JPH08304466A - 電流計 - Google Patents

電流計

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JPH08304466A
JPH08304466A JP8116706A JP11670696A JPH08304466A JP H08304466 A JPH08304466 A JP H08304466A JP 8116706 A JP8116706 A JP 8116706A JP 11670696 A JP11670696 A JP 11670696A JP H08304466 A JPH08304466 A JP H08304466A
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JP
Japan
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ammeter
current
conductor
magnetoresistive
substrate
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JP8116706A
Other languages
English (en)
Inventor
Alain Schuhl
アラン・シユル
Van Dau Frederic Nguyen
フエデリツク・ヌギユイエン−バン−ドー
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Thales SA
Original Assignee
Thomson CSF SA
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R15/00Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
    • G01R15/14Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
    • G01R15/20Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices
    • G01R15/205Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices using magneto-resistance devices, e.g. field plates

Abstract

(57)【要約】 【課題】 平面ホール効果磁気抵抗素子を用いた電流計
を提供する。 【解決手段】 この電流計は、磁気抵抗材料から基板の
第一の面の上に配置された薄い層に形成された素子と、
第一の方向(XX′)に沿った二つの領域で磁気抵抗素
子に接続され、該素子に電流を供給できるようにする第
一の接続手段と、第一の方向(XX′)に垂直な第二の
方向(YY′)に沿って配置された二つの領域で磁気抵
抗素子に接続される第二の接続手段とを備える。この電
流計によって、好ましくは第一の方向(XX′)に平行
な方向(ZZ′)に配向した導体中を流れる電流の値の
測定が可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電流計に関し、更
に詳しくいえば、平面ホール効果磁気抵抗素子を備える
電流計に関する。この電流計は差動回路遮断器にも応用
できる。
【0002】
【従来の技術】フランス特許出願第9315551号
に、平らなホール効果磁気感受素子を基にした低い磁界
センサが記述されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この種のセンサは強磁
性薄膜における異方性磁気抵抗効果の横方向測定を利用
している。図1は磁気感受層を示す。電流Iが層の方向
XX′に流れ、抵抗率を方向YY′で測定する。この抵
抗率はセンサに加えられる磁化Mの関数として変化す
る。更に、それは磁化と電流の方向XX′の間の角度θ
の関数である。
【0004】
【数1】
【0005】縦方向測定磁気抵抗センサと比較した平面
ホール効果センサの二つの主な利点は、第一に、関連す
る技術が非常に簡単になること、第二に、低い周波数
(1ヘルツ付近)におけるノイズの主成分である熱ドリ
フトが約4桁も減少することである。このセンサはその
構造によって、その供給方向に垂直な磁界成分のみに感
受性を有するようにできる。その寸法を磁区(magn
etic domain)の大きさより小さくできる。
これによって壁の移動に関連するノイズ源をなくすこと
ができる。この種のセンサの原型について、4桁を越え
る初期応答の測定を行った(Applied Phys
ics Letters、1995年5月15日号所載
のA.Schuhl,F.Nguyen−Van−Da
uおよびJ.R.Childressの論文参照)。
【0006】
【課題を解決するための手段】したがって、本発明は、
磁気抵抗材料から基板の第一の面の上に配置された薄い
層に形成された素子と、第一の方向(XX′)にある二
つの領域で磁気抵抗素子に接続され、該素子に電流を供
給できるようにする第一の接続手段と、第一の方向(X
X′)に垂直な第二の方向(YY′)に沿って配置され
た二つの領域で前記磁気抵抗素子に接続された第二の接
続手段とを備える電流計に関する。
【0007】
【発明の実施の形態】図2を参照して本発明の電流計の
実施例について説明する。
【0008】基板5に素子1が設けられる。この素子は
正方形にすることが好ましいが、長方形にすることもで
きる。この素子は、平面ホール効果を得るために使用で
きる磁気抵抗材料の薄い層の形で形成される。この材料
は層の平面に配向した異方性を有することが好ましい。
たとえば、層の厚さは0.01μmから1μmの範囲
(たとえば、0.02μm)であり、素子1の幅と長さ
は10μmから50μmの範囲(たとえば、20μm)
である。軸XX′に沿って、素子1はその二つの端部
に、素子1中に電流iを流す電源2の接続を可能にする
接続領域2′、2″を有する。この電流iは直流電流
で、一定であることが好ましい。
【0009】素子1の各側に、XX′軸に垂直なYY′
軸に沿って二つの接続素子3′、3″が接続される。そ
れらの接続素子によって電圧測定器または抵抗率測定器
3が接続できるようになる。各接続領域2′、2″と各
接続素子3′、3″の幅は素子1の一つの側の幅と同じ
である。更に、ジョンソンノイズおよび電力消費に関連
する制約を低減するために、それらの接続領域の幅を迅
速に広くするようにされている。
【0010】素子1は絶縁体6で覆われる。
【0011】絶縁体層上には、導体4などの、電流Iの
流れを測定可能にする手段が設けられる。
【0012】導体4中に電流(直流または交流)が流れ
ると、横方向(方向ZZ′に沿う)磁界を発生し、この
磁界はセンサで検出できる。以下の桁数の計算から分か
るように、導体の幅が素子1とセンサの間の距離より広
いという制限内にあると有利である。導体4と素子1の
間の絶縁体の選択は、測定すべき電流の範囲に依存す
る。この絶縁体は層1の上に付着された層でも、較正さ
れた自由空間でもよい。唯一の制約は、この導体中の電
流の流れに関連する磁界がセンサのレベルに最低一つの
横成分を有するように、ワイヤがセンサの供給方向に平
行でなければならないことである。特に、この導体を図
2に示すようにセンサの真上に配置する必要はない。
【0013】振幅Iの測定電流によってセンサに誘導さ
れた磁界の大きさの計算は次の式によって行う。
【0014】 B=(μ0I /πL)*a rctan(L/2D) ここで、Lは測定すべき電流を伝える導体4の幅、Dは
導体4と素子1の間の距離である。
【0015】L/2D>>1のとき、Bμ0I /2L
を得る。
【0016】したがって、L>>2Dである境界線の場
合には、この電流計の感度は電流線4と素子1の間の距
離からは独立している。
【0017】本発明の価値を理解できるように、以下に
本発明の二つの例示的応用例を示す。これらの応用例
は、10nTから1mTまでの範囲の磁界を検出する同
じ一つの検出素子を有する二つの異なる構造に対応す
る。
【0018】例として、二つの可能な構成について以下
に説明する。
【0019】構成1:L=300μmおよびD=1μ
m、その結果B/I=2.1mT/A=21mG/mA
となる。
【0020】構成2:L=1cmおよびD=1mm、そ
の結果B/I=3.15 10-5T/A=0.315G
/Aとなる。
【0021】構成1に従って製作したセンサは5μAか
ら500mAまでの電流を測定する。構成2に従って製
作したセンサは、300μAから30Aまでの電流を測
定する。センサの典型的な感度が100V/T.A.で
あり、センサの素子1に供給される電流が10mAの場
合には、電流計について得られた感度は、構成1の場合
は2.1mV/A、構成2の場合は31.5μV/Aで
ある。
【0022】図3のグラフに本発明による電流計の応答
の例を示す。
【0023】図4に、基板5の素子1が設けられている
面とは反対側の面に導体4が配置される、本発明の別の
実施形態を示す。この場合、基板は絶縁基板でなければ
ならず、その厚さが素子1と導体4の間の距離Dを決定
する。
【0024】以上説明した平面ホール効果センサを用い
ると、無接触電流計、すなわち、電気回路素子(たとえ
ば、ワイヤ)に接続する必要なしにその素子中を流れる
電流の測定を可能にする装置の製作が可能である。この
ために、図5aと図5bに示すように、センサの被制御
距離を可能にする回路素子4用の機械的ハウジングが設
けられる。たとえば、図5aにおいて、基板の素子1と
反対側の裏面に、強さIを測定すべき電流が流れる導体
を、軸ZZ′に沿って配置できるようにする手段が設け
られる。それらの配置手段は基板の上に引いた参照マー
クであってもよい。図5aによれば、導体を置く溝7を
設けることが計画されている。溝の代わりにボスを設け
ることも計画できる。
【0025】図5bは図5aの変形例であり、溝7を絶
縁体層6に設けている。
【0026】複数のセンサを測定すべき電流の流れを横
切るように置くことにより、回路素子4の横寸法Lが不
明であること、またはこの寸法が素子とセンサの間の距
離より充分大きくないかもしれないということに起因す
る問題が解決できる。各センサについて行う測定と、セ
ンサの間の距離についての知識とを用いて、二つの未知
量、すなわち回路素子の横寸法と電流の強さを推定でき
る。
【0027】この改良によって、寸法(ワイヤ+被覆の
直径)がワイヤとセンサの間の距離と同じ程度の大きさ
である場合には、電流を一層正確に測定できる。
【0028】図8に、三個のセンサC1、C2、C3を
基板上に並べて置いた特定の例を示す。
【0029】この種の装置は次のように動作する。セン
サC1とC3で同一の応答が得られるまで全てのセンサ
を動かす。そうすると、測定すべき電流は次式によって
与えられる。
【0030】
【数2】
【0031】ここで、「a」は二個のセンサ(C1−C
2およびC2−C3)の間の距離、B2とB3はセンサ
C2、C3の応答である。
【0032】使用に便利であるという理由から、電流計
を電流計クランプ(図5c)などクランプ7の形にでき
る。このクランプは電流計の検出素子1の前に導体を配
置できるようにするものである。次に素子1をクランプ
のアーム中の導体4の付近に配置する。
【0033】より一般的でより基本的な実施形態におい
ては、測定すべき電流が流れる導体を配置するどのよう
な手段も設けないことも可能である。その場合、操作
は、電流計の検出部(素子1)を導体の付近に置き、電
圧(または抵抗率)の最高値を得るようにしてそれを回
転させることに限られる。この最高値が測定値を与え
る。
【0034】本発明は二つの導体中を流れる二つの電流
の差の測定にも関する。
【0035】図6は、強さがIeとIsである電流が流
れる二つの導体4と4′における電流の差を、センサC
4、C5で測定するために使用できる電流計を示す。
【0036】電流の強さIeとIsの値を、おのおの上
記した二つのセンサによって測定する。その後でセンサ
の出力信号を場合に応じて増幅してから比較できる。
【0037】本発明は特に差回路遮断器に応用される。
引き込み線における電流の強さ(Ie)と引き出し線に
おける電流の強さ(Is)の差の測定によって、漏れ電
流の検出が可能になり、したがって電流の入力をカット
することが可能になる。
【0038】本発明は直流装置(エレクトロニクスおよ
び航行)や交流装置にも応用できる。
【0039】図7aは差動電流計を製作する方法を示す
もので、図2に示す実施形態から導かれるものである。
センサの各側に導体4と4′が設けられる。導体4は絶
縁体層6の上に配置され、導体4′は基板5の検出素子
1が配置されている面とは反対側の面に配置される。絶
縁体層3と基板5の厚さは同じであり、したがって導体
4、4′は素子1から同じ距離になる。導体4、4′を
流れる電流は互いに逆向きで、同相であることがわか
る。それらの条件が満たされ、電流が等しいとすると、
電流によって誘導される磁界は素子1の内部では互いに
打ち消し合う。しかし、それらの電流が等しくないとす
ると、より強い方の電流による磁界が優勢で、端子3−
3′で零でない電圧が検出される。
【0040】図7bに示す一つの変形例によれば、導体
4、4′をセンサの同じ面、たとえば、絶縁体層6の上
に配置することによって差動電流計を製作することもで
きる。その場合は、センサの検出素子1から同一距離に
なるように、導体4、4′を配置できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】平面ホール効果装置を示す図である。
【図2】本発明による装置の例示的実施形態を示す図で
ある。
【図3】本発明による電流計の応答曲線を示すグラフで
ある。
【図4】図2に示す電流計の変形例を示す図である。
【図5a】電流を測定しようとする導体を配置する手段
を示す図である。
【図5b】電流を測定しようとする導体を配置する手段
を示す図である。
【図5c】電流を測定しようとする導体を配置する手段
を示す図である。
【図6】差動電流計の回路を示す図である。
【図7a】本発明の電流計を応用した、よりコンパクト
な差動電流計を示す図である。
【図7b】本発明の電流計を応用した、よりコンパクト
な差動電流計を示す図である。
【図8】導体を配置する手段を必要としない複数のセン
サを有する電流計を示す図である。
【符号の説明】
1 素子 2 電源 2′、2″ 接続領域 3 抵抗率測定器 3′、3″ 接続素子 4 導体 5 基板 6 絶縁体

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 磁気抵抗材料から基板の第一の面の上に
    配置された薄い層に形成された素子と、 第一の方向(XX′)に沿った二つの領域で磁気抵抗素
    子に接続され、該素子に電流を供給できるようにする第
    一の接続手段と、 第一の方向(XX′)に垂直な第二の方向(YY′)に
    沿って配置された二つの領域で前記磁気抵抗素子に接続
    された第二の接続手段とを備える電流計。
  2. 【請求項2】 磁気抵抗素子の付近で、第一の方向(X
    X′)にほぼ平行な第三の方向(ZZ′)に沿って第一
    の電流(I)の流れを測定できるようにする第一の手段
    を備える請求項1に記載の電流計。
  3. 【請求項3】 電流の循環を測定できるようにする手段
    が、外部回路の接続のための接続手段を備えた導体を備
    える請求項2に記載の電流計。
  4. 【請求項4】 磁気抵抗層が基板の第一の面の上に配置
    され、導体が基板の第一の面とは反対側の第二の面の上
    に配置される請求項3に記載の電流計。
  5. 【請求項5】 磁気抵抗層が絶縁体層で覆われ、導体が
    該絶縁体層の上に配置される請求項3に記載の電流計。
  6. 【請求項6】 磁気抵抗層の近くで、第一の方向(X
    X′)にほぼ平行な第三の方向(ZZ′)に導体を配置
    できるようにする手段を備える請求項1に記載の電流
    計。
  7. 【請求項7】 基板または絶縁体層の第二の面が導体を
    第三の方向(ZZ′)に対応する位置に固定する手段を
    備える請求項4、5または6のいずれか一項に記載の電
    流計。
  8. 【請求項8】 固定手段が溝を備える請求項7に記載の
    電流計。
  9. 【請求項9】 クランプを備え、このクランプによって
    導体をクランプのアームの間でつかむことができ、クラ
    ンプのアームの一つが磁気抵抗材料で形成された素子を
    備える請求項7に記載の電流計。
  10. 【請求項10】 第三の方向に平行な第四の方向(T
    T′)に沿って第二の電流(I′)の循環を可能にする
    第二の手段を備え、これら第一の手段および第二の手段
    が磁気抵抗素子から同じ一つの距離にある請求項2に記
    載の電流計。
  11. 【請求項11】 第一の手段および第二の手段が磁気抵
    抗素子の各側に配置される請求項10に記載の電流計。
  12. 【請求項12】 薄い層から形成され、また、接続手段
    を備える別の磁気抵抗素子と、 該素子の付近で、前記別の素子に平行な別の方向に第二
    の電流を流すことを可能にする手段と、 二つの磁気抵抗素子の接続手段に対して行った電圧測定
    の結果を比較する比較手段とを備える請求項2に記載の
    電流計。
  13. 【請求項13】磁気抵抗素子の材料が、該材料の磁化方
    向を基板の第一の面に平行な面の方向に維持する異方性
    を有する請求項1に記載の電流計。
  14. 【請求項14】 第二の方向(YY′)に沿った幅が1
    0ないし50μmの場合に、磁気抵抗素子の厚さが約
    0.01μmないし1μmであり、第一の方向(X
    X′)に沿った接続手段の幅が約10μmないし50μ
    mである請求項1に記載の電流計。
JP8116706A 1995-05-12 1996-05-10 電流計 Pending JPH08304466A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

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FR9505659 1995-05-12
FR9505659A FR2734058B1 (fr) 1995-05-12 1995-05-12 Amperemetre

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JPH08304466A true JPH08304466A (ja) 1996-11-22

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EP (1) EP0742441A1 (ja)
JP (1) JPH08304466A (ja)
FR (1) FR2734058B1 (ja)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0874244B1 (de) * 1997-04-19 2002-01-30 LUST ANTRIEBSTECHNIK GmbH Verfahren zum Messen von elektrischen Strömen in n Leitern sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
FR2771511B1 (fr) 1997-11-25 2000-02-04 Thomson Csf Capteur de champ magnetique et procede de fabrication de ce capteur
US6473220B1 (en) * 1998-01-22 2002-10-29 Trivium Technologies, Inc. Film having transmissive and reflective properties
JP2001059851A (ja) * 1999-08-20 2001-03-06 Yazaki Corp 電流検出装置及び電流検出方法
FR2809185B1 (fr) 2000-05-19 2002-08-30 Thomson Csf Capteur de champ magnetique utilisant la magneto resistance, et procede de fabrication
FR2817077B1 (fr) 2000-11-17 2003-03-07 Thomson Csf Capacite variable commandable en tension par utilisation du phenomene de "blocage de coulomb"
DE10105186A1 (de) * 2001-02-06 2002-08-29 Bosch Gmbh Robert Halbleiteranordnung, Strommesser und Kraftfahrzeug
FR2828001B1 (fr) * 2001-07-27 2003-10-10 Thales Sa Dispositif de commande de renversement de sens d'aimantation sans champ magnetique externe
US7595934B2 (en) 2002-03-26 2009-09-29 Brilliant Film Llc Integrated sub-assembly having a light collimating or transflecting device
US7259545B2 (en) * 2003-02-11 2007-08-21 Allegro Microsystems, Inc. Integrated sensor
TW200506446A (en) * 2003-05-20 2005-02-16 Trivium Technologies Inc Devices for use in non-emissive displays
US7684147B2 (en) * 2003-12-15 2010-03-23 Univ Bar Ilan Magnetoelectronic devices based on colossal magnetoresistive thin films
FR2880131B1 (fr) * 2004-12-23 2007-03-16 Thales Sa Procede de mesure d'un champ magnetique faible et capteur de champ magnetique a sensibilite amelioree
US7768083B2 (en) * 2006-01-20 2010-08-03 Allegro Microsystems, Inc. Arrangements for an integrated sensor
FR2911690B1 (fr) 2007-01-19 2009-03-06 Thales Sa Dispositif d'amplification magnetique comportant un capteur magnetique a sensibilite longitudinale
TW200946775A (en) 2008-02-27 2009-11-16 Brilliant Film Llc Concentrators for solar power generating systems
AT506682B1 (de) * 2008-04-17 2014-05-15 Adaptive Regelsysteme Ges M B H Strommesseinrichtung und verfahren zur galvanisch getrennten messung von strömen
US7816905B2 (en) * 2008-06-02 2010-10-19 Allegro Microsystems, Inc. Arrangements for a current sensing circuit and integrated current sensor
IT1392716B1 (it) 2009-01-13 2012-03-16 Seneca S R L Metodo di misura di una corrente elettrica
US9976876B2 (en) 2015-11-24 2018-05-22 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for phase selection in ring magnet sensing
US10935612B2 (en) 2018-08-20 2021-03-02 Allegro Microsystems, Llc Current sensor having multiple sensitivity ranges
US11567108B2 (en) 2021-03-31 2023-01-31 Allegro Microsystems, Llc Multi-gain channels for multi-range sensor

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3693085A (en) * 1971-07-15 1972-09-19 Gen Motors Corp System for calibrated high level current measurement using a magnetic field responsive transistor
US5172052A (en) * 1990-07-23 1992-12-15 Iimorrow, Inc. Current sensor assembly and method
FR2666175B1 (fr) * 1990-08-21 1992-10-16 Thomson Csf Transistor a effet de champ a supraconducteur.
FR2674067B1 (fr) * 1991-03-15 1993-05-28 Thomson Csf Dispositif semiconducteur a effet josephson.
FR2675951B1 (fr) * 1991-04-23 1997-08-29 Thomson Csf Structure de jonction josephson.
FR2685489B1 (fr) * 1991-12-23 1994-08-05 Thomson Csf Capteur de champ magnetique faible a effet magnetoresistif.
FR2702919B1 (fr) * 1993-03-19 1995-05-12 Thomson Csf Transducteur magnétorésistif et procédé de réalisation.

Also Published As

Publication number Publication date
US5686879A (en) 1997-11-11
FR2734058A1 (fr) 1996-11-15
EP0742441A1 (fr) 1996-11-13
FR2734058B1 (fr) 1997-06-20

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