JP2001013231A - 半導体基板上に形成された磁気センサ - Google Patents
半導体基板上に形成された磁気センサInfo
- Publication number
- JP2001013231A JP2001013231A JP2000140524A JP2000140524A JP2001013231A JP 2001013231 A JP2001013231 A JP 2001013231A JP 2000140524 A JP2000140524 A JP 2000140524A JP 2000140524 A JP2000140524 A JP 2000140524A JP 2001013231 A JP2001013231 A JP 2001013231A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic sensor
- magnetic
- circuit
- sensor according
- core
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/04—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using the flux-gate principle
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Measurement And Recording Of Electrical Phenomena And Electrical Characteristics Of The Living Body (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電流消費が低く、極く弱い外部磁場を検出す
ることができ、また直交する２つの方向に沿って磁場を
検出することができる磁気センサを提供する。 【解決手段】 ＣＭＯＳ技法によって、平行六面体の形
状を有する半導体基板（１）上に作成された平面磁気セ
ンサである。この磁気センサは、励磁コイル（９）の外
側輪郭（９０）によって形成される矩形の２本の対角線
を占めるギリシャ十字の形状をしたアモルファス強磁性
コア（１０）を含む。これにより、直列に、かつ差動配
列で取り付けられた平坦な検出コイル（７０、８０、お
よび７１、８１）を介して、外部磁場（Ｈｅｘｔ）の２
つの直交成分（Ｈ１、Ｈ２）が測定される。
ることができ、また直交する２つの方向に沿って磁場を
検出することができる磁気センサを提供する。 【解決手段】 ＣＭＯＳ技法によって、平行六面体の形
状を有する半導体基板（１）上に作成された平面磁気セ
ンサである。この磁気センサは、励磁コイル（９）の外
側輪郭（９０）によって形成される矩形の２本の対角線
を占めるギリシャ十字の形状をしたアモルファス強磁性
コア（１０）を含む。これにより、直列に、かつ差動配
列で取り付けられた平坦な検出コイル（７０、８０、お
よび７１、８１）を介して、外部磁場（Ｈｅｘｔ）の２
つの直交成分（Ｈ１、Ｈ２）が測定される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に集積回路上に
作成されるほぼ平面の磁気センサに関する。この磁気セ
ンサは、フラックスゲート・タイプであり、通常は、例
えば医療分野などで、きわめて低い値の磁場を平面中で
検出するための磁力計に備え付けるためのものである。
この場合、この磁力計は、このセンサが作成される基板
中に関連する電子回路が一体化された状態で、ＣＭＯＳ
技法を使用して作成されることが好ましい。
作成されるほぼ平面の磁気センサに関する。この磁気セ
ンサは、フラックスゲート・タイプであり、通常は、例
えば医療分野などで、きわめて低い値の磁場を平面中で
検出するための磁力計に備え付けるためのものである。
この場合、この磁力計は、このセンサが作成される基板
中に関連する電子回路が一体化された状態で、ＣＭＯＳ
技法を使用して作成されることが好ましい。
【０００２】
【従来の技術】１９９７年にポーランドの「ＥｕｒｏＳ
ｅｎｓｏｒ ＸＩ」会議において提出された、Ｓｗｉｓ
ｓ Ｆｅｄｅｒａｌ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｔｅ
ｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ Ｌａｕｓａｎｎｅ（Ｓｗｉｔ
ｚｅｒｌａｎｄ）のＬ．Ｃｈｉｅｓｉ、Ｊ．Ａ．Ｆｌａ
ｇａｎａｎ、Ｂ．Ｊａｎｎｏｓｙ、およびＲ．Ｓ．Ｐｏ
ｐｏｎｉｃ各位による出版物「Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ
Ｐｌａｎａｒ Ｆｌｕｘｇａｔｅ Ｓｅｎｓｏｒ Ｗｉ
ｔｈ Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｍｅｔａｌ Ｃｏｒｅ」を
現況技術として引用することができる。
ｅｎｓｏｒ ＸＩ」会議において提出された、Ｓｗｉｓ
ｓ Ｆｅｄｅｒａｌ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｔｅ
ｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ Ｌａｕｓａｎｎｅ（Ｓｗｉｔ
ｚｅｒｌａｎｄ）のＬ．Ｃｈｉｅｓｉ、Ｊ．Ａ．Ｆｌａ
ｇａｎａｎ、Ｂ．Ｊａｎｎｏｓｙ、およびＲ．Ｓ．Ｐｏ
ｐｏｎｉｃ各位による出版物「Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ
Ｐｌａｎａｒ Ｆｌｕｘｇａｔｅ Ｓｅｎｓｏｒ Ｗｉ
ｔｈ Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｍｅｔａｌ Ｃｏｒｅ」を
現況技術として引用することができる。
【０００３】この出版物には、シリコン基板上に一体化
された平面磁気マイクロセンサが記載されており、これ
は従来技術の図として添付した図１に示してある。
された平面磁気マイクロセンサが記載されており、これ
は従来技術の図として添付した図１に示してある。
【０００４】図１から分かるように、この磁気センサ、
すなわち「フラックスゲート」センサは、平行六面体形
のプレートで形成されたシリコンマイクロ基板１、また
は「シリコン・チップ」にＣＭＯＳ集積化技法によって
作成されている。
すなわち「フラックスゲート」センサは、平行六面体形
のプレートで形成されたシリコンマイクロ基板１、また
は「シリコン・チップ」にＣＭＯＳ集積化技法によって
作成されている。
【０００５】このマイクロセンサは、平行六面体基板１
の大きな上面２上に一体化される。この平行六面体基板
は、測定すべき外部磁場Ｈｅｘｔに対して、大きな面２
が実際に外部磁場Ｈｅｘｔと同一平面上となるように位
置決めされる。
の大きな上面２上に一体化される。この平行六面体基板
は、測定すべき外部磁場Ｈｅｘｔに対して、大きな面２
が実際に外部磁場Ｈｅｘｔと同一平面上となるように位
置決めされる。
【０００６】実際の磁気センサは、アモルファス金属材
料の金属テープ、すなわちコア３を含み、テープ３の各
末端にそれぞれ溶接された２本のアルミニウム・ワイヤ
５、６によって伝達される励磁電流がそのテープを通っ
て流れる。この励磁電流は周波数ｆの三角波形の交流で
あり、この交流が同じ周波数の磁場を発生させ、この磁
場は、アモルファス強磁性コア３のテープの曲線Ｂ−Ｈ
（磁束−磁場）の性質が非線形であるので、周期的に強
磁性材料３を飽和させる。
料の金属テープ、すなわちコア３を含み、テープ３の各
末端にそれぞれ溶接された２本のアルミニウム・ワイヤ
５、６によって伝達される励磁電流がそのテープを通っ
て流れる。この励磁電流は周波数ｆの三角波形の交流で
あり、この交流が同じ周波数の磁場を発生させ、この磁
場は、アモルファス強磁性コア３のテープの曲線Ｂ−Ｈ
（磁束−磁場）の性質が非線形であるので、周期的に強
磁性材料３を飽和させる。
【０００７】このセンサは、直列に、かつ対向して、す
なわち差動配列で取り付けられた、２つの同一平面上の
検出コイル７および８を含み、これらはそれぞれアモル
ファス強磁性テープすなわちコア３の一端に配置され、
これにより、そこでそれぞれ各末端の漏れ磁場を測定す
る。
なわち差動配列で取り付けられた、２つの同一平面上の
検出コイル７および８を含み、これらはそれぞれアモル
ファス強磁性テープすなわちコア３の一端に配置され、
これにより、そこでそれぞれ各末端の漏れ磁場を測定す
る。
【０００８】アモルファス強磁性コア３の透磁率が非線
形であるので、各コイル７または８によって検出される
電圧は励磁周波数ｆの調波を含み、そのうちの偶数調波
が測定すべき外部磁場Ｈｅｘｔに比例するので、偶数調
波のみに注目する。したがって、一般に検出は周波数２
ｆについて実行される。
形であるので、各コイル７または８によって検出される
電圧は励磁周波数ｆの調波を含み、そのうちの偶数調波
が測定すべき外部磁場Ｈｅｘｔに比例するので、偶数調
波のみに注目する。したがって、一般に検出は周波数２
ｆについて実行される。
【０００９】この既知のデバイスには、一方で、センサ
の相対位置を変更しなければ、直交する２つの方向に沿
って外部磁場Ｈｅｘｔを測定することができず、またも
う一方で、感度が足りないという欠点がある。さらに、
その出力電圧は、励磁電流の周波数に依存し、その電流
消費も比較的高い。
の相対位置を変更しなければ、直交する２つの方向に沿
って外部磁場Ｈｅｘｔを測定することができず、またも
う一方で、感度が足りないという欠点がある。さらに、
その出力電圧は、励磁電流の周波数に依存し、その電流
消費も比較的高い。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、図１
によるセンサと同様であるが、前述の欠点を有さず、特
にその電流消費が低く、きわめて弱い強度の外部磁場Ｈ
ｅｘｔでも検出することができ、また直交する２つの方
向に沿った磁場を検出することができるという点で、そ
の性能が大幅に改善された磁気センサを提供することで
ある。
によるセンサと同様であるが、前述の欠点を有さず、特
にその電流消費が低く、きわめて弱い強度の外部磁場Ｈ
ｅｘｔでも検出することができ、また直交する２つの方
向に沿った磁場を検出することができるという点で、そ
の性能が大幅に改善された磁気センサを提供することで
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】したがって、本発明は、
半導体基板上に作成されたほぼ平面の磁気センサに関
し、このセンサは、ほぼ平面であり、かつ基板の大きな
平面上に作成された、１つまたは複数の磁気コアと、少
なくとも１つの励磁回路と、やはり基板のこの大きな面
上に作成された少なくとも２つの平面検出コイルで形成
された少なくとも１つの検出回路とを含み、この励磁回
路が、ほぼ矩形の外形を有する単一の平面コイルで形成
されること、およびこの１つまたは複数の磁気コアが、
平面励磁コイルの外側輪郭によって区画される幾何学的
な矩形の２本の対角線に沿ってギリシャ十字形に配列さ
れた細長い（ｌｏｎｇ−ｌｉｍｂｅｄ）コアであること
を特徴とする。
半導体基板上に作成されたほぼ平面の磁気センサに関
し、このセンサは、ほぼ平面であり、かつ基板の大きな
平面上に作成された、１つまたは複数の磁気コアと、少
なくとも１つの励磁回路と、やはり基板のこの大きな面
上に作成された少なくとも２つの平面検出コイルで形成
された少なくとも１つの検出回路とを含み、この励磁回
路が、ほぼ矩形の外形を有する単一の平面コイルで形成
されること、およびこの１つまたは複数の磁気コアが、
平面励磁コイルの外側輪郭によって区画される幾何学的
な矩形の２本の対角線に沿ってギリシャ十字形に配列さ
れた細長い（ｌｏｎｇ−ｌｉｍｂｅｄ）コアであること
を特徴とする。
【００１２】好ましい実施態様によれば、磁気コイルは
ただ１つだけ存在し、モノブロックであり、前記対角線
に沿って配列されたギリシャ十字の形状を有する。この
場合には、検出回路が、モノブロック・ギリシャ十字の
形状をした磁気コアの４つの自由端の位置にそれぞれ配
置された４つの検出コイルで形成されると有利である。
１つまたは複数の磁気コアを形成する材料はアモルファ
スであることが好ましい。
ただ１つだけ存在し、モノブロックであり、前記対角線
に沿って配列されたギリシャ十字の形状を有する。この
場合には、検出回路が、モノブロック・ギリシャ十字の
形状をした磁気コアの４つの自由端の位置にそれぞれ配
置された４つの検出コイルで形成されると有利である。
１つまたは複数の磁気コアを形成する材料はアモルファ
スであることが好ましい。
【００１３】概略図に関連する非限定的な２つの実施形
態についての以下の説明において、本発明はより明確に
理解され、本発明の利点およびその他の特徴は明らかに
なるであろう。
態についての以下の説明において、本発明はより明確に
理解され、本発明の利点およびその他の特徴は明らかに
なるであろう。
【００１４】
【発明の実施の形態】図２では、図１に関連して前述し
た従来技術のセンサの基板と同様の平行六面体形の基板
を、再度参照番号１で示してある。この基板は、その大
きな上面２上にＣＭＯＳ集積化によって作成された、磁
気センサと関連づけられて完全な磁力計を形成する電子
回路を含む。この集積電子回路は、この図には示してい
ない。
た従来技術のセンサの基板と同様の平行六面体形の基板
を、再度参照番号１で示してある。この基板は、その大
きな上面２上にＣＭＯＳ集積化によって作成された、磁
気センサと関連づけられて完全な磁力計を形成する電子
回路を含む。この集積電子回路は、この図には示してい
ない。
【００１５】このセンサは、基板１の面２上に作成され
た平面状の励磁コイル９を含み、このコイル９は、その
外側巻線９０によって形成される、ほぼ矩形の形状の外
側輪郭を有する。励磁コイル９のその他の巻線９１から
９４は、外側巻線９０と同心円状になっており、形状は
やはり矩形であり、図示のように次第に寸法が短くな
る。
た平面状の励磁コイル９を含み、このコイル９は、その
外側巻線９０によって形成される、ほぼ矩形の形状の外
側輪郭を有する。励磁コイル９のその他の巻線９１から
９４は、外側巻線９０と同心円状になっており、形状は
やはり矩形であり、図示のように次第に寸法が短くな
る。
【００１６】強磁性コア１０は、通常は接着によって励
磁コイル９上に作成され、このコアは、図１の従来技術
のデバイスの場合と同様にアモルファス磁性材料で、通
常は市販のアモルファス強磁性金属のテープで形成され
る。
磁コイル９上に作成され、このコアは、図１の従来技術
のデバイスの場合と同様にアモルファス磁性材料で、通
常は市販のアモルファス強磁性金属のテープで形成され
る。
【００１７】ただし、本発明によれば、強磁性コア１０
はギリシャ十字の形状を有し、この形状は、励磁コイル
９の外側巻線９０によって形成される矩形、すなわちコ
イルによって形成される幾何学的な矩形の直交する２本
の対角線と一致する。
はギリシャ十字の形状を有し、この形状は、励磁コイル
９の外側巻線９０によって形成される矩形、すなわちコ
イルによって形成される幾何学的な矩形の直交する２本
の対角線と一致する。
【００１８】したがって、外部磁場Ｈｅｘｔの２つの直
交成分Ｈ１およびＨ２を測定することができ、これら２
つの成分はそれぞれコア１０の２本の直交するブランチ
１０１および１０２に沿って方向づけられる。この場
合、成分Ｈ１はコア１０のブランチ１０１によって測定
され、成分Ｈ２はそれと直交するブランチ１０２によっ
て測定される。
交成分Ｈ１およびＨ２を測定することができ、これら２
つの成分はそれぞれコア１０の２本の直交するブランチ
１０１および１０２に沿って方向づけられる。この場
合、成分Ｈ１はコア１０のブランチ１０１によって測定
され、成分Ｈ２はそれと直交するブランチ１０２によっ
て測定される。
【００１９】ここで、検出は、２つの同一平面上の検出
コイル対、すなわち、基板１の面２の上、平面励磁コイ
ル９の下に、やはりＣＭＯＳ技法によって作成された、
平面検出コイル７０、８０の第１の対であって、これら
２つの検出コイルは、直列にかつ差動配列で取り付けら
れ、それぞれコア１０のブランチ１０２の２つの自由端
の一方の下に位置決めされ、したがって、この第１の対
７０、８０は、外部磁場Ｈｅｘｔの成分Ｈ２を検出する
役割を有する第１の対と、２つのコイル７０、８０と同
様の平面検出コイル７１、８１の第２の対であって、こ
れら２つの検出コイルも、やはり直列にかつ差動配列で
取り付けられ、それぞれコア１０のもう一方のブランチ
１０１の２つの自由端の一方の下に位置決めされ、この
第２の対７１、８１は、外部磁場Ｈｅｘｔの成分Ｈ１を
検出する役割を有する第２の対とによって実行される。
コイル対、すなわち、基板１の面２の上、平面励磁コイ
ル９の下に、やはりＣＭＯＳ技法によって作成された、
平面検出コイル７０、８０の第１の対であって、これら
２つの検出コイルは、直列にかつ差動配列で取り付けら
れ、それぞれコア１０のブランチ１０２の２つの自由端
の一方の下に位置決めされ、したがって、この第１の対
７０、８０は、外部磁場Ｈｅｘｔの成分Ｈ２を検出する
役割を有する第１の対と、２つのコイル７０、８０と同
様の平面検出コイル７１、８１の第２の対であって、こ
れら２つの検出コイルも、やはり直列にかつ差動配列で
取り付けられ、それぞれコア１０のもう一方のブランチ
１０１の２つの自由端の一方の下に位置決めされ、この
第２の対７１、８１は、外部磁場Ｈｅｘｔの成分Ｈ１を
検出する役割を有する第２の対とによって実行される。
【００２０】図３は、励磁電流Ｉｅｘｃの方向とともに
励磁コイル９を示す図であり、この励磁電流はさらに、
交番する正負のパルスによって例えば１／８程度の低い
デューティ・サイクルで形成される。この図は、その結
果としてコア１０の半ブランチ１０１Ａ、１０１Ｂ、１
０２Ａ、および１０２Ｂそれぞれの中で発生する、励起
磁場の方向を示している。
励磁コイル９を示す図であり、この励磁電流はさらに、
交番する正負のパルスによって例えば１／８程度の低い
デューティ・サイクルで形成される。この図は、その結
果としてコア１０の半ブランチ１０１Ａ、１０１Ｂ、１
０２Ａ、および１０２Ｂそれぞれの中で発生する、励起
磁場の方向を示している。
【００２１】コア１０の同一ブランチ１０１の各半ブラ
ンチ１０１Ａ、１０１Ｂ中では、励磁電流Ｉｅｘｃによ
って生成される励起磁場Ｈｅｘｃは反対向きであること
が分かる。
ンチ１０１Ａ、１０１Ｂ中では、励磁電流Ｉｅｘｃによ
って生成される励起磁場Ｈｅｘｃは反対向きであること
が分かる。
【００２２】その結果として、コア１０の各ブランチ１
０１または１０２で、測定すべき外部磁場Ｈｅｘｔから
見るとコアの長さはブランチの全長と同等であり、励起
磁場Ｈｅｘｃから見るとコアの長さはそのブランチの長
さの半分と同等であるだけである。したがって、外部磁
場から見ると、強磁性コアは、励起磁場から見た透磁率
と同等の見かけの透磁率であるが、それよりも大きな透
磁率を有する。これにより、最終的にセンサの感度が大
幅に向上する。
０１または１０２で、測定すべき外部磁場Ｈｅｘｔから
見るとコアの長さはブランチの全長と同等であり、励起
磁場Ｈｅｘｃから見るとコアの長さはそのブランチの長
さの半分と同等であるだけである。したがって、外部磁
場から見ると、強磁性コアは、励起磁場から見た透磁率
と同等の見かけの透磁率であるが、それよりも大きな透
磁率を有する。これにより、最終的にセンサの感度が大
幅に向上する。
【００２３】図４は、コア１０の２本のブランチの一方
に適用した、すなわち測定すべき外部磁場Ｈｅｘｔの２
つの成分Ｈ１またはＨ２のうちの一方の測定に適用し
た、このセンサの動作原理を示す図である。
に適用した、すなわち測定すべき外部磁場Ｈｅｘｔの２
つの成分Ｈ１またはＨ２のうちの一方の測定に適用し
た、このセンサの動作原理を示す図である。
【００２４】この図の左半分は、コアのブランチの１
本、例えば１０１中の励起磁場Ｈｅｘｃの変動と、それ
に対応する励起磁束φｅｘｃの変動と、対応する２つの
検出コイル７１および８１それぞれにおける誘導電圧Ｖ
ｉの変動と、これら２つのコイルのアセンブリからの出
力電圧Ｖｓの変動とを時間ｔの関数として示す、４つの
曲線の第１のシリーズＩであり、この第１のシリーズＩ
の曲線は、測定すべき外部磁場Ｈｅｘｔがない状態で作
成したものである。
本、例えば１０１中の励起磁場Ｈｅｘｃの変動と、それ
に対応する励起磁束φｅｘｃの変動と、対応する２つの
検出コイル７１および８１それぞれにおける誘導電圧Ｖ
ｉの変動と、これら２つのコイルのアセンブリからの出
力電圧Ｖｓの変動とを時間ｔの関数として示す、４つの
曲線の第１のシリーズＩであり、この第１のシリーズＩ
の曲線は、測定すべき外部磁場Ｈｅｘｔがない状態で作
成したものである。
【００２５】同様に、この図の右半分は、同じ４つの曲
線の第２のシリーズＩＩであるが、この場合には測定す
べき外部磁場Ｈｅｘｔが存在している。
線の第２のシリーズＩＩであるが、この場合には測定す
べき外部磁場Ｈｅｘｔが存在している。
【００２６】曲線のシリーズＩは、コアのブランチ１０
１の半ブランチ１０１Ａおよび１０１Ｂに関して、励起
磁場、ならびに励起磁束φｅｘｃおよび誘導電圧Ｖｉが
等しく、符号が反対であることを示している。直列かつ
差動式に取り付けた２つの検出コイル７１および８１の
出力で検知する出力電圧Ｖｓは、外部磁場Ｈｅｘｔがな
いときにはゼロとなる。
１の半ブランチ１０１Ａおよび１０１Ｂに関して、励起
磁場、ならびに励起磁束φｅｘｃおよび誘導電圧Ｖｉが
等しく、符号が反対であることを示している。直列かつ
差動式に取り付けた２つの検出コイル７１および８１の
出力で検知する出力電圧Ｖｓは、外部磁場Ｈｅｘｔがな
いときにはゼロとなる。
【００２７】逆に、曲線のシリーズＩＩによれば、外部
磁場Ｈｅｘｔがあると、曲線Ｈｅｘｃ（ｔ）が上方に偏
位し、これにより２つの誘導電圧Ｖｉの間の対称性がな
くなり、その結果として、交番する正負のパルスの連続
で形成される、ゼロでない出力電圧Ｖｓが生じる。次い
で、センサのコア１０のブランチの１本、例えばブラン
チ１０１に関連づけられた電子回路の概略的な機能ブロ
ック図である図５に関連して分かるように、これらのパ
ルスを整流し、平滑化して、直流の測定電圧を得る。
磁場Ｈｅｘｔがあると、曲線Ｈｅｘｃ（ｔ）が上方に偏
位し、これにより２つの誘導電圧Ｖｉの間の対称性がな
くなり、その結果として、交番する正負のパルスの連続
で形成される、ゼロでない出力電圧Ｖｓが生じる。次い
で、センサのコア１０のブランチの１本、例えばブラン
チ１０１に関連づけられた電子回路の概略的な機能ブロ
ック図である図５に関連して分かるように、これらのパ
ルスを整流し、平滑化して、直流の測定電圧を得る。
【００２８】図５から分かるように、周波数ｆ0および
供給パルス１１を有する外部パルス・クロックＣｌｋを
使用する。
供給パルス１１を有する外部パルス・クロックＣｌｋを
使用する。
【００２９】これらのパルス１１は、いくつかの交番す
る周期信号を供給する、すなわち例えば１２５Ｋｈｚに
等しい周波数ｆの２つの第１の移相周期信号を第１の出
力１３から供給し、周波数２ｆの２つの第２のπ移相周
期信号を第２の出力１４から供給し、周波数２ｆの２つ
の第３のπ移相周期信号を第３の出力１５から供給す
る、分周器回路１２に印加される。
る周期信号を供給する、すなわち例えば１２５Ｋｈｚに
等しい周波数ｆの２つの第１の移相周期信号を第１の出
力１３から供給し、周波数２ｆの２つの第２のπ移相周
期信号を第２の出力１４から供給し、周波数２ｆの２つ
の第３のπ移相周期信号を第３の出力１５から供給す
る、分周器回路１２に印加される。
【００３０】第１の２つの信号は、例えば１／８など比
較的低いディーティ・サイクルを有する交流励磁電流１
８をその出力１７から励磁コイル９に提供する加工（el
aboration）および整形回路１６に印加される。電流１
８のディーティ・サイクルは、第１の２つの信号の移相
によって決定される。回路１６は、パルスの幅がこれら
の第１の２つの信号の一時的な移相に等しくなるように
なされることが好ましい。
較的低いディーティ・サイクルを有する交流励磁電流１
８をその出力１７から励磁コイル９に提供する加工（el
aboration）および整形回路１６に印加される。電流１
８のディーティ・サイクルは、第１の２つの信号の移相
によって決定される。回路１６は、パルスの幅がこれら
の第１の２つの信号の一時的な移相に等しくなるように
なされることが好ましい。
【００３１】２つの検出コイル７１、８１のアセンブリ
の出力では、パルス化された周期的な誘導信号１９が生
じ、これは、整流器２０の出力２２で整流済みの信号２
１が得られるように接続１４０によって周波数２ｆで制
御された整流器回路２０に印加される。励磁周波数ｆの
偶数調波の同期検出が行われることに留意されたい。
の出力では、パルス化された周期的な誘導信号１９が生
じ、これは、整流器２０の出力２２で整流済みの信号２
１が得られるように接続１４０によって周波数２ｆで制
御された整流器回路２０に印加される。励磁周波数ｆの
偶数調波の同期検出が行われることに留意されたい。
【００３２】次いで、この整流済みの信号２１は、低域
フィルタ２３中で平滑化され、整流済みの信号２１の誘
導パルスの持続時間の間は本質的にアクティブとなるよ
うに、接続１５０によって周波数２ｆで制御される。次
いで、平滑化された信号を増幅器２４中で増幅し、最終
的にセンサの出力Ｓで直流の測定電圧２５を得る。
フィルタ２３中で平滑化され、整流済みの信号２１の誘
導パルスの持続時間の間は本質的にアクティブとなるよ
うに、接続１５０によって周波数２ｆで制御される。次
いで、平滑化された信号を増幅器２４中で増幅し、最終
的にセンサの出力Ｓで直流の測定電圧２５を得る。
【００３３】言うまでもなく、本発明は、上述の好まし
い実施形態の例に限定されない。
い実施形態の例に限定されない。
【００３４】したがって、例えば、図６は、アモルファ
ス強磁性コアが、前述のように全体が一体化されたギリ
シャ十字として形成されるのではなく、図示のように、
前述の場合と同様に励磁コイル９によって形成される矩
形の２本の対角線に沿って配列された、別個の直線状半
ブランチ１０１Ａ、１０１Ｂ、１０２Ａ、１０２Ｂとし
て４つのコア・エレメントで形成される、センサの代替
実施形態を示している。
ス強磁性コアが、前述のように全体が一体化されたギリ
シャ十字として形成されるのではなく、図示のように、
前述の場合と同様に励磁コイル９によって形成される矩
形の２本の対角線に沿って配列された、別個の直線状半
ブランチ１０１Ａ、１０１Ｂ、１０２Ａ、１０２Ｂとし
て４つのコア・エレメントで形成される、センサの代替
実施形態を示している。
【００３５】この場合には、４つの検出コイル７０、７
１、８０、８１はやはり４つのコア・エレメント１０１
Ａ、１０１Ｂ、１０２Ａ、１０２Ｂの外側の自由端の下
にそれぞれ配置されることが分かるが、これら４つのコ
ア・エレメントの内側の自由端の下にそれぞれ位置決め
されたその他の４つの検出コイル７３、７２、８２、８
３もあることが分かる。
１、８０、８１はやはり４つのコア・エレメント１０１
Ａ、１０１Ｂ、１０２Ａ、１０２Ｂの外側の自由端の下
にそれぞれ配置されることが分かるが、これら４つのコ
ア・エレメントの内側の自由端の下にそれぞれ位置決め
されたその他の４つの検出コイル７３、７２、８２、８
３もあることが分かる。
【００３６】最後に、図７は、各直線状コア・エレメン
ト、例えばバー１０１を、やはり細長いが、平行六面体
形ではなく楕円形のエレメントで置き換えると有利であ
ることがあることを示す図である（これも既知であ
る）。両方の場合について磁力線（magnetic flux forc
e line）２６が明白に示すように、楕円形のバーの場合
の方が、均一性のはるかに高いこれらの磁力線を観察す
ることができる。
ト、例えばバー１０１を、やはり細長いが、平行六面体
形ではなく楕円形のエレメントで置き換えると有利であ
ることがあることを示す図である（これも既知であ
る）。両方の場合について磁力線（magnetic flux forc
e line）２６が明白に示すように、楕円形のバーの場合
の方が、均一性のはるかに高いこれらの磁力線を観察す
ることができる。
【図１】前述の通り、従来技術の磁気マイクロセンサを
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明による磁気マイクロセンサの好ましい実
施形態を示す部分展開斜視図である。
施形態を示す部分展開斜視図である。
【図３】磁気コアおよびその励磁コイルに限定した、磁
気コアの４本の半ブランチそれぞれの中の励起磁場の方
向を示す部分図である。
気コアの４本の半ブランチそれぞれの中の励起磁場の方
向を示す部分図である。
【図４】センサの動作を説明する時間図である。
【図５】ギリシャ十字形コアの２本のブランチの一方と
関連する励磁および検出回路を示す概略電気図である。
関連する励磁および検出回路を示す概略電気図である。
【図６】磁気マイクロセンサの別の実施形態を示す図で
ある。
ある。
【図７】変形形態による、特に図６の磁気センサに備え
付けられるアモルファス磁気バーに楕円形の形状を持た
せることの利点を示す図である。
付けられるアモルファス磁気バーに楕円形の形状を持た
せることの利点を示す図である。
１ 半導体基板 ２ 平面 ９ 励磁コイル １０ 磁気コア ７０ 検出コイル ７１ 検出コイル ８０ 検出コイル ８１ 検出コイル ９０ 外側輪郭 １０１ 磁気コア １０２ 磁気コア
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 パベル・ケジャック スイス国・シイエイチ−1024・エキュブレ ン・シュマン デュ スタド・14
Claims (12)
- 【請求項１】 半導体基板（１）上に作成されたほぼ平
面の磁気センサであって、 ほぼ平面であり、かつ前記基板（１）の大きな平面
（２）上に作成された、少なくとも１つの磁気コア（１
０）と、 少なくとも１つの励磁回路（９）と、 基板（１）の前記大きな面（２）上に作成された少なく
とも２つの平面検出コイル（７０、８０、７１、８１）
で形成された少なくとも１つの検出回路とを含み、前記
励磁回路が、ほぼ矩形の外形を有する単一の平面コイル
（９）で形成されること、および前記１つまたは複数の
磁気コア（１０、１０１Ａ、１０１Ｂ、１０２Ａ、１０
２Ｂ）が、前記平面励磁コイル（９）の外側輪郭（９
０）によって形成される幾何学的な矩形の２本の対角線
に沿ってギリシャ十字形に配列された細長いコアである
ことを特徴とする磁気センサ。 - 【請求項２】 前記磁気コア（１０）が単一のモノブロ
ック・コアであり、前記対角線に沿って配列されたギリ
シャ十字の形状を有することを特徴とする請求項１に記
載の磁気センサ。 - 【請求項３】 検出回路が、モノブロック・ギリシャ十
字の形状をした前記磁気コイル（１０）の４つの自由端
の位置にそれぞれ配置された４つの検出コイル（７０、
８０、７１、８１）で形成されることを特徴とする請求
項２に記載の磁気センサ。 - 【請求項４】 前記矩形（９０）の対角線の一方の上に
それぞれ位置決めされた１つまたは複数の磁気コア（１
０１、１０２）が全て、検出コイル（７０、８０、７
１、８１）、および測定すべき外部磁場（Ｈｅｘｔ）の
直交成分（Ｈ１；Ｈ２）の一方の測定とそれぞれ関係す
る電子測定回路（２０、２３、２４）と関連づけられる
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記
載の磁気センサ。 - 【請求項５】 同一の対角線（１０２）と関連づけられ
た検出コイル（７０、８０）が、直列に、かつ差動配列
で取り付けられることを特徴とする請求項４に記載の磁
気センサ。 - 【請求項６】 交番する正負のパルスの連続で形成され
た励磁電流（１８）を加工する電子制御回路（１５、１
６）も含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれ
か一項に記載の磁気センサ。 - 【請求項７】 前記励磁パルス（１８）が比較的低いデ
ューティ・サイクルを有することを特徴とする請求項６
に記載の磁気センサ。 - 【請求項８】 前記デューティ・サイクルが１／８程度
であることを特徴とする請求項７に記載の磁気センサ。 - 【請求項９】 前記関連づけられた電子回路（１５、１
６、２０、２３、２４）が、ＣＭＯＳ集積化技法によっ
て、基板の前記大きな面（２）上に作成されることを特
徴とする請求項４ないし８のいずれか一項に記載の磁気
センサ。 - 【請求項１０】 前記対角線のそれぞれと関連づけられ
た電子回路が、少なくとも、 加えられたクロック・パルス（１１）の周波数（ｆ0）
を分周する回路（２）と、 励磁パルス（１８）のための加工および整形回路（１
６）と、 励磁周波数（ｆ）の２倍周波数（２ｆ）で制御された整
流器回路（２０）と、 平滑化および増幅回路（２３、２４）とを含むことを特
徴とする請求項４ないし９のいずれか一項に記載の磁気
センサ。 - 【請求項１１】 前記１つまたは複数の磁気コアが、ア
モルファス材料から形成されることを特徴とする請求項
１ないし１０のいずれか一項に記載の磁気センサ。 - 【請求項１２】 前記対角線に沿って配置された細長い
バー（１０１Ａ、１０２Ａ、１０１Ｂ、１０２Ｂ）が楕
円形の形状を有することを特徴とする請求項１ないし１
１のいずれか一項に記載の磁気センサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP99109504 | 1999-05-12 | ||
| EP99109504.3 | 1999-05-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001013231A true JP2001013231A (ja) | 2001-01-19 |
| JP2001013231A5 JP2001013231A5 (ja) | 2007-06-14 |
Family
ID=8238164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000140524A Pending JP2001013231A (ja) | 1999-05-12 | 2000-05-12 | 半導体基板上に形成された磁気センサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6404192B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001013231A (ja) |
| CN (1) | CN1153981C (ja) |
| DE (1) | DE69925573T2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004527772A (ja) * | 2001-05-25 | 2004-09-09 | セントロン アーゲー | 磁界センサー |
| WO2004097441A1 (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-11 | Hst Co., Ltd. | 制御素子と一体化した感磁素子 |
| US6826842B2 (en) | 2001-05-22 | 2004-12-07 | Hitachi Metals, Ltd. | Azimuth meter |
| US7023310B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-04-04 | Yamaha Corporation | Method for manufacturing magnetic sensor, magnet array used in the method, and method for manufacturing the magnet array |
| WO2006109382A1 (ja) * | 2005-03-14 | 2006-10-19 | National University Corporation Okayama University | 磁気的インピーダンス計測装置 |
| KR100800279B1 (ko) | 2004-07-14 | 2008-02-05 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | 스핀 밸브형 거대 자기 저항 효과 소자를 가진 방위계 |
| JP4626728B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2011-02-09 | 愛知製鋼株式会社 | 磁気検出装置 |
| JP2011513722A (ja) * | 2008-02-26 | 2011-04-28 | ユニベルシテ・クロード・ベルナール・リヨン・プルミエ | 磁場センサの製造方法および同製造方法によって製造された磁場センサ |
| KR101127478B1 (ko) | 2010-12-21 | 2012-03-22 | 한국과학기술원 | 관통 실리콘 비아를 이용한 전류 측정 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 전류 측정 회로 |
| JP2012245361A (ja) * | 2006-09-15 | 2012-12-13 | Nanyang Polytechnic | 脈拍数及び血流の異常を非侵襲的に検出する装置の筐体 |
| JP2013101103A (ja) * | 2011-10-20 | 2013-05-23 | Kyocera Document Solutions Inc | 差動トランス式磁気センサー |
| WO2015170509A1 (ja) * | 2014-05-09 | 2015-11-12 | 愛知製鋼株式会社 | 磁気検出装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10057773B4 (de) * | 2000-11-22 | 2021-05-27 | Werner Turck Gmbh & Co. Kg | Näherungsschalter |
| EP1267427A1 (fr) * | 2001-06-12 | 2002-12-18 | Asulab S.A. | Procédé de fabrication en grand nombre d'une multiplicité de capteurs magnétiques |
| SE0102475D0 (sv) * | 2001-07-10 | 2001-07-10 | Totalfoersvarets Forskningsins | Method of exploiting nonlinear dynamics in a fluxgate magnetometer and a low-power fluxgate magnetometer |
| US7259556B2 (en) * | 2002-08-01 | 2007-08-21 | Melexis Technologies Sa | Magnetic field sensor and method for operating the magnetic field sensor |
| DE10318350C5 (de) * | 2003-04-23 | 2010-08-19 | Werner Turck Gmbh & Co. Kg | Induktiver Näherungsschalter |
| KR100579483B1 (ko) * | 2004-08-09 | 2006-05-15 | 삼성전기주식회사 | 자기장 왜곡을 자동 보정하는 지자기 센서 및 그 방법 |
| KR100594975B1 (ko) | 2005-02-03 | 2006-06-30 | 삼성전자주식회사 | 지자기 센서의 코일 제조 방법 |
| KR20080031929A (ko) * | 2005-08-04 | 2008-04-11 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 중재적 디바이스 위치 측정을 위한 감지기의 자기 추적을위한 시스템 및 방법 |
| JP4856915B2 (ja) * | 2005-09-12 | 2012-01-18 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 磁気センサの励磁コイル駆動回路 |
| WO2007116583A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Citizen Electronics Co., Ltd. | 磁気センサー素子及び磁気センサー |
| US7530177B1 (en) | 2007-11-08 | 2009-05-12 | Mitutoyo Corporation | Magnetic caliper with reference scale on edge |
| JP5172287B2 (ja) * | 2007-11-19 | 2013-03-27 | 株式会社東芝 | 集積回路装置 |
| ATE526591T1 (de) * | 2008-02-26 | 2011-10-15 | Univ Wuerzburg J Maximilians | Sensor für elektromagnetische grössen und verfahren zur messung elektromagnetischer grössen |
| DE102008042800A1 (de) * | 2008-10-13 | 2010-04-15 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung zur Messung von Richtung und/oder Stärke eines Magnetfeldes |
| ATE552510T1 (de) * | 2008-12-03 | 2012-04-15 | St Microelectronics Srl | Magnetischer sensor mit grossem messbereich und herstellungsprozess für den sensor |
| FR2942880A1 (fr) * | 2009-03-04 | 2010-09-10 | Commissariat Energie Atomique | Capteurs de courant et procede de fabrication de ces capteurs. |
| DE102009028815A1 (de) * | 2009-08-21 | 2011-02-24 | Robert Bosch Gmbh | Magnetfeldsensor und Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors |
| EP2333573B1 (en) | 2009-11-30 | 2012-10-24 | STMicroelectronics Srl | Integrated magnetic sensor for detecting horizontal magnetic fields and manufacturing process thereof |
| DE102009047624A1 (de) * | 2009-12-08 | 2011-06-09 | Robert Bosch Gmbh | Magnetfeldsensor |
| IT1397983B1 (it) * | 2010-02-05 | 2013-02-04 | St Microelectronics Srl | Sensore magnetico integrato di rilevamento di campi magnetici verticali e relativo procedimento di fabbricazione |
| JP5625723B2 (ja) * | 2010-10-15 | 2014-11-19 | ソニー株式会社 | 電子機器、給電方法および給電システム |
| US9427172B2 (en) * | 2011-12-30 | 2016-08-30 | Mediguide Ltd. | Roll detection and six degrees of freedom sensor assembly |
| US9000760B2 (en) * | 2012-02-27 | 2015-04-07 | Everspin Technologies, Inc. | Apparatus and method for resetting a Z-axis sensor flux guide |
| ITTO20120290A1 (it) | 2012-04-02 | 2013-10-03 | St Microelectronics Srl | Sensore inerziale di tipo magnetico, e metodo per operare il sensore inerziale |
| DE102012209232A1 (de) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | Robert Bosch Gmbh | Magnetfeldsensor |
| CN102928793B (zh) * | 2012-11-19 | 2015-03-25 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 微机械磁场传感器及其应用 |
| US9209385B2 (en) | 2013-02-04 | 2015-12-08 | Stmicroelectronics S.R.L. | Magnetic sensor integrated in a chip for detecting magnetic fields perpendicular to the chip and manufacturing process thereof |
| KR101558059B1 (ko) * | 2013-12-09 | 2015-10-06 | 삼성전기주식회사 | 직교형 플럭스게이트 센서 |
| KR20150066831A (ko) * | 2013-12-09 | 2015-06-17 | 삼성전기주식회사 | 직교형 플럭스게이트 센서 |
| JP6398830B2 (ja) * | 2015-03-26 | 2018-10-03 | 愛知製鋼株式会社 | 磁気インピーダンスセンサ |
| US10280070B2 (en) | 2015-09-30 | 2019-05-07 | Stmicroelectronics S.R.L. | Magnetic inertial sensor energy harvesting and scavenging methods, circuits and systems |
| US10869612B2 (en) * | 2016-01-03 | 2020-12-22 | Boston Scientific Scimed Inc. | Transducer with magnetic nanowire array |
| US20210190893A1 (en) | 2017-10-06 | 2021-06-24 | Melexis Technologies Nv | Magnetic sensor sensitivity matching calibration |
| EP3467528B1 (en) | 2017-10-06 | 2020-05-20 | Melexis Technologies NV | Magnetic sensor sensitivity matching calibration |
| EP3477322B1 (en) | 2017-10-27 | 2021-06-16 | Melexis Technologies SA | Magnetic sensor with integrated solenoid |
| US10868479B2 (en) | 2018-10-04 | 2020-12-15 | Stmicroelectronics S.R.L. | Inverse electrowetting and magnetic energy harvesting and scavenging methods, circuits and systems |
| AT522600B1 (de) * | 2019-04-15 | 2023-03-15 | Braunschmid Dipl Ing Msc Franz | Flachspule für drahtlose Energieübertragung |
| CN114487941B (zh) * | 2022-04-06 | 2022-07-12 | 南方电网数字电网研究院有限公司 | 磁传感器、磁场测量方法及磁传感器的制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2373096A (en) * | 1941-12-15 | 1945-04-10 | Sperry Gyroscope Co Inc | Magnetic pick-off for sensitive instruments |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1179841A (en) | 1966-03-10 | 1970-02-04 | Sperry Rand Ltd | Detecting distortion of terrestial magnetic field |
| US4267640A (en) | 1979-04-30 | 1981-05-19 | Rca Corporation | System for ascertaining magnetic field direction |
| DE3738455A1 (de) | 1986-11-25 | 1988-06-01 | Landis & Gyr Ag | Anordnung zum messen eines flussarmen magnetfeldes |
| GB2201786B (en) | 1987-03-06 | 1990-11-28 | Gen Electric Plc | Magnetometers |
-
1999
- 1999-06-09 DE DE69925573T patent/DE69925573T2/de not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-05-10 CN CNB001184946A patent/CN1153981C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-05-12 US US09/570,436 patent/US6404192B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-05-12 JP JP2000140524A patent/JP2001013231A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2373096A (en) * | 1941-12-15 | 1945-04-10 | Sperry Gyroscope Co Inc | Magnetic pick-off for sensitive instruments |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6826842B2 (en) | 2001-05-22 | 2004-12-07 | Hitachi Metals, Ltd. | Azimuth meter |
| JP2004527772A (ja) * | 2001-05-25 | 2004-09-09 | セントロン アーゲー | 磁界センサー |
| WO2004097441A1 (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-11 | Hst Co., Ltd. | 制御素子と一体化した感磁素子 |
| US7023310B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-04-04 | Yamaha Corporation | Method for manufacturing magnetic sensor, magnet array used in the method, and method for manufacturing the magnet array |
| KR100800279B1 (ko) | 2004-07-14 | 2008-02-05 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | 스핀 밸브형 거대 자기 저항 효과 소자를 가진 방위계 |
| WO2006109382A1 (ja) * | 2005-03-14 | 2006-10-19 | National University Corporation Okayama University | 磁気的インピーダンス計測装置 |
| US7759931B2 (en) | 2005-03-14 | 2010-07-20 | National University Corporation, Okayama University | Device for measuring magnetic impedance |
| JP2012245361A (ja) * | 2006-09-15 | 2012-12-13 | Nanyang Polytechnic | 脈拍数及び血流の異常を非侵襲的に検出する装置の筐体 |
| JP2011513722A (ja) * | 2008-02-26 | 2011-04-28 | ユニベルシテ・クロード・ベルナール・リヨン・プルミエ | 磁場センサの製造方法および同製造方法によって製造された磁場センサ |
| JPWO2010110456A1 (ja) * | 2009-03-26 | 2012-10-04 | 愛知製鋼株式会社 | 磁気検出装置 |
| JP4626728B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2011-02-09 | 愛知製鋼株式会社 | 磁気検出装置 |
| US8339132B2 (en) | 2009-03-26 | 2012-12-25 | Aichi Steel Corporation | Magnetic detection device |
| KR101127478B1 (ko) | 2010-12-21 | 2012-03-22 | 한국과학기술원 | 관통 실리콘 비아를 이용한 전류 측정 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 전류 측정 회로 |
| JP2013101103A (ja) * | 2011-10-20 | 2013-05-23 | Kyocera Document Solutions Inc | 差動トランス式磁気センサー |
| WO2015170509A1 (ja) * | 2014-05-09 | 2015-11-12 | 愛知製鋼株式会社 | 磁気検出装置およびその製造方法 |
| JPWO2015170509A1 (ja) * | 2014-05-09 | 2017-04-20 | 愛知製鋼株式会社 | 磁気検出装置およびその製造方法 |
| US10048329B2 (en) | 2014-05-09 | 2018-08-14 | Aichi Steel Corporation | Magnetic detection device and method of manufacturing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6404192B1 (en) | 2002-06-11 |
| CN1274853A (zh) | 2000-11-29 |
| DE69925573D1 (de) | 2005-07-07 |
| DE69925573T2 (de) | 2006-04-27 |
| CN1153981C (zh) | 2004-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001013231A (ja) | 半導体基板上に形成された磁気センサ | |
| KR100993928B1 (ko) | 자기브리지형 전류센서, 자기브리지형 전류검출방법, 및상기 센서와 검출방법에 사용하는 자기브리지 | |
| US4692703A (en) | Magnetic field sensor having a Hall effect device with overlapping flux concentrators | |
| JPH0769130B2 (ja) | 磁気的変位センサ | |
| JP2002243766A (ja) | 電流センサ | |
| EP0365603A1 (en) | Single-winding magnetometer | |
| JP2013124875A (ja) | 電流センサ | |
| EP0380562A1 (en) | MAGNETOMETER WITH A SAILABLE CORE HAVING COIL. | |
| JPH08304466A (ja) | 電流計 | |
| US7271587B2 (en) | High resolution and low power magnetometer using magnetoresistive sensors | |
| JPH11109008A (ja) | 磁気探知装置 | |
| JP2002277522A (ja) | 磁界センサ | |
| JP3764834B2 (ja) | 電流センサー及び電流検出装置 | |
| JP4716030B2 (ja) | 電流センサ | |
| JP2002286764A (ja) | 電流センサ、ダブル電流センサ及び電流検知装置 | |
| JP5948105B2 (ja) | 信号検出回路、及び電子方位計、電流センサ | |
| JP3651268B2 (ja) | 磁気測定方法及び装置 | |
| US5831424A (en) | Isolated current sensor | |
| JP2004347501A (ja) | 電流センサ | |
| JP2000266786A (ja) | 電流センサ | |
| JP2000162294A (ja) | 磁界センサ | |
| JPH08201061A (ja) | 薄膜磁気センサ | |
| US20050040818A1 (en) | Magnetic field sensor | |
| JP3353120B2 (ja) | 電流センサ | |
| JPH05223910A (ja) | 磁気計測法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070425 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070425 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091118 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100629 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101130 |