの型が異方性エッ
チングにより形成されていることを特徴とする請求項２
記載の光配線層の製造方法である。請求項４記載の発明
は、第１支持体上に光学素子の型が形成されていること
を特徴とする請求項１記載の光配線層の製造方法であ
る。請求項５記載の発明は、上記光学素子がミラーであ
ることを特徴とする請求項４記載の光配線層の製造方法
である。請求項６記載の発明は、上記光学素子が回折格
子であることを特徴とする請求項４記載の光配線層の製
造方法である。請求項７記載の発明は、光配線と電気配
線を有する光・電気配線基板の製造方法であって、請求
項１〜６に記載の光配線層を電気配線を有する基板に接
着させることを特徴とする光・電気配線基板の製造方法
である。請求項８記載の発明は、光配線層を電気配線を
有する基板に接着させた後、第２支持体より光配線層を
剥離する工程を行うことを特徴とする請求項７記載の光
・電気配線基板の製造方法である。請求項９記載の発明
は、光配線層と電気配線基板を接着させた後、ビアホー
ルによって基板の電気配線と電気接続しているパッドを
作ることを特徴とする請求項７〜８に記載の光・電気配
線基板の製造方法である。
【００１２】
【発明の実施の形態】［第１の形態：光配線層］本発明
の請求項１記載の光配線層の製造方法の実施形態につい
て、図１を用いて説明する。
の請求項１記載の光配線層の製造方法の実施形態につい
て、図１を用いて説明する。
【００１３】光配線層の製造方法を図１に示す。第１支
持体１（例えばシリコンウエハ）上に第１剥離層２（例
えばＡｌの薄膜層）を形成した（工程（ａ））。その上
に、コア層３として有機光学層を形成する（工程
（ｂ））。例えば、ポリイミドＯＰＩ−Ｎ３４０５（日
立化成工業（株）製）をスピンコートし、３５０℃にて
イミド化させることによって可能である。このときの膜
厚は５〜２００μm 程度が望ましい。
持体１（例えばシリコンウエハ）上に第１剥離層２（例
えばＡｌの薄膜層）を形成した（工程（ａ））。その上
に、コア層３として有機光学層を形成する（工程
（ｂ））。例えば、ポリイミドＯＰＩ−Ｎ３４０５（日
立化成工業（株）製）をスピンコートし、３５０℃にて
イミド化させることによって可能である。このときの膜
厚は５〜２００μm 程度が望ましい。
【００１４】この第１支持体はシリコンウエハに限定す
るものではなく、表面が平滑であり、適度の耐熱性があ
り、堅牢な材料であれば良い。また、剥離性があれば、
剥離層は不要である。
るものではなく、表面が平滑であり、適度の耐熱性があ
り、堅牢な材料であれば良い。また、剥離性があれば、
剥離層は不要である。
【００１５】工程（ｃ）のように、第１クラッド層４と
して、コア層３より屈折率の小さい有機光学層を形成す
る。例えば、ポリイミドＯＰＩ−Ｎ３３０５（日立化成
工業（株）製）をスピンコートし、３５０℃にてイミド
化させることによって可能である。このときの膜厚は１
０〜５００μm 程度が望ましい。
して、コア層３より屈折率の小さい有機光学層を形成す
る。例えば、ポリイミドＯＰＩ−Ｎ３３０５（日立化成
工業（株）製）をスピンコートし、３５０℃にてイミド
化させることによって可能である。このときの膜厚は１
０〜５００μm 程度が望ましい。
【００１６】さらに必要に応じて第２剥離層６（例えば
Ｎｉの薄膜層）を形成した後、耐熱性の接着剤を用い
て、第２支持体５を貼り合わせる（工程（ｄ））。
Ｎｉの薄膜層）を形成した後、耐熱性の接着剤を用い
て、第２支持体５を貼り合わせる（工程（ｄ））。
【００１７】剥離材あるいは加熱等の方法によって、第
１剥離層２を除去あるいは変性させ、第１支持体を剥
離、第２支持体にコアと第１クラッドを転写する（工程
（ｅ））。このとき、第２剥離層６が剥離されないよう
な剥離剤あるいは処理条件を用いる。
１剥離層２を除去あるいは変性させ、第１支持体を剥
離、第２支持体にコアと第１クラッドを転写する（工程
（ｅ））。このとき、第２剥離層６が剥離されないよう
な剥離剤あるいは処理条件を用いる。
【００１８】次に、コアをパターニングして光配線を形
成する。例えば、コア層表面にＡｌを蒸着し、フォトレ
ジストの所定のパターンを形成し、エッチング処理を行
い、Ａｌのメタルマスクを形成する。さらに、酸素ガス
を用い、反応性イオンエッチングにてコア層をエッチン
グし、Ａｌ膜をエッチング除去して、光配線を形成する
（工程（ｆ））。このとき、光配線と同時に、電気配線
基板との貼り合わせ精度を高めるためのアライメントマ
ーク（図示せず）を形成することもできる。
成する。例えば、コア層表面にＡｌを蒸着し、フォトレ
ジストの所定のパターンを形成し、エッチング処理を行
い、Ａｌのメタルマスクを形成する。さらに、酸素ガス
を用い、反応性イオンエッチングにてコア層をエッチン
グし、Ａｌ膜をエッチング除去して、光配線を形成する
（工程（ｆ））。このとき、光配線と同時に、電気配線
基板との貼り合わせ精度を高めるためのアライメントマ
ーク（図示せず）を形成することもできる。
【００１９】その上から第２クラッド層７としてコア層
より屈折率の小さい有機光学層を形成する（工程
（ｇ））。例えば、ＯＰＩ−Ｎ３３０５をコーティング
し、イミド化させることによって可能である。このとき
のクラッド層の膜厚は、コア層上の光配線上で１０〜５
００μｍ程度が望ましい。
より屈折率の小さい有機光学層を形成する（工程
（ｇ））。例えば、ＯＰＩ−Ｎ３３０５をコーティング
し、イミド化させることによって可能である。このとき
のクラッド層の膜厚は、コア層上の光配線上で１０〜５
００μｍ程度が望ましい。
【００２０】剥離剤あるいは加熱等の方法によって、第
２剥離層６を除去あるいは変性させ、フィルム状の光配
線層８を剥離する（工程（ｈ））。
２剥離層６を除去あるいは変性させ、フィルム状の光配
線層８を剥離する（工程（ｈ））。
【００２１】［第２の形態：コアパターンとミラーを型
で形成］本発明の請求項２〜５記載の光配線層の製造方
法の実施形態について、図２、図３を用いて説明する。
例えば第１支持体９としてシリコンウエハの（００１）
面上に熱酸化によって酸化膜をつけ、それをパターニン
グしてマスクとし、ＫＯＨによる異方性エッチングで、
シリコンウエハ上に光導波路パターンの凹版に相当する
パターン１０を作りこむ（工程（ａ））。このとき、パ
ターン両端の傾いた面をミラーの型１１とすることがで
きる。
で形成］本発明の請求項２〜５記載の光配線層の製造方
法の実施形態について、図２、図３を用いて説明する。
例えば第１支持体９としてシリコンウエハの（００１）
面上に熱酸化によって酸化膜をつけ、それをパターニン
グしてマスクとし、ＫＯＨによる異方性エッチングで、
シリコンウエハ上に光導波路パターンの凹版に相当する
パターン１０を作りこむ（工程（ａ））。このとき、パ
ターン両端の傾いた面をミラーの型１１とすることがで
きる。
【００２２】この場合、第１支持体９はシリコンウエハ
に限らないが、異方性エッチングが可能な単結晶基板で
ある必要がある。また他の面方位、他の方向を用いるこ
とも可能である。
に限らないが、異方性エッチングが可能な単結晶基板で
ある必要がある。また他の面方位、他の方向を用いるこ
とも可能である。
【００２３】第１支持体９にパターンを作りこむ方法と
しては、反応性イオンエッチングによる異方性エッチン
グを用いることもできる。また、機械加工を用いること
もできる。これらの場合、第１支持体９は単結晶に限定
される必要はなく、金属やガラス等も使用できる。
しては、反応性イオンエッチングによる異方性エッチン
グを用いることもできる。また、機械加工を用いること
もできる。これらの場合、第１支持体９は単結晶に限定
される必要はなく、金属やガラス等も使用できる。
【００２４】このパターニングされた第１支持体９上に
第１剥離層１２（例えばＡｌの薄膜層）を形成した（工
程（ｂ））。その上に、コア層１３として有機光学層を
形成する（工程（ｃ））。例えば、ポリイミドＯＰＩ−
Ｎ３４０５（日立化成工業（株）製）をスピンコート
し、３５０℃にてイミド化させることによって可能であ
る。
第１剥離層１２（例えばＡｌの薄膜層）を形成した（工
程（ｂ））。その上に、コア層１３として有機光学層を
形成する（工程（ｃ））。例えば、ポリイミドＯＰＩ−
Ｎ３４０５（日立化成工業（株）製）をスピンコート
し、３５０℃にてイミド化させることによって可能であ
る。
【００２５】パターンよりはみ出した部分は除去してお
くことが好ましい（工程（ｄ））。その方法としてはア
ッシングや研磨等が使用できる。
くことが好ましい（工程（ｄ））。その方法としてはア
ッシングや研磨等が使用できる。
【００２６】工程（ｅ）のように、第１クラッド層１４
として、コア層より屈折率の小さい有機光学層を形成す
る。例えば、ポリイミドＯＰＩ−Ｎ３３０５（日立化成
工業（株）製）をスピンコートし、３５０℃にてイミド
化させることによって可能である。このときの膜厚は１
０〜５００μm 程度が望ましい。
として、コア層より屈折率の小さい有機光学層を形成す
る。例えば、ポリイミドＯＰＩ−Ｎ３３０５（日立化成
工業（株）製）をスピンコートし、３５０℃にてイミド
化させることによって可能である。このときの膜厚は１
０〜５００μm 程度が望ましい。
【００２７】さらに第２剥離層１６（例えばＮｉ薄膜
層）を形成した後、耐熱性の接着剤を用いて、第２支持
体１５を貼り合わせる（工程（ｆ））。
層）を形成した後、耐熱性の接着剤を用いて、第２支持
体１５を貼り合わせる（工程（ｆ））。
【００２８】剥離剤あるいは加熱等の方法によって、第
１剥離層１２を除去あるいは変性させ、第１支持体を剥
離し、第２支持体にコアと第１クラッドを転写する（工
程（ｇ））。
１剥離層１２を除去あるいは変性させ、第１支持体を剥
離し、第２支持体にコアと第１クラッドを転写する（工
程（ｇ））。
【００２９】この後、工程（ｈ）の様に、スパッタ等に
より、ミラーに相当する部分に金属薄膜１７をつけても
よい。
より、ミラーに相当する部分に金属薄膜１７をつけても
よい。
【００３０】その上からクラッド層１８として、コア層
より屈折率の小さい有機光学層を形成する（工程
（ｉ））。例えばＯＰＩ−Ｎ３３０５をコーティング
し、イミド化させることによって可能である。このとき
のクラッド層の膜厚は、コア層光配線上で１０〜５００
μm 程度が望ましい。
より屈折率の小さい有機光学層を形成する（工程
（ｉ））。例えばＯＰＩ−Ｎ３３０５をコーティング
し、イミド化させることによって可能である。このとき
のクラッド層の膜厚は、コア層光配線上で１０〜５００
μm 程度が望ましい。
【００３１】剥離剤あるいは加熱等の方法によって、第
２剥離層１６を除去あるいは変性させ、フィルム状の光
配線層１９を剥離する（工程（ｊ））。
２剥離層１６を除去あるいは変性させ、フィルム状の光
配線層１９を剥離する（工程（ｊ））。
【００３２】［第３の形態：ミラーと回折格子を型で形
成］本発明の請求項４〜６記載の光配線層の製造方法の
実施形態について、図４、図５を用いて説明する。第１
支持体２０（例えばシリコンウエハ）上に切削加工や異
方性エッチング等によってミラーの型２１となる部分を
作製する。さらに、２光線法や電子線露光等によって回
折格子の型２２となるレジストパターンを形成する（工
程（ａ））。
成］本発明の請求項４〜６記載の光配線層の製造方法の
実施形態について、図４、図５を用いて説明する。第１
支持体２０（例えばシリコンウエハ）上に切削加工や異
方性エッチング等によってミラーの型２１となる部分を
作製する。さらに、２光線法や電子線露光等によって回
折格子の型２２となるレジストパターンを形成する（工
程（ａ））。
【００３３】このパターニングされた第１支持体２０上
に第１剥離層２３（例えばＡｌの薄膜層）を形成した
（工程（ｂ））。その上に、コア層２４として有機光学
層を形成する（工程（ｃ））。例えば、ポリイミドＯＰ
Ｉ−Ｎ３４０５（日立化成工業（株）製）をスピンコー
トし、３５０℃にてイミド化させることによって可能で
ある。
に第１剥離層２３（例えばＡｌの薄膜層）を形成した
（工程（ｂ））。その上に、コア層２４として有機光学
層を形成する（工程（ｃ））。例えば、ポリイミドＯＰ
Ｉ−Ｎ３４０５（日立化成工業（株）製）をスピンコー
トし、３５０℃にてイミド化させることによって可能で
ある。
【００３４】フォトリソグラフィおよびＲＩＥによって
コアの面内パターニングを行う（工程（ｄ））。
コアの面内パターニングを行う（工程（ｄ））。
【００３５】工程（ｅ）のように、第１クラッド層２５
としてコア層２４より屈折率の小さい有機光学層を形成
する。例えば、ポリイミドＯＰＩ−Ｎ３３０５（日立化
成工業（株）製）をスピンコートし、３５０℃にてイミ
ド化さることによって可能である。このときの膜厚は１
０〜５００μm 程度が望ましい。
としてコア層２４より屈折率の小さい有機光学層を形成
する。例えば、ポリイミドＯＰＩ−Ｎ３３０５（日立化
成工業（株）製）をスピンコートし、３５０℃にてイミ
ド化さることによって可能である。このときの膜厚は１
０〜５００μm 程度が望ましい。
【００３６】さらに第２剥離層２６（例えばＮｉ薄膜
層）を形成した後、耐熱性の接着剤を用いて、第２支持
体２７を貼り合わせる（工程（ｆ））。
層）を形成した後、耐熱性の接着剤を用いて、第２支持
体２７を貼り合わせる（工程（ｆ））。
【００３７】剥離剤あるいは加熱等の方法によって、第
１剥離層２３を除去あるいは変性させ、第１支持体を剥
離し、第２支持体にコアとクラッドを転写する（工程
（ｇ））。
１剥離層２３を除去あるいは変性させ、第１支持体を剥
離し、第２支持体にコアとクラッドを転写する（工程
（ｇ））。
【００３８】この後、工程（ｈ）の様に、スパッタ等に
より、ミラーに相当する部分に金属薄膜２８をつけても
よい。
より、ミラーに相当する部分に金属薄膜２８をつけても
よい。
【００３９】その上から第２クラッド層２９として、コ
ア層より屈折率の小さい有機光学層を形成する（工程
（ｉ））。例えば、ＯＰＩ−Ｎ３３０５をコーティング
し、イミド化させることによって可能である。このとき
のクラッド層の膜厚は、コア層光配線上で１０〜５００
μｍ程度が望ましい。
ア層より屈折率の小さい有機光学層を形成する（工程
（ｉ））。例えば、ＯＰＩ−Ｎ３３０５をコーティング
し、イミド化させることによって可能である。このとき
のクラッド層の膜厚は、コア層光配線上で１０〜５００
μｍ程度が望ましい。
【００４０】剥離剤あるいは加熱等の方法によって、第
２剥離層２５をを除去あるいは変性させ、フィルム状の
光配線層３０を剥離する（工程（ｊ））。
２剥離層２５をを除去あるいは変性させ、フィルム状の
光配線層３０を剥離する（工程（ｊ））。
【００４１】［第４の形態：フィルム仮貼り後転写］次
に本発明の請求項５記載の光配線層を電気配線を有する
基板に接着させる方法の実施形態について、図６を用い
て説明する。第３支持体３１（例えばガラス基板）に第
１の接着剤３２をコートし、光配線層３３をラミネータ
ー等で貼り合わせる。第３支持体３１と光配線層３３の
位置合わせは不要であり、ラミネータにより光配線層表
面は非常に平滑となる。接着剤の種類により、加熱処理
または紫外線照射処理を行う（工程（ａ））。
に本発明の請求項５記載の光配線層を電気配線を有する
基板に接着させる方法の実施形態について、図６を用い
て説明する。第３支持体３１（例えばガラス基板）に第
１の接着剤３２をコートし、光配線層３３をラミネータ
ー等で貼り合わせる。第３支持体３１と光配線層３３の
位置合わせは不要であり、ラミネータにより光配線層表
面は非常に平滑となる。接着剤の種類により、加熱処理
または紫外線照射処理を行う（工程（ａ））。
【００４２】電気配線基板３４として、ポリイミド多層
配線基板を用いた。その最表面には電気配線３５が形成
されており、その膜厚段差１８μm の凹凸が形成されて
いる。電気配線層はポリイミド多層配線基板に限らず、
単層の絶縁基板でも、電気配線と絶縁層が交互に積層さ
れた多層配線基板でも良い。また、構成材料として、ガ
ラス布に樹脂を含浸させた絶縁基板でも、ポリイミドフ
ィルムでも、セラミック基板でも良い。
配線基板を用いた。その最表面には電気配線３５が形成
されており、その膜厚段差１８μm の凹凸が形成されて
いる。電気配線層はポリイミド多層配線基板に限らず、
単層の絶縁基板でも、電気配線と絶縁層が交互に積層さ
れた多層配線基板でも良い。また、構成材料として、ガ
ラス布に樹脂を含浸させた絶縁基板でも、ポリイミドフ
ィルムでも、セラミック基板でも良い。
【００４３】この電気配線基板上に、第２の接着剤３６
として熱可塑性を示す変性ポリイミド樹脂を、電気配線
上に約２０μm 形成できるように、塗布、乾燥を行っ
た。
として熱可塑性を示す変性ポリイミド樹脂を、電気配線
上に約２０μm 形成できるように、塗布、乾燥を行っ
た。
【００４４】第２の接着剤としては、熱可塑性接着剤が
良い。たとえば、エチレン−アクリル酸エステル共重合
体、スチレン−ポリ（メタ）アクリル酸エステル、ブチ
ラール樹脂、ポリアミド系樹脂、変性ポリイミド樹脂等
があげられる。こられの中で、光・電気配線基板上のハ
ンダ耐熱性を考慮すると、好ましくは、貼り合わせ温度
が２５０℃から３００℃のものが良く、変性ポリイミド
樹脂が最適である。
良い。たとえば、エチレン−アクリル酸エステル共重合
体、スチレン−ポリ（メタ）アクリル酸エステル、ブチ
ラール樹脂、ポリアミド系樹脂、変性ポリイミド樹脂等
があげられる。こられの中で、光・電気配線基板上のハ
ンダ耐熱性を考慮すると、好ましくは、貼り合わせ温度
が２５０℃から３００℃のものが良く、変性ポリイミド
樹脂が最適である。
【００４５】最後に光配線層を、第３支持体から、第１
の接着剤ごと剥離する必要があるため、第１の接着剤と
第２の接着剤の光配線層に対する接着強度は第２の接着
剤のほうが大きくなるように設計する必要がある。
の接着剤ごと剥離する必要があるため、第１の接着剤と
第２の接着剤の光配線層に対する接着強度は第２の接着
剤のほうが大きくなるように設計する必要がある。
【００４６】工程（ｂ）の際、第２の接着剤３６をコー
ティングした電気配線基板上に設けたアライメントマー
ク（図示せず）と、第３支持体であるガラス基板に貼り
合わせた光配線層に設けたアライメントマークを、ガラ
ス基板越しに合わせ、双方の位置を決めた。
ティングした電気配線基板上に設けたアライメントマー
ク（図示せず）と、第３支持体であるガラス基板に貼り
合わせた光配線層に設けたアライメントマークを、ガラ
ス基板越しに合わせ、双方の位置を決めた。
【００４７】ガラス基板並びに光配線層は可視光に対し
透過性が高く、また、第１の接着剤の厚さも充分に薄い
ため、第３支持体裏面から、光配線層のアライメントマ
ークと電気配線基板のアライメントマークを見ることが
可能である。
透過性が高く、また、第１の接着剤の厚さも充分に薄い
ため、第３支持体裏面から、光配線層のアライメントマ
ークと電気配線基板のアライメントマークを見ることが
可能である。
【００４８】次に、第２支持体上から加圧しながら、２
５０℃、１時間加熱処理を行った（工程（ｃ））。必要
に応じて、雰囲気を減圧して接着を行うこともできる。
５０℃、１時間加熱処理を行った（工程（ｃ））。必要
に応じて、雰囲気を減圧して接着を行うこともできる。
【００４９】工程（ｄ）のように、第３支持体３１を第
１の接着剤ごと剥離して、電気配線基板と光配線層の転
写、貼り合わせが完了した。このとき、光配線層は、下
地の電気配線基板の凹凸の影響を受けず、第３の支持体
の平滑性を維持しながら接着固定された。
１の接着剤ごと剥離して、電気配線基板と光配線層の転
写、貼り合わせが完了した。このとき、光配線層は、下
地の電気配線基板の凹凸の影響を受けず、第３の支持体
の平滑性を維持しながら接着固定された。
【００５０】［第５の形態：貼り合わせ後剥離］配線を
有する基板に接着させる方法の実施形態について、図７
を用いて説明する。電気配線基板３７として、ポリイミ
ド多層配線基板を用いた。その最表面には電気配線３８
が形成されており、その膜厚段差１８μm の凹凸が形成
されている。電気配線層はポリイミド多層配線基板に限
らず、単層の絶縁基板でも、電気配線と絶縁層が交互に
積層された多層配線基板でも良い。また、構成材料とし
て、ガラス布に樹脂を含浸させた絶縁基板でも、ポリイ
ミドフィルムでも、セラミック基板でも良い。
有する基板に接着させる方法の実施形態について、図７
を用いて説明する。電気配線基板３７として、ポリイミ
ド多層配線基板を用いた。その最表面には電気配線３８
が形成されており、その膜厚段差１８μm の凹凸が形成
されている。電気配線層はポリイミド多層配線基板に限
らず、単層の絶縁基板でも、電気配線と絶縁層が交互に
積層された多層配線基板でも良い。また、構成材料とし
て、ガラス布に樹脂を含浸させた絶縁基板でも、ポリイ
ミドフィルムでも、セラミック基板でも良い。
【００５１】この電気配線基板上に、接着剤３９として
熱可塑性を示す変性ポリイミド樹脂を、電気配線上に約
２０μm 形成できるように、塗布、乾燥を行った。
熱可塑性を示す変性ポリイミド樹脂を、電気配線上に約
２０μm 形成できるように、塗布、乾燥を行った。
【００５２】接着剤としては、熱可塑性接着剤が良い。
たとえば、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ス
チレン−ポリ（メタ）アクリル酸エステル、ブチラール
樹脂、ポリアミド系樹脂、変性ポリイミド樹脂等があげ
られる。こられの中で、光・電気配線基板上のハンダ耐
熱性を考慮すると、好ましくは、貼り合わせ温度が２５
０℃から３００℃のものが良く、変性ポリイミド樹脂が
最適である。
たとえば、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ス
チレン−ポリ（メタ）アクリル酸エステル、ブチラール
樹脂、ポリアミド系樹脂、変性ポリイミド樹脂等があげ
られる。こられの中で、光・電気配線基板上のハンダ耐
熱性を考慮すると、好ましくは、貼り合わせ温度が２５
０℃から３００℃のものが良く、変性ポリイミド樹脂が
最適である。
【００５３】工程（ａ）の際、接着剤３９をコーティン
グした電気配線基板上に設けたアライメントマーク（図
示せず）と、第２の支持体４２に設けたアライメントマ
ークを合わせ、双方の位置を決めた。第２の支持体４２
には金属剥離層４１を介して光配線層４０がついてい
る。
グした電気配線基板上に設けたアライメントマーク（図
示せず）と、第２の支持体４２に設けたアライメントマ
ークを合わせ、双方の位置を決めた。第２の支持体４２
には金属剥離層４１を介して光配線層４０がついてい
る。
【００５４】次に、第２支持体上から加圧しながら、２
５０℃、１時間加熱処理を行った（工程（ｂ））。必要
に応じて、雰囲気を減圧して接着を行うこともできる。
５０℃、１時間加熱処理を行った（工程（ｂ））。必要
に応じて、雰囲気を減圧して接着を行うこともできる。
【００５５】工程（ｃ）のように、第２支持体を剥離層
を除去あるいは変性させることにより剥離して、電気配
線基板と光配線層の転写、貼り合わせが完了した。この
とき、光配線層は、下地の電気配線基板の凹凸の影響を
受けず、第２支持体の平滑性を維持しながら接着固定さ
れた。
を除去あるいは変性させることにより剥離して、電気配
線基板と光配線層の転写、貼り合わせが完了した。この
とき、光配線層は、下地の電気配線基板の凹凸の影響を
受けず、第２支持体の平滑性を維持しながら接着固定さ
れた。
【００５６】［第６の形態：ビアホール付き］次に本発
明の請求項７記載の電気配線基板に貼り合わされた光配
線層に、光部品や電気部品を搭載するためのパッドと、
電気配線基板との電気的導通を取るためのビアホールを
形成する工程を図８に示す。
明の請求項７記載の電気配線基板に貼り合わされた光配
線層に、光部品や電気部品を搭載するためのパッドと、
電気配線基板との電気的導通を取るためのビアホールを
形成する工程を図８に示す。
【００５７】工程（ａ）に示すように、レーザを用い
て、電気配線基板上のアライメントマーク（図示せず）
を基準に、ビアホール形成のための孔部４３を形成す
る。穿孔方法としては、炭酸ガスレーザやＵＶ−ＹＡＧ
レーザやエキシマレーザ、あるいは、反応性イオンエッ
チングなどのドライエッチングなどを用いることができ
る。この場合、下地の電気配線が穿孔のストッパの役割
を果たす。
て、電気配線基板上のアライメントマーク（図示せず）
を基準に、ビアホール形成のための孔部４３を形成す
る。穿孔方法としては、炭酸ガスレーザやＵＶ−ＹＡＧ
レーザやエキシマレーザ、あるいは、反応性イオンエッ
チングなどのドライエッチングなどを用いることができ
る。この場合、下地の電気配線が穿孔のストッパの役割
を果たす。
【００５８】次に、スパッタによりＣｒ、Ｃｕの順で金
属薄膜４４を形成する（工程（ｂ））。さらに、フォト
レジスト４５としてＰＭＥＲ（東京応化工業（株）製）
を１０μm 、スピンコータにて塗布し、９０℃で乾燥さ
せる。所定のパターンを有するフォトマスクを用い、電
気配線基板上に形成したアライメントマーク（図示せ
ず）を基準に露光、現像処理を行い、ビアホール形成の
ための開口部４６、並びに、パッド形成のための開口部
４７を作製した。さらに、１１０℃にてポストベークを
行った（工程（ｃ））。
属薄膜４４を形成する（工程（ｂ））。さらに、フォト
レジスト４５としてＰＭＥＲ（東京応化工業（株）製）
を１０μm 、スピンコータにて塗布し、９０℃で乾燥さ
せる。所定のパターンを有するフォトマスクを用い、電
気配線基板上に形成したアライメントマーク（図示せ
ず）を基準に露光、現像処理を行い、ビアホール形成の
ための開口部４６、並びに、パッド形成のための開口部
４７を作製した。さらに、１１０℃にてポストベークを
行った（工程（ｃ））。
【００５９】金属薄膜を陰極として、硫酸銅浴中でＣｕ
めっきを行った。めっきの膜厚は１０μm であった（工
程（ｄ））。
めっきを行った。めっきの膜厚は１０μm であった（工
程（ｄ））。
【００６０】最後に、フォトレジストを専用の剥離液に
て除去し（工程（ｅ））、エッチング液にて金属薄膜４
４を溶解除去し、ビアホール４８、パッド４９を作製し
た。これにより、本発明による光・電気配線基板が完成
した（工程（ｆ））。
て除去し（工程（ｅ））、エッチング液にて金属薄膜４
４を溶解除去し、ビアホール４８、パッド４９を作製し
た。これにより、本発明による光・電気配線基板が完成
した（工程（ｆ））。
【００６１】
【発明の効果】以上の説明から理解できるように、本発
明には、以下の効果がある。
明には、以下の効果がある。
【００６２】コアの上下両方からクラッドをつけている
ので、フィルム状の光配線層にかかる応力を緩和するこ
とができ、例えばポリイミドからなる光配線層が丸まる
のを防止することができる。
ので、フィルム状の光配線層にかかる応力を緩和するこ
とができ、例えばポリイミドからなる光配線層が丸まる
のを防止することができる。
【００６３】第２に、あらかじめ型が形成された第１支
持体を用いることによって、ドライエッチング等の手間
がかかる工程を省くことができる上、より精密な光学素
子を作ることができる。
持体を用いることによって、ドライエッチング等の手間
がかかる工程を省くことができる上、より精密な光学素
子を作ることができる。
【００６４】
【図１】本発明の光・電気配線基板の製造方法におい
て、光配線層を形成する工程を示す説明図。
て、光配線層を形成する工程を示す説明図。
【図２】本発明の光・電気配線基板の製造方法におい
て、光配線層を形成する工程を示す説明図。
て、光配線層を形成する工程を示す説明図。
【図３】本発明の光・電気配線基板の製造方法におい
て、光配線層を形成する工程を示す説明図。
て、光配線層を形成する工程を示す説明図。
【図４】本発明の光・電気配線基板の製造方法におい
て、光配線層を形成する工程を示す説明図。
て、光配線層を形成する工程を示す説明図。
【図５】本発明の光・電気配線基板の製造方法におい
て、光配線層を形成する工程を示す説明図。
て、光配線層を形成する工程を示す説明図。
【図６】本発明の光・電気配線基板の製造方法におい
て、光配線層フィルムと電気配線基板とを貼り合わせる
工程を示す説明図。
て、光配線層フィルムと電気配線基板とを貼り合わせる
工程を示す説明図。
【図７】本発明の光・電気配線基板の製造方法におい
て、光配線層フィルムと電気配線基板とを貼り合わせる
工程を示す説明図。
て、光配線層フィルムと電気配線基板とを貼り合わせる
工程を示す説明図。
【図８】本発明の光・電気配線基板の製造方法におい
て、パッド並びにビアホールを形成する工程を示す説明
図。
て、パッド並びにビアホールを形成する工程を示す説明
図。
１ 第１支持体 ２ 第１剥離層 ３ コア層 ４ 第１クラッド層 ５ 第２支持体 ６ 第２剥離層 ７ 第２クラッド層 ８ 光配線層フィルム ９ 第１支持体 １０ 光導波路パターンの凹版に相当するパターン １１ ミラーの型 １２ 第１剥離層 １３ コア層 １４ 第１クラッド層 １５ 第２支持体 １６ 第２剥離層 １７ 金属薄膜 １８ 第２クラッド層 １９ 光配線層フィルム ２０ 第１支持体 ２１ ミラーの型 ２２ 回折格子の型 ２３ 第１剥離層 ２４ コア層 ２５ 第１クラッド層 ２６ 第１剥離層 ２７ 第２支持体 ２８ 金属薄膜 ２９ 第２クラッド層 ３０ 光配線層フィルム ３１ 第３支持体 ３２ 第１の接着剤 ３３ 光配線層フィルム ３４ 電気配線基板 ３５ 電気配線 ３６ 第２の接着剤 ３７ 電気配線基板 ３８ 電気配線 ３９ 接着剤 ４０ 光配線層 ４１ 剥離層 ４２ 第２支持体 ４３ ビアホール形成のための孔 ４４ 金属薄膜 ４５ フォトレジスト ４６ ビアホール形成のためのフォトレジスト開口部 ４７ パッド形成のためのフォトレジスト開口部 ４８ ビアホール ４９ パッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 市川 浩二 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 (72)発明者 湊 孝夫 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 Ｆターム(参考） 2H047 LA01 LA09 PA02 PA21 PA24 PA28 PA30 QA05 TA00 TA44
Claims (9)
- 【請求項１】コアとクラッドを有する光配線層の製造方
法であって、 第１支持体上に少なくともコアと第１クラッドを形成す
る工程と、 第２支持体にコアと第１クラッドを転写する工程と、 前記コア上に第２クラッドを形成する工程と、 第２支持体より光配線層を剥離する工程と、 を含むことを特徴とする光配線層の製造方法。 - 【請求項２】上記第１支持体にコアの型が形成されてい
ることを特徴とする請求項１記載の光配線層の製造方
法。 - 【請求項３】上記コアの型が異方性エッチングにより形
成されていることを特徴とする請求項２記載の光配線層
の製造方法。 - 【請求項４】第１支持体上に光学素子の型が形成されて
いることを特徴とする請求項１記載の光配線層の製造方
法。 - 【請求項５】上記光学素子がミラーであることを特徴と
する請求項４記載の光配線層の製造方法。 - 【請求項６】上記光学素子が回折格子であることを特徴
とする請求項４記載の光配線層の製造方法。 - 【請求項７】光配線と電気配線を有する光・電気配線基
板の製造方法であって、 請求項１〜６に記載の光配線層を電気配線を有する基板
に接着させることを特徴とする光・電気配線基板の製造
方法。 - 【請求項８】光配線層を電気配線を有する基板に接着さ
せた後、第２支持体より光配線層を剥離する工程を行う
ことを特徴とする請求項７記載の光・電気配線基板の製
造方法。 - 【請求項９】光配線層と電気配線基板を接着させた後、
ビアホールによって基板の電気配線と電気接続している
パッドを作ることを特徴とする請求項７〜８に記載の光
・電気配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33287099A JP4507315B2 (ja) | 1999-11-24 | 1999-11-24 | 光・電気配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33287099A JP4507315B2 (ja) | 1999-11-24 | 1999-11-24 | 光・電気配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001154049A true JP2001154049A (ja) | 2001-06-08 |
| JP4507315B2 JP4507315B2 (ja) | 2010-07-21 |
Family
ID=18259733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33287099A Expired - Fee Related JP4507315B2 (ja) | 1999-11-24 | 1999-11-24 | 光・電気配線基板の製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4507315B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002022987A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-23 | Toppan Printing Co Ltd | 光配線基板および製造方法 |
| KR100404932B1 (ko) * | 2000-04-07 | 2003-11-10 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 플랫폼과 광 모듈, 이들의 제조방법 및 광 전달장치 |
| WO2004027472A1 (ja) | 2002-09-20 | 2004-04-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | 光導波路及びその製造方法 |
| JP2006017885A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Fuji Xerox Co Ltd | 導波路フィルム型光モジュール、光導波路フィルム及びその製造方法 |
| JP2006072352A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-16 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | プリント回路板を形成する方法 |
| EP1674902A1 (en) * | 2003-10-15 | 2006-06-28 | Central Glass Company, Limited | Multichannel optical path changing device and its production method |
| JP2007523378A (ja) * | 2004-02-18 | 2007-08-16 | カラー チップ （イスラエル） リミテッド | 光電モジュールの製作システムおよび方法 |
| CN100426027C (zh) * | 2004-07-22 | 2008-10-15 | 关西油漆株式会社 | 光波导路的制成方法 |
| JP2010164655A (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 光電気複合部材の製造方法 |
| US8460865B2 (en) | 1998-06-24 | 2013-06-11 | Illumina, Inc. | Multiplex decoding of array sensors with microspheres |
| JP2014032422A (ja) * | 2010-10-08 | 2014-02-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 回路基板装置および光電気複合デバイス |
| JP2017111351A (ja) * | 2015-12-17 | 2017-06-22 | 日本電信電話株式会社 | 光回路の作製方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01131031A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-23 | Seiko Epson Corp | ガラス転写体の製造方法 |
| JPH0328804A (ja) * | 1989-01-13 | 1991-02-07 | E I Du Pont De Nemours & Co | 光導波デバイス、デバイスを製造する為の素子、並びにデバイス及び素子を製造する為の方法 |
| JPH04234004A (ja) * | 1990-07-09 | 1992-08-21 | Commiss Energ Atom | 集積型光学部品の製造方法 |
| JPH05264833A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-10-15 | Hitachi Maxell Ltd | 光表面実装用基板およびその製造方法 |
| JPH06310833A (ja) * | 1993-04-27 | 1994-11-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電気・光配線板の製造方法 |
| JPH09281351A (ja) * | 1996-04-18 | 1997-10-31 | Sharp Corp | 高分子光導波路の製造方法 |
-
1999
- 1999-11-24 JP JP33287099A patent/JP4507315B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01131031A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-23 | Seiko Epson Corp | ガラス転写体の製造方法 |
| JPH0328804A (ja) * | 1989-01-13 | 1991-02-07 | E I Du Pont De Nemours & Co | 光導波デバイス、デバイスを製造する為の素子、並びにデバイス及び素子を製造する為の方法 |
| JPH04234004A (ja) * | 1990-07-09 | 1992-08-21 | Commiss Energ Atom | 集積型光学部品の製造方法 |
| JPH05264833A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-10-15 | Hitachi Maxell Ltd | 光表面実装用基板およびその製造方法 |
| JPH06310833A (ja) * | 1993-04-27 | 1994-11-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電気・光配線板の製造方法 |
| JPH09281351A (ja) * | 1996-04-18 | 1997-10-31 | Sharp Corp | 高分子光導波路の製造方法 |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9399795B2 (en) | 1998-06-24 | 2016-07-26 | Illumina, Inc. | Multiplex decoding of array sensors with microspheres |
| US8460865B2 (en) | 1998-06-24 | 2013-06-11 | Illumina, Inc. | Multiplex decoding of array sensors with microspheres |
| KR100404932B1 (ko) * | 2000-04-07 | 2003-11-10 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 플랫폼과 광 모듈, 이들의 제조방법 및 광 전달장치 |
| JP4691758B2 (ja) * | 2000-07-10 | 2011-06-01 | 凸版印刷株式会社 | 光配線基板および製造方法 |
| JP2002022987A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-23 | Toppan Printing Co Ltd | 光配線基板および製造方法 |
| US7050691B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-05-23 | Toppan Printing Co., Ltd. | Optical waveguide and method of manufacturing the same |
| US7289713B2 (en) | 2002-09-20 | 2007-10-30 | Toppan Printing Co., Ltd. | Optical waveguide and method of manufacturing the same |
| EP1542045A4 (en) * | 2002-09-20 | 2009-12-02 | Toppan Printing Co Ltd | OPTICAL WAVEGUIDE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| EP1542045A1 (en) * | 2002-09-20 | 2005-06-15 | Toppan Printing Co., Ltd. | Optical waveguide and method for manufacturing same |
| WO2004027472A1 (ja) | 2002-09-20 | 2004-04-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | 光導波路及びその製造方法 |
| EP1674902A1 (en) * | 2003-10-15 | 2006-06-28 | Central Glass Company, Limited | Multichannel optical path changing device and its production method |
| EP1674902A4 (en) * | 2003-10-15 | 2010-03-17 | Central Glass Co Ltd | MULTI-CHANNEL OPTICAL SWITCH CHANGING AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| JP4859677B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2012-01-25 | カラー チップ （イスラエル） リミテッド | 光電モジュールの製作システムおよび方法 |
| JP2007523378A (ja) * | 2004-02-18 | 2007-08-16 | カラー チップ （イスラエル） リミテッド | 光電モジュールの製作システムおよび方法 |
| JP2006017885A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Fuji Xerox Co Ltd | 導波路フィルム型光モジュール、光導波路フィルム及びその製造方法 |
| CN100426027C (zh) * | 2004-07-22 | 2008-10-15 | 关西油漆株式会社 | 光波导路的制成方法 |
| JP2006072352A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-16 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | プリント回路板を形成する方法 |
| JP2010164655A (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 光電気複合部材の製造方法 |
| JP2014032422A (ja) * | 2010-10-08 | 2014-02-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 回路基板装置および光電気複合デバイス |
| JP2017111351A (ja) * | 2015-12-17 | 2017-06-22 | 日本電信電話株式会社 | 光回路の作製方法 |
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