JP2001068788A - 埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子およびその製造方法並びにそれを用いた光モジュール - Google Patents

埋め込みヘテロ型半導体レーザ素子およびその製造方法並びにそれを用いた光モジュール

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芳江 藤城
Takeshi Obayashi
健 大林
Hisaharu Yagi
久晴 八木
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006286809A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Fujitsu Ltd 光半導体デバイス及びその製造方法
JP2008053539A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体光素子
CN114930658A (zh) * 2020-01-22 2022-08-19 三菱电机株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法

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