JP2001135633A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フッ素含有有機膜が堆積された半導体基板を
成膜装置から他の処理装置に搬送することなく、フッ素
含有有機膜を緻密化できるようにする。 【解決手段】 半導体基板１００の上に、第１のシリコ
ン酸化膜１０１、金属膜１０２及び第２のシリコン酸化
膜１０３を順次形成した後、レジストパターン１０４を
マスクとし且つＣ5Ｆ8ガスを主成分とするエッチングガ
スを用いてドライエッチングを行なって、第２のシリコ
ン酸化膜１０３からなるハードマスク１０５を形成す
る。ハードマスク１０５をマスクとして金属膜１０２に
対してドライエッチングを行なって金属配線１０６を形
成した後、Ｃ5Ｆ8ガスを主成分とする原料ガスを用い
て、金属配線１０６同士の間及び上面にフッ素含有有機
膜１０７を堆積する。フッ素含有有機膜１０７をアルゴ
ンガスからなるプラズマに曝すことにより、フッ素含有
有機膜１０７を緻密化する。
成膜装置から他の処理装置に搬送することなく、フッ素
含有有機膜を緻密化できるようにする。 【解決手段】 半導体基板１００の上に、第１のシリコ
ン酸化膜１０１、金属膜１０２及び第２のシリコン酸化
膜１０３を順次形成した後、レジストパターン１０４を
マスクとし且つＣ5Ｆ8ガスを主成分とするエッチングガ
スを用いてドライエッチングを行なって、第２のシリコ
ン酸化膜１０３からなるハードマスク１０５を形成す
る。ハードマスク１０５をマスクとして金属膜１０２に
対してドライエッチングを行なって金属配線１０６を形
成した後、Ｃ5Ｆ8ガスを主成分とする原料ガスを用い
て、金属配線１０６同士の間及び上面にフッ素含有有機
膜１０７を堆積する。フッ素含有有機膜１０７をアルゴ
ンガスからなるプラズマに曝すことにより、フッ素含有
有機膜１０７を緻密化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、比誘電率が低いフ
ッ素含有有機膜を有する半導体装置の製造方法に関す
る。
ッ素含有有機膜を有する半導体装置の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年めざましく進歩した半導体プロセス
技術により半導体素子及び金属配線の微細化及び高集積
化が図られているが、これに伴って、金属配線における
信号の遅延が半導体集積回路の動作速度に大きな影響を
及ぼすようになってきている。
技術により半導体素子及び金属配線の微細化及び高集積
化が図られているが、これに伴って、金属配線における
信号の遅延が半導体集積回路の動作速度に大きな影響を
及ぼすようになってきている。
【０００３】このため、炭素原子及びフッ素原子を主成
分とし、比誘電率がＳｉＯ2 膜又はＳｉＯＦ膜等の無機
膜よりも低いフッ素含有有機膜（フルオロカーボン膜）
を成膜する技術が望まれる。
分とし、比誘電率がＳｉＯ2 膜又はＳｉＯＦ膜等の無機
膜よりも低いフッ素含有有機膜（フルオロカーボン膜）
を成膜する技術が望まれる。
【０００４】フッ素含有有機膜の比誘電率は、２程度で
あって、ＳｉＯＦ膜の比誘電率（３．５〜３．８程度）
よりも低いので、フッ素含有有機膜を金属配線同士の間
又は上面に堆積すると、金属配線における信号遅延を低
減することができる。
あって、ＳｉＯＦ膜の比誘電率（３．５〜３．８程度）
よりも低いので、フッ素含有有機膜を金属配線同士の間
又は上面に堆積すると、金属配線における信号遅延を低
減することができる。
【０００５】ところが、前述のフッ素を含む原料ガスを
用いて堆積されたフッ素含有有機膜は、緻密性が低いた
め、機械的強度、耐熱性及び耐薬品性等が十分でないと
いう問題がある。
用いて堆積されたフッ素含有有機膜は、緻密性が低いた
め、機械的強度、耐熱性及び耐薬品性等が十分でないと
いう問題がある。
【０００６】そこで、特開平１０−１９９９７６号公報
においては、ポリテトラフルオロエチレン系樹脂又は環
状フッ素樹脂・シロキサン共重合体をフルオロカーボン
系の溶剤に溶かしてなる溶液を基板上に回転塗布して得
たフッ素含有有機膜に対して、不活性ガス例えば窒素ガ
スの雰囲気中において４００℃の温度下で３０分間保持
するアニールを行なうことにより、フッ素含有有機膜を
緻密化して、耐酸化性及び耐熱性を向上させる方法が提
案されている。
においては、ポリテトラフルオロエチレン系樹脂又は環
状フッ素樹脂・シロキサン共重合体をフルオロカーボン
系の溶剤に溶かしてなる溶液を基板上に回転塗布して得
たフッ素含有有機膜に対して、不活性ガス例えば窒素ガ
スの雰囲気中において４００℃の温度下で３０分間保持
するアニールを行なうことにより、フッ素含有有機膜を
緻密化して、耐酸化性及び耐熱性を向上させる方法が提
案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の方法は、回転塗布装置等の成膜装置においてフッ素
含有有機膜を形成した後、フッ素含有有機膜が形成され
た基板を成膜装置からアニール装置に搬送し、該アニー
ル装置においてアニールを行なって緻密化しなければな
らないため、工程が複雑化すると共に、搬送中にパーテ
ィクルが付着して歩留りが低下するという問題がある。
また、フッ素含有有機膜中に大気中の水分が取り込ま
れ、取り込まれた水分と膜中の遊離フッ素とが反応して
フッ酸が形成されるので、フッ酸が金属配線を腐食させ
てしまうという問題がある。
来の方法は、回転塗布装置等の成膜装置においてフッ素
含有有機膜を形成した後、フッ素含有有機膜が形成され
た基板を成膜装置からアニール装置に搬送し、該アニー
ル装置においてアニールを行なって緻密化しなければな
らないため、工程が複雑化すると共に、搬送中にパーテ
ィクルが付着して歩留りが低下するという問題がある。
また、フッ素含有有機膜中に大気中の水分が取り込ま
れ、取り込まれた水分と膜中の遊離フッ素とが反応して
フッ酸が形成されるので、フッ酸が金属配線を腐食させ
てしまうという問題がある。
【０００８】前記に鑑み、フッ素含有有機膜が堆積され
た半導体基板を成膜装置から他の処理装置に搬送するこ
となく、フッ素含有有機膜を緻密化できるようにするこ
とを目的とする。
た半導体基板を成膜装置から他の処理装置に搬送するこ
となく、フッ素含有有機膜を緻密化できるようにするこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係る第１の半導体装置の製造方法は、プラ
ズマ処理装置の反応室内において、フルオロカーボンを
主成分とする原料ガスを用いて、半導体基板上にフッ素
含有有機膜を堆積する堆積工程と、前記と同一の反応室
内において、フッ素含有有機膜を希ガスからなるプラズ
マに曝すことにより、該フッ素含有有機膜を緻密化する
緻密化工程とを備えている。
め、本発明に係る第１の半導体装置の製造方法は、プラ
ズマ処理装置の反応室内において、フルオロカーボンを
主成分とする原料ガスを用いて、半導体基板上にフッ素
含有有機膜を堆積する堆積工程と、前記と同一の反応室
内において、フッ素含有有機膜を希ガスからなるプラズ
マに曝すことにより、該フッ素含有有機膜を緻密化する
緻密化工程とを備えている。
【００１０】第１の半導体装置の製造方法によると、同
一の反応室内において、半導体基板上にフッ素含有有機
膜を堆積する工程と、堆積されたフッ素含有有機膜を緻
密化する工程とを行なうため、半導体基板を緻密化のた
めにアニール装置に搬送する必要がなくなるので、工程
数を低減できると共に、搬送中にパーティクルが付着し
て歩留りが低下する事態を防止できる。
一の反応室内において、半導体基板上にフッ素含有有機
膜を堆積する工程と、堆積されたフッ素含有有機膜を緻
密化する工程とを行なうため、半導体基板を緻密化のた
めにアニール装置に搬送する必要がなくなるので、工程
数を低減できると共に、搬送中にパーティクルが付着し
て歩留りが低下する事態を防止できる。
【００１１】第１の半導体装置の製造方法において、堆
積工程は、半導体基板を冷却しながらフッ素含有有機膜
を堆積する工程を含むことが好ましい。このようにする
と、フッ素含有有機膜の堆積レートが向上する。
積工程は、半導体基板を冷却しながらフッ素含有有機膜
を堆積する工程を含むことが好ましい。このようにする
と、フッ素含有有機膜の堆積レートが向上する。
【００１２】第１の半導体装置の製造方法において、緻
密化工程は、半導体基板を反応室内のプラズマ発生領域
の方に移動した状態で、フッ素含有有機膜を希ガスから
なるプラズマに曝す工程を含むことが好ましい。このよ
うにすると、フッ素含有有機膜の緻密化が促進される。
密化工程は、半導体基板を反応室内のプラズマ発生領域
の方に移動した状態で、フッ素含有有機膜を希ガスから
なるプラズマに曝す工程を含むことが好ましい。このよ
うにすると、フッ素含有有機膜の緻密化が促進される。
【００１３】本発明に係る第２の半導体装置の製造方法
は、半導体基板上に堆積された金属膜の上にレジスト膜
又は絶縁膜からなるマスクパターンを形成する工程と、
金属膜に対してマスクパターンを用いてドライエッチン
グを行なって、金属膜からなる複数の金属配線を形成す
る工程と、プラズマ処理装置の反応室内において、フル
オロカーボンを主成分とする原料ガスを用いて、複数の
金属配線同士の間及び上面にフッ素含有有機膜からなる
層間絶縁膜を堆積する工程と、前記と同一の反応室内に
おいて、フッ素含有有機膜を希ガスからなるプラズマに
曝すことにより、フッ素含有有機膜を緻密化する工程と
を備えている。
は、半導体基板上に堆積された金属膜の上にレジスト膜
又は絶縁膜からなるマスクパターンを形成する工程と、
金属膜に対してマスクパターンを用いてドライエッチン
グを行なって、金属膜からなる複数の金属配線を形成す
る工程と、プラズマ処理装置の反応室内において、フル
オロカーボンを主成分とする原料ガスを用いて、複数の
金属配線同士の間及び上面にフッ素含有有機膜からなる
層間絶縁膜を堆積する工程と、前記と同一の反応室内に
おいて、フッ素含有有機膜を希ガスからなるプラズマに
曝すことにより、フッ素含有有機膜を緻密化する工程と
を備えている。
【００１４】第２の半導体装置の製造方法によると、第
１の半導体装置の製造方法と同様、半導体基板を緻密化
のためにアニール装置に搬送する必要がなくなるため、
工程数を低減できると共に、搬送中にパーティクルが付
着して歩留りが低下するという問題を回避できる。
１の半導体装置の製造方法と同様、半導体基板を緻密化
のためにアニール装置に搬送する必要がなくなるため、
工程数を低減できると共に、搬送中にパーティクルが付
着して歩留りが低下するという問題を回避できる。
【００１５】また、第２の半導体装置の製造方法による
と、半導体基板を緻密化のためにアニール装置に搬送す
る必要がなくなるため、フッ素含有有機膜中に大気中の
水分が取り込まれ、取り込まれた水分と膜中の遊離フッ
素とが反応してフッ酸が生成される事態を回避できるの
で、フッ酸が金属配線を腐食させることを防止できる。
と、半導体基板を緻密化のためにアニール装置に搬送す
る必要がなくなるため、フッ素含有有機膜中に大気中の
水分が取り込まれ、取り込まれた水分と膜中の遊離フッ
素とが反応してフッ酸が生成される事態を回避できるの
で、フッ酸が金属配線を腐食させることを防止できる。
【００１６】第２の半導体装置の製造方法において、マ
スクパターンを形成する工程は、金属膜の上に絶縁膜を
堆積する工程と、絶縁膜の上にレジストパターンを形成
する工程と、レジストパターンを用いて絶縁膜に対して
ドライエッチングを行なってマスクパターンを形成する
工程とを含み、絶縁膜に対してドライエッチングを行な
う工程は、前記と同一の反応室内において行なわれるこ
とが好ましい。
スクパターンを形成する工程は、金属膜の上に絶縁膜を
堆積する工程と、絶縁膜の上にレジストパターンを形成
する工程と、レジストパターンを用いて絶縁膜に対して
ドライエッチングを行なってマスクパターンを形成する
工程とを含み、絶縁膜に対してドライエッチングを行な
う工程は、前記と同一の反応室内において行なわれるこ
とが好ましい。
【００１７】このように、絶縁膜に対してドライエッチ
ングを行なう工程を、堆積工程及び緻密化工程と同様の
反応室内で行なうと、工程数及びパーティクルの付着を
一層低減することができる。
ングを行なう工程を、堆積工程及び緻密化工程と同様の
反応室内で行なうと、工程数及びパーティクルの付着を
一層低減することができる。
【００１８】第１又は第２の半導体装置の製造方法にお
いて、フルオロカーボンは、Ｃ5Ｆ8、Ｃ3Ｆ6又はＣ4Ｆ6
であることが好ましい。
いて、フルオロカーボンは、Ｃ5Ｆ8、Ｃ3Ｆ6又はＣ4Ｆ6
であることが好ましい。
【００１９】このようにすると、Ｃ5Ｆ8ガス、Ｃ3Ｆ6ガ
ス又はＣ4Ｆ6ガスはいずれも炭素の二重結合を有してお
り、成膜時に炭素の二重結合が切れて各炭素原子が遊離
フッ素と結合するため、フッ素含有有機膜中の遊離フッ
素が減少するので、堆積されたフッ素含有有機膜は、他
のフルオロカーボンガスを用いて堆積したフッ素含有有
機膜よりも緻密になる。また、Ｃ5Ｆ8ガス、Ｃ3Ｆ6ガス
及びＣ4Ｆ6ガスは、大気寿命が短いと共にＧＷＰ100 が
小さいため、地球の温暖化を招き難い。
ス又はＣ4Ｆ6ガスはいずれも炭素の二重結合を有してお
り、成膜時に炭素の二重結合が切れて各炭素原子が遊離
フッ素と結合するため、フッ素含有有機膜中の遊離フッ
素が減少するので、堆積されたフッ素含有有機膜は、他
のフルオロカーボンガスを用いて堆積したフッ素含有有
機膜よりも緻密になる。また、Ｃ5Ｆ8ガス、Ｃ3Ｆ6ガス
及びＣ4Ｆ6ガスは、大気寿命が短いと共にＧＷＰ100 が
小さいため、地球の温暖化を招き難い。
【００２０】第１又は第２の半導体装置の製造方法にお
いて、希ガスはアルゴンガスであることが好ましい。
いて、希ガスはアルゴンガスであることが好ましい。
【００２１】ところで、アルゴンガスを成膜用の原料ガ
スの添加すると、堆積レートが向上するので、成膜用の
原料ガスにはアルゴンガスを添加することが多い。従っ
て、アルゴンガスからなるプラズマを用いて緻密化する
と、成膜工程と緻密化工程とで同じ希ガスを使えるの
で、成膜工程と緻密化工程とを同一の反応室で行なうこ
とが容易になる。
スの添加すると、堆積レートが向上するので、成膜用の
原料ガスにはアルゴンガスを添加することが多い。従っ
て、アルゴンガスからなるプラズマを用いて緻密化する
と、成膜工程と緻密化工程とで同じ希ガスを使えるの
で、成膜工程と緻密化工程とを同一の反応室で行なうこ
とが容易になる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
半導体製造装置の製造方法について説明するが、その前
提として、該製造方法に用いるプラズマ処理装置につい
て図１を参照しながら説明する。
半導体製造装置の製造方法について説明するが、その前
提として、該製造方法に用いるプラズマ処理装置につい
て図１を参照しながら説明する。
【００２３】図１は誘導結合型のプラズマ処理装置の概
略断面構造を示しており、反応室１０の底部には試料台
となる下部電極１１が配置され、該下部電極１１は半導
体基板１２を保持している。
略断面構造を示しており、反応室１０の底部には試料台
となる下部電極１１が配置され、該下部電極１１は半導
体基板１２を保持している。
【００２４】反応室１０には、Ｃ5Ｆ8ガスを供給する第
１のガスボンベ１３Ａ、Ａｒガスを供給する第２のガス
ボンベ１３Ｂ、及びＯ2 ガスを供給する第３のガスボン
ベ１３Ｃが接続されており、反応室１０には第１、第２
及び第３のガスボンベ１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃから、流
量が制御されたＣ5Ｆ8ガス、Ａｒガス及びＯ2 ガスがそ
れぞれ導入される。また、反応室１０には、流路開閉弁
１４、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）１５及びドライポン
プ（ＤＰ）１６からなるガス排気手段が設けられてい
る。
１のガスボンベ１３Ａ、Ａｒガスを供給する第２のガス
ボンベ１３Ｂ、及びＯ2 ガスを供給する第３のガスボン
ベ１３Ｃが接続されており、反応室１０には第１、第２
及び第３のガスボンベ１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃから、流
量が制御されたＣ5Ｆ8ガス、Ａｒガス及びＯ2 ガスがそ
れぞれ導入される。また、反応室１０には、流路開閉弁
１４、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）１５及びドライポン
プ（ＤＰ）１６からなるガス排気手段が設けられてい
る。
【００２５】反応室１０の側壁の外部には柱状コイル１
７が設けられており、柱状コイル１７の一端は第１のマ
ッチング回路１８を介して第１の高周波電源１９に接続
されていると共に、柱状コイル１７の他端は反応室１０
の側壁に接続されることにより接地されている。第１の
高周波電源１９から柱状コイル１７に高周波電力を印加
すると、反応室１０に高周波誘導電磁場が発生し、これ
によって、反応室１０内に供給されるＣ5Ｆ8ガス、Ａｒ
ガス及びＯ2 ガスはプラズマ化される。また、下部電極
１１には、コンデンサ２１、第２のマッチング回路２２
及び第２の高周波電源２３が接続されており、第２の高
周波電源２３から下部電極１１に高周波電力を印加する
と、反応室１０内に発生した粒子は下部電極１１ひいて
は半導体基板１２に向かって照射される。
７が設けられており、柱状コイル１７の一端は第１のマ
ッチング回路１８を介して第１の高周波電源１９に接続
されていると共に、柱状コイル１７の他端は反応室１０
の側壁に接続されることにより接地されている。第１の
高周波電源１９から柱状コイル１７に高周波電力を印加
すると、反応室１０に高周波誘導電磁場が発生し、これ
によって、反応室１０内に供給されるＣ5Ｆ8ガス、Ａｒ
ガス及びＯ2 ガスはプラズマ化される。また、下部電極
１１には、コンデンサ２１、第２のマッチング回路２２
及び第２の高周波電源２３が接続されており、第２の高
周波電源２３から下部電極１１に高周波電力を印加する
と、反応室１０内に発生した粒子は下部電極１１ひいて
は半導体基板１２に向かって照射される。
【００２６】以下、前記の誘導結合型のプラズマ処理装
置を用いて行なう、一実施形態に係る半導体装置の製造
方法について、図１及び図２（ａ）〜（ｅ）を参照しな
がら説明する。
置を用いて行なう、一実施形態に係る半導体装置の製造
方法について、図１及び図２（ａ）〜（ｅ）を参照しな
がら説明する。
【００２７】まず、図２（ａ）に示すように、シリコン
からなる半導体基板１００の上に、例えば熱酸化膜から
なる第１のシリコン酸化膜１０１、例えばアルミニウム
又は銅からなる金属膜１０２、及び例えばＴＥＯＳから
なる第２のシリコン酸化膜１０３を順次形成する。次
に、第２のシリコン酸化膜１０３の上にレジスト膜を塗
布した後、該レジスト膜に対して周知のフォトリソグラ
フィを行なって、配線形状と対応するパターンを有する
レジストパターン１０４を形成し、その後、半導体基板
１００を、図１に示すプラズマ処理装置の下部電極１１
上に静電吸着により保持する。
からなる半導体基板１００の上に、例えば熱酸化膜から
なる第１のシリコン酸化膜１０１、例えばアルミニウム
又は銅からなる金属膜１０２、及び例えばＴＥＯＳから
なる第２のシリコン酸化膜１０３を順次形成する。次
に、第２のシリコン酸化膜１０３の上にレジスト膜を塗
布した後、該レジスト膜に対して周知のフォトリソグラ
フィを行なって、配線形状と対応するパターンを有する
レジストパターン１０４を形成し、その後、半導体基板
１００を、図１に示すプラズマ処理装置の下部電極１１
上に静電吸着により保持する。
【００２８】次に、図１に示す反応室１０に、第１のガ
スボンベ１３ＡからＣ5Ｆ8ガスを、第２のガスボンベ１
３ＢからＡｒガスを、第３のガスボンベ１３ＣからＯ2
ガスをそれぞれ導入すると共に、第１の高周波電源１９
から柱状コイル１７に、例えば２．０ＭＨｚの周波数を
持つ第１の高周波電力を４００〜３０００Ｗのパワーで
印加して、反応室１０内にＣ5Ｆ8／Ａｒ／Ｏ2 プラズマ
を発生させる。Ｃ5Ｆ8ガスとＡｒガスとの混合割合は体
積流量比で１：４から１：３００までの範囲内が好まし
く、Ｏ2 ガスの混合割合はＣ5Ｆ8ガスの流量に対して５
ｖｏｌ％以上が好ましい。
スボンベ１３ＡからＣ5Ｆ8ガスを、第２のガスボンベ１
３ＢからＡｒガスを、第３のガスボンベ１３ＣからＯ2
ガスをそれぞれ導入すると共に、第１の高周波電源１９
から柱状コイル１７に、例えば２．０ＭＨｚの周波数を
持つ第１の高周波電力を４００〜３０００Ｗのパワーで
印加して、反応室１０内にＣ5Ｆ8／Ａｒ／Ｏ2 プラズマ
を発生させる。Ｃ5Ｆ8ガスとＡｒガスとの混合割合は体
積流量比で１：４から１：３００までの範囲内が好まし
く、Ｏ2 ガスの混合割合はＣ5Ｆ8ガスの流量に対して５
ｖｏｌ％以上が好ましい。
【００２９】また、第２の高周波電源２３から下部電極
１２に、例えば１．８ＭＨｚの周波数を持つ第２の高周
波電力を０．５〜７．０Ｗ／ｃｍ2 （ウエハ面積１ｃｍ
2 当たりの電力）のパワーで印加して、Ｃ5Ｆ8／Ａｒ／
Ｏ2 プラズマ中のエッチング種を半導体基板１００に引
き込む。このようにすると、第２のシリコン酸化膜１０
３が選択的にドライエッチングされるので、図２（ｂ）
に示すように、第２のシリコン酸化膜１０３からなるハ
ードマスク１０５が形成される。
１２に、例えば１．８ＭＨｚの周波数を持つ第２の高周
波電力を０．５〜７．０Ｗ／ｃｍ2 （ウエハ面積１ｃｍ
2 当たりの電力）のパワーで印加して、Ｃ5Ｆ8／Ａｒ／
Ｏ2 プラズマ中のエッチング種を半導体基板１００に引
き込む。このようにすると、第２のシリコン酸化膜１０
３が選択的にドライエッチングされるので、図２（ｂ）
に示すように、第２のシリコン酸化膜１０３からなるハ
ードマスク１０５が形成される。
【００３０】次に、Ｃ5Ｆ8ガス及びＡｒガスの導入を停
止すると共にＯ2 ガスの流量を増加することにより、反
応室１０にＯ2 プラズマを発生させて、図２（ｃ）に示
すように、レジストパターン１０４をアッシングにより
除去する。
止すると共にＯ2 ガスの流量を増加することにより、反
応室１０にＯ2 プラズマを発生させて、図２（ｃ）に示
すように、レジストパターン１０４をアッシングにより
除去する。
【００３１】次に、図示は省略しているが、第１〜第３
のガスボンベ１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃを他のガスボンベ
に切り替えて、反応室１０に、Ｃｌ2 ガス、ＣＨＦ3 ガ
ス又はＢＣｌ3 ガス等の周知のエッチングガスを導入す
ることにより、ハードマスク１０５を用いて金属膜１０
２に対してドライエッチングを行なって、図２（ｄ）に
示すように、金属膜１０２からなる金属配線１０６を形
成する。
のガスボンベ１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃを他のガスボンベ
に切り替えて、反応室１０に、Ｃｌ2 ガス、ＣＨＦ3 ガ
ス又はＢＣｌ3 ガス等の周知のエッチングガスを導入す
ることにより、ハードマスク１０５を用いて金属膜１０
２に対してドライエッチングを行なって、図２（ｄ）に
示すように、金属膜１０２からなる金属配線１０６を形
成する。
【００３２】次に、他のガスボンベを第１及び第２のガ
スボンベ１３Ａ、１３Ｂに切り替えて、Ｃ5Ｆ8ガス及び
Ａｒガスを導入すると共に、第１の高周波電源１９から
柱状コイル１７に、例えば２．０ＭＨｚの周波数を持つ
第１の高周波電力を４００〜３０００Ｗのパワーで印加
して、反応室１０内にＣ5Ｆ8／Ａｒプラズマを発生させ
る。Ｃ5Ｆ8ガスとＡｒガスとの混合割合は体積流量比で
１：１から１：１０までの範囲内が好ましい。尚、Ｏ2
ガスについては、混合しなくてもよいが、堆積条件によ
っては若干量混合してもよい。
スボンベ１３Ａ、１３Ｂに切り替えて、Ｃ5Ｆ8ガス及び
Ａｒガスを導入すると共に、第１の高周波電源１９から
柱状コイル１７に、例えば２．０ＭＨｚの周波数を持つ
第１の高周波電力を４００〜３０００Ｗのパワーで印加
して、反応室１０内にＣ5Ｆ8／Ａｒプラズマを発生させ
る。Ｃ5Ｆ8ガスとＡｒガスとの混合割合は体積流量比で
１：１から１：１０までの範囲内が好ましい。尚、Ｏ2
ガスについては、混合しなくてもよいが、堆積条件によ
っては若干量混合してもよい。
【００３３】また、第２の高周波電源２３から下部電極
１２に、例えば１．８ＭＨｚの周波数を持つ第２の高周
波電力を０〜７．０Ｗ／ｃｍ2 のパワー（第２の高周波
電力は印加しなくてもよい。）で印加して、図２（ｅ）
に示すように、半導体基板１００の上に全面に亘って、
４以下の比誘電率を持ち層間絶縁膜となるフッ素含有有
機膜１０７を堆積する。
１２に、例えば１．８ＭＨｚの周波数を持つ第２の高周
波電力を０〜７．０Ｗ／ｃｍ2 のパワー（第２の高周波
電力は印加しなくてもよい。）で印加して、図２（ｅ）
に示すように、半導体基板１００の上に全面に亘って、
４以下の比誘電率を持ち層間絶縁膜となるフッ素含有有
機膜１０７を堆積する。
【００３４】次に、第１のガスボンベ１３ＡからのＣ5
Ｆ8ガスの導入を停止する一方、第２のガスボンベ１３
Ｂからのアルゴンガスの導入を継続すると共に、第１の
高周波電源１９から柱状コイル１７に例えば２．０ＭＨ
ｚの周波数を持つ第１の高周波電力を４００〜３０００
Ｗのパワーで印加し且つ第２の高周波電源２３から下部
電極１２に例えば１．８ＭＨｚの周波数を持つ第２の高
周波電力を０〜７．０Ｗ／ｃｍ2 のパワーで印加して、
フッ素含有有機膜１０７をＡｒプラズマに曝す。尚、ア
ルゴンガスの導入量は、特に限定されないが、標準状態
における１分間の体積流量として１８０ｍＬ／ｍｉｎ程
度が好ましい。
Ｆ8ガスの導入を停止する一方、第２のガスボンベ１３
Ｂからのアルゴンガスの導入を継続すると共に、第１の
高周波電源１９から柱状コイル１７に例えば２．０ＭＨ
ｚの周波数を持つ第１の高周波電力を４００〜３０００
Ｗのパワーで印加し且つ第２の高周波電源２３から下部
電極１２に例えば１．８ＭＨｚの周波数を持つ第２の高
周波電力を０〜７．０Ｗ／ｃｍ2 のパワーで印加して、
フッ素含有有機膜１０７をＡｒプラズマに曝す。尚、ア
ルゴンガスの導入量は、特に限定されないが、標準状態
における１分間の体積流量として１８０ｍＬ／ｍｉｎ程
度が好ましい。
【００３５】このようにして、フッ素含有有機膜１０７
をＡｒプラズマに曝すと、フッ素含有有機膜１０７はプ
ラズマの輻射熱によって加熱されるので、膜の温度は３
００℃程度まで上昇する。フッ素含有有機膜を３００℃
程度の温度下で３０秒間程度保持すると、該フッ素含有
有機膜１０７は緻密化される。
をＡｒプラズマに曝すと、フッ素含有有機膜１０７はプ
ラズマの輻射熱によって加熱されるので、膜の温度は３
００℃程度まで上昇する。フッ素含有有機膜を３００℃
程度の温度下で３０秒間程度保持すると、該フッ素含有
有機膜１０７は緻密化される。
【００３６】図３（ａ）はプラズマに曝す前のフッ素含
有有機膜のポリマー構造を示し、図３（ｂ）はプラズマ
に曝した後のフッ素含有有機膜のポリマー構造を示して
いる。図３（ａ）と図３（ｂ）との対比から明らかなよ
うに、フッ素含有有機膜をＡｒプラズマに曝すと、フッ
素含有有機膜の温度が上昇して、ポリマー構造中に存在
していた遊離フッ素が炭素原子と結合する。このため、
遊離フッ素の数が減少するので、フッ素含有有機膜１０
７は緻密化する。
有有機膜のポリマー構造を示し、図３（ｂ）はプラズマ
に曝した後のフッ素含有有機膜のポリマー構造を示して
いる。図３（ａ）と図３（ｂ）との対比から明らかなよ
うに、フッ素含有有機膜をＡｒプラズマに曝すと、フッ
素含有有機膜の温度が上昇して、ポリマー構造中に存在
していた遊離フッ素が炭素原子と結合する。このため、
遊離フッ素の数が減少するので、フッ素含有有機膜１０
７は緻密化する。
【００３７】本実施形態によると、同一の反応室１０の
内部において、半導体基板１００上にフルオロカーボン
（例えばＣ5Ｆ8ガス）を用いてフッ素含有有機膜１０７
を堆積する工程と、堆積されたフッ素含有有機膜１０７
を希ガス（例えばＡｒガス）からなるプラズマに曝して
緻密化する工程とを行なうため、半導体基板１００を緻
密化のために成膜装置からアニール装置に搬送する必要
がなくなる。このため、工程数を低減できると共に、搬
送中にパーティクルが付着して歩留りが低下する事態を
回避できる。また、フッ素含有有機膜１０７中に大気中
の水分が取り込まれ、取り込まれた水分と膜中の遊離フ
ッ素とが反応してフッ酸が形成されて、該フッ酸が金属
配線を腐食させることを防止できる。
内部において、半導体基板１００上にフルオロカーボン
（例えばＣ5Ｆ8ガス）を用いてフッ素含有有機膜１０７
を堆積する工程と、堆積されたフッ素含有有機膜１０７
を希ガス（例えばＡｒガス）からなるプラズマに曝して
緻密化する工程とを行なうため、半導体基板１００を緻
密化のために成膜装置からアニール装置に搬送する必要
がなくなる。このため、工程数を低減できると共に、搬
送中にパーティクルが付着して歩留りが低下する事態を
回避できる。また、フッ素含有有機膜１０７中に大気中
の水分が取り込まれ、取り込まれた水分と膜中の遊離フ
ッ素とが反応してフッ酸が形成されて、該フッ酸が金属
配線を腐食させることを防止できる。
【００３８】さらに、本実施形態においては、エッチン
グガスとして知られているＣ5Ｆ8ガスを成膜用の原料ガ
スとしても用いるため、第２のシリコン酸化膜１０３を
選択的にエッチングしてハードマスク１０５を形成する
工程と、フッ素含有有機膜１０７を堆積する工程とを、
同一の反応室１０の内部において行なうことができるの
で、工程数を一層削減できると共に、搬送中にパーティ
クルが付着する事態を一層回避できる。
グガスとして知られているＣ5Ｆ8ガスを成膜用の原料ガ
スとしても用いるため、第２のシリコン酸化膜１０３を
選択的にエッチングしてハードマスク１０５を形成する
工程と、フッ素含有有機膜１０７を堆積する工程とを、
同一の反応室１０の内部において行なうことができるの
で、工程数を一層削減できると共に、搬送中にパーティ
クルが付着する事態を一層回避できる。
【００３９】ところで、前記の実施形態においては、下
部電極１１の温度については、特に説明しなかったが、
堆積時には下部電極１１を低温にして半導体基板１００
の温度を低くすると、堆積レートが速くなるので、フッ
素含有有機膜１０７を効率良く得ることができる。
部電極１１の温度については、特に説明しなかったが、
堆積時には下部電極１１を低温にして半導体基板１００
の温度を低くすると、堆積レートが速くなるので、フッ
素含有有機膜１０７を効率良く得ることができる。
【００４０】従って、フッ素含有有機膜１０７を堆積す
る工程においては下部電極１１を冷却して半導体基板１
００の温度を低くしておくことが好ましい。ところが、
半導体基板１００の温度を低くしておくと、フッ素含有
有機膜１０７をＡｒプラズマに曝して緻密化する際の効
率が悪くなる。
る工程においては下部電極１１を冷却して半導体基板１
００の温度を低くしておくことが好ましい。ところが、
半導体基板１００の温度を低くしておくと、フッ素含有
有機膜１０７をＡｒプラズマに曝して緻密化する際の効
率が悪くなる。
【００４１】そこで、緻密化工程においては、下部電極
１１に通常設けられている突き上げピン（図示は省略し
ている。）を押し上げて、下部電極１１に保持されてい
る半導体基板１００を下部電極１１から数ｃｍ程度持ち
上げることにより、半導体基板１００を、冷却されてい
る下部電極１１から離すと共にプラズマ発生領域に接近
させることが好ましい。このようにすると、低温で堆積
することによりフッ素含有有機膜１０７を効率良く得ら
れると共に、得られたフッ素含有有機膜１０７をプラズ
マ発生領域に接近させることにより緻密にすることがで
きる。
１１に通常設けられている突き上げピン（図示は省略し
ている。）を押し上げて、下部電極１１に保持されてい
る半導体基板１００を下部電極１１から数ｃｍ程度持ち
上げることにより、半導体基板１００を、冷却されてい
る下部電極１１から離すと共にプラズマ発生領域に接近
させることが好ましい。このようにすると、低温で堆積
することによりフッ素含有有機膜１０７を効率良く得ら
れると共に、得られたフッ素含有有機膜１０７をプラズ
マ発生領域に接近させることにより緻密にすることがで
きる。
【００４２】尚、フッ素含有有機膜１０７を堆積するた
めの原料ガスとしては、Ｃ5Ｆ8ガスに代えて、ＣＦ4 ガ
ス、Ｃ2Ｆ6ガス、Ｃ3Ｆ6ガス、Ｃ4Ｆ6ガス又はＣ4Ｆ8ガ
ス等を用いることができるが、Ｃ5Ｆ8ガス、Ｃ3Ｆ6ガス
又はＣ4Ｆ8ガスは、他のパーフルオロカーボンガスより
も好ましい。その理由は、Ｃ5Ｆ8ガス、Ｃ3Ｆ6ガス又は
Ｃ4Ｆ8ガスはいずれも炭素の二重結合を有しているた
め、成膜時に炭素の二重結合が切れて各炭素原子が遊離
フッ素と結合する。このため、フッ素含有有機膜１０７
中の遊離フッ素が減少するので、堆積されたフッ素含有
有機膜１０７は緻密になる。
めの原料ガスとしては、Ｃ5Ｆ8ガスに代えて、ＣＦ4 ガ
ス、Ｃ2Ｆ6ガス、Ｃ3Ｆ6ガス、Ｃ4Ｆ6ガス又はＣ4Ｆ8ガ
ス等を用いることができるが、Ｃ5Ｆ8ガス、Ｃ3Ｆ6ガス
又はＣ4Ｆ8ガスは、他のパーフルオロカーボンガスより
も好ましい。その理由は、Ｃ5Ｆ8ガス、Ｃ3Ｆ6ガス又は
Ｃ4Ｆ8ガスはいずれも炭素の二重結合を有しているた
め、成膜時に炭素の二重結合が切れて各炭素原子が遊離
フッ素と結合する。このため、フッ素含有有機膜１０７
中の遊離フッ素が減少するので、堆積されたフッ素含有
有機膜１０７は緻密になる。
【００４３】［表１］は、ガスの種類と、大気寿命及び
ＧＷＰ100 （二酸化炭素の１００年間の温暖化能力を１
としたときの各ガスの温暖化能力を定量化した値）との
関係を示している。
ＧＷＰ100 （二酸化炭素の１００年間の温暖化能力を１
としたときの各ガスの温暖化能力を定量化した値）との
関係を示している。
【００４４】
【表１】
【００４５】［表１］から分かるように、Ｃ5Ｆ8ガス、
Ｃ3Ｆ6ガス及びＣ4Ｆ6ガスは、大気寿命が短いと共にＧ
ＷＰ100 が小さいため、地球の温暖化を招き難いので、
他のパーフルオロカーボンガスよりも好ましい。
Ｃ3Ｆ6ガス及びＣ4Ｆ6ガスは、大気寿命が短いと共にＧ
ＷＰ100 が小さいため、地球の温暖化を招き難いので、
他のパーフルオロカーボンガスよりも好ましい。
【００４６】また、Ｃ5Ｆ8ガス、Ｃ3Ｆ6ガス又はＣ4Ｆ6
ガスを原料ガスとして堆積したフッ素含有有機膜１０７
は、他のパーフルオロカーボンガスを用いて堆積された
フッ素含有有機膜に比べて、膜中に含まれる遊離フッ素
の数が少ないので、フッ素含有有機膜１０７の金属配線
１０６及び第１シリコン酸化膜１０１に対する密着性が
向上する。
ガスを原料ガスとして堆積したフッ素含有有機膜１０７
は、他のパーフルオロカーボンガスを用いて堆積された
フッ素含有有機膜に比べて、膜中に含まれる遊離フッ素
の数が少ないので、フッ素含有有機膜１０７の金属配線
１０６及び第１シリコン酸化膜１０１に対する密着性が
向上する。
【００４７】ところで、フッ素含有有機膜１０７を堆積
するための原料ガスとしては、Ｃ5Ｆ8ガスは、他のパー
フルオロカーボンガス例えばＣ2Ｆ6ガス又はＣ4Ｆ8ガス
よりも好ましい。その理由は、Ｃ5Ｆ8ガスを用いて堆積
されたフッ素含有有機膜の比誘電率は、他のパーフルオ
ロカーボンガスを用いて堆積されたフッ素含有有機膜の
比誘電率に比べて小さいからである。
するための原料ガスとしては、Ｃ5Ｆ8ガスは、他のパー
フルオロカーボンガス例えばＣ2Ｆ6ガス又はＣ4Ｆ8ガス
よりも好ましい。その理由は、Ｃ5Ｆ8ガスを用いて堆積
されたフッ素含有有機膜の比誘電率は、他のパーフルオ
ロカーボンガスを用いて堆積されたフッ素含有有機膜の
比誘電率に比べて小さいからである。
【００４８】図４は、Ｃ5Ｆ8ガス、Ｃ2Ｆ6ガス及びＣ4
Ｆ8ガスを用いて堆積したフッ素含有有機膜のＸＰＳ測
定結果を示している。図４から分かるように、Ｃ5Ｆ8ガ
スを用いて堆積したフッ素含有有機膜は、Ｃ2Ｆ6ガス又
はＣ4Ｆ8ガスを用いて堆積したフッ素含有有機膜に比べ
て、膜中に含まれるフッ素原子の量が多いことが確認で
きる。
Ｆ8ガスを用いて堆積したフッ素含有有機膜のＸＰＳ測
定結果を示している。図４から分かるように、Ｃ5Ｆ8ガ
スを用いて堆積したフッ素含有有機膜は、Ｃ2Ｆ6ガス又
はＣ4Ｆ8ガスを用いて堆積したフッ素含有有機膜に比べ
て、膜中に含まれるフッ素原子の量が多いことが確認で
きる。
【００４９】膜中に含まれるフッ素原子の量が多い理由
は、ガス分子量の大きいＣ5Ｆ8ガスを用いてプラズマを
生成するため、有機膜を構成するＣxＦy分子におけるフ
ッ素原子の数が多くなるからである。
は、ガス分子量の大きいＣ5Ｆ8ガスを用いてプラズマを
生成するため、有機膜を構成するＣxＦy分子におけるフ
ッ素原子の数が多くなるからである。
【００５０】例えば、Ｃ2Ｆ6ガスとＣ5Ｆ8ガスとを比較
すると、Ｃ2Ｆ6及びＣ5Ｆ8は、 Ｃ2Ｆ6→Ｃ2Ｆ5↓＋Ｆ↑ Ｃ5Ｆ8→Ｃ5Ｆ7↓＋Ｆ↑ のように解離する。有機膜となるのはＣ2Ｆ5又はＣ5Ｆ7
であるから、Ｃ5Ｆ7が堆積してできた膜は、Ｃ2Ｆ5が堆
積してできた膜に比べて、膜中のフッ素は当然多くな
る。
すると、Ｃ2Ｆ6及びＣ5Ｆ8は、 Ｃ2Ｆ6→Ｃ2Ｆ5↓＋Ｆ↑ Ｃ5Ｆ8→Ｃ5Ｆ7↓＋Ｆ↑ のように解離する。有機膜となるのはＣ2Ｆ5又はＣ5Ｆ7
であるから、Ｃ5Ｆ7が堆積してできた膜は、Ｃ2Ｆ5が堆
積してできた膜に比べて、膜中のフッ素は当然多くな
る。
【００５１】従って、Ｃ5Ｆ8ガスを用いて堆積したフッ
素含有有機膜１０７からなる層間絶縁膜における配線間
容量は、他のパーフルオロカーボンガスを用いて堆積し
たフッ素含有有機膜からなる層間絶縁膜の配線間容量よ
りも小さくなるので、金属配線１０６における配線遅延
は低減する。
素含有有機膜１０７からなる層間絶縁膜における配線間
容量は、他のパーフルオロカーボンガスを用いて堆積し
たフッ素含有有機膜からなる層間絶縁膜の配線間容量よ
りも小さくなるので、金属配線１０６における配線遅延
は低減する。
【００５２】尚、フッ素含有有機膜１０７を緻密化する
工程においては、アルゴンガスからなるプラズマを用い
たが、これに代えて、ヘリウムガス等の他の希ガスから
なるプラズマを用いてもよい。希ガスからなるプラズマ
は、フッ素含有有機膜１０７と化学的な反応を起こさな
いので、フッ素含有有機膜１０７の特性が変化する恐れ
はない。また、ヘリウムガスはアルゴンガスよりも熱伝
導率が高いため、フッ素含有有機膜１０７の温度を速や
かに上昇させるので、フッ素含有有機膜１０７は速やか
に緻密化される。
工程においては、アルゴンガスからなるプラズマを用い
たが、これに代えて、ヘリウムガス等の他の希ガスから
なるプラズマを用いてもよい。希ガスからなるプラズマ
は、フッ素含有有機膜１０７と化学的な反応を起こさな
いので、フッ素含有有機膜１０７の特性が変化する恐れ
はない。また、ヘリウムガスはアルゴンガスよりも熱伝
導率が高いため、フッ素含有有機膜１０７の温度を速や
かに上昇させるので、フッ素含有有機膜１０７は速やか
に緻密化される。
【００５３】
【発明の効果】本発明に係る第１又は第２の半導体装置
の製造方法によると、半導体基板を緻密化のためにアニ
ール装置に搬送する必要がなくなるので、工程数を低減
できると共に、搬送中にパーティクルが付着して歩留り
が低下するという事態を防止できる。
の製造方法によると、半導体基板を緻密化のためにアニ
ール装置に搬送する必要がなくなるので、工程数を低減
できると共に、搬送中にパーティクルが付着して歩留り
が低下するという事態を防止できる。
【００５４】特に、第２の半導体装置の製造方法による
と、フッ素含有有機膜中に取り込まれた水分と膜中の遊
離フッ素とが反応してフッ酸が生成される事態を回避で
きるので、フッ酸が金属配線を腐食させることを防止で
きる。
と、フッ素含有有機膜中に取り込まれた水分と膜中の遊
離フッ素とが反応してフッ酸が生成される事態を回避で
きるので、フッ酸が金属配線を腐食させることを防止で
きる。
【図１】図１は本発明の一実施形態に係る半導体装置の
製造方法に用いられる誘導結合型のプラズマ処理装置の
全体構成を示す断面図である。
製造方法に用いられる誘導結合型のプラズマ処理装置の
全体構成を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施形態に係る
半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図３】（ａ）はプラズマに曝す前のフッ素含有有機膜
のポリマー構造を示し、（ｂ）はプラズマに曝した後の
フッ素含有有機膜のポリマー構造を示している。
のポリマー構造を示し、（ｂ）はプラズマに曝した後の
フッ素含有有機膜のポリマー構造を示している。
【図４】Ｃ5Ｆ8ガス、Ｃ2Ｆ6ガス及びＣ4Ｆ8ガスを用い
て堆積したフッ素含有有機膜のＸＰＳ測定結果を示す図
である。
て堆積したフッ素含有有機膜のＸＰＳ測定結果を示す図
である。
１０ 反応室 １１ 下部電極 １２ 半導体基板 １３Ａ 第１のガスボンベ １３Ｂ 第２のガスボンベ １３Ｃ 第３のガスボンベ １４ 流路開閉弁 １５ ターボ分子ポンプ １６ ドライポンプ １７ 柱状コイル １８ 第１のマッチングコイル １９ 第１の高周波電源 ２１ コンデンサ ２２ 第２のマッチング回路 ２３ 第２の高周波電源 １００ 半導体基板 １０１ 第１のシリコン酸化膜 １０２ 金属膜 １０３ 第２のシリコン酸化膜 １０４ レジストパターン １０５ ハードマスク １０６ 金属配線 １０７ フッ素含有有機膜
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F004 BA20 BB11 BB18 BB22 BD04 CA01 CA06 DA00 DA04 DA11 DA16 DA23 DA26 DB03 DB09 DB16 EA06 EB02 EB03 FA08 5F033 HH08 HH11 QQ00 QQ28 QQ98 RR26 SS01 SS15 XX18 XX33 5F058 AA10 AC05 AC10 AE05 AF02 AG06 AG07 AH02 AH10
Claims (7)
- 【請求項１】 プラズマ処理装置の反応室内において、
フルオロカーボンを主成分とする原料ガスを用いて、半
導体基板上にフッ素含有有機膜を堆積する堆積工程と、 前記反応室内において、前記フッ素含有有機膜を希ガス
からなるプラズマに曝すことにより、前記フッ素含有有
機膜を緻密化する緻密化工程とを備えていることを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記堆積工程は、前記半導体基板を冷却
しながら前記フッ素含有有機膜を堆積する工程を含むこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３】 前記緻密化工程は、前記半導体基板を前
記反応室内のプラズマ発生領域の方に移動した状態で、
前記フッ素含有有機膜を前記希ガスからなるプラズマに
曝す工程を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 半導体基板上に堆積された金属膜の上に
レジスト膜又は絶縁膜からなるマスクパターンを形成す
る工程と、 前記金属膜に対して前記マスクパターンを用いてドライ
エッチングを行なって、前記金属膜からなる複数の金属
配線を形成する工程と、 プラズマ処理装置の反応室内において、フルオロカーボ
ンを主成分とする原料ガスを用いて、前記複数の金属配
線同士の間及び上面にフッ素含有有機膜からなる層間絶
縁膜を堆積する工程と、 前記反応室内において、前記フッ素含有有機膜を希ガス
からなるプラズマに曝すことにより、前記フッ素含有有
機膜を緻密化する工程とを備えていることを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記マスクパターンを形成する工程は、
前記金属膜の上に前記絶縁膜を堆積する工程と、前記絶
縁膜の上にレジストパターンを形成する工程と、前記レ
ジストパターンを用いて前記絶縁膜に対してドライエッ
チングを行なって前記マスクパターンを形成する工程と
を含み、 前記絶縁膜に対してドライエッチングを行なう工程は、
前記反応室内において行なわれることを特徴とする請求
項４に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記フルオロカーボンは、Ｃ5Ｆ8、Ｃ3
Ｆ6又はＣ4Ｆ6であることを特徴とする請求項１又は４
に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記希ガスは、アルゴンガスであること
を特徴とする請求項１又は４に記載の半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31908799A JP2001135633A (ja) | 1999-11-10 | 1999-11-10 | 半導体装置の製造方法 |
| US09/708,085 US6787445B1 (en) | 1999-11-10 | 2000-11-08 | Method for fabricating semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31908799A JP2001135633A (ja) | 1999-11-10 | 1999-11-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001135633A true JP2001135633A (ja) | 2001-05-18 |
Family
ID=18106355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31908799A Pending JP2001135633A (ja) | 1999-11-10 | 1999-11-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6787445B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001135633A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006022319A1 (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-02 | Tokyo Electron Limited | プラズマ成膜方法及びその装置 |
| JP2009295992A (ja) * | 2009-07-29 | 2009-12-17 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置 |
| US8608121B2 (en) | 2007-07-06 | 2013-12-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Device and method for fixing a reactor metering pipe |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7776736B2 (en) * | 2004-05-11 | 2010-08-17 | Tokyo Electron Limited | Substrate for electronic device capable of suppressing fluorine atoms exposed at the surface of insulating film from reacting with water and method for processing same |
| JP2006135303A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-05-25 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置、並びにプラズマ成膜装置に用いられる記憶媒体 |
| KR101425760B1 (ko) * | 2010-08-27 | 2014-08-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 방법, 기판 처리 방법, 패턴 형성 방법, 반도체 소자의 제조 방법, 및 반도체 소자 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2773530B2 (ja) * | 1992-04-15 | 1998-07-09 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3409984B2 (ja) * | 1996-11-14 | 2003-05-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JPH10199976A (ja) | 1997-01-10 | 1998-07-31 | Sony Corp | 多層配線の製造方法 |
| EP0881668A3 (en) * | 1997-05-28 | 2000-11-15 | Dow Corning Toray Silicone Company, Ltd. | Deposition of an electrically insulating thin film with a low dielectric constant |
| JP4141021B2 (ja) * | 1998-09-18 | 2008-08-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ成膜方法 |
-
1999
- 1999-11-10 JP JP31908799A patent/JP2001135633A/ja active Pending
-
2000
- 2000-11-08 US US09/708,085 patent/US6787445B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006022319A1 (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-02 | Tokyo Electron Limited | プラズマ成膜方法及びその装置 |
| JP2006093664A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-04-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ成膜方法及びその装置 |
| EP1786029A1 (en) * | 2004-08-25 | 2007-05-16 | Tokyo Electron Limited | Plasma film-forming method and apparatus therefor |
| EP1786029A4 (en) * | 2004-08-25 | 2009-01-07 | Tokyo Electron Ltd | PROCESS FOR FORMING PLASMA FILM AND IDOINE APPARATUS |
| KR100922448B1 (ko) | 2004-08-25 | 2009-10-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 성막방법 및 그 장치 |
| KR100944557B1 (ko) * | 2004-08-25 | 2010-02-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 성막방법 |
| US8608121B2 (en) | 2007-07-06 | 2013-12-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Device and method for fixing a reactor metering pipe |
| JP2009295992A (ja) * | 2009-07-29 | 2009-12-17 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6787445B1 (en) | 2004-09-07 |
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