JP2010520622A - ウェーハ上に形成されたアレイ領域のための検査領域のエッジを正確に識別する方法、及び、ウェーハ上に形成されたアレイ領域に検知された欠陥をビニングする方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウェーハ上に形成されたアレイ領域のための検査領域のエッジを識別する方法、及び/或いは、アレイ領域内で検知された欠陥をビニングする方法が提供される。ウェーハ上に形成されたアレイ領域のための検査領域のエッジを識別する一方法は、差分画像の値を、アレイ領域の内側にあることが知られている位置からアレイ領域の外側にあることが知られている位置までの位置の函数として決定することを含む。この方法は、亦、さらにアレイ領域の内側に最も近接し、検査領域のエッジの位置としてのしきい値より大きな値を持つ、位置を識別することを含む。
【選択図】図6
Description
Claims (21)
- ウェーハ上に形成されたアレイ領域のための検査領域のエッジを識別する、コンピュータ実行方法であって、
該アレイ領域の内側にあることが知られている位置からアレイ領域の外側にあることが知られている位置への位置の函数として差分画像の値を決定することと、
前記アレイ領域の内側に最も近接し、該記検査領域のエッジの位置としてのしきい値より大きな値を有する位置を識別することと
を含む方法。 - 前記識別が当初検査領域をx方向に拡大することを含む、請求項1の方法。
- 前記エッジが検査領域の左側のエッジであり、前記方法がさらに前記決定及び前記識別を行い、前記検査領域の右側のエッジを識別することを含む、請求項1の方法。
- 前記識別が当初検査領域をx方向に拡大し、前記方法がさらに該当初検査領域をy方向に拡大することを含む、請求項1の方法。
- 前記アレイ領域の内側にあることが知られている差分画像の値の平均から前記しきい値を決定することをさらに含む、請求項1の方法
- 前記方法の工程はすべて、ウェーハ検査のランタイム中に行なわれる、請求項1の方法。
- 前記検査領域で各セル間の比較を行なうことにより、前記アレイ領域内の欠陥を検知することをさらに含む、請求項1の方法
- ウェーハ上の複数のアレイ領域のための前記方法を、個々のアレイ領域別に行なうことをさらに含む、請求項1の方法
- ウェーハ上に形成されたアレイ領域のための検査領域のエッジを識別する、コンピュータ実行方法であって、
該アレイ領域の内側にあることが知られている位置から該アレイ領域の外側にあることが知られている位置までの位置の函数として差分画像の値を決定することと、
繰り返しパターンが各々の位置で形成されているかどうか決定することと、
前記アレイ領域の内側に最も近接し、しきい値より大きな値を有する前記位置であって、繰り返しパターンが該検査領域の該エッジの位置として形成される位置を識別することと、
を含む方法。 - 前記識別が当初の検査領域をy方向に拡大することを含む、請求項9の方法。
- 前記エッジが前記検査領域の上端のエッジであり、前記方法がさらに該値の前記決定を行うことと、該繰り返しパターンが各々の位置で形成されるかどうかの前記決定をすることと、前記検査領域の下端のエッジを識別するための前記識別を含む、請求項9の方法。
- 前記識別が当初の検査領域をy方向に拡大することを含み、前記方法が当初の検査領域をx方向に拡大することをさらに含む、請求項9の方法。
- 該繰り返しパターンが各々の位置で形成されるかどうかの前記決定が
パターン認識技術を使用して行なわれる、請求項9の方法 - 該繰り返しパターンが各々の位置で形成されるかどうかの前記決定がテンプレート・マッチング技術を使用して行なわれる、請求項9の方法
- 前記アレイ領域の内側にあることが知られている差分画像の値の平均から前記しきい値を決定することをさらに含む、請求項9の方法
- 前記方法の工程はすべて、ウェーハ検査のランタイム中に行なわれる、請求項9の方法。
- 前記検査領域で各セル間の比較を行なうことにより、前記アレイ領域内の欠陥を検知することをさらに含む、請求項9の方法
- ウェーは上の複数のアレイ領域のために前記方法を個々のアレイ領域別に行なうことをさらに含む、請求項9の方法
- ウェーハ上に形成されたアレイ領域で検知された欠陥をビニングする、コンピュータ実行方法であって、
該欠陥の位置とアレイ領域のエッジ間の間隔を決定することと、
該欠陥をグループ別に、各々のグループの欠陥間の間隔が少なくとも類似するようにビニングすることと、
を含む方法。 - 前記間隔がx方向及びy方向の間隔を含み、前記ビニングが該欠陥をグループ別に、各々のグループの欠陥についてx方向に決定した間隔が少なくとも類似し、又、各々のグループの欠陥についてy方向に決定した間隔が少なくとも類似するようにビニングすることを含む請求項19の方法。
- 各々のグループがヌイサンス欠陥だけ或いは注目欠陥だけを含むべく、前記ビニングが、前記欠陥をグループ別にビニングすることを含むように、各々のグループに関連する間隔を選択することを、さらに含む、請求項19の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/680,152 | 2007-02-28 | ||
US11/680,152 US7894659B2 (en) | 2007-02-28 | 2007-02-28 | Methods for accurate identification of an edge of a care area for an array area formed on a wafer and methods for binning defects detected in an array area formed on a wafer |
PCT/US2008/055232 WO2008106577A1 (en) | 2007-02-28 | 2008-02-28 | Methods for accurate identification of an edge of a care area for an array area formed on a wafer and methods for binning defects detected in an array area formed on a wafer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010520622A true JP2010520622A (ja) | 2010-06-10 |
JP5624326B2 JP5624326B2 (ja) | 2014-11-12 |
Family
ID=39473980
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009551841A Active JP5624326B2 (ja) | 2007-02-28 | 2008-02-28 | ウェーハ上に形成されたアレイ領域のための検査領域のエッジを正確に識別する方法、及び、ウェーハ上に形成されたアレイ領域に検知された欠陥をビニングする方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7894659B2 (ja) |
JP (1) | JP5624326B2 (ja) |
IL (1) | IL200534A (ja) |
WO (1) | WO2008106577A1 (ja) |
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JP5624326B2 (ja) | 2014-11-12 |
US20110142327A1 (en) | 2011-06-16 |
WO2008106577A1 (en) | 2008-09-04 |
IL200534A (en) | 2015-02-26 |
US20080205745A1 (en) | 2008-08-28 |
US7894659B2 (en) | 2011-02-22 |
IL200534A0 (en) | 2010-04-29 |
US8213705B2 (en) | 2012-07-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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