JP2001034979A - 光ヘッド - Google Patents
光ヘッドInfo
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- JP2001034979A JP2001034979A JP11361133A JP36113399A JP2001034979A JP 2001034979 A JP2001034979 A JP 2001034979A JP 11361133 A JP11361133 A JP 11361133A JP 36113399 A JP36113399 A JP 36113399A JP 2001034979 A JP2001034979 A JP 2001034979A
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Abstract
可能とした光ヘッドを得る。 【解決手段】 固浸レンズ13を保持するスライダ10
の底面に、記録媒体の回転によって発生する空気流Aが
流れる方向に沿って、正圧発生溝部10a及び負圧発生
溝部10bを形成した。スライダ10は溝部10aで発
生する正圧で浮上し、不要な浮き上がりは溝部10bで
発生する負圧で抑えられる。
Description
分野で用いられる光ヘッドに関する。
を用いた光メモリでは、光の波長以下の微小開口を有す
るプローブやSolid Immersion Lens(固浸レンズ)を
用い、記録媒体(光ディスク)に対して光ヘッドを数1
0nmまで近づけた状態で記録/再生用の光を照射する
ことで、光の回折限界を超えて数10nmという小さな
マークを信号として書き込み、再生することが可能であ
る。
98に記載された論文「Objective Lenses for DVD & Nea
r Field Optical Disk Pick-up」によって、集光レンズ
を必要としないSolid Immersion Mirror(固浸ミラ
ー)が提案されている。この固浸ミラーは高屈折率媒質
中で1回の屈折と2回の反射によって光を集光させるよ
うになっており、集光レンズが不要であるため、小型・
軽量の光ヘッドが可能となる。
VD、MOなどの光メモリにおける光ヘッドは、レール
状のアクチュエータを用いている。これは、ヘッドに集
光レンズ、ミラー、プリズム等の光学部品が搭載される
ため、ヘッドが重くかつ大型になることに起因してい
る。このため、目的とするデータ領域に到達する時間
(シークタイム)が磁気記録ヘッドに比べて遅くなる。
記録ヘッドで採用されている回転式アクチュエータを用
いて空気流浮上方式とすることが検討されている。前記
固浸レンズを用いた光ヘッドにあっては、例えば、米国
特許第5,125,750号明細書、特開平9−198
830号公報に空気流浮上方式を採用することが記載さ
れている。しかしながら、50nm以下という微小浮上
量では、どうしても浮き気味になり、微小浮上量を正確
にコントロールすることは極めて困難であった。
って安定した微小量の浮上を可能とした光ヘッドを提供
することにある。
め、本発明は、記録媒体の回転によって発生する空気流
で浮上する光ヘッドにおいて、前記空気流によって正圧
を発生させる第1の溝部と負圧を発生させる第2の溝部
を有する。第1の溝部は空気流の上流側に、第2の溝部
は空気流の下流側に位置することが好ましい。
体の回転によって発生する空気流では必要とする浮上量
よりも浮き気味となる。本発明においては、第2の溝部
によって負圧を発生させることで光ヘッドの不要な浮き
上がりが抑えられ、所定の微小浮上量で安定して動作す
る。また、シークタイムの短縮にも繋がる。しかも、記
録媒体の回転に対する追随性が向上し、安定した記録/
再生が可能となる。
部は記録媒体の表面と対向する箇所、例えば、光ヘッド
のスライダの底面及び/又はレンズ、ミラーの底面に形
成される。さらに、本発明に係る光ヘッドは近接場光発
生手段を備えることによって、より高密度な記録/再生
が可能となる。近接場光発生手段とは、例えば、固浸レ
ンズ、固浸ミラーである。
施形態について、添付図面を参照して説明する。
本発明の第1実施形態である光ヘッドを備えた情報記録
再生装置の概略を示す。1は記録媒体で、矢印A方向に
所定の速度で回転駆動される。2は光ヘッド、3はアー
ム、4は支軸であり、アーム3は光ヘッド2を保持し、
支軸4を支点として矢印B方向に往復移動可能とされて
いる。
光ヘッド2は、スライダ10にミラー11、集光レンズ
12、固浸レンズ13を搭載したものであり、図示しな
い光源ユニットが別途設けられている。光源ユニットは
半導体レーザや発光ダイオード等の光源とコリメータレ
ンズとで構成され、レーザ光LBをミラー11に向かっ
て放射する。
に、Liquid Immersion Lens Microscope(液浸法に
よる顕微鏡の分解能向上)の原理を応用したもので、硝
材LaSF、LaF、BaSF等の高屈折率物質からな
り、入射したレーザ光LBを底面中央部13aに集光
し、近接場光として微小領域に浸み出させる。
源ユニットから放射されたレーザ光LBは、ミラー11
を介して集光レンズ12に入射して集光され、さらに固
浸レンズ13に入射され、中央部13aから近接場光と
して浸み出る。
aとは、レーザ光LBの波長の約1/4以下の50〜1
00nm程度のギャップとされ(以下に説明する空気流
浮上方式による)、中央部13aから浸み出した微小径
の近接場光によって記録媒体1の記録層に記録ピットを
形成する。近接場光のスポット径はレーザ光LBの空気
中でのスポット径の1/n(nは固浸レンズの屈折率)
となる。
0nm、ビーム径を0.7mmとし、集光レンズ12の
外径を1mm、開口数を0.6とし、固浸レンズ13の
外径を0.6mm、屈折率を1.8とした場合、実質的
な開口率は1.08となり、近接場光のスポット径は約
490nmとなる。このときの面記録密度は約8Gbi
t/inch2と非常に高密度になる。
に示すように、その底面に正圧発生溝部10aと負圧発
生溝部10bが形成されている。溝部10bは溝部10
aよりも若干深くかつ広い面積とされている。記録媒体
1が矢印A方向に回転すると、記録媒体1の表面に空気
流Aが発生する。この空気流Aは、まず正圧発生溝部1
0aに流入し、さらに負圧発生溝部10bに流入する。
このとき、スライダ10は、溝部10aで発生する正の
圧力と、溝部10bで発生する負の圧力とが釣り合う位
置で記録媒体1の表面に対して浮上する。負圧発生溝部
10bで生じる負の圧力は記録媒体とスライダ10とを
吸引する方向に作用し、スライダ10の浮上高さを抑え
ると共に浮上変動量を小さくする。また、溝部10a,
10bの存在によって、記録媒体1の回転に対する追随
性が向上し、シークタイムの短縮にも繋がる。
1.3mm、長さLが2mm、高さTが0.5mmであ
る。これに対して、正圧発生溝部10aの深さD1は
0.002mmとされ、負圧発生溝部10bの深さD2
は0.005mmとされている。
流Aを迎えるための傾斜面とされ、負圧発生溝部10b
の出口側は空気流Aを排出しやすい傾斜面とされてい
る。さらに、固浸レンズ13の底面は、空気流Aを乱さ
ないように、中央部13aを頂点とする円錐形状とされ
ている。
生光としても前記レーザ光LBが使用され、固浸レンズ
13の中央部13aから浸み出た近接場光が記録媒体1
の記録層で反射した伝搬光を光検出器(図示せず)で検
出し、記録ピットに対応した再生信号を得る。この場
合、検出器と集光レンズ12との間に、λ/4波長板や
偏光ビームスプリッタ(共に図示せず)等を設け、記録
媒体1への照射光と記録媒体1からの反射光を偏光方向
によって分離することが好ましい。
この第1変形例は、基本的には前記第1実施形態と同じ
構成の光ヘッドであり、異なるのは、図4に示すよう
に、スライダ10の底面に正圧発生溝部10a,10
a’及び負圧発生溝部10b、10b’をそれぞれ二つ
ずつ形成した点にある。
a’及び負圧発生溝部10b,10b’を空気流Aの流
れる方向に沿って2箇所ずつに分散して設けることによ
って、負の圧力がスライダ10に対して空気流Aが流れ
る方向に均等に作用し、負圧発生溝部10bが1箇所で
ある前記第1実施形態に比べて、スライダ10の浮上量
の変動をより小さくできる。
この第2変形例は、基本的には前記第1実施形態と同じ
構成の光ヘッドであり、異なるのは、図5に示すよう
に、固浸レンズ13の底面に遮光膜14を成膜し、中央
部に例えば径200μmの微小開口15を形成した点に
ある。遮光膜14としては、例えば、Au、Ag、C
u、Cr、Ni、Al等が蒸着法やスパッタ法によって
成膜される。
形成することにより、近接場光のスポット径を小さくす
ることができ、より高密度な記録が可能となる。
実施形態は、空気流Aの入口側であるスライダ20の底
面に正圧発生溝部20aを形成し、固浸レンズ23に負
圧発生溝部23bを形成した光ヘッド2であり、溝部2
0a,23bの形状や深さの関係は、図8の(A),
(B),(C)に各断面図として示されている。
発生部23aは、負圧発生溝部23bに形成した台形状
の突部23cに位置している。
集光レンズ12はスライダ20の上部で別部材によって
保持されている。また、記録媒体に対する記録/再生プ
ロセスは前記第1実施形態で説明したのと同様であり、
溝部20a,23bによる浮上効果も同様である。
第3実施形態は、固浸レンズ33のみに正圧発生溝部3
3b及び負圧発生溝部33cを形成し、スライダ30は
固浸レンズ33を保持する機能のみを持たせた光ヘッド
2である。溝部33b,33cの形状や深さの関係は、
図10の(A),(B),(C)に各断面図として示さ
れており、前記第2実施形態に示した溝部20a,23
bと同様の形状とされている。また、負圧発生溝部33
cの中央部に突部33dが形成され、この突部33dに
近接場光発生部33aが位置している。
レンズは、前記第2実施形態と同様に、スライダ30の
上部で別部材によって保持されている。また、記録媒体
に対する記録/再生プロセスは前記第1実施形態で説明
したのと同様であり、溝部33b,33cによる浮上効
果も前記第2実施形態と同様である。
第4実施形態は、スライダ40のテーパ状凹部41に微
小開口42を形成し、ミラー11で反射され、かつ、集
光レンズ12で該微小開口42に集光されたレーザ光L
Bを微小開口42から近接場光として浸み出させ、記録
/再生を行う光ヘッド2である。この光ヘッド2では、
微小開口42の開口径が100nmの場合、近接場光の
スポット径も約100nmになり、面記録密度は約20
0Gbit/inch2と非常に高密度になる。
部40aと負圧発生溝部40bが形成されている。溝部
40a,40bの形状や深さの関係は図13に示すとお
りであり、それらの作用効果は前記第1実施形態で説明
したのと同様である。また、本第4実施形態では、溝部
40bの中央部に突部40cが突設され、前記微小開口
42はこの突部40cに形成されている。
第5実施形態は、スライダ50に光ファイバ60を取り
付けて近接場光を発生させるようにした光ヘッド2であ
る。光ファイバ60は、コア61とクラッド62とから
なり、先端部を尖鋭化して遮光膜65を成膜し、先端に
は微小開口64を形成してプローブを構成している。遮
光膜65としては、例えば、Au、Ag、Cu、Cr、
Ni、Al等が蒸着法やスパッタ法によってクラッド6
2上に成膜される。
0の図示しない後端にレーザ光を導入し、コア61内で
全反射させつつ先端へ伝搬させ、微小開口64から近接
場光として浸み出させ、記録/再生を行う。この光ヘッ
ド2では、微小開口64の開口径が50nmの場合、近
接場光のスポット径も約50nmになり、面記録密度は
約800Gbit/inch2と非常に高密度になる。
部50aと負圧発生溝部50bが形成されている。溝部
50a,50bの形状や深さの関係は図16に示すとお
りであり、それらの作用効果は前記第1実施形態で説明
したのと同様である。
形態は、スライダ70に固浸ミラー73を搭載した光ヘ
ッド2である。固浸ミラー73は前記固浸レンズ13と
同様の高屈折率物質からなり、平面状をなす第1面(上
面)73aの光軸付近と球面又は非球面とされた第2面
(下面)73bの周辺輪帯部分とに反射膜74a,74
bがそれぞれ成膜されている。反射膜74a,74bと
しては、例えば、Au、Ag、Cu、Cr、Ni、Al
等が使用される。なお、後述する反射膜84b,84c
も同様である。
部70aと負圧発生溝部70bが形成されている。溝部
70a,70bの形状や深さの関係は図2、図3に示し
た第1実施形態と同様である。従って、それらの作用効
果も第1実施形態と同様である。
ー11で反射されたレーザ光LBは第1面73aの周辺
輪帯部分から固浸ミラー73に入射し、反射膜74b,
74aで反射し、第2面73bの面頂点部に集光して近
接場光として浸み出る。近接場光のスポット径は前記固
浸レンズ13等と同様に極めて小さく、高密度での記録
が可能となる。また、固浸ミラー73を用いると、前記
集光レンズ12が必要なくなるため、光ヘッド2が軽量
化され、浮上安定性が良好である。
の変形例は、基本的には前記第6実施形態と同じ構成の
光ヘッドであり、異なるのは、図18に示すように、固
浸ミラー73の第2面73bに成膜した反射膜74bの
面頂点に例えば径200μmの微小開口75を形成した
点にある。このように微小開口75を形成することによ
り、近接場光のスポット径を小さくすることができ、よ
り高密度な記録が可能となる。
形態は、スライダ80に固浸ミラー83を搭載し、光フ
ァイバ85から光ビームLBを固浸ミラー83に入射す
るようにした光ヘッド2である。固浸ミラー83は、高
屈折率物質からなり、第1面83a、第2面83b、第
3面83cによって構成されている。第1面83aと第
3面83cは平面である。第2面は回転放物面又は回転
楕円面とされ、反射膜84bが成膜されている。光ファ
イバ85はコア86とクラッド87からなる周知のもの
で、先端が固浸ミラー83の第1面83aの凹部に接合
され、図示しない後端からレーザ光LBが入射される。
部80aと負圧発生溝部80bが形成されている。溝部
80a,80bの形状や深さの関係は図2、図3に示し
た第1実施形態と同様である。従って、それらの作用効
果も第1実施形態と同様である。
面83aから入射されたレーザ光LBは反射膜84bで
反射し、第3面83c上に集光して近接場光として浸み
出る。固浸ミラー83を使用する利点は前記第6実施形
態で説明したとおりである。
の変形例は、基本的には前記第7実施形態と同じ構成の
光ヘッドであり、異なるのは、図20に示すように、固
浸ミラー83の第3面83cに成膜した反射膜84cの
集光点に例えば径200μmの微小開口89を形成した
点にある。このように微小開口89を形成することによ
り、近接場光のスポット径を小さくすることができ、よ
り高密度な記録が可能となる。
ッドは前記実施形態に限定するものではなく、その要旨
の範囲内で種々に変更することができる。
は任意である。また、近接場光を発生させる手段として
は、前述した固浸レンズ13,23,33、固浸ミラー
73,83、微小開口15,42,64,75,89に
限らず、種々のものを使用することができる。また、ミ
ラーの底面に溝部を形成する際には、通常より厚めに反
射膜を成膜し、膜厚内で溝を形成する。
情報記録再生装置を示す概略平面図。
す斜視図。
面図。
(C)−(C)断面図。
面図。
(C)−(C)断面図。
断面図。
(C)−(C)断面図。
断面図。
(C)−(C)断面図。
断面図。
断面図。
断面図。
断面図。
70a,80a…正圧発生溝部 10b,10b’,23b,33c,40b,50b,
70b,80b…負圧発生溝部 13,23,33,…固浸レンズ 15,42,64,75,89…微小開口 73,83…固浸ミラー A…空気流
Claims (13)
- 【請求項1】 記録媒体の回転によって発生する空気流
で浮上する光ヘッドにおいて、前記空気流によって正圧
を発生させる第1の溝部と負圧を発生させる第2の溝部
を有することを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項2】 前記第1及び第2の溝部を二つずつ以上
有することを特徴とする請求項1記載の光ヘッド。 - 【請求項3】 前記第1及び第2の溝部がスライダの底
面に形成されていることを特徴とする請求項1又は請求
項2記載の光ヘッド。 - 【請求項4】 前記第1の溝部がスライダの底面、前記
第2の溝部がレンズ又はミラーの底面にそれぞれ形成さ
れていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の
光ヘッド。 - 【請求項5】 前記第1及び第2の溝部がレンズ又はミ
ラーの底面に形成されていることを特徴とする請求項1
又は請求項2記載の光ヘッド。 - 【請求項6】 空気流の流れに沿って、前記第1の溝部
が上流側に形成され、前記第2の溝部が下流側に形成さ
れていることを特徴とする請求項1、請求項2、請求項
3、請求項4又は請求項5記載の光ヘッド。 - 【請求項7】 近接場光発生手段を備えたことを特徴と
する請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項
5又は請求項6記載の光ヘッド。 - 【請求項8】 前記近接場光発生手段は固浸レンズであ
ることを特徴とする請求項7記載の光ヘッド。 - 【請求項9】 前記固浸レンズは微小開口を有すること
を特徴とする請求項8記載の光ヘッド。 - 【請求項10】 前記近接場光発生手段は微小開口であ
ることを特徴とする請求項7記載の光ヘッド。 - 【請求項11】 前記近接場光発生手段は微小開口を有
する光ファイバプローブであることを特徴とする請求項
7記載の光ヘッド。 - 【請求項12】 前記近接場光発生手段は固浸ミラーで
あることを特徴とする請求項7記載の光ヘッド。 - 【請求項13】 前記固浸ミラーは微小開口を有するこ
とを特徴とする請求項12記載の光ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11361133A JP2001034979A (ja) | 1999-05-14 | 1999-12-20 | 光ヘッド |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11-134368 | 1999-05-14 | ||
JP13436899 | 1999-05-14 | ||
JP11361133A JP2001034979A (ja) | 1999-05-14 | 1999-12-20 | 光ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001034979A true JP2001034979A (ja) | 2001-02-09 |
Family
ID=26468498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11361133A Pending JP2001034979A (ja) | 1999-05-14 | 1999-12-20 | 光ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001034979A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10446224B2 (en) | 2002-12-24 | 2019-10-15 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor SRAM circuit having a plurality of MOSFETS controlling ground potential |
-
1999
- 1999-12-20 JP JP11361133A patent/JP2001034979A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10446224B2 (en) | 2002-12-24 | 2019-10-15 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor SRAM circuit having a plurality of MOSFETS controlling ground potential |
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