JP2001076611A - 回路保護素子 - Google Patents

回路保護素子

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JP2001076611A
JP2001076611A JP25126999A JP25126999A JP2001076611A JP 2001076611 A JP2001076611 A JP 2001076611A JP 25126999 A JP25126999 A JP 25126999A JP 25126999 A JP25126999 A JP 25126999A JP 2001076611 A JP2001076611 A JP 2001076611A
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JP
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fuse element
heat radiation
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sides
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JP25126999A
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English (en)
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Etsuji Yamaoka
悦二 山岡
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Koa Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 パルス特性を改善することができる回路保護
素子を提供する。 【解決手段】 セラミック基板21の両側に電極22を
設け、これら電極22に連通するように帯状のヒューズ
エレメント11をCu鍍金膜で形成したヒューズ素子1
0において、ヒューズエレメント11に側方に突出する
放熱部11cを形成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は回路保護素子に係
り、特に外形寸法が1〜2mm程度の基板に金属被膜の
ヒューズエレメントを配置したチップ型の回路保護素子
に関する。
【0002】
【従来の技術】チップ型の回路保護素子としては、例え
ば図2に示すようなチップ型のヒューズ素子20が知ら
れている。これは角板状のアルミナ等のセラミック基板
21の両側に電極22を設け、両電極22間に金属被膜
からなるヒューズエレメント23を設け、これを保護膜
24で被覆したものである。ヒューズエレメント23
は、幅W3が約20μmで長さL3が約1.2mm〜
0.6mm程度の直線的な帯状に形成されており、その
中央部には狭隘部23aが設けられている。
【0003】係るヒューズ素子20においては、過電流
が流れると、ヒューズエレメント23の狭隘部23aに
電流が集中し、発熱を起こすことによりヒューズエレメ
ント23が溶断し、このヒューズ素子20に接続された
各種電子機器を保護するようになっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のヒューズ素子20にあっては、ヒューズエレ
メント23の長さL3が短いことからパルス的な電流で
溶断され易く、パルス特性が劣ってしまうという問題が
ある。この対策として、ヒューズエレメントのパターン
をコイル状に引き回してヒューズエレメントの長さを長
くすることにより、インダクタンス分を増加させてパル
ス特性を改善することができるが、面実装タイプのよう
に有効面積が小さいものでは、逆にヒューズエレメント
を引き回すことにより接近する箇所が生じ、アーク放電
が発生して破損する恐れが生じる。
【0005】本発明は上記事情に鑑み為されたもので、
パルス特性を改善することができる回路保護素子を提供
することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に記載の回路保護素子は、基板の両側に電
極を設け、該電極に連通するように帯状のヒューズエレ
メントを金属被膜で形成した回路保護素子において、前
記ヒューズエレメントに側方に突出する放熱部を形成し
たことを特徴とする。
【0007】請求項1の発明においては、ヒューズエレ
メントの放熱部がパルス的な電流が流れた時にその電流
分布を分散するので、放熱が分散して行われる。そのた
め、パルス的な電流がヒューズエレメントに流れても容
易に溶断されることがなく、パルス特性が改善される。
【0008】前記放熱部は正方形状に帯状の前記ヒュー
ズエレメントから突出していることが好ましい。尚、放
熱部は必要に応じて複数箇所形成してもよく、また形状
も矩形、円形、半円形等適宜に適切な形状を選択するこ
とができる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図1
を参照しつつ説明する。なお、図1において図2と同一
構成要素には同一符号を付してその説明を簡略化する。
【0010】このヒューズ素子(回路保護素子)10
は、角板状のセラミック基板(基板)21の両側に設け
られた両電極22間に、厚さ2〜20μm程度のCu鍍
金膜(金属被膜)からなるヒューズエレメント11を配
置し、このヒューズエレメント11をガラス及び/又は
エポキシ樹脂等の保護膜24で被覆し保護したものであ
る。セラミック基板21の寸法としては、例えば2mm
×1.25mm又は1.6mm×0.8mm程度の通常
のチップ部品のサイズが採用されている。電極22は、
厚さ2〜20μm程度のCu鍍金膜によりヒューズエレ
メント11と一体的に形成されている。
【0011】ヒューズエレメント11は、幅Wが約20
μmで長さLが約1.2mm〜0.6mm程度の直線的
な帯状に形成されたエレメント本体部11aと、その中
央部に設けられた狭隘部11bと、エレメント本体部1
1aの側方に1辺が約20μm程度の正方形状に突出す
るように形成された放熱部11cとからなっている。放
熱部11cは、狭隘部11bの両側にそれぞれ4カ所ず
つ狭隘部11bを中心に対象に配置されており、一方側
の4カ所の放熱部11cは、エレメント本体11aの側
方両側に2カ所ずつエレメント本体11aの軸線を中心
に対象に配置されている。狭隘部11bを挟んで配置さ
れた放熱部11c,11c間の距離L1は、約100〜
200μmに設定され、またエレメント本体11aの軸
線方向外側と内側の放熱部11c,11c間の距離L2
は、約20μmに設定されている。
【0012】このヒューズ素子10においては、ヒュー
ズエレメント11の各放熱部11cがパルス的な電流が
流れた時にその電流分布を分散するため、放熱が分散し
て行われ、その結果パルス的な電流がヒューズエレメン
ト11に流れても容易に溶断されることがなく、パルス
特性が優れている。
【0013】尚、上記実施の形態ではチップ型の回路保
護素子について説明したが、チップ型以外にも基板にヒ
ューズエレメントを配置した各種の回路保護素子に適用
可能である。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ヒューズエレメントに側方に突出する放熱部を形成する
ことにより、この放熱部がパルス的な電流が流れた時に
その電流分布を分散することができるため、放熱を分散
して行うことができる。従って、パルス的な電流がヒュ
ーズエレメントに流れて容易に溶断してしまうのを防止
することができ、パルス特性を向上させることができる
という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態の回路保護素子を示す平面図
である。
【図2】従来の回路保護素子を示す平面図である。
【符号の説明】
10 ヒューズ素子(回路保護素子) 11 ヒューズエレメント 11a エレメント本体 11b 狭隘部 11c 放熱部 21 セラミック基板(基板) 22 電極

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板の両側に電極を設け、該電極に連通
    するように帯状のヒューズエレメントを金属被膜で形成
    した回路保護素子において、 前記ヒューズエレメントに側方に突出する放熱部を形成
    したことを特徴とする回路保護素子。
  2. 【請求項2】 前記放熱部は正方形状に帯状の前記ヒュ
    ーズエレメントから突出していることを特徴とする請求
    項1に記載の回路保護素子。
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