JP2001035249A - 導電性部材 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
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- H03H1/0007—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network of radio frequency interference filters
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Abstract
(57)【要約】
【課題】例えば数ＧＨｚオーダの周波数成分を有するノ
イズを効率よく減衰させることができる導電性部材を提
供する。 【解決手段】 信号線２１を、銀粉末、フェライト粉
末、有機バインダ、分散剤、および溶剤を混合して作製
された第１の導電ペーストを用いて形成する。
イズを効率よく減衰させることができる導電性部材を提
供する。 【解決手段】 信号線２１を、銀粉末、フェライト粉
末、有機バインダ、分散剤、および溶剤を混合して作製
された第１の導電ペーストを用いて形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電流が流れる導電
性部材に関する。
性部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電子回路に混入した高周波ノ
イズを除去するために、例えばＦＴＣ（Ｆｅｅｄ Ｔｈ
ｒｏｕｇｈ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）が用いられている。
イズを除去するために、例えばＦＴＣ（Ｆｅｅｄ Ｔｈ
ｒｏｕｇｈ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のＦＣＴに信号を
入力すると、その入力信号の直流及び低周波成分はほと
んど減衰しないが、高周波成分は大きく減衰する。とこ
ろが、このＦＣＴは、入力信号の周波数が大きくなるに
伴い信号の減衰量が増大するが、入力信号の周波数がさ
らに大きくなると、今度は逆に減衰量が減少するという
周波数特性を示す。このように挿入損失が減少する特性
を示しても、極端に周波数が高くなければ、上記のＦＴ
Ｃで十分に高周波ノイズを除去できるが、近年、ＰＣ
（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｃｏｍｐｕｔｅｒ）等の電子器機
のクロック周波数の増大に伴い、数ＧＨｚオーダのノイ
ズを効率よく減衰させることが要求されており、上記の
ＦＣＴでは、数ＧＨｚオーダ以上のノイズを効率よく減
衰させることが難しいという問題がある。
入力すると、その入力信号の直流及び低周波成分はほと
んど減衰しないが、高周波成分は大きく減衰する。とこ
ろが、このＦＣＴは、入力信号の周波数が大きくなるに
伴い信号の減衰量が増大するが、入力信号の周波数がさ
らに大きくなると、今度は逆に減衰量が減少するという
周波数特性を示す。このように挿入損失が減少する特性
を示しても、極端に周波数が高くなければ、上記のＦＴ
Ｃで十分に高周波ノイズを除去できるが、近年、ＰＣ
（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｃｏｍｐｕｔｅｒ）等の電子器機
のクロック周波数の増大に伴い、数ＧＨｚオーダのノイ
ズを効率よく減衰させることが要求されており、上記の
ＦＣＴでは、数ＧＨｚオーダ以上のノイズを効率よく減
衰させることが難しいという問題がある。
【０００４】本発明は、上記の事情に鑑み、例えば数Ｇ
Ｈｚオーダの周波数成分を有するノイズを効率よく減衰
させることができる導電性部材を提供することを目的と
する。
Ｈｚオーダの周波数成分を有するノイズを効率よく減衰
させることができる導電性部材を提供することを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の導電性部材は、第１の物質と第２の物質とを有する
導電性部材であって、
明の導電性部材は、第１の物質と第２の物質とを有する
導電性部材であって、
【０００６】上記導電性部材についての導電率と透磁率
との積が、上記第１の物質と上記第２の物質とのうちの
一方の物質を有するとともに他方の物質を有していない
導電性部材についての導電率と透磁率との積よりも大き
いことを特徴とする。
との積が、上記第１の物質と上記第２の物質とのうちの
一方の物質を有するとともに他方の物質を有していない
導電性部材についての導電率と透磁率との積よりも大き
いことを特徴とする。
【０００７】例えば導線等の導電性部材を流れる電流の
周波数が高くなるにつれて、その電流は表皮効果により
導電性部材の表面側に集中する傾向が大きくなる。導電
性部材の、電流が集中する表面部分の深さを表す表皮深
さをδ（後述する図３参照）とすると、このδは以下の
式で表すことができる。
周波数が高くなるにつれて、その電流は表皮効果により
導電性部材の表面側に集中する傾向が大きくなる。導電
性部材の、電流が集中する表面部分の深さを表す表皮深
さをδ（後述する図３参照）とすると、このδは以下の
式で表すことができる。
【数１】 尚、ω；角周波数、σ；導電率、μ；透磁率である。
【０００８】本発明の導電性部材は、導電率σと透磁率
μとの積σμが、上記第１の物質と上記第２の物質との
うちの一方の物質を有するとともに他方の物質を有して
いない導電性部材（以下、比較用の導電性部材と呼ぶこ
とがある）についての導電率σと透磁率μとの積σμよ
りも大きい。
μとの積σμが、上記第１の物質と上記第２の物質との
うちの一方の物質を有するとともに他方の物質を有して
いない導電性部材（以下、比較用の導電性部材と呼ぶこ
とがある）についての導電率σと透磁率μとの積σμよ
りも大きい。
【０００９】ここで、例えば、上記第１の物質を銀、上
記第２の物質をフェライトとし、比較用の導電性部材と
して、銀を有するとともにフェライトを有していない導
電性部材を考える。このとき、本発明の導電性部材は、
銀とフェライトとの双方の物質を有していることにな
る。つまり、比較用の導電性部材は、透磁率の大きい物
質であるフェライトを有していないが、これに対し、本
発明の導電性部材は、透磁率の大きい物質であるフェラ
イトを有している。従って、この比較用の導電性部材の
導電率σと透磁率μとの積σμをσμ１とし、一方、本
発明の導電性部材についての導電率と透磁率との積σμ
をσμ２とすると、フェライトを有する方のσμ２が、
フェライトを有していない方のσμ１よりも大きくなる
ように、本発明の導電性部材が含有するフェライトの量
を選択することにより、本発明の導電性部材についての
表皮深さδを、比較用の導電性部材についての表皮深さ
δよりも小さくすることができる。このため、本発明の
導電性部材と、比較用の導電性部材それぞれに同じ周波
数のノイズが混入した場合、本発明の導電性部材の方
が、比較用の導電性部材よりも、そのノイズの周波数に
対応する表皮深さδが小さくなる。従って、本発明の導
電性部材を用いることにより、高周波ノイズを効率よく
減衰させることができる。
記第２の物質をフェライトとし、比較用の導電性部材と
して、銀を有するとともにフェライトを有していない導
電性部材を考える。このとき、本発明の導電性部材は、
銀とフェライトとの双方の物質を有していることにな
る。つまり、比較用の導電性部材は、透磁率の大きい物
質であるフェライトを有していないが、これに対し、本
発明の導電性部材は、透磁率の大きい物質であるフェラ
イトを有している。従って、この比較用の導電性部材の
導電率σと透磁率μとの積σμをσμ１とし、一方、本
発明の導電性部材についての導電率と透磁率との積σμ
をσμ２とすると、フェライトを有する方のσμ２が、
フェライトを有していない方のσμ１よりも大きくなる
ように、本発明の導電性部材が含有するフェライトの量
を選択することにより、本発明の導電性部材についての
表皮深さδを、比較用の導電性部材についての表皮深さ
δよりも小さくすることができる。このため、本発明の
導電性部材と、比較用の導電性部材それぞれに同じ周波
数のノイズが混入した場合、本発明の導電性部材の方
が、比較用の導電性部材よりも、そのノイズの周波数に
対応する表皮深さδが小さくなる。従って、本発明の導
電性部材を用いることにより、高周波ノイズを効率よく
減衰させることができる。
【００１０】尚、（１）式から単純に考えると、導電率
と透磁率との積を大きくして表皮深さδを小さくするに
は、導電率と透磁率のうちのいずれか一方を大きくすれ
ばよいが、導電率を大きくして表皮深さδを小さくしよ
うとすると、導電率が大きいことにより高周波ノイズが
流れやすくなるという作用が、表皮深さδが小さいこと
により高周波ノイズが流れにくくなるという作用よりも
強く表れ、逆に高周波ノイズが流れやすくなる恐れがあ
る。そこで、本発明では、導電率はあまり大きくせずに
透磁率を大きくして表皮深さδを小さくすることが、高
周波ノイズを減衰させるのに効果的である。ただし、導
電率をあまり小さく設定してしまうと、今度は、本来減
衰させたくない低周波信号が減衰してしまう恐れがある
ので、導電率は、導電性部材の用途に応じて設定する必
要がある。
と透磁率との積を大きくして表皮深さδを小さくするに
は、導電率と透磁率のうちのいずれか一方を大きくすれ
ばよいが、導電率を大きくして表皮深さδを小さくしよ
うとすると、導電率が大きいことにより高周波ノイズが
流れやすくなるという作用が、表皮深さδが小さいこと
により高周波ノイズが流れにくくなるという作用よりも
強く表れ、逆に高周波ノイズが流れやすくなる恐れがあ
る。そこで、本発明では、導電率はあまり大きくせずに
透磁率を大きくして表皮深さδを小さくすることが、高
周波ノイズを減衰させるのに効果的である。ただし、導
電率をあまり小さく設定してしまうと、今度は、本来減
衰させたくない低周波信号が減衰してしまう恐れがある
ので、導電率は、導電性部材の用途に応じて設定する必
要がある。
【００１１】ここで、本発明の導電性部材が、上記第１
の物質が金属、上記第２の物質が磁性体であり、
の物質が金属、上記第２の物質が磁性体であり、
【００１２】金属と磁性体とを有する導電性部材につい
ての導電率と透磁率との積が、金属を有するとともに磁
性体を有していない導電性部材についての導電率と透磁
率との積よりも大きいことが好ましい。
ての導電率と透磁率との積が、金属を有するとともに磁
性体を有していない導電性部材についての導電率と透磁
率との積よりも大きいことが好ましい。
【００１３】本発明の導電性部材が磁性体を有すること
により、本発明の導電性部材についての導電率と透磁率
との積を効率よく大きくすることができる。つまり、表
皮深さを効率よく小さくすることができる。
により、本発明の導電性部材についての導電率と透磁率
との積を効率よく大きくすることができる。つまり、表
皮深さを効率よく小さくすることができる。
【００１４】また、本発明の導電性部材は、上記磁性体
が強磁性体であることが好ましい。
が強磁性体であることが好ましい。
【００１５】強磁性体を用いることにより、導電率と透
磁率との積をさらに効率よく大きくすることができる。
磁率との積をさらに効率よく大きくすることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。
説明する。
【００１７】図１は、本発明の導電性部材の一実施形態
である信号線（後述する図２参照）を備えたＥＭＩフィ
ルタの斜視図である。
である信号線（後述する図２参照）を備えたＥＭＩフィ
ルタの斜視図である。
【００１８】ＥＭＩフィルタ１は、セラミックを主成分
とする直方体形状のセラミック基体２を備えている。こ
のセラミック基体２の左右の側面の中央部には、入力外
部電極３及び出力外部電極４が形成されている。また、
セラミック基体２の前後の側面には、その側面全体に渡
って、接地外部電極５，６が形成されている。
とする直方体形状のセラミック基体２を備えている。こ
のセラミック基体２の左右の側面の中央部には、入力外
部電極３及び出力外部電極４が形成されている。また、
セラミック基体２の前後の側面には、その側面全体に渡
って、接地外部電極５，６が形成されている。
【００１９】図２は、図１に示すＥＭＩフィルタが備え
ているセラミック基体を４層のセラミック層に分割して
示す分解斜視図である。
ているセラミック基体を４層のセラミック層に分割して
示す分解斜視図である。
【００２０】これら４枚のセラミック層１０，２０，３
０，４０は、いずれの層も、セラミックを主成分とする
セラミックシートが複数枚積層されて構成されている。
０，４０は、いずれの層も、セラミックを主成分とする
セラミックシートが複数枚積層されて構成されている。
【００２１】これら４枚のセラミック層１０，２０，３
０，４０のうちの最下層のセラミック層１０表面には正
方形状のグランド電極１１が形成されている。このグラ
ンド電極１１は、セラミック層１０表面の、短辺に沿う
２つの帯状の余白部１０ａを除く領域に、そのカバー層
１０表面の長辺１０ｂに接するように形成されている。
０，４０のうちの最下層のセラミック層１０表面には正
方形状のグランド電極１１が形成されている。このグラ
ンド電極１１は、セラミック層１０表面の、短辺に沿う
２つの帯状の余白部１０ａを除く領域に、そのカバー層
１０表面の長辺１０ｂに接するように形成されている。
【００２２】また、そのセラミック層１０の直上に積層
されるセラミック層２０表面には、その表面を横切るよ
うに信号線２１が形成されている。その信号線２１は、
その端部２１ａ，２１ｂそれぞれが、そのセラミック層
２０表面の短辺２０ａ，２０ｂそれぞれに接するように
形成されている。
されるセラミック層２０表面には、その表面を横切るよ
うに信号線２１が形成されている。その信号線２１は、
その端部２１ａ，２１ｂそれぞれが、そのセラミック層
２０表面の短辺２０ａ，２０ｂそれぞれに接するように
形成されている。
【００２３】図３は、図２に示すセラミック層２０をＡ
−Ａ方向から見たときの信号線の断面図である。
−Ａ方向から見たときの信号線の断面図である。
【００２４】信号線２１は銀を主成分として形成されて
おり、その信号線２１の内部には、フェライト粉末２１
ｃが散在している。
おり、その信号線２１の内部には、フェライト粉末２１
ｃが散在している。
【００２５】図２に戻って説明を続ける。
【００２６】そのセラミック層２０の直上に積層される
セラミック層３０表面には、最下層のセラミック層１０
表面に形成されたグランド電極１１と同形状のグランド
電極３１が形成されている。このグランド電極３１は、
セラミック層３０表面の、短辺に沿う２つの帯状の余白
部３０ａを除く領域に、そのセラミック層３０表面の長
辺３０ｂに接するように形成されている。さらに、その
セラミック層３０の直上には、最上層のセラミック層４
０が積層される。
セラミック層３０表面には、最下層のセラミック層１０
表面に形成されたグランド電極１１と同形状のグランド
電極３１が形成されている。このグランド電極３１は、
セラミック層３０表面の、短辺に沿う２つの帯状の余白
部３０ａを除く領域に、そのセラミック層３０表面の長
辺３０ｂに接するように形成されている。さらに、その
セラミック層３０の直上には、最上層のセラミック層４
０が積層される。
【００２７】セラミック基体２（図１参照）は、これら
セラミック層１０，２０，３０，４０が順に積層されて
構成されるものである。
セラミック層１０，２０，３０，４０が順に積層されて
構成されるものである。
【００２８】図２に示すセラミック層２０表面に形成さ
れた信号線２１は、その端部２１ａ，２１ｂそれぞれが
セラミック層２０表面の短辺２０ａ，２０ｂそれぞれに
接しているため、図１に示す入力外部電極３及び出力外
部電極４は、それぞれ、信号線２１の端部２１ａ，２１
ｂに接続されている。また、セラミック層１０，３０そ
れぞれに形成されたグランド電極１１，３１それぞれ
は、セラミック層１０，３０表面の長辺１０ｂ，３０ｂ
それぞれに接しているため、接地外部電極５，６は、双
方のグランド電極１１，３１に接続されている。
れた信号線２１は、その端部２１ａ，２１ｂそれぞれが
セラミック層２０表面の短辺２０ａ，２０ｂそれぞれに
接しているため、図１に示す入力外部電極３及び出力外
部電極４は、それぞれ、信号線２１の端部２１ａ，２１
ｂに接続されている。また、セラミック層１０，３０そ
れぞれに形成されたグランド電極１１，３１それぞれ
は、セラミック層１０，３０表面の長辺１０ｂ，３０ｂ
それぞれに接しているため、接地外部電極５，６は、双
方のグランド電極１１，３１に接続されている。
【００２９】以下に、このように構成されたＥＭＩフィ
ルタ１の製造方法について、図１〜図３を参照しながら
説明する。尚、ここでは、説明の便宜上、１個のＥＭＩ
フィルタ１を製造するときの製造方法について説明する
が、以下に説明する方法を応用することにより、同時に
多数のＥＭＩフィルタを製造することができる。
ルタ１の製造方法について、図１〜図３を参照しながら
説明する。尚、ここでは、説明の便宜上、１個のＥＭＩ
フィルタ１を製造するときの製造方法について説明する
が、以下に説明する方法を応用することにより、同時に
多数のＥＭＩフィルタを製造することができる。
【００３０】先ず、セラミックを主成分とする誘電体ペ
ースト、フェライトを含有する第１の導電ペースト、及
び、フェライトを含有しない第２の導電ペーストを用意
し、さらに、多数枚のＰＥＴフィルムを用意する。フェ
ライトを含有する第１の導電ペーストは、銀粉末、フェ
ライト粉末、有機バインダ、分散剤、および溶剤を混合
して作製し、一方、第２の導電ペーストは、第１の導電
ペーストの原料からフェライト粉末を除いた原料で作製
する。上記のフェライト粉末としては、例えばＮｉ―Ｃ
ｕ―Ｚｎフェライト粉末等が用いられる。
ースト、フェライトを含有する第１の導電ペースト、及
び、フェライトを含有しない第２の導電ペーストを用意
し、さらに、多数枚のＰＥＴフィルムを用意する。フェ
ライトを含有する第１の導電ペーストは、銀粉末、フェ
ライト粉末、有機バインダ、分散剤、および溶剤を混合
して作製し、一方、第２の導電ペーストは、第１の導電
ペーストの原料からフェライト粉末を除いた原料で作製
する。上記のフェライト粉末としては、例えばＮｉ―Ｃ
ｕ―Ｚｎフェライト粉末等が用いられる。
【００３１】上記の３種類のペースト及び多数枚のＰＥ
Ｔフィルムを用意した後、各ＰＥＴフィルムそれぞれ
に、誘電体ペーストを塗布してセラミックシートを形成
する。
Ｔフィルムを用意した後、各ＰＥＴフィルムそれぞれ
に、誘電体ペーストを塗布してセラミックシートを形成
する。
【００３２】次いで、別々のＰＥＴフィルムに形成され
たセラミックシートに、グランド電極１１，３１及び信
号線２１それぞれのパターン通りに導電ペーストを印刷
する。これにより、アース電極１１が形成されたセラミ
ックシート、アース電極３１が形成されたセラミックシ
ート、及び、信号線２１が形成されたセラミックシート
が作製される。このとき、グランド電極１１、３１につ
いては、第２の導電ペーストを用いて形成し、一方、信
号線２１については、第１の導電ペーストを用いて形成
する。
たセラミックシートに、グランド電極１１，３１及び信
号線２１それぞれのパターン通りに導電ペーストを印刷
する。これにより、アース電極１１が形成されたセラミ
ックシート、アース電極３１が形成されたセラミックシ
ート、及び、信号線２１が形成されたセラミックシート
が作製される。このとき、グランド電極１１、３１につ
いては、第２の導電ペーストを用いて形成し、一方、信
号線２１については、第１の導電ペーストを用いて形成
する。
【００３３】上記のようにして、別々のセラミックシー
トにグランド電極２１，３１及び信号線２１を形成した
後、各ＰＥＴフィルムからセラミックシートを剥離す
る。また、導電ペーストが印刷されていないセラミック
シートもＰＥＴフィルムから剥離しておく。
トにグランド電極２１，３１及び信号線２１を形成した
後、各ＰＥＴフィルムからセラミックシートを剥離す
る。また、導電ペーストが印刷されていないセラミック
シートもＰＥＴフィルムから剥離しておく。
【００３４】その後、導電ペーストが印刷されていない
セラミックシートを複数枚間に挟むように、グランド電
極１１が形成されたセラミックシート、信号線２１が形
成されたセラミックシート、及び、グランド電極３１が
形成されたセラミックシートを積層してセラミックシー
トの積層体を構成する。この積層体をプレスし、熱圧着
することにより、セラミック基体２（図１参照）が作製
される。
セラミックシートを複数枚間に挟むように、グランド電
極１１が形成されたセラミックシート、信号線２１が形
成されたセラミックシート、及び、グランド電極３１が
形成されたセラミックシートを積層してセラミックシー
トの積層体を構成する。この積層体をプレスし、熱圧着
することにより、セラミック基体２（図１参照）が作製
される。
【００３５】上記のようにしてセラミック基体２を作製
した後、そのセラミック基体２を焼成し、そのセラミッ
ク基体２の外面に、入力外部電極３、出力外部電極４、
及び接地外部電極５，６を形成する。このようにして、
図１に示すＥＭＩフィルタ１が製造される。
した後、そのセラミック基体２を焼成し、そのセラミッ
ク基体２の外面に、入力外部電極３、出力外部電極４、
及び接地外部電極５，６を形成する。このようにして、
図１に示すＥＭＩフィルタ１が製造される。
【００３６】図４は、ＥＭＩフィルタ１の等価回路図で
ある。ＥＭＩフィルタ１の等価回路は、抵抗５０と、キ
ャパシタ５１とにより表される。抵抗５０は、信号線２
１（図２参照）により形成されるものであり、抵抗５０
の大きさは、その抵抗５０を流れる信号の周波数に依存
する（この理由につては後述する）。キャパシタ５１は
グランド電極１１，３１（図２参照）に相当する電極５
１ａ，５１ｂにより形成される。抵抗５０は、これら２
枚の電極５１ａ，５１ｂの間に位置している。その抵抗
５０は、入力外部電極３（図１参照）に相当する端子５
２と、出力外部電極４に相当する端子５３とに接続さ
れ、一方、キャパシタ５１は、接地外部電極５，６（図
２参照）に相当するアース端子５４に接続されている。
低周波信号の大部分は、キャパシタ５１を流れずに、抵
抗５０を形成している信号線２１を通過するが、高周波
ノイズの大部分は、そのキャパシタ５１を経由してアー
ス端子５４に流れ込む。
ある。ＥＭＩフィルタ１の等価回路は、抵抗５０と、キ
ャパシタ５１とにより表される。抵抗５０は、信号線２
１（図２参照）により形成されるものであり、抵抗５０
の大きさは、その抵抗５０を流れる信号の周波数に依存
する（この理由につては後述する）。キャパシタ５１は
グランド電極１１，３１（図２参照）に相当する電極５
１ａ，５１ｂにより形成される。抵抗５０は、これら２
枚の電極５１ａ，５１ｂの間に位置している。その抵抗
５０は、入力外部電極３（図１参照）に相当する端子５
２と、出力外部電極４に相当する端子５３とに接続さ
れ、一方、キャパシタ５１は、接地外部電極５，６（図
２参照）に相当するアース端子５４に接続されている。
低周波信号の大部分は、キャパシタ５１を流れずに、抵
抗５０を形成している信号線２１を通過するが、高周波
ノイズの大部分は、そのキャパシタ５１を経由してアー
ス端子５４に流れ込む。
【００３７】図４に示す等価回路で表されるＥＭＩフィ
ルタ１は、図３に示すように、信号線２１の内部にフェ
ライト粉末を含有している。ここで、もし仮に、信号線
２１がフェライト粉末を含有していない場合、このフェ
ライト粉末を含有していない信号線２１の透磁率mをm
１、導電率sをs１とすると、このフェライト粉末を含有
していない信号線２１についての表皮深さd（図３参
照）は、（１）式から、
ルタ１は、図３に示すように、信号線２１の内部にフェ
ライト粉末を含有している。ここで、もし仮に、信号線
２１がフェライト粉末を含有していない場合、このフェ
ライト粉末を含有していない信号線２１の透磁率mをm
１、導電率sをs１とすると、このフェライト粉末を含有
していない信号線２１についての表皮深さd（図３参
照）は、（１）式から、
【数２】 となる。
【００３８】これに対し、本実施形態では、図３に示す
ように、信号線２１はフェライト粉末２１ｃを含有して
いる。ここで、本実施形態において、信号線２１の透磁
率mをm２、その信号線２１の導電率sをs２とする。本実
施形態では、信号線２１のフェライト粉末２１ｃの含有
量は、信号線２１自体の導電率s２が、フェライト粉末
を含有していない信号線についての導電率s１よりも極
端に小さくならずにほぼ同じ値を保持する程度の含有量
に調整されている。また、フェライト粉末は強磁性を有
するものであるため、信号線２１の透磁率m２は、フェ
ライト粉末を含有していない信号線の透磁率m１より大
きくなる。つまり、信号線２１の導電率s２は、フェラ
イト粉末を含有していない信号線についての導電率s１
とほぼ同じ値に保たれ、かつ、信号線２１の透磁率m２
は、フェライト粉末を含有していない信号線の透磁率m
１より大きくなる。従って、本実施形態では、表皮深さ
dを、フェライト粉末を含有していない信号線について
の表皮深さdよりも小さくすることができる。これによ
り、本実施形態のＥＭＩフィルタ１は、フェライト粉末
を含有していない信号線を有するＥＭＩフィルタと比較
して、表皮効果により信号線の表面に集中する高周波成
分が通過する断面積はさらに小さくなる。従って、信号
線に高周波ノイズが混入しても、効率よくそのノイズを
減衰させることができる。さらに、本実施形態では、上
記のように、信号線２１の導電率s２が、フェライト粉
末を含有していない信号線についての導電率s１とほぼ
同じ値に保たれていることから、減衰させたくない低周
波の信号については効率よく通過させることができる。
ように、信号線２１はフェライト粉末２１ｃを含有して
いる。ここで、本実施形態において、信号線２１の透磁
率mをm２、その信号線２１の導電率sをs２とする。本実
施形態では、信号線２１のフェライト粉末２１ｃの含有
量は、信号線２１自体の導電率s２が、フェライト粉末
を含有していない信号線についての導電率s１よりも極
端に小さくならずにほぼ同じ値を保持する程度の含有量
に調整されている。また、フェライト粉末は強磁性を有
するものであるため、信号線２１の透磁率m２は、フェ
ライト粉末を含有していない信号線の透磁率m１より大
きくなる。つまり、信号線２１の導電率s２は、フェラ
イト粉末を含有していない信号線についての導電率s１
とほぼ同じ値に保たれ、かつ、信号線２１の透磁率m２
は、フェライト粉末を含有していない信号線の透磁率m
１より大きくなる。従って、本実施形態では、表皮深さ
dを、フェライト粉末を含有していない信号線について
の表皮深さdよりも小さくすることができる。これによ
り、本実施形態のＥＭＩフィルタ１は、フェライト粉末
を含有していない信号線を有するＥＭＩフィルタと比較
して、表皮効果により信号線の表面に集中する高周波成
分が通過する断面積はさらに小さくなる。従って、信号
線に高周波ノイズが混入しても、効率よくそのノイズを
減衰させることができる。さらに、本実施形態では、上
記のように、信号線２１の導電率s２が、フェライト粉
末を含有していない信号線についての導電率s１とほぼ
同じ値に保たれていることから、減衰させたくない低周
波の信号については効率よく通過させることができる。
【００３９】尚、本実施形態では、表皮深さdを小さく
するために導電ペーストとして、銀及びフェライトを含
有したものを用いているが、表皮深さdを表す（１）式
中に示されているmsの値を大きくすることができるので
あれば、銀とフェライトの組み合わせ以外の組み合わせ
（例えば、銅とパーマロイ、銀とパーマロイ等）であっ
てもよい。
するために導電ペーストとして、銀及びフェライトを含
有したものを用いているが、表皮深さdを表す（１）式
中に示されているmsの値を大きくすることができるので
あれば、銀とフェライトの組み合わせ以外の組み合わせ
（例えば、銅とパーマロイ、銀とパーマロイ等）であっ
てもよい。
【００４０】また、本実施形態では、本発明の導電性部
材を用いて信号線を構成した例を取り上げて説明した
が、本発明の導電性部材を用いて、信号線以外の導電性
部材（例えば、コンデンサを構成する電極）を構成して
もよい。
材を用いて信号線を構成した例を取り上げて説明した
が、本発明の導電性部材を用いて、信号線以外の導電性
部材（例えば、コンデンサを構成する電極）を構成して
もよい。
【００４１】また、本実施形態では、本発明の導電性部
材を用いて、ＥＭＩフィルタの信号線を構成した例を示
したが、ＥＭＩフィルタ以外の電子部品に備えられる信
号線等の導電性部材を構成してもよく、本発明の導電性
部材を用いることにより、やはり高周波ノイズを効率よ
く減衰させることができる。また、本発明の導電性部材
を用いて、例えば、回路基板に形成される配線を構成し
てもよく、これにより、回路基板の配線に高周波ノイズ
が混入しても、その高周波ノイズを効率よく減衰させる
ことができる。
材を用いて、ＥＭＩフィルタの信号線を構成した例を示
したが、ＥＭＩフィルタ以外の電子部品に備えられる信
号線等の導電性部材を構成してもよく、本発明の導電性
部材を用いることにより、やはり高周波ノイズを効率よ
く減衰させることができる。また、本発明の導電性部材
を用いて、例えば、回路基板に形成される配線を構成し
てもよく、これにより、回路基板の配線に高周波ノイズ
が混入しても、その高周波ノイズを効率よく減衰させる
ことができる。
【００４２】
【発明の効果】 以上説明したように、本発明の導電性
部材によれば、例えばＧＨｚオーダの周波数成分を有す
るノイズを効率よく減衰させることができる。
部材によれば、例えばＧＨｚオーダの周波数成分を有す
るノイズを効率よく減衰させることができる。
【図１】 本発明の導電性部材の一実施形態である信号
線を備えたＥＭＩフィルタの斜視図である。
線を備えたＥＭＩフィルタの斜視図である。
【図２】 図１に示すＥＭＩフィルタが備えているセラ
ミック基体を４層のセラミック層に分割して示す分解斜
視図である。
ミック基体を４層のセラミック層に分割して示す分解斜
視図である。
【図３】 図２に示すセラミック層２０をＡ−Ａ方向か
ら見たときの信号線の断面図である。
ら見たときの信号線の断面図である。
【図４】 ＥＭＩフィルタ１の等価回路図である。
１ ＥＭＩフィルタ ２ セラミック基体 ３ 入力外部電極 ４ 出力外部電極 ５、６ 接地外部電極 １０，２０，３０，４０ セラミック層 １０ａ，３０ａ 余白部 １０ｂ，３０ｂ 長辺 １１，３１ グランド電極 ２０ａ，２０ｂ 短辺 ２１ 信号線 ２１ａ，２１ｂ 端部 ２１ｃ フェライト粉末 ５０ 抵抗 ５１ キャパシタ ５１ａ，５１ｂ 電極 ５２，５３ 端子 ５４ アース端子
Claims (3)
- 【請求項１】 第１の物質と第２の物質とを有する導電
性部材であって、 前記導電性部材についての導電率と透磁率との積が、前
記第１の物質と前記第２の物質とのうちの一方の物質を
有するとともに他方の物質を有していない導電性部材に
ついての導電率と透磁率との積よりも大きいことを特徴
とする導電性部材。 - 【請求項２】 前記第１の物質が金属、前記第２の物質
が磁性体であり、 金属と磁性体とを有する導電性部材についての導電率と
透磁率との積が、金属を有するとともに磁性体を有して
いない導電性部材についての導電率と透磁率との積より
も大きいことを特徴とする請求項１に記載の導電性部
材。 - 【請求項３】 前記磁性体が強磁性体であることを特徴
とする請求項２に記載の導電性部材。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11209818A JP2001035249A (ja) | 1999-07-23 | 1999-07-23 | 導電性部材 |
| EP00954563A EP1116326B1 (en) | 1999-07-23 | 2000-07-21 | Conductive member |
| DE60041033T DE60041033D1 (de) | 1999-07-23 | 2000-07-21 | Elektrisch leitendes element |
| CNB008014795A CN100414836C (zh) | 1999-07-23 | 2000-07-21 | 导电部件 |
| US09/787,971 US6633477B1 (en) | 1999-07-23 | 2000-07-21 | Conductive member |
| KR1020017003606A KR20010075251A (ko) | 1999-07-23 | 2000-07-21 | 전도성 부재 |
| PCT/EP2000/007109 WO2001008304A1 (en) | 1999-07-23 | 2000-07-21 | Conductive member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11209818A JP2001035249A (ja) | 1999-07-23 | 1999-07-23 | 導電性部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001035249A true JP2001035249A (ja) | 2001-02-09 |
Family
ID=16579132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11209818A Pending JP2001035249A (ja) | 1999-07-23 | 1999-07-23 | 導電性部材 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP1116326B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001035249A (ja) |
| KR (1) | KR20010075251A (ja) |
| CN (1) | CN100414836C (ja) |
| DE (1) | DE60041033D1 (ja) |
| WO (1) | WO2001008304A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005044871A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Tdk Corp | ３端子貫通型コンデンサ |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1220328C (zh) * | 2001-06-21 | 2005-09-21 | 株式会社村田制作所 | 噪声滤波器 |
| KR100552115B1 (ko) * | 2002-11-14 | 2006-02-14 | 주식회사 뉴로바이오시스 | 전력선 잡음이 제거되는 신경신호 기록용 반도체 미세전극 |
| WO2012143394A1 (en) | 2011-04-20 | 2012-10-26 | Solvay Sa | Method for recovery of thallium from an aqueous solution |
| KR20230017239A (ko) * | 2020-05-26 | 2023-02-03 | 엘지전자 주식회사 | 전도막, 도전성 페이스트 및 이의 제조 방법 |
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| JPH07288031A (ja) * | 1994-04-19 | 1995-10-31 | Tokin Corp | 銀ペースト |
| JPH08148381A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Mitsubishi Materials Corp | Ｅｍｉフィルタ |
| JPH11131621A (ja) * | 1997-11-04 | 1999-05-18 | Kawai Musical Instr Mfg Co Ltd | 電磁波遮蔽性を有する建築材料及びその製造方法 |
| JPH11186055A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 複合磁気部品 |
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| US4522890A (en) * | 1979-10-31 | 1985-06-11 | Illinois Tool Works Inc. | Multilayer high attenuation shielding structure |
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| US4796079A (en) * | 1984-07-25 | 1989-01-03 | Rca Licensing Corporation | Chip component providing rf suppression |
| US4880599A (en) * | 1988-03-25 | 1989-11-14 | General Electric Company | Method of making a ferrite composite containing silver metallization |
| US4853660A (en) * | 1988-06-30 | 1989-08-01 | Raytheon Company | Integratable microwave devices based on ferromagnetic films disposed on dielectric substrates |
| CN1054992A (zh) * | 1990-03-18 | 1991-10-02 | 杨再田 | 导磁导电塑料及制造方法 |
| US5594397A (en) * | 1994-09-02 | 1997-01-14 | Tdk Corporation | Electronic filtering part using a material with microwave absorbing properties |
-
1999
- 1999-07-23 JP JP11209818A patent/JP2001035249A/ja active Pending
-
2000
- 2000-07-21 CN CNB008014795A patent/CN100414836C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-07-21 EP EP00954563A patent/EP1116326B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-21 WO PCT/EP2000/007109 patent/WO2001008304A1/en active Application Filing
- 2000-07-21 KR KR1020017003606A patent/KR20010075251A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-07-21 US US09/787,971 patent/US6633477B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-21 DE DE60041033T patent/DE60041033D1/de not_active Expired - Fee Related
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