JP2001057108A - 水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブル内部半導電層用密着性半導電性樹脂組成物 - Google Patents
水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブル内部半導電層用密着性半導電性樹脂組成物Info
- Publication number
- JP2001057108A JP2001057108A JP2000031966A JP2000031966A JP2001057108A JP 2001057108 A JP2001057108 A JP 2001057108A JP 2000031966 A JP2000031966 A JP 2000031966A JP 2000031966 A JP2000031966 A JP 2000031966A JP 2001057108 A JP2001057108 A JP 2001057108A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- weight
- water
- layer
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/24—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising carbon-silicon compounds, carbon or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L23/00—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L23/02—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
- C08L23/04—Homopolymers or copolymers of ethene
- C08L23/08—Copolymers of ethene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L23/00—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L23/02—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
- C08L23/04—Homopolymers or copolymers of ethene
- C08L23/08—Copolymers of ethene
- C08L23/0807—Copolymers of ethene with unsaturated hydrocarbons only containing more than three carbon atoms
- C08L23/0815—Copolymers of ethene with aliphatic 1-olefins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2203/00—Applications
- C08L2203/20—Applications use in electrical or conductive gadgets
- C08L2203/202—Applications use in electrical or conductive gadgets use in electrical wires or wirecoating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L23/00—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L23/02—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
- C08L23/04—Homopolymers or copolymers of ethene
- C08L23/08—Copolymers of ethene
- C08L23/0846—Copolymers of ethene with unsaturated hydrocarbons containing other atoms than carbon or hydrogen atoms
- C08L23/0853—Vinylacetate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L23/00—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L23/02—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
- C08L23/04—Homopolymers or copolymers of ethene
- C08L23/08—Copolymers of ethene
- C08L23/0846—Copolymers of ethene with unsaturated hydrocarbons containing other atoms than carbon or hydrogen atoms
- C08L23/0869—Acids or derivatives thereof
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Processes Specially Adapted For Manufacturing Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁層を水架橋ポリエチレンで構成した電力
ケーブルの内部半導電層として必要な条件を満たす樹脂
組成物及びこれを用いて製造した水架橋ポリエチレン絶
縁電力ケーブルの提供。 【解決手段】 導体上に内部から外部に向けて内部半導
電層、水架橋ポリエチレン絶縁層、外部半導電層及びジ
ャケット層が形成されている水架橋ポリエチレン絶縁電
力ケーブルの内部半導電層が、（ａ）特定のエチレン−
酢酸ビニル共重合体、エチレン−エチルアクリレート共
重合体及びエチレン−ブチルアクリレート共重合体から
選ばれた１種あるいは１種以上、（ｂ）特定の直鎖状エ
チレン−α−オレフィン共重合体、（ｃ）特定のオルガ
ノポリシロキサンを含むもの、（ｄ）カーボンブラッ
ク、（ｅ）有機過酸化物の特定量からなる密着性半導電
性樹脂組成物及び該樹脂組成物を用いて製造した水架橋
ポリエチレン絶縁電力ケーブル。
ケーブルの内部半導電層として必要な条件を満たす樹脂
組成物及びこれを用いて製造した水架橋ポリエチレン絶
縁電力ケーブルの提供。 【解決手段】 導体上に内部から外部に向けて内部半導
電層、水架橋ポリエチレン絶縁層、外部半導電層及びジ
ャケット層が形成されている水架橋ポリエチレン絶縁電
力ケーブルの内部半導電層が、（ａ）特定のエチレン−
酢酸ビニル共重合体、エチレン−エチルアクリレート共
重合体及びエチレン−ブチルアクリレート共重合体から
選ばれた１種あるいは１種以上、（ｂ）特定の直鎖状エ
チレン−α−オレフィン共重合体、（ｃ）特定のオルガ
ノポリシロキサンを含むもの、（ｄ）カーボンブラッ
ク、（ｅ）有機過酸化物の特定量からなる密着性半導電
性樹脂組成物及び該樹脂組成物を用いて製造した水架橋
ポリエチレン絶縁電力ケーブル。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、水架橋ポリエチレ
ン絶縁電力ケーブルの内部半導電層として用いる密着性
半導電性樹脂組成物及びこれを水架橋ポリエチレン絶縁
層の内部に被覆してなる水架橋ポリエチレン絶縁電力ケ
ーブルに関する。
ン絶縁電力ケーブルの内部半導電層として用いる密着性
半導電性樹脂組成物及びこれを水架橋ポリエチレン絶縁
層の内部に被覆してなる水架橋ポリエチレン絶縁電力ケ
ーブルに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブ
ルは、内部から外部に向けて導体、内部半導電層、有機
過酸化物によって化学架橋させた架橋ポリエチレン絶縁
層、外部半導電層及びジャケット層から構成されてき
た。近年、架橋ポリエチレン絶縁層を従来の有機過酸化
物による化学架橋方法による架橋ポリエチレンに代えて
水架橋方法で形成された架橋ポリエチレンを用いる方法
が低電圧分野の電力ケーブルに用いられるようになって
きた。この理由は、化学架橋方法による電力ケーブルの
製造では、架橋装置が高価であり、これとは反対に、水
架橋方法による電力ケーブルの製造では、架橋装置が比
較的安価ですむからである。
ルは、内部から外部に向けて導体、内部半導電層、有機
過酸化物によって化学架橋させた架橋ポリエチレン絶縁
層、外部半導電層及びジャケット層から構成されてき
た。近年、架橋ポリエチレン絶縁層を従来の有機過酸化
物による化学架橋方法による架橋ポリエチレンに代えて
水架橋方法で形成された架橋ポリエチレンを用いる方法
が低電圧分野の電力ケーブルに用いられるようになって
きた。この理由は、化学架橋方法による電力ケーブルの
製造では、架橋装置が高価であり、これとは反対に、水
架橋方法による電力ケーブルの製造では、架橋装置が比
較的安価ですむからである。
【０００３】ところで、従来の化学架橋方法による電力
ケーブルにおいて、内部半導電層は、エチレン−酢酸ビ
ニル共重合体又はエチレン−エチルアクリレート共重合
体にカーボンブラックが配合された樹脂組成物でつくら
れている。この内部半導電層用樹脂組成物を、水架橋方
法による水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの内部半
導電層用として用いると、下記の不都合が生じる。
ケーブルにおいて、内部半導電層は、エチレン−酢酸ビ
ニル共重合体又はエチレン−エチルアクリレート共重合
体にカーボンブラックが配合された樹脂組成物でつくら
れている。この内部半導電層用樹脂組成物を、水架橋方
法による水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの内部半
導電層用として用いると、下記の不都合が生じる。
【０００４】（イ）化学架橋方法で電力ケーブルを製造
する場合は、絶縁層用の化学架橋性ポリエチレン樹脂組
成物は比較的に低温（約１２０〜１５０℃）で押出機よ
り押出されるので内部半導電層も上記温度（約１２０〜
１５０℃）に耐える程度の耐熱性があれば十分である
が、水架橋方法で水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブル
を製造する場合は、絶縁層用の水架橋性ポリエチレン樹
脂組成物は、比較的に高温（約２１０〜２５０℃）で押
出機中で加熱混練しないと、ビニルシランのグラフト反
応がおこらないので、かかる高温で加熱混練するが、こ
の場合、内部半導電層も上記の高温（約２１０〜２５０
℃）にさらされるか又は内部半導電層用樹脂組成物を高
温で加熱混練して、押出被覆しなければならないので、
化学架橋方法で用いる内部半導電層用樹脂組成物では、
溶融粘度が低くなりすぎ、内部半導電層を形成したと
き、層の厚さが不均一になったり、表面に突起が生じ、
そこから水トリーが発生したり、架橋ポリエチレン絶縁
層を部分的に破壊し、電力ケーブルの電気特性を低下さ
せ、又電力ケーブルの寿命を短くする弊害がある。
する場合は、絶縁層用の化学架橋性ポリエチレン樹脂組
成物は比較的に低温（約１２０〜１５０℃）で押出機よ
り押出されるので内部半導電層も上記温度（約１２０〜
１５０℃）に耐える程度の耐熱性があれば十分である
が、水架橋方法で水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブル
を製造する場合は、絶縁層用の水架橋性ポリエチレン樹
脂組成物は、比較的に高温（約２１０〜２５０℃）で押
出機中で加熱混練しないと、ビニルシランのグラフト反
応がおこらないので、かかる高温で加熱混練するが、こ
の場合、内部半導電層も上記の高温（約２１０〜２５０
℃）にさらされるか又は内部半導電層用樹脂組成物を高
温で加熱混練して、押出被覆しなければならないので、
化学架橋方法で用いる内部半導電層用樹脂組成物では、
溶融粘度が低くなりすぎ、内部半導電層を形成したと
き、層の厚さが不均一になったり、表面に突起が生じ、
そこから水トリーが発生したり、架橋ポリエチレン絶縁
層を部分的に破壊し、電力ケーブルの電気特性を低下さ
せ、又電力ケーブルの寿命を短くする弊害がある。
【０００５】（ロ）近年、電力ケーブルの耐熱性の要求
が高まっており、従来の化学架橋方法による電力ケーブ
ルに用いる内部半導電層用樹脂組成物は、耐熱性が不十
分であり、耐熱性をよくするため、内部半導電層用樹脂
組成物に化学架橋剤を配合した場合は、高温（約２１０
〜２５０℃）で押出すので、早期架橋がおこり、押出し
が困難となり、又、ゲルやブツの発生のため、内部半導
電層の電気特性が悪くなり、電力ケーブルの特性が悪化
し、寿命も短くなり、望ましくない。
が高まっており、従来の化学架橋方法による電力ケーブ
ルに用いる内部半導電層用樹脂組成物は、耐熱性が不十
分であり、耐熱性をよくするため、内部半導電層用樹脂
組成物に化学架橋剤を配合した場合は、高温（約２１０
〜２５０℃）で押出すので、早期架橋がおこり、押出し
が困難となり、又、ゲルやブツの発生のため、内部半導
電層の電気特性が悪くなり、電力ケーブルの特性が悪化
し、寿命も短くなり、望ましくない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】内部半導電層は、外部
からの屈曲や、ヒートサイクル等により導体や水架橋ポ
リエチレン絶縁層との部分的剥離や空隙の発生により生
ずるコロナ劣化や、他の絶縁劣化を防止するため体積固
有抵抗値を１００Ω・ｃｍ程度の導電性にする必要があ
る。内部半導電層を上記の体積固有抵抗値にし、かつ導
体や水架橋ポリエチレン絶縁層との密着性をよくし、外
部からの屈曲や、ヒートサイクル等に追随し、部分的剥
離や空隙の発生を防ぐには柔軟で、導体や水架橋ポリエ
チレンに対して密着性がよく、かつ大量のカーボンブラ
ックの充填にもかかわらず機械的強度、伸び、柔軟性、
加工性が低下しないポリマーが必要であり、従来代表的
なものとして、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレ
ン−エチルアクリレート共重合体、アイオノマー、酸変
性ポリエチレン等が使用されてきた。しかし上記のポリ
マーは、水架橋ポリエチレン層との密着性は良好である
が、耐熱性、押出加工時の安定性が不十分である。
からの屈曲や、ヒートサイクル等により導体や水架橋ポ
リエチレン絶縁層との部分的剥離や空隙の発生により生
ずるコロナ劣化や、他の絶縁劣化を防止するため体積固
有抵抗値を１００Ω・ｃｍ程度の導電性にする必要があ
る。内部半導電層を上記の体積固有抵抗値にし、かつ導
体や水架橋ポリエチレン絶縁層との密着性をよくし、外
部からの屈曲や、ヒートサイクル等に追随し、部分的剥
離や空隙の発生を防ぐには柔軟で、導体や水架橋ポリエ
チレンに対して密着性がよく、かつ大量のカーボンブラ
ックの充填にもかかわらず機械的強度、伸び、柔軟性、
加工性が低下しないポリマーが必要であり、従来代表的
なものとして、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレ
ン−エチルアクリレート共重合体、アイオノマー、酸変
性ポリエチレン等が使用されてきた。しかし上記のポリ
マーは、水架橋ポリエチレン層との密着性は良好である
が、耐熱性、押出加工時の安定性が不十分である。
【０００７】本発明は、絶縁層を水架橋ポリエチレンで
構成した電力ケーブルの内部半導電層として必要な下記
の条件を満たす樹脂組成物及びこれを用いてつくった水
架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの提供を課題とす
る。 （１）内部半導電層用樹脂組成物は半導電性で、体積固
有抵抗値が１００Ω・ｃｍ以下。 （２）電力ケーブルを屈曲したり、ヒートサイクルをか
けたとき、導体や水架橋ポリエチレン絶縁層との部分的
剥離や空隙が発生しないための柔軟性、伸びを維持する
ために、伸び率が１００％以上。 （３）水架橋ポリエチレン絶縁層と内部半導電層との界
面が平滑であり、微小な突起がない。 （４）２１０〜２５０℃の高温で押出される水架橋ポリ
エチレン絶縁層と同様の高温での押出加工が可能。 （５）耐寒性がある。 （６）有機過酸化物による架橋が行われなくとも１２０
℃の加熱変形に耐える耐熱性のために、１２０℃の加熱
変形率が４０％以下。 （７）導体や水架橋ポリエチレン絶縁層との密着性がよ
い。
構成した電力ケーブルの内部半導電層として必要な下記
の条件を満たす樹脂組成物及びこれを用いてつくった水
架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの提供を課題とす
る。 （１）内部半導電層用樹脂組成物は半導電性で、体積固
有抵抗値が１００Ω・ｃｍ以下。 （２）電力ケーブルを屈曲したり、ヒートサイクルをか
けたとき、導体や水架橋ポリエチレン絶縁層との部分的
剥離や空隙が発生しないための柔軟性、伸びを維持する
ために、伸び率が１００％以上。 （３）水架橋ポリエチレン絶縁層と内部半導電層との界
面が平滑であり、微小な突起がない。 （４）２１０〜２５０℃の高温で押出される水架橋ポリ
エチレン絶縁層と同様の高温での押出加工が可能。 （５）耐寒性がある。 （６）有機過酸化物による架橋が行われなくとも１２０
℃の加熱変形に耐える耐熱性のために、１２０℃の加熱
変形率が４０％以下。 （７）導体や水架橋ポリエチレン絶縁層との密着性がよ
い。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の内
部半導電層として必要な条件を満たす樹脂組成物を開発
するため各種ポリマー及び配合剤を選択し、これらを特
定量の割合で配合した場合にのみ、本発明の課題が解決
できることを数多くの実験により実証し、本発明を完成
させた。すなわち、本発明の第１の発明は、導体上に内
部から外部に向けて内部半導電層、水架橋ポリエチレン
絶縁層、外部半導電層及びジャケット層が形成されてい
る水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの内部半導電層
として用いる下記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）及び
（ｅ）成分からなる密着性半導電性樹脂組成物である。 （ａ）（Ｉ）酢酸ビニル含有量１０〜５０重量％、メル
トマスフローレート１．０〜１００．０ｇ／１０分のエ
チレン−酢酸ビニル共重合体、（ＩＩ）エチルアクリレ
ート含有量１０〜５０重量％、メルトマスフローレート
１．０〜１００．０ｇ／１０分のエチレン−エチルアク
リレート共重合体、並びに（ＩＩＩ）ブチルアクリレー
ト含有量１０〜５０重量％、メルトマスフローレート
１．０〜１００．０ｇ／１０分のエチレン−ブチルアク
リレート共重合体から選ばれた１種あるいは１種以上１
００重量部 （ｂ）メルトマスフローレート０．１〜３０．０ｇ／１
０分、密度０．８７０〜０．９４４ｇ／ｃｍ３の直鎖状
エチレン−α−オレフィン共重合体５５〜２００重量部 （ｃ）下記の式（Ａ）
部半導電層として必要な条件を満たす樹脂組成物を開発
するため各種ポリマー及び配合剤を選択し、これらを特
定量の割合で配合した場合にのみ、本発明の課題が解決
できることを数多くの実験により実証し、本発明を完成
させた。すなわち、本発明の第１の発明は、導体上に内
部から外部に向けて内部半導電層、水架橋ポリエチレン
絶縁層、外部半導電層及びジャケット層が形成されてい
る水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの内部半導電層
として用いる下記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）及び
（ｅ）成分からなる密着性半導電性樹脂組成物である。 （ａ）（Ｉ）酢酸ビニル含有量１０〜５０重量％、メル
トマスフローレート１．０〜１００．０ｇ／１０分のエ
チレン−酢酸ビニル共重合体、（ＩＩ）エチルアクリレ
ート含有量１０〜５０重量％、メルトマスフローレート
１．０〜１００．０ｇ／１０分のエチレン−エチルアク
リレート共重合体、並びに（ＩＩＩ）ブチルアクリレー
ト含有量１０〜５０重量％、メルトマスフローレート
１．０〜１００．０ｇ／１０分のエチレン−ブチルアク
リレート共重合体から選ばれた１種あるいは１種以上１
００重量部 （ｂ）メルトマスフローレート０．１〜３０．０ｇ／１
０分、密度０．８７０〜０．９４４ｇ／ｃｍ３の直鎖状
エチレン−α−オレフィン共重合体５５〜２００重量部 （ｃ）下記の式（Ａ）
【０００９】
【化２】 （式中、Ｒ１は脂肪族不飽和炭化水素基、Ｒ２は脂肪族
不飽和基を含まない非置換または置換１価炭化水素基、
０≦ｘ＜１、０．５＜ｙ＜３、１＜ｘ＋ｙ＜３、０＜ａ
≦１、０．５≦ｂ≦３である。）で表わされるオルガノ
ポリシロキサン１．０〜５０重量部 （ｄ）カーボンブラック１０〜３５０重量部 （ｅ）有機過酸化物０〜２．０重量部
不飽和基を含まない非置換または置換１価炭化水素基、
０≦ｘ＜１、０．５＜ｙ＜３、１＜ｘ＋ｙ＜３、０＜ａ
≦１、０．５≦ｂ≦３である。）で表わされるオルガノ
ポリシロキサン１．０〜５０重量部 （ｄ）カーボンブラック１０〜３５０重量部 （ｅ）有機過酸化物０〜２．０重量部
【００１０】また、本発明の第２の発明は、導体上に上
記第１の発明の密着性内部半導電層用樹脂組成物、水架
橋性ポリエチレン絶縁層用樹脂組成物及び外部半導電性
樹脂組成物を順次被覆する工程が、上記密着性内部半導
電層用樹脂組成物及び水架橋性ポリエチレン絶縁層用樹
脂組成物を被覆する工程は二層同時押出装置により行わ
れ、かつ、該水架橋性ポリエチレン絶縁層用樹脂組成物
は、モノシル方式で絶縁層押出機中で調製され、次いで
上記外部半導電性樹脂組成物を被覆する工程を行うこと
を特徴とする水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの製
造方法である。
記第１の発明の密着性内部半導電層用樹脂組成物、水架
橋性ポリエチレン絶縁層用樹脂組成物及び外部半導電性
樹脂組成物を順次被覆する工程が、上記密着性内部半導
電層用樹脂組成物及び水架橋性ポリエチレン絶縁層用樹
脂組成物を被覆する工程は二層同時押出装置により行わ
れ、かつ、該水架橋性ポリエチレン絶縁層用樹脂組成物
は、モノシル方式で絶縁層押出機中で調製され、次いで
上記外部半導電性樹脂組成物を被覆する工程を行うこと
を特徴とする水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの製
造方法である。
【００１１】また、本発明の第３の発明は、導体上に上
記第１の発明の密着性内部半導電層用樹脂組成物、水架
橋性ポリエチレン絶縁層用樹脂組成物及び外部半導電性
樹脂組成物を順次被覆する工程が三層同時押出装置によ
り行われ、かつ、該水架橋性ポリエチレン絶縁層用樹脂
組成物は、モノシル方式で三層同時押出装置の絶縁層押
出機中で調製されることを特徴とする水架橋ポリエチレ
ン絶縁電力ケーブルの製造方法である。
記第１の発明の密着性内部半導電層用樹脂組成物、水架
橋性ポリエチレン絶縁層用樹脂組成物及び外部半導電性
樹脂組成物を順次被覆する工程が三層同時押出装置によ
り行われ、かつ、該水架橋性ポリエチレン絶縁層用樹脂
組成物は、モノシル方式で三層同時押出装置の絶縁層押
出機中で調製されることを特徴とする水架橋ポリエチレ
ン絶縁電力ケーブルの製造方法である。
【００１２】さらに、本発明の第４の発明は、上記第２
あるいは第３の発明によって製造される水架橋ポリエチ
レン絶縁電力ケーブルである。
あるいは第３の発明によって製造される水架橋ポリエチ
レン絶縁電力ケーブルである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。
する。
【００１４】１．導体 本発明で用いられる導体は、通常化学架橋ポリエチレン
絶縁電線において使用されるものならば何でもよく、例
えば、軟銅、半硬銅、硬銅、アルミニウム等を素材とす
る導体や撚線導体等が好ましい。
絶縁電線において使用されるものならば何でもよく、例
えば、軟銅、半硬銅、硬銅、アルミニウム等を素材とす
る導体や撚線導体等が好ましい。
【００１５】２．内部半導電層 （１）内部半導電性樹脂組成物の成分 本発明の内部半導電層用密着性半導電性樹脂組成物は、
次の（ａ）〜（ｇ）成分からなる。 （ａ）（Ｉ）エチレン−酢酸ビニル共重合体、（ＩＩ）
エチレン−エチルアクリレート共重合体並びに（ＩＩ
Ｉ）エチレンーブチルアクリレート共重合体から選ばれ
た１種あるいは１種以上の成分
次の（ａ）〜（ｇ）成分からなる。 （ａ）（Ｉ）エチレン−酢酸ビニル共重合体、（ＩＩ）
エチレン−エチルアクリレート共重合体並びに（ＩＩ
Ｉ）エチレンーブチルアクリレート共重合体から選ばれ
た１種あるいは１種以上の成分
【００１６】（Ｉ）エチレン−酢酸ビニル共重合体 本発明で用いるエチレン−酢酸ビニル共重合体は、酢酸
ビニル含有量１０〜５０重量％、好ましくは１５〜５０
重量％、メルトマスフローレート１．０〜１００．０ｇ
／１０分の特性を持つ。酢酸ビニル含有量が１０重量％
未満であると、密着性、柔軟性、伸び、カーボンブラッ
ク充填性が悪くなり、界面状態、加工性等が悪くなり界
面から水トリー、電気トリーが発生し電力ケーブルの寿
命が短かくし望ましくなく、５０重量％を超えると耐熱
性が悪くなり、電力ケーブルの寿命を短かくし望ましく
ない。また、メルトマスフローレートが１．０ｇ／１０
分未満であると、加工性、柔軟性、伸び等が不十分であ
り、１００．０ｇ／１０分を超えると、引張強度、耐熱
性等が悪くなり望ましくない。
ビニル含有量１０〜５０重量％、好ましくは１５〜５０
重量％、メルトマスフローレート１．０〜１００．０ｇ
／１０分の特性を持つ。酢酸ビニル含有量が１０重量％
未満であると、密着性、柔軟性、伸び、カーボンブラッ
ク充填性が悪くなり、界面状態、加工性等が悪くなり界
面から水トリー、電気トリーが発生し電力ケーブルの寿
命が短かくし望ましくなく、５０重量％を超えると耐熱
性が悪くなり、電力ケーブルの寿命を短かくし望ましく
ない。また、メルトマスフローレートが１．０ｇ／１０
分未満であると、加工性、柔軟性、伸び等が不十分であ
り、１００．０ｇ／１０分を超えると、引張強度、耐熱
性等が悪くなり望ましくない。
【００１７】（ＩＩ）エチレン−エチルアクリレート共
重合体 本発明に用いるエチレン−エチルアクリレート共重合体
は、エチルアクリレート含有量１０〜５０重量％、好ま
しくは１５〜４０重量％、メルトマスフローレート１．
０〜１００．０ｇ／１０分の特性を持つ。エチルアクリ
レート含有量が１０重量％未満であると、密着性、柔軟
性、伸び、カーボンブラック充填性が悪くなり、界面状
態、加工性等が悪くなり界面から水トリー、電気トリー
が発生し電力ケーブルの寿命が短かくなり望ましくな
く、５０重量％を超えたエチレン−エチルアクリレート
共重合体は物性的には問題ないが製造が極めて困難であ
る。また、メルトマスフローレートが１．０ｇ／１０分
未満であると、加工性、柔軟性、伸び等が不十分であ
り、１００．０ｇ／１０分を超えると、引張強度、耐熱
性等が悪くなり望ましくない。
重合体 本発明に用いるエチレン−エチルアクリレート共重合体
は、エチルアクリレート含有量１０〜５０重量％、好ま
しくは１５〜４０重量％、メルトマスフローレート１．
０〜１００．０ｇ／１０分の特性を持つ。エチルアクリ
レート含有量が１０重量％未満であると、密着性、柔軟
性、伸び、カーボンブラック充填性が悪くなり、界面状
態、加工性等が悪くなり界面から水トリー、電気トリー
が発生し電力ケーブルの寿命が短かくなり望ましくな
く、５０重量％を超えたエチレン−エチルアクリレート
共重合体は物性的には問題ないが製造が極めて困難であ
る。また、メルトマスフローレートが１．０ｇ／１０分
未満であると、加工性、柔軟性、伸び等が不十分であ
り、１００．０ｇ／１０分を超えると、引張強度、耐熱
性等が悪くなり望ましくない。
【００１８】（ＩＩＩ）エチレンーブチルアクリレート
共重合体 本発明に用いるエチレン−ブチルアクリレート共重合体
は、ブチルアクリレート含有量１０〜５０重量％、好ま
しくは１５〜４０重量％、メルトマスフローレート１．
０〜１００．０ｇ／１０分の特性を持つ。ブチルアクリ
レート含有量が１０重量％未満であると、密着性、柔軟
性、伸び、カーボンブラック充填性が悪くなり、界面状
態、加工性等が悪くなり界面から水トリー、電気トリー
が発生し電力ケーブルの寿命が短かくなり望ましくな
く、５０重量％を超えたエチレン−ブチルアクリレート
共重合体は物性的には問題ないが製造が極めて困難であ
る。また、メルトマスフローレートが１．０ｇ／１０分
未満であると、加工性、柔軟性、伸び等が不十分であ
り、１００．０ｇ／１０分を超えると、引張強度、耐熱
性等が悪くなり望ましくない。
共重合体 本発明に用いるエチレン−ブチルアクリレート共重合体
は、ブチルアクリレート含有量１０〜５０重量％、好ま
しくは１５〜４０重量％、メルトマスフローレート１．
０〜１００．０ｇ／１０分の特性を持つ。ブチルアクリ
レート含有量が１０重量％未満であると、密着性、柔軟
性、伸び、カーボンブラック充填性が悪くなり、界面状
態、加工性等が悪くなり界面から水トリー、電気トリー
が発生し電力ケーブルの寿命が短かくなり望ましくな
く、５０重量％を超えたエチレン−ブチルアクリレート
共重合体は物性的には問題ないが製造が極めて困難であ
る。また、メルトマスフローレートが１．０ｇ／１０分
未満であると、加工性、柔軟性、伸び等が不十分であ
り、１００．０ｇ／１０分を超えると、引張強度、耐熱
性等が悪くなり望ましくない。
【００１９】本発明の（ａ）成分としては、上記（Ｉ）
エチレン−酢酸ビニル共重合体、（ＩＩ）エチレン−エ
チルアクリレート共重合体並びに（ＩＩＩ）エチレンー
ブチルアクリレート共重合体から選ばれた１種を単独で
あるいは１種以上をブレンドしたものを用いることがで
きる。
エチレン−酢酸ビニル共重合体、（ＩＩ）エチレン−エ
チルアクリレート共重合体並びに（ＩＩＩ）エチレンー
ブチルアクリレート共重合体から選ばれた１種を単独で
あるいは１種以上をブレンドしたものを用いることがで
きる。
【００２０】（ｂ）直鎖状エチレン−α−オレフィン共
重合体成分 （ｂ）成分は、メルトマスフローレート０．１〜３０．
０ｇ／１０分、密度０．８７０〜０．９４４ｇ／ｃｍ３
の直鎖状エチレン−α−オレフィン共重合体で、１２０
℃以上の加熱変形テストに耐える性質を内部半導電層に
付与し、また、内部半導電層の高温度での押出加工を可
能とする。（ｂ）成分のメルトマスフローレートが０．
１ｇ／１０分未満であると、加工性が悪くなり、３０．
０ｇ／１０分を超えると引張強度が弱くなり、望ましく
ない。また、密度が０．８７０ｇ／ｃｍ３未満である
と、１２０℃以上の加熱変形テストに耐えることができ
なく、０．９４４ｇ／ｃｍ３を超えると、柔軟性がなく
なり望ましくない。（ｂ）成分の使用量は、（ａ）成分
１００重量部に対して５５〜２００重量部、好ましくは
７５〜１５０重量部である。（ｂ）成分の使用量が５５
重量部未満であると、内部半導電層は１２０℃の加熱変
形テストに耐えることができず、２００重量部以上であ
ると、柔軟性、伸び、カーボンブラック充填性が悪くな
り望ましくない。
重合体成分 （ｂ）成分は、メルトマスフローレート０．１〜３０．
０ｇ／１０分、密度０．８７０〜０．９４４ｇ／ｃｍ３
の直鎖状エチレン−α−オレフィン共重合体で、１２０
℃以上の加熱変形テストに耐える性質を内部半導電層に
付与し、また、内部半導電層の高温度での押出加工を可
能とする。（ｂ）成分のメルトマスフローレートが０．
１ｇ／１０分未満であると、加工性が悪くなり、３０．
０ｇ／１０分を超えると引張強度が弱くなり、望ましく
ない。また、密度が０．８７０ｇ／ｃｍ３未満である
と、１２０℃以上の加熱変形テストに耐えることができ
なく、０．９４４ｇ／ｃｍ３を超えると、柔軟性がなく
なり望ましくない。（ｂ）成分の使用量は、（ａ）成分
１００重量部に対して５５〜２００重量部、好ましくは
７５〜１５０重量部である。（ｂ）成分の使用量が５５
重量部未満であると、内部半導電層は１２０℃の加熱変
形テストに耐えることができず、２００重量部以上であ
ると、柔軟性、伸び、カーボンブラック充填性が悪くな
り望ましくない。
【００２１】（ｂ）成分の直鎖状エチレン−α−オレフ
ィン共重合体の例としては、マルチサイト触媒又はシン
グルサイト触媒で製造されたエチレン−α−オレフィン
共重合体が挙げられる。α−オレフィンとしては、プロ
ピレン、ブテン−１、ヘキセン−１、４−メチル−ペン
テン−１、オクテン−１、ノネン−１、デセン−１等が
選択して使用される。
ィン共重合体の例としては、マルチサイト触媒又はシン
グルサイト触媒で製造されたエチレン−α−オレフィン
共重合体が挙げられる。α−オレフィンとしては、プロ
ピレン、ブテン−１、ヘキセン−１、４−メチル−ペン
テン−１、オクテン−１、ノネン−１、デセン−１等が
選択して使用される。
【００２２】（ｃ）オルガノポリシロキサン成分 （ｃ）成分は、下記の式（Ａ）
【００２３】
【化３】 （式中、Ｒ１は脂肪族不飽和炭化水素基、Ｒ２は脂肪族
不飽和基を含まない非置換または置換１価炭化水素基、
０≦ｘ＜１、０．５＜ｙ＜３、１＜ｘ＋ｙ＜３、０＜ａ
≦１、０．５≦ｂ≦３である。）で表わされるオルガノ
ポリシロキサンを含むものである。前記式（Ａ）で表さ
れるオルガノポリシロキサンにおいて、Ｒ１としては、
例えばビニル基、アリル基、アクリル基、メタクリル基
などを、またＲ２基としては、メチル基、エチル基、プ
ロピル基などのアルキル基、フェニル基、トリル基など
のアリール基、シクロヘキシル基、シクロブチル基など
のシクロアルキル基や、これら炭化水素基の炭素原子に
結合した水素を部分的にハロゲン原子、シアノ基、メル
カプト基などで置換した基などをそれぞれ挙げることが
でき、これらはその同種又は異種の組み合わせでもよ
い。また、ａが０であるとエチレン系樹脂との反応が起
こらず望ましくないし、また１を越えると本発明の組成
物が硬くなりすぎ、柔軟性、加工性が低下し望ましくな
い。ｂは０．５以上で、３以下であることが必要であ
り、好ましくは１〜２である。ｙが０．５以下であると
本発明の組成物の混練が困難で加工性が低下するし、３
以上であると本発明の組成物より製造されたケーブルが
硬くなりすぎて望ましくない。
不飽和基を含まない非置換または置換１価炭化水素基、
０≦ｘ＜１、０．５＜ｙ＜３、１＜ｘ＋ｙ＜３、０＜ａ
≦１、０．５≦ｂ≦３である。）で表わされるオルガノ
ポリシロキサンを含むものである。前記式（Ａ）で表さ
れるオルガノポリシロキサンにおいて、Ｒ１としては、
例えばビニル基、アリル基、アクリル基、メタクリル基
などを、またＲ２基としては、メチル基、エチル基、プ
ロピル基などのアルキル基、フェニル基、トリル基など
のアリール基、シクロヘキシル基、シクロブチル基など
のシクロアルキル基や、これら炭化水素基の炭素原子に
結合した水素を部分的にハロゲン原子、シアノ基、メル
カプト基などで置換した基などをそれぞれ挙げることが
でき、これらはその同種又は異種の組み合わせでもよ
い。また、ａが０であるとエチレン系樹脂との反応が起
こらず望ましくないし、また１を越えると本発明の組成
物が硬くなりすぎ、柔軟性、加工性が低下し望ましくな
い。ｂは０．５以上で、３以下であることが必要であ
り、好ましくは１〜２である。ｙが０．５以下であると
本発明の組成物の混練が困難で加工性が低下するし、３
以上であると本発明の組成物より製造されたケーブルが
硬くなりすぎて望ましくない。
【００２４】本発明において使用されるオルガノポリシ
ロキサンの分子構造は式（Ａ）の範囲内であれば、直鎖
状、分岐鎖状、環状、網状、立体網状などのいずれのも
のであってもよいが、鎖状のものが好適である。このオ
ルガノポリシロキサンの重合度は特に限定されないが、
エチレン系樹脂との混練に支障をきたさない程度の重合
度が必要であり、２５０以上の重合度が望ましい。本発
明において使用されるオルガノポリシロキサンを含むも
のとしては、例えば、シリコーンゴムの引き裂き強度改
良材として市販されているいわゆるシリコーンガムスト
ックが挙げられる。また、本発明で使用される直鎖状の
オルガノポリシロキサンは、次式（Ｂ）
ロキサンの分子構造は式（Ａ）の範囲内であれば、直鎖
状、分岐鎖状、環状、網状、立体網状などのいずれのも
のであってもよいが、鎖状のものが好適である。このオ
ルガノポリシロキサンの重合度は特に限定されないが、
エチレン系樹脂との混練に支障をきたさない程度の重合
度が必要であり、２５０以上の重合度が望ましい。本発
明において使用されるオルガノポリシロキサンを含むも
のとしては、例えば、シリコーンゴムの引き裂き強度改
良材として市販されているいわゆるシリコーンガムスト
ックが挙げられる。また、本発明で使用される直鎖状の
オルガノポリシロキサンは、次式（Ｂ）
【００２５】
【化４】 （式中、Ｒは非置換または置換１価炭化水素基を表し、
ｎは１０以上の数を表す。）で表され、一般にシリコー
ンオイルと呼称されるものである。該式中のＲは、アル
キル基、アリール基、及び水素から選ばれる基であり、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、フェ
ニル基、水素が代表的なものであるが、全ての基が同一
基であっても、一部のＲが別の基であってもよく、Ｒの
一部がビニル基、水酸基であってもよい。ｎは１０〜１
００００であり、１００〜１０００が好適である。ｎが
１０未満であるとポリエチレンとの混練が困難であり、
ｎが１００００を超えると成形が困難となり望ましくな
い。
ｎは１０以上の数を表す。）で表され、一般にシリコー
ンオイルと呼称されるものである。該式中のＲは、アル
キル基、アリール基、及び水素から選ばれる基であり、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、フェ
ニル基、水素が代表的なものであるが、全ての基が同一
基であっても、一部のＲが別の基であってもよく、Ｒの
一部がビニル基、水酸基であってもよい。ｎは１０〜１
００００であり、１００〜１０００が好適である。ｎが
１０未満であるとポリエチレンとの混練が困難であり、
ｎが１００００を超えると成形が困難となり望ましくな
い。
【００２６】本発明で使用される式（Ｂ）のオルガノポ
リシロキサン系重合体の２３℃における粘度は、１０ｃ
Ｓｔ以上、好ましくは１，０００〜１，０００，０００
ｃＳｔのものが望ましい。１０ｃＳｔ未満の粘度の場
合、加熱混練が難しく、また成形品の表面からオルガノ
ポリシロキサン系重合体が滲み出す場合もある。オルガ
ノポリシロキサンを含むものの使用量は、（ａ）成分１
００重量部に対して１．０〜５０重量部、好ましくは
１．０〜１０重量部である。オルガノポリシロキサンの
使用量が１．０重量部未満であると、他の樹脂成分やカ
ーボンブラックの分散性が不十分となり、５０重量部を
超えると、加工性、引張強度等が低下し望ましくない。
リシロキサン系重合体の２３℃における粘度は、１０ｃ
Ｓｔ以上、好ましくは１，０００〜１，０００，０００
ｃＳｔのものが望ましい。１０ｃＳｔ未満の粘度の場
合、加熱混練が難しく、また成形品の表面からオルガノ
ポリシロキサン系重合体が滲み出す場合もある。オルガ
ノポリシロキサンを含むものの使用量は、（ａ）成分１
００重量部に対して１．０〜５０重量部、好ましくは
１．０〜１０重量部である。オルガノポリシロキサンの
使用量が１．０重量部未満であると、他の樹脂成分やカ
ーボンブラックの分散性が不十分となり、５０重量部を
超えると、加工性、引張強度等が低下し望ましくない。
【００２７】（ｄ）カーボンブラック成分 （ｄ）成分は、カーボンブラック、例えば、ファーネス
ブラック、アセチレンブラック及びケッチェンブラック
等であり、これらの中ではケッチェンブラックが特に望
ましい。ケッチェンブラックは、オランダのＡＫＺＯ
ＮＯＢＥＬ社で開発された導電性の非常にすぐれたカー
ボンブラックであり、ケッチェンブラックＥＣとケッチ
ェンブラックＥＣ６００ＪＤの２種類があり、ケッチェ
ンブラックＥＣは従来の導電性カーボンブラックに比べ
１／２〜１／３の添加剤で同等の導電性が得られるの
で、半導電性樹脂組成物の引張強度、加工性、柔軟性、
伸び、界面での平滑性等の物性に大きな影響を与えるこ
となく混練による導電性能の低下が少なく、良好な品質
の半導電性樹脂組成物の提供を可能ならしめる。カーボ
ンブラックの使用量は、（ａ）成分１００重量部に対し
て、１０〜３５０重量部、好ましくは４０〜３００重量
部である。カーボンブラックの使用量が１０重量部未満
であると、電力ケーブルの内部半導電層として必要な体
積固有抵抗値が１００Ω・ｃｍ以上となり望ましくな
い。３５０重量部を越えると界面平滑性、引張強度、加
工性、柔軟性、伸び等が悪くなり望ましくない。
ブラック、アセチレンブラック及びケッチェンブラック
等であり、これらの中ではケッチェンブラックが特に望
ましい。ケッチェンブラックは、オランダのＡＫＺＯ
ＮＯＢＥＬ社で開発された導電性の非常にすぐれたカー
ボンブラックであり、ケッチェンブラックＥＣとケッチ
ェンブラックＥＣ６００ＪＤの２種類があり、ケッチェ
ンブラックＥＣは従来の導電性カーボンブラックに比べ
１／２〜１／３の添加剤で同等の導電性が得られるの
で、半導電性樹脂組成物の引張強度、加工性、柔軟性、
伸び、界面での平滑性等の物性に大きな影響を与えるこ
となく混練による導電性能の低下が少なく、良好な品質
の半導電性樹脂組成物の提供を可能ならしめる。カーボ
ンブラックの使用量は、（ａ）成分１００重量部に対し
て、１０〜３５０重量部、好ましくは４０〜３００重量
部である。カーボンブラックの使用量が１０重量部未満
であると、電力ケーブルの内部半導電層として必要な体
積固有抵抗値が１００Ω・ｃｍ以上となり望ましくな
い。３５０重量部を越えると界面平滑性、引張強度、加
工性、柔軟性、伸び等が悪くなり望ましくない。
【００２８】（ｅ）有機過酸化物成分 （ｅ）成分は、有機過酸化物で、分子内に（Ｏ−Ｏ）結
合をもち、１０分間半減温度が１００〜２２０℃の有機
過酸化物が好ましい。該有機過酸化物は、エチレン−酢
酸ビニル共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重
合体、エチレン−ブチルアクリレート共重合体、直鎖状
・エチレン−α−オレフィン共重合体およびオルガノポ
リシロキサン等の樹脂成分を相互にグラフトし、カーボ
ンブラックの充填性、分散性をよくするものであり、樹
脂成分の架橋反応を起させるものではない。有機過酸化
物の例としては、下記のものが挙げられる。ただし括弧
内は分解温度（℃）である。コハク酸パーオキシド（１
１０）、ベンゾイルパーオキシド（１１０）、ｔ−ブチ
ルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート（１１３）、
ｐ−クロロベンゾイルパーオキシド（１１５）、ｔ−ブ
チルパーオキシイソブチレート（１１５）、ｔ−ブチル
パーオキシイソプロピルカーボネート（１３５）、ｔ−
ブチルパーオキシウラレート（１４０）、２，５−ジメ
チル−２、５−ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン
（１４０）、ｔ−ブチルパーオキシアセテート（１４
０）、ジ−ｔ−ブチルジパーオキシフタレート（１４
０）、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート（１４５）、
ジクミルパーオキシド（１５０）、２，５−ジメチル−
２、５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン（１５
５）、ｔ−ブチルクミルパーオキシド（１５５）、ｔ−
ブチルヒドロパーオキシド（１５８）、ジ−ｔ−ブチル
パーオキシド（１６０）、２，５−ジメチル−２，５−
ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３（１７０）、
ジ−イソプロピルベンゼンヒドロパーオキシド（１７
０）、ｐ−メンタンヒドロパーオキシド（１８０）、
２，５−ジメチルヘキサン−２、５−ジヒドロパーオキ
シド（２１３）、クメンヒドロパーオキシド（１４
９）。これらの中では、ジクミルパーオキシド、２，５
−ジメチル−２，５（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサ
ン、クメンヒドロパーオキシド等が望ましい。
合をもち、１０分間半減温度が１００〜２２０℃の有機
過酸化物が好ましい。該有機過酸化物は、エチレン−酢
酸ビニル共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重
合体、エチレン−ブチルアクリレート共重合体、直鎖状
・エチレン−α−オレフィン共重合体およびオルガノポ
リシロキサン等の樹脂成分を相互にグラフトし、カーボ
ンブラックの充填性、分散性をよくするものであり、樹
脂成分の架橋反応を起させるものではない。有機過酸化
物の例としては、下記のものが挙げられる。ただし括弧
内は分解温度（℃）である。コハク酸パーオキシド（１
１０）、ベンゾイルパーオキシド（１１０）、ｔ−ブチ
ルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート（１１３）、
ｐ−クロロベンゾイルパーオキシド（１１５）、ｔ−ブ
チルパーオキシイソブチレート（１１５）、ｔ−ブチル
パーオキシイソプロピルカーボネート（１３５）、ｔ−
ブチルパーオキシウラレート（１４０）、２，５−ジメ
チル−２、５−ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン
（１４０）、ｔ−ブチルパーオキシアセテート（１４
０）、ジ−ｔ−ブチルジパーオキシフタレート（１４
０）、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート（１４５）、
ジクミルパーオキシド（１５０）、２，５−ジメチル−
２、５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン（１５
５）、ｔ−ブチルクミルパーオキシド（１５５）、ｔ−
ブチルヒドロパーオキシド（１５８）、ジ−ｔ−ブチル
パーオキシド（１６０）、２，５−ジメチル−２，５−
ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３（１７０）、
ジ−イソプロピルベンゼンヒドロパーオキシド（１７
０）、ｐ−メンタンヒドロパーオキシド（１８０）、
２，５−ジメチルヘキサン−２、５−ジヒドロパーオキ
シド（２１３）、クメンヒドロパーオキシド（１４
９）。これらの中では、ジクミルパーオキシド、２，５
−ジメチル−２，５（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサ
ン、クメンヒドロパーオキシド等が望ましい。
【００２９】有機過酸化物の使用量は、（ａ）成分１０
０重量部に対して、０〜２．０重量部、好ましくは０〜
１．８重量部である。有機過酸化物は、ポリマー同士の
グラフト反応を促進するものであるから、高温で長時間
せん断応力をかける場合は、メカノケミストリー的にラ
ジカルが発生するので、その使用量は０でよいが、スコ
ーチ、やけ等で発生するデメリットがあるので、有機過
酸化物を２．０重量部以下の範囲で使用した方が短時間
にやや低温でもグラフト反応がおこり、しかも、スコー
チ、やけ等が発生しなく良好な品質の内部半導電層が形
成できるので望ましい。有機過酸化物の使用量が２．０
重量部を超えると、低温でグラフトさせても架橋反応が
同時におこり、ゲルを発生し表面が平滑な内部半導電層
が得られなく、界面から水トリー、電気トリーを発生さ
せ、電力ケーブルの寿命を短かくし望ましくない。
０重量部に対して、０〜２．０重量部、好ましくは０〜
１．８重量部である。有機過酸化物は、ポリマー同士の
グラフト反応を促進するものであるから、高温で長時間
せん断応力をかける場合は、メカノケミストリー的にラ
ジカルが発生するので、その使用量は０でよいが、スコ
ーチ、やけ等で発生するデメリットがあるので、有機過
酸化物を２．０重量部以下の範囲で使用した方が短時間
にやや低温でもグラフト反応がおこり、しかも、スコー
チ、やけ等が発生しなく良好な品質の内部半導電層が形
成できるので望ましい。有機過酸化物の使用量が２．０
重量部を超えると、低温でグラフトさせても架橋反応が
同時におこり、ゲルを発生し表面が平滑な内部半導電層
が得られなく、界面から水トリー、電気トリーを発生さ
せ、電力ケーブルの寿命を短かくし望ましくない。
【００３０】（ｆ）その他の成分 本発明においては、上記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、
（ｄ）及び（ｅ）成分以外に必要に応じて、（ｆ）その
他の成分として、架橋助剤、老化防止剤、加工助剤等を
使用してもよい。
（ｄ）及び（ｅ）成分以外に必要に応じて、（ｆ）その
他の成分として、架橋助剤、老化防止剤、加工助剤等を
使用してもよい。
【００３１】（２）樹脂組成物の製造 上記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｅ）及び必要に応じて
（ｆ）成分は、例えば下記の順番、組合せでグラフト反
応、配合、ソーキング等を行って製造することができ
る。 （イ）（ａ）と（ｃ）を高温（２２０℃）で加熱混練
し、（ａ）と（ｃ）のグラフト体をつくり、これと
（ｂ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）を内部半導電層製造用
押出機に投入する。 （ロ）（ａ）と（ｃ）を低温（１６０℃）で（ｅ）の有
機過酸化物を使用して、（ａ）と（ｃ）のグラフト体を
つくり、これと（ｂ）、（ｄ）及び（ｆ）を内部半導電
層製造用押出機に投入する。 （ハ）（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｅ）を低温（１６
５℃）で加熱混練し、ポリマー同士の相互グラフト体を
つくり、これと（ｄ）、（ｆ）を内部半導電層製造用押
出機に投入する。 （ニ）（ａ）、（ｅ）をソーキングさせた（ｂ）、
（ｃ）、（ｄ）を（ａ）中に高濃度に配合したマスター
バッチ、（ｆ）を（ａ）中に高濃度に配合したマスター
バッチ等を外部半導電層製造用押出機に投入する。
（ｆ）成分は、例えば下記の順番、組合せでグラフト反
応、配合、ソーキング等を行って製造することができ
る。 （イ）（ａ）と（ｃ）を高温（２２０℃）で加熱混練
し、（ａ）と（ｃ）のグラフト体をつくり、これと
（ｂ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）を内部半導電層製造用
押出機に投入する。 （ロ）（ａ）と（ｃ）を低温（１６０℃）で（ｅ）の有
機過酸化物を使用して、（ａ）と（ｃ）のグラフト体を
つくり、これと（ｂ）、（ｄ）及び（ｆ）を内部半導電
層製造用押出機に投入する。 （ハ）（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｅ）を低温（１６
５℃）で加熱混練し、ポリマー同士の相互グラフト体を
つくり、これと（ｄ）、（ｆ）を内部半導電層製造用押
出機に投入する。 （ニ）（ａ）、（ｅ）をソーキングさせた（ｂ）、
（ｃ）、（ｄ）を（ａ）中に高濃度に配合したマスター
バッチ、（ｆ）を（ａ）中に高濃度に配合したマスター
バッチ等を外部半導電層製造用押出機に投入する。
【００３２】３．水架橋ポリエチレン絶縁層 本発明で用いられる水架橋ポリエチレン絶縁層は、ポリ
エチレン系樹脂、不飽和アルコキシシラン、有機過酸化
物、酸化防止剤、シラノール縮合触媒、その他の添加剤
等を絶縁層押出機に投入し、これらの成分のすべてを押
出機の胴部の最初の部分で混合し、混合が完了したなら
ば、該混合物を同一押出機の胴部の次の部分で不飽和ア
ルコキシシランがポリエチレン系樹脂にグラフト反応を
完了するまで約２１０〜２５０℃の高温で加熱混練し、
アルコキシシラン変性ポリエチレン系樹脂とし、これと
上記の酸化防止剤、シラノール縮合触媒、その他の添加
剤を同一押出機の胴部の最後の部分で均一に加熱混練
し、ダイより押出し、水架橋性ポリエチレン絶縁層と
し、その後水（高温の水蒸気又は温水、熱水）と反応さ
せることにより形成される。上記の方法は、モノシル法
（Ｍｏｎｏｓｉｌ ｐｒｏｃｅｓｓ）といわれ、この方
法自体は公知の方法であり特公昭５８−２５５８３号公
報に詳細に説明されている。
エチレン系樹脂、不飽和アルコキシシラン、有機過酸化
物、酸化防止剤、シラノール縮合触媒、その他の添加剤
等を絶縁層押出機に投入し、これらの成分のすべてを押
出機の胴部の最初の部分で混合し、混合が完了したなら
ば、該混合物を同一押出機の胴部の次の部分で不飽和ア
ルコキシシランがポリエチレン系樹脂にグラフト反応を
完了するまで約２１０〜２５０℃の高温で加熱混練し、
アルコキシシラン変性ポリエチレン系樹脂とし、これと
上記の酸化防止剤、シラノール縮合触媒、その他の添加
剤を同一押出機の胴部の最後の部分で均一に加熱混練
し、ダイより押出し、水架橋性ポリエチレン絶縁層と
し、その後水（高温の水蒸気又は温水、熱水）と反応さ
せることにより形成される。上記の方法は、モノシル法
（Ｍｏｎｏｓｉｌ ｐｒｏｃｅｓｓ）といわれ、この方
法自体は公知の方法であり特公昭５８−２５５８３号公
報に詳細に説明されている。
【００３３】上記ポリエチレン系樹脂としては、高圧法
低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、中密度ポリ
エチレン、直鎖状低密度エチレン−α−オレフィン共重
合体、直鎖状超低密度エチレン−α−オレフィン共重合
体、メタロセン触媒によって製造されたエチレン−α−
オレフィン共重合体等が挙げられる。
低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、中密度ポリ
エチレン、直鎖状低密度エチレン−α−オレフィン共重
合体、直鎖状超低密度エチレン−α−オレフィン共重合
体、メタロセン触媒によって製造されたエチレン−α−
オレフィン共重合体等が挙げられる。
【００３４】上記不飽和アルコキシシランとしては、一
般式： ＲＲ’ＳｉＹ２ （式中、Ｒは、ポリエチレン系樹脂中に発生した遊離ラ
ジカルと反応性を有する脂肪族不飽和炭化水素基または
ヒドロカーボンオキシ基、Ｙはアルコキシ基、Ｒ’は水
素原子またはオレフィン性不飽和基を含まない一価の炭
化水素基を表す。）で表されるアルコキシシラン化合物
である。式中、Ｒの脂肪族不飽和炭化水素基としては、
例えばビニル基、アリル基、ブテニル基、シクロヘキセ
ニル基またはシクロペンタジエニル基が挙げられ、ビニ
ル基が特に好ましい。Ｙは、例えばメトキシ基、エトキ
シ基またはブトキシ基が挙げられる。好適な不飽和アル
コキシシランは、γ−メタアクリロイルオキシプロピル
トリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシランおよび
ビニルトリメトキシシランである。不飽和アルコキシシ
ランの使用量は、ポリエチレン系樹脂１００重量部を基
準として０．５〜２０重量部が好ましい。
般式： ＲＲ’ＳｉＹ２ （式中、Ｒは、ポリエチレン系樹脂中に発生した遊離ラ
ジカルと反応性を有する脂肪族不飽和炭化水素基または
ヒドロカーボンオキシ基、Ｙはアルコキシ基、Ｒ’は水
素原子またはオレフィン性不飽和基を含まない一価の炭
化水素基を表す。）で表されるアルコキシシラン化合物
である。式中、Ｒの脂肪族不飽和炭化水素基としては、
例えばビニル基、アリル基、ブテニル基、シクロヘキセ
ニル基またはシクロペンタジエニル基が挙げられ、ビニ
ル基が特に好ましい。Ｙは、例えばメトキシ基、エトキ
シ基またはブトキシ基が挙げられる。好適な不飽和アル
コキシシランは、γ−メタアクリロイルオキシプロピル
トリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシランおよび
ビニルトリメトキシシランである。不飽和アルコキシシ
ランの使用量は、ポリエチレン系樹脂１００重量部を基
準として０．５〜２０重量部が好ましい。
【００３５】上記有機過酸化物としては例えば、ジクミ
ルパーオキシド、ジ−ｔ−ブチルパーオキシド、２，５
−ジ（パーオキシベンゾエート）ヘキシン−３等が使用
される。有機過酸化物の使用量はポリエチレン系樹脂１
００重量部を基準として０．０１〜４．０重量部が好ま
しい。
ルパーオキシド、ジ−ｔ−ブチルパーオキシド、２，５
−ジ（パーオキシベンゾエート）ヘキシン−３等が使用
される。有機過酸化物の使用量はポリエチレン系樹脂１
００重量部を基準として０．０１〜４．０重量部が好ま
しい。
【００３６】上記酸化防止剤としては、フェノール系酸
化防止剤、リン系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、イ
オウ系酸化防止剤等が挙げられ、酸化防止剤の使用量は
ポリエチレン系樹脂１００重量部を基準として、０．０
０１〜５重量部程度である。
化防止剤、リン系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、イ
オウ系酸化防止剤等が挙げられ、酸化防止剤の使用量は
ポリエチレン系樹脂１００重量部を基準として、０．０
０１〜５重量部程度である。
【００３７】上記シラノール縮合触媒は、シリコーンの
シラノール間の脱水縮合を促進する触媒として使用され
るものであり、その例としては、ジブチル錫ジラウレー
ト、ジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジオリテー
ト、酢酸第一錫、ナフテン酸鉛、ナフテン酸コバルト、
カプリル酸亜鉛、２−エチルヘキサン酸鉄、チタン酸エ
ステル、チタン酸テトラブチルエステル、チタン酸テト
ラノニルエステル、ビス（アセチルアセトニトリル）ジ
−イソプロピルチタン−エチルアミン、ヘキシルアミ
ン、ジブチルアミン、ピリジン等が挙げられる。このシ
ラノール縮合触媒の配合量は、ポリエチレン系樹脂１０
０重量部に対して０．００１〜２０重量部程度であり、
０．００５〜５重量部が好ましい。
シラノール間の脱水縮合を促進する触媒として使用され
るものであり、その例としては、ジブチル錫ジラウレー
ト、ジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジオリテー
ト、酢酸第一錫、ナフテン酸鉛、ナフテン酸コバルト、
カプリル酸亜鉛、２−エチルヘキサン酸鉄、チタン酸エ
ステル、チタン酸テトラブチルエステル、チタン酸テト
ラノニルエステル、ビス（アセチルアセトニトリル）ジ
−イソプロピルチタン−エチルアミン、ヘキシルアミ
ン、ジブチルアミン、ピリジン等が挙げられる。このシ
ラノール縮合触媒の配合量は、ポリエチレン系樹脂１０
０重量部に対して０．００１〜２０重量部程度であり、
０．００５〜５重量部が好ましい。
【００３８】なお、ポリエチレン系樹脂に不飽和アルコ
キシシラン及び／又は有機過酸化物を予め含浸させたも
の、ポリエチレン系樹脂に酸化防止剤及び／又はシラノ
ール縮合触媒を予め含浸させたもの等から選択して絶縁
層押出機に投入してもよい。
キシシラン及び／又は有機過酸化物を予め含浸させたも
の、ポリエチレン系樹脂に酸化防止剤及び／又はシラノ
ール縮合触媒を予め含浸させたもの等から選択して絶縁
層押出機に投入してもよい。
【００３９】本発明で用いる水架橋ポリエチレン絶縁層
の他の形成方法としては、不飽和アルコキシシラングラ
フト水架橋性ポリエチレン組成物を他の押出機で上記し
たモノシル方法又は２工程Ｓｉｏｐｌａｓ方法（不飽和
アルコキシシランをグラフトしたポリエチレン系樹脂を
押出機で製造し、これに酸化防止剤、カーボンブラッ
ク、シラノール縮合触媒等を直接配合するか、マスター
バッチとして配合した水架橋性ポリエチレン樹脂組成物
の製法）で準備し絶縁層押出機に投入し、被覆する方法
がある。上記の水架橋ポリエチレン絶縁層の形成方法は
内部半導電層、水架橋ポリエチレン層及び外部半導電層
を、順次押出被覆してもよいし、又は二層又は三層を同
時押出し被覆（以降、コモン三層押出と略称することも
ある。）モノシル方法と三層同時押出方法を併用した場
合が、コストが低く最も品質のよい水架橋ポリエチレン
絶縁電力ケーブルが得られる。本発明の密着性半導電性
樹脂組成物は上記した水架橋ポリエチレン絶縁電力ケー
ブルの各種製造方法で得られた電力ケーブルの内部半導
電層として有効であるが、特に三層同時押出方法による
電力ケーブルにおいて、最も効果を発現する。
の他の形成方法としては、不飽和アルコキシシラングラ
フト水架橋性ポリエチレン組成物を他の押出機で上記し
たモノシル方法又は２工程Ｓｉｏｐｌａｓ方法（不飽和
アルコキシシランをグラフトしたポリエチレン系樹脂を
押出機で製造し、これに酸化防止剤、カーボンブラッ
ク、シラノール縮合触媒等を直接配合するか、マスター
バッチとして配合した水架橋性ポリエチレン樹脂組成物
の製法）で準備し絶縁層押出機に投入し、被覆する方法
がある。上記の水架橋ポリエチレン絶縁層の形成方法は
内部半導電層、水架橋ポリエチレン層及び外部半導電層
を、順次押出被覆してもよいし、又は二層又は三層を同
時押出し被覆（以降、コモン三層押出と略称することも
ある。）モノシル方法と三層同時押出方法を併用した場
合が、コストが低く最も品質のよい水架橋ポリエチレン
絶縁電力ケーブルが得られる。本発明の密着性半導電性
樹脂組成物は上記した水架橋ポリエチレン絶縁電力ケー
ブルの各種製造方法で得られた電力ケーブルの内部半導
電層として有効であるが、特に三層同時押出方法による
電力ケーブルにおいて、最も効果を発現する。
【００４０】４．外部半導電層 本発明で用いられる外部半導電層は、絶縁層を水架橋ポ
リエチレンで構成した電力ケーブルの外部半導電層とし
て必要な下記の条件を満たす樹脂組成物であれば何でも
よい。 （１）外部半導電層用樹脂組成物は半導電性で、体積固
有抵抗値が１００Ω・ｃｍ以下。 （２）電力ケーブルを屈曲したり、ヒートサイクルをか
けたとき、水架橋ポリエチレン絶縁層との部分的剥離や
空隙が発生しないための柔軟性、伸びを維持するため
に、伸び率が１００％以上。 （３）水架橋ポリエチレン絶縁層と外部半導電層との界
面が平滑であり、微小な突起がない。 （４）２１０〜２５０℃の高温で押出される水架橋ポリ
エチレン絶縁層と同様の高温での押出加工が可能。 （５）外部半導電層を引き剥がすとき、外部半導電層自
体が弱い引張力で切断しないために、引張強度が１０Ｍ
Ｐａ以上。 （６）耐寒性がある。 （７）外部半導電層を水架橋ポリエチレン絶縁層から剥
離するとき、ナイフで外部半導電層が比較的弱い力で切
れ目が入れられ、水架橋ポリエチレン層を傷つけない程
度に容易に切断作業ができ、かつ容易に剥離でき、剥離
した後の水架橋ポリエチレン層の表面に残渣や傷が残ら
ないために、水架橋ポリエチレン絶縁層との界面間の剥
離強度が４ｋｇ／０．５ｉｎｃｈ以下。 （８）有機過酸化物による架橋が行われなくとも１２０
℃の加熱変形に耐える耐熱性のために、１２０℃の加熱
変形率が４０％以下。
リエチレンで構成した電力ケーブルの外部半導電層とし
て必要な下記の条件を満たす樹脂組成物であれば何でも
よい。 （１）外部半導電層用樹脂組成物は半導電性で、体積固
有抵抗値が１００Ω・ｃｍ以下。 （２）電力ケーブルを屈曲したり、ヒートサイクルをか
けたとき、水架橋ポリエチレン絶縁層との部分的剥離や
空隙が発生しないための柔軟性、伸びを維持するため
に、伸び率が１００％以上。 （３）水架橋ポリエチレン絶縁層と外部半導電層との界
面が平滑であり、微小な突起がない。 （４）２１０〜２５０℃の高温で押出される水架橋ポリ
エチレン絶縁層と同様の高温での押出加工が可能。 （５）外部半導電層を引き剥がすとき、外部半導電層自
体が弱い引張力で切断しないために、引張強度が１０Ｍ
Ｐａ以上。 （６）耐寒性がある。 （７）外部半導電層を水架橋ポリエチレン絶縁層から剥
離するとき、ナイフで外部半導電層が比較的弱い力で切
れ目が入れられ、水架橋ポリエチレン層を傷つけない程
度に容易に切断作業ができ、かつ容易に剥離でき、剥離
した後の水架橋ポリエチレン層の表面に残渣や傷が残ら
ないために、水架橋ポリエチレン絶縁層との界面間の剥
離強度が４ｋｇ／０．５ｉｎｃｈ以下。 （８）有機過酸化物による架橋が行われなくとも１２０
℃の加熱変形に耐える耐熱性のために、１２０℃の加熱
変形率が４０％以下。
【００４１】上記した外部半導電層用半導電性樹脂組成
物としては、本発明の出願人が先に特許出願した特願平
１１−１２０９３７号に詳細に説明されており、下記
（ｇ）〜（ｌ）成分からなる剥離性半導電性樹脂組成物
が特に望ましい。 （ｇ）酢酸ビニル含有量１０〜５０重量％、メルトマス
フローレート１．０〜１００．０ｇ／１０分のエチレン
−酢酸ビニル共重合体１００重量部 （ｈ）メルトマスフローレート０．１〜３０．０ｇ／１
０分、密度０．８７０〜０．９４４ｇ／ｃｍ３の直鎖状
エチレン−α−オレフィン共重合体５５〜２００重量部 （ｉ）メルトマスフローレート０．５〜３０．０ｇ／１
０分、密度０．９００〜０．９２０ｇ／ｃｍ３のポリプ
ロピレン５〜５０重量部 （ｊ）下記の式（Ａ）
物としては、本発明の出願人が先に特許出願した特願平
１１−１２０９３７号に詳細に説明されており、下記
（ｇ）〜（ｌ）成分からなる剥離性半導電性樹脂組成物
が特に望ましい。 （ｇ）酢酸ビニル含有量１０〜５０重量％、メルトマス
フローレート１．０〜１００．０ｇ／１０分のエチレン
−酢酸ビニル共重合体１００重量部 （ｈ）メルトマスフローレート０．１〜３０．０ｇ／１
０分、密度０．８７０〜０．９４４ｇ／ｃｍ３の直鎖状
エチレン−α−オレフィン共重合体５５〜２００重量部 （ｉ）メルトマスフローレート０．５〜３０．０ｇ／１
０分、密度０．９００〜０．９２０ｇ／ｃｍ３のポリプ
ロピレン５〜５０重量部 （ｊ）下記の式（Ａ）
【００４２】
【化５】 （式中、Ｒ１は脂肪族不飽和炭化水素基、Ｒ２は脂肪族
不飽和基を含まない非置換または置換１価炭化水素基、
０≦ｘ＜１、０．５＜ｙ＜３、１＜ｘ＋ｙ＜３、０＜ａ
≦１、０．５≦ｂ≦３である。）で表わされるオルガノ
ポリシロキサン２．０〜５０重量部 （ｋ）カーボンブラック１０〜３５０重量部 （ｌ）有機過酸化物０〜２．０重量部
不飽和基を含まない非置換または置換１価炭化水素基、
０≦ｘ＜１、０．５＜ｙ＜３、１＜ｘ＋ｙ＜３、０＜ａ
≦１、０．５≦ｂ≦３である。）で表わされるオルガノ
ポリシロキサン２．０〜５０重量部 （ｋ）カーボンブラック１０〜３５０重量部 （ｌ）有機過酸化物０〜２．０重量部
【００４３】５．ジャケット層 本発明の水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルのジャケ
ット層は、通常ポリ塩化ビニル樹脂組成物を外部半導電
層上に押出被覆して形成される。ジャケット層は、内部
半導電層、水架橋ポリエチレン絶縁層及び外部半導電層
をタンデム方式押出しやコモン三層押出しして、その後
その上にポリ塩化ビニル樹脂組成物を押出被覆して形成
する。
ット層は、通常ポリ塩化ビニル樹脂組成物を外部半導電
層上に押出被覆して形成される。ジャケット層は、内部
半導電層、水架橋ポリエチレン絶縁層及び外部半導電層
をタンデム方式押出しやコモン三層押出しして、その後
その上にポリ塩化ビニル樹脂組成物を押出被覆して形成
する。
【００４４】６．水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブル 本発明の水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルは、導体
上に内部半導電層用密着性半導電性樹脂組成物、水架橋
性ポリエチレン絶縁層用樹脂組成物及び外部半導電層用
樹脂組成物を順次被覆する工程により作ることができ
る。これには、上記内部半導電層用密着性半導電性樹脂
組成物及び水架橋性ポリエチレン絶縁層用樹脂組成物を
二層同時押出装置により二層同時に押出被覆し、次いで
外部半導電層用樹脂組成物を被覆し、水蒸気又は熱水と
接触させて水架橋反応を起こさせ水架橋ポリエチレン絶
縁層を形成させるタンデム方式、あるいは上記内部半導
電層用密着性半導電性樹脂組成物、水架橋性ポリエチレ
ン絶縁層用樹脂組成物及び外部半導電層用樹脂組成物を
三層同時押出装置により三層同時に押出被覆し、水蒸気
又は熱水と接触させて水架橋反応を起こさせ水架橋ポリ
エチレン絶縁層を形成させるコモン三層押出しで被覆
し、その後ジャケット層を押出被覆することによってつ
くられる。
上に内部半導電層用密着性半導電性樹脂組成物、水架橋
性ポリエチレン絶縁層用樹脂組成物及び外部半導電層用
樹脂組成物を順次被覆する工程により作ることができ
る。これには、上記内部半導電層用密着性半導電性樹脂
組成物及び水架橋性ポリエチレン絶縁層用樹脂組成物を
二層同時押出装置により二層同時に押出被覆し、次いで
外部半導電層用樹脂組成物を被覆し、水蒸気又は熱水と
接触させて水架橋反応を起こさせ水架橋ポリエチレン絶
縁層を形成させるタンデム方式、あるいは上記内部半導
電層用密着性半導電性樹脂組成物、水架橋性ポリエチレ
ン絶縁層用樹脂組成物及び外部半導電層用樹脂組成物を
三層同時押出装置により三層同時に押出被覆し、水蒸気
又は熱水と接触させて水架橋反応を起こさせ水架橋ポリ
エチレン絶縁層を形成させるコモン三層押出しで被覆
し、その後ジャケット層を押出被覆することによってつ
くられる。
【００４５】
【実施例】以下、本発明の実施例を示すが本発明はこれ
に限定されるものではない。なお、実施例における試験
方法は以下の通りである。 （１）界面平滑性：水架橋ポリエチレン絶縁層と内部半
導電層との界面を目視で判断した。 （２）内部半導電層の加熱変形率：内部半導電層の１２
０℃での耐熱性をＪＩＳＣ３００５の加熱変形試験法に
準拠して、下記の方法で測定した。 （イ）試験片の作製 内部半導電層用密着性半導電性樹脂組成物を２２０℃で
加熱混練し、熱プレス成形機で厚さ２．０ｍｍ、幅１５
ｍｍ、長さ３０ｍｍの板状体を成形し、試験片とした。 （ロ）測定方法 直経５ｍｍの半円状の棒の半円部に試験片を載せ、試験
片の上に平行板を重ね、１２０℃のオーブン中に入れ３
０分間加熱した後、２ｋｇの圧力を平行板の上から加え
３０分経過後、試験片の厚さを測定して、厚さの減少率
を測定した。
に限定されるものではない。なお、実施例における試験
方法は以下の通りである。 （１）界面平滑性：水架橋ポリエチレン絶縁層と内部半
導電層との界面を目視で判断した。 （２）内部半導電層の加熱変形率：内部半導電層の１２
０℃での耐熱性をＪＩＳＣ３００５の加熱変形試験法に
準拠して、下記の方法で測定した。 （イ）試験片の作製 内部半導電層用密着性半導電性樹脂組成物を２２０℃で
加熱混練し、熱プレス成形機で厚さ２．０ｍｍ、幅１５
ｍｍ、長さ３０ｍｍの板状体を成形し、試験片とした。 （ロ）測定方法 直経５ｍｍの半円状の棒の半円部に試験片を載せ、試験
片の上に平行板を重ね、１２０℃のオーブン中に入れ３
０分間加熱した後、２ｋｇの圧力を平行板の上から加え
３０分経過後、試験片の厚さを測定して、厚さの減少率
を測定した。
【００４６】（３）内部半導電層の密着性テスト：下記
の方法で行った。 （イ）試験片の作製 水架橋性ポリエチレン樹脂組成物を２２０℃で加熱混練
し、熱プレス成形機で厚さ１．５ｍｍ、長さ１５０ｍ
ｍ、幅１８０ｍｍのシートを得た。一方、内部半導電層
用密着性半導電性樹脂組成物を２００℃で加熱混練し、
熱プレス成形機で厚さ２．０ｍｍ、長さ１５０ｍｍ、幅
１８０ｍｍのシートを得た。両シートを１８０℃の温
度、１５ＭＰａの圧力で一体化し、３ｍｍのシートと
し、８０℃、水蒸気中で２４時間水架橋を行った。この
二層シートから幅１２．７ｍｍ、長さ１２０ｍｍの試験
片を打ち抜き試験片とした。 （ロ）試験方法 引張試験機を用い、２３℃において５００ｍｍ／分の引
張速度で密着試験を行い、内部半導電層を水架橋ポリエ
チレン層に対し１８０℃の角度で引き剥すときの力を密
着強度（ｋｇ／０．５ｉｎｃｈ）とした。 （４）内部半導電層の引張強度：内部半導電層用密着性
半導電性樹脂組成物を２００℃で加熱混練し、熱プレス
成形機で厚さ２．０ｍｍ、長さ１５０ｍｍ、幅１８０ｍ
ｍのシートを得て、試験片とし、ＪＩＳ Ｋ−６７６０
により引張強度を測定した。
の方法で行った。 （イ）試験片の作製 水架橋性ポリエチレン樹脂組成物を２２０℃で加熱混練
し、熱プレス成形機で厚さ１．５ｍｍ、長さ１５０ｍ
ｍ、幅１８０ｍｍのシートを得た。一方、内部半導電層
用密着性半導電性樹脂組成物を２００℃で加熱混練し、
熱プレス成形機で厚さ２．０ｍｍ、長さ１５０ｍｍ、幅
１８０ｍｍのシートを得た。両シートを１８０℃の温
度、１５ＭＰａの圧力で一体化し、３ｍｍのシートと
し、８０℃、水蒸気中で２４時間水架橋を行った。この
二層シートから幅１２．７ｍｍ、長さ１２０ｍｍの試験
片を打ち抜き試験片とした。 （ロ）試験方法 引張試験機を用い、２３℃において５００ｍｍ／分の引
張速度で密着試験を行い、内部半導電層を水架橋ポリエ
チレン層に対し１８０℃の角度で引き剥すときの力を密
着強度（ｋｇ／０．５ｉｎｃｈ）とした。 （４）内部半導電層の引張強度：内部半導電層用密着性
半導電性樹脂組成物を２００℃で加熱混練し、熱プレス
成形機で厚さ２．０ｍｍ、長さ１５０ｍｍ、幅１８０ｍ
ｍのシートを得て、試験片とし、ＪＩＳ Ｋ−６７６０
により引張強度を測定した。
【００４７】（５）内部半導電層の伸び：引張強度に用
いた試験片を用いＪＩＳ Ｋ−６７６０により伸びを測
定した。 （６）水架橋ポリエチレン絶縁層のゲル分率：水架橋ポ
リエチレン絶縁層から試料を取り、１１０℃のキシレン
中に２４時間浸漬し、抽出残渣をゲル分率とした。 （７）押出加工性：内部半導電層用密着性半導電性樹脂
組成物のメルトマスフローレートをメルトインデクサー
で温度１９０℃、荷重２１．６ｋｇの条件でメルトマス
フローレートを測定して評価した（ＪＩＳ Ｋ−６７６
０）。 （８）体積固有抵抗値：内部半導電層用密着性半導電性
樹脂組成物の体積固有抵抗値をＪＩＳ Ｋ−６７２３の
方法で測定した。
いた試験片を用いＪＩＳ Ｋ−６７６０により伸びを測
定した。 （６）水架橋ポリエチレン絶縁層のゲル分率：水架橋ポ
リエチレン絶縁層から試料を取り、１１０℃のキシレン
中に２４時間浸漬し、抽出残渣をゲル分率とした。 （７）押出加工性：内部半導電層用密着性半導電性樹脂
組成物のメルトマスフローレートをメルトインデクサー
で温度１９０℃、荷重２１．６ｋｇの条件でメルトマス
フローレートを測定して評価した（ＪＩＳ Ｋ−６７６
０）。 （８）体積固有抵抗値：内部半導電層用密着性半導電性
樹脂組成物の体積固有抵抗値をＪＩＳ Ｋ−６７２３の
方法で測定した。
【００４８】実施例１ （Ａ）内部半導電層用密着性半導電性樹脂組成物の調製 次の（ａ）〜（ｆ）からなる内部半導電層用密着性半導
電性樹脂組成物を調製した。 （ａ）成分：酢酸ビニル含有量２８重量％、メルトマス
フローレート２０．０ｇ／１０分、密度０．９３８ｇ／
ｃｍ３のエチレン−酢酸ビニル共重合体１００重量部 （ｂ）成分：メルトマスフローレート０．８ｇ／１０
分、密度０．９２２ｇ／ｃｍ３の気相法低圧法により製
造した直鎖状エチレン−ブテン−１共重合体７０重量部 （ｃ）成分：２３℃における粘度が３００，０００ｃＳ
ｔで、メチルビニルシリコーン含量１．０％のシリコー
ンガムストック５重量部 （ｄ）成分：ケッチェンブラックＥＣ（三菱化学製）３
０重量部 （ｅ）成分：２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチ
ルパーオキシ）ヘキシン（日本油脂製 パーヘキシン２
５Ｂ）０．３重量部 （ｆ）成分：テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト］メタン（チバスペシャリティケミカル社製イルガノ
ックス１０１０）０．３重量部
電性樹脂組成物を調製した。 （ａ）成分：酢酸ビニル含有量２８重量％、メルトマス
フローレート２０．０ｇ／１０分、密度０．９３８ｇ／
ｃｍ３のエチレン−酢酸ビニル共重合体１００重量部 （ｂ）成分：メルトマスフローレート０．８ｇ／１０
分、密度０．９２２ｇ／ｃｍ３の気相法低圧法により製
造した直鎖状エチレン−ブテン−１共重合体７０重量部 （ｃ）成分：２３℃における粘度が３００，０００ｃＳ
ｔで、メチルビニルシリコーン含量１．０％のシリコー
ンガムストック５重量部 （ｄ）成分：ケッチェンブラックＥＣ（三菱化学製）３
０重量部 （ｅ）成分：２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチ
ルパーオキシ）ヘキシン（日本油脂製 パーヘキシン２
５Ｂ）０．３重量部 （ｆ）成分：テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト］メタン（チバスペシャリティケミカル社製イルガノ
ックス１０１０）０．３重量部
【００４９】（Ｂ）水架橋性ポリエチレン絶縁層用樹脂
組成物の調製 表面積３００ｍ２／ｇ、平均粒径７０μｍ、細孔直径１
００μｍの多孔質シリカ担体に三酸化クロム、チタン酸
テトライソプロピル、（ＮＨ４）２ＳｉＦ６等を担持さ
せた重合触媒を用い、ユニポール法気相流動床中で、エ
チレン９０重量部、１−ブテン１０重量部からなるモノ
マー流体を流動床下方より上方に向けて流動させ、温度
９０℃、圧力２．５ＭＰａ、Ｇｍｆ５の条件で重合させ
た。表面積１０００ｃｍ２／ｇ、嵩密度０．４ｇ／ｃｍ
３、平均粒径０．８ｍｍのグラニュラー状物を得た。こ
れはエチレン−ブテン−１共重合体からなり、密度は
０．９２０ｇ／ｃｍ３、メルトマスフローレートは０．
８ｇ／１０分であった。上記グラニュラー状の直鎖状低
密度エチレン−ブテン−１共重合体１００重量部を温度
６０℃に予熱しておいたものと、ビニルトリメトキシシ
ラン（日本ユニカー製 ＮＵＣシランカップリング剤Ｙ
−９８１８）２重量部と、ジクミルパーオキシド（日本
油脂製 パークミルＤ）０．１重量部を温度５０℃に加
熱したものとを、リボンブレンダーに投入した。温度６
０℃に加熱しながら３０分間混合し、次いで、密閉容器
中で温度６０℃に保持しながら２時間静置し、不飽和ア
ルコキシシランおよび有機過酸化物を含浸させた直鎖状
低密度エチレン−ブテン−１共重合体を得た。
組成物の調製 表面積３００ｍ２／ｇ、平均粒径７０μｍ、細孔直径１
００μｍの多孔質シリカ担体に三酸化クロム、チタン酸
テトライソプロピル、（ＮＨ４）２ＳｉＦ６等を担持さ
せた重合触媒を用い、ユニポール法気相流動床中で、エ
チレン９０重量部、１−ブテン１０重量部からなるモノ
マー流体を流動床下方より上方に向けて流動させ、温度
９０℃、圧力２．５ＭＰａ、Ｇｍｆ５の条件で重合させ
た。表面積１０００ｃｍ２／ｇ、嵩密度０．４ｇ／ｃｍ
３、平均粒径０．８ｍｍのグラニュラー状物を得た。こ
れはエチレン−ブテン−１共重合体からなり、密度は
０．９２０ｇ／ｃｍ３、メルトマスフローレートは０．
８ｇ／１０分であった。上記グラニュラー状の直鎖状低
密度エチレン−ブテン−１共重合体１００重量部を温度
６０℃に予熱しておいたものと、ビニルトリメトキシシ
ラン（日本ユニカー製 ＮＵＣシランカップリング剤Ｙ
−９８１８）２重量部と、ジクミルパーオキシド（日本
油脂製 パークミルＤ）０．１重量部を温度５０℃に加
熱したものとを、リボンブレンダーに投入した。温度６
０℃に加熱しながら３０分間混合し、次いで、密閉容器
中で温度６０℃に保持しながら２時間静置し、不飽和ア
ルコキシシランおよび有機過酸化物を含浸させた直鎖状
低密度エチレン−ブテン−１共重合体を得た。
【００５０】一方、密度０．９２０ｇ／ｃｍ３、メルト
マスフローレート０．８ｇ／１０分の高圧法低密度ポリ
エチレン（日本ユニカー製 ＮＵＣポリエチレン）１０
０重量部に、ジブチル錫ジウラウレート１重量部および
テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン
（チバスペシャリティケミカル社製 イルガノックス１
０１０）２重量部を混合し、バンバリーミキサーで温度
１５０℃、１０分間混練してから造粒してシラノール縮
合触媒および酸化防止剤等を配合したポリエチレンを得
た。上記不飽和アルコキシシランおよび有機過酸化物を
含浸させた直鎖直鎖状低密度エチレン−α−オレフィン
共重合体９５重量％に、上記シラノール縮合触媒および
酸化防止剤等を配合したポリエチレン５重量％を加え、
混合し、水架橋性ポリエチレン絶縁層用樹脂組成物とし
た。
マスフローレート０．８ｇ／１０分の高圧法低密度ポリ
エチレン（日本ユニカー製 ＮＵＣポリエチレン）１０
０重量部に、ジブチル錫ジウラウレート１重量部および
テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン
（チバスペシャリティケミカル社製 イルガノックス１
０１０）２重量部を混合し、バンバリーミキサーで温度
１５０℃、１０分間混練してから造粒してシラノール縮
合触媒および酸化防止剤等を配合したポリエチレンを得
た。上記不飽和アルコキシシランおよび有機過酸化物を
含浸させた直鎖直鎖状低密度エチレン−α−オレフィン
共重合体９５重量％に、上記シラノール縮合触媒および
酸化防止剤等を配合したポリエチレン５重量％を加え、
混合し、水架橋性ポリエチレン絶縁層用樹脂組成物とし
た。
【００５１】（Ｃ）外部半導電層用樹脂組成物 次の（ｇ）〜（ｍ）からなる外部半導電層用樹脂組成物
を調製した。 （ｇ）成分：酢酸ビニル含有量２８重量％、メルトマス
フローレート２０．０ｇ／１０分、密度０．９３８ｇ／
ｃｍ３のエチレン−酢酸ビニル共重合体１００重量部 （ｈ）成分：メルトマスフローレート０．８ｇ／１０
分、密度０．９２２ｇ／ｃｍ３の気相法低圧法により製
造した直鎖状エチレン−ブテン−１共重合体７０重量部 （ｉ）成分：メルトマスフローレート０．９ｇ／１０
分、密度０．９００ｇ／ｃｍ３のポリプロピレン２０重
量部 （ｊ）成分：２３℃における粘度が３００，０００ｃＳ
ｔで、メチルビニルシリコーン含量１．０％のシリコー
ンガムストック５重量部 （ｋ）成分：ケッチェンブラックＥＣ（三菱化学製）３
０重量部 （ｌ）成分：２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチ
ルパーオキシ）ヘキシン（日本油脂製 パーヘキシン２
５Ｂ）０．３重量部 （ｍ）成分：テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト］メタン（チバスペシャリティケミカル社製イルガノ
ックス１０１０）０．３重量部
を調製した。 （ｇ）成分：酢酸ビニル含有量２８重量％、メルトマス
フローレート２０．０ｇ／１０分、密度０．９３８ｇ／
ｃｍ３のエチレン−酢酸ビニル共重合体１００重量部 （ｈ）成分：メルトマスフローレート０．８ｇ／１０
分、密度０．９２２ｇ／ｃｍ３の気相法低圧法により製
造した直鎖状エチレン−ブテン−１共重合体７０重量部 （ｉ）成分：メルトマスフローレート０．９ｇ／１０
分、密度０．９００ｇ／ｃｍ３のポリプロピレン２０重
量部 （ｊ）成分：２３℃における粘度が３００，０００ｃＳ
ｔで、メチルビニルシリコーン含量１．０％のシリコー
ンガムストック５重量部 （ｋ）成分：ケッチェンブラックＥＣ（三菱化学製）３
０重量部 （ｌ）成分：２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチ
ルパーオキシ）ヘキシン（日本油脂製 パーヘキシン２
５Ｂ）０．３重量部 （ｍ）成分：テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト］メタン（チバスペシャリティケミカル社製イルガノ
ックス１０１０）０．３重量部
【００５２】（Ｄ）コモン三層押出装置の準備 ダイプレートにそれぞれ１５０メッシュ、２５０メッシ
ュ、１２０メッシュのスクリーンパックを設置した３台
の押出機を準備し、これらを連結することにより、内部
半導電層押出機、絶縁層押出機および外部半導電層押出
機となるように順次配置したコモン三層クロスヘッドを
有する押出装置とした。
ュ、１２０メッシュのスクリーンパックを設置した３台
の押出機を準備し、これらを連結することにより、内部
半導電層押出機、絶縁層押出機および外部半導電層押出
機となるように順次配置したコモン三層クロスヘッドを
有する押出装置とした。
【００５３】（Ｅ）水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブ
ルの製造 上記（Ａ）〜（Ｃ）で調製した内部半導電層用密着性半
導電性樹脂組成物、水架橋性ポリエチレン樹脂組成物及
び外部半導電層用樹脂組成物の各成分をそれぞれ三層コ
モン押出装置の内部半導電層押出機、水架橋ポリエチレ
ン層押出機及び外部半導電層押出機に供給した。これら
の各成分を、内部半導電層押出機では２００℃、水架橋
ポリエチレン層押出機では２２０℃、外部半導電層押出
機では２２０℃で加熱混練した後、それぞれ三層コモン
クロスヘッドのダイスより硬銅撚線導体上に内部半導電
層の厚みが１ｍｍ、水架橋ポリエチレン絶縁層の厚みが
４ｍｍ、外部半導電層の厚みが１ｍｍとなるように同時
に押出した。次いで、８０℃の水蒸気に２４時間さら
し、水架橋反応を完結し、乾燥後、ポリ塩化ビニルコン
パウンドを厚み３ｍｍとなるように被覆しジャケット層
とし、本発明の水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルを
製造した。
ルの製造 上記（Ａ）〜（Ｃ）で調製した内部半導電層用密着性半
導電性樹脂組成物、水架橋性ポリエチレン樹脂組成物及
び外部半導電層用樹脂組成物の各成分をそれぞれ三層コ
モン押出装置の内部半導電層押出機、水架橋ポリエチレ
ン層押出機及び外部半導電層押出機に供給した。これら
の各成分を、内部半導電層押出機では２００℃、水架橋
ポリエチレン層押出機では２２０℃、外部半導電層押出
機では２２０℃で加熱混練した後、それぞれ三層コモン
クロスヘッドのダイスより硬銅撚線導体上に内部半導電
層の厚みが１ｍｍ、水架橋ポリエチレン絶縁層の厚みが
４ｍｍ、外部半導電層の厚みが１ｍｍとなるように同時
に押出した。次いで、８０℃の水蒸気に２４時間さら
し、水架橋反応を完結し、乾燥後、ポリ塩化ビニルコン
パウンドを厚み３ｍｍとなるように被覆しジャケット層
とし、本発明の水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルを
製造した。
【００５４】本発明の水架橋ポリエチレン絶縁電力ケー
ブルの性能評価結果を次に示す。 （１）界面平滑性：水架橋ポリエチレン絶縁層と内部半
導電層との界面は、平滑であり直径３００μｍを超える
突起は認められなかった。 （２）内部半導電層の加熱変形率：厚さの減少率は１．
１％であり耐熱性は十分であった。 （３）内部半導電層と水架橋ポリエチレン絶縁層との密
着強度：５．５ｋｇ／０．５ｉｎｃｈであり、密着性は
十分であった。 （４）内部半導電層の引張強度：引張強度は、１４．７
ＭＰａであり、機械的強度が十分あることを示してい
る。 （５）内部半導電層の伸び：伸びは、４８１％であり、
ケーブルを曲げたとき、十分曲げに追随し得ることを示
した。 （６）水架橋ポリエチレン絶縁層のゲル分率：ゲル分率
は、６２％であり、十分水架橋しており、耐熱性は十分
であった。 （７）押出加工性：メルトマスフローレートは、４３ｇ
／１０分であり押出加工性は十分であった。 （８）体積固有抵抗値：体積固有抵抗値は、２８Ω・ｃ
ｍであり適切な数値であった。
ブルの性能評価結果を次に示す。 （１）界面平滑性：水架橋ポリエチレン絶縁層と内部半
導電層との界面は、平滑であり直径３００μｍを超える
突起は認められなかった。 （２）内部半導電層の加熱変形率：厚さの減少率は１．
１％であり耐熱性は十分であった。 （３）内部半導電層と水架橋ポリエチレン絶縁層との密
着強度：５．５ｋｇ／０．５ｉｎｃｈであり、密着性は
十分であった。 （４）内部半導電層の引張強度：引張強度は、１４．７
ＭＰａであり、機械的強度が十分あることを示してい
る。 （５）内部半導電層の伸び：伸びは、４８１％であり、
ケーブルを曲げたとき、十分曲げに追随し得ることを示
した。 （６）水架橋ポリエチレン絶縁層のゲル分率：ゲル分率
は、６２％であり、十分水架橋しており、耐熱性は十分
であった。 （７）押出加工性：メルトマスフローレートは、４３ｇ
／１０分であり押出加工性は十分であった。 （８）体積固有抵抗値：体積固有抵抗値は、２８Ω・ｃ
ｍであり適切な数値であった。
【００５５】実施例２ （Ａ）内部半導電層用密着性半導電性樹脂組成物の調製 次の（ａ）〜（ｆ）からなる内部半導電層用密着性半導
電性樹脂組成物を調製した。 （ａ）成分：エチルアクリレート含有量３２重量％、メ
ルトマスフローレート１０ｇ／１０分、密度０．９４１
ｇ／ｃｍ３のエチレン−エチルアクリレート共重合体
１００重量部 （ｂ）成分：メルトマスフローレート１．８ｇ／１０
分、密度０．９３５ｇ／ｃｍ３、シングルサイト触媒を
用いて溶液法でつくった直鎖状エチレン−ヘキセン−１
共重合体 １５０重量部 （ｃ）成分：２３℃における粘度が１５０，０００ｃＳ
ｔで、メチルビニルシリコーン含量０．７％のシリコー
ンガムストック４５重量部 （ｄ）成分：ファーネスブラック（ＭＭＭカーボン社製
エンサコ２５０Ｇ）１３０重量部 （ｅ）成分：有機過酸化物２，５−ジメチル−２，５−
ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン（日本油脂製 パ
ーヘキシン２５Ｂ）１．８重量部 （ｆ）成分：テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト］メタン（チバスペシャリティケミカル社製イルガノ
ックス１０１０）０．３重量部
電性樹脂組成物を調製した。 （ａ）成分：エチルアクリレート含有量３２重量％、メ
ルトマスフローレート１０ｇ／１０分、密度０．９４１
ｇ／ｃｍ３のエチレン−エチルアクリレート共重合体
１００重量部 （ｂ）成分：メルトマスフローレート１．８ｇ／１０
分、密度０．９３５ｇ／ｃｍ３、シングルサイト触媒を
用いて溶液法でつくった直鎖状エチレン−ヘキセン−１
共重合体 １５０重量部 （ｃ）成分：２３℃における粘度が１５０，０００ｃＳ
ｔで、メチルビニルシリコーン含量０．７％のシリコー
ンガムストック４５重量部 （ｄ）成分：ファーネスブラック（ＭＭＭカーボン社製
エンサコ２５０Ｇ）１３０重量部 （ｅ）成分：有機過酸化物２，５−ジメチル−２，５−
ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン（日本油脂製 パ
ーヘキシン２５Ｂ）１．８重量部 （ｆ）成分：テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト］メタン（チバスペシャリティケミカル社製イルガノ
ックス１０１０）０．３重量部
【００５６】（Ｂ）水架橋性ポリエチレン絶縁層用樹脂
組成物の調製 メルトマスフローレートが２．０ｇ／１０分、密度０．
９２２ｇ／ｃｍ３の高圧法低密度ポリエチレン１００重
量部に、ジクミルパーオキシド０．１重量部及びビニル
トリメトキシシラン２重量部を加え、２３０℃で押出機
から押出してシラン変性ポリエチレンを製造した。一
方、メルトマスフローレートが３．０ｇ／１０分、密度
が０．９１７ｇ／ｃｍ３の高圧法低密度ポリエチレン１
００重量部に、ジブチル錫ジラウレート１重量部、テト
ラキス［メチレン−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４
−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン（チバ
スペシャリティケミカル社製 イルガノックス１０１
０）５重量部を配合した触媒マスターバッチを調製し
た。シラン変性ポリエチレンと触媒マスターバッチとを
１００：５の重量割合で混合して水架橋性ポリエチレン
絶縁層用樹脂組成物とした。
組成物の調製 メルトマスフローレートが２．０ｇ／１０分、密度０．
９２２ｇ／ｃｍ３の高圧法低密度ポリエチレン１００重
量部に、ジクミルパーオキシド０．１重量部及びビニル
トリメトキシシラン２重量部を加え、２３０℃で押出機
から押出してシラン変性ポリエチレンを製造した。一
方、メルトマスフローレートが３．０ｇ／１０分、密度
が０．９１７ｇ／ｃｍ３の高圧法低密度ポリエチレン１
００重量部に、ジブチル錫ジラウレート１重量部、テト
ラキス［メチレン−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４
−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン（チバ
スペシャリティケミカル社製 イルガノックス１０１
０）５重量部を配合した触媒マスターバッチを調製し
た。シラン変性ポリエチレンと触媒マスターバッチとを
１００：５の重量割合で混合して水架橋性ポリエチレン
絶縁層用樹脂組成物とした。
【００５７】（Ｃ）外部半導電層用樹脂組成物の調製 次の（ｇ）〜（ｍ）からなる外部半導電層用樹脂組成物
を調製した。 （ｇ）成分：エチルアクリレート含有量３２重量％、メ
ルトマスフローレート１０ｇ／１０分、密度０．９４１
ｇ／ｃｍ３のエチレン−エチルアクリレート共重合体
１００重量部 （ｈ）成分：メルトマスフローレート１．８ｇ／１０
分、密度０．９３５ｇ／ｃｍ３、シングルサイト触媒を
用いて溶液法でつくった直鎖状エチレン−ヘキセン−１
共重合体 １５０重量部 （ｉ）成分：メルトマスフローレート２．５ｇ／１０
分、密度０．９００ｇ／ｃｍ３、エチレン５重量％含有
のプロピレン−エチレン共重合体４０重量部 （ｊ）成分：２３℃における粘度が１５０，０００ｃＳ
ｔで、メチルビニルシリコーン含量０．７％のシリコー
ンガムストック４５重量部 （ｋ）成分：ファーネスブラック（ＭＭＭカーボン社製
エンサコ２５０Ｇ）１３０重量部 （ｌ）成分：有機過酸化物２，５−ジメチル−２，５−
ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン（日本油脂製 パ
ーヘキシン２５Ｂ）１．８重量部 （ｍ）成分：テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト］メタン（チバスペシャリティケミカル社製イルガノ
ックス１０１０）０．３重量部
を調製した。 （ｇ）成分：エチルアクリレート含有量３２重量％、メ
ルトマスフローレート１０ｇ／１０分、密度０．９４１
ｇ／ｃｍ３のエチレン−エチルアクリレート共重合体
１００重量部 （ｈ）成分：メルトマスフローレート１．８ｇ／１０
分、密度０．９３５ｇ／ｃｍ３、シングルサイト触媒を
用いて溶液法でつくった直鎖状エチレン−ヘキセン−１
共重合体 １５０重量部 （ｉ）成分：メルトマスフローレート２．５ｇ／１０
分、密度０．９００ｇ／ｃｍ３、エチレン５重量％含有
のプロピレン−エチレン共重合体４０重量部 （ｊ）成分：２３℃における粘度が１５０，０００ｃＳ
ｔで、メチルビニルシリコーン含量０．７％のシリコー
ンガムストック４５重量部 （ｋ）成分：ファーネスブラック（ＭＭＭカーボン社製
エンサコ２５０Ｇ）１３０重量部 （ｌ）成分：有機過酸化物２，５−ジメチル−２，５−
ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン（日本油脂製 パ
ーヘキシン２５Ｂ）１．８重量部 （ｍ）成分：テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト］メタン（チバスペシャリティケミカル社製イルガノ
ックス１０１０）０．３重量部
【００５８】（Ｄ）各層押出機の準備 ダイプレートにそれぞれ１５０メッシュ、２５０メッシ
ュ、１２０メッシュのスクリーンパックを設置した３台
の押出機を準備し、それぞれを内部半導電層押出機、絶
縁層押出機および外部半導電層押出機とした。
ュ、１２０メッシュのスクリーンパックを設置した３台
の押出機を準備し、それぞれを内部半導電層押出機、絶
縁層押出機および外部半導電層押出機とした。
【００５９】（Ｅ）水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブ
ルの製造 上記（Ａ）〜（Ｃ）に準備した内部半導電層用密着性半
導電性樹脂組成物、水架橋性ポリエチレン樹脂組成物及
び外部半導電層用樹脂組成物の各成分をそれぞれ三層コ
モン押出装置の内部半導電層押出機、水架橋ポリエチレ
ン層押出機及び外部半導電層押出機に供給した。これら
の各成分を、内部半導電層押出機では２００℃、水架橋
ポリエチレン層押出機では２２０℃、外部半導電層押出
機では２２０℃で加熱混練したのちそれぞれの押出機の
クロスヘッドのダイスより硬銅撚線導体上に内部半導電
層の厚みが１ｍｍ、水架橋ポリエチレン絶縁層の厚みが
４ｍｍ、外部半導電層の厚みが１ｍｍとなるように同時
に被覆した。次いで、８０℃の水蒸気に２４時間さら
し、水架橋反応を完結し、乾燥後、ポリ塩化ビニルコン
パウンドを厚み３ｍｍとなるように被覆しジャケット層
とし本発明の水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルを完
成させた。得られた水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブ
ルの性能評価を実施例１と同様に行なった。その結果を
以下に示す。
ルの製造 上記（Ａ）〜（Ｃ）に準備した内部半導電層用密着性半
導電性樹脂組成物、水架橋性ポリエチレン樹脂組成物及
び外部半導電層用樹脂組成物の各成分をそれぞれ三層コ
モン押出装置の内部半導電層押出機、水架橋ポリエチレ
ン層押出機及び外部半導電層押出機に供給した。これら
の各成分を、内部半導電層押出機では２００℃、水架橋
ポリエチレン層押出機では２２０℃、外部半導電層押出
機では２２０℃で加熱混練したのちそれぞれの押出機の
クロスヘッドのダイスより硬銅撚線導体上に内部半導電
層の厚みが１ｍｍ、水架橋ポリエチレン絶縁層の厚みが
４ｍｍ、外部半導電層の厚みが１ｍｍとなるように同時
に被覆した。次いで、８０℃の水蒸気に２４時間さら
し、水架橋反応を完結し、乾燥後、ポリ塩化ビニルコン
パウンドを厚み３ｍｍとなるように被覆しジャケット層
とし本発明の水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルを完
成させた。得られた水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブ
ルの性能評価を実施例１と同様に行なった。その結果を
以下に示す。
【００６０】（１）界面平滑性：水架橋ポリエチレン絶
縁層と内部半導電層との界面には平滑であり直径３００
μｍ以上の突起は認められなかった。 （２）内部半導電層の加熱変形率：厚さの減少率は１．
３％であり耐熱性は十分であった。 （３）内部半導電層と水架橋ポリエチレン絶縁層との密
着強度：４．８ｋｇ／０．５ｉｎｃｈであり、密着性は
十分であった。 （４）内部半導電層の引張強度：引張強度は、１３．２
ＭＰａであり、機械的強度が十分であることを示してい
る。 （５）内部半導電層の伸び：伸びは、３９５％であり、
ケーブルを曲げたとき、十分曲げに追随し得ることを示
した。 （６）水架橋ポリエチレン絶縁層のゲル分率：ゲル分率
は、５９％であり、十分水架橋しており耐熱性は十分で
あった。 （７）押出加工性：メルトマスフローレートは、３８ｇ
／１０分であり押出加工性は十分であった。 （８）体積固有抵抗値：体積固有抵抗値は、３２Ω・ｃ
ｍであり適切な値であった。
縁層と内部半導電層との界面には平滑であり直径３００
μｍ以上の突起は認められなかった。 （２）内部半導電層の加熱変形率：厚さの減少率は１．
３％であり耐熱性は十分であった。 （３）内部半導電層と水架橋ポリエチレン絶縁層との密
着強度：４．８ｋｇ／０．５ｉｎｃｈであり、密着性は
十分であった。 （４）内部半導電層の引張強度：引張強度は、１３．２
ＭＰａであり、機械的強度が十分であることを示してい
る。 （５）内部半導電層の伸び：伸びは、３９５％であり、
ケーブルを曲げたとき、十分曲げに追随し得ることを示
した。 （６）水架橋ポリエチレン絶縁層のゲル分率：ゲル分率
は、５９％であり、十分水架橋しており耐熱性は十分で
あった。 （７）押出加工性：メルトマスフローレートは、３８ｇ
／１０分であり押出加工性は十分であった。 （８）体積固有抵抗値：体積固有抵抗値は、３２Ω・ｃ
ｍであり適切な値であった。
【００６１】実施例３ 実施例１の内部半導電層用密着性半導電性樹脂組成物に
代えて、下記の（ａ）〜（ｆ）からなる樹脂組成物を用
いた以外は、実施例１と同様な実験を行った。 （ａ）成分：ブチルアクリレート含有量１７重量％、メ
ルトマスフローレート５．０ｇ／１０分、密度０．９３
７ｇ／ｃｍ３のエチレン−ブチルアクリレート共重合体
１００重量部 （ｂ）成分：メルフレート２０ｇ／１０分、密度０．９
００ｇ／ｃｍ３の気相法低圧法でつくった直鎖状エチレ
ン−ヘキセン−１共重合体１００重量部 （ｃ）成分：２３℃における粘度が３，０００ｃＳｔ
で、メチルビニルシリコーン含量０．８％のジメチルポ
リシロキサンオイル３０重量部 （ｄ）成分：ケッチェンブラックＥＣ（三菱化学製）２
０重量部 （ｅ）成分：２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチ
ルパーオキシ）ヘキシン（日本油脂製 パーヘキシン２
５Ｂ）１．８重量部 （ｆ）成分：テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト］メタン（チバスペシャリティケミカル社製イルガノ
ックス１０１０）０．３重量部
代えて、下記の（ａ）〜（ｆ）からなる樹脂組成物を用
いた以外は、実施例１と同様な実験を行った。 （ａ）成分：ブチルアクリレート含有量１７重量％、メ
ルトマスフローレート５．０ｇ／１０分、密度０．９３
７ｇ／ｃｍ３のエチレン−ブチルアクリレート共重合体
１００重量部 （ｂ）成分：メルフレート２０ｇ／１０分、密度０．９
００ｇ／ｃｍ３の気相法低圧法でつくった直鎖状エチレ
ン−ヘキセン−１共重合体１００重量部 （ｃ）成分：２３℃における粘度が３，０００ｃＳｔ
で、メチルビニルシリコーン含量０．８％のジメチルポ
リシロキサンオイル３０重量部 （ｄ）成分：ケッチェンブラックＥＣ（三菱化学製）２
０重量部 （ｅ）成分：２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチ
ルパーオキシ）ヘキシン（日本油脂製 パーヘキシン２
５Ｂ）１．８重量部 （ｆ）成分：テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト］メタン（チバスペシャリティケミカル社製イルガノ
ックス１０１０）０．３重量部
【００６２】その結果を以下に示す。 （１）界面平滑性：水架橋ポリエチレン絶縁層と内部半
導電層との界面には平滑であり直径３００μｍ以上の突
起は認められなかった。 （２）内部半導電層の加熱変形率：厚さの減少率は１．
１％であり耐熱性は十分であった。 （３）密着強度：５．２ｋｇ／０．５ｉｎｃｈであり、
密着性は十分であった。 （４）内部半導電層の引張強度：１１．２ＭＰａであ
り、機械的強度が十分であることを示している。 （５）内部半導電層の伸び：４３５％であり、ケーブル
を曲げたとき、十分曲げに追随し得ることを示した。 （６）水架橋ポリエチレン絶縁層のゲル分率：６２％で
あり、十分水架橋しており耐熱性は十分であった。 （７）押出加工性：メルトマスフローレートは、５８ｇ
／１０分であり押出加工性は十分であった。 （８）体積固有抵抗値：４７Ω・ｃｍであり適切な値で
あった。
導電層との界面には平滑であり直径３００μｍ以上の突
起は認められなかった。 （２）内部半導電層の加熱変形率：厚さの減少率は１．
１％であり耐熱性は十分であった。 （３）密着強度：５．２ｋｇ／０．５ｉｎｃｈであり、
密着性は十分であった。 （４）内部半導電層の引張強度：１１．２ＭＰａであ
り、機械的強度が十分であることを示している。 （５）内部半導電層の伸び：４３５％であり、ケーブル
を曲げたとき、十分曲げに追随し得ることを示した。 （６）水架橋ポリエチレン絶縁層のゲル分率：６２％で
あり、十分水架橋しており耐熱性は十分であった。 （７）押出加工性：メルトマスフローレートは、５８ｇ
／１０分であり押出加工性は十分であった。 （８）体積固有抵抗値：４７Ω・ｃｍであり適切な値で
あった。
【００６３】比較例１ 実施例１において（ａ）のエチレン−酢酸ビニル共重合
体（ＥＶＡ）を、酢酸ビニル含有量８．０％のＥＶＡに
代替した以外は、実施例１と同様な実験を行ったとこ
ろ、内部半導電層の密着性、柔軟性伸びが悪化した。
体（ＥＶＡ）を、酢酸ビニル含有量８．０％のＥＶＡに
代替した以外は、実施例１と同様な実験を行ったとこ
ろ、内部半導電層の密着性、柔軟性伸びが悪化した。
【００６４】比較例２ 実施例１において（ａ）のエチレン−酢酸ビニル共重合
体（ＥＶＡ）を、酢酸ビニル含有量５５％のＥＶＡに代
替した以外は、実施例１と同様な実験を行ったところ、
内部半導電層の引張強度が弱くなり、内部半導電層の機
械的強度が不十分であった。
体（ＥＶＡ）を、酢酸ビニル含有量５５％のＥＶＡに代
替した以外は、実施例１と同様な実験を行ったところ、
内部半導電層の引張強度が弱くなり、内部半導電層の機
械的強度が不十分であった。
【００６５】比較例３ 実施例１において（ａ）のエチレン−酢酸ビニル共重合
体（ＥＶＡ）を、メルトマスフローレートが０．８ｇ／
１０分のＥＶＡに代替した以外は、実施例１と同様な実
験を行ったところ、内部半導電層の押出加工性、柔軟
性、伸び等が不十分であった。
体（ＥＶＡ）を、メルトマスフローレートが０．８ｇ／
１０分のＥＶＡに代替した以外は、実施例１と同様な実
験を行ったところ、内部半導電層の押出加工性、柔軟
性、伸び等が不十分であった。
【００６６】比較例４ 実施例１において（ａ）のエチレン−酢酸ビニル共重合
体（ＥＶＡ）を、メルトマスフローレートが１２０ｇ／
１０分のＥＶＡに代替した以外は、実施例１と同様な実
験を行ったところ、内部半導電層の引張強度、耐熱性が
不十分であった。
体（ＥＶＡ）を、メルトマスフローレートが１２０ｇ／
１０分のＥＶＡに代替した以外は、実施例１と同様な実
験を行ったところ、内部半導電層の引張強度、耐熱性が
不十分であった。
【００６７】比較例５ 実施例１において（ｂ）のエチレン−ブテン−１共重合
体を、メルトマスフローレートが０．０８ｇ／１０分の
ものに代替した以外は、実施例１と同様な実験を行った
ところ、内部半導電層の加工性が悪化した。
体を、メルトマスフローレートが０．０８ｇ／１０分の
ものに代替した以外は、実施例１と同様な実験を行った
ところ、内部半導電層の加工性が悪化した。
【００６８】比較例６ 実施例１において（ｂ）のエチレン−ブテン−１共重合
体を、メルトマスフローレートが３５ｇ／１０分のもの
に代替した以外は、実施例１と同様な実験を行ったとこ
ろ、内部半導電層の引張強度が弱くなった。
体を、メルトマスフローレートが３５ｇ／１０分のもの
に代替した以外は、実施例１と同様な実験を行ったとこ
ろ、内部半導電層の引張強度が弱くなった。
【００６９】比較例７ 実施例１において（ｂ）のエチレン−ブテン−１共重合
体を、密度が０．８５０ｇ／ｃｍ３のものに代替した以
外は、実施例１と同様な実験を行ったところ、内部半導
電層の１２０℃以上の耐加熱変形性が悪化した。
体を、密度が０．８５０ｇ／ｃｍ３のものに代替した以
外は、実施例１と同様な実験を行ったところ、内部半導
電層の１２０℃以上の耐加熱変形性が悪化した。
【００７０】比較例８ 実施例１において（ｂ）のエチレン−ブテン−１共重合
体を、密度が０．９４８ｇ／ｃｍ３のものに代替した以
外は、実施例１と同様な実験を行ったところ、内部半導
電層の柔軟性が悪化した。
体を、密度が０．９４８ｇ／ｃｍ３のものに代替した以
外は、実施例１と同様な実験を行ったところ、内部半導
電層の柔軟性が悪化した。
【００７１】比較例９ 実施例１において（ｂ）のエチレン−ブテン−１共重合
体の使用量を５０重量部に代えた以外は、実施例１と同
様な実験を行ったところ、内部半導電層の１２０℃以上
の加熱変形率が悪化した。
体の使用量を５０重量部に代えた以外は、実施例１と同
様な実験を行ったところ、内部半導電層の１２０℃以上
の加熱変形率が悪化した。
【００７２】比較例１０ 実施例１において（ｂ）のエチレン−ブテン−１共重合
体の使用量を２２０重量部に代えた以外は、実施例１と
同様な実験を行ったところ、内部半導電層の密着性、柔
軟性、伸び、カーボンブラックの充填性が悪化した。
体の使用量を２２０重量部に代えた以外は、実施例１と
同様な実験を行ったところ、内部半導電層の密着性、柔
軟性、伸び、カーボンブラックの充填性が悪化した。
【００７３】比較例１１ 実施例１において（ｃ）のシリコーンガムストックの使
用量を０．３重量部に代えた以外は、実施例１と同様な
実験を行ったところ、内部半導電層の界面平滑性が不十
分であった。
用量を０．３重量部に代えた以外は、実施例１と同様な
実験を行ったところ、内部半導電層の界面平滑性が不十
分であった。
【００７４】比較例１２ 実施例１において（ｃ）のシリコーンガムストックの使
用量を５５重量部に代えた以外は、実施例１と同様な実
験を行ったところ、内部半導電層の加工性及び界面の平
滑性が悪化し、引張強度が不十分であった。
用量を５５重量部に代えた以外は、実施例１と同様な実
験を行ったところ、内部半導電層の加工性及び界面の平
滑性が悪化し、引張強度が不十分であった。
【００７５】比較例１３ 実施例１において（ｄ）のケッチェンブラックの使用量
を５重量部に代えた以外は、実施例１と同様な実験を行
ったところ、内部半導電層の体積固有抵抗値が２２０Ω
・ｃｍであった。
を５重量部に代えた以外は、実施例１と同様な実験を行
ったところ、内部半導電層の体積固有抵抗値が２２０Ω
・ｃｍであった。
【００７６】比較例１４ 実施例１において（ｄ）のケッチェンブラックの使用量
を３８０重量部に代えた以外は、実施例１と同様な実験
を行ったところ、内部半導電層の引張強度、加工性、柔
軟性、伸びが不十分であった。
を３８０重量部に代えた以外は、実施例１と同様な実験
を行ったところ、内部半導電層の引張強度、加工性、柔
軟性、伸びが不十分であった。
【００７７】比較例１５ 実施例１において（ｅ）の有機過酸化物の量を２．３重
量部に代えた以外は、実施例１と同様な実験を行ったと
ころ、内部半導電層の表面に多数の突起が発生し平滑な
表面が得られなかった。
量部に代えた以外は、実施例１と同様な実験を行ったと
ころ、内部半導電層の表面に多数の突起が発生し平滑な
表面が得られなかった。
【００７８】
【発明の効果】本発明は、水架橋ポリエチレン絶縁電力
ケーブルの内部半導電層として用いる密着性半導電性樹
脂組成物の構成において、特定のエチレン−酢酸ビニル
共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重合体及び
エチレン−ブチルアクリレート共重合体から選ばれた１
種あるいは１種以上、直鎖状エチレン−α−オレフィン
共重合体、オルガノポリシロキサン、カーボンブラック
及び必要に応じて有機過酸化物を特定量づつ使用してい
るので、適切な半導電性、密着性、引張強度、加工性、
界面平滑性、耐寒性、耐熱性等においてすぐれた効果を
発現する。
ケーブルの内部半導電層として用いる密着性半導電性樹
脂組成物の構成において、特定のエチレン−酢酸ビニル
共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重合体及び
エチレン−ブチルアクリレート共重合体から選ばれた１
種あるいは１種以上、直鎖状エチレン−α−オレフィン
共重合体、オルガノポリシロキサン、カーボンブラック
及び必要に応じて有機過酸化物を特定量づつ使用してい
るので、適切な半導電性、密着性、引張強度、加工性、
界面平滑性、耐寒性、耐熱性等においてすぐれた効果を
発現する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 83:07） Ｆターム(参考） 4J002 BB05X BB06W BB07W CP03Y DA036 EK007 EK017 EK027 EK037 EK047 EK057 FD116 FD147 GQ00 5G301 DA18 DA42 DA43 DA45 DA48 DD04
Claims (4)
- 【請求項１】 導体上に内部から外部に向けて内部半導
電層、水架橋ポリエチレン絶縁層、外部半導電層及びジ
ャケット層が形成されている水架橋ポリエチレン絶縁電
力ケーブルの内部半導電層として用いる下記（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）及び（ｅ）成分からなる密着性
半導電性樹脂組成物。 （ａ）（Ｉ）酢酸ビニル含有量１０〜５０重量％、メル
トマスフローレート１．０〜１００．０ｇ／１０分のエ
チレン−酢酸ビニル共重合体、（ＩＩ）エチルアクリレ
ート含有量１０〜５０重量％、メルトマスフローレート
１．０〜１００．０ｇ／１０分のエチレン−エチルアク
リレート共重合体、並びに（ＩＩＩ）ブチルアクリレー
ト含有量１０〜５０重量％、メルトマスフローレート
１．０〜１００．０ｇ／１０分のエチレン−ブチルアク
リレート共重合体から選ばれた１種あるいは１種以上１
００重量部 （ｂ）メルトマスフローレート０．１〜３０．０ｇ／１
０分、密度０．８７０〜０．９４４ｇ／ｃｍ３の直鎖状
エチレン−α−オレフィン共重合体５５〜２００重量部 （ｃ）下記の式（Ａ） 【化１】 （式中、Ｒ１は脂肪族不飽和炭化水素基、Ｒ２は脂肪族
不飽和基を含まない非置換または置換１価炭化水素基、
０≦ｘ＜１、０．５＜ｙ＜３、１＜ｘ＋ｙ＜３、０＜ａ
≦１、０．５≦ｂ≦３である。）で表わされるオルガノ
ポリシロキサン１．０〜５０重量部 （ｄ）カーボンブラック１０〜３５０重量部 （ｅ）有機過酸化物０〜２．０重量部 - 【請求項２】 導体上に請求項１に記載の密着性内部半
導電層用樹脂組成物、水架橋性ポリエチレン絶縁層用樹
脂組成物及び外部半導電性樹脂組成物を順次被覆する工
程は、上記密着性内部半導電層用樹脂組成物及び水架橋
性ポリエチレン絶縁層用樹脂組成物を被覆する工程が二
層同時押出装置により行われ、かつ、該水架橋性ポリエ
チレン絶縁層用樹脂組成物は、モノシル方式で絶縁層押
出機中で調製され、次いで上記外部半導電性樹脂組成物
を被覆する工程を行うことを特徴とする水架橋ポリエチ
レン絶縁電力ケーブルの製造方法。 - 【請求項３】 導体上に請求項１に記載の密着性内部半
導電層用樹脂組成物、水架橋性ポリエチレン絶縁層用樹
脂組成物及び外部半導電性樹脂組成物を順次被覆する工
程が三層同時押出装置により行われ、かつ、該水架橋性
ポリエチレン絶縁層用樹脂組成物は、モノシル方式で三
層同時押出装置の絶縁層押出機中で調製されることを特
徴とする水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの製造方
法。 - 【請求項４】請求項２あるいは３の方法によって製造さ
れる水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブル。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000031966A JP4399077B2 (ja) | 1999-06-09 | 2000-02-09 | 水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブル内部半導電層用密着性半導電性樹脂組成物 |
| US09/824,926 US6525119B2 (en) | 1999-06-09 | 2001-04-03 | Cable semiconductive shield compositions |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-162230 | 1999-06-09 | ||
| JP16223099 | 1999-06-09 | ||
| JP2000031966A JP4399077B2 (ja) | 1999-06-09 | 2000-02-09 | 水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブル内部半導電層用密着性半導電性樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001057108A true JP2001057108A (ja) | 2001-02-27 |
| JP4399077B2 JP4399077B2 (ja) | 2010-01-13 |
Family
ID=26488104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000031966A Expired - Fee Related JP4399077B2 (ja) | 1999-06-09 | 2000-02-09 | 水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブル内部半導電層用密着性半導電性樹脂組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6525119B2 (ja) |
| JP (1) | JP4399077B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007506847A (ja) * | 2003-09-25 | 2007-03-22 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | 剥離型半導性シールドおよびこのための組成物 |
| JP2013505555A (ja) * | 2009-09-22 | 2013-02-14 | ユニオン カーバイド ケミカルズ アンド プラスティックス テクノロジー エルエルシー | 柔軟性の成形又は押出製品及びそれらを製造するための半導電性化合物（関連出願の相互参照）本願は、参照によりその内容が全体として本明細書に組み込まれる２００９年９月２２日に出願された米国特許仮出願第６１／２４４，６１８号明細書の利益を主張するものである。 |
| KR20170026476A (ko) * | 2014-06-27 | 2017-03-08 | 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 | 전기 장치용 냉각 수축 물품 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4399076B2 (ja) * | 1999-04-28 | 2010-01-13 | 日本ユニカー株式会社 | 水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブル外部半導電層用剥離性半導電性樹脂組成物 |
| DE602004000981T2 (de) * | 2003-02-21 | 2006-12-07 | Dow Global Technologies, Inc., Midland | Feuchtigkeitsvernetzbare polymere zusammensetzung |
| US7456231B2 (en) * | 2005-02-02 | 2008-11-25 | Shawcor Ltd. | Radiation-crosslinked polyolefin compositions |
| US20060255501A1 (en) * | 2005-05-11 | 2006-11-16 | Shawcor Ltd. | Crosslinked chlorinated polyolefin compositions |
| EP2128195A1 (en) * | 2008-05-27 | 2009-12-02 | Borealis AG | Strippable semiconductive composition comprising low melt temperature polyolefin |
| DE602008005863D1 (de) * | 2008-05-27 | 2011-05-12 | Borealis Ag | Ablösbare halbleitende Zusammensetzung mit bei niedriger Temperatur schmelzenden Polyolefinen |
| US7935890B2 (en) * | 2008-12-29 | 2011-05-03 | Schlumberger Technology Corporation | Gas blocking, high temperature conductor-insulation adhesive |
| US20100227966A1 (en) * | 2009-03-06 | 2010-09-09 | Shawcor Ltd. | Moisture-crosslinked polyolefin compositions |
| US20110147038A1 (en) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | Honeywell International Inc. | Oxidation-resistant high temperature wires and methods for the making thereof |
| US8388868B2 (en) * | 2010-02-01 | 2013-03-05 | General Cable Technologies Corporation | Vulcanizable copolymer semiconductive shield compositions |
| US8991039B2 (en) * | 2010-09-30 | 2015-03-31 | Dow Global Technologies Llc | Method for manufacturing flexible multilayer electrical articles with improved layer adhesion |
| US20150064466A1 (en) * | 2013-09-05 | 2015-03-05 | Equistar Chemicals, Lp | Polybutene-1 resin for adhesion modification of cables |
| US10952284B2 (en) | 2018-07-19 | 2021-03-16 | Schluter Systems L.P. | Heating cable |
| CN112724500B (zh) * | 2020-12-29 | 2022-08-23 | 浙江万马高分子材料集团有限公司 | 一种半导电屏蔽料及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1526398A (en) | 1974-12-06 | 1978-09-27 | Maillefer Sa | Manufacture of extruded products |
| JPS58212007A (ja) | 1982-06-03 | 1983-12-09 | 日立電線株式会社 | 電力ケ−ブル用半導電性組成物 |
| EP0129617B1 (en) | 1983-06-13 | 1988-02-03 | Du Pont-Mitsui Polychemicals Co., Ltd. | Semiconducting compositions and wires and cables using the same |
| JPS60189110A (ja) | 1984-03-05 | 1985-09-26 | 住友電気工業株式会社 | 電気絶縁ケ−ブル |
| JPH0731947B2 (ja) | 1985-09-07 | 1995-04-10 | 株式会社フジクラ | 電気ケ−ブル |
| JPS62117202A (ja) | 1985-11-15 | 1987-05-28 | 日立電線株式会社 | 加硫ｅｐゴム絶縁電力ケ−ブル |
| JPS6389552A (ja) | 1986-10-02 | 1988-04-20 | Hitachi Cable Ltd | 半導電性樹脂組成物 |
| GB8806497D0 (en) * | 1988-03-18 | 1988-04-20 | Mortile Acoustic Ind Ltd | Non-toxic fire retardant thermoplastic material |
| JPH0329210A (ja) | 1989-06-26 | 1991-02-07 | Fujikura Ltd | 電力ケーブル |
| JPH03247641A (ja) | 1990-02-26 | 1991-11-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導電性組成物 |
| CA2105264C (en) * | 1992-09-08 | 2002-05-07 | Yasushi Nakakura | Resin compositions, production process thereof, and products using the resin compositions |
| US6153691A (en) * | 1998-10-07 | 2000-11-28 | Dow Corning Corporation | Thermoplastic silicone vulcanizates prepared by condensation cure |
-
2000
- 2000-02-09 JP JP2000031966A patent/JP4399077B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-04-03 US US09/824,926 patent/US6525119B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007506847A (ja) * | 2003-09-25 | 2007-03-22 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | 剥離型半導性シールドおよびこのための組成物 |
| JP2013505555A (ja) * | 2009-09-22 | 2013-02-14 | ユニオン カーバイド ケミカルズ アンド プラスティックス テクノロジー エルエルシー | 柔軟性の成形又は押出製品及びそれらを製造するための半導電性化合物（関連出願の相互参照）本願は、参照によりその内容が全体として本明細書に組み込まれる２００９年９月２２日に出願された米国特許仮出願第６１／２４４，６１８号明細書の利益を主張するものである。 |
| KR101769635B1 (ko) * | 2009-09-22 | 2017-08-18 | 유니온 카바이드 케미칼즈 앤드 플라스틱스 테크날러지 엘엘씨 | 가요성 성형품 또는 압출품 및 그의 제조를 위한 반도체 화합물 |
| KR20170026476A (ko) * | 2014-06-27 | 2017-03-08 | 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 | 전기 장치용 냉각 수축 물품 |
| KR102307262B1 (ko) * | 2014-06-27 | 2021-10-05 | 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 | 전기 장치용 냉각 수축 물품 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010014709A1 (en) | 2001-08-16 |
| US6525119B2 (en) | 2003-02-25 |
| JP4399077B2 (ja) | 2010-01-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8680398B2 (en) | Composition for a flame-retardant silane-crosslinked olefin resin, an insulated wire including the same, and a method for producing a flame-retardant silane-crosslinked olefin resin | |
| US8378009B2 (en) | Process of producing flame-retardant silane-crosslinked olefin resin, insulated wire, and process of producing insulated wire | |
| JP4399076B2 (ja) | 水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブル外部半導電層用剥離性半導電性樹脂組成物 | |
| JP4399077B2 (ja) | 水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブル内部半導電層用密着性半導電性樹脂組成物 | |
| JP3551755B2 (ja) | 剥離容易性半導電性樹脂組成物及び電線・ケーブル | |
| JP2010540697A (ja) | 湿分硬化性組成物、及びその組成物を製造するための方法 | |
| CN103038283A (zh) | 用于缆线的可剥离绝缘护套 | |
| JP2015510532A (ja) | 熱可塑性の半導性組成物 | |
| US20170349738A1 (en) | Silane crosslinkable rubber composition and silane crosslinked rubber molded body, method of producing the same, and silane crosslinked rubber molded article | |
| CA2520362A1 (en) | Power cable compositions for strippable adhesion | |
| CN111936567B (zh) | 电线和电缆涂料用发泡聚烯烃组合物 | |
| JP2016173918A (ja) | 絶縁電線およびそれを用いたケーブル | |
| JP4533507B2 (ja) | 化学架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの外部半導電層用剥離性半導電性水架橋性樹脂組成物 | |
| JP4399078B2 (ja) | 水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの外部半導電層用剥離性半導電性水架橋性樹脂組成物 | |
| JP4448589B2 (ja) | 水架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの内部半導電層用密着性半導電性水架橋性樹脂組成物 | |
| JP4533506B2 (ja) | 化学架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブル外部半導電層用剥離性半導電性樹脂組成物 | |
| JP2000034383A (ja) | シラン架橋ポリオレフィン樹脂組成物及び絶縁ケーブル | |
| KR100786140B1 (ko) | 수가교를 통한 반도전 수지 조성물 및 그 제조방법１ | |
| JP3069093B1 (ja) | シラン架橋ポリオレフィン樹脂組成物及び絶縁ケ―ブル | |
| KR100786145B1 (ko) | 수가교를 통한 반도전 수지 조성물 및 그 제조방법２ | |
| JPS60139713A (ja) | 架橋ポリエチレン絶縁電線の製造方法 | |
| JP3003837B2 (ja) | 架橋性ポリエチレン組成物及び電線、ケーブル | |
| CN111971328B (zh) | 用于导线和缆线涂层的非泡沫聚烯烃组合物 | |
| JP3359572B2 (ja) | シラン架橋ポリオレフィン樹脂組成物及び絶縁ケーブル | |
| CN113166501A (zh) | 用于丝线和缆线涂层的固体交联聚烯烃组合物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061120 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090421 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090519 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090702 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090702 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090827 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091006 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091026 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4399077 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131030 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131030 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141030 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |