JP2001118828A - 処理液供給方法 - Google Patents
処理液供給方法Info
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- JP2001118828A JP2001118828A JP29555299A JP29555299A JP2001118828A JP 2001118828 A JP2001118828 A JP 2001118828A JP 29555299 A JP29555299 A JP 29555299A JP 29555299 A JP29555299 A JP 29555299A JP 2001118828 A JP2001118828 A JP 2001118828A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理液の使用量を低減でき、且つ、被処理体
表面に処理物が残るのを少なくできる処理液供給方法を
提供する。 【解決手段】 本発明に係る処理液供給方法は、ウエハ
Ｗを静止させた状態で、該ウエハＷ全面上にポリマー除
去液を供給する工程と、ウエハＷを静止させた状態で２
〜１０秒間放置する工程と、ウエハＷを回転させること
により、ウエハＷ上のポリマー除去液及び除去されたポ
リマーを振り切る工程と、ウエハＷの回転を停止し、そ
の状態でウエハＷを２〜５秒間保持する工程と、ウエハ
Ｗを回転させた状態で、ウエハＷ全面上にポリマー除去
液を供給する工程と、ウエハＷの回転を停止し、その状
態で２〜１０秒間放置する工程と、ウエハＷを回転させ
ることにより、ウエハＷ上のポリマー除去液及び除去さ
れたポリマーを振り切る工程と、具備するものである。
表面に処理物が残るのを少なくできる処理液供給方法を
提供する。 【解決手段】 本発明に係る処理液供給方法は、ウエハ
Ｗを静止させた状態で、該ウエハＷ全面上にポリマー除
去液を供給する工程と、ウエハＷを静止させた状態で２
〜１０秒間放置する工程と、ウエハＷを回転させること
により、ウエハＷ上のポリマー除去液及び除去されたポ
リマーを振り切る工程と、ウエハＷの回転を停止し、そ
の状態でウエハＷを２〜５秒間保持する工程と、ウエハ
Ｗを回転させた状態で、ウエハＷ全面上にポリマー除去
液を供給する工程と、ウエハＷの回転を停止し、その状
態で２〜１０秒間放置する工程と、ウエハＷを回転させ
ることにより、ウエハＷ上のポリマー除去液及び除去さ
れたポリマーを振り切る工程と、具備するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理体に処理液
を供給する処理液供給方法に関する。特には、処理液の
使用量を低減でき、且つ、被処理体表面に処理物が残る
のを少なくできる処理液供給方法に関する。
を供給する処理液供給方法に関する。特には、処理液の
使用量を低減でき、且つ、被処理体表面に処理物が残る
のを少なくできる処理液供給方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来の処理液供給方法の一例とし
てのポリマー除去方法について説明する。
てのポリマー除去方法について説明する。
【０００３】まず、ドライエッチング時に発生したポリ
マー（即ち、ドライエッチングによるホール内及びその
近傍に付着しているポリマー）を表面に有するウエハを
５００ｒｐｍ程度の高回転数で回転させる。この状態
で、一度ウエハ表面にポリマー除去液を供給し、なじま
せる。次に、ウエハの回転数を３０ｒｐｍ程度まで落と
し、ウエハ全面にポリマー除去液を供給する。この後、
ウエハの回転を停止し、ウエハを数分静止させた状態で
放置する。次に、ウエハを５００〜３０００ｒｐｍの回
転数で回転させる。これにより、ポリマー除去液及び除
去されたポリマーをウエハ表面から振り切り、取り除く
（ステップ１）。
マー（即ち、ドライエッチングによるホール内及びその
近傍に付着しているポリマー）を表面に有するウエハを
５００ｒｐｍ程度の高回転数で回転させる。この状態
で、一度ウエハ表面にポリマー除去液を供給し、なじま
せる。次に、ウエハの回転数を３０ｒｐｍ程度まで落と
し、ウエハ全面にポリマー除去液を供給する。この後、
ウエハの回転を停止し、ウエハを数分静止させた状態で
放置する。次に、ウエハを５００〜３０００ｒｐｍの回
転数で回転させる。これにより、ポリマー除去液及び除
去されたポリマーをウエハ表面から振り切り、取り除く
（ステップ１）。
【０００４】この後、ウエハの回転数を３０ｒｐｍ程度
まで落とし、ウエハ全面にポリマー除去液を供給する。
次に、ウエハの回転を停止し、ウエハを数分静止させた
状態で放置する。この後、ウエハを５００〜３０００ｒ
ｐｍの回転数で回転させる。これにより、ポリマー除去
液及び除去されたポリマーをウエハ表面から振り切り、
取り除く（ステップ２）。
まで落とし、ウエハ全面にポリマー除去液を供給する。
次に、ウエハの回転を停止し、ウエハを数分静止させた
状態で放置する。この後、ウエハを５００〜３０００ｒ
ｐｍの回転数で回転させる。これにより、ポリマー除去
液及び除去されたポリマーをウエハ表面から振り切り、
取り除く（ステップ２）。
【０００５】さらに、このようなポリマー除去液の供
給、放置、振り切り（ステップ２）を数回繰り返した
後、ウエハを水洗し、乾燥する。
給、放置、振り切り（ステップ２）を数回繰り返した
後、ウエハを水洗し、乾燥する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
処理液供給方法では、ステップ１において高回転数で回
転する被処理体としてのウエハに処理液としてのポリマ
ー除去液を供給するため、遠心力が働き、ウエハ表面の
中心部にポリマー除去液が供給されにくく、また、ウエ
ハ表面全体にポリマー除去液を供給しようとすると、ポ
リマー除去液の使用量が多くなる。
処理液供給方法では、ステップ１において高回転数で回
転する被処理体としてのウエハに処理液としてのポリマ
ー除去液を供給するため、遠心力が働き、ウエハ表面の
中心部にポリマー除去液が供給されにくく、また、ウエ
ハ表面全体にポリマー除去液を供給しようとすると、ポ
リマー除去液の使用量が多くなる。
【０００７】また、従来の処理液供給方法では、回転す
る被処理体（ウエハ）に処理液（ポリマー除去液）を供
給するため、部分的（例えばウエハ外周部）にポリマー
除去液が滞留してしまう。従って、一度除去された処理
物であるポリマーがウエハ表面に残り易い。特に、ドラ
イエッチングによるホールの底に付着しているポリマー
が除去されにくい。
る被処理体（ウエハ）に処理液（ポリマー除去液）を供
給するため、部分的（例えばウエハ外周部）にポリマー
除去液が滞留してしまう。従って、一度除去された処理
物であるポリマーがウエハ表面に残り易い。特に、ドラ
イエッチングによるホールの底に付着しているポリマー
が除去されにくい。
【０００８】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、処理液の使用量を低減で
き、且つ、被処理体表面に処理物が残るのを少なくでき
る処理液供給方法を提供することにある。
れたものであり、その目的は、処理液の使用量を低減で
き、且つ、被処理体表面に処理物が残るのを少なくでき
る処理液供給方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る処理液供給方法は、被処理体を静止さ
せた状態で、該被処理体全面上に処理液を供給する第１
の工程と、被処理体を静止させた状態で所定時間放置す
る第２の工程と、被処理体を回転させることにより、被
処理体上の処理液及び処理された処理物を振り切る第３
の工程と、を具備することを特徴とする。
め、本発明に係る処理液供給方法は、被処理体を静止さ
せた状態で、該被処理体全面上に処理液を供給する第１
の工程と、被処理体を静止させた状態で所定時間放置す
る第２の工程と、被処理体を回転させることにより、被
処理体上の処理液及び処理された処理物を振り切る第３
の工程と、を具備することを特徴とする。
【００１０】上記処理液供給方法では、第１の工程にお
いて被処理体を静止させた状態で被処理体の全面上に処
理液を供給するため、被処理体表面の中心部に処理液が
供給され易くなる。従って、処理液の使用量を従来に比
べて少なくすることができる。さらに、第２の工程にお
いて被処理体は処理液の処理能力によって処理され、第
３の工程において回転力によって処理物がかき出され
る。
いて被処理体を静止させた状態で被処理体の全面上に処
理液を供給するため、被処理体表面の中心部に処理液が
供給され易くなる。従って、処理液の使用量を従来に比
べて少なくすることができる。さらに、第２の工程にお
いて被処理体は処理液の処理能力によって処理され、第
３の工程において回転力によって処理物がかき出され
る。
【００１１】また、本発明に係る処理液供給方法におい
ては、前記第３の工程の後に、被処理体の回転を停止
し、その状態で被処理体を所定時間保持する第４の工程
と、被処理体を回転させた状態で、該被処理体全面上に
処理液を供給する第５の工程と、被処理体の回転を停止
し、その状態で所定時間放置する第６の工程と、被処理
体を回転させることにより、被処理体上の処理液及び処
理された処理物を振り切る第７の工程と、をさらに含む
ことが好ましい。
ては、前記第３の工程の後に、被処理体の回転を停止
し、その状態で被処理体を所定時間保持する第４の工程
と、被処理体を回転させた状態で、該被処理体全面上に
処理液を供給する第５の工程と、被処理体の回転を停止
し、その状態で所定時間放置する第６の工程と、被処理
体を回転させることにより、被処理体上の処理液及び処
理された処理物を振り切る第７の工程と、をさらに含む
ことが好ましい。
【００１２】また、本発明に係る処理液供給方法におい
ては、前記第７の工程の後に、被処理体の回転を停止
し、その状態で被処理体を所定時間保持する第８の工程
と、被処理体を回転させた状態で、該被処理体全面上に
処理液を供給する第９の工程と、被処理体の回転を停止
し、その状態で所定時間放置する第１０の工程と、被処
理体を回転させることにより、被処理体上の処理液及び
処理された処理物を振り切る第１１の工程と、をさらに
含むことが好ましい。
ては、前記第７の工程の後に、被処理体の回転を停止
し、その状態で被処理体を所定時間保持する第８の工程
と、被処理体を回転させた状態で、該被処理体全面上に
処理液を供給する第９の工程と、被処理体の回転を停止
し、その状態で所定時間放置する第１０の工程と、被処
理体を回転させることにより、被処理体上の処理液及び
処理された処理物を振り切る第１１の工程と、をさらに
含むことが好ましい。
【００１３】また、本発明に係る処理液供給方法におい
ては、前記第１の工程における処理液の供給時間が２秒
以上５秒以下、処理液の供給レートが５ｃｃ／ｓｅｃ以
上２０ｃｃ／ｓｅｃ以下であり、前記第２の工程におけ
る被処理体の放置時間が２秒以上１０秒以下であり、前
記第３の工程における被処理体の回転数が１５００ｒｐ
ｍ以上２５００ｒｐｍ以下、被処理体の回転時間が５秒
以上１０秒以下であることが好ましい。
ては、前記第１の工程における処理液の供給時間が２秒
以上５秒以下、処理液の供給レートが５ｃｃ／ｓｅｃ以
上２０ｃｃ／ｓｅｃ以下であり、前記第２の工程におけ
る被処理体の放置時間が２秒以上１０秒以下であり、前
記第３の工程における被処理体の回転数が１５００ｒｐ
ｍ以上２５００ｒｐｍ以下、被処理体の回転時間が５秒
以上１０秒以下であることが好ましい。
【００１４】また、本発明に係る処理液供給方法におい
ては、前記第４の工程における被処理体の保持時間が２
秒以上５秒以下であり、前記第５の工程における被処理
体の回転数が２０ｒｐｍ以上５０ｒｐｍ以下、被処理体
の回転時間が１秒以上５秒以下、処理液の供給レートが
５ｃｃ／ｓｅｃ以上２０ｃｃ／ｓｅｃ以下であり、前記
第６の工程における被処理体の放置時間が２秒以上１０
秒以下であり、前記第７の工程における被処理体の回転
数が１５００ｒｐｍ以上２５００ｒｐｍ以下、被処理体
の回転時間が５秒以上１０秒以下であことが好ましい。
ては、前記第４の工程における被処理体の保持時間が２
秒以上５秒以下であり、前記第５の工程における被処理
体の回転数が２０ｒｐｍ以上５０ｒｐｍ以下、被処理体
の回転時間が１秒以上５秒以下、処理液の供給レートが
５ｃｃ／ｓｅｃ以上２０ｃｃ／ｓｅｃ以下であり、前記
第６の工程における被処理体の放置時間が２秒以上１０
秒以下であり、前記第７の工程における被処理体の回転
数が１５００ｒｐｍ以上２５００ｒｐｍ以下、被処理体
の回転時間が５秒以上１０秒以下であことが好ましい。
【００１５】また、本発明に係る処理液供給方法におい
ては、前記第８の工程における被処理体の保持時間が２
秒以上５秒以下であり、前記第９の工程における被処理
体の回転数が２０ｒｐｍ以上５０ｒｐｍ以下、被処理体
の回転時間が１秒以上５秒以下、処理液の供給レートが
５ｃｃ／ｓｅｃ以上２０ｃｃ／ｓｅｃ以下であり、前記
第１０の工程における被処理体の放置時間が２秒以上１
０秒以下であり、前記第１１の工程における被処理体の
回転数が１５００ｒｐｍ以上２５００ｒｐｍ以下、被処
理体の回転時間が５秒以上１０秒以下であことが好まし
い。
ては、前記第８の工程における被処理体の保持時間が２
秒以上５秒以下であり、前記第９の工程における被処理
体の回転数が２０ｒｐｍ以上５０ｒｐｍ以下、被処理体
の回転時間が１秒以上５秒以下、処理液の供給レートが
５ｃｃ／ｓｅｃ以上２０ｃｃ／ｓｅｃ以下であり、前記
第１０の工程における被処理体の放置時間が２秒以上１
０秒以下であり、前記第１１の工程における被処理体の
回転数が１５００ｒｐｍ以上２５００ｒｐｍ以下、被処
理体の回転時間が５秒以上１０秒以下であことが好まし
い。
【００１６】また、本発明に係る処理液供給方法におい
ては、前記被処理体が表面にポリマーが付着しているウ
エハであり、前記処理液がポリマー除去液であり、前記
処理物がポリマーであることも可能である。
ては、前記被処理体が表面にポリマーが付着しているウ
エハであり、前記処理液がポリマー除去液であり、前記
処理物がポリマーであることも可能である。
【００１７】また、本発明に係る処理液供給方法におい
ては、前記被処理体が表面にＡｌ合金膜が成膜されてい
るウエハであり、前記処理液がエッチング液であること
も可能である。
ては、前記被処理体が表面にＡｌ合金膜が成膜されてい
るウエハであり、前記処理液がエッチング液であること
も可能である。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００１９】図１は、本発明の実施の形態による処理装
置の一例としてのエッチング装置を示す構成図である。
このエッチング装置は、上方が開口したカップ形状を有
する処理容器１を有している。この処理容器１の底部中
央には、回転シャフト２が鉛直方向に貫挿されており、
この回転シャフト２の処理容器１側の先端には、支持部
材７が取り付けられている。また、回転シャフト２のも
う一方の先端側には、回転シャフト２の回転数を制御す
る回転制御部４が接続されている。
置の一例としてのエッチング装置を示す構成図である。
このエッチング装置は、上方が開口したカップ形状を有
する処理容器１を有している。この処理容器１の底部中
央には、回転シャフト２が鉛直方向に貫挿されており、
この回転シャフト２の処理容器１側の先端には、支持部
材７が取り付けられている。また、回転シャフト２のも
う一方の先端側には、回転シャフト２の回転数を制御す
る回転制御部４が接続されている。
【００２０】支持部材７上には、円盤状の載置台３がそ
の表面を水平にして取り付けられている。この載置台３
上には、ウエハＷが載置されている。例えば、このウエ
ハＷは、真空チャックなどにより載置台３上に吸着支持
される。
の表面を水平にして取り付けられている。この載置台３
上には、ウエハＷが載置されている。例えば、このウエ
ハＷは、真空チャックなどにより載置台３上に吸着支持
される。
【００２１】載置台３の上方には、ポリマー除去液をウ
エハＷの表面上に供給するノズル６が配置されている。
このノズル６は、図示しないポリマー除去液収容タンク
と配管を介して接続されており、ポリマー除去液は、ポ
リマー除去液収容タンクから配管を通じて圧送されて、
ノズル６からウエハＷの表面に滴下されるようになって
いる。
エハＷの表面上に供給するノズル６が配置されている。
このノズル６は、図示しないポリマー除去液収容タンク
と配管を介して接続されており、ポリマー除去液は、ポ
リマー除去液収容タンクから配管を通じて圧送されて、
ノズル６からウエハＷの表面に滴下されるようになって
いる。
【００２２】制御部５は、回転制御部４及びノズル６に
電気的に接続されており、回転シャフトの回転数やポリ
マー除去液の供給レートの制御を行うようになってい
る。具体的には、制御部５は、後述するような制御を行
うように構成されている。
電気的に接続されており、回転シャフトの回転数やポリ
マー除去液の供給レートの制御を行うようになってい
る。具体的には、制御部５は、後述するような制御を行
うように構成されている。
【００２３】次に、上記構成を有するエッチング装置を
用いて処理液供給方法の一例としてポリマーを除去する
方法について説明する。
用いて処理液供給方法の一例としてポリマーを除去する
方法について説明する。
【００２４】まず、図１に示すように、ポリマー除去液
を塗布するウエハＷを載置台３上に載置する。ここで、
このウエハＷの表面には、図２示すドライエッチングに
よる深いホール１５ｂ及び図３に示すドライエッチング
による浅いホール１６ｂが形成されており、これらのホ
ール内及びその近傍にはポリマー（図示せず）が付着し
ている。すなわち、Ａｌ配線１１上にはＴｉＮ膜１３が
形成され、ＴｉＮ膜１３上には厚さｂのシリコン酸化膜
１５が形成され、シリコン酸化膜１６にはドライエッチ
ングによる深いホール１５ｂ及び浅いホール１６ｂが形
成され、シリコン酸化膜１６には前記ホール１５ｂ，１
６ｂ上に位置するウエットエッチングによる厚さａのホ
ール１５ａ及び厚さｃのホール１６ａが形成されてい
る。厚さｃは厚さａより薄い。前記ポリマーはドライエ
ッチングの際に付着するものであり、深いホール１５ｂ
には薄いポリマーがホール底まで付着し、浅いホール１
６ｂにはホール１６ａとホール１６ｂとの境界面にポリ
マーが厚く付着する。
を塗布するウエハＷを載置台３上に載置する。ここで、
このウエハＷの表面には、図２示すドライエッチングに
よる深いホール１５ｂ及び図３に示すドライエッチング
による浅いホール１６ｂが形成されており、これらのホ
ール内及びその近傍にはポリマー（図示せず）が付着し
ている。すなわち、Ａｌ配線１１上にはＴｉＮ膜１３が
形成され、ＴｉＮ膜１３上には厚さｂのシリコン酸化膜
１５が形成され、シリコン酸化膜１６にはドライエッチ
ングによる深いホール１５ｂ及び浅いホール１６ｂが形
成され、シリコン酸化膜１６には前記ホール１５ｂ，１
６ｂ上に位置するウエットエッチングによる厚さａのホ
ール１５ａ及び厚さｃのホール１６ａが形成されてい
る。厚さｃは厚さａより薄い。前記ポリマーはドライエ
ッチングの際に付着するものであり、深いホール１５ｂ
には薄いポリマーがホール底まで付着し、浅いホール１
６ｂにはホール１６ａとホール１６ｂとの境界面にポリ
マーが厚く付着する。
【００２５】この後、ウエハＷを静止させた状態で、ウ
エハＷの外周部にポリマー除去液をノズル６から供給
（滴下）し、ウエハＷ表面がポリマー除去液で満たされ
た時点でポリマー除去液の供給を止める。このときのポ
リマー除去液の供給時間は、２秒〜５秒程度が好まし
く、特に好ましくは４秒である。また、ポリマー除去液
の供給レートは、例えば５ｃｃ／ｓｅｃ〜２０ｃｃ／ｓ
ｅｃであることが好ましい。
エハＷの外周部にポリマー除去液をノズル６から供給
（滴下）し、ウエハＷ表面がポリマー除去液で満たされ
た時点でポリマー除去液の供給を止める。このときのポ
リマー除去液の供給時間は、２秒〜５秒程度が好まし
く、特に好ましくは４秒である。また、ポリマー除去液
の供給レートは、例えば５ｃｃ／ｓｅｃ〜２０ｃｃ／ｓ
ｅｃであることが好ましい。
【００２６】次に、このウエハＷを静止した状態で放置
する。このときの放置時間は、２秒〜１０秒程度が好ま
しく、特に好ましくは２秒である。このように従来のポ
リマー除去方法に比べてウエハ放置時間を少なくするこ
とにより、ポリマー除去の処理時間を短縮することがで
きる。後述するウエハ放置時間においても同様である。
する。このときの放置時間は、２秒〜１０秒程度が好ま
しく、特に好ましくは２秒である。このように従来のポ
リマー除去方法に比べてウエハ放置時間を少なくするこ
とにより、ポリマー除去の処理時間を短縮することがで
きる。後述するウエハ放置時間においても同様である。
【００２７】この後、図１に示す回転制御部４により回
転シャフト２を回転させてウエハＷを回転させる。これ
により、ポリマー除去液及び除去されたポリマーをウエ
ハＷ表面から振り切り、取り除く（ステップ１）。この
ときの回転数は、１５００ｒｐｍ〜２５００ｒｐｍであ
ることが好ましく、特に好ましくは２０００ｒｐｍであ
る。また、回転時間は、５秒〜１０秒程度が好ましく、
特に好ましくは１０秒である。このステップ１により、
深いホール１５ｂに薄くホール底まで付着しているポリ
マーが主に除去される。
転シャフト２を回転させてウエハＷを回転させる。これ
により、ポリマー除去液及び除去されたポリマーをウエ
ハＷ表面から振り切り、取り除く（ステップ１）。この
ときの回転数は、１５００ｒｐｍ〜２５００ｒｐｍであ
ることが好ましく、特に好ましくは２０００ｒｐｍであ
る。また、回転時間は、５秒〜１０秒程度が好ましく、
特に好ましくは１０秒である。このステップ１により、
深いホール１５ｂに薄くホール底まで付着しているポリ
マーが主に除去される。
【００２８】次に、ウエハＷの回転を停止し、ウエハＷ
を静止させた状態でウエハを保持する。このときのウエ
ハ保持時間は、２秒〜５秒程度が好ましく、特に好まし
くは３秒である。
を静止させた状態でウエハを保持する。このときのウエ
ハ保持時間は、２秒〜５秒程度が好ましく、特に好まし
くは３秒である。
【００２９】この後、回転制御部４により回転シャフト
２を回転させてウエハＷを回転させると共に、ウエハＷ
の外周部にポリマー除去液をノズル６から供給（滴下）
する。このときの回転数は、２０ｒｐｍ〜５０ｒｐｍで
あることが好ましく、特に好ましくは３０ｒｐｍであ
る。また、回転時間（即ち、ポリマー除去液の供給時
間）は、１秒〜５秒程度が好ましく、特に好ましくは３
秒である。また、ポリマー除去液の供給レートは、例え
ば５ｃｃ／ｓｅｃ〜２０ｃｃ／ｓｅｃであることが好ま
しい。
２を回転させてウエハＷを回転させると共に、ウエハＷ
の外周部にポリマー除去液をノズル６から供給（滴下）
する。このときの回転数は、２０ｒｐｍ〜５０ｒｐｍで
あることが好ましく、特に好ましくは３０ｒｐｍであ
る。また、回転時間（即ち、ポリマー除去液の供給時
間）は、１秒〜５秒程度が好ましく、特に好ましくは３
秒である。また、ポリマー除去液の供給レートは、例え
ば５ｃｃ／ｓｅｃ〜２０ｃｃ／ｓｅｃであることが好ま
しい。
【００３０】次に、このウエハＷを静止した状態で放置
する。このときの放置時間は、２秒〜１０秒程度が好ま
しく、特に好ましくは２秒である。
する。このときの放置時間は、２秒〜１０秒程度が好ま
しく、特に好ましくは２秒である。
【００３１】この後、回転制御部４により回転シャフト
２を回転させてウエハＷを回転させる。これにより、ポ
リマー除去液及び除去されたポリマーをウエハＷ表面か
ら振り切り、取り除く（ステップ２）。このときの回転
数は、１５００ｒｐｍ〜２５００ｒｐｍであることが好
ましく、特に好ましくは２０００ｒｐｍである。また、
回転時間は、５秒〜１０秒程度が好ましく、特に好まし
くは１０秒である。このステップ２により、深いホール
１５ｂに薄くホール底まで付着しているポリマーが主に
除去される。
２を回転させてウエハＷを回転させる。これにより、ポ
リマー除去液及び除去されたポリマーをウエハＷ表面か
ら振り切り、取り除く（ステップ２）。このときの回転
数は、１５００ｒｐｍ〜２５００ｒｐｍであることが好
ましく、特に好ましくは２０００ｒｐｍである。また、
回転時間は、５秒〜１０秒程度が好ましく、特に好まし
くは１０秒である。このステップ２により、深いホール
１５ｂに薄くホール底まで付着しているポリマーが主に
除去される。
【００３２】次に、ウエハＷの回転を停止し、ウエハＷ
を静止させた状態でウエハを保持する。このときのウエ
ハ保持時間は、２秒〜５秒程度が好ましく、特に好まし
くは３秒である。
を静止させた状態でウエハを保持する。このときのウエ
ハ保持時間は、２秒〜５秒程度が好ましく、特に好まし
くは３秒である。
【００３３】この後、回転制御部４により回転シャフト
２を回転させてウエハＷを回転させると共に、ウエハＷ
の外周部にポリマー除去液をノズル６から供給（滴下）
する。このときの回転数は、１０ｒｐｍ〜５０ｒｐｍで
あることが好ましく、特に好ましくは３０ｒｐｍであ
る。また、回転時間（即ち、ポリマー除去液の供給時
間）は、１秒〜５秒程度が好ましく、特に好ましくは３
秒である。また、ポリマー除去液の供給レートは、例え
ば５ｃｃ／ｓｅｃ〜２０ｃｃ／ｓｅｃであることが好ま
しい。
２を回転させてウエハＷを回転させると共に、ウエハＷ
の外周部にポリマー除去液をノズル６から供給（滴下）
する。このときの回転数は、１０ｒｐｍ〜５０ｒｐｍで
あることが好ましく、特に好ましくは３０ｒｐｍであ
る。また、回転時間（即ち、ポリマー除去液の供給時
間）は、１秒〜５秒程度が好ましく、特に好ましくは３
秒である。また、ポリマー除去液の供給レートは、例え
ば５ｃｃ／ｓｅｃ〜２０ｃｃ／ｓｅｃであることが好ま
しい。
【００３４】次に、このウエハＷを静止した状態で放置
する。このときの放置時間は、２秒〜１０秒程度が好ま
しく、特に好ましくは２秒である。
する。このときの放置時間は、２秒〜１０秒程度が好ま
しく、特に好ましくは２秒である。
【００３５】この後、回転制御部４により回転シャフト
２を回転させてウエハＷを回転させる。これにより、ポ
リマー除去液及び除去されたポリマーをウエハＷ表面か
ら振り切り、取り除く（ステップ３）。このときの回転
数は、１５００ｒｐｍ〜２５００ｒｐｍであることが好
ましく、特に好ましくは２０００ｒｐｍである。また、
回転時間は、５秒〜１０秒程度が好ましく、特に好まし
くは１０秒である。このステップ３により、ホール１６
ａとホール１６ｂの境界面に厚く付着しているポリマー
が主に除去される。つまり、ホール内に厚く付着してい
るポリマーは、ポリマー除去液のポリマー分解能力と回
転力（渦）によってかき出される。
２を回転させてウエハＷを回転させる。これにより、ポ
リマー除去液及び除去されたポリマーをウエハＷ表面か
ら振り切り、取り除く（ステップ３）。このときの回転
数は、１５００ｒｐｍ〜２５００ｒｐｍであることが好
ましく、特に好ましくは２０００ｒｐｍである。また、
回転時間は、５秒〜１０秒程度が好ましく、特に好まし
くは１０秒である。このステップ３により、ホール１６
ａとホール１６ｂの境界面に厚く付着しているポリマー
が主に除去される。つまり、ホール内に厚く付着してい
るポリマーは、ポリマー除去液のポリマー分解能力と回
転力（渦）によってかき出される。
【００３６】次に、ウエハＷ表面を水洗する。すなわ
ち、回転制御部４により回転シャフト２を回転させてウ
エハＷを回転させると共に、ウエハＷ表面に純水を供給
する。このときウエハＷは、まず５００ｒｐｍの回転数
で５秒間回転させた後、１５００ｒｐｍの回転数で５秒
間回転させ、次に、５００ｒｐｍの回転数で５秒間回転
させるものとする。
ち、回転制御部４により回転シャフト２を回転させてウ
エハＷを回転させると共に、ウエハＷ表面に純水を供給
する。このときウエハＷは、まず５００ｒｐｍの回転数
で５秒間回転させた後、１５００ｒｐｍの回転数で５秒
間回転させ、次に、５００ｒｐｍの回転数で５秒間回転
させるものとする。
【００３７】この後、ウエハＷを乾燥させる。すなわ
ち、回転制御部４により回転シャフト２を回転させてウ
エハＷを回転させる。このときウエハＷは、まず１５０
０ｒｐｍの回転数で２秒間回転させた後、３０００ｒｐ
ｍの回転数で１０秒間回転させ、次に、１０００ｒｐｍ
の回転数で１秒間回転させるものとする。
ち、回転制御部４により回転シャフト２を回転させてウ
エハＷを回転させる。このときウエハＷは、まず１５０
０ｒｐｍの回転数で２秒間回転させた後、３０００ｒｐ
ｍの回転数で１０秒間回転させ、次に、１０００ｒｐｍ
の回転数で１秒間回転させるものとする。
【００３８】上記実施の形態によれば、ステップ１にお
いてウエハＷを静止させた状態でウエハＷの外周部にポ
リマー除去液をノズル６から供給（滴下）するため、ウ
エハ表面の中心部にポリマー除去液が供給され易くな
る。従って、ポリマー除去液の使用量を従来のポリマー
除去方法に比べて少なくすることができる。
いてウエハＷを静止させた状態でウエハＷの外周部にポ
リマー除去液をノズル６から供給（滴下）するため、ウ
エハ表面の中心部にポリマー除去液が供給され易くな
る。従って、ポリマー除去液の使用量を従来のポリマー
除去方法に比べて少なくすることができる。
【００３９】また、本実施の形態では、一度除去された
ポリマーがウエハ表面に残りにくく、深いホール１５ｂ
及び浅いホール１６ｂそれぞれの底に付着しているポリ
マーを十分に除去することができる。すなわち、深いホ
ール１５ｂに薄くホール底まで付着しているポリマー
を、ステップ１，２により主に除去することができ、浅
いホール１６ｂにおいてホール１６ａとホール１６ｂの
境界面に厚く付着しているポリマーを、ステップ３によ
り主に除去することができる。このようにホールの深い
浅いを問わずポリマーを十分に除去することができる。
従って、ウエハの面内均一にポリマーを完全に除去で
き、ポリマーが多く付着しているウエハ外周部において
もポリマー残りが発生することもない。
ポリマーがウエハ表面に残りにくく、深いホール１５ｂ
及び浅いホール１６ｂそれぞれの底に付着しているポリ
マーを十分に除去することができる。すなわち、深いホ
ール１５ｂに薄くホール底まで付着しているポリマー
を、ステップ１，２により主に除去することができ、浅
いホール１６ｂにおいてホール１６ａとホール１６ｂの
境界面に厚く付着しているポリマーを、ステップ３によ
り主に除去することができる。このようにホールの深い
浅いを問わずポリマーを十分に除去することができる。
従って、ウエハの面内均一にポリマーを完全に除去で
き、ポリマーが多く付着しているウエハ外周部において
もポリマー残りが発生することもない。
【００４０】また、本実施の形態では、ポリマーの除去
効率を従来のポリマー除去方法に比べて高くすることが
できるため、スループットを向上させることができる。
効率を従来のポリマー除去方法に比べて高くすることが
できるため、スループットを向上させることができる。
【００４１】尚、本実施の形態において、ステップ１に
おけるポリマー除去液の供給時間がステップ２，３に比
べて１秒間多い理由は、ウエハ表面にポリマー除去液が
なじんでいないためである。
おけるポリマー除去液の供給時間がステップ２，３に比
べて１秒間多い理由は、ウエハ表面にポリマー除去液が
なじんでいないためである。
【００４２】また、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
本実施の形態では、ステップ１〜３それぞれにおいて同
一のノズル６の位置からポリマー除去液を供給している
が、ステップ１〜３それぞれで異なるノズル６の位置か
らポリマー除去液を供給することも可能であり、例えば
ノズル６の位置をステップ１〜３でウエハの回転方向に
１２０°ずつずらしてポリマー除去液を供給することも
可能である。
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
本実施の形態では、ステップ１〜３それぞれにおいて同
一のノズル６の位置からポリマー除去液を供給している
が、ステップ１〜３それぞれで異なるノズル６の位置か
らポリマー除去液を供給することも可能であり、例えば
ノズル６の位置をステップ１〜３でウエハの回転方向に
１２０°ずつずらしてポリマー除去液を供給することも
可能である。
【００４３】また、本実施の形態では、ステップ１〜３
によるポリマー除去を行っているが、ステップ１以後の
ステップ回数を適宜変更することも可能である。
によるポリマー除去を行っているが、ステップ１以後の
ステップ回数を適宜変更することも可能である。
【００４４】また、上記実施の形態では、本発明の処理
液供給方法を、ウエハの表面に付着しているポリマーを
ポリマー除去液により除去する方法に適用しているが、
本発明はこれに限定されるものではなく、本発明を他の
処理液供給方法に適用することも可能であり、例えばウ
エハ表面に成膜されたＡｌ合金膜をウエットエッチング
により加工する際のエッチング液供給方法に本発明を適
用することも可能である。この場合は、エッチング量に
応じてエッチング液の供給量を適宜調整することが好ま
しく、また、エッチング量に応じてステップ１以後のス
テップ回数を適宜調整することが好ましい。
液供給方法を、ウエハの表面に付着しているポリマーを
ポリマー除去液により除去する方法に適用しているが、
本発明はこれに限定されるものではなく、本発明を他の
処理液供給方法に適用することも可能であり、例えばウ
エハ表面に成膜されたＡｌ合金膜をウエットエッチング
により加工する際のエッチング液供給方法に本発明を適
用することも可能である。この場合は、エッチング量に
応じてエッチング液の供給量を適宜調整することが好ま
しく、また、エッチング量に応じてステップ１以後のス
テップ回数を適宜調整することが好ましい。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、処
理液の使用量を低減でき、且つ、被処理体表面に処理物
が残るのを少なくできる処理液供給方法を提供すること
ができる。
理液の使用量を低減でき、且つ、被処理体表面に処理物
が残るのを少なくできる処理液供給方法を提供すること
ができる。
【図１】本発明の実施の形態による処理装置の一例とし
てのエッチング装置を示す構成図である。
てのエッチング装置を示す構成図である。
【図２】図１に示すウエハの一部であってドライエッチ
ングによる深いホールを示す断面図である。
ングによる深いホールを示す断面図である。
【図３】図１に示すウエハの一部であってドライエッチ
ングによる浅いホールを示す断面図である。
ングによる浅いホールを示す断面図である。
１…処理容器 ２…回転シャフト ３…載置台 ４…回転制御部 ５…制御部 ６…ノズル ７…支持部材 １１…Ａｌ配線 １３…ＴｉＮ膜 １５…シリコン酸化膜 １５ａ…ホール、 １５ｂ…ドライエッチングによる深いホール １６ａ…ホール、 １６ｂ…ドライエッチングによる浅いホール Ｗ…ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｚ ５Ｆ０４６ 21/308 21/306 Ｒ Ｆターム(参考） 2H096 GA29 HA18 LA30 4G068 AA01 AB15 AC05 AD06 AD16 AD49 AF18 4K057 WA01 WB06 WB11 WB15 WB20 WG10 WM11 WM20 5F004 AA14 FA08 5F043 AA01 BB27 DD30 EE08 EE27 GG10 5F046 MA02 MA07 MA18
Claims (8)
- 【請求項１】 被処理体を静止させた状態で、該被処理
体全面上に処理液を供給する第１の工程と、 被処理体を静止させた状態で所定時間放置する第２の工
程と、 被処理体を回転させることにより、被処理体上の処理液
及び処理された処理物を振り切る第３の工程と、 を具備することを特徴とする処理液供給方法。 - 【請求項２】 前記第３の工程の後に、被処理体の回転
を停止し、その状態で被処理体を所定時間保持する第４
の工程と、 被処理体を回転させた状態で、該被処理体全面上に処理
液を供給する第５の工程と、 被処理体の回転を停止し、その状態で所定時間放置する
第６の工程と、 被処理体を回転させることにより、被処理体上の処理液
及び処理された処理物を振り切る第７の工程と、 をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の処理液供
給方法。 - 【請求項３】 前記第７の工程の後に、被処理体の回転
を停止し、その状態で被処理体を所定時間保持する第８
の工程と、 被処理体を回転させた状態で、該被処理体全面上に処理
液を供給する第９の工程と、 被処理体の回転を停止し、その状態で所定時間放置する
第１０の工程と、 被処理体を回転させることにより、被処理体上の処理液
及び処理された処理物を振り切る第１１の工程と、 をさらに含むことを特徴とする請求項２記載の処理液供
給方法。 - 【請求項４】 前記第１の工程における処理液の供給時
間が２秒以上５秒以下、処理液の供給レートが５ｃｃ／
ｓｅｃ以上２０ｃｃ／ｓｅｃ以下であり、前記第２の工
程における被処理体の放置時間が２秒以上１０秒以下で
あり、前記第３の工程における被処理体の回転数が１５
００ｒｐｍ以上２５００ｒｐｍ以下、被処理体の回転時
間が５秒以上１０秒以下であることを特徴とする請求項
１〜３のうちいずれか１項記載の処理液供給方法。 - 【請求項５】 前記第４の工程における被処理体の保持
時間が２秒以上５秒以下であり、前記第５の工程におけ
る被処理体の回転数が２０ｒｐｍ以上５０ｒｐｍ以下、
被処理体の回転時間が１秒以上５秒以下、処理液の供給
レートが５ｃｃ／ｓｅｃ以上２０ｃｃ／ｓｅｃ以下であ
り、前記第６の工程における被処理体の放置時間が２秒
以上１０秒以下であり、前記第７の工程における被処理
体の回転数が１５００ｒｐｍ以上２５００ｒｐｍ以下、
被処理体の回転時間が５秒以上１０秒以下であことを特
徴とする請求項４記載の処理液供給方法。 - 【請求項６】 前記第８の工程における被処理体の保持
時間が２秒以上５秒以下であり、前記第９の工程におけ
る被処理体の回転数が２０ｒｐｍ以上５０ｒｐｍ以下、
被処理体の回転時間が１秒以上５秒以下、処理液の供給
レートが５ｃｃ／ｓｅｃ以上２０ｃｃ／ｓｅｃ以下であ
り、前記第１０の工程における被処理体の放置時間が２
秒以上１０秒以下であり、前記第１１の工程における被
処理体の回転数が１５００ｒｐｍ以上２５００ｒｐｍ以
下、被処理体の回転時間が５秒以上１０秒以下であこと
を特徴とする請求項５記載の処理液供給方法。 - 【請求項７】 前記被処理体が表面にポリマーが付着し
ているウエハであり、前記処理液がポリマー除去液であ
り、前記処理物がポリマーであることを特徴とする請求
項１〜６のうちいずれか１項記載の処理液供給方法。 - 【請求項８】 前記被処理体が表面にＡｌ合金膜が成膜
されているウエハであり、前記処理液がエッチング液で
あることを特徴とする請求項１〜６のうちいずれか１項
記載の処理液供給方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29555299A JP2001118828A (ja) | 1999-10-18 | 1999-10-18 | 処理液供給方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29555299A JP2001118828A (ja) | 1999-10-18 | 1999-10-18 | 処理液供給方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001118828A true JP2001118828A (ja) | 2001-04-27 |
Family
ID=17822131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29555299A Withdrawn JP2001118828A (ja) | 1999-10-18 | 1999-10-18 | 処理液供給方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001118828A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010073895A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1999
- 1999-10-18 JP JP29555299A patent/JP2001118828A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010073895A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20070222 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20070306 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070427 |