JP2009295992A - 半導体装置の製造方法、半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】開口部44A内のF添加カーボン膜44の露出表面に、Taバリアメタル膜47の堆積に先立って、少なくとも前記開口部の側壁面および底面を覆うように、Fと反応した場合に安定な化合物を形成するAlなどの金属元素よりなる金属膜49を堆積する。
【選択図】図10
Description
請求項1に記載したように、
基板上にフッ素添加カーボン膜を、分子中にCとFとを含む原料ガスを使ったプラズマCVDプロセスにより堆積する工程と、
前記フッ素添加カーボン膜中にドライエッチングにより開口部を形成する工程と、
前記開口部の側壁面と底面を覆うように第1の金属膜を堆積する工程とよりなる半導体装置の製造方法において、
前記開口部を形成する工程の後、前記第1の金属膜を堆積する工程の前に、少なくとも前記開口部の側壁面および底面を覆うように、Fと反応した場合に安定な化合物を形成する金属元素よりなる第2の金属膜を堆積する工程を設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法により、または
請求項2に記載したように、
前記第2の金属膜は、Al,Ru,Ni,Co,Pt,Au,Agよりなる群のうちより選ばれることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法により、または
請求項3に記載したように、
基板と、
前記基板上に形成されたフッ素添加カーボン膜と、
前記フッ素添加カーボン膜中に形成された開口部と、
少なくとも前記開口部の側壁面と底面とを沿って形成された第1の金属膜とよりなる半導体装置において、
前記フッ素添加カーボン膜と前記第1の金属膜との間には、前記開口部の側壁面と底面とを覆うように、第2の金属膜が形成されており、
前記第2の金属膜には、前記フッ素添加カーボン膜が露出する前記開口部の側壁面との界面に沿って、フッ化物膜が形成されていることを特徴とする半導体装置により、または
請求項4に記載したように、
前記開口部は、その底部において銅配線パターンを露出し、前記第2の金属膜は、前記銅配線パターンとの界面に沿って、Cuを含む合金を形成することを特徴とする請求項3記載の半導体装置により、解決する。
図2(A),(B)は、本発明第1実施例で使われるマイクロ波プラズマ処理装置100の構成を示す。ただし図2(A)はマイクロ波プラズマ処理装置100の断面図を、また図2(B)はラジアルラインスロットアンテナの構成を示す図である。
[第2実施例]
先に説明した本発明の第1実施例においては、図6(D)のドライエッチング工程の後、前記開口部44Aの側壁面に付着した不純物を除去するためにクリーニング工程を行う必要があり、これをドライエッチング装置から大気中に取り出して行っていた。
[第3実施例]
図10は、本発明の第4実施例による半導体装置120の構成を示す。ただし図10中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
11 処理容器
11A、11B プロセス空間
11C 排気空間
11D 排気ポート
12 被処理基板
13 基板保持台
13A 高周波電源
14 リング状部材
14A プラズマガス供給ポート
14B プラズマガス通路
14C プラズマガス導入口
16A,16B シールリング
17 カバープレート
18 放射板
18a,18b スロット
19 遅相板
20 冷却ブロック
20A 冷媒通路
21,21A,21B 同軸導波管
22 アンテナ本体
23,24A 処理ガス通路
24 処理ガス導入部
24B ノズル
24C 開口部
30 ラジアルラインスロットアンテナ
41 基板
42 絶縁膜
42A 配線パターン
43 キャップ膜
44 F添加カーボン膜
45 ハードマスク膜
46 レジストパターン
47 Taバリアメタル膜
48 Cu層
48A Cuパターン
49 Al膜
60,80 クラスタ型基板処理装置
61,81 真空搬送室
62,82 ロードロック室
63〜66,83〜85 処理室
120 半導体装置
Claims (4)
- 基板上にフッ素添加カーボン膜を、分子中にCとFとを含む原料ガスを使ったプラズマCVDプロセスにより堆積する工程と、
前記フッ素添加カーボン膜中にドライエッチングにより開口部を形成する工程と、
前記開口部の側壁面と底面を覆うように第1の金属膜を堆積する工程とよりなる半導体装置の製造方法において、
前記開口部を形成する工程の後、前記第1の金属膜を堆積する工程の前に、少なくとも前記開口部の側壁面および底面を覆うように、Fと反応した場合に安定な化合物を形成する金属元素よりなる第2の金属膜を堆積する工程を設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2の金属膜は、Al,Ru,Ni,Co,Pt,Au,Agよりなる群のうちより選ばれることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 基板と、
前記基板上に形成されたフッ素添加カーボン膜と、
前記フッ素添加カーボン膜中に形成された開口部と、
少なくとも前記開口部の側壁面と底面とを沿って形成された第1の金属膜とよりなる半導体装置において、
前記フッ素添加カーボン膜と前記第1の金属膜との間には、前記開口部の側壁面と底面とを覆うように、第2の金属膜が形成されており、
前記第2の金属膜には、前記フッ素添加カーボン膜が露出する前記開口部の側壁面との界面に沿って、フッ化物膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記開口部は、その底部において銅配線パターンを露出し、前記第2の金属膜は、前記銅配線パターンとの界面に沿って、Cuを含む合金を形成することを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
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Title |
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JPN4007020038; 白藤立他: 'Low-GWPのC5F8を用いた耐熱性low-k a-C:F膜のPE-CVD' 第60回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 Vol.60th,No.2, 19990901, 711頁, 応用物理学会 * |
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