JPH07190804A - 磁気抵抗式センサ装置を備えた磁界測定装置 - Google Patents
磁気抵抗式センサ装置を備えた磁界測定装置Info
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- JPH07190804A JPH07190804A JP6277107A JP27710794A JPH07190804A JP H07190804 A JPH07190804 A JP H07190804A JP 6277107 A JP6277107 A JP 6277107A JP 27710794 A JP27710794 A JP 27710794A JP H07190804 A JPH07190804 A JP H07190804A
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- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 空間的にほぼ測定装置の長さに限られるか又
は不均一な磁界分布の測定が十分な感度で可能となるよ
うにする。 【構成】 不均一磁界Ｈｙを測定するための装置はブリ
ッジ回路３の２つの並列接続されたブリッジ枝辺Ｚ1 、
Ｚ2 を含んでおり、各ブリッジ枝辺Ｚ1 、Ｚ2 は磁界依
存性抵抗変化の予め定められた符号を持つ２つの磁気抵
抗式センサ装置をそれぞれ備えている。本発明によれ
ば、測定方向に見て全てのセンサ装置Ｅ1 〜Ｅ4 は外側
のセンサ装置Ｅ1 、Ｅ3 が異なったブリッジ枝辺Ｚ1 、
Ｚ2 に所属するように並置され、センサ装置Ｅ1 〜Ｅ4
は不均一性に整合した感度を有する。
は不均一な磁界分布の測定が十分な感度で可能となるよ
うにする。 【構成】 不均一磁界Ｈｙを測定するための装置はブリ
ッジ回路３の２つの並列接続されたブリッジ枝辺Ｚ1 、
Ｚ2 を含んでおり、各ブリッジ枝辺Ｚ1 、Ｚ2 は磁界依
存性抵抗変化の予め定められた符号を持つ２つの磁気抵
抗式センサ装置をそれぞれ備えている。本発明によれ
ば、測定方向に見て全てのセンサ装置Ｅ1 〜Ｅ4 は外側
のセンサ装置Ｅ1 、Ｅ3 が異なったブリッジ枝辺Ｚ1 、
Ｚ2 に所属するように並置され、センサ装置Ｅ1 〜Ｅ4
は不均一性に整合した感度を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、直列に位置する２つの
センサ装置とこれらのセンサ装置間に位置するブリッジ
回路測定点とをそれぞれ備えた２つの並列接続されたブ
リッジ枝辺を有するブリッジ回路内に組み込まれた磁気
抵抗式センサ装置によって少なくとも１つの測定方向の
予め定められた不均一性の磁界を測定するための磁界測
定装置であって、ブリッジ回路の全てのセンサ装置が、
測定方向において磁界を高い感度で検出することができ
るように、空間的に互いに配置されかつその磁界依存性
抵抗変化の符号を接続された磁界測定装置に関する。
センサ装置とこれらのセンサ装置間に位置するブリッジ
回路測定点とをそれぞれ備えた２つの並列接続されたブ
リッジ枝辺を有するブリッジ回路内に組み込まれた磁気
抵抗式センサ装置によって少なくとも１つの測定方向の
予め定められた不均一性の磁界を測定するための磁界測
定装置であって、ブリッジ回路の全てのセンサ装置が、
測定方向において磁界を高い感度で検出することができ
るように、空間的に互いに配置されかつその磁界依存性
抵抗変化の符号を接続された磁界測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の測定装置は本文献「Ｓｅｎｓｏ
ｒｓ」（ゲーペル（Ｗ．Ｇｏｅｐｅｌ）他著、第５巻、
１９８９年発行、ドイツ連邦共和国ＶＣＨ出版社、第３
４１頁〜第３８０頁、特に３６９頁及び第３７０頁参
照）により公知である。
ｒｓ」（ゲーペル（Ｗ．Ｇｏｅｐｅｌ）他著、第５巻、
１９８９年発行、ドイツ連邦共和国ＶＣＨ出版社、第３
４１頁〜第３８０頁、特に３６９頁及び第３７０頁参
照）により公知である。
【０００３】この測定装置のセンサ装置はＭＲ素子とも
称される少なくとも１つの磁気抵抗式センサ素子によっ
てそれぞれ形成されている。この種の素子は一般に条帯
状に形成され、そして特に異方性磁気抵抗を有する強磁
性物質から成る薄膜を含んでいる。電極を介して素子に
は一定方向の電流Ｉが印加される。素子内の抵抗変化は
磁気抵抗薄膜の磁化Ｍと電流Ｉとの間の角度φに依存
し、主としｃｏｓ2 （φ）関数に従う。φ＝０°又はφ
＝１８０°の場合、すなわち電流Ｉに対して磁化の方向
が平行又は逆平行に向く場合、センサ素子の抵抗変化は
零であり、それゆえその抵抗は通常の等方性オーム抵抗
に相当する。それに対して、φ＝±９０°の場合、すな
わち電流Ｉに対して磁化Ｍの方向が垂直に向く場合、抵
抗変化は通常の等方性抵抗に対して最大になる。φ＝±
４５°の領域では、抵抗変化は角度φに広範囲に亘って
一次式にて依存し、センサ素子の感度は最大になる。セ
ンサ素子における薄膜の磁化Ｍは、外部磁界が存在しな
いと、条帯の幾何形状に依存して静止磁化又は平衡磁化
Ｍ0 と称される最低エネルギーの平衡状態に沿って向
く。磁化Ｍに対して垂直な磁界成分Ｈｍを持つ外部磁界
は磁化Ｍをその平衡状態から回転させ、それによってセ
ンサ素子に抵抗変化を生ぜしめる。この抵抗変化は測定
信号として検出され得る。
称される少なくとも１つの磁気抵抗式センサ素子によっ
てそれぞれ形成されている。この種の素子は一般に条帯
状に形成され、そして特に異方性磁気抵抗を有する強磁
性物質から成る薄膜を含んでいる。電極を介して素子に
は一定方向の電流Ｉが印加される。素子内の抵抗変化は
磁気抵抗薄膜の磁化Ｍと電流Ｉとの間の角度φに依存
し、主としｃｏｓ2 （φ）関数に従う。φ＝０°又はφ
＝１８０°の場合、すなわち電流Ｉに対して磁化の方向
が平行又は逆平行に向く場合、センサ素子の抵抗変化は
零であり、それゆえその抵抗は通常の等方性オーム抵抗
に相当する。それに対して、φ＝±９０°の場合、すな
わち電流Ｉに対して磁化Ｍの方向が垂直に向く場合、抵
抗変化は通常の等方性抵抗に対して最大になる。φ＝±
４５°の領域では、抵抗変化は角度φに広範囲に亘って
一次式にて依存し、センサ素子の感度は最大になる。セ
ンサ素子における薄膜の磁化Ｍは、外部磁界が存在しな
いと、条帯の幾何形状に依存して静止磁化又は平衡磁化
Ｍ0 と称される最低エネルギーの平衡状態に沿って向
く。磁化Ｍに対して垂直な磁界成分Ｈｍを持つ外部磁界
は磁化Ｍをその平衡状態から回転させ、それによってセ
ンサ素子に抵抗変化を生ぜしめる。この抵抗変化は測定
信号として検出され得る。
【０００４】電流Ｉの方向が素子の長手方向に対して平
行に向く磁気抵抗式センサ素子の例は知られている。こ
の例においては、センサ素子は素子の長手方向に対して
平行に延在する磁化優先軸を有する。それにより測定磁
界Ｈｍに広範囲に亘って二次式にて依存するセンサ特性
曲線が得られる。他の例においては、優先軸はセンサ素
子の長手軸線に対して４５°の角度で向く。このような
素子は広範囲に亘る直線特性線を持つことが特徴であ
る。
行に向く磁気抵抗式センサ素子の例は知られている。こ
の例においては、センサ素子は素子の長手方向に対して
平行に延在する磁化優先軸を有する。それにより測定磁
界Ｈｍに広範囲に亘って二次式にて依存するセンサ特性
曲線が得られる。他の例においては、優先軸はセンサ素
子の長手軸線に対して４５°の角度で向く。このような
素子は広範囲に亘る直線特性線を持つことが特徴であ
る。
【０００５】さらに、直線特性線を持つ他の磁気抵抗式
センサ素子も知られている。この素子においては、優先
軸の方向、従って平衡磁化Ｍ0 は長手方向に対して平行
に調整され、一方電流Ｉの電流方向はこの優先軸とはほ
ぼ逆方向に回転されて延在する。このことは例えば金の
ような良導電性金属から成る薄い導電膜条帯を素子上に
設けることによって達成される。その場合、全ての導電
膜条帯は素子の長手方向に対して±４５°の角度に傾け
られる。電流Ｉはその磁気抵抗式センサ素子においては
隣接する導電膜条帯間を長手方向に対して、従って平衡
磁化Ｍ0 に対してほぼ−４５°又は＋４５°の角度で流
れる。このようなセンサ素子は“バーバー・ポール（理
髪店の看板柱）センサ”とも称される（上記本文献「Ｓ
ｅｎｓｏｒｓ」）第５巻、第３５０頁〜第３５５頁参
照）。
センサ素子も知られている。この素子においては、優先
軸の方向、従って平衡磁化Ｍ0 は長手方向に対して平行
に調整され、一方電流Ｉの電流方向はこの優先軸とはほ
ぼ逆方向に回転されて延在する。このことは例えば金の
ような良導電性金属から成る薄い導電膜条帯を素子上に
設けることによって達成される。その場合、全ての導電
膜条帯は素子の長手方向に対して±４５°の角度に傾け
られる。電流Ｉはその磁気抵抗式センサ素子においては
隣接する導電膜条帯間を長手方向に対して、従って平衡
磁化Ｍ0 に対してほぼ−４５°又は＋４５°の角度で流
れる。このようなセンサ素子は“バーバー・ポール（理
髪店の看板柱）センサ”とも称される（上記本文献「Ｓ
ｅｎｓｏｒｓ」）第５巻、第３５０頁〜第３５５頁参
照）。
【０００６】一般に磁気抵抗式センサ素子はそのセンサ
特性曲線の安定化のために外部支援磁界つまりバイアス
磁界Ｈｂ内に配置される。単純な磁気抵抗式センサ素子
を有する上記両例の場合、バイアス磁界Ｈｂは一般に素
子の優先軸に対して平行に向けられる。長手軸線に対し
て±４５°に傾けられた優先軸を有する例の場合、バイ
アス磁界Ｈｂに対して垂直に印加された測定磁界Ｈｍに
対する測定感度は、バイアス磁界Ｈｂが優先軸に対して
垂直に調整される際にはバイアス磁界Ｈｂが優先軸に対
して平行に向けられる際よりも明らかに大きい（刊行物
「Ｐｈｙｓ．ｓｔａｔ．ｓｏｌ．（ａ）」第６０巻、１
９８０年発行、第４６７頁〜第４７３頁参照）。これに
対して、バーバー・ポール形磁気抵抗式センサ素子の場
合、バイアス磁界Ｈｂは何時も優先軸に対して、従って
長手軸線に対して平行に向けられる。バーバー・ポール
形磁気抵抗式センサ素子の場合には、電流Ｉによって内
部バイアス磁界Ｈｂ´は素子の優先軸に対して平行に作
られる（上記文献「Ｓｅｎｓｏｒｓ」）第５巻、第３６
６頁参照）。
特性曲線の安定化のために外部支援磁界つまりバイアス
磁界Ｈｂ内に配置される。単純な磁気抵抗式センサ素子
を有する上記両例の場合、バイアス磁界Ｈｂは一般に素
子の優先軸に対して平行に向けられる。長手軸線に対し
て±４５°に傾けられた優先軸を有する例の場合、バイ
アス磁界Ｈｂに対して垂直に印加された測定磁界Ｈｍに
対する測定感度は、バイアス磁界Ｈｂが優先軸に対して
垂直に調整される際にはバイアス磁界Ｈｂが優先軸に対
して平行に向けられる際よりも明らかに大きい（刊行物
「Ｐｈｙｓ．ｓｔａｔ．ｓｏｌ．（ａ）」第６０巻、１
９８０年発行、第４６７頁〜第４７３頁参照）。これに
対して、バーバー・ポール形磁気抵抗式センサ素子の場
合、バイアス磁界Ｈｂは何時も優先軸に対して、従って
長手軸線に対して平行に向けられる。バーバー・ポール
形磁気抵抗式センサ素子の場合には、電流Ｉによって内
部バイアス磁界Ｈｂ´は素子の優先軸に対して平行に作
られる（上記文献「Ｓｅｎｓｏｒｓ」）第５巻、第３６
６頁参照）。
【０００７】これらの全ての公知の磁気抵抗式センサ素
子は最大測定感度の方向を有している。すなわち、各磁
気抵抗式センサ素子はこの方向における外部測定磁界の
測定磁界成分に最大感度で感応する。
子は最大測定感度の方向を有している。すなわち、各磁
気抵抗式センサ素子はこの方向における外部測定磁界の
測定磁界成分に最大感度で感応する。
【０００８】磁界成分Ｈｍを測定するために、４個の磁
気抵抗式センサ素子がホイートストンブリッジを構成す
ることができる。このブリッジにおいては２つの接続点
に一定電流が供給さる。これらの両接続点間には、直列
に位置する２つのセンサ素子からそれぞれ構成されてい
る２つのブリッジ枝辺が並列接続される。各ブリッジ枝
辺の両センサ素子間にはブリッジ回路の対角線測定点が
位置しており、これらの測定点から被検出磁界成分Ｈｍ
に相当する測定信号が取り出される。ブリッジ回路が４
個の同一のセンサ素子から形成される場合、均一な磁界
成分を想定すると測定信号は大きさ及び符号が磁界成分
に比例する。
気抵抗式センサ素子がホイートストンブリッジを構成す
ることができる。このブリッジにおいては２つの接続点
に一定電流が供給さる。これらの両接続点間には、直列
に位置する２つのセンサ素子からそれぞれ構成されてい
る２つのブリッジ枝辺が並列接続される。各ブリッジ枝
辺の両センサ素子間にはブリッジ回路の対角線測定点が
位置しており、これらの測定点から被検出磁界成分Ｈｍ
に相当する測定信号が取り出される。ブリッジ回路が４
個の同一のセンサ素子から形成される場合、均一な磁界
成分を想定すると測定信号は大きさ及び符号が磁界成分
に比例する。
【０００９】このようなブリッジ回路は上記文献「Ｓｅ
ｎｓｏｒｓ」第５巻、特に第３６９頁及び第３７０頁に
記載されている。４個のセンサ素子は仮想正方形の４つ
のコーナに配置される。個々のセンサ素子がその磁界依
存性抵抗変化の符号を被検出磁界内でどのように向けら
れるかに応じて、ブリッジ回路の対角線測定点からは磁
界勾配に相当する測定信号が同様に得られる。
ｎｓｏｒｓ」第５巻、特に第３６９頁及び第３７０頁に
記載されている。４個のセンサ素子は仮想正方形の４つ
のコーナに配置される。個々のセンサ素子がその磁界依
存性抵抗変化の符号を被検出磁界内でどのように向けら
れるかに応じて、ブリッジ回路の対角線測定点からは磁
界勾配に相当する測定信号が同様に得られる。
【００１０】しかしながら、磁界変化が個々のセンサ素
子の間隔又は幅の大きさ内で生ずる不均一磁界分布を測
定するためには、センサ素子のブリッジ回路を有する公
知の測定装置には、難点がある。磁界が例えば１つの方
向において、例えば角度符号器（例えばドイツ連邦共和
国特許出願公開第４２０８９１８号公報参照）の絶対軌
跡上にもはや十分に均一に存在しないか又は局部的にし
か存在しない場合、個々のセンサ素子ならびにブリッジ
回路の寸法はある大きさに調整することができる。この
ことにより一般に主伸長方向におけるセンサ素子の長さ
を短縮することができる。バーバー・ポール形センサ素
子は、その斜めに配置された導電膜条帯の有効設置を可
能にするために、５以上、特に１０以上の長さ対幅比を
持たなければならない。しかしながら、センサ素子の長
さが短いために幅がそれに応じて減少すると、この素子
の感度も同様に低下する。このことは小さい磁界強度の
磁界を測定するべき場合には問題となる。つまり、４個
のセンサ素子から成るブリッジの感度は個々のセンサ素
子の減磁力によって主として素子の幅だけに依存し、長
さには依存しない。他方、抵抗は素子の幅及び長さに比
例する。
子の間隔又は幅の大きさ内で生ずる不均一磁界分布を測
定するためには、センサ素子のブリッジ回路を有する公
知の測定装置には、難点がある。磁界が例えば１つの方
向において、例えば角度符号器（例えばドイツ連邦共和
国特許出願公開第４２０８９１８号公報参照）の絶対軌
跡上にもはや十分に均一に存在しないか又は局部的にし
か存在しない場合、個々のセンサ素子ならびにブリッジ
回路の寸法はある大きさに調整することができる。この
ことにより一般に主伸長方向におけるセンサ素子の長さ
を短縮することができる。バーバー・ポール形センサ素
子は、その斜めに配置された導電膜条帯の有効設置を可
能にするために、５以上、特に１０以上の長さ対幅比を
持たなければならない。しかしながら、センサ素子の長
さが短いために幅がそれに応じて減少すると、この素子
の感度も同様に低下する。このことは小さい磁界強度の
磁界を測定するべき場合には問題となる。つまり、４個
のセンサ素子から成るブリッジの感度は個々のセンサ素
子の減磁力によって主として素子の幅だけに依存し、長
さには依存しない。他方、抵抗は素子の幅及び長さに比
例する。
【００１１】このような問題を考慮して、米国特許第４
６３９８０７号明細書によれば、周期的磁界を測定する
ための特殊例として、並置された単純な磁気抵抗素子か
ら成るブリッジ回路が設けられる。しかし個々の素子は
二乗の抵抗特性線を有している。それゆえこれらの素子
は不均一磁界分布の磁界決定には適しない。
６３９８０７号明細書によれば、周期的磁界を測定する
ための特殊例として、並置された単純な磁気抵抗素子か
ら成るブリッジ回路が設けられる。しかし個々の素子は
二乗の抵抗特性線を有している。それゆえこれらの素子
は不均一磁界分布の磁界決定には適しない。
【００１２】雑誌「Ｍｅｓｓｅｎ，Ｓｔｅｕｅｒｎ，Ｒ
ｅｇｅｌｎ」（第３１巻、１９８８年発行、第３４８頁
〜第３５０頁参照）により、同様に磁気抵抗式センサ素
子を直線状に配置することが公知である。この公知の文
献においては、抵抗変化の符号を除いて、バーバー・ポ
ール形の同一個別素子が取り扱われている。その符号に
関する個々の素子の配置は実際上均一磁界だけを測定す
ることができるように行われる。
ｅｇｅｌｎ」（第３１巻、１９８８年発行、第３４８頁
〜第３５０頁参照）により、同様に磁気抵抗式センサ素
子を直線状に配置することが公知である。この公知の文
献においては、抵抗変化の符号を除いて、バーバー・ポ
ール形の同一個別素子が取り扱われている。その符号に
関する個々の素子の配置は実際上均一磁界だけを測定す
ることができるように行われる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、空間
的にほぼ測定装置の長さに限られるか又は不均一な磁界
分布の測定が十分な感度で可能となるように、冒頭で述
べた種類の測定装置を形成することにある。
的にほぼ測定装置の長さに限られるか又は不均一な磁界
分布の測定が十分な感度で可能となるように、冒頭で述
べた種類の測定装置を形成することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、本発明によれば、測定方向に見て全てのセンサ装置
は外側のセンサ装置が異なったブリッジ枝辺に所属する
ように並置され、センサ装置の感度は被検出磁界の不均
一性に整合させられる。
に、本発明によれば、測定方向に見て全てのセンサ装置
は外側のセンサ装置が異なったブリッジ枝辺に所属する
ように並置され、センサ装置の感度は被検出磁界の不均
一性に整合させられる。
【００１５】本発明は、ブリッジ回路には被検出磁界内
で晒される種々異なった磁界強度に対応して種々異なっ
た感度を有するセンサ装置が設けられるという考えに基
づいている。このようにして個々の各センサ装置は磁界
制限が有り得る主伸長方向へ最大長さにて伸ばすことが
できる。それによって、全ての素子のために比較的大き
な幅を選定し、従って個々の素子の感度ならびにブリッ
ジ回路全体の感度を増大させることができる。
で晒される種々異なった磁界強度に対応して種々異なっ
た感度を有するセンサ装置が設けられるという考えに基
づいている。このようにして個々の各センサ装置は磁界
制限が有り得る主伸長方向へ最大長さにて伸ばすことが
できる。それによって、全ての素子のために比較的大き
な幅を選定し、従って個々の素子の感度ならびにブリッ
ジ回路全体の感度を増大させることができる。
【００１６】誤った外部磁界が印加された際には測定点
に少なくとも殆ど電圧が現れないように個々のセンサ装
置の抵抗が設定されることは有利である。個々の抵抗を
設定するために以下の３つの方法が可能であり、これら
の方法を同時に組合せて使用することもできる。
に少なくとも殆ど電圧が現れないように個々のセンサ装
置の抵抗が設定されることは有利である。個々の抵抗を
設定するために以下の３つの方法が可能であり、これら
の方法を同時に組合せて使用することもできる。
【００１７】第１の方法は、個々のセンサ装置もしくは
そのセンサ素子の寸法（特に長さ）を予め与えることで
ある。
そのセンサ素子の寸法（特に長さ）を予め与えることで
ある。
【００１８】第２の方法は、個々のセンサ装置のセンサ
素子の個数を変えることである。
素子の個数を変えることである。
【００１９】第３の方法は、バーバー・ポール形センサ
素子において、導電膜条帯の条帯間隔及び／又は条帯幅
を予め決めることである。
素子において、導電膜条帯の条帯間隔及び／又は条帯幅
を予め決めることである。
【００２０】本発明による測定装置の他の有利な実施態
様は請求項３以降に記載されている。
様は請求項３以降に記載されている。
【００２１】
【実施例】次に本発明の実施例を、本発明による測定装
置のセンサ装置の種々異なったブリッジ回路装置が概略
的に示されている図面に基づいて説明する。なお、全て
の図は同じ表示方法にて示されており、その際に対応す
る部分には同一符号が付されている。
置のセンサ装置の種々異なったブリッジ回路装置が概略
的に示されている図面に基づいて説明する。なお、全て
の図は同じ表示方法にて示されており、その際に対応す
る部分には同一符号が付されている。
【００２２】図１に示されている実施例によれば、平坦
で必要な場合には曲げることもできる表面２上に４個の
センサ装置Ｅ1 、Ｅ2 、Ｅ3 、Ｅ4 がホイートストンブ
リッジの形式のブリッジ回路３を構成するように接続さ
れている。表面２はカーテシアンｘ−ｙ座標に基づいて
いる。各センサ装置Ｅi （ｉ＝１．．．４）はバーバー
・ポール形の単一センサ素子ｅi によって形成されてい
る。それゆえ、このセンサ素子はこの素子の主伸長方向
に対して斜めに延びる導体膜条帯５が上に設けられた条
帯状磁気抵抗膜４を有している。これらの導体膜条帯は
それぞれ条帯幅ｓを有し、相互間隔ａにて離間してい
る。主伸長方向に各センサ素子ｅi はｘ方向の長さＬを
有している。各センサ素子の長さに比して明らかに小さ
い幅Ｂはｙ方向に位置している。全ての４個のセンサ素
子ｅ1 〜ｅ4 は少なくともほぼ同じ寸法Ｌを有してい
る。ブリッジ回路は接続点Ａ1 、Ａ2 に一定電流で駆動
するために相応する電圧が印加される。一方の接続点は
例えばアース電位に接続することができる。これらの接
続点間には並列接続された２つのブリッジ枝辺Ｚ1 、Ｚ
2 が存在している。その場合、ブリッジ枝辺Ｚ1 ではセ
ンサ素子ｅ1 、ｅ2 が、ブリッジ枝辺Ｚ2 ではセンサ素
子ｅ3 、ｅ4 がそれぞれ直列に接続されている。ブリッ
ジ枝辺Ｚ1 の両センサ素子ｅ1 、ｅ2 間及びブリッジ枝
辺Ｚ2 の両センサ素子ｅ3 、ｅ4 間にはそれぞれ測定点
Ｍ1 、Ｍ2 が位置している。ブリッジ回路のこれらの測
定点からは測定電圧の形の測定信号が取出される。
で必要な場合には曲げることもできる表面２上に４個の
センサ装置Ｅ1 、Ｅ2 、Ｅ3 、Ｅ4 がホイートストンブ
リッジの形式のブリッジ回路３を構成するように接続さ
れている。表面２はカーテシアンｘ−ｙ座標に基づいて
いる。各センサ装置Ｅi （ｉ＝１．．．４）はバーバー
・ポール形の単一センサ素子ｅi によって形成されてい
る。それゆえ、このセンサ素子はこの素子の主伸長方向
に対して斜めに延びる導体膜条帯５が上に設けられた条
帯状磁気抵抗膜４を有している。これらの導体膜条帯は
それぞれ条帯幅ｓを有し、相互間隔ａにて離間してい
る。主伸長方向に各センサ素子ｅi はｘ方向の長さＬを
有している。各センサ素子の長さに比して明らかに小さ
い幅Ｂはｙ方向に位置している。全ての４個のセンサ素
子ｅ1 〜ｅ4 は少なくともほぼ同じ寸法Ｌを有してい
る。ブリッジ回路は接続点Ａ1 、Ａ2 に一定電流で駆動
するために相応する電圧が印加される。一方の接続点は
例えばアース電位に接続することができる。これらの接
続点間には並列接続された２つのブリッジ枝辺Ｚ1 、Ｚ
2 が存在している。その場合、ブリッジ枝辺Ｚ1 ではセ
ンサ素子ｅ1 、ｅ2 が、ブリッジ枝辺Ｚ2 ではセンサ素
子ｅ3 、ｅ4 がそれぞれ直列に接続されている。ブリッ
ジ枝辺Ｚ1 の両センサ素子ｅ1 、ｅ2 間及びブリッジ枝
辺Ｚ2 の両センサ素子ｅ3 、ｅ4 間にはそれぞれ測定点
Ｍ1 、Ｍ2 が位置している。ブリッジ回路のこれらの測
定点からは測定電圧の形の測定信号が取出される。
【００２３】センサ装置Ｅ1 〜Ｅ4 すなわちそれらのセ
ンサ素子ｅ1 〜ｅ4 を用いて、センサ素子の相互間隔ｗ
の大きさ内では不均一である磁界の磁界分布を検出する
ことができる。なお、磁界分布は既知である、すなわち
予め与えられている。これは例えば上述したドイツ連邦
共和国特許出願公開第４２０８９１８号公報に引用され
ている回転位置発信器装置の場合が当てはまる。この磁
界分布のｙ方向成分は図１にはＨｙで示されている。そ
の場合、本発明による測定装置のセンサ装置は磁界がｘ
方向に空間的に制限されている場合にも設置することが
できる。しかしながら、磁界は例えば電流を導く導線の
場合のようにこのｘ方向にも同様にさらに延びることが
できる。本発明によれば、一方では、全ての４個のセン
サ素子ｅ1 〜ｅ4 は、その主伸長方向すなわちその長さ
Ｌが全て少なくとも十分にｘ方向を示すように、互いに
平行に向けられている。他方では、センサ素子の磁気抵
抗膜４上に導体膜条帯５を整列させることによって、磁
界成分Ｈｙの影響によるその抵抗変化は予め決められた
符号を有することが保証される。このように、１つのブ
リッジ枝辺に所属する複数のセンサ装置はこの磁界成分
に対して異なった符号を持たなければならない。さら
に、両外側センサ装置は異なったブリッジ枝辺に所属し
なくてはならない。それゆえに、図１に示された実施例
によれば、センサ素子はｙ方向へ、即ち、ｅ1 −ｅ2 −
ｅ4 −ｅ3 と連なっている。その場合、センサ素子
ｅ1 、ｅ4 は正の抵抗変化を示し、他のセンサ素子
ｅ2 、ｅ3 は負の抵抗変化を示す。図においてはこれら
の異なった抵抗変化は“＋”符号及び“−”符号によっ
て表されている。両外側センサ素子ｅ1 、ｅ3 は異なっ
たブリッジ枝辺（Ｚ1 、Ｚ2 ）に所属している。
ンサ素子ｅ1 〜ｅ4 を用いて、センサ素子の相互間隔ｗ
の大きさ内では不均一である磁界の磁界分布を検出する
ことができる。なお、磁界分布は既知である、すなわち
予め与えられている。これは例えば上述したドイツ連邦
共和国特許出願公開第４２０８９１８号公報に引用され
ている回転位置発信器装置の場合が当てはまる。この磁
界分布のｙ方向成分は図１にはＨｙで示されている。そ
の場合、本発明による測定装置のセンサ装置は磁界がｘ
方向に空間的に制限されている場合にも設置することが
できる。しかしながら、磁界は例えば電流を導く導線の
場合のようにこのｘ方向にも同様にさらに延びることが
できる。本発明によれば、一方では、全ての４個のセン
サ素子ｅ1 〜ｅ4 は、その主伸長方向すなわちその長さ
Ｌが全て少なくとも十分にｘ方向を示すように、互いに
平行に向けられている。他方では、センサ素子の磁気抵
抗膜４上に導体膜条帯５を整列させることによって、磁
界成分Ｈｙの影響によるその抵抗変化は予め決められた
符号を有することが保証される。このように、１つのブ
リッジ枝辺に所属する複数のセンサ装置はこの磁界成分
に対して異なった符号を持たなければならない。さら
に、両外側センサ装置は異なったブリッジ枝辺に所属し
なくてはならない。それゆえに、図１に示された実施例
によれば、センサ素子はｙ方向へ、即ち、ｅ1 −ｅ2 −
ｅ4 −ｅ3 と連なっている。その場合、センサ素子
ｅ1 、ｅ4 は正の抵抗変化を示し、他のセンサ素子
ｅ2 、ｅ3 は負の抵抗変化を示す。図においてはこれら
の異なった抵抗変化は“＋”符号及び“−”符号によっ
て表されている。両外側センサ素子ｅ1 、ｅ3 は異なっ
たブリッジ枝辺（Ｚ1 、Ｚ2 ）に所属している。
【００２４】図１に示されたブリッジ回路装置３の実施
例は特に空間的に制限されるかもしくは不均一な磁界を
測定するのに適する。個々の各センサ素子ｅi はその場
合必要に応じて空間的磁界制限が有り得るｘ方向に最大
長さＬを目指して伸びることができる。さらに、全ての
センサ素子のために大きな幅を選定し、それにより個々
の各センサ素子の感度並びにブリッジ回路装置全体の感
度を増大させることもできる。
例は特に空間的に制限されるかもしくは不均一な磁界を
測定するのに適する。個々の各センサ素子ｅi はその場
合必要に応じて空間的磁界制限が有り得るｘ方向に最大
長さＬを目指して伸びることができる。さらに、全ての
センサ素子のために大きな幅を選定し、それにより個々
の各センサ素子の感度並びにブリッジ回路装置全体の感
度を増大させることもできる。
【００２５】測定方向、すなわちｙ方向にはブリッジ回
路装置の領域内に磁界分布Ｈｙが不均一に又は局部的に
存在する。その場合、測定方向に見て外側に位置するセ
ンサ素子の幅Ｂは内側に位置するセンサ素子の幅Ｂ´に
比べて、これらのセンサ素子がそこに生ずる磁界に整合
する感度を持つように変えることができる。ブリッジ回
路装置３の実施例の場合、外側に位置するセンサ素子ｅ
1 、ｅ3 は小さい磁界強度を持つ磁界内に位置するよう
にされる。その場合、外側の素子が比較的大きい感度を
有するようにするために、外側に位置する素子の幅Ｂは
内側に位置する素子ｅ2 、ｅ4 の幅Ｂ´に比べて大きく
されている。センサ素子の抵抗を適当に設定することに
よって、ブリッジ回路装置３の測定点Ｍ1 、Ｍ2 間には
誤った外部磁界が印加されても実際上何等の電圧信号も
生じない。
路装置の領域内に磁界分布Ｈｙが不均一に又は局部的に
存在する。その場合、測定方向に見て外側に位置するセ
ンサ素子の幅Ｂは内側に位置するセンサ素子の幅Ｂ´に
比べて、これらのセンサ素子がそこに生ずる磁界に整合
する感度を持つように変えることができる。ブリッジ回
路装置３の実施例の場合、外側に位置するセンサ素子ｅ
1 、ｅ3 は小さい磁界強度を持つ磁界内に位置するよう
にされる。その場合、外側の素子が比較的大きい感度を
有するようにするために、外側に位置する素子の幅Ｂは
内側に位置する素子ｅ2 、ｅ4 の幅Ｂ´に比べて大きく
されている。センサ素子の抵抗を適当に設定することに
よって、ブリッジ回路装置３の測定点Ｍ1 、Ｍ2 間には
誤った外部磁界が印加されても実際上何等の電圧信号も
生じない。
【００２６】図２及び図３に示されているブリッジ回路
装置８、９の実施例においては、個々のセンサ素子ｅ1
〜ｅ4 の抵抗はそれぞれのブリッジ回路内では同じ大き
さを有することが保証されている。このことは各センサ
素子の長さＬと幅Ｂ又はＢ´との比が一定に保たれるこ
とによって達成される。例えば外側に位置するセンサ素
子ｅ1 、ｅ3 の幅Ｂが大きくなると、これらのセンサ素
子の長さＬが同様に大きくされるか又は内側に位置する
センサ素子ｅ4 、ｅ2 の長さＬ´ が相応して短くされ
る。このために、製造方法により全てのセンサ素子の個
々の磁気抵抗膜４の厚みは一定に保持されるものとす
る。
装置８、９の実施例においては、個々のセンサ素子ｅ1
〜ｅ4 の抵抗はそれぞれのブリッジ回路内では同じ大き
さを有することが保証されている。このことは各センサ
素子の長さＬと幅Ｂ又はＢ´との比が一定に保たれるこ
とによって達成される。例えば外側に位置するセンサ素
子ｅ1 、ｅ3 の幅Ｂが大きくなると、これらのセンサ素
子の長さＬが同様に大きくされるか又は内側に位置する
センサ素子ｅ4 、ｅ2 の長さＬ´ が相応して短くされ
る。このために、製造方法により全てのセンサ素子の個
々の磁気抵抗膜４の厚みは一定に保持されるものとす
る。
【００２７】図２及び図３に示されているブリッジ回路
装置８、９は個々のセンサ素子ｅiの空間的配置とその
抵抗変化の符号だけが異なっている。勿論、ブリッジ回
路装置の図示された実施例のために、図１に示された実
施例を基礎とする接続を選定することもできる。
装置８、９は個々のセンサ素子ｅiの空間的配置とその
抵抗変化の符号だけが異なっている。勿論、ブリッジ回
路装置の図示された実施例のために、図１に示された実
施例を基礎とする接続を選定することもできる。
【００２８】図１乃至図３によれば、個々のブリッジ回
路装置のセンサ装置Ｅ1 〜Ｅ4 はそれぞれ単一のセンサ
素子ｅi から構成されることに基づいている。この場合
ｎ＝１である（なおｎはセンサ装置毎のセンサ素子の個
数を表す）。しかしながらセンサ装置の電気抵抗を高め
るために、少なくとも２個のセンサ素子を蛇行状に直列
接続することもできる。これに対応する実施例がｎ＝２
の場合の例として図４に示されている。図１乃至図３に
おけるｅi の代わりにこの図４においてはｅi1、ｅ
i2（ｉ＝１又は４）がブリッジ回路の抵抗を形成する。
路装置のセンサ装置Ｅ1 〜Ｅ4 はそれぞれ単一のセンサ
素子ｅi から構成されることに基づいている。この場合
ｎ＝１である（なおｎはセンサ装置毎のセンサ素子の個
数を表す）。しかしながらセンサ装置の電気抵抗を高め
るために、少なくとも２個のセンサ素子を蛇行状に直列
接続することもできる。これに対応する実施例がｎ＝２
の場合の例として図４に示されている。図１乃至図３に
おけるｅi の代わりにこの図４においてはｅi1、ｅ
i2（ｉ＝１又は４）がブリッジ回路の抵抗を形成する。
【００２９】さらに、ｎ＞１の場合に対しては、不均一
な磁界分布において各センサ装置のセンサ素子を高い磁
界強度を持つ磁界領域内に配置するために、それぞれ２
つのセンサ装置のセンサ素子ｅij（ｊ＞１に対して）を
互いに空間的に混在させることができる。また、センサ
素子幅Ｂは所望の感度に応じて調整することができ、し
かも個々のセンサ素子の長さ対幅の比によって各センサ
装置を調和させることができる。
な磁界分布において各センサ装置のセンサ素子を高い磁
界強度を持つ磁界領域内に配置するために、それぞれ２
つのセンサ装置のセンサ素子ｅij（ｊ＞１に対して）を
互いに空間的に混在させることができる。また、センサ
素子幅Ｂは所望の感度に応じて調整することができ、し
かも個々のセンサ素子の長さ対幅の比によって各センサ
装置を調和させることができる。
【００３０】図４に示されたブリッジ回路装置１１の実
施例においては、両内側センサ装置Ｅ3 、Ｅ2 はそれぞ
れ単一のセンサ素子ｅ3 、ｅ2 だけから形成されている
のに対して、両外側センサ装置Ｅ1 、Ｅ4 はそれぞれ２
個のセンサ素子ｅ11＋ｅ12、ｅ41＋ｅ42を有している。
異なった個数のセンサ素子を有するセンサ装置のこの実
施例では、各センサ装置の所望の全抵抗は個々のセンサ
素子の長さ対幅比の調整によって設定することができ
る。それゆえ、ブリッジ回路装置１１において、センサ
素子ｅ3 、ｅ2 の長さＬ´は他のセンサ素子ｅ11、
ｅ12、ｅ41、ｅ42の長さＬより大きく選定され、一方こ
れらのセンサ素子ｅ11、ｅ12、ｅ41、ｅ42は幅Ｂ´を持
つ中央センサ素子ｅ3 、ｅ2 より大きな幅Ｂを有してい
る。
施例においては、両内側センサ装置Ｅ3 、Ｅ2 はそれぞ
れ単一のセンサ素子ｅ3 、ｅ2 だけから形成されている
のに対して、両外側センサ装置Ｅ1 、Ｅ4 はそれぞれ２
個のセンサ素子ｅ11＋ｅ12、ｅ41＋ｅ42を有している。
異なった個数のセンサ素子を有するセンサ装置のこの実
施例では、各センサ装置の所望の全抵抗は個々のセンサ
素子の長さ対幅比の調整によって設定することができ
る。それゆえ、ブリッジ回路装置１１において、センサ
素子ｅ3 、ｅ2 の長さＬ´は他のセンサ素子ｅ11、
ｅ12、ｅ41、ｅ42の長さＬより大きく選定され、一方こ
れらのセンサ素子ｅ11、ｅ12、ｅ41、ｅ42は幅Ｂ´を持
つ中央センサ素子ｅ3 、ｅ2 より大きな幅Ｂを有してい
る。
【００３１】個々のセンサ素子の条帯方向に導体膜条帯
によって構成された支援磁界が必要でないか又はかかる
支援磁界が十分に大きい場合、図１乃至図４に示された
実施例においては、ブリッジ回路内の個別抵抗が等しい
大きさとなるようにするために、従って誤った外部磁界
が印加された際に測定信号が“０”となるようにするた
めに、導体膜条帯の予め決められた条帯幅ｓ及び／又は
予め決められた条帯間隔ａを選定することができる。ブ
リッジ回路装置１２の相応する実施例が図５に示されて
いる。この図５において、個々のセンサ素子ｅ1 〜ｅ4
の接続は図１に基づいている。金属条帯が等しい幅ｓ及
び等しい間隔ａを有する場合、センサ素子ｅ1 、ｅ3 は
その幅が大きいので小さい素子抵抗を有する。センサ素
子ｅ2 、ｅ4 より小さい条帯幅ｓ又は大きい間隔ａが選
定されると、これによって全ての４個のセンサ素子ｅ1
〜ｅ4 の抵抗は互いに同化される。
によって構成された支援磁界が必要でないか又はかかる
支援磁界が十分に大きい場合、図１乃至図４に示された
実施例においては、ブリッジ回路内の個別抵抗が等しい
大きさとなるようにするために、従って誤った外部磁界
が印加された際に測定信号が“０”となるようにするた
めに、導体膜条帯の予め決められた条帯幅ｓ及び／又は
予め決められた条帯間隔ａを選定することができる。ブ
リッジ回路装置１２の相応する実施例が図５に示されて
いる。この図５において、個々のセンサ素子ｅ1 〜ｅ4
の接続は図１に基づいている。金属条帯が等しい幅ｓ及
び等しい間隔ａを有する場合、センサ素子ｅ1 、ｅ3 は
その幅が大きいので小さい素子抵抗を有する。センサ素
子ｅ2 、ｅ4 より小さい条帯幅ｓ又は大きい間隔ａが選
定されると、これによって全ての４個のセンサ素子ｅ1
〜ｅ4 の抵抗は互いに同化される。
【図１】４個のセンサ素子を備えたブリッジ回路の第１
実施例を示す結線図。
実施例を示す結線図。
【図２】４個のセンサ素子を備えたブリッジ回路の第２
実施例を示す結線図。
実施例を示す結線図。
【図３】４個のセンサ素子を備えたブリッジ回路の第３
実施例を示す結線図。
実施例を示す結線図。
【図４】５個以上のセンサ素子を備えたブリッジ回路の
第４実施例を示す結線図。
第４実施例を示す結線図。
【図５】４個のセンサ素子を備えたブリッジ回路の第５
実施例を示す結線図。
実施例を示す結線図。
２ 表面 ３ ブリッジ回路装置 ４ 磁気抵抗膜 ５ 導体膜条帯 ８、９、１１、１２ ブリッジ回路装置 Ｅi 磁気抵抗式センサ装置 ｅi 、ｅij センサ素子 Ａ1 、Ａ2 接続点 Ｍ1 、Ｍ2 測定点 Ｚ1 、Ｚ2 ブリッジ枝辺 Ｌ、Ｌ´ センサ素子の長さ Ｂ、Ｂ´ センサ素子の間隔 ｗ 隣接するセンサ素子の間隔 Ｈｙ 磁界成分 ｓ 条帯幅 ａ 条帯間隔
Claims (10)
- 【請求項１】 直列に位置する２つのセンサ装置とこれ
らのセンサ装置間に位置するブリッジ回路測定点とをそ
れぞれ備えた２つの並列接続されたブリッジ枝辺を有す
るブリッジ回路内に組み込まれた磁気抵抗式センサ装置
によって少なくとも１つの測定方向の予め定められた不
均一性の磁界を測定するための磁界測定装置であって、
ブリッジ回路の全てのセンサ装置が、測定方向において
磁界を高い感度で検出することができるように、空間的
に互いに配置されかつその磁界依存性抵抗変化の符号を
接続された磁界測定装置において、測定方向に見て全て
のセンサ装置（Ｅ1 〜Ｅ4 ）は外側のセンサ装置が異な
ったブリッジ枝辺（Ｚ1、Ｚ2 ）に所属するように並置
され、前記センサ装置（Ｅ1 〜Ｅ4 ）の感度は被検出磁
界（Ｈｙ）の不均一性に整合させられることを特徴とす
る磁気抵抗式センサ装置を備えた磁界測定装置。 - 【請求項２】 個々のセンサ装置（Ｅ1 〜Ｅ4 ）の電気
抵抗は誤った磁界（Ｈｙ）が印加された際には測定点
（Ｍ1 、Ｍ2 ）に少なくとも殆ど電圧が現れないように
設定されることを特徴とする請求項１記載の磁界測定装
置。 - 【請求項３】 測定方向に見て、一方のブリッジ枝辺
（Ｚ2 ）から成るセンサ装置（Ｅ4 、Ｅ3 ）は他方のブ
リッジ枝辺（Ｚ1 ）のセンサ装置（Ｅ1 、Ｅ2）の後に
配置されることを特徴とする請求項１又は２記載の磁界
測定装置。 - 【請求項４】 測定方向に見て、両ブリッジ枝辺
（Ｚ1 、Ｚ2 ）のセンサ装置（Ｅ1 、Ｅ4 、Ｅ2 、
Ｅ3 ）は交互に配置されていることを特徴とする請求項
１又は２記載の磁界測定装置。 - 【請求項５】 各ブリッジ枝辺（Ｚ1 、Ｚ2 ）において
センサ装置（Ｅ1 〜Ｅ4 ）はそれぞれ単一のセンサ素子
（ｅi ）から構成されることを特徴とする請求項１乃至
４の１つに記載の磁界測定装置。 - 【請求項６】 各ブリッジ枝辺（Ｚ1 、Ｚ2 ）において
少なくとも１つのセンサ装置（Ｅ1 、Ｅ4 ）は、測定方
向に関して同一符号の抵抗変化を生ずるように直列に接
続された複数のセンサ素子（ｅij）から構成されること
を特徴とする請求項１乃至４の１つに記載の磁界測定装
置。 - 【請求項７】 各ブリッジ枝辺（Ｚ1 、Ｚ2 ）において
全てのセンサ素子（ｅi 、ｅij）は同一に形成されてい
ることを特徴とする請求項６記載の磁界測定装置。 - 【請求項８】 各ブリッジ枝辺（Ｚ1 、Ｚ2 ）には異な
った形状を持つセンサ素子（ｅi 、ｅij）が設けられて
いることを特徴とする請求項５又は６記載の磁界測定装
置。 - 【請求項９】 センサ素子（ｅi 、ｅij）としてバーバ
ー・ポール形の素子が設けられていることを特徴とする
請求項５乃至８の１つに記載の磁界測定装置。 - 【請求項１０】 バーバー・ポール形の各センサ素子
（ｅi 、ｅij）は、磁気抵抗物質製膜（４）上に、予め
定められた条帯幅（ｓ）と予め定められた相互条帯間隔
（ａ）とを有する導電膜条帯（５）を有し、異なった条
帯幅（ｓ）及び／又は異なった条帯間隔（ａ）を有する
少なくとも数個のセンサ素子が設けられていることを特
徴とする請求項９記載の磁界測定装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4335826.8 | 1993-10-20 | ||
| DE19934335826 DE4335826A1 (de) | 1993-10-20 | 1993-10-20 | Meßvorrichtung mit magnetoresistiven Sensoreinrichtungen in einer Brückenschaltung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07190804A true JPH07190804A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=6500614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6277107A Withdrawn JPH07190804A (ja) | 1993-10-20 | 1994-10-17 | 磁気抵抗式センサ装置を備えた磁界測定装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07190804A (ja) |
| DE (1) | DE4335826A1 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002525889A (ja) * | 1998-09-28 | 2002-08-13 | シーゲート テクノロジー，インコーポレイテッド | カッドｇｍｒサンドイッチ |
| CN103376426A (zh) * | 2012-04-20 | 2013-10-30 | 英飞凌科技股份有限公司 | 磁场传感器 |
| JP2014515470A (ja) * | 2011-04-06 | 2014-06-30 | ジャンス マルチディメンショナル テクノロジー シーオー．， エルティーディー | シングルチップ２軸ブリッジ型磁界センサ |
| WO2015107948A1 (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ |
| WO2015107949A1 (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ |
| JP2019066462A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 検出装置および検出システム |
| US10809097B2 (en) | 2017-09-29 | 2020-10-20 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Detector apparatus and detector system |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19507303A1 (de) * | 1995-03-02 | 1996-09-05 | Siemens Ag | Sensoreinrichtung mit einer Brückenschaltung von magnetoresistiven Sensorelementen |
| WO1998057188A1 (en) * | 1997-06-13 | 1998-12-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Sensor comprising a wheatstone bridge |
| DE10118650A1 (de) * | 2001-04-14 | 2002-10-17 | Philips Corp Intellectual Pty | Winkelsensor sowie Verfahren zum Erhöhen der Anisotropiefeldstärke einer Sensoreinheit eines Winkelsensors |
| DE10213941A1 (de) * | 2002-03-28 | 2003-10-30 | Bosch Gmbh Robert | Sensorelement und Gradiometeranordnung, deren Verwendung zum Messen von Magnetfeldgradienten und Verfahren hierzu |
| DE10342260B4 (de) | 2003-09-11 | 2014-11-20 | Meas Deutschland Gmbh | Magnetoresistiver Sensor in Form einer Halb- oder Vollbrückenschaltung |
| US11719772B2 (en) * | 2020-04-01 | 2023-08-08 | Analog Devices International Unlimited Company | AMR (XMR) sensor with increased linear range |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD228362A1 (de) * | 1984-05-31 | 1985-10-09 | Univ Schiller Jena | Anordnung zur messung von leitungstroemen in form eines magnetoresistiven wandlers |
| DE3447313A1 (de) * | 1984-12-24 | 1986-07-03 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Magnetfeldsensor |
| DE3514457A1 (de) * | 1985-04-22 | 1987-01-02 | Messtechnik Mellenbach Betrieb | Anordnung zur betrags- und richtungsmaessigen messung von magnetfeldern |
| JP2990822B2 (ja) * | 1991-03-14 | 1999-12-13 | ソニー・プレシジョン・テクノロジー株式会社 | 磁気センサ |
| DE4300605C2 (de) * | 1993-01-13 | 1994-12-15 | Lust Electronic Systeme Gmbh | Sensorchip |
| DE9312612U1 (de) * | 1993-08-23 | 1993-10-07 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Elimination eines Temperaturganges in einem Lagegeber, welcher magnetfeldabhängige Widerstände aufweist |
-
1993
- 1993-10-20 DE DE19934335826 patent/DE4335826A1/de not_active Withdrawn
-
1994
- 1994-10-17 JP JP6277107A patent/JPH07190804A/ja not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002525889A (ja) * | 1998-09-28 | 2002-08-13 | シーゲート テクノロジー，インコーポレイテッド | カッドｇｍｒサンドイッチ |
| JP2014515470A (ja) * | 2011-04-06 | 2014-06-30 | ジャンス マルチディメンショナル テクノロジー シーオー．， エルティーディー | シングルチップ２軸ブリッジ型磁界センサ |
| CN103376426A (zh) * | 2012-04-20 | 2013-10-30 | 英飞凌科技股份有限公司 | 磁场传感器 |
| US9612298B2 (en) | 2012-04-20 | 2017-04-04 | Infineon Technologies Ag | Magnetic field sensor having XMR elements in a full bridge circuit having diagonal elements sharing a same shape anisotropy |
| WO2015107948A1 (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ |
| WO2015107949A1 (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ |
| JPWO2015107948A1 (ja) * | 2014-01-15 | 2017-03-23 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ |
| JPWO2015107949A1 (ja) * | 2014-01-15 | 2017-03-23 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ |
| JP2019066462A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 検出装置および検出システム |
| US10809097B2 (en) | 2017-09-29 | 2020-10-20 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Detector apparatus and detector system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4335826A1 (de) | 1995-04-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |