JPH04316346A - パターン認識方法 - Google Patents

パターン認識方法

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JPH04316346A
JPH04316346A JP8377691A JP8377691A JPH04316346A JP H04316346 A JPH04316346 A JP H04316346A JP 8377691 A JP8377691 A JP 8377691A JP 8377691 A JP8377691 A JP 8377691A JP H04316346 A JPH04316346 A JP H04316346A
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JP
Japan
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pattern
image
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defect
patterns
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Pending
Application number
JP8377691A
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English (en)
Inventor
Takashi Hiroi
高志 広井
Hitoshi Kubota
仁志 窪田
Shunji Maeda
俊二 前田
Hiroshi Makihira
牧平 坦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPH04316346A publication Critical patent/JPH04316346A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、LSIウエハやTFT
などのパターンを比較して欠陥を認識する方法に係り、
特に、高精度なパターン認識方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のパターン認識方法は、特公昭62
−39811号公報に記載のように、対象のパターンを
検出し、検出したパターンを記憶しておき、一つ前に記
憶しておいたパターンと検出したパターンとを画素単位
に位置合わせし、位置合わせした二つのパターンの誤差
を抽出・比較することにより、パターンの欠陥を認識す
るようになっていた。
【0003】この認識対象は図2の(a),(b),(
c)に例示するようなメモリ用LSIなどの半導体ウエ
ハのパターンや、TFT(Thin Film Tra
nsister)のパターンや、プリント配線板のパタ
ーンや、セラミック基板のパターンや、それらを製造す
る工程で用いるマスクやレチクルなどのパターンなどで
ある。ここでは一例として半導体ウエハのパターンにつ
いて説明するが、他のパターンに対しても同じ事が成り
立つ。半導体ウエハのパターンは最終的に切り離されて
個別製品となるチップが数十個一枚のウエハに載ってお
り、それらは互いに同じパターンを持っている。また、
メモリセル繰り返し部ではメモリセルが繰り返してパタ
ーニングされており、それらは互いに同じパターンを持
っている。このようなパターンの欠陥を認識する原理を
図2の(a)〜(c)を用いて説明する。
【0004】図2の(a)〜(c)は従来の一般的なパ
ターン比較方法の原理説明図で、図2の(a)は記憶パ
ターン、図2の(b)は検出パターン、図2の(c)は
パターン差である。各チップが全く同一のパターンを持
っていることに着目し、図2の(a)のパターンを検出
して記憶しておき、図2の(b)のそれと同一であるは
ずの別のパターンを次に検出して、二つのパターンを画
素単位に位置合わせし、図2の(c)の位置合わせした
二つのパターンの誤差を抽出して比較する。いずれのパ
ターンにも欠陥が存在しない場合にはパターンの差はほ
とんどないが、いずれかのパターン、例えば、図2の(
b)の検出パターンに欠陥が存在する場合には、図2の
(c)のように欠陥部分でパターンに差があるため、パ
ターンの比較により誤差を生じる場所を検出することで
パターン欠陥を認識することができる。なお、ここで比
較して差があればいずれかのパターンに欠陥があると言
えるが、いずれのパターンに欠陥があるかを判別するこ
とはできない。これを判別する手段には種々の方法があ
るが、本発明に係わる技術とは直接関係が無いのでここ
では特に説明しない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は画像検
出時に電気回路ノイズ、検出サンプリング誤差、ステー
ジ精度や剛性不足に起因する画像パターン誤差、自動焦
点合わせ誤差などの各種誤差が混入する。これら誤差の
ため検出性能は劣化する。特に微細な欠陥を検出する場
合には、欠陥による検出信号の差と各種誤差による検出
信号の差は同程度となり、欠陥の検出は困難となる。こ
のことを図3の(a)〜(c)により説明する。
【0006】図3の(a)〜(c)は図2の(a)〜(
c)のパターンの波形例図で、図3の(a)は図2の(
a)の記憶パターンの検出信号波形、図3の(b)は図
2の(b)の検出パターンの検出信号波形、図3の(c
)は図2の(b)の検出パターンの各種誤差の無い場合
の検出信号波形、図3の(d)は図3の(a)と図3の
(b)の差信号波形で各種誤差のある場合、図3の(e
)は図3の(a)と図3の(c)の差信号波形で各種誤
差の無い場合を示している。比較する検出画像パターン
に各種誤差が無い場合は図3の(e)のように欠陥部差
信号は正常部差信号より十分大きく欠陥の認識は容易で
あるが、検出画像パターンに各種誤差がある場合は図3
の(d)のように欠陥部差信号は正常部差信号と同程度
となり欠陥の認識は困難となる。認識する欠陥サイズが
十分大きい場合は差の大きい場所の面積の違いを利用し
て各種誤差と欠陥を識別できるが、小さい場合は欠陥に
より生じる差の大きい場所の面積は各種誤差によるそれ
と同程度となり欠陥の識別は困難となる。
【0007】本発明の目的は、各種誤差の混入しにくい
構成でパターンを検出することにより各種誤差の影響を
軽減し、より高精度なパターン認識方法を提供すること
である。とくに、ステージ精度不足や自動焦点合わせ誤
差など検出するタイミングの違いによって引き起こされ
る誤差を対策する。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のパターン認識方法は同時に検出したパター
ン同士を比較するようにしたものである。このことを図
4のブロック図で説明する。パターンの画像を検出し、
検出した画像をメモリセルなどの繰り返し周期分だけず
らし、検出した画像とずらした画像を比較してパターン
の欠陥を認識する。この時、パターンの検出に使用する
センサがTVカメラなどの二次元センサの場合はずらす
方向は図5の(a)に示すようにXYいずれの方向でも
同時に検出したパターンと比較することになる。一方、
パターンの検出を一次元イメージセンサを走査しながら
行う場合は、ずらす方向はセンサの画素の並びの方向に
限定される。いずれの場合も実線で囲った一度に検出し
た部分とそれをずらした破線で囲った部分とを比較する
。 実線と破線の共通部分で比較することになるが、それら
は同時に検出したパターン同士を比較する事になる。
【0009】
【作用】上記パターン認識方法を用いた場合、同時に検
出した画像同士を比較するため、ステージの精度やステ
ージとパターン検出光学系の剛性不足等の機械系に起因
する検出パターンの誤差が含まれない。また、照明に用
いている光源には輝度変動があるが、これも同時に検出
した画像同士の場合は無視できる。さらに、光学系には
一定な焦点深度があり、パターン認識装置には自動焦点
合わせ機構が必要になるが、同時に検出したパターン同
士の場合には自動焦点合わせ誤差は生じない。このよう
な誤差の含まれない画像の比較となり、より高精度なパ
ターン認識ができる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の第一の実施例を図1により説
明する。図1はLSIウエハのパターン欠陥を検出する
パターン認識装置のブロック図である。本パターン認識
装置はウエハ1を走査するXYステージ2とウエハを照
明する光源3と照明光学系4と照明されたウエハの光学
像を検出する対物レンズ5と一次元イメージセンサ6と
一次元イメージセンサ6の信号をデジタル化するための
A/D変換器7よりなる検出部、及び入力された検出画
像8と画像シフト部9で検出画像8を対象物の繰返しピ
ッチの整数倍相当だけずらして作ったシフト画像10を
比較して欠陥を判定する欠陥判定部11よりなる画像処
理部、及び全体の管理や画像処理部よりの欠陥信号の保
存をする全体管理部12よりなる。
【0011】この構成によりパターン欠陥を検出する動
作を次に説明する。まず全体制御部12よりの指令で各
部のイニシャライズ後に、XYステージ2の走査に同期
して、光源3と照明光学系4で照明されたウエハ1のパ
ターンを対物レンズ5を介して一次元イメージセンサ6
で光電変換することにより一次元イメージセンサの画素
数分の一次元のパターンを検出し、A/D変換器7でデ
ジタル化した一次元の検出画像8とし、画像シフト部9
で一定の画素数だけずらしたシフト画像10を生成し、
欠陥判定部11で検出画像8とシフト画像10の差をと
って差がある部分を欠陥と判定する。この方式を用いる
ことにより検出画像8とシフト画像10は同一のタイミ
ングで検出したパターンとなり、タイミングが違うこと
により発生する誤差、例えば、ステージ精度不足により
生じるパターンの歪み、パターン検出光学系の剛性不足
に起因する検出パターンの誤差、照明の光源3の輝度変
動などは検出画像8とシフト画像10を比較して欠陥を
判定する限りは無視できる。
【0012】本発明によると一次元イメージセンサを用
いており、XYステージを連続送りできるため高速に検
査でき、しかもXYステージの連続送り誤差に伴うパタ
ーン誤差の影響を受けない。また、従来技術で説明した
ようなパターンを記憶しておく必要がなく、欠陥判定部
11での処理は一次元でセンサの画素数単位の処理とな
り小規模な構成となる特徴がある。
【0013】次に、本発明の第二の実施例を図6により
説明する。図6はLSIウエハのパターン欠陥を検出す
るパターン認識装置の構成図である。本パターン認識装
置はウエハ1を走査するXYステージ2とウエハを照明
する光源3と照明光学系4と照明されたウエハの光学像
を検出する対物レンズ5と一次元イメージセンサ6と一
次元イメージセンサ6の信号をデジタル化するためのA
/D変換器7よりなる検出部、及び入力された検出画像
8を一次元イメージセンサの画素の並び方向に対象物の
繰り返しピッチ分だけずらしたシフト画像10を作る画
像シフト部9、検出画像8とシフト画像10を位置合わ
せする画像位置合わせ部13と画像位置合わせ部13よ
りの位置合わせされた検出画像とシフト画像10とを比
較して欠陥を判定する欠陥判定部14よりなる画像処理
部、及び全体の管理や画像処理部よりの欠陥信号の保存
をする全体管理部12よりなる。
【0014】この構成によりパターン欠陥を検出する動
作を次に説明する。まず、全体制御部12よりの指令で
各部のイニシャライズ後に、XYステージ2の走査に同
期して、光源3と照明光学系4で照明されたウエハ1の
パターンを対物レンズ5を介して一次元イメージセンサ
6で光電変換することにより一次元イメージセンサの画
素数分の一次元のパターンを検出し、A/D変換器7で
デジタル化した一次元の検出画像8とし、画像シフト部
9で一定の画素数だけずらしたシフト画像10を生成し
、検出画像8とシフト画像10を一次元イメージセンサ
の画素の並び方向に位置合わせする。位置合わせの済ん
だ検出画像とシフト画像を欠陥判定部14で差を取って
欠陥を判定する。この方式を用いることにより検出画像
8とシフト画像10は同一のタイミングで検出したパタ
ーンとなり、第一の実施例と同様にタイミングが違うこ
とにより発生する誤差を無視できる。
【0015】本発明によると一次元イメージセンサを用
いており、XYステージを連続送りできるため高速に検
査でき、しかもXYステージの連続送り誤差に伴うパタ
ーン誤差の影響を受けない。
【0016】次に、本発明の第三の実施例を図7により
説明する。図7はパターンの欠陥を検出するパターン認
識装置の構成図である。本パターン認識装置はウエハ1
を位置決めするXYステージ2とウエハを照明する光源
3と照明光学系4と照明されたウエハの光学像を検出す
る対物レンズ5とTVカメラ15とTVカメラ15の信
号をデジタル化するA/D変換器7よりなる検出部と、
入力された検出画像8と画像シフト部9で検出画像8を
ずらして作ったシフト画像10を比較して欠陥を判定す
る欠陥判定部11よりなる画像処理部と、全体の管理や
画像処理部よりの欠陥信号の保存をする全体管理部12
とよりなる。
【0017】パターン欠陥を検出する動作を次に説明す
る。まず全体制御部12よりの指令で各部のイニシャラ
イズ後に、XYステージ2を検査位置に位置決めして、
光源3と照明光学系4で照明されたウエハ1のパターン
を対物レンズ5を介してTVカメラで光電変換すること
により二次元のパターンを検出し、A/D変換器7でデ
ジタル化した二次元の検出画像8とし、画像シフト部9
で一定の画素数だけずらしたシフト画像10を生成し、
欠陥判定部11で検出画像8とシフト画像10を比較し
て欠陥を判定する。
【0018】本実施例によるとTVカメラを用いており
、XYステージを位置決めすることを繰り返して検査す
るため、全面を一様に検査するのではなく部分的に検査
することができる。
【0019】
【発明の効果】本発明によれば、パターンを異なったタ
イミングで検出することにより発生する各種誤差要因を
含まないパターンの認識ができ、より高精度なパターン
認識ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施例のを示すブロック図。
【図2】従来一般的なパターン比較方式によるパターン
欠陥検出方法の原理図。
【図3】図2のパターン波形図。
【図4】本発明のブロック図。
【図5】比較対象の説明図。
【図6】本発明の第二の実施例を示す装置のブロック図
【図7】本発明の第三の実施例を示す装置のブロック図
【符号の説明】
1…ウエハ 2…XYステージ 3…光源 4…照明光学系 5…対物レンズ 6…一次元イメージセンサ 7…A/D変換器 8…検出画像 9…画像シフト部 10…比較画像 11…欠陥判定部 12…全体制御部 13…画像位置合わせ部 14…欠陥判定部 15…TVカメラ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】同時に検出した画像同士を比較することに
    よりパターン欠陥を認識することを特徴とするパターン
    認識方法。
  2. 【請求項2】対象のパターンを一次元イメージセンサで
    検出し、検出した画像を画像パターンの繰り返し周期の
    整数倍相当の画素数だけ一次元イメージセンサの画素の
    並び方向にずらすことにより検出した画像とずらした画
    像が同時に検出した画像になるようにし、検出した画像
    とずらした画像とを比較し、パターンの欠陥を認識する
    ことを特徴とするパターン認識方法。
JP8377691A 1991-04-16 1991-04-16 パターン認識方法 Pending JPH04316346A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8377691A JPH04316346A (ja) 1991-04-16 1991-04-16 パターン認識方法

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JP8377691A JPH04316346A (ja) 1991-04-16 1991-04-16 パターン認識方法

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JPH04316346A true JPH04316346A (ja) 1992-11-06

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ID=13812016

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JP8377691A Pending JPH04316346A (ja) 1991-04-16 1991-04-16 パターン認識方法

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JP (1) JPH04316346A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004012422A (ja) * 2002-06-11 2004-01-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd パターン検査装置、パターン検査方法およびプログラム
US7266232B2 (en) 2002-06-10 2007-09-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus and method for inspecting pattern
CN100395586C (zh) * 2003-05-09 2008-06-18 奥林巴斯株式会社 缺陷修正装置及其缺陷修正方法
JP2011033391A (ja) * 2009-07-30 2011-02-17 Nec Corp 印刷物検査装置、印刷物検査システム、印刷物検査方法及び印刷物検査プログラム

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7266232B2 (en) 2002-06-10 2007-09-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus and method for inspecting pattern
JP2004012422A (ja) * 2002-06-11 2004-01-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd パターン検査装置、パターン検査方法およびプログラム
CN100395586C (zh) * 2003-05-09 2008-06-18 奥林巴斯株式会社 缺陷修正装置及其缺陷修正方法
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