JPH03270249A - 外観検査用基準パターンの作成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、パターン検査技術に関し、特に、半導体集積
回路装置のパターン検査技術に適用して有効な技術に関
するものである。

〔従来の技術〕

例えば半導体集積回路装置に形成された所定パターンの
外観を検査するパターン検査技術については、「キャビ
　アズ　ザ　ファウンディションフォー　クォリティ　
アシュアランス　インブイエルニスアイ　ファプリケイ
ジョン（ＣＡＤ　ＡＳＴＨＥ　　ＦＯ［ＩＮＤＡＴＩＯ
Ｎ　　ＦＯＲＱＵＡＬＩＴＹ　　ＡＳＳＬＩＲＡＮＣＥ
　　ＩＮ　　ＶＬＳＩ　　ＦＡＢＬＩＣＡＴＩＯＮ）Ｊ
　　　（Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　　ｏｎ　　Ｍｉｃｒｏ
ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｉｎｔｅｒｎ
ａｔｉｏｎａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ　ｆｏｒ　Ｏｐｔｉｃ
ａｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ、Ｍａｒｃｈ　１９８４）
に記載がある。

従来のパターン検査方法は、上記文献に記載されている
ように、例えば半導体ウェハ上に形成されたパターンの
外観検査に先だって、半導体集積回路装置を構築するた
めに用いたＣＡＤデータに基づいて半導体集積回路装置
の全領域の検査用データを自動的に作成した後、その検
査用データを参照しながらパターンを画像処理してその
外観を検査していた。

ところで、半導体ウェハに形成された各半導体チップの
パターン外観検査方法には、例えば検査精度を向上させ
る観点から２チツプ比較検査と２セル比較検査とを組み
合わせて行う場合がある。

２チツプ比較検査は、異なる半導体チップ内のパターン
同士を比較する検査方法であり、２セル比較検査は、各
半導体チップ内の所定領域内において隣接するパターン
同士を比較する検査方法である。例えばメモリセルアレ
イのように同一形状のパターンが繰り返し配置された領
域（以下、繰り返し領域という）においては、２セル比
較検査によってパターンの外観を検査する場合がある。

これは、繰り返し領域内における隣接パターン同士はパ
ターンが酷似しているので、２チツプ比較検査よりも検
査＠度を良好にすることができるからである。このため
、このようなパターン検査に際しては、半導体チップ内
における繰り返し領域の位置座標や繰り返し領域内のパ
ターンピッチ等の検査用データが必要となる。すなわち
、このようなパターン検査には、繰り返し領域の検査用
データを必要とする。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、上記従来の技術においては、以下の問題があ
ることを本発明者は見い出した。

すなわち、従来は、パターン検査用データの作戒に際し
て所定領域の検査用データのみを作成することについて
充分な配慮がされておらず、例えば繰り返し領域のみの
検査用データを作成する場合には、ＣＡＤデータに基づ
いて作成された半導体集積回路装置の全領域の膨大な検
査用データの中から繰り返し領域のデータを探し出さね
ばならず、その作成に多大な時間と労力とを要する問題
があった。

また、ＣＡＤデータから検査用データを作成するプログ
ラムに、所定領域のみの検査用データを抽出するための
プログラムを組み込むことも考えられるが、ＣＡＤシス
テムは、各社異なるので、例えば他社のＣＡＤシステム
にデータ抽出用プログラムを組み込むことは不可能であ
る問題があった。

本発明は上記ｉ＊ｇに着目してなされたものであり、そ
の目的は、被検査物上に形成されたパターンの検査時間
を大幅に短縮することのできる技術を提供することにあ
る。

本発明の他の目的は、上記パターンの検査の作業効率を
大幅に向上させることのできる技術を提供することにあ
る。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、明
細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

すなわち、請求項１記載の発明は、被検査物の被検査領
域に形成されたパターンの外観検査に先立ち、前記被検
査領域に配置された繰り返し領域のパターン検査用デー
タを作成するパターン検査用データ作成方法であって、
前記被検査領域における複数箇所の任意の検出点の画像
を取り込み、前記検出点毎に検出点内におけるパターン
の周期性を調査して周期性を有する検出点を繰り返し領
域内点と判定し、前記繰り返し領域内点のパターンピッ
チをパターンの繰り返しピッチとして自動的に抽出する
とともに、前記繰り返し領域内点の中から代表点を設定
し、その代表点を通過して二次元方向に延びる線上にお
けるパターンの周期性を調査することにより、前記繰り
返し領域全体の位置座標を自動的に抽出するパターン検
査用データ作成方法である。

〔作用〕

上記した発明によれば、被検査物自体から繰り返し領域
の検査用データのみを自動的に抽出するので、繰り返し
領域のみの検査用データの作成に際して、例えばＣＡＤ
データのようなパターン設計データを調査する必要もな
いし、繰り返し領域のみの検査用データを抽出するため
のデータ抽出用プログラムを作成する必要もない。

〔実施例１〕 第１図は本発明の一実施例であるパターン検査装置の構
成図、第２図は被検査物の繰り返し領域を示す要部平面
図、第３図は第２図に示した繰り返し領域内のパターン
を示す拡大部分平面図、第４図（ａ）、Ｃｂ）は繰り返
し領域の検査用データを自動抽出する工程を示す被検査
物の要部平面図、第５図（ａ）、（ｂ）はパターンの繰
り返しピッチの自動抽出を説明する説明図、第６図（ａ
）〜（ｇ）は繰り返し領域全体の位置座標の自動抽出を
説明する説明図である。

第１図に本実施例１のパターン検査装置１を示す。

基台２上には、互いに直°交する方向に移動可能なＸＹ
ステージ３ａ、３ｂが設置されている。Ｙステージ３ｂ
上には、載置台４が設置されており、載置台４上には、
半導体ウェハ（被検査物）５が、その主面を上に向けた
状態で保持されている。

半導体ウェハ５には、例えば第２図に示すような半導体
チップ（被検査領域）６が複数恩威されている。各半導
体チップ６には、例えば二個のメモリセルアレイ　（繰
り返し領域＞６ａ、、６ａ２が配置されている。第２図
の座標（Ｘ　Ｓ、、　Ｙ　Ｓ、）、（ＸＳ、、ＹＢ２）
、（ＸＥ、、ＹＳ、）、（ＸＥ、、ＹＢ２）等は、メモ
リセルアレイＳａ＋　の位置座標（検査用データ）を示
し、座標（ＸＳ、　ＹＳＩ）、（ＸＳ、、ＹＢ２）、（
ＸＥ２．ＹＳｌ）、（ＸＥ２．ｙＥ、）等は、メモリセ
ルアレイ６ａ２の位置座標（検査用データ）を示してい
る。

メモリセルアレイ６　ａｌ＋　６　ａ２　内には、第３
図に示すように、同一形状のパターン６ｂが、第３図の
Ｘ方向に繰り返しピッチ（検査用データ）ＰＸで配置さ
れ、Ｙ方向線り返しピッチ（検査用データ）ＰＹで配置
されている。ただし、波線で囲まれた領域Ａにおけるパ
ターンを上記パターン６ｂの繰り返し基本パターンとす
る。

パターン検査装置ｌの載置台４の上方には、半導体ウェ
ハ５の主面の状態を画像データとして取り込むための光
学系７が配置されている。光学系７は、照明光＃７ａと
、照明光を集光する集光レンズ７ｂと、照明光と半導体
ウェハ５からの反射光とを分離するハーフミラ−７ｃと
、照明光を半導体ウェハ５の主面に投影するとともに、
反射光を拡大する対物レンズ７ｄと、その反射光を受光
して光信号を電気信号に変換する受光部７ｅとを備えて
いる。

受光部７ｅは、例えばＣＣＤ　（Ｃｈａｒｇｅ　Ｃｏｕ
ｐｌｅｄＤｅｖｉｃｅ　）等の撮＠素子によって構成さ
れている。

受光部７ｅで検出された画像信号は、信号処理部８に伝
送されるようになっている。信号処理部８は、伝送され
た画像信号の増幅およびレベル変換（信号補正やＡ／Ｄ
変換前処理等）を行う処理部である。信号処理部８から
出力された画像信号は、アナログ信号を多階調に変換す
るＡ／Ｄ変換部９に伝送されるようになっている。Ａ／
Ｄ変換部９から出力された画像信号は、欠陥検出部１０
、遅延メモリ部１１、ズレ検出部１２および画像メモリ
部１３の各々に伝送されるようになっている。

遅延メモリ部１１から出力された画像信号は、ズレ補正
部１４を介して欠陥検出部１０に伝送されるとともに、
ズレ検出部１２を介してズレ補正部１４に伝送されるよ
うになっている。遅延メモリ部１１は、Ａ／Ｄ変換部９
から出力された画像信号を一時記憶するメモリ部であり
、その出力には、入力よりも繰り返しピッチ分だけ前の
画像信号が出力されるように制御されている。

ズレ検出部１２は、Ａ／Ｄ変換部９から伝送されたパタ
ーンの画像信号と、遅延メモリ部１１から伝送されたパ
ターンの画像信号とを比較、すＩ；わち、互いに隣接す
るパターンの各々の画像信号を比較し、両画像間の相対
的な位置ズレ量を検出する検出部である。

ズレ補正部１４は、ズレ検出部１２の出力信号に応じて
、遅延メモリ部１１から伝送された画像信号を遅延また
は速めるように微調整してズレ補正を行う補正部である
。

欠陥検出部１０は、Ａ／Ｄ変換部９から伝送されたパタ
ーンの画像信号と、ズレ補正部１４から伝送されたパタ
ーンの画像信号とを比較、すなわち、互いに隣接するパ
ターンの各々の画像信号を比較し、差異がある場合には
、それを欠陥候補として出力する検出部である。

画像メモリ部１３は、Ａ／Ｄ変換部９から伝送された箇
像信号を記憶するメモリ部であり、主制御部１５に電気
的に接続されている。

主制＠部１５は、後述する方法により、画像メモリ部１
３内に格納された検出点の画像データからメモリセルア
レイのパターンの繰り返しピッチおよびメモリセルアレ
イの位置座標等の検査用データを自動抽出する制御１部
であり、例えばマイクロコンピュータ・システムによっ
て構成されている。

次に、本実施例１のパターン検査用データ作成方法を第
１図〜第６図により説明する。

まず、第１図に示したパターン検査装置１の載置台４上
に検査対象の半導体ウェハ５を、その主面を上に向けた
状態で保持する。続いて、第４図（ａ）に示すように、
例えば半導体チップ６の対角線上に沿って任意の検出点
り、〜ＤＩＯを指定する。

検出点Ｄ１〜Ｄ１°の指定方法は、自動人力しても良い
し、キーボード（図示せず）等から人手入力しても良い
。そして、各検出点り、〜Ｄ　＋　ｏ毎にその画像を光
学系７により取り込み、その取り込まれた各々の画像信
号を信号処理部８およびＡ／Ｄ変換部９を介して画像メ
モリ部１３に格納する。

主制御部１５は、画像メモ！ＩＢ１３に格納された各検
出点Ｄ１〜Ｄ、。の画像信号毎に、ＸＹ方向におけるパ
ターンの周期性を、例えばフーリエ変換あるいは自己相
関関数等の周期性を求めるために適した数学的手法によ
り調査する。この際、調査された検出点が、メモリセル
アレイ６ａ＋、６ａ２内に存在し、その検出点内のパタ
ーンが第５図（ａ）に示すように周期性を有する場合に
は、例えば調査結果として第５図（ｂ）に示すような繰
り返しピッチＰＸの整数倍の周期で明瞭な極大値を有す
る曲線を得る。

一方、調査された検出点がメモリセルアレイ６”＋＋６
ａ２　内に存在しない場合には、一般に、第５図ら〕に
示した明瞭な極大値を有する曲線は得られない。なお、
Ｙ方向も同様である。

このような調査により、主制御部１５は、各々の検出点
Ｄ＋−Ｄｔｏがメモリセルアレイ６ａ、、６ａ２　内点
か否かを判定する。第４図（ａ）の例では、主制御部１
５は、検出点Ｉ）ａ、　ＤＬ　Ｄ４．　Ｄｌ、　Ｄ？、
　Ｄｌ、Ｄ、の各々のｘＹ力方向、はぼ同一の繰り返し
ピッチｐｘ、ｐｙの周期性を確認し、各点Ｄｉ、　Ｄｓ
、　Ｄａ、　Ｄｓ、　Ｄｖ、　Ｄｓ、　Ｄａ　をメモリ
セルアレイ６ａ＋、６ａ２内点と判定する。そして、主
制御部１５は、メモリセルアレイ６　ａｌ＋　６　ａ２
　内点におけるパターン６ｂのＸＹ力方向各ピッチをパ
ターン６ｂの繰り返しピッチｐｘ、ｐｙとして自動的に
抽出する。

次に、主制御部１５は、メモリセルアレイ６ａｒ、　６
　ａｚ　内の検出点Ｄ２．　Ｄ３．　Ｄ−、ＤＬ　Ｉｈ
、　Ｄｉ、　Ｄの中から一点を代表点として設定する。

本実施例１においては、例えば第４図（ｂ）に示すよう
に、検出点り、を代表点とする。

続いて、主制御部１５は、その代表点を通過してｘＹ力
方向延びるＸ−Ｘ線上、Ｙ−Ｙ線上におけるパターンの
画像をその各々の線上に沿って順次入力し、その周期性
を調査する。この結果、主制御部１５は、メモリセルア
レイ６ａ＋　全体の位置座標（ＸＳ１．ＹＳｌ）、（Ｘ
Ｓ、、ＹＥ、）、（ＸＥｌ、ＹＳ、）、（ＸＥ、、ＹＥ
、）およびメモリセルアレイ６ａ２全体の位置座標（Ｘ
　Ｓｌ、　Ｙ　Ｓｌ）、（ＸＳ、、ＹＥ、）、（Ｘ　Ｅ
２．　Ｙ　Ｓｔ）、（ＸＥ２．ＹＥ、）を自動的に抽出
する。

メモリセルアレイ６　ａｉ　６　ａ２全体の位置座標を
自動的に抽出するには、例えば第６図（ａ）〜（鎖のよ
うにする。なお、ここでは、説明を簡単にするため、Ｘ
方向の座標を抽出する方法を説明するが、Ｙ方向の座標
も同様にして抽出することができる。

第６図（ａ）は第４図（ｂ）に示したＸ−Ｘ線上におけ
る元の画像信号の一部を示し、第６図（ｂ）はその画像
信号を繰り返しピッチＰＸ分だけ遅らせた画像信号であ
る。なお、Ｂは非繰り返し領域、Ｃはメモリセルアレイ
６　ａｌ＋　６　ａｉ　の領域を示す。

まず、第６図（ａ）、（ｂ）に示した両画像信号の差を
とり、第６図（Ｃ）に示すような信号波形を得る。

続いて、その差分値の晩対値が一定以上となる領域を求
め、第６図（ωに示すような矩形状の二値デジタル信号
を得る。

ここで、第６図（６）では、同図（ａ）で示した非繰り
返し領域Ｂが正確に求められていないので、第６図（イ
）に示した二値デジタル信号を拡大し、分割されていた
信号領域を第６１！１（ｅ）に示すように結合する。そ
の後、拡大量と同じ量だけ信号領域を縮小し、第６図（
ｆ）に示す信号を得る。さらに、第６図（ｆ）の信号で
は、非繰り返し領域Ｂが実際よりも繰り返しピッチＰＸ
分だけ広くなっているので、その信号領域を繰り返しピ
ッチＰＸ分だけ狭めて第６図（□に示す信号を得る。こ
の結果、メモリセルアレイ６ａ＋、６ａａ　の領域Ｃと
非繰り返し領域Ｂとの弁別を行うことができ、メモリセ
ルアレイ６ａｌ＋６ａ２　のＸ方向の座標を求めること
ができる。

パターン検査装置ｌは、このようにして得られたメモリ
セルアレイ６ａｌ＋６８２　の検査用データに基づいて
、例えば半導体チップ６に形成されたメモリセルアレイ
６　ａｌ＋　６　ａ２　内の互いに隣接するパターン６
ｂ、６ｂを比較してパターンの外観を検査する。

このように本実施例１によれば、パターン検査に先だっ
て、半導体ウェハ５自体からメモリセルアレイ６ａＩ、
６ａ２　の検査用データを自動的に抽出することにより
、メモリセルアレイ６ａ＋、６ａ２のみの検査用データ
の作成に際して、例えばＣＡＤデータのようなパターン
設計データを調査する必要もないし、メモリセルアレイ
６　ａｌ＋　６３２のみの検査用データを抽出するため
のデータ抽出用プログラムを作成する必要もないので、
パターン検査時間を大幅に短縮することができ、かつパ
ターン検査の作業効率を大幅に向上させることが可能と
なる。この結果、半導体集積回路装置の開発期間を大幅
に短縮することが可能となる。

〔実施例２〕 ところで、前記実施例１においては、メモリセルアレイ
内点の座標を自動的に探索した場合について説明したが
、例えばメモリセルアレイ内点の座標が求まっている場
合には、以下のようにしても良い。

すなわち、まず、メモリセルアレイ内点の座標をキーボ
ード（図示せず）等から人手入力し、その画像を第１図
に示したパターン検査装置１の光学系７により取り込む
。そして、取り込まれた画像信号を信号処理部８および
Ａ／Ｄ変換部９を介して画像メモリ部１３に格納する。

王制＠部１５は、画像メモリ部１３内に格納されたメモ
リセルアレイ内点の画像データからパターンの繰り返し
ピッチＰＸ、ＰＹを自動的に抽出する。また、主制御部
１５は、メモリセルアレイ内点を通過しでＸＹ力方向延
びる線上におけるパターンの周期性を調査することによ
り、メモリセルアレイ６ａ１゜６ａ２全体の位置座標を
自動的に抽出する。

したがって、本実施例２によっても前記実施例１と同様
の効果を得ることが可能と？よる。

〔実施例３〕 ところで、前記実施例１．２においては、メモリセルア
レイ６　ａ＋、　６　ａ２全体の位置座標を自動的に抽
出した場合について説明したが、例えばメモリセルアレ
イ６ａ１．６ａ２全体の位置座標が求まっている場合に
は、以下のようにしても良い。

すなわち、まず、メモリセルアレイ６　ａ、、　６　ａ
の位置座標をキーボード（図示せず）等から人手人力し
、その座標点の画像を第１図に示したパターン検査装置
ｌの光学系７により取り込む。そして、取り込まれた画
像データを信号処理部８およびＡ／Ｄ変換部９を介して
画像メモリ部１３に格納する。主制御部１５は、画像メ
モリ部１３内に格納された画像データからパターンの繰
り返しピッチＰＸ、ＰＹを自動的に抽出する。

したがって、本実施例３によっても前記実施例１と同様
の効果を得ることが可能となる。

〔実施例４〕 また、メモリセルアレイの検査用データを自動抽出する
方法として、以下のようにしても良い。

すなわち、まず、基準となるメモリセルアレイが形成さ
れた半導体ウェハ（叔下、基準ウェハという）を第１図
に示したパターン検査装置ｔｌの載置台４上に保持し、
光学系７により基準となるメモリセルアレイ　（図示せ
ず）の全体画像を取り込み、その画像データを基準画像
データとして画像メモリ部１３の所定エリヤに格納する
。

次に、基準ウェハに代えて、検査対象の半導体ウェハを
載置台４に保持した後、例えば光学系７により半導体チ
ップ６の全体面像を取り込み、その画像データを画像メ
モリ部１３の所定エリヤに格納する。主制御部１５は、
その半導体チップ６の全体画像データから基準画像と同
一画像となる領域を自動的に探し出し、探し出された領
域の画像データから繰り返しピッチや繰り返し領域の位
置座標等の検査用データを自動的に抽出する。

したがって、本実施例４によっても前記実施例１と同様
の効果を得ることが可能となる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明（ま前記実施例１〜４に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種
々変更可能であることはいうまでもない。

例えば、前記実施例１〜４においては、繰り返し領域を
メモリセルアレイとした場合について説明したが、これ
に限定されるものではなく種々変更可能であり、例えば
繰り返し領域をＣＣＤ等の撮像素子アレイとしても良い
。

また、前記実施例１〜４においては、説明を簡単にする
ため、メモリセルアレイを二個とした場合について説明
したが、これに限定されるものではなく種々変更可能で
ある。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体集積回路装置
のパターン検査技術に適用した場合について説明したが
、これに限定されず種々適用可能であり、例えばマスク
やレチクル等の他の製品のパターン検査技術に適用する
ことも可能である。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。

すなわち、本発明によれば、被検査物自体から繰り返し
領域の検査用データを自動的に作成することにより、繰
り返し領域のみの検査用データの作成に際して、例えば
ＣＡＤデータのようなパターン設計データを調査する必
要もないし、繰り返し領域のみの検査用データを抽出す
るためのデータ抽出用プログラムを作成する必要もない
ので、パターン検査時間を大幅に短縮することができ、
かつパターン検査の作業効率を大幅に向上させることが
可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるパターン検査装置の構
成図、 第２Ｔ！！：Ｊは被検査物の繰り返し領域を示す要部平
面図、 第３図は第２図に示した繰り返し領域内のパターンを示
す拡大部分平面図、 第４図（ａ）、　（ｂ）は繰り返し領域の検査用データ
を自動抽出する工程を示す被検査物の要部平面図、ｇＪ
５１！１（ａ）、　（ｂ）はパターンの繰り返しピッチ
の自動抽出を説明する説明図、 ｊ！６図（ａ）〜（印は繰り返し領域全体の位置座標の
自動抽出を説明する説明図である。 １・・・パターン検査装置、２・・・基台、３ａ・・・
Ｘステージ、３ｂ・・・Ｙステージ、４・・・載置台、
５・・・半導体ウェハ（被検査物）、６・・・半導体チ
ップ（被検査領域〉、６ａｔ＋６ａｉ　　・・・メモリ
セルアレイ　（繰り返し領域）、６ｂ・・・パターン、
７・・・光学系、７ａ・・・照明光源、７ｂ・・・集光
レンズ、７ｃ・・・ハーフミラ−７ｄ・・・対物レンズ
、７ｅ・・・受光部、８・・・信号処理部、９・・・Ａ
／Ｄ変換部、１０・・・欠陥検出部、１１・・・遅延メ
モリ部、１２・・・ズレ検出部、１３・・・画像メモリ
部、１４・・・ズレ補正部、１５・・・主制御部、Ａ、
Ｂ・・・領域、Ｃ・・・非繰り返し領域、Ｄ、〜ＤＩＧ
・・・検出点、ＰＸ、ＰＹ・・・繰り返しピッチ。 第２図 ６ａ、、６ａ２：メモリセルアレイ（繰り返し領ｖｔ）
第３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、被検査物の被検査領域に形成されたパターンの外観
   検査に先立ち、前記被検査領域に配置された繰り返し領
   域のパターン検査用データを作成するパターン検査用デ
   ータ作成方法であって、前記被検査領域における複数箇
   所の任意の検出点の画像を取り込み、前記検出点毎に検
   出点内におけるパターンの周期性を調査して周期性を有
   する検出点を繰り返し領域内点と判定し、前記繰り返し
   領域内点のパターンピッチをパターンの繰り返しピッチ
   として自動的に抽出するとともに、前記繰り返し領域内
   点の中から代表点を設定し、その代表点を通過して二次
   元方向に延びる線上におけるパターンの周期性を調査す
   ることにより、前記繰り返し領域全体の位置座標を自動
   的に抽出することを特徴とするパターン検査用データ作
   成方法。 ２、被検査物の被検査領域に形成されたパターンの外観
   検査に先立ち、前記被検査領域に配置された繰り返し領
   域のパターン検査用データを作成するパターン検査用デ
   ータ作成方法であって、前記繰り返し領域に位置する座
   標点が求まっている場合には、始めからその座標点の画
   像を取り込み、その座標点内におけるパターンピッチを
   パターンの繰り返しピッチとして自動的に抽出するとと
   もに、その座標点を通過して二次元方向に延びる線上に
   おけるパターンの周期性を調査することにより、前記繰
   り返し領域全体の位置座標を自動的に抽出することを特
   徴とするパターン検査用データ作成方法。 ３、被検査物の被検査領域に形成されたパターンの外観
   検査に先立ち、前記被検査領域に配置された繰り返し領
   域のパターン検査用データを作成するパターン検査用デ
   ータ作成方法であって、前記繰り返し領域全体の位置座
   標が求まっている場合には、その座標点における画像を
   取り込み、その座標点内におけるパターンピッチをパタ
   ーンの繰り返しピッチとして自動的に抽出することを特
   徴とするパターン検査用データ作成方法。 ４、被検査物の被検査領域に形成されたパターンの外観
   検査に先立ち、前記被検査領域に配置された繰り返し領
   域のパターン検査用データを作成するパターン検査用デ
   ータ作成方法であって、予め基準となる繰り返し領域の
   画像を基準画像データとして記憶しておき、その基準画
   像データと同一画像となる領域を前記被検査領域から探
   し出し、探し出された領域の画像データからパターンの
   繰り返しピッチおよび繰り返し領域全体の位置座標を自
   動的に抽出することを特徴とするパターン検査用データ
   作成方法。 ５、被検査物の被検査領域に配置された繰り返し領域の
   パターン検査用データを参照しながら前記被検査領域に
   形成されたパターンの外観を検査するパターン検査装置
   であって、前記被検査領域における任意の検出点の画像
   を取り込む光学系と、前記光学系によって取り込まれた
   画像データを記憶する画像メモリ部と、前記画像メモリ
   部に記憶された画像データから検出点内のパターンの周
   期性を調査して周期性を有する検出点を繰り返し領域内
   点と判定し、前記繰り返し領域内点のパターンピッチを
   パターンの繰り返しピッチとして自動的に抽出するとと
   もに、前記繰り返し領域内点から代表点を設定し、その
   代表点を通過して二次元方向に延びる線上におけるパタ
   ーンの周期性を調査して前記繰り返し領域全体の位置座
   標を自動的に抽出する主制御部とを備えるパターン検査
   装置。