JP2001141995A - 光学的投影レンズ系 - Google Patents
光学的投影レンズ系Info
- Publication number
- JP2001141995A JP2001141995A JP2000318185A JP2000318185A JP2001141995A JP 2001141995 A JP2001141995 A JP 2001141995A JP 2000318185 A JP2000318185 A JP 2000318185A JP 2000318185 A JP2000318185 A JP 2000318185A JP 2001141995 A JP2001141995 A JP 2001141995A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical projection
- lens system
- projection lens
- lens
- refractive power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 35
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 6
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 claims description 7
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 claims 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 abstract 1
- 210000001624 hip Anatomy 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
- G02B13/14—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation
- G02B13/143—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation for use with ultraviolet radiation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
- G02B13/24—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for reproducing or copying at short object distances
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Lenses (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
投影レンズ系を提供する。 【解決手段】 伝搬方向において、正の屈折力を有する
第1のレンズグループG1と、負の屈折力を有しかつ伝
搬する放射の最小直径を備えたウエストから成る第2の
レンズグループG2と、該第2のレンズグループの後に
配置された、正の屈折力を有する別のレンズ配列G3と
が設けられており、非球面31を有するレンズが、ウエ
スト37の前に配置されている。
Description
ルダと、投影レンズ系とを有する光学的投影系、特に、
集積回路その他の半導体デバイス等の微細構造デバイス
を製造する場合に使用されるホトリソグラフィのための
光学投影系に関する。このようなデバイスの製造時に
は、ホトリソグラフィはイメージをホトグラフィマスク
から半導体ウェハ上の結果的なパターンへ転移する。こ
のようなホトリソグラフィは、通常露光プロセスを含
み、この露光プロセスにおいて半導体ウェハが、マスク
パターンの情報を有する光に曝される。光学投影系は露
光プロセスを行うために使用される。
て精密であるので、光学投影レンズ系は高い解像度を有
していなければならない。高い解像度は光学投影レンズ
系の大きな開口数を必要とし、露光フィールドにおける
光学投影レンズ系の光学収差もほとんどあってはならな
い。
邦共和国特許出願第19818444号明細書に提案さ
れている。示された投影レンズ系は6つのレンズグルー
プを有している。第1、第3、第5、第6のレンズグル
ープは正の屈折力を有し、第2、第4のレンズグループ
は、負の屈折力を有する。全ての示された例において高
い解像度を得るために、非球面が第4及び第5のレンズ
グループに設けられている。
折の投影露光対象物が、SPIE第237巻(1980
年)の第310頁以下に記載されている。平面スタイル
及びディスタゴン(distagon)スタイルの対象物が示さ
れており、対象物の新たなスタイルは、ペッツヴァル修
正のための2つのウエストを有している。
リソグラフィのためのさらに優れた光学投影レンズ系を
提供することである。
系は、光の方向で、正の屈折力を有する第1のレンズグ
ループと、負の屈折力を有しかつ最小ビーム高さのビー
ムウエストを形成した第2のレンズグループとを有して
いる。別のレンズ配列が第2のレンズグループに続いて
いる。第1のビームウエストの前に配置された少なくと
も1つのレンズは、非球面を有している。全ての他のグ
ループにおける非球面を有する別のレンズは、所要の材
料量を減じるために及び光学投影レンズ系の長さを減じ
るために役立つ。
につきさらに詳しく説明する。
のレンズ1〜30から成っている。この示された投影レ
ンズ系は、ウェハ製造のためのものである。0に位置決
めされたマスク103を照明するために、狭い帯域を有
する光源が使用される。この例においては、図示されて
いないエキシマレーザが使用される。図示された投影レ
ンズ系は、0.7の高い開口数と共に、193.3nm
で動作することができる。この投影レンズ系は、λ=2
48nm又はλ=157nmで動作するようにも適応可
能である。
ェハに投影されるマスク103の縮尺が減じられ、この
場合ウェハは0′に位置決めされている。縮尺減少率は
4であり、0から0′までの距離は1000mmであ
る。照明されるイメージフィールドは、矩形、例えば7
×20〜15×30nm2である。
添付の図面から完全に理解されるであろう。
ンズ系は、レンズ1〜7から成る第1のレンズグループ
G1と、レンズ8〜14から成る第2のレンズグループ
と、レンズ15〜30から成る別のレンズ配列とから成
っている。第1のレンズグループG1は、正の屈折力を
有しており、正の屈折力のレンズ7で終わっている。
8は、投影レンズ系100の第1の膨らみ部の背後の第
1のレンズ8であり、この第1のレンズは、イメージ側
に凹状のレンズ面31を有している。図示した例におい
ては、この凹状の面31は非球面形状を有している。こ
の非球面31は、軌道長さ、すなわち所要のレンズ数を
減じるために役立ち、照明されたイメージフィールド全
体に亘って高いイメージ品質を得るために役立つ。
折力を有しており、7つのレンズから成る明確に規定さ
れたウエスト(狭窄部)37を有している。ペッツヴァ
ル修正のために多数のレンズが必要とされる。なぜなら
ば、1つの明確に規定されたウエストしか有していない
からである。レンズグループG2の中間における正の屈
折力のレンズ11の前には、3つの負のレンズ8〜10
が配置されている。この正のレンズ11の背後には、さ
らに3つの負のレンズ12〜15が設けられている。
は、正の屈折力を有している。これは、レンズグループ
G2の中間におけるレンズ11の背後における、正の屈
折力の第1のレンズ15である。このレンズ配列G3
は、正の屈折力を有しており、種々異なる材料から成る
レンズ15〜30と開口絞り41から成っている。
1,22,29,30が使用されている。他のレンズは
石英ガラスから成っている。これらのCaF2レンズ
は、特に色収差の修正のために使用される。この系は、
ダブレットD1,D2,D3を有しており、これらのダ
ブレットは、正の屈折力を有するCaF2レンズの背後
に負の屈折力の石英ガラスレンズが配置されていること
により形成されている。通常248nm系におけるよう
に、色収差の修正が、必要ない場合又は極めて狭いレー
ザ帯域では不可能な場合、ダブレットD1〜D3の代わ
りに単一レンズを使用することができ、これにより、所
要の材料及びレンズを減じるという利点が得られる。
21との間に見られる。
有している。
ている。
Pは半径hに関するたわみ(sag)である。
さは1000mmであり、ここで開口はNA=0.7で
ある。これは、レンズ材料に対するコストが減じられた
極めてコンパクトな構成を提供する。
22の実施は、このコンパクトな具体化の色収差の良好
な修正を提供する。レンズ配列G3の末端における最後
の2つのCaF2レンズは、圧縮に対する抵抗(resista
nce versus compaction)のために挿入されている。
た、本発明の実施例による光学投影レンズ系を示す、横
断面図である。
ト、 100 投影レンズ系、 103 マスク、 G
1 第1のレンズグループ、 G2 第2のレンズグル
ープ、 G3 レンズ配列
Claims (17)
- 【請求項1】 マイクロリソグラフィのための光学投影
レンズ系において、 伝搬方向において、 正の屈折力を有する第1のレンズグループと、 負の屈折力を有しかつ伝搬する放射の最小直径を備えた
ウエストから成る第2のレンズグループと、 該第2のレンズグループの後に配置された、正の屈折力
を有する別のレンズ配列とが設けられており、 非球面を有するレンズが、ウエストの前に配置されてい
ることを特徴とする、マイクロリソグラフィのための光
学投影レンズ系。 - 【請求項2】 マイクロリソグラフィのための光学投影
レンズ系において、伝搬方向において、 正の屈折力を有する第1のレンズグループと、 負の屈折力を有しかつ伝搬する放射の最小直径を備えた
ウエストから成る第2のレンズグループと、 該第2のレンズグループの後に配置された、正の屈折力
を有する別のレンズ配列とが設けられており、 前記投影レンズ系が、1つのみの明確に規定されたウエ
ストのみを有しており、少なくとも1つのレンズが、非
球面を有していることを特徴とする、マイクロリソグラ
フィのための光学投影レンズ系。 - 【請求項3】 マイクロリソグラフィのための光学投影
レンズ系において、伝搬方向において、 正の屈折力を有する第1のレンズグループと、 負の屈折力を有しかつ伝搬する放射の最小直径を備えた
ウエストから成る第2のレンズグループと、 該第2のレンズグループの後に配置された、正の屈折力
を有する別のレンズ配列とが設けられており、 前記投影レンズ系が、1つのみの明確に規定されたウエ
ストのみを有しており、開口数が0.65よりも大きい
ことを特徴とする、マイクロリソグラフィのための光学
投影レンズ系。 - 【請求項4】 前記第2のレンズグループのみが、非球
面を有している、請求項1から3までのいずれか1項記
載の光学投影レンズ系。 - 【請求項5】 前記レンズ配列が、第2の浅いウエスト
を有している、請求項1から3までのいずれか1項記載
の光学投影レンズ系。 - 【請求項6】 前記非球面を有するレンズが、メニスカ
ス状のレンズである、請求項1から3までのいずれか1
項記載の光学投影レンズ系。 - 【請求項7】 少なくとも第2の材料が、色収差修正の
ために使用される、請求項1から6までのいずれか1項
記載の光学投影レンズ系。 - 【請求項8】 第1の材料が石英ガラスであり、第2の
材料がフッ化物である、請求項1から7までのいずれか
1項記載の光学投影レンズ系。 - 【請求項9】 前記第2の材料が、開口絞りの近傍にお
いて正のレンズエレメントにおいて使用されている、請
求項1から8までのいずれか1項記載の光学投影レンズ
系。 - 【請求項10】 CaF2が、193nmのために使用
される第2の材料である、請求項1から9までのいずれ
か1項記載の光学投影レンズ系。 - 【請求項11】 開口絞りの前における、レンズ配列の
レンズのうち少なくとも2つが、CaF2から成ってい
る、請求項1から3までのいずれか1項記載の光学投影
レンズ系。 - 【請求項12】 投影レンズ系のイメージ側における開
口数が、0.65よりも大きい、請求項1から11まで
のいずれか1項記載の光学投影レンズ系。 - 【請求項13】 少なくとも3つのCaF2レンズが、
2重凸レンズから成っている、請求項1から12までの
いずれか1項記載の光学投影レンズ系。 - 【請求項14】 最後のレンズエレメントが、CaF2
レンズである、請求項1から13までのいずれか1項記
載の光学投影レンズ系。 - 【請求項15】 エキシマレーザが、250nm以下の
波長の放射を発する光源として使用される、請求項1か
ら14までのいずれか1項記載の光学投影レンズ系。 - 【請求項16】 光学投影レンズ系が、2つのみの膨ら
み部から成っている、請求項1から15までのいずれか
1項記載の光学投影レンズ系。 - 【請求項17】 微細構造デバイスを製造するためのプ
ロセスであって、 感光層を有するウェハを、請求項1から14までのいず
れか1項記載の光学投影レンズ系を使用して及びデバイ
スの構造を規定するためのマスクを使用して、UV光に
よって露光し、 感光層を、微細構造デバイスを得るために現像すること
を特徴とする、微細構造デバイスを製造するためのプロ
セス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16079999P | 1999-10-21 | 1999-10-21 | |
US60/160799 | 1999-10-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001141995A true JP2001141995A (ja) | 2001-05-25 |
JP2001141995A5 JP2001141995A5 (ja) | 2007-11-15 |
Family
ID=22578507
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000318185A Pending JP2001141995A (ja) | 1999-10-21 | 2000-10-18 | 光学的投影レンズ系 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US6560031B1 (ja) |
EP (1) | EP1094350A3 (ja) |
JP (1) | JP2001141995A (ja) |
KR (1) | KR100832153B1 (ja) |
TW (1) | TW451076B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100914370B1 (ko) * | 2002-04-26 | 2009-08-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계와 이를 구비한 노광 장치 및 노광 방법 |
KR100991584B1 (ko) | 2004-04-08 | 2010-11-04 | 칼 짜이스 에스엠티 아게 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1195095A (ja) | 1997-09-22 | 1999-04-09 | Nikon Corp | 投影光学系 |
WO2001023933A1 (fr) | 1999-09-29 | 2001-04-05 | Nikon Corporation | Systeme optique de projection |
WO2001023935A1 (fr) | 1999-09-29 | 2001-04-05 | Nikon Corporation | Procede et dispositif d'exposition par projection, et systeme optique de projection |
EP1094350A3 (en) * | 1999-10-21 | 2001-08-16 | Carl Zeiss | Optical projection lens system |
DE50012452D1 (de) * | 1999-12-29 | 2006-05-11 | Zeiss Carl Smt Ag | Projektionsobjektiv mit benachbart angeordneten asphärischen linsenoberflächen |
JP2004524554A (ja) * | 2000-12-22 | 2004-08-12 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | 投射対物レンズ |
DE10064685A1 (de) * | 2000-12-22 | 2002-07-04 | Zeiss Carl | Lithographieobjektiv mit einer ersten Linsengruppe, bestehend ausschließlich aus Linsen positiver Brechkraft |
JP2002244034A (ja) | 2001-02-21 | 2002-08-28 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
JP2002323652A (ja) | 2001-02-23 | 2002-11-08 | Nikon Corp | 投影光学系,該投影光学系を備えた投影露光装置および投影露光方法 |
ATE408850T1 (de) * | 2001-04-10 | 2008-10-15 | Harvard College | Mikrolinse zur projektionslithographie und ihr herstellungsverfahren |
JP2003021619A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Canon Inc | 蛍石及びその分析法、製造法、光学特性評価法 |
US7154676B2 (en) * | 2002-03-01 | 2006-12-26 | Carl Zeiss Smt A.G. | Very-high aperture projection objective |
DE10229249A1 (de) | 2002-03-01 | 2003-09-04 | Zeiss Carl Semiconductor Mfg | Refraktives Projektionsobjektiv mit einer Taille |
US7190527B2 (en) * | 2002-03-01 | 2007-03-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective |
US7092069B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
DE10212343A1 (de) * | 2002-03-15 | 2003-10-09 | Traub Drehmaschinen Gmbh | Schlittensystem |
KR20040104691A (ko) * | 2002-05-03 | 2004-12-10 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 높은 개구를 갖는 투영 대물렌즈 |
DE10221386A1 (de) | 2002-05-14 | 2003-11-27 | Zeiss Carl Smt Ag | Projektionsbelichtungssystem |
US8208198B2 (en) | 2004-01-14 | 2012-06-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
US6906866B2 (en) | 2003-10-15 | 2005-06-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Compact 1½-waist system for sub 100 nm ArF lithography |
JP4196815B2 (ja) | 2003-11-28 | 2008-12-17 | 株式会社日立製作所 | 背面投写型映像表示装置 |
TWI259319B (en) | 2004-01-23 | 2006-08-01 | Air Prod & Chem | Immersion lithography fluids |
DE102019126888A1 (de) * | 2019-10-07 | 2021-04-08 | LIMO GmbH | Laservorrichtung zur Erzeugung von Laserstrahlung sowie 3D-Druck-Vorrichtung mit einer derartigen Laservorrichtung |
JP2022551621A (ja) | 2019-10-07 | 2022-12-12 | リモ ゲーエムベーハー | レーザ放射を生成するためのレーザ装置、および当該レーザ装置を備える3d印刷装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1195095A (ja) * | 1997-09-22 | 1999-04-09 | Nikon Corp | 投影光学系 |
JP2000249917A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-09-14 | Nikon Corp | 投影光学系、投影光学系の製造方法、照明光学系の製造方法、及び露光装置の製造方法 |
JP2000356743A (ja) * | 1999-06-14 | 2000-12-26 | Canon Inc | 投影光学系及びそれを用いた投影露光装置 |
Family Cites Families (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH447644A (de) | 1964-04-25 | 1967-11-30 | Leitz Ernst Gmbh | Photographisches Objektiv |
JPS5888717A (ja) * | 1981-11-24 | 1983-05-26 | Olympus Optical Co Ltd | ズ−ムレンズ |
US5059006A (en) | 1989-12-22 | 1991-10-22 | Ricoh Company Ltd. | Compact zoom lens |
JP3170787B2 (ja) | 1990-05-14 | 2001-05-28 | ミノルタ株式会社 | カメラシステム |
JP3010365B2 (ja) * | 1990-05-15 | 2000-02-21 | オリンパス光学工業株式会社 | 対物レンズ |
JP3041939B2 (ja) | 1990-10-22 | 2000-05-15 | 株式会社ニコン | 投影レンズ系 |
JP2731481B2 (ja) | 1992-01-23 | 1998-03-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | テレセントリック結像光学系 |
JPH06331941A (ja) | 1993-05-19 | 1994-12-02 | Olympus Optical Co Ltd | 投影レンズ系 |
JPH0817719A (ja) | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH08203812A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Nikon Corp | 反射屈折縮小投影光学系及び露光装置 |
JP3819048B2 (ja) | 1995-03-15 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 投影光学系及びそれを備えた露光装置並びに露光方法 |
US6512633B2 (en) | 1996-02-08 | 2003-01-28 | Minolta Co., Ltd | Optical system for compensation of image shake |
US5696631A (en) | 1996-02-22 | 1997-12-09 | Anvik Corporation | Unit magnification projection lens system |
JPH103039A (ja) * | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
US5808814A (en) * | 1996-07-18 | 1998-09-15 | Nikon Corporation | Short wavelength projection optical system |
US7130129B2 (en) * | 1996-12-21 | 2006-10-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Reticle-masking objective with aspherical lenses |
JP3823436B2 (ja) | 1997-04-03 | 2006-09-20 | 株式会社ニコン | 投影光学系 |
DE19818444A1 (de) * | 1997-04-25 | 1998-10-29 | Nikon Corp | Abbildungsoptik, Projektionsoptikvorrichtung und Projektionsbelichtungsverfahren |
JPH116957A (ja) | 1997-04-25 | 1999-01-12 | Nikon Corp | 投影光学系および投影露光装置並びに投影露光方法 |
JPH10325992A (ja) | 1997-05-26 | 1998-12-08 | Konica Corp | レンズ付きフィルムユニット、及びその包装体 |
JPH10325922A (ja) * | 1997-05-26 | 1998-12-08 | Nikon Corp | 投影光学系 |
US6259569B1 (en) | 1997-05-28 | 2001-07-10 | Minolta Co., Ltd. | Zoom optical system |
US5990926A (en) | 1997-07-16 | 1999-11-23 | Nikon Corporation | Projection lens systems for excimer laser exposure lithography |
US5856884A (en) | 1997-09-05 | 1999-01-05 | Nikon Corporation | Projection lens systems |
JPH11214293A (ja) | 1998-01-22 | 1999-08-06 | Nikon Corp | 投影光学系及び該光学系を備えた露光装置並びにデバイス製造方法 |
JPH11281890A (ja) | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Konica Corp | 2群ズームレンズ |
US5986824A (en) | 1998-06-04 | 1999-11-16 | Nikon Corporation | Large NA projection lens system with aplanatic lens element for excimer laser lithography |
EP1293832A1 (en) * | 1998-06-08 | 2003-03-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
US5969803A (en) | 1998-06-30 | 1999-10-19 | Nikon Corporation | Large NA projection lens for excimer laser lithographic systems |
US6198576B1 (en) * | 1998-07-16 | 2001-03-06 | Nikon Corporation | Projection optical system and exposure apparatus |
DE69933973T2 (de) * | 1998-07-29 | 2007-06-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Katadioptrisches optisches system und damit ausgestattete belichtungsvorrichtung |
DE19939088A1 (de) | 1998-08-18 | 2000-02-24 | Nikon Corp | Belichtungsvorrichtung und -verfahren |
DE19855108A1 (de) * | 1998-11-30 | 2000-05-31 | Zeiss Carl Fa | Mikrolithographisches Reduktionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage und -Verfahren |
KR20000034967A (ko) * | 1998-11-30 | 2000-06-26 | 헨켈 카르스텐 | 수정-렌즈를 갖는 오브젝티브 및 투사 조명 장치 |
US6166865A (en) | 1999-05-19 | 2000-12-26 | Nikon Corporation | Projection optical system and exposure apparatus |
WO2001023935A1 (fr) | 1999-09-29 | 2001-04-05 | Nikon Corporation | Procede et dispositif d'exposition par projection, et systeme optique de projection |
WO2001023933A1 (fr) * | 1999-09-29 | 2001-04-05 | Nikon Corporation | Systeme optique de projection |
EP1094350A3 (en) | 1999-10-21 | 2001-08-16 | Carl Zeiss | Optical projection lens system |
DE50012452D1 (de) * | 1999-12-29 | 2006-05-11 | Zeiss Carl Smt Ag | Projektionsobjektiv mit benachbart angeordneten asphärischen linsenoberflächen |
JP2002323653A (ja) | 2001-02-23 | 2002-11-08 | Nikon Corp | 投影光学系,投影露光装置および投影露光方法 |
JP2002323652A (ja) | 2001-02-23 | 2002-11-08 | Nikon Corp | 投影光学系,該投影光学系を備えた投影露光装置および投影露光方法 |
JP2002287023A (ja) | 2001-03-27 | 2002-10-03 | Nikon Corp | 投影光学系、該投影光学系を備えた投影露光装置及び投影露光方法 |
DE10151309A1 (de) * | 2001-10-17 | 2003-05-08 | Carl Zeiss Semiconductor Mfg S | Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie für Lambda <200 nm |
DE10229249A1 (de) * | 2002-03-01 | 2003-09-04 | Zeiss Carl Semiconductor Mfg | Refraktives Projektionsobjektiv mit einer Taille |
US7177068B2 (en) | 2002-12-20 | 2007-02-13 | Robert Bosch Gmbh | Apparatus, method and system for providing enhanced mechanical protection for thin beams |
US6863006B2 (en) | 2003-04-08 | 2005-03-08 | Cnh America Llc | Drive mechanism for agricultural planters |
-
2000
- 2000-09-13 EP EP00119874A patent/EP1094350A3/en not_active Ceased
- 2000-10-18 JP JP2000318185A patent/JP2001141995A/ja active Pending
- 2000-10-19 KR KR1020000061465A patent/KR100832153B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-10-23 US US09/694,878 patent/US6560031B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-04 TW TW089118630A patent/TW451076B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-03-20 US US10/393,593 patent/US6791761B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-04-27 US US10/833,840 patent/US6930837B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-07-05 US US11/175,092 patent/US7450312B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1195095A (ja) * | 1997-09-22 | 1999-04-09 | Nikon Corp | 投影光学系 |
JP2000249917A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-09-14 | Nikon Corp | 投影光学系、投影光学系の製造方法、照明光学系の製造方法、及び露光装置の製造方法 |
JP2000356743A (ja) * | 1999-06-14 | 2000-12-26 | Canon Inc | 投影光学系及びそれを用いた投影露光装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100914370B1 (ko) * | 2002-04-26 | 2009-08-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계와 이를 구비한 노광 장치 및 노광 방법 |
KR100991584B1 (ko) | 2004-04-08 | 2010-11-04 | 칼 짜이스 에스엠티 아게 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7450312B2 (en) | 2008-11-11 |
EP1094350A3 (en) | 2001-08-16 |
US20050248853A1 (en) | 2005-11-10 |
US6560031B1 (en) | 2003-05-06 |
US6930837B2 (en) | 2005-08-16 |
US20030179462A1 (en) | 2003-09-25 |
US20040201899A1 (en) | 2004-10-14 |
EP1094350A2 (en) | 2001-04-25 |
KR20010051115A (ko) | 2001-06-25 |
US6791761B2 (en) | 2004-09-14 |
TW451076B (en) | 2001-08-21 |
KR100832153B1 (ko) | 2008-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001141995A (ja) | 光学的投影レンズ系 | |
KR100615068B1 (ko) | 반사 굴절 광학 시스템 및 이를 구비하는 노광 장치 | |
EP0770895B2 (en) | Projection optical system and exposure apparatus provided therewith | |
JP4717974B2 (ja) | 反射屈折光学系及び該光学系を備える投影露光装置 | |
JP4245286B2 (ja) | 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置 | |
KR100387149B1 (ko) | 투영광학계및이를이용한노광장치 | |
US6867922B1 (en) | Projection optical system and projection exposure apparatus using the same | |
JPH116957A (ja) | 投影光学系および投影露光装置並びに投影露光方法 | |
JPH09292568A (ja) | 投影光学系 | |
US5696631A (en) | Unit magnification projection lens system | |
US20070268594A1 (en) | Projection Optical System | |
JP2002116382A (ja) | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 | |
US6590715B2 (en) | Optical projection system | |
US20020001141A1 (en) | Optical projection system | |
US20050230599A1 (en) | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method using the same | |
KR100522503B1 (ko) | 투영광학계 및 이것을 가진 투영노광장치, 그리고디바이스제조방법 | |
JP2005003982A (ja) | 投影光学系、露光装置および露光方法 | |
JPH10197791A (ja) | 投影レンズ | |
JP4300509B2 (ja) | 投影光学系、露光装置、および露光方法 | |
JP2869849B2 (ja) | 集積回路製造方法 | |
JPH0695495B2 (ja) | 回路製造方法及びそれを用いた露光装置 | |
JP4328940B2 (ja) | 投影光学系、露光装置、および露光方法 | |
JP2000056218A (ja) | 投影光学系およびそれを備えた露光装置ならびに半導体デバイス製造方法 | |
JP2004022722A (ja) | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 | |
JP2565149B2 (ja) | 回路の製造方法及び露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040901 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071002 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071002 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080825 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080825 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080901 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080901 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101101 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110201 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110204 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110815 |