JP2001022935A - 画像比較によるパターン検査方法およびその装置 - Google Patents

画像比較によるパターン検査方法およびその装置

Info

Publication number
JP2001022935A
JP2001022935A JP11193676A JP19367699A JP2001022935A JP 2001022935 A JP2001022935 A JP 2001022935A JP 11193676 A JP11193676 A JP 11193676A JP 19367699 A JP19367699 A JP 19367699A JP 2001022935 A JP2001022935 A JP 2001022935A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image signal
digital image
matching position
block unit
detected
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11193676A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3524819B2 (ja
Inventor
Chie Shishido
千絵 宍戸
Masahiro Watanabe
正浩 渡辺
Yuji Takagi
裕治 高木
Yasushi Miyai
裕史 宮井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP19367699A priority Critical patent/JP3524819B2/ja
Priority to US09/612,501 priority patent/US6865288B1/en
Publication of JP2001022935A publication Critical patent/JP2001022935A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3524819B2 publication Critical patent/JP3524819B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/0002Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004Industrial image inspection
    • G06T7/001Industrial image inspection using an image reference approach
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108Industrial image inspection
    • G06T2207/30148Semiconductor; IC; Wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Image Analysis (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】微細なパターン上に生じた微細な欠陥を見落と
しすることなく正確に検査できるようにする。 【解決手段】被検査物10上における所望の帯状検査領
域から連続的に検出される検出デジタル画像信号の比較
対象となる参照デジタル画像信号を生成する生成過程
と、順次切り出されたブロック単位領域毎の両画像信号
の間のマッチング位置候補を0個以上求めて前記帯状検
査領域に亘ってのマッチング位置候補の集合を算出する
マッチング位置候補算出過程と、該算出された帯状検査
領域に亘ってのマッチング位置候補の集合からブロック
単位領域間の連続性に基いて各ブロック単位領域毎の両
画像信号の間の確かなマッチング位置を決定するマッチ
ング位置決定過程と、該決定した各ブロック単位領域毎
の確かなマッチング位置に基いて位置合わせをして画像
比較により欠陥判定を行う画像比較過程とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線または光な
どを用いて半導体ウエハ、TFT、ホトマスクなどの対
象物の画像を得、その画像とあらかじめ記憶されている
参照画像とを比較することにより欠陥検出を行うパター
ン検査方法およびその装置に関する。特に、本発明は、
電子線を用いて半導体ロジック製品の検査を行うのに好
適なパターン検査方法およびその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】連続的に入力される検査対象画像と参照
画像とを比較して欠陥検出を行うパターン検査に関する
従来技術としては、特開平5−6928号公報(従来技
術1)、および特開平10−74812号公報(従来技
術2)が知られている。
【0003】従来技術1には、リニアイメージセンサで
検出される検出画像信号からの検出エッジパターンを示
す検出2値化エッジ信号と繰り返されるチップのピッチ
分遅延されることに得られる参照画像信号からの参照エ
ッジパターンを示す参照2値化エッジ信号との間のシフ
ト量(位置ずれ量)をリニアイメージセンサが2次元に
走査する領域毎に不一致検出回路で検出して状態記憶装
置に記憶させ、該状態記憶装置において前回検査での上
記不一致検出回路での検出結果と異なる場合には今回の
シフト量ばかりでなく、前回のシフト量あるいは定めら
れたシフト量にも応じて位置合わせ回路を制御し、欠陥
判定回路においてそれぞれのシフト量での2値化エッジ
信号の比較によって共通となる不一致画素を欠陥とする
パターン検査方法およびその装置が記載されている。そ
して、従来技術1では、位置合わせ状態などに起因して
生じる正常部を欠陥とする誤検出を低減することが記載
されている。即ち、従来技術1は、位置ずれが生じる範
囲を拡大し、共通して不一致となる画素が生じた場合に
のみ欠陥として検出されるものである。また、従来技術
2には、繰返し被検査パターンについて画像信号を連続
的に検出し、この連続的に検出された画像信号に基いて
被検査パターンを検査する方法であって、複数画像の位
置合わせを着目画像のみならず過去の画像の位置ずれ量
情報を用いて、画像の連続性を判断し、これに基づき不
連続画像の境界部の検査感度を制御することが記載され
ている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術1および2のいずれにも、1チップ内に様々な微
細なパターンが混在する被検査物に対して、正規の微細
なパターンの誤検出する頻度を低減し、しかも微細なパ
ターン上に生じた微細な欠陥を見落としすることなく検
査できるようにする点について考慮されていなかった。
【0005】本発明の目的は、上記課題を解決すべく、
様々な微細なパターンが混在する被検査物に対して、高
精度なサブピクセル単位での位置合わせ不良を低減する
ことによって正規の微細なパターンの誤検出する頻度を
低減すると共に微細なパターン上に生じた微細な欠陥を
見落としすることなく正確に検査できるようにした画像
比較によるパターン検査方法およびその装置を提供する
ことにある。また、本発明の他の目的は、様々な微細な
パターンが混在する被検査物から連続的に検出される電
子線画像信号を基に、複数の段階(画素数で広い領域の
段階と画素数で狭い領域の段階と)で位置合わせをする
ことによって高精度なサブピクセル単位での位置合わせ
不良を低減することによって正規の微細なパターンの誤
検出する頻度を低減すると共に微細なパターン上に生じ
た微細な欠陥を見落としすることなく正確に検査できる
ようにした画像比較によるパターン検査方法およびその
装置を提供することにある。また、本発明のさらに他の
目的は、微細なパターン形状に対しての制約をなくすこ
とよって、より広範な被検査物への適用が可能な画像比
較によるパターン検査方法および装置を提供することに
ある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、被検査物上における所望の帯状検査領
域から連続的に検出されて入力される検出画像信号をA
/D変換して階調値を有する検出デジタル画像信号に変
換し、この変換された検出デジタル画像信号の比較対象
となる参照デジタル画像信号を生成する生成過程と、該
生成された検出デジタル画像信号および参照デジタル画
像信号の各々を基に、前記帯状検査領域を複数に分割し
たブロック単位領域毎の検出デジタル画像信号および参
照デジタル画像信号の各々を順次切り出す切り出し過程
と、該順次切り出されたブロック単位領域毎の両画像信
号の間のマッチング位置候補を0個以上求めて前記帯状
検査領域に亘ってのマッチング位置候補の集合を算出す
るマッチング位置候補算出過程と、該算出された帯状検
査領域に亘ってのマッチング位置候補の集合からブロッ
ク単位領域間の連続性に基いて各ブロック単位領域毎の
両画像信号の間の確かなマッチング位置を決定するマッ
チング位置決定過程と、該決定した各ブロック単位領域
毎の確かなマッチング位置に基づく、少なくとも各ブロ
ック単位領域毎に前記検出デジタル画像信号と参照デジ
タル画像信号との間の位置合わせによる画像比較に基い
て欠陥判定を行う画像比較過程とを有することを特徴と
するパターン検査方法およびその装置である。
【0007】また、本発明は、被検査物上に繰り返して
形成されたチップ上の所望の帯状検査領域から連続的に
検出されて入力される検出画像信号をA/D変換して階
調値を有する検出デジタル画像信号に変換し、この変換
された検出デジタル画像信号から前記繰り返されるピッ
チ分遅延させて比較対象となる参照デジタル画像信号を
生成する生成過程と、該生成された検出デジタル画像信
号および参照デジタル画像信号の各々を基に、前記帯状
検査領域を複数に分割したブロック単位領域毎の検出デ
ジタル画像信号および参照デジタル画像信号の各々を順
次切り出す切り出し過程と、該順次切り出されたブロッ
ク単位領域毎の両画像信号の間のマッチング位置候補を
0個以上求めて前記帯状検査領域に亘ってのマッチング
位置候補の集合を算出するマッチング位置候補算出過程
と、該算出された帯状検査領域に亘ってのマッチング位
置候補の集合からブロック単位領域間の連続性に基いて
各ブロック単位領域毎の両画像信号の間の確かなマッチ
ング位置を決定するマッチング位置決定過程と、該決定
した各ブロック単位領域毎の確かなマッチング位置に基
づく、少なくとも各ブロック単位領域毎に前記検出デジ
タル画像信号と参照デジタル画像信号との間の位置合わ
せによる画像比較に基いて欠陥判定を行う画像比較過程
とを有することを特徴とするパターン検査方法およびそ
の装置である。
【0008】また、本発明は、被検査物上に交互に繰り
返して形成された検査領域および非検査領域上の所望の
帯状検査領域および帯状非検査領域から連続的に検出さ
れて入力される検出画像信号をA/D変換して階調値を
有する検出デジタル画像信号に変換し、この変換された
検出デジタル画像信号の比較対象となる参照デジタル画
像信号を生成する生成過程と、該生成された検出デジタ
ル画像信号および参照デジタル画像信号の各々を基に、
前記帯状検査領域を複数に分割したブロック単位領域毎
の検出デジタル画像信号および参照デジタル画像信号の
各々を順次切り出す切り出し過程と、該順次切り出され
たブロック単位領域毎の両画像信号の間のマッチング位
置候補を0個以上求めて前記帯状検査領域に亘ってのマ
ッチング位置候補の集合を記憶するマッチング位置候補
算出過程と、前記生成過程において帯状非検査領域の検
出画像信号が入力されている期間において前記マッチン
グ位置候補算出過程で記憶された帯状検査領域に亘って
のマッチング位置候補の集合からブロック単位領域間の
連続性に基いて各ブロック単位領域毎の両画像信号の間
の確かなマッチング位置を決定するマッチング位置決定
過程と、該決定した各ブロック単位領域毎の確かなマッ
チング位置に基づく、少なくとも各ブロック単位領域毎
に前記検出デジタル画像信号と参照デジタル画像信号と
の間の位置合わせによる画像比較に基いて欠陥判定を行
う画像比較過程とを有することを特徴とするパターン検
査方法およびその装置である。
【0009】また、本発明は、被検査物上に交互に繰り
返して形成された検査領域および非検査領域上の所望の
帯状検査領域および帯状非検査領域から連続的に検出さ
れて入力される検出画像信号をA/D変換して階調値を
有する検出デジタル画像信号に変換し、この変換された
検出デジタル画像信号の比較対象となる参照デジタル画
像信号を生成する生成過程と、該生成過程で生成された
検出デジタル画像信号および参照デジタル画像信号の各
々を基に、前記帯状検査領域を複数に分割したブロック
単位領域毎の検出デジタル画像信号および参照デジタル
画像信号の各々を順次切り出す切り出し過程と、該切り
出し過程で順次切り出されたブロック単位領域毎の両画
像信号の間のマッチング位置候補を0個以上求めて前記
帯状検査領域に亘ってのマッチング位置候補の集合を記
憶するマッチング位置候補算出過程と、前記生成過程に
おいて帯状非検査領域の検出画像信号が入力されている
期間において前記マッチング位置候補算出過程で記憶さ
れた帯状検査領域に亘ってのマッチング位置候補の集合
からブロック単位領域間の連続性に基いて各ブロック単
位領域毎の両画像信号の間の確かなマッチング位置を決
定するマッチング位置決定過程と、前記生成過程で生成
された検出デジタル画像信号および参照デジタル画像信
号を前記マッチング位置決定過程まで遅延させる遅延過
程と、前記マッチング位置決定過程で決定した各ブロッ
ク単位領域毎の確かなマッチング位置に基づく、少なく
とも各ブロック単位領域毎に前記遅延過程で遅延された
検出デジタル画像信号と参照デジタル画像信号との間の
位置合わせによる画像比較に基いて欠陥判定を行う画像
比較過程とを有することを特徴とするパターン検査方法
およびその装置である。
【0010】また、本発明は、被検査物上における所望
の帯状検査領域から連続的に検出されて入力される検出
画像信号をA/D変換して階調値を有する検出デジタル
画像信号に変換し、この変換された検出デジタル画像信
号の比較対象となる参照デジタル画像信号を生成する生
成過程と、該生成過程で生成された検出デジタル画像信
号および参照デジタル画像信号の各々を基に、前記帯状
検査領域を複数に分割したブロック単位領域毎の検出デ
ジタル画像信号および参照デジタル画像信号の各々を順
次縮小して切り出すまたは順次切り出して縮小し、この
順次切り出されたブロック単位領域毎の両縮小画像信号
の間の粗いマッチング位置候補を0個以上求めて前記帯
状検査領域に亘っての粗いマッチング位置候補の集合を
算出し、この算出された帯状検査領域に亘っての粗いマ
ッチング位置候補の集合からブロック単位領域間の連続
性に基いて各ブロック単位領域毎の両画像信号の間の粗
い確かなマッチング位置を決定する粗いマッチング位置
決定過程と、前記生成過程で生成された検出デジタル画
像信号および参照デジタル画像信号の各々を基に、前記
帯状検査領域を複数に分割したブロック単位領域毎の検
出デジタル画像信号および参照デジタル画像信号の各々
を順次切り出し、この順次切り出されたブロック単位領
域毎の検出デジタル画像信号および参照デジタル画像信
号の各々に対して前記粗いマッチング位置決定過程で決
定された粗い確かなマッチング位置に基づき狭いサーチ
エリアにてマッチング位置候補を0個以上求めて精密な
マッチング位置候補の集合を算出し、この算出された精
密なマッチング位置候補の集合からブロック単位領域間
の連続性に基いて各ブロック単位領域毎の両画像信号の
間の精密な確かなマッチング位置を決定する精密なマッ
チング位置決定過程と、該精密なマッチング位置決定過
程で決定した各ブロック単位領域毎の精密な確かなマッ
チング位置に基づく、少なくとも各ブロック単位領域毎
に前記検出デジタル画像信号と参照デジタル画像信号と
の間の位置合わせによる画像比較に基いて欠陥判定を行
う画像比較過程とを有することを特徴とするパターン検
査方法およびその装置である。
【0011】また、本発明は、被検査物上における所望
の帯状検査領域から連続的に検出されて入力される検出
画像信号をA/D変換して階調値を有する検出デジタル
画像信号に変換し、この変換された検出デジタル画像信
号の比較対象となる参照デジタル画像信号を生成する生
成過程と、該生成過程で生成された検出デジタル画像信
号および参照デジタル画像信号の各々を基に、前記帯状
検査領域を複数に分割したブロック単位領域毎の検出デ
ジタル画像信号および参照デジタル画像信号の各々を順
次縮小して切り出すまたは順次切り出して縮小する第1
の切り出し過程と、該第1の切り出し過程で順次切り出
されたブロック単位領域毎の両縮小画像信号の間の粗い
マッチング位置候補を0個以上求めて前記帯状検査領域
に亘っての粗いマッチング位置候補の集合を算出する粗
いマッチング位置候補算出過程と、該粗いマッチング位
置候補算出過程で算出された帯状検査領域に亘っての粗
いマッチング位置候補の集合からブロック単位領域間の
連続性に基いて各ブロック単位領域毎の両画像信号の間
の粗い確かなマッチング位置を決定する粗いマッチング
位置決定過程と、前記生成過程で生成された検出デジタ
ル画像信号および参照デジタル画像信号の各々を基に、
前記帯状検査領域を複数に分割したブロック単位領域毎
の検出デジタル画像信号および参照デジタル画像信号の
各々を順次切り出す第2の切り出し過程と、該第2の切
り出し過程で順次切り出されたブロック単位領域毎の検
出デジタル画像信号および参照デジタル画像信号の各々
に対して前記粗いマッチング位置決定過程で決定された
粗い確かなマッチング位置に基づき狭いサーチエリアに
てマッチング位置候補を0個以上求めて精密なマッチン
グ位置候補の集合を算出する精密なマッチング位置候補
算出過程と、該精密なマッチング位置候補算出過程で算
出された精密なマッチング位置候補の集合からブロック
単位領域間の連続性に基いて各ブロック単位領域毎の両
画像信号の間の精密な確かなマッチング位置を決定する
精密なマッチング位置決定過程と、該精密なマッチング
位置決定過程で決定した各ブロック単位領域毎の精密な
確かなマッチング位置に基づく、少なくとも各ブロック
単位領域毎に前記検出デジタル画像信号と参照デジタル
画像信号との間の位置合わせによる画像比較に基いて欠
陥判定を行う画像比較過程とを有することを特徴とする
パターン検査方法およびその装置である。
【0012】また、本発明は、前記パターン検査方法お
よびその装置のマッチング位置候補算出過程において、
マッチング位置候補の求めを、両画像信号同士の相互相
関の極大値を示す位置、または残差の平方和の極小値を
示す位置、または残差の絶対値の総和の極小値を示す位
置を算出することによって行うことを特徴とする。ま
た、本発明は、前記パターン検査方法およびその装置の
マッチング位置候補算出過程において、マッチング位置
候補の求めを、両画像信号同士の相互相関の極大値また
は残差の平方和の極小値または残差の絶対値の総和の極
小値をとる画素位置での相互相関または残差の平方和ま
たは残差の絶対値の総和の値およびその近傍の画素位置
での相互相関または残差の平方和または残差の絶対値の
総和の値に対して多項式曲面をあてはめ、曲面の頂点と
なる位置を画素以下の精度で算出することによって行う
ことを特徴とする。また、本発明は、前記パターン検査
方法およびその装置の画像比較過程において、位置合わ
せによる画像比較に基いての欠陥判定を、検出デジタル
画像信号と参照デジタル画像信号のうち少なくとも一方
のデジタル画像信号について幾何学的に変換し(幾何学
的に位置ずれ補正をし)、この変換された一方のデジタ
ル画像信号と他方のデジタル画像信号との差画像信号の
階調値が許容値以内であるか否かにより行うことを特徴
とする。
【0013】また、本発明は、前記パターン検査方法お
よびその装置の画像比較過程において、位置合わせによ
る画像比較に基いての欠陥判定を、マッチング位置から
のずれのうち、画素の整数倍のずれについては、検出デ
ジタル画像信号と参照デジタル画像信号のうちの少なく
とも一方をシフトさせることによって位置合わせをし、
さらに前記画素の整数倍のずれの残差である画素以下の
ずれについては、ずれ量に応じて検出デジタル画像信号
と参照デジタル画像信号との差画像信号に対する許容値
を算出し、該差画像信号の階調値が前記許容値以内であ
るか否かにより行うことを特徴とする。また、本発明
は、前記パターン検査方法およびその装置の画像比較過
程において、位置合わせによる画像比較に基いての欠陥
判定を、マッチング位置からのずれのうち、画素の整数
倍のずれについては、検出デジタル画像信号と参照デジ
タル画像信号のうちの少なくとも一方をシフトさせるこ
とによって位置合わせをし、さらに前記画素の整数倍の
ずれの残差である画素以下のずれについては、検出デジ
タル画像信号と参照デジタル画像信号のうちの少なくと
も一方のデジタル画像信号において、画素と画素の間の
階調値を内挿により求めることによって位置合わせを
し、この位置合わせがなされた両デジタル画像信号の差
画像信号の階調値が許容値以内であるか否かにより行う
ことを特徴とする。
【0014】また、本発明は、前記パターン検査方法お
よびその装置のマッチング位置決定過程において、マッ
チング位置候補算出過程においてあるブロック単位領域
においてタンイマッチング位置候補をただ1個持つ点が
算出されたときをこの点を基準点として帯状検査領域に
亘って伝搬して各ブロック単位領域毎の両画像信号の間
の確かなマッチング位置の決定を行うことを特徴とす
る。また、本発明は、前記パターン検査方法およびその
装置のマッチング位置決定過程において、各ブロック単
位領域毎のマッチング位置の確からしさを評価し、前記
画像比較過程において、前記マッチング位置決定過程か
ら得られる各ブロック単位領域毎のマッチング位置の確
からしさに応じて欠陥判定の感度を調整することを特徴
とする。
【0015】また、本発明は、被検査物上における所望
の帯状検査領域から連続的に検出される検出画像信号を
A/D変換して階調値を有する検出デジタル画像信号に
変換し、この変換された検出デジタル画像信号の比較対
象となる参照デジタル画像信号を生成する画像信号生成
部と、該画像信号生成部で生成された検出デジタル画像
信号および参照デジタル画像信号の各々を基に、前記帯
状検査領域を複数に分割したブロック単位領域毎の検出
デジタル画像信号および参照デジタル画像信号の各々を
順次切り出し、この順次切り出されたブロック単位領域
毎の両画像信号の間のマッチング位置候補を0個以上求
めて前記帯状検査領域に亘ってのマッチング位置候補の
集合を算出し、この算出された帯状検査領域に亘っての
マッチング位置候補の集合からブロック単位領域間の連
続性に基いて各ブロック単位領域毎の両画像信号の間の
確かなマッチング位置を決定する位置ずれ検出部と、該
位置ずれ検出部で決定した各ブロック単位領域毎の確か
なマッチング位置に基づく、少なくとも各ブロック単位
領域毎に前記検出デジタル画像信号と参照デジタル画像
信号との間の位置合わせによる画像比較に基いて欠陥判
定を行う画像比較処理部とを備えたことを特徴とするパ
ターン検査装置である。また、本発明は、前記パターン
検査装置の画像信号生成部を、被検査物を載置して移動
する走行ステージと、電子ビームを前記走行ステージの
移動方向と直交する方向に走査して前記被検査物に対し
て照射する走査手段と、該走査手段で電子ビームを走査
して照射された被検査物から発生する電子を検出する電
子検出器とを有して構成することを特徴とする電子線画
像に基づくパターン検査装置である。
【0016】以上説明したように、前記構成によれば、
図2および図3に示すような様々な形態のブロック単位
領域毎の高精細な検出デジタル画像信号が被検査物上の
検査領域から任意に検出されたとしても、入力される高
精細な検出デジタル画像信号には帯状検査領域に亘って
連続性を有する性質を利用して常にブロック単位領域毎
に確かな位置ずれ量を推察して求めることができるの
で、位置合わせミスが生じて虚報が生じるブロック単位
領域を無くし、しかもブロック単位領域毎に高精細な画
素サイズ以下に位置合わせされた高精細な画像信号に基
いて欠陥判定をすることによって様々な形状の微細なパ
ターンを有する検査領域から微細な欠陥を見落としする
ことなく、検査することができる。特に、高精細な検出
画像信号のS/Nが低くても、微細なパターンのコント
ラストが低くても、明るさにむらが生じても、またステ
ージの走行時の振動等によって画像が歪んだとしても、
常にブロック単位領域毎に確かな位置ずれ量を推察して
求めることができるので、位置合わせミスが生じて虚報
が生じるブロック単位領域を無くし、しかも様々な形状
の微細なパターンを有する検査領域から微細な欠陥を見
落としすることなく、検査することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】本発明に係るパターン検査方法お
よびその装置の実施の形態について図面を用いて説明す
る。 (実施の形態1)図1は、本発明に係るパターン検査装
置の第1の実施の形態を示すブロック構成図である。即
ち、パターン検査は、電子ビーム30を半導体ウエハ等
の被検査物(被検査基板)10上を走査照射し、被検査
物10から発生する電子を電子検出器35で検出し、そ
の強度変化に基づいて走査部位の電子線画像を得、この
得られた電子線画像を用いて行われる。半導体ウエハ等
の被検査物10には、図4に示すごとく、最終的に同一
の製品となるチップが多数配列されている。図1に示す
パターン検査装置では、あるチップ(例えば図4のチッ
プ1)の電子線検出画像Aと、隣接するの別のチップ
(例えば図4のチップ2)の電子線検出画像Bとを画像
比較することにより欠陥を認識する。パターン検査装置
の第1の実施の形態は、検出部101、画像処理部10
2、およびシステム全体を制御する全体制御部(図示せ
ず)から構成される。全体制御部は、1台あるいは複数
台のコンピュータから構成され、検出部101、画像処
理部102の各種動作のタイミングの制御、座標管理を
行うとともに、あらかじめプログラミングされたシーケ
ンスに従い、半導体ウエハ等の被検査物10のセッティ
ングから、検査結果出力に至る一連の検査動作を制御す
る。
【0018】次に、検出部101について説明する。即
ち、検出部101は、電子ビームを出射する電子銃31
と、電子銃31から出射された電子ビームを収束するコ
ンデンサレンズ32と、電子ビームの照射をON,OF
Fするブランキング電極部(図示せず)と、上記コンデ
ンサレンズ32で収束された電子ビームを更に試料面上
に画素サイズ(0.3〜0.05μm)程度以下のビー
ム径に絞って合焦状態で照射する対物レンズ33と、電
子ビームを偏向走査させる走査偏向器34と、半導体ウ
エハ等の被検査物10を載置してXY方向に移動制御さ
れるステージ2と、被検査物10から放出される2次電
子や反射電子等の電子を検出する電子検出器35とで構
成される。なお、偏向制御部21は、全体制御部20か
らの制御指令に基いて走査偏向器34を制御するもので
ある。合焦点制御部22は、例えば光学的高さ検出器
(図示せず)で検出される被検査物10の高さ情報に基
いて合焦点状態に対物レンズ33を制御するものであ
る。ステージ制御部23は、ステージの変位を測長する
測長器からのステージの変位情報のフィードバックを受
けて、全体制御部20からのステージ制御情報を基にス
テージ2を駆動制御するものである。
【0019】そして、全体制御部20には、欠陥編集部
61から得られる欠陥情報や位置ずれ検出部40でブロ
ック単位領域で決定されたマッチング位置(位置ずれ
量)のデータや画像比較部60内のしきい値演算部11
5において算出される欠陥判定の基準(検査感度)を示
す閾値th(x,y)や被検査基板上のチップ配列等に
関するCAD情報等を表示する表示手段24と、該表示
手段24に表示された被検査基板上のチップ配列等に関
するCAD情報をみながら、検査領域や位置ずれ検出の
対象領域などを設定するための入力手段25と、各種制
御データや制御プログラムや欠陥編集部61から得られ
る欠陥情報などを記憶する記憶装置26とが接続されて
いる。また、表示手段24には、実際に前処理回路38
から得られる被検査基板全体の電子線デジタル画像を表
示できるようにしてもよい。従って、電子銃31から出
射された電子ビームは、コンデンサレンズ32、対物レ
ンズ33を経て、試料面上において画素サイズ(0.3
〜0.05μm)程度以下のビーム径に合焦点状態で絞
られる。このように収束電子ビームが照射されると、半
導体ウエハ等の被検査基板10からは2次電子または反
射電子が発生することになる。そして、偏向制御部21
からの制御に基づく走査偏向器34による収束電子ビー
ムのX方向の繰り返し走査と、ステージ制御部23から
の制御に基づくステージ2による被検査基板10のY方
向の連続的な移動走査とを組合せて、収束電子ビームを
被検査基板10に対して2次元に走査して照射し、被検
査基板10から同期して発生する電子を電子検出器35
で検出することにより、被検査基板10の2次元の電子
線画像が得られることになる。このように電子検出器3
5で捕らえられた2次元の電子線画像は、アンプ36で
増幅され、画像処理部102に入力される。
【0020】画像処理部102は、入力された2次元の
アナログ検出画像信号を2次元のデジタル検出画像信号
に変換するA/D変換器37と、A/D変換器37から
得られる2次元のデジタル検出画像信号に対して暗レベ
ル補正、電子源の揺らぎ補正、シェーディング補正等の
画像補正を行う前処理回路38と、該前処理回路38で
画像補正された検出画像信号(検出画像データ)f0
(x,y)を繰り返されるチップ分遅延させて参照画像
信号(参照画像データ)g0(x,y)を作る遅延メモ
リ39と、上記検出画像信号f0(x,y)と参照画像
信号g0(x,y)との間の位置ずれ量を検出する位置
ずれ検出部40と、検出画像信号f0(x,y)、およ
び参照画像信号g0(x,y)の各々を遅延させる遅延
メモリ47、48と、上記位置ずれ検出部40で決定さ
れた位置ずれ量を用いて、1チップ分遅延された画像信
号f1(x,y)、g1(x,y)を位置合わせし、両
画像信号を比較して一定基準を越える不一致を欠陥候補
として判定する画像比較部60と、該画像比較部60か
ら得られる欠陥候補についての画像信号に基いて近隣の
不一致部同士を一つにまとめるマージ処理を行い、一ま
とまりごとに重心座標、XY投影長、面積などの欠陥候
補の特徴量を算出し、この算出された欠陥候補の特徴量
から虚報を消去する欠陥編集部61とから構成される。
【0021】従って、電子検出器35で検出された2次
元のアナログ画像信号は、A/D変換器37により2次
元のデジタル画像信号(各画素における濃淡値に応じた
階調値を示すデジタル画像データ)に変換されて前処理
回路38に入力される。そして前処理回路38では、2
次元のデジタル画像信号に対して暗レベル補正、電子源
の揺らぎ補正、シェーディング補正等の画像補正が行わ
れる。次に、シフトレジスタ等で構成される遅延メモリ
39において、前処理回路38から得られる検出画像信
号を、ステージ2がチップ間隔分(図4でのd1)移動
する時間だけ遅延させて、検出画像信号の比較対象とす
る参照画像信号を作成する。ところで、理想的には、遅
延された参照画像信号g0(x,y)と遅延されていな
い検出画像信号f0(x,y)とは、隣り合うチップ
の、同じ箇所での画像信号となるはずであるが、実際に
はステージの振動や、電子光学系のドリフトや帯電、あ
るいは半導体ウエハの帯電により電子ビームの偏向位置
に狂いが生じるためそうはならない。そこで、位置ずれ
検出部40において二つの画像信号(検出画像信号f0
(x,y)と参照画像信号g0(x,y))間の位置ず
れ量を求め、それに基づいて画像比較部60において画
像比較を行うことが必要となるわけである。
【0022】本発明に係る位置ずれ検出部40は、バッ
ファメモリ42a、42b、43a、43b、相関値
(正規化相互相関値)配列または残差の2乗和や残差の
絶対値の総和を演算する演算部45、および、CPU4
6から構成される。検出画像信号f0(x,y)および
参照画像信号g0(x,y)は、位置ずれ検出部40に
連続的に入力され、メモリ42a、43aに蓄積されて
一定サイズの画像データが作成されることなる。なお、
メモリ42b、43bは、演算部45が42a、43a
のデータを読み出している間、検出部101から連続し
て入力される画像データを書き込むためのものである。
メモリ42a、43aとメモリ42b、43bは書き込
み用、読み出し用と交互に切り替えて使用される。演算
部45は、各メモリ42a、42bから交互に検出画像
データについて分割された一定サイズの画像データ(M
x×Myの画素配列からなる)を分割処理単位として読み
出し、各メモリ43a、43bから交互に参照画像デー
タについて分割された一定サイズの画像データ(Nx×
yの画素配列からなる)を分割処理単位として読み出
す。そして、正規化相互相関演算部45は、読み出され
た一定サイズの画像データを分割処理単位として、検出
画像データ(Mx×Myの画素配列からなる)と参照画像
データ(Nx×Nyの画素配列からなる)との間を相対的
にx方向に0〜±px画素、y方向に0〜±py画素ずら
した時の例えば相関値(正規化相互相関値)、すなわち
合計(px+1)×(py+1)=P個の相関値を並行し
て計算する。なお、M=N+2pとする。
【0023】以下、この分割された一定サイズの画像デ
ータをブロック単位領域(分割単位領域)と呼ぶことに
する。そして、帯状検査領域を多数に分割したプロック
単位領域(分割単位領域)が画素数で大きい場合の一実
施例を図6において、模式的にブロック1、2、3、
4、5として示す。このブロック単位領域は、チップ内
の帯状検査領域においてステージ移動方向に分割した画
像サイズ(Mx×My)を大きくしたものである。また、
ブロック単位領域でマッチング位置(位置ずれ量)を決
めるためなので、隣接したブロック単位領域と多少離れ
てもよいし、また部分的に重畳させてもよい。また、チ
ップ内の帯状検査領域においてブロック単位領域を電子
線の走査方向に分割してもよい。この場合、ブロック単
位領域の画像サイズ(Mx×My)は当然小さくなる。ブ
ロック単位領域の画像サイズ(Mx×My)が大きい場合
には、M=500〜1000程度の画素数となり、ブロ
ック単位領域の画像サイズ(Mx×My)が小さい場合に
は、M=10〜100程度の画素数となる。なお、ブロ
ック単位領域の画像サイズ(Mx×My)をステージ走行
によって動的に生じる画像歪みよりも小さくすることに
よって、画像歪みによって生じる位置合わせ不良をなく
すことができる。CPU46では、演算部45において
ブロック単位領域B(n,m)で算出されるM個の要素
からなる相関値配列をもとに、両画像間のマッチング位
置の候補(sB(Δx,Δy))を、後述する方法によ
り算出して内蔵するメモリ(図示せず)に記憶する。こ
のマッチング位置の候補数は、一定ではなく、対象とす
るブロック単位領域にどんなパターンが含まれているか
によって、0個の場合もあれば複数個の場合もある。C
PU46では、1ブロック単位領域ごとにマッチング位
置の候補(dn(Δx,Δy))を求め、1チップ分の
候補が集まった段階で、1チップ分全ブロック単位領域
のマッチング位置を決定する。
【0024】CPU46が演算して決定するマッチング
位置決定方法の概念を図5に示す。図5では、1チップ
内に、図2(a)および図3(a)に示すような殆どパ
ターンなしの領域と、図2(b)および図3(b)に示
すような大体一軸方向を向いたパターンの領域と、図2
(c)および図3(c)に示すような大体2軸方向に繰
り返されるパターンの領域が混在する場合について示し
たものである。図5において、横軸はブロック単位領域
番号(n)、縦軸はマッチング位置(dn(Δx,Δ
y))の一軸方向(例えばY軸方向)の候補座標(単位
は画素)である。ただし、Δx=a画素、Δy=b画素
で表わすことができる。例えば、ブロック単位領域番号
n=0〜4では大体Y方向に繰り返されるパターンが形
成されていることからマッチング位置の候補数が2〜3
個程度検出され、ブロック単位領域番号n=5ではマッ
チング位置の候補数が1個検出され、ブロック単位領域
番号n=6〜7では殆どパターンが存在しないことから
マッチング位置の候補数が検出されず(0個)、ブロッ
ク単位領域番号n=8〜11ではY軸方向に繰り返さな
いパターンが形成されていることからマッチング位置が
連続してある幅でもって検出され、ブロック単位領域n
=12ではほとんどパターンなしの関係でマッチング位
置が検出されず、ブロック単位領域n=13〜20では
比較的Y方向に繰り返されるパターンが形成されている
関係でマッチング位置が大体2〜3個程度検出されるこ
とになる。なお、検出されるマッチング位置としては、
サブピクセル単位で検出されるものとする。
【0025】しかし、1チップ内に様々な微細なパター
ンが混在する場合でも、検出画像データおよび参照画像
データは、連続的に入力されているので、確かな(正し
い)マッチング位置もまた連続的に変化することが期待
される。即ち、被検査物(被検査基板)10上の検査領
域に形成される様々な形状を有するパターンは露光や描
画によって連続して形成され、しかもこの被検査物10
を搭載するステージの走行も連続して行われるため、検
出画像データと参照画像データとの間の位置ずれ誤差も
連続的に変化することになる。従って、図5において、
同図の楕円に囲まれた候補(複数のブロック単位領域か
らなる帯状検査領域に亘って滑らかな曲線でつながって
いる。)が確かなマッチング位置(drn(Δxr,Δ
yr))のY軸方向の値(Δyr)と推測される。ま
た、候補を持たないブロック単位領域の確かなマッチン
グ位置は、前後の確かなマッチング位置の内挿によって
求めることが可能である。また、図5に示すように、帯
状検査領域の亘たる多数のブロック単位領域からランダ
ムにマッチング位置の候補が検出されなかったり、検出
されたりするので、帯状検査領域の亘たるより多くの前
後の確かなマッチング位置またはその近傍を通過するよ
うな滑らかな曲線を算出することによって候補を持たな
いブロック単位領域の確かなマッチング位置を決定する
必要がある。なお、マッチング位置は実際には2次元に
なるので、上記滑らかな曲線は滑らかな曲面となる。
【0026】CPU46が演算して確かなマッチング位
置(確かな位置ずれ量)を決定するための具体的なアル
ゴリズムとしては、演算部45においてブロック単位領
域Nで算出されるM個の要素からなる相関値配列をもと
に算出して内蔵するメモリ(図示せず)に記憶された両
画像間のマッチング位置の候補(dn(Δx,Δy))
から、例えば、候補が1個しかないブロック(図5でい
えばブロック番号15)の確かなマッチング位置を基準
位置(起点位置)とし、その前後のブロックでは基準位
置(起点位置)に最も近いマッチング候補を選ぶという
処理を順々に伝搬していく方法などが考えられる。この
他にも無数のアルゴリズムがあり得るが、どんなアルゴ
リズムを選択すべきかは、演算時間に対する制限やCP
Uの計算能力によるため、これ以上の詳細な説明は行わ
ないことにする。本発明の主眼は、被検査基板10の検
査領域(チップ領域)には様々な形状を有する微差なパ
ターンが形成されているため、分割された各ブロック単
位領域ごとに独立して両画像間の確かなマッチング位置
を決定することができない場合が生じることに着目し、
CPU46において、帯状検査領域に亘って算出される
マッチング位置候補の集合を利用して、少なくともブロ
ック単位領域内の確かなマッチング位置(drn(Δx
r,Δyr))を決定することにあり、この概念に基づ
くいかなるアルゴリズムも本発明の範囲に含まれるもの
とする。即ち、マッチング位置の候補は、図5に示すよ
うに各ブロック単位領域から様々な形態で見つかった
り、見つからなかったりするため、帯状検査領域に亘っ
て算出されるマッチング位置候補の集合を総合的に判断
しないと各ブロック単位領域毎に確かなマッチング位置
(drn(Δxr,Δyr))を決定することができな
い。
【0027】なお、CPU46において算出する各ブロ
ック単位領域毎の確かなマッチング位置(drn(Δx
r,Δyr))の決定を1チップ分の候補が集まった段
階で決定するようにしているのは、図6に示すように、
通常、チップとチップの間にはパターン検査をする必要
のない非検査領域があるため、この領域をステージ2が
横切っている間に、位置ずれ検出部40において確かな
マッチング位置決定処理を行うようにすれば、演算時間
がより長くとれて好都合だからである。確かなマッチン
グ位置は、帯状検査領域についての1チップ分のマッチ
ング位置候補が集まった段階でまとめて決定されるた
め、画像比較部60において位置合わせ・画像比較が可
能となるのは1チップ遅れとなる。そのため、遅延メモ
リ47、48において、検出画像データf0(x,y)
および参照画像データg0(x,y)を遅延させる必要
がある。そして、画像比較部60では、位置ずれ検出部
40で決定された確かなマッチング位置(確かな位置ず
れ量)を用いて、1チップ分遅延された検出画像データ
f1(x,y)と参照画像データg1(x,y)とを位
置合わせし、両画像データを比較して一定基準を越える
不一致を欠陥候補と判定し、欠陥候補に関する位置情報
と不一致に関する画像データ等を出力する(具体的方法
は後述する)。このように欠陥候補とするのは、両画像
データとの間に画像歪み等が生じて虚報が生じるからで
ある。そして、欠陥編集部61では、画像比較部60か
ら得られる欠陥候補に関する位置情報等と不一致を示す
画像データとに基いて欠陥候補と判定された箇所の近隣
の不一致部同士を一つにまとめるマージ処理を行い、一
まとまりごとに重心座標、XY投影長、面積などの特徴
量を算出し、該算出された特徴量から虚報を消去し、検
出画像データf1(x,y)上での欠陥の位置座標とそ
の特徴量を出力する。そして、全体制御部20では、欠
陥編集部61で算出された検出画像データf1(x,
y)上での位置座標を半導体ウエハなどの被検査基板1
0上の座標系に変換し、最終的に、被検査基板10上で
の位置座標と、欠陥編集部61から算出された特徴量と
からなる欠陥データをまとめる。
【0028】ところで、欠陥検査の対象となる半導体ウ
エハなどの被検査基板10上の繰り返されるチップに形
成されているパターンには、最近様々な形状のものが混
在するようになってきている。それは、システムLSI
のようにメモリとロジックとが混在するようになってき
ていると共に形成されるパターンが超微細化されてきて
いるためである。そのため、帯状検査領域から分割され
たブロック単位領域の検出画像信号および参照画像信号
において、図3(a)に示す如くわずかにパターン11
が存在するものが切り出されたり、図3(b)に示す如
く一方向のパターンの中にわずかに別方向のパターン1
2が存在するものが切り出されたり、図3(c)に示す
如く繰り返しパターン中にわずかなイレギュラーなパタ
ーン13が存在するものが切り出されたりする機会が生
じることになる。これらは、分割されたプロック単位の
画像サイズ(Mx×My)が大きい場合でも、小さい場合
でも生じる可能性はある。しかし、前記実施の形態によ
れば、このようなブロック単位領域の検出画像信号およ
び参照画像信号が切り出されて例えば演算部45におい
て演算される相関値配列に基いて図5に示す如く、各ブ
ロック単位領域でマッチング位置が検出されなかった
り、マッチング位置が複数検出されたとしても、CPU
46において帯状検査領域に亘った複数のブロック単位
領域のマッチング位置候補から矛盾を生じないようにマ
ッチング位置を決定するため、確かなマッチング位置が
より確実に選ばれるようになり、位置合わせミスが生じ
て虚報が生じるブロック単位領域の数を格段に減少させ
ることが可能となる。特に、ブロック単位領域の検出画
像信号および参照画像信号において、S/Nが低くて
も、パターンのコントラストが低くても、明るさのむら
が生じたとしても、確かなマッチング位置をより確実に
選ぶことができ、位置合わせミスが生じて虚報が生じる
ブロック単位領域の数を格段に減少させることが可能と
なる。それと共に、正確な欠陥位置が求まるようになる
という効果も生じることになる。
【0029】以上説明したように、前記実施の形態によ
れば、半導体ロジック製品のようにブロックに含まれる
パターンが多岐に及ぶような場合に特に効果を発揮する
ことになる。なお、分割されたブロック単位領域毎の検
出画像信号および参照画像信号において、図2(a)、
図2(b)、および図2(c)に示す如く、パターンが
切り出された場合には、例えば演算部45およびCPU
46でのマッチング位置の算出においてずれが生じて
も、両画像信号の間に差(不一致)が生ぜず虚報が生じ
ることはない。また、チップとチップの間にある検査不
要の領域をステージが横切っている間に位置ずれ検出部
40でマッチング位置決定処理を行う旨述べたが、この
ためには、検査に先立ち被検査基板(被検査物)10の
どの領域を検査領域とするか、また、どの領域を位置ず
れ検出の対象領域とするかを、例えば、被検査基板のC
AD情報や実際に検出される代表の被検査基板の電子線
画像を表示手段24に表示しながらユーザーが入力手段
25を用いて設定する必要がある。本実施の形態の場
合、より確実な位置ずれ検出を実現するには、画像内に
なるべく特徴的なパターンが含まれていることが望まし
いため、通常、検査対象とはしないテストパターン領域
なども、位置ずれ検出をする領域に含めるようにしても
よい。
【0030】(実施の形態1の補足:マッチング位置候
補の算出方法)上述のように、第1の実施の形態では、
CPU46は、演算部45において演算される相関値配
列をもとに、両画像間のマッチング位置の候補を算出す
る。図7(a)に、例えば図2(c)および図3(c)
に示すようなブロック単位領域内のX方向に4画素程
度、Y方向に2画素程度で繰り返されるパターンに対し
てマッチング位置候補探索の範囲がX方向、Y方向とも
±4画素、すなわち9行9列の要素からなる相関値配列
の一例を示す。図7(b)は極大値の存在が分かりやす
いようにこれを3次元で表したものである。正規化され
た相関値は±1の範囲に存在し、両画像が完全に一致す
れば1、完全に不一致(二つの画像のパターンの位相が
逆転している場合)ならば−1の値をとる。画像上にパ
ターンが存在しなければ、相関値の山谷が存在しなくな
ると共に、値も0付近となるため、しきい値を設け(例
えば0.5など)、しきい値を上回る要素がなければマ
ッチング候補なしとし、しきい値以上で極大値が存在す
れば、極大値の個数分、極大値の位置(x座標およびy
座標)を候補として記憶する。図7(b)では、極大値
をとる7箇所が候補である。
【0031】また、ブロック単位領域内に含まれるパタ
ーン(図2(b)および図3(b)に示すパターンに近
いy方向には一様で、X方向には濃淡値として滑らかに
変化するパターン)によっては、図8に示すように、極
大値が尾根状となる場合もある。この場合は例えば尾根
の向きと、切片位置をメモリに記憶するようにする。さ
て、極大値の位置であるが、これは画素きざみでしか存
在しないので、画素以下の精度で候補位置を求める必要
がある場合には、CPU46において何らかの内挿が必
要となる。例えば、図9のように、極大値(C)も含め
該極大値(C)の近傍4画素の位置での相関値(N、
S、E、W)に対して放物曲面を当てはめ、曲面の頂点
となる位置(δx,δy)を求め、極大値の位置X、Y
にこれを加えれば画素以下の精度でのマッチング位置候
補とすることができる。また、山あるいは尾根の位置だ
けでなく、その値(相関値)あるいはその他の特徴量を
求めて記憶しておき、ブロックの候補からマッチング位
置を決定する処理の際の選択基準に加えることも可能で
ある。
【0032】また、本実施の形態では、マッチング位置
候補を求めるのに演算部45において相関値(正規化相
互相関)配列を演算するようにしたが、代わりに残差の
2乗和ΣΣ(f1(x,y)−g1(x,y))2や残
差の絶対値の総和ΣΣ|f1(x,y)−g1(x,
y)|を演算して極小値を示すマッチング位置候補を求
めることも可能である。また、マッチング位置候補を求
めるのに演算部45において前処理として微分画像を生
成し、微分画像間の相互相関を用いても良い。微分画像
はエッジ部が強調されるため、パターンの明るさむらに
よるマッチング候補位置の誤差を低減できる可能性があ
る。また、残差の2乗和ΣΣ(f1(x,y)−g1
(x,y))2や残差の絶対値の総和ΣΣ|f1(x,
y)−g1(x,y)|を演算してマッチング位置候補
を求める場合にも、図9に示すように、極小値(C)も
含め該極小値(C)の近傍4画素の位置での残差の2乗
和または残差の絶対値の総和(N、S、E、W)に対し
て放物曲面を当てはめ、曲面の頂点となる位置(δx,
δy)を求め、極小値の位置X、Yにこれを加えれば画
素以下の精度でのマッチング位置候補とすることができ
る。
【0033】(実施の形態1の補足:画像の比較方法そ
の1)上述のように、第1の実施の形態では、画像比較
部60において画像信号f1(x,y)とg1(x,
y)の比較を行う。この画像比較部の第1の実施例60
aについて図10を用いて具体的に説明する。まず、位
置補正部111において、位置ずれ検出部40でブロッ
ク単位領域毎に算出された位置ずれ量(正しいマッチン
グ位置)のうち、画素の整数倍のずれについては、参照
画像信号g1(x,y)をその分シフトさせることによ
って検出画像信号f1(x,y)に対して位置を合わせ
る。すなわち、位置補正部111において、g1(x,
y)をずれの画素単位分シフトさせてg2(x,y)と
する。残りの画素単位以下のずれについては、画素と画
素の間の階調値を内挿により求めることによって、計算
上、画素以下ずらした画像を生成する。すなわち、x方
向のずれ量の画素未満の部分をδx、y方向のずれ量画
素未満の部分をδyとすると、位置補正部112にて画
像信号f1(x,y)をx方向に−δx/2、y方向に
−δy/2ずらしてf2(x,y)とし、位置補正部1
13にて画像信号g2(x,y)をx方向にδx/2、
y方向にδy/2ずらしてg3(x,y)とする。これ
ら画像信号f1(x,y)、f2(x,y)に対する幾
何学的な位置ずれ補正を幾何学的な変換と称する。内挿
方法としては、線形補間、双線形補間、キュービック・
コンボリューションなどを用いる。ここで、一方の画像
をずらさずに、両方の画像を逆向きに半分ずつずらして
いるのは、内挿に伴って画像にぼけが生じるため、比較
する画像間のぼけを同程度にそろえるためである。
【0034】差画像生成部114では、画素以下の精度
で互いに位置のあった検出画像f2(x,y)と参照画
像g3(x,y)との差画像sub(x,y)を生成す
る。その一方、しきい値演算部115aでは、画素以下
の精度で互いに位置のあった検出画像f2(x,y)と
参照画像g3(x,y)とを基に、各座標(x,y)ご
とにその近傍の階調値や、その近傍での階調値の変化率
などに応じた閾値th(x,y)を算出する。欠陥判定
部116では、差画像sub(x,y)と閾値th
(x,y)を比較して、差画像sub(x,y)が閾値
th(x,y)を越えれば欠陥、差画像sub(x,
y)が閾値th(x,y)以下ならば非欠陥と判定し、
検出画像信号における欠陥の位置座標(x,y)と例え
ば差画像sub(x,y)または検出画像信号f2
(x,y)を出力する。
【0035】(実施の形態1の補足:画像の比較方法そ
の2)画像比較部の第2の実施例60bについて図11
を用いて具体的に説明する。第2の実施例60bにおい
て、上記第1の実施例(図10)との違いは、位置ずれ
検出部40でブロック単位領域毎に算出された位置ずれ
量のうちの、画素以下のずれ(δx,δy)についての
扱いである。第1の実施例では、内挿により位置をずら
した画像を位置補正部112、113で一旦生成した後
に差画像を生成したが、ここでは、しきい値演算部11
5bにおいて位置をずらすことによって生じる差画像の
変化量を推測して、閾値に組み込むようにしている。推
測は例えば次のようにして行う。座標(x,y)におけ
る画像f1(x,y)の階調値のx方向の変化率をdf
x(x,y)、y方向の変化率をdfy(x,y)、画
像g2(x,y)の階調値のx方向の変化率をdgx
(x,y)、y方向の変化率をdgy(x,y)とする
と、差画像の変化量をdsub(x,y)を次に示す
(数1)式の計算により求める。
【0036】 dsub(x,y)=δx×(dfx(x,y)−dgx(x,y)) +δy×(dfy(x,y)−dgy(x,y))(数1) そして、第1の実施例と同様、各座標(x,y)ごとに
その近傍の階調値や、その近傍での階調値の変化率など
に応じた暫定閾値th0(x,y)を算出し、これにd
sub(x,y)を加えたth1(x,y)を、f1
(x,y)とg2(x,y)の差画像sub1(x,
y)に対する閾値とする。そして、欠陥判定部116に
おいて、sub1(x,y)がth1(x,y)を越え
れば欠陥、sub1(x,y)がth1(x,y)以下
ならば非欠陥と判定し、検出画像信号における欠陥の位
置座標(x,y)と例えば差画像sub(x,y)また
は検出画像信号f1(x,y)を出力する。
【0037】(実施の形態1の補足:画像の比較方法そ
の3)画像比較部の第3の実施例60cについて図12
を用いて具体的に説明する。上記第1および第2の実施
例60a、60bでは、画像比較の際、位置ずれ検出部
40の結果であるブロック単位領域毎の位置ずれ量を位
置合わせにのみ用いているが、第3の実施例60cは、
図12に示すように、位置ずれ検出部40から、位置ず
れ量以外に、例えば各ブロック単位領域のマッチング位
置の候補数、あるいは、決定したマッチング位置の正し
さの指標といった付加情報を出力してしきい値演算部1
15cおよび欠陥判定部116に入力し、画像比較の際
にこれらを利用するものである。マッチング位置の候補
数とブロック内に含まれるパターンの周期との間には、
パターン周期が小さいほど候補数が多くなるという関係
があるので、パターン周期に応じて検査感度を調整する
には(パターンが微細ならば微細欠陥が問題となるため
検査感度を高めたいが、粗いパターンの場合にはより大
きな欠陥だけを問題とすればよいことが多い)、しきい
値演算部115cにおいて候補数に応じて差画像に対す
る閾値を調整するようにすればよい。また、マッチング
位置の正しさの指標は、欠陥判定部116において、例
えば、指標値が高ければ検査を実施するが、指標値が低
ければ検査を実施しないとの切り分けに用いることが可
能である。
【0038】なお、いずれの場合も、検査対象物のどの
領域をどんな感度で検査したか、あるいはどの領域を検
査対象外としたかをユーザーは知る必要があるので、全
体制御部20は、制御情報としてもっている検査対象/
非対象や画像比較部60のしきい値演算部114から得
られる領域(ブロック単位領域)毎の検査感度を、モニ
ター24上に表示し、欠陥編集部61から得られる特徴
量を含む欠陥情報に対してもその情報を付加して記憶装
置26に記憶しておく必要がある。このようにすること
によって、欠陥分類装置において、欠陥の発生原因に対
応した欠陥の種類の分類に利用することができ、その結
果欠陥の発生原因を究明することができることになる。
次に、画像比較部の第4の実施例60dについて図13
を用いて具体的に説明する。第4の実施例60dは、図
13に示すように、相関値算出の過程で得られる両画像
の平均値favg、gavg、標準偏差fsigma、gsigmaを位
置ずれ検出部40から出力するようにして、差画像生成
の前に、明るさ補正部140において、次に示す(数
2)式により明るさ補正を行うようにしたものである。 fr={f(x,y)−favg}/fsigma gr={g(x,y)−gavg}/gsigma (数2) ここで、fo(x,y)、go(x,y)は明るさ補正前
の角が像の階調値、fr(x,y)、gr(x,y)は
明るさ補正後の各画像の階調値である。
【0039】(実施の形態2)図14は、本発明に係る
パターン検査装置の第2の実施の形態を示すブロック構
成図である。本第2の実施の形態は、機能的には第1の
実施の形態と全く等しいが、第1の実施の形態では1チ
ップピッチ分の遅延メモリ39、47、48を3個持つ
代わりに、1チップ分の画像データが蓄積可能なメモリ
を4個(150a、150b、150c、150d)持
ち、これらをセレクタ151、152、153によって
サイクリックに切り替えて使用するように構成してい
る。例えば、検出部101からの画像信号をメモリ15
0dに記憶している時、メモリ150cには1チップ前
の画像が、メモリ150bには2チップ前の画像が、メ
モリ150aには3チップ前の画像が記憶されている。
メモリ150dへ画像信号を記憶する間、メモリ150
cの画像とメモリ150bの画像の位置ずれ検出と、メ
モリbの画像とメモリ150aの画像の画像比較を同時
に実施するようにする。本第2の実施の形態によれば、
第1の実施の形態よりもタイミングの管理が容易になる
という利点がある。
【0040】(実施の形態3)図15は、本発明に係る
パターン検査装置の第3の実施の形態を示すブロック構
成図である。第1および第2の実施の形態の目的が、マ
ッチング位置が存在しない場合、および、マッチング位
置が複数存在して決定できない場合の両方に対して適用
することであったのに対し、本第3の実施の形態は、前
者に適用することを主な目的としている。すなわち、
a)図2(a)および図3(a)に示すようにパターン
が存在しないか、わずかしか存在しない、b)図2
(b)および図3(b)に示すように横方向パターンし
かないか、横方向以外のパターンがわずかしかないため
x方向のマッチング位置が確定できない、または、その
逆にy方向のマッチング位置が確定できない、といった
状況にあるブロック単位領域に対して適切なマッチング
位置を設定することが主な目的である。また、個々のブ
ロック単位領域で求められたマッチング位置候補に含ま
れる誤差の低減も目的の一つである。
【0041】第1および第2の実施の形態では、1チッ
プ分のマッチング位置候補を求めた後にマッチング位置
を決定したが、本第3の実施の形態では、すでに決定し
ている過去の正しいマッチング位置を用いて、現ブロッ
クの正しいマッチング位置を推測する。ここでは、簡単
のため1方向のずれについて説明する。現ブロックのブ
ロック番号をnとし、1ブロック前の正しいマッチング
位置がdr(n−1)、2ブロック前の正しいマッチング
位置がdr(n−2)・・・に決定しているとする。
【0042】演算部161が、一定サイズ(ブロック単
位領域)の画像を処理単位として相関値配列を求めるま
では、第1の実施の形態と同じである。そして、CPU
162において、相関値のピーク位置を正しいマッチン
グ位置とするが、相関値が基準値未満の場合は、正しい
マッチング位置は求まらないと判断して、後述のように
して過去の正しいマッチング位置から現ブロックの正し
いマッチング位置を決定する。これら一連の処理(マッ
チング位置の探索、マッチング位置がの使用可不可の判
断、過去の正しいマッチング位置を用いた現ブロックの
正しいマッチング位置の算出)は1ブロック分の画像が
入力される時間以内に行われる。従って、遅延回路16
3、164の遅延量は1ブロック単位領域であり、画像
比較は1ブロック遅れで実施されるわけである。
【0043】CPU162は、現ブロックで正しいマッ
チング位置が求まらない場合、例えば次のような計算に
より正しいマッチング位置を決定する。・現ブロックn
の正しいマッチング位置dr(n)を次の(数3)式で示
すように前ブロックn−1の正しいマッチング位置dr
(n−1)とする。 dr(n)=dr(n−1) (数3) ・現ブロックnの正しいマッチング位置dr(n)を次の
(数4)式で示すように過去数ブロックの正しいマッチ
ング位置の平均を用いる。 dr(n)={dr(n−1)+dr(n−2)+・・・+dr(n−m)}/m(数4) ・現ブロックnの正しいマッチング位置dr(n)を次の
(数5)式で示すように過去数ブロックの各正しいマッ
チング位置を重み付けして平均する。
【0044】 dr(n)={c1×dr(n−1)+c2×dr(n−2)+・・ ・・+cm×dr(n−m)}/{c1+c2+・・・・+cm} (数5) ・現ブロックnの正しいマッチング位置dr(n)を過去
数ブロックの正しいマッチング位置の変化の仕方から推
測する。例えば、次の(数6)式の関係で示される。 dr(n)=dr(n−1)+{dr(n−1)−dr(n−2)} (数6) また、現ブロックで正しいマッチング位置が求まる場合
でも、誤差低減のために、次のような計算で正しいマッ
チング位置を求め直しても良い。・現ブロックの正しい
と推察されるマッチング位置と、過去数ブロックの正し
いマッチング位置の平均を用いる。すなわち、次に示す
(数7)式の関係で示される。 dr(n)={dr(n)+dr(n−1)+dr(n−2)+・・・・+dr(n−m)} /(m+1) (数7) ・現ブロックの正しいと推察されるマッチング位置と、
過去数ブロックの各正しいマッチング位置を重み付けし
て平均する。すなわち、次に示す(数8)式の関係で示
される。 dr(n)={c0×dr(n)+c1×dr(n−1)+c2×dr(n−2)+・・ ・・+cm×dr(n−m)}/{c0+c1+c2+・・・・+cm} (数8) 本第3の実施の形態は、マッチング位置の探索範囲がパ
ターンピッチを越え、前述の「ピッチずれ」が起こるよ
うな状況には不向きであるが(各々の「ピッチずれ」の
ずれ方が異なっている場合もありうるので)、マッチン
グ位置の探索範囲をパターンピッチ以下とすることが可
能な系、すなわち画像の位置ずれ変化が小さい系であれ
ば、本発明の目的に関して、ある程度の効果が期待でき
る。
【0045】本第3の実施の形態は、大きな位置ずれが
あるような系に対しては適用できないが、第1の実施の
形態に比べて画像処理部の規模を小さくして済むという
利点がある。
【0046】(実施の形態4)図16は、本発明に係る
パターン検査装置の第4の実施の形態を示すブロック構
成図である。本第4の実施の形態では、粗精サーチの考
え方に基づき段階的にマッチングの精度を高めていく方
式をとる。検出部101で生成された信号がA/D変換
部37、前処理部38を経て、遅延メモリ39により、
隣り合うチップの同じ箇所に相当する画像信号f0
(x、y)、g0(x、y)となるまでは、第1の実施
の形態と同じである。検出画像信号f0(x、y)は、
ローパスフィルタ165を経た後、間引き処理回路16
7により間引きされ、間引き後の検出画像信号f3
(x、y)がブロック単位領域毎に順次メモリ169
a、169bに記憶される。同時に参照画像信号g0
(x、y)についても、折り返し誤差を防ぐためのロー
パスフィルタ166を経た後、間引き処理回路168に
より間引き処理(縮小処理)され、間引き後の参照画像
信号g3(x、y)がブロック単位領域毎に順次メモリ
170a、170bに記憶される。そして、正規化相関
等の演算部171は、各々のメモリ169、170から
分割されたブロック単位領域毎の間引きされた検出画像
信号f3(x,y)と参照画像信号g(x,y)とを読
み出して(切り出して)入力する。
【0047】間引き処理回路167、168における間
引き処理(縮小処理)とは、もとの画像からとびとびに
データを拾う処理であり図17に示すように2画素ごと
の間引きでは画像のサイズは1/4に、4画素ごとの間
引き処理(縮小処理)では画像のサイズは1/16とな
る。ローパスフィルタ165、166は、間引き処理に
よる折り返し誤差を防ぐために必須であり、例えば、2
画素ごとの間引きならば、パターン周期4画素未満をカ
ットする必要が、4画素ごとの間引きならば、パターン
周期8画素未満をカットする必要がある。間引きにより
画像のサイズが小さくなると、正規化相関等の演算部1
71においてマッチング位置を探索する範囲も小さくな
る。例えばもとの画像上では±16画素の探索範囲が必
要であったならば、2画素ごとの間引きならば探索範囲
±8画素に、4画素ごとの間引きならば±4画素とな
る。間引き画像を用いて、正規化相関等の演算部171
にて探索範囲に相当する個数の相関値を求め、CPU1
72にて、相関値の配列からマッチング位置の候補を求
める。第1の実施の形態と同様、ブロック毎のマッチン
グ位置候補が1チップ分得られた後に、マッチング位置
を決定する。決定されたマッチング位置は、間引き画像
間ものであるため、例えば2画素ごとの間引きならば最
悪±2画素の誤差を、4画素ごとの間引きならば最悪±
4画素の誤差を有す。
【0048】そこで、演算部45およびCPU46は、
遅延回路173、174により1チップ分遅延させた間
引き無しの画像信号f4(x、y)、g4(x,y)を
用いて、メモリ42a、42bおよびメモリ43a、4
3bの各々からブロック単位領域毎の画像信号f4
(x、y)、g4(x,y)を読み出すことによってブ
ロック単位領域毎に再度マッチング位置候補の算出、マ
ッチング位置の決定を行う。ただし、正規化相関等の演
算部45では、先に間引き画像によって求められたマッ
チング位置を探索範囲の中心とすることにより、より狭
い探索範囲でのマッチング位置候補の探索を行うことが
できる。例えば、もとの画像上で±16画素の探索範囲
が必要であり、仮に2画素毎の間引きを行ったならば、
演算部45での探索範囲は±(2+α)画素、仮に4画
素毎の間引きを行ったならば、演算部45での探索範囲
は±(4+α)画素となる。αはローパスフィルターに
よる折り返し誤差の削除が完全でないことを見込んでの
安全策である。演算部45にてブロック単位領域毎の探
索範囲に相当する個数の相関値を求め、CPU46に
て、ブロック単位領域毎の相関値の配列からマッチング
位置の候補を求める。第1の実施の形態と同様に、CP
U46は、ブロック単位領域毎のマッチング位置候補が
1チップ分得られた後に、少なくともブロック単位領域
毎のマッチング位置を決定する。これが画像比較部60
において画像比較する際に用いられる少なくともブロッ
ク単位領域毎の最終的な位置ずれ量となる。以降の画像
比較部60での処理は、第1の実施の形態と同様であ
る。
【0049】ところで、メモリ169a、169bおよ
びメモリ170a、170bで切り出されるブロックサ
イズ(但し間引きされている。)を大きくすると、演算
部171およびCPU172からは大きな画像サイズを
有するブロック全体としての大まかな位置ずれ量が決定
されることになるので、メモリ42a、42bおよびメ
モリ43a、43bで切り出されるブロックサイズ(ブ
ロック単位領域の画像サイズ)を小さくしても、演算部
45およびCPU46によって小さいブロック単位領域
での位置ずれ量を算出して決定することができることに
なり、画像比較部60において当然小さいブロック単位
領域(大きなブロック単位領域内の局所的な領域)毎に
検出画像と参照画像とを実質的に位置合わせさせた状態
で比較することが可能となる。要するに、演算部171
およびCPU172からは大まかな位置ずれ量が決定さ
れることになるので、演算部171で相互相関を取る画
像サイズ(Mx×My)よりも演算部45で相互相関を取
る画像サイズ(Mx×My)を小さくすることができ、そ
の結果、画像比較部60において大きなブロック単位領
域内の局所的な領域(小さなブロック単位領域)での検
出画像と参照画像とを実質的に位置合わせさせた状態で
比較することが可能となり、欠陥検査精度を向上させる
こともできる。この場合、ブロック単位領域の画像サイ
ズを小さくすることから、メモリ42およびメモリ43
の枚数を4枚、6枚、8枚と多くしてもよい。
【0050】本第4の実施の形態は、マッチング位置を
2段階で決定するため二組の処理ブロックが必要ではあ
るが、特に分割されたブロック単位領域の画像サイズ
(Mx×My)を画素数で大きくして探索範囲が広い場
合、すなわち比較する画像間の位置ずれが大きい場合に
は、1段階よりも画像処理部の規模を小さくして済ませ
るという利点がある。例えば、±16画素の探索範囲を
必要とすると、1段階で実施するためには、合計108
9個((16×2+1)2)の相関値を実時間で算出す
必要があり、画像処理部の規模は途方もないものになる
が、これを2段階にすれば、例えば、各段階の探索範囲
は±4画素、すなわち算出すべき相関値を81個にでき
るわけである。以上のように、本第4の実施の形態は、
粗精サーチの考え方に基いており、画像処理部の規模を
縮小できるという利点がある。また、分割されたブロッ
ク単位領域の画像サイズ(Mx×My)が画素数で大きい
場合に有効となる。
【0051】図18は、本第4の実施の形態の変形例を
示す図である。ここでは、第1段階目のマッチング位置
決定の後、遅延メモリ173から得られる検出画像信号
について第1のセレクタ181により第1段階目で分割
するブロック単位領域の画像サイズ(図6には模式的に
実線で囲まれたブロック単位領域(例えば500画素×
500画素)1、2、3、4、5で示される。)のもの
よりもさらに細かい画像サイズ(図6には模式的に実線
で囲まれたブロック単位領域1、2、3、4、5を破線
で2分割(例えば500画素×250画素)して示され
る。)に2分割し、この分割された一方の検出画像信号
が第1の画像処理部180aに入力され、この分割され
た他方の検出画像信号が第2の画像処理部180bに入
力され、遅延メモリ174から得られる参照画像信号に
ついて第2のセレクタ182により第1段階目で分割す
るブロック単位領域の画像サイズのものよりもさらに細
かい画像サイズに2分割し、この分割された一方の参照
画像信号が第1の画像処理部180aに入力され、この
分割された他方の参照画像信号を第2の画像処理部18
0bに入力する。そして、第1の画像処理部180aお
よび第2の画像処理部180bの各々において細かく分
割されたブロック単位領域毎に第2段階目のマッチング
位置決定、および画像比較が並行して行われる。上記変
形例では、画像処理部180を2つ並設した場合につい
て説明したが、4つ、6つ、8つと多くしてもよい。こ
のように多くすることによって、第2段階目のマッチン
グ位置決定は、第1段階目のマッチング位置決定が行わ
れるブロック単位領域内を細かく分割された領域単位毎
に行われることになる。なお、第1の画像処理部180
aおよび第2の画像処理部180b内の位置ずれ検出部
を第1のセレクタ181および第2のセレクタ182に
対して複数並設し、遅延メモリ173、174の各々の
出力を遅延メモリ47、48の各々に接続することによ
って遅延メモリ47、48、画像比較部60、および欠
陥編集部61を共通化してもよい。
【0052】以上説明したようにこの変形例によれば、
第2段階目のマッチング位置の決定が、第1段階目のマ
ッチング位置決定におけるブロック内を細かく分割され
たブロック単位領域(局所的な領域)毎に行われるの
で、画像内の歪みが大きく、第1段階目のマッチング位
置決定におけるブロックサイズでは該ブロック内の場所
によってマッチング位置が異なるような場合に有効とな
る。即ち、第1および第2の画像処理部180a、18
0bの各々における画像比較部60において画像比較を
行い不一致部を欠陥として検出するのが目的であるか
ら、その時(第2段階目)のブロックサイズをそのブロ
ック内ではマッチング位置がほぼ等しい、すなわち、ス
テージ走行などによって生じる画像歪みが無視できる程
度のサイズにすることが可能となる。また、第4の実施
の形態によれば、比較する画像間の位置ずれが大きく
(広い探索範囲が必要)、かつ、画像が歪みを持ってい
るような場合に有効となる。
【0053】(実施の形態5)図19は、本発明に係る
パターン検査装置の第5の実施の形態を示すブロック構
成図である。この第5の実施の形態は、第1の実施の形
態において、検出部を光学的検出手段201によって構
成したものである。従って、第5の実施の形態では、半
導体ウエハ等の被検査基板100から検出される光学像
を用いてパターン検査が行われる。検出部201は、半
導体ウエハ等の被検査物100を載置してx、y方向に
移動するステージ2と、光源203と、光源から出射し
た光を集光する照明光学系204と、照明光学系で集光
された照明光を被検査対象物に照明し、被検査対象物か
ら反射して得られる光学像を結像させる対物レンズ20
5と、該対物レンズを含めた検出光学系で結像された光
学像を受光して明るさに応じた画像信号に変換する光電
変換素子の一実施例である1次元イメージセンサ206
とから構成される。そして、検出部201の1次元イメ
ージセンサ206で検出された画像信号は、画像処理部
102に入力される。画像処理部102では、入力され
たアナログ信号をA/D変換器37によりデジタル信号
に変換する。前処理回路38では、シェーディング補
正、暗レベル補正、フィルタリング処理等の画像補正を
行う。以降の画処理は、これまでに示した実施の形態と
同様であるため省略する。
【0054】なお、被検査物100に形成された超微細
なパターン上に存在する異物を含めた超微細な欠陥を1
次元イメージセンサ206で検出される光学像を基に検
査できるようにするためには、1次元イメージセンサ2
06でもって電子線画像に近い高解像度を有する光学像
を検出できるようにする必要がある。そのためには、光
源203として遠紫外光であるエキシマ光を発するエキ
シマランプ等で構成し、照明光学系204としては輪帯
もしくは疑似輪帯照明をできる光学系で構成し、1次元
イメージセンサ206としては遠紫外光を受光できる蓄
積型が望まれる。
【0055】(実施の形態6:半導体製造工程への適
用)本発明に係るパターン検査方法を半導体製造方法に
適用した実施の形態について図20を用いて説明する。
半導体製造方法は、ウエハ着工・表面酸化工程S21
と、その後Si等の基材上に能動素子を作り込んでいく
工程2(S22)と、その上に絶縁膜を形成してスルー
ホール等を形成する工程3(S23)と、多層の配線層
を形成すべく配線パターンを形成する工程n(S24)
およびその上に絶縁膜を形成してスルーホール等を形成
する工程n+1(S25)と、表面に電極を形成して保
護膜を形成する工程S26と、各チップについて動作試
験をおこなうテスタ工程S27と、その後ダイシングし
て各半導体チップを形成する工程S28と等から構成さ
れる。配線パターン形成工程n(S24)は、成膜工程
S241と、レジスト塗布工程S242と、感光工程S
243と、現像工程S244と、エッチングを行って配
線パターンを形成するエッチング工程S245と、レジ
スト除去工程S246と、洗浄工程S247とから構成
される。
【0056】そして、現像後のレジストパターンの検査
S248やレジスト除去後の配線パターンの検査S24
9が、前記実施の形態で説明したパターン検査装置を用
いて行われる。このように露光・エッチング製造工程中
の半導体ウエハについてその所定枚数のうちの1枚、例
えば20枚毎に1枚のウエハを抜き取り検査する。検査
する領域は、その不良発生率や工程の重要度に合わせて
変化させる。従って、上記半導体ウエハに対して本発明
によるパターン検査を施した結果、検出された各種欠陥
の内容を確認することにより、その半導体製造工程の製
造プロセス異常を検知することが可能となる。例えば図
20に示すホトリソグラフィー工程(レジスト塗布〜現
像)で検査を適用した結果、レジストパターンのショー
トや断線が検出された場合には、感光における焦点や露
光時間等の条件が最適でないということが分かる。ま
た、これらの欠陥が各チップ(ショット)で共通に発生
しているかどうかを欠陥分布から調べることにより、パ
ターン形成に用いられているマスク・レチクルに欠陥が
あるかどうかが分かる。従って、検査結果から露光条件
に異常があると判定された場合には焦点位置あるいは露
光量を調整して、再度上記の検査を行い異常対策の結果
を確認する。マスク・レチクルに異常があると判定され
た場合も同様に、マスク・レチクルを修正あるいは交換
し、再度検査を行い異常がなくなったか否かを確認す
る。本第6の実施の形態によれば、一定抜き取り頻度で
検査することによりプロセスの異常発生を検知できるた
め多量の不良発生を未然に防ぐことができる。また、プ
ロセス異常に対する対策の効果についての確認も可能と
なる。
【0057】以上6個の実施の形態を説明したが、第1
の実施の形態の補足として述べた内容を、第2〜第6の
実施の形態に対して適用することも可能である。また、
本発明の、パターン検査方法およびその装置の適用先は
半導体に限られるわけではなく、従来より画像比較によ
って欠陥検出が行われている様々な対象物、例えばTF
T、ホトマスク、プリント板、セラミック基板などに対
しても適用可能なことはいうまでもない。
【0058】
【発明の効果】本発明によれば、被検査物上の検査領域
に様々な形状の微細なパターンが形成されていても、帯
状検査領域に対して分割されたプロック単位領域毎に検
出される高精細な検出デジタル画像信号と参照デジタル
画像信号との間において微細なパターン形状によらず正
しい位置ずれ量を決定して両デジタル画像を位置合わせ
することができるので、位置合わせミスが生じて虚報が
発生する機会を低減し、しかも正確に高精細な画素サイ
ズ以下で位置合わせされた両デジタル画像信号の差画像
に基いて微細な欠陥を見逃しすることなく微細な欠陥の
位置情報を高信頼度で検査することができる効果を奏す
る。また、本発明によれば、電子線画像に基づく欠陥検
査にも適用することができる。また、本発明によれば、
微細なパターン形状に対しての制約がなくなるため、よ
り広範な被検査対象物への適用が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るパターン検査装置の電子線を用い
た第1の実施の形態の概略構成を示す図である。
【図2】本発明に係るブロック単位領域で検出されるマ
ッチング位置が定まらない画像信号を示す図である。
【図3】本発明に係るブロック単位領域で検出されるマ
ッチング位置が正しく定まらないと虚報となる画像信号
を示す図である。
【図4】図1に示す画像比較部において実行するチップ
比較を説明するための図である。
【図5】本発明に係る被検査物上の帯状検査領域からの
ブロック単位領域毎にブロック番号0〜20について得
られるマッチング位置候補を示す図である。
【図6】本発明に係る帯状検査領域を5つのブロック単
位領域に分割することを模式的に説明するための図であ
る。
【図7】本発明に係るあるブロック単位領域で比較的に
2次元的に繰返し性を有するパターンを有する検出画像
信号が検出された場合における相関値配列の例とその3
次元表示を示す図である。
【図8】本発明に係るあるブロック単位領域でy軸方向
を向いてx軸方向にも殆ど変化のないパターンを有する
検出画像信号が検出された場合における相関値配列の例
とその3次元表示を示す図である。
【図9】本発明に係る画素単位以下の位置ずれ量を補間
して算出する方法の一実施例を説明するための図であ
る。
【図10】本発明に係る画像比較部における第1の実施
例を示すブロック構成図である。
【図11】本発明に係る画像比較部における第2の実施
例を示すブロック構成図である。
【図12】本発明に係る画像比較部における第3の実施
例を示すブロック構成図である。
【図13】本発明に係る画像比較部における第4の実施
例を示すブロック構成図である。
【図14】本発明に係るパターン検査装置の電子線を用
いた第2の実施の形態の概略構成を示す図である。
【図15】本発明に係るパターン検査装置の電子線を用
いた第3の実施の形態の概略構成を示す図である。
【図16】本発明に係るパターン検査装置の電子線を用
いた第4の実施の形態の概略構成を示す図である。
【図17】本発明に係る間引き処理(縮小処理)を説明
するための図である。
【図18】本発明に係るパターン検査装置の電子線を用
いた第5の実施の形態の概略構成を示す図である。
【図19】本発明に係るパターン検査装置の紫外線等を
用いた第6の実施の形態の概略構成を示す図である。
【図20】本発明に係るパターン検査方法を半導体製造
工程へ適用した実施の形態を説明するための図である。
【符号の説明】
2…ステージ、10…被検査物(半導体ウエハ)、20
…全体制御部、21…偏向制御部、22…合焦点制御
部、23…ステージ制御部、24…表示手段、25…入
力手段、26…記憶装置、31…電子銃、32…コンデ
ンサレンズ、33…対物レンズ、34…走査偏向器、3
5…電子検出器、37…A/D変換器、38…前処理回
路、39…1チップピッチ分の遅延メモリ、40…位置
ずれ検出部、42、43…バッファメモリ、45、16
1…演算部、46、162…CPU、47、173、4
8、174…1チップピッチ分の遅延メモリ、60…画
像比較部、61…欠陥編集部、101…検出部、102
…画像処理部、111…位置補正部(画素単位)、11
2、113…位置補正部(サブピクセル単位)、114
…差画像生成部、115…しきい値演算部、116…欠
陥判定部、140…明るさ補正部、150…1チップメ
モリ、151〜153…セレクタ、163、164…1
ブロック分遅延メモリ、165、166…ローパスフィ
ルタ、167、168…間引き回路(縮小回路)、16
9、170…バッファメモリ、171…演算部、172
…CPU、181、182…セレクタ、180a、18
0b…画像処理部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高木 裕治 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 宮井 裕史 茨城県ひたちなか市市毛882番地 株式会 社日立製作所計測器グループ内 Fターム(参考) 2G051 AA51 AA56 AA90 AB20 BA20 CA20 DA07 EA04 EA12 EA14 EA20 EB01 EB02 EC06 ED07 ED15 4M106 AA02 BA02 CA39 DB05 DB21 DJ04 DJ17 5B057 AA03 BA01 CC02 CE09 CH11 DA03 DA07 DB02 DB09 DC33

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】被検査物上における所望の帯状検査領域か
    ら連続的に検出されて入力される検出画像信号をA/D
    変換して階調値を有する検出デジタル画像信号に変換
    し、この変換された検出デジタル画像信号の比較対象と
    なる参照デジタル画像信号を生成する生成過程と、 該生成過程で生成された検出デジタル画像信号および参
    照デジタル画像信号の各々を基に、前記帯状検査領域を
    複数に分割したブロック単位領域毎の検出デジタル画像
    信号および参照デジタル画像信号の各々を順次切り出す
    切り出し過程と、 該切り出し過程で順次切り出されたブロック単位領域毎
    の両画像信号の間のマッチング位置候補を0個以上求め
    て前記帯状検査領域に亘ってのマッチング位置候補の集
    合を算出するマッチング位置候補算出過程と、 該マッチング位置候補算出過程で算出された帯状検査領
    域に亘ってのマッチング位置候補の集合からブロック単
    位領域間の連続性に基いて各ブロック単位領域毎の両画
    像信号の間の確かなマッチング位置を決定するマッチン
    グ位置決定過程と、 該マッチング位置決定過程で決定した各ブロック単位領
    域毎の確かなマッチング位置に基づく、少なくとも各ブ
    ロック単位領域毎に前記検出デジタル画像信号と参照デ
    ジタル画像信号との間の位置合わせによる画像比較に基
    いて欠陥判定を行う画像比較過程とを有することを特徴
    とするパターン検査方法。
  2. 【請求項2】被検査物上に繰り返して形成されたチップ
    上の所望の帯状検査領域から連続的に検出されて入力さ
    れる検出画像信号をA/D変換して階調値を有する検出
    デジタル画像信号に変換し、この変換された検出デジタ
    ル画像信号から前記繰り返されるピッチ分遅延させて比
    較対象となる参照デジタル画像信号を生成する生成過程
    と、 該生成過程で生成された検出デジタル画像信号および参
    照デジタル画像信号の各々を基に、前記帯状検査領域を
    複数に分割したブロック単位領域毎の検出デジタル画像
    信号および参照デジタル画像信号の各々を順次切り出す
    切り出し過程と、 該切り出し過程で順次切り出されたブロック単位領域毎
    の両画像信号の間のマッチング位置候補を0個以上求め
    て前記帯状検査領域に亘ってのマッチング位置候補の集
    合を算出するマッチング位置候補算出過程と、 該マッチング位候補算出過程で算出された帯状検査領域
    に亘ってのマッチング位置候補の集合からブロック単位
    領域間の連続性に基いて各ブロック単位領域毎の両画像
    信号の間の確かなマッチング位置を決定するマッチング
    位置決定過程と、 該マッチング位置決定過程で決定した各ブロック単位領
    域毎の確かなマッチング位置に基づく、少なくとも各ブ
    ロック単位領域毎に前記検出デジタル画像信号と参照デ
    ジタル画像信号との間の位置合わせによる画像比較に基
    いて欠陥判定を行う画像比較過程とを有することを特徴
    とするパターン検査方法。
  3. 【請求項3】被検査物上に交互に繰り返して形成された
    検査領域および非検査領域上の所望の帯状検査領域およ
    び帯状非検査領域から連続的に検出されて入力される検
    出画像信号をA/D変換して階調値を有する検出デジタ
    ル画像信号に変換し、この変換された検出デジタル画像
    信号の比較対象となる参照デジタル画像信号を生成する
    生成過程と、 該生成過程で生成された検出デジタル画像信号および参
    照デジタル画像信号の各々を基に、前記帯状検査領域を
    複数に分割したブロック単位領域毎の検出デジタル画像
    信号および参照デジタル画像信号の各々を順次切り出す
    切り出し過程と、 該切り出し過程で順次切り出されたブロック単位領域毎
    の両画像信号の間のマッチング位置候補を0個以上求め
    て前記帯状検査領域に亘ってのマッチング位置候補の集
    合を記憶するマッチング位置候補算出過程と、 前記生成過程において帯状非検査領域の検出画像信号が
    入力されている期間において前記マッチング位置候補算
    出過程で記憶された帯状検査領域に亘ってのマッチング
    位置候補の集合からブロック単位領域間の連続性に基い
    て各ブロック単位領域毎の両画像信号の間の確かなマッ
    チング位置を決定するマッチング位置決定過程と、 該マッチング位置決定過程で決定した各ブロック単位領
    域毎の確かなマッチング位置に基づく、少なくとも各ブ
    ロック単位領域毎に前記検出デジタル画像信号と参照デ
    ジタル画像信号との間の位置合わせによる画像比較に基
    いて欠陥判定を行う画像比較過程とを有することを特徴
    とするパターン検査方法。
  4. 【請求項4】被検査物上に交互に繰り返して形成された
    検査領域および非検査領域上の所望の帯状検査領域およ
    び帯状非検査領域から連続的に検出されて入力される検
    出画像信号をA/D変換して階調値を有する検出デジタ
    ル画像信号に変換し、この変換された検出デジタル画像
    信号の比較対象となる参照デジタル画像信号を生成する
    生成過程と、 該生成過程で生成された検出デジタル画像信号および参
    照デジタル画像信号の各々を基に、前記帯状検査領域を
    複数に分割したブロック単位領域毎の検出デジタル画像
    信号および参照デジタル画像信号の各々を順次切り出す
    切り出し過程と、 該切り出し過程で順次切り出されたブロック単位領域毎
    の両画像信号の間のマッチング位置候補を0個以上求め
    て前記帯状検査領域に亘ってのマッチング位置候補の集
    合を記憶するマッチング位置候補算出過程と、 前記生成過程において帯状非検査領域の検出画像信号が
    入力されている期間において前記マッチング位置候補算
    出過程で記憶された帯状検査領域に亘ってのマッチング
    位置候補の集合からブロック単位領域間の連続性に基い
    て各ブロック単位領域毎の両画像信号の間の確かなマッ
    チング位置を決定するマッチング位置決定過程と、 前記生成過程で生成された検出デジタル画像信号および
    参照デジタル画像信号を前記マッチング位置決定過程ま
    で遅延させる遅延過程と、 前記マッチング位置決定過程で決定した各ブロック単位
    領域毎の確かなマッチング位置に基づく、少なくとも各
    ブロック単位領域毎に前記遅延過程で遅延された検出デ
    ジタル画像信号と参照デジタル画像信号との間の位置合
    わせによる画像比較に基いて欠陥判定を行う画像比較過
    程とを有することを特徴とするパターン検査方法。
  5. 【請求項5】被検査物上における所望の帯状検査領域か
    ら連続的に検出されて入力される検出画像信号をA/D
    変換して階調値を有する検出デジタル画像信号に変換
    し、この変換された検出デジタル画像信号の比較対象と
    なる参照デジタル画像信号を生成する生成過程と、 該生成過程で生成された検出デジタル画像信号および参
    照デジタル画像信号の各々を基に、前記帯状検査領域を
    複数に分割したブロック単位領域毎の検出デジタル画像
    信号および参照デジタル画像信号の各々を順次縮小して
    切り出すまたは順次切り出して縮小し、この順次切り出
    されたブロック単位領域毎の両縮小画像信号の間の粗い
    マッチング位置候補を0個以上求めて前記帯状検査領域
    に亘っての粗いマッチング位置候補の集合を算出し、こ
    の算出された帯状検査領域に亘っての粗いマッチング位
    置候補の集合からブロック単位領域間の連続性に基いて
    各ブロック単位領域毎の両画像信号の間の粗い確かなマ
    ッチング位置を決定する粗いマッチング位置決定過程
    と、 前記生成過程で生成された検出デジタル画像信号および
    参照デジタル画像信号の各々を基に、前記帯状検査領域
    を複数に分割したブロック単位領域毎の検出デジタル画
    像信号および参照デジタル画像信号の各々を順次切り出
    し、この順次切り出されたブロック単位領域毎の検出デ
    ジタル画像信号および参照デジタル画像信号の各々に対
    して前記粗いマッチング位置決定過程で決定された粗い
    確かなマッチング位置に基づき狭いサーチエリアにてマ
    ッチング位置候補を0個以上求めて精密なマッチング位
    置候補の集合を算出し、この算出された精密なマッチン
    グ位置候補の集合からブロック単位領域間の連続性に基
    いて各ブロック単位領域毎の両画像信号の間の精密な確
    かなマッチング位置を決定する精密なマッチング位置決
    定過程と、 該精密なマッチング位置決定過程で決定した各ブロック
    単位領域毎の精密な確かなマッチング位置に基づく、少
    なくとも各ブロック単位領域毎に前記検出デジタル画像
    信号と参照デジタル画像信号との間の位置合わせによる
    画像比較に基いて欠陥判定を行う画像比較過程とを有す
    ることを特徴とするパターン検査方法。
  6. 【請求項6】被検査物上における所望の帯状検査領域か
    ら連続的に検出されて入力される検出画像信号をA/D
    変換して階調値を有する検出デジタル画像信号に変換
    し、この変換された検出デジタル画像信号の比較対象と
    なる参照デジタル画像信号を生成する生成過程と、 該生成過程で生成された検出デジタル画像信号および参
    照デジタル画像信号の各々を基に、前記帯状検査領域を
    複数に分割したブロック単位領域毎の検出デジタル画像
    信号および参照デジタル画像信号の各々を順次縮小して
    切り出すまたは順次切り出して縮小する第1の切り出し
    過程と、 該第1の切り出し過程で順次切り出されたブロック単位
    領域毎の両縮小画像信号の間の粗いマッチング位置候補
    を0個以上求めて前記帯状検査領域に亘っての粗いマッ
    チング位置候補の集合を算出する粗いマッチング位置候
    補算出過程と、該粗いマッチング位置候補算出過程で算
    出された帯状検査領域に亘っての粗いマッチング位置候
    補の集合からブロック単位領域間の連続性に基いて各ブ
    ロック単位領域毎の両画像信号の間の粗い確かなマッチ
    ング位置を決定する粗いマッチング位置決定過程と、 前記生成過程で生成された検出デジタル画像信号および
    参照デジタル画像信号の各々を基に、前記帯状検査領域
    を複数に分割したブロック単位領域毎の検出デジタル画
    像信号および参照デジタル画像信号の各々を順次切り出
    す第2の切り出し過程と、 該第2の切り出し過程で順次切り出されたブロック単位
    領域毎の検出デジタル画像信号および参照デジタル画像
    信号の各々に対して前記粗いマッチング位置決定過程で
    決定された粗い確かなマッチング位置に基づき狭いサー
    チエリアにてマッチング位置候補を0個以上求めて精密
    なマッチング位置候補の集合を算出する精密なマッチン
    グ位置候補算出過程と、 該精密なマッチング位置候補算出過程で算出された精密
    なマッチング位置候補の集合からブロック単位領域間の
    連続性に基いて各ブロック単位領域毎の両画像信号の間
    の精密な確かなマッチング位置を決定する精密なマッチ
    ング位置決定過程と、 該精密なマッチング位置決定過程で決定した各ブロック
    単位領域毎の精密な確かなマッチング位置に基づく、少
    なくとも各ブロック単位領域毎に前記検出デジタル画像
    信号と参照デジタル画像信号との間の位置合わせによる
    画像比較に基いて欠陥判定を行う画像比較過程とを有す
    ることを特徴とするパターン検査方法。
  7. 【請求項7】前記マッチング位置候補算出過程におい
    て、マッチング位置候補の求めを、両画像信号同士の相
    互相関の極大値を示す位置、または残差の平方和の極小
    値を示す位置、または残差の絶対値の総和の極小値を示
    す位置を算出することによって行うことを特徴とする請
    求項1または2または3または4または6記載のパター
    ン検査方法。
  8. 【請求項8】前記マッチング位置候補算出過程におい
    て、マッチング位置候補の求めを、両画像信号同士の相
    互相関の極大値または残差の平方和の極小値または残差
    の絶対値の総和の極小値をとる画素位置での相互相関ま
    たは残差の平方和または残差の絶対値の総和の値および
    その近傍の画素位置での相互相関または残差の平方和ま
    たは残差の絶対値の総和の値に対して多項式曲面をあて
    はめ、曲面の頂点となる位置を画素以下の精度で算出す
    ることによって行うことを特徴とする請求項1または2
    または3または4または6記載のパターン検査方法。
  9. 【請求項9】前記画像比較過程において、位置合わせに
    よる画像比較に基いての欠陥判定を、検出デジタル画像
    信号と参照デジタル画像信号のうち少なくとも一方のデ
    ジタル画像信号について幾何学的に変換し、この変換さ
    れた一方のデジタル画像信号と他方のデジタル画像信号
    との差画像信号の階調値が許容値以内であるか否かによ
    り行うことを特徴とする請求項1または2または3また
    は4または5または6記載のパターン検査方法。
  10. 【請求項10】前記画像比較過程において、位置合わせ
    による画像比較に基いての欠陥判定を、マッチング位置
    からのずれのうち、画素の整数倍のずれについては、検
    出デジタル画像信号と参照デジタル画像信号のうちの少
    なくとも一方をシフトさせることによって位置合わせを
    し、さらに前記画素の整数倍のずれの残差である画素以
    下のずれについては、ずれ量に応じて検出デジタル画像
    信号と参照デジタル画像信号との差画像信号に対する許
    容値を算出し、該差画像信号の階調値が前記許容値以内
    であるか否かにより行うことを特徴とする請求項1また
    は2または3または4または5または6記載のパターン
    検査方法。
  11. 【請求項11】前記画像比較過程において、位置合わせ
    による画像比較に基いての欠陥判定を、マッチング位置
    からのずれのうち、画素の整数倍のずれについては、検
    出デジタル画像信号と参照デジタル画像信号のうちの少
    なくとも一方をシフトさせることによって位置合わせを
    し、さらに前記画素の整数倍のずれの残差である画素以
    下のずれについては、検出デジタル画像信号と参照デジ
    タル画像信号のうちの少なくとも一方のデジタル画像信
    号において、画素と画素の間の階調値を内挿により求め
    ることによって位置合わせをし、この位置合わせがなさ
    れた両デジタル画像信号の差画像信号の階調値が許容値
    以内であるか否かにより行うことを特徴とする請求項1
    または2または3または4または5または6記載のパタ
    ーン検査方法。することを特徴とする方法。
  12. 【請求項12】前記マッチング位置決定過程において、
    マッチング位置候補算出過程においてあるブロック単位
    領域においてタンイマッチング位置候補をただ1個持つ
    点が算出されたときをこの点を基準点として帯状検査領
    域に亘って伝搬して各ブロック単位領域毎の両画像信号
    の間の確かなマッチング位置の決定を行うことを特徴と
    する請求項1または2または3または4または6記載の
    パターン検査方法。
  13. 【請求項13】前記マッチング位置決定過程において、
    各ブロック単位領域毎のマッチング位置の確からしさを
    評価し、前記画像比較過程において、前記マッチング位
    置決定過程から得られる各ブロック単位領域毎のマッチ
    ング位置の確からしさに応じて欠陥判定の感度を調整す
    ることを特徴とする請求項1または2または3または4
    記載のパターン検査方法。
  14. 【請求項14】被検査物上における所望の帯状検査領域
    から連続的に検出される検出画像信号をA/D変換して
    階調値を有する検出デジタル画像信号に変換し、この変
    換された検出デジタル画像信号の比較対象となる参照デ
    ジタル画像信号を生成する画像信号生成部と、該画像信
    号生成部で生成された検出デジタル画像信号および参照
    デジタル画像信号の各々を基に、前記帯状検査領域を複
    数に分割したブロック単位領域毎の検出デジタル画像信
    号および参照デジタル画像信号の各々を順次切り出し、
    この順次切り出されたブロック単位領域毎の両画像信号
    の間のマッチング位置候補を0個以上求めて前記帯状検
    査領域に亘ってのマッチング位置候補の集合を算出し、
    この算出された帯状検査領域に亘ってのマッチング位置
    候補の集合からブロック単位領域間の連続性に基いて各
    ブロック単位領域毎の両画像信号の間の確かなマッチン
    グ位置を決定する位置ずれ検出部と、該位置ずれ検出部
    で決定した各ブロック単位領域毎の確かなマッチング位
    置に基づく、少なくとも各ブロック単位領域毎に前記検
    出デジタル画像信号と参照デジタル画像信号との間の位
    置合わせによる画像比較に基いて欠陥判定を行う画像比
    較処理部とを備えたことを特徴とするパターン検査装
    置。
  15. 【請求項15】被検査物上に繰り返して形成されたチッ
    プ上の所望の帯状検査領域から連続的に検出される検出
    画像信号をA/D変換して階調値を有する検出デジタル
    画像信号に変換し、この変換された検出デジタル画像信
    号から前記繰り返されるピッチ分遅延させて比較対象と
    なる参照デジタル画像信号を生成する画像信号生成部
    と、該画像信号生成部で生成された検出デジタル画像信
    号および参照デジタル画像信号の各々を基に、前記帯状
    検査領域を複数に分割したブロック単位領域毎の検出デ
    ジタル画像信号および参照デジタル画像信号の各々を順
    次切り出し、この順次切り出されたブロック単位領域毎
    の両画像信号の間のマッチング位置候補を0個以上求め
    て前記帯状検査領域に亘ってのマッチング位置候補の集
    合を算出し、この算出された帯状検査領域に亘ってのマ
    ッチング位置候補の集合からブロック単位領域間の連続
    性に基いて各ブロック単位領域毎の両画像信号の間の確
    かなマッチング位置を決定する位置ずれ検出部と、該位
    置ずれ検出部で決定した各ブロック単位領域毎の確かな
    マッチング位置に基づく、少なくとも各ブロック単位領
    域毎に前記検出デジタル画像信号と参照デジタル画像信
    号との間の位置合わせによる画像比較に基いて欠陥判定
    を行う画像比較処理部とを備えたことを特徴とするパタ
    ーン検査装置。
  16. 【請求項16】被検査物上に交互に繰り返して形成され
    た検査領域および非検査領域上の所望の帯状検査領域お
    よび帯状非検査領域から連続的に検出される検出画像信
    号をA/D変換して階調値を有する検出デジタル画像信
    号に変換し、この変換された検出デジタル画像信号の比
    較対象となる参照デジタル画像信号を生成する画像信号
    生成部と、該画像信号生成部で生成された検出デジタル
    画像信号および参照デジタル画像信号の各々を基に、前
    記帯状検査領域を複数に分割したブロック単位領域毎の
    検出デジタル画像信号および参照デジタル画像信号の各
    々を順次切り出し、この順次切り出されたブロック単位
    領域毎の両画像信号の間のマッチング位置候補を0個以
    上求めて前記帯状検査領域に亘ってのマッチング位置候
    補の集合を記憶し、前記画像信号生成部において帯状非
    検査領域の検出画像信号が入力されている期間において
    前記記憶された帯状検査領域に亘ってのマッチング位置
    候補の集合からブロック単位領域間の連続性に基いて各
    ブロック単位領域毎の両画像信号の間の確かなマッチン
    グ位置を決定する位置ずれ検出部と、該位置ずれ検出部
    で決定した各ブロック単位領域毎の確かなマッチング位
    置に基づく、少なくとも各ブロック単位領域毎に前記検
    出デジタル画像信号と参照デジタル画像信号との間の位
    置合わせによる画像比較に基いて欠陥判定を行う画像比
    較処理部とを備えたことを特徴とするパターン検査装
    置。
  17. 【請求項17】被検査物上に交互に繰り返して形成され
    た検査領域および非検査領域上の所望の帯状検査領域お
    よび帯状非検査領域から連続的に検出される検出画像信
    号をA/D変換して階調値を有する検出デジタル画像信
    号に変換し、この変換された検出デジタル画像信号の比
    較対象となる参照デジタル画像信号を生成する画像信号
    生成部と、該画像信号生成部で生成された検出デジタル
    画像信号および参照デジタル画像信号の各々を基に、前
    記帯状検査領域を複数に分割したブロック単位領域毎の
    検出デジタル画像信号および参照デジタル画像信号の各
    々を順次切り出し、この順次切り出されたブロック単位
    領域毎の両画像信号の間のマッチング位置候補を0個以
    上求めて前記帯状検査領域に亘ってのマッチング位置候
    補の集合を記憶し、前記画像信号生成部において帯状非
    検査領域の検出画像信号が入力されている期間において
    前記記憶された帯状検査領域に亘ってのマッチング位置
    候補の集合からブロック単位領域間の連続性に基いて各
    ブロック単位領域毎の両画像信号の間の確かなマッチン
    グ位置を決定する位置ずれ検出部と、前記画像信号生成
    部で生成された検出デジタル画像信号および参照デジタ
    ル画像信号を前記位置ずれ検出部においてマッチング位
    置が決定されるまで遅延させる遅延手段と、前記位置ず
    れ検出部で決定した各ブロック単位領域毎の確かなマッ
    チング位置に基づく、少なくとも各ブロック単位領域毎
    に前記遅延手段で遅延された検出デジタル画像信号と参
    照デジタル画像信号との間の位置合わせによる画像比較
    に基いて欠陥判定を行う画像比較処理部とを備えたこと
    を特徴とするパターン検査装置。
  18. 【請求項18】被検査物上における所望の帯状検査領域
    から連続的に検出される検出画像信号をA/D変換して
    階調値を有する検出デジタル画像信号に変換し、この変
    換された検出デジタル画像信号の比較対象となる参照デ
    ジタル画像信号を生成する画像信号生成部と、該画像信
    号生成部で生成された検出デジタル画像信号および参照
    デジタル画像信号の各々を基に、前記帯状検査領域を複
    数に分割したブロック単位領域毎の検出デジタル画像信
    号および参照デジタル画像信号の各々を順次縮小して切
    り出すまたは順次切り出して縮小し、この順次切り出さ
    れたブロック単位領域毎の両縮小画像信号の間の粗いマ
    ッチング位置候補を0個以上求めて前記帯状検査領域に
    亘っての粗いマッチング位置候補の集合を算出し、この
    算出された帯状検査領域に亘っての粗いマッチング位置
    候補の集合からブロック単位領域間の連続性に基いて各
    ブロック単位領域毎の両画像信号の間の粗い確かなマッ
    チング位置を決定する粗い粗い位置ずれ検出部と、前記
    画像信号生成部で生成された検出デジタル画像信号およ
    び参照デジタル画像信号の各々を基に、前記帯状検査領
    域を複数に分割したブロック単位領域毎の検出デジタル
    画像信号および参照デジタル画像信号の各々を順次切り
    出し、この順次切り出されたブロック単位領域毎の検出
    デジタル画像信号および参照デジタル画像信号の各々に
    対して前記粗いマッチング位置決定過程で決定された粗
    い確かなマッチング位置に基づき狭いサーチエリアにて
    マッチング位置候補を0個以上求めて精密なマッチング
    位置候補の集合を算出し、この算出された精密なマッチ
    ング位置候補の集合からブロック単位領域間の連続性に
    基いて各ブロック単位領域毎の両画像信号の間の精密な
    確かなマッチング位置を決定する精密な位置ずれ検出部
    と、該精密な位置ずれ検出部で決定した各ブロック単位
    領域毎の精密な確かなマッチング位置に基づく、少なく
    とも各ブロック単位領域毎に前記検出デジタル画像信号
    と参照デジタル画像信号との間の位置合わせによる画像
    比較に基いて欠陥判定を行う画像比較処理部とを備えた
    ことを特徴とするパターン検査装置。
  19. 【請求項19】前記画像信号生成部は、被検査物を載置
    して移動する走行ステージと、電子ビームを前記走行ス
    テージの移動方向と直交する方向に走査して前記被検査
    物に対して照射する走査手段と、該走査手段で電子ビー
    ムを走査して照射された被検査物から発生する電子を検
    出する電子検出器とを有して構成することを特徴とする
    請求項14または15または16または17または18
    記載のパターン検査装置。
JP19367699A 1999-07-07 1999-07-07 画像比較によるパターン検査方法およびその装置 Expired - Fee Related JP3524819B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19367699A JP3524819B2 (ja) 1999-07-07 1999-07-07 画像比較によるパターン検査方法およびその装置
US09/612,501 US6865288B1 (en) 1999-07-07 2000-07-07 Pattern inspection method and apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19367699A JP3524819B2 (ja) 1999-07-07 1999-07-07 画像比較によるパターン検査方法およびその装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001022935A true JP2001022935A (ja) 2001-01-26
JP3524819B2 JP3524819B2 (ja) 2004-05-10

Family

ID=16311942

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19367699A Expired - Fee Related JP3524819B2 (ja) 1999-07-07 1999-07-07 画像比較によるパターン検査方法およびその装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6865288B1 (ja)
JP (1) JP3524819B2 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004100206A1 (ja) * 2003-05-09 2004-11-18 Ebara Corporation 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法
JP2005292016A (ja) * 2004-04-02 2005-10-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 欠陥検出装置および欠陥検出方法
US7138629B2 (en) 2003-04-22 2006-11-21 Ebara Corporation Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus
US7418135B2 (en) 2004-08-24 2008-08-26 Canon Kabushiki Kaisha image processing apparatus, method therefor, and program
US7711178B2 (en) 2002-01-30 2010-05-04 Hitachi, Ltd. Pattern inspection method and its apparatus
JP2010520622A (ja) * 2007-02-28 2010-06-10 ケーエルエー−テンカー・コーポレーション ウェーハ上に形成されたアレイ領域のための検査領域のエッジを正確に識別する方法、及び、ウェーハ上に形成されたアレイ領域に検知された欠陥をビニングする方法
JP2010206800A (ja) * 2009-03-05 2010-09-16 Tektronix Inc 試験画像及び基準画像の位置合わせ方法
JP2011122991A (ja) * 2009-12-14 2011-06-23 Hitachi High-Technologies Corp 検査システム、及び検査装置
JP2014092479A (ja) * 2012-11-05 2014-05-19 Ricoh Elemex Corp 画像処理システムおよび画像処理方法
JP2014092481A (ja) * 2012-11-05 2014-05-19 Ricoh Elemex Corp 画像処理システム
JP2015059744A (ja) * 2013-09-17 2015-03-30 株式会社リコー 画像検査結果判断装置、画像検査システム及び画像検査結果の判断方法
JP2019039808A (ja) * 2017-08-25 2019-03-14 株式会社ニューフレアテクノロジー パターン検査装置及びパターン検査方法
JP2020063974A (ja) * 2018-10-17 2020-04-23 アズビル株式会社 超音波流量計、流量計測方法、および流量演算装置

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002245454A (ja) * 2001-02-20 2002-08-30 Advantest Corp 画像マッチング方法、画像マッチング装置及びウェハ処理装置
DE10129818B4 (de) * 2001-06-15 2007-03-15 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Verfahren zum Auslesen eines Detektionschips einer elektronischen Kamera
JP4073265B2 (ja) * 2002-07-09 2008-04-09 富士通株式会社 検査装置及び検査方法
US7463765B2 (en) * 2003-02-25 2008-12-09 Lamda-Lite Enterprises Incorporated System and method for detecting and reporting fabrication defects using a multi-variant image analysis
US7469057B2 (en) * 2003-02-26 2008-12-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Corp System and method for inspecting errors on a wafer
JP4229767B2 (ja) * 2003-06-30 2009-02-25 株式会社東京精密 画像欠陥検査方法、画像欠陥検査装置及び外観検査装置
JP2005026360A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Toshiba Corp フォトマスクの欠陥検査方法、半導体装置の製造方法、およびフォトマスクの製造方法
US8532338B2 (en) * 2004-07-06 2013-09-10 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and method for compensating for motion blur in optical navigation
US7483559B2 (en) * 2004-08-13 2009-01-27 Synopsys, Inc. Method and apparatus for deblurring mask images
US20060047462A1 (en) * 2004-08-31 2006-03-02 Picciotto Carl E Displacement estimation system and method
JP2006098151A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd パターン検査装置およびパターン検査方法
JP4366318B2 (ja) * 2005-01-11 2009-11-18 キヤノン株式会社 画像処理装置及びその方法、プログラム
US7570800B2 (en) * 2005-12-14 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for binning defects detected on a specimen
US8126257B2 (en) 2006-04-12 2012-02-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Alignment of semiconductor wafer patterns by corresponding edge groups
US7925072B2 (en) * 2007-03-08 2011-04-12 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods for identifying array areas in dies formed on a wafer and methods for setting up such methods
JP2008233343A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Advanced Mask Inspection Technology Kk 試料検査装置、補正画像生成方法及びプログラム
DE102007017649A1 (de) * 2007-04-12 2008-10-16 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zum Bestimmen der Fokuslage von mindestens zwei Kanten von Strukturen auf einem Substrat
JP4542164B2 (ja) * 2008-03-18 2010-09-08 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 パターン検査装置、パターン検査方法及びプログラム
US8249832B2 (en) * 2009-12-05 2012-08-21 The Boeing Company Correlation of inspection information and computer-aided design data for structural assessment
US9008410B2 (en) * 2013-03-13 2015-04-14 Kla-Tencor Corporation Single die inspection on a dark field inspection tool
US9747681B2 (en) * 2013-03-27 2017-08-29 Prosper Creative Co., Ltd. Measuring apparatus, measurement method, information processing apparatus, and measurement program
DE102014224557A1 (de) * 2014-12-01 2016-06-02 Osram Gmbh Bildverarbeitung mittels Kreuzkorrelation
JP6329923B2 (ja) * 2015-06-08 2018-05-23 東京エレクトロン株式会社 基板の検査方法、コンピュータ記憶媒体及び基板検査装置
JP2017016169A (ja) * 2015-06-26 2017-01-19 キヤノン株式会社 検査方法、検査装置、画像処理装置、プログラム及び記録媒体
US10473515B2 (en) * 2016-08-10 2019-11-12 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Weight measuring device, weight measurement method, displacement coefficient calculating device, and displacement coefficient calculation method
US11798138B2 (en) * 2020-07-07 2023-10-24 Applied Materials Israel Ltd. Reconstruction of a distorted image of an array of structural elements of a specimen
CN112180691B (zh) * 2020-09-30 2024-01-09 上海华力集成电路制造有限公司 拼接芯片的线上监控方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5157735A (en) * 1988-09-09 1992-10-20 Hitachi, Ltd. Chipping detection system and method
KR960007481B1 (ko) * 1991-05-27 1996-06-03 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 패턴검사방법 및 장치
JP2971628B2 (ja) * 1991-06-27 1999-11-08 株式会社日立製作所 パターン検査方法及び装置
KR960015001A (ko) * 1994-10-07 1996-05-22 가나이 쓰토무 반도체 기판의 제조방법과 피검사체상의 패턴결함을 검사하기 위한 방법 및 장치
JP3660763B2 (ja) * 1996-06-26 2005-06-15 株式会社日立製作所 被検査パターンの検査方法及び製造プロセス診断方法並びに半導体基板の製造方法

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7711178B2 (en) 2002-01-30 2010-05-04 Hitachi, Ltd. Pattern inspection method and its apparatus
US8090187B2 (en) 2002-01-30 2012-01-03 Hitachi, Ltd. Pattern inspection method and its apparatus
US8946631B2 (en) 2003-04-22 2015-02-03 Ebara Corporation Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus
US8742341B2 (en) 2003-04-22 2014-06-03 Ebara Corporation Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus
US9406480B2 (en) 2003-04-22 2016-08-02 Ebara Corporation Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus
US7138629B2 (en) 2003-04-22 2006-11-21 Ebara Corporation Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus
US7365324B2 (en) 2003-04-22 2008-04-29 Ebara Corporation Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus
US7741601B2 (en) 2003-04-22 2010-06-22 Ebara Corporation Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus
WO2004100206A1 (ja) * 2003-05-09 2004-11-18 Ebara Corporation 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法
JP2005292016A (ja) * 2004-04-02 2005-10-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 欠陥検出装置および欠陥検出方法
JP4502186B2 (ja) * 2004-04-02 2010-07-14 大日本スクリーン製造株式会社 欠陥検出装置および欠陥検出方法
US7418135B2 (en) 2004-08-24 2008-08-26 Canon Kabushiki Kaisha image processing apparatus, method therefor, and program
JP2010520622A (ja) * 2007-02-28 2010-06-10 ケーエルエー−テンカー・コーポレーション ウェーハ上に形成されたアレイ領域のための検査領域のエッジを正確に識別する方法、及び、ウェーハ上に形成されたアレイ領域に検知された欠陥をビニングする方法
JP2010206800A (ja) * 2009-03-05 2010-09-16 Tektronix Inc 試験画像及び基準画像の位置合わせ方法
JP2011122991A (ja) * 2009-12-14 2011-06-23 Hitachi High-Technologies Corp 検査システム、及び検査装置
JP2014092479A (ja) * 2012-11-05 2014-05-19 Ricoh Elemex Corp 画像処理システムおよび画像処理方法
JP2014092481A (ja) * 2012-11-05 2014-05-19 Ricoh Elemex Corp 画像処理システム
JP2015059744A (ja) * 2013-09-17 2015-03-30 株式会社リコー 画像検査結果判断装置、画像検査システム及び画像検査結果の判断方法
JP2019039808A (ja) * 2017-08-25 2019-03-14 株式会社ニューフレアテクノロジー パターン検査装置及びパターン検査方法
JP2020063974A (ja) * 2018-10-17 2020-04-23 アズビル株式会社 超音波流量計、流量計測方法、および流量演算装置
JP7134830B2 (ja) 2018-10-17 2022-09-12 アズビル株式会社 超音波流量計、流量計測方法、および流量演算装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3524819B2 (ja) 2004-05-10
US6865288B1 (en) 2005-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3524819B2 (ja) 画像比較によるパターン検査方法およびその装置
US6141038A (en) Alignment correction prior to image sampling in inspection systems
US7127126B2 (en) Image alignment method, comparative inspection method, and comparative inspection device for comparative inspections
JP3566470B2 (ja) パターン検査方法及びその装置
US6360005B1 (en) Apparatus and method for microscopic inspection of articles
US8811712B2 (en) Defect inspection method and device thereof
US4614430A (en) Method of detecting pattern defect and its apparatus
JP4943304B2 (ja) パターン検査装置および方法
US20060280358A1 (en) Pattern comparison inspection method and pattern comparison inspection device
US7664309B2 (en) Reticle inspecting apparatus and reticle inspecting method
US7676114B2 (en) Imaging system for three-dimensional reconstruction of surface profiles
US7466854B2 (en) Size checking method and apparatus
JP3647416B2 (ja) パターン検査装置及びその方法
US20070047799A1 (en) Pattern inspection apparatus, pattern inspection method, and program-recorded readable recording medium
KR960013357B1 (ko) 화상데이타 검사방법 및 장치
US20060290930A1 (en) Method and apparatus for inspecting pattern defects
US6965687B2 (en) Size checking method and apparatus
JP3732794B2 (ja) 寸法検査方法及びその装置並びにマスクの製造方法
JPH10340347A (ja) パターン検査方法及びその装置並びに半導体ウエハの製造方法
JP2002198406A (ja) 外観検査方法
JP2000003444A (ja) パターンマッチング方法
JPH03270249A (ja) 外観検査用基準パターンの作成方法
Inoue et al. Image sensing method and defect detection algorithm for a 256-Mbit and 1-Gbit DRAM mask inspection system
JP2006133025A (ja) チップ検査装置及びチップ検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040129

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040210

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040213

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080220

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090220

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090220

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100220

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100220

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110220

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees