JP2002525889A - カッドgmrサンドイッチ - Google Patents
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Abstract
Description
センサを導入するシステムに関するものである。
に読み出すことができるメディアを有する補助メモリー保存装置を含んでいる。
回転する磁気ディスクを導入する直接アクセス保存装置(ディスクドライブ)は
、ディスク表面上に磁気形態で保存するのに一般に使用されている。データは、
ディスク表面上の同心円状の放射状に配置されたトラックに記録される。次いで
、読み込みセンサを含む磁気ヘッドを使用してディスク上のトラックからデータ
を読み出す。
抗読み込みセンサは、薄膜誘導層よりも大きい直線密度でディスクの表面からデ
ータを読み込むことができるので普及している読み込みセンサである。MRセン
サは、MR検知層(「MR検知素子」とも言う)により検知された磁束の強度お
よび方向の関数としてMR層の抵抗値の変化を通じて磁界を検出するものである
。
子を通じた検知電流の流れとの間のコサインの二乗として変化する異方性磁気抵
抗(AMR)効果に基づくものである。記録された磁気メディア(単一フィール
ド)からの外部のフィールドがMR素子における磁気化の方向の変化を引き起こ
し、次いでMR素子における抵抗値および対応する検知した電流および電圧の変
化をもたらすので、記録されたデータは、磁気メディアから読み出すことができ
る。
検知層の抵抗値は、1層またはそれ以上の非磁気層(スペーサ)により分離され
た磁気層間の導電性素子の回転依存伝達と磁気層と非磁気層とのインタフェース
においてかつ磁気層内で生じる随伴する回転依存拡散との関数として変化する。
純GMRセンサは、非磁気スペーサ104により分離された二層の磁気層103
および105からなる。キャップ層106は、1層の磁気層105を被覆し、そ
してバッファ層102は、他の磁気層の下に配置される。全体の構造は、基板1
01上に付着されている。この単純なピン止めしていないGMRセンサ100は
、比較的弱い信号を生ずる限定されたGMRを提供する。 図1(b)は、ページに流れるバイアス電流を用いた前記ピン止めしていない
GMRセンサ100の磁気化方向を説明するものである。 図1(c)は、ページおよび印加した外部のフィールド111に流れるバイア
ス電流を用いた前記ピン止めしていないGMRセンサ100の磁気化方向を説明
するものである。十分に大きい外部フィールド111が印加された場合、磁気層
105および103の磁気化は、フィールド方向で整列し、そして抵抗値は少な
くなる。
単純なGMRセンサは、ブリッジ回路に使用されているが、首尾よく操作するた
めには、すなわち抵抗値の差を提供するためには、1組のGMRセンサは、シー
ルドされているかあるいは付加的にバイアスされていなければならない。この付
加的なシールドまたはバイアスは、ブリッジ回路に付加的な費用および複雑化を
付け加ることとなる。
ンサに対する要望がある。また、付加的なシールドまたはバイアスの複雑さを必
要とすることなしに異なるフィールドが電流密度に基づいて応答する磁気抵抗セ
ンサに対する要望もある。
含む磁気抵抗(GMR)センサが提供される。第一のスペーサ層が、前記第一の
3層に配置上されている。第一の磁気層が、前記第一のスペーサ層上に配置され
ている。第二のスペーサ層が、前記第一の磁気層上に配置されている。第二の磁
気層が、前記第二のスペーサ層上に配置されている。第三のスペーサ層が前記第
二の磁気層上に配置されている。第二の3層が前記第三のスペーサ層上に配置さ
れ、そしてキャップ層が前記第二の3層上に配置されている。前記第一および第
二の3層は、第一の強磁性体層、第二の強磁性体層および前記第一および第二の
強磁性体層の間に接触して配置された非平行カップリング層を含んでいる。
含む磁気抵抗センサ装置が提供される。第一のスペーサ層が、前記第一の3層に
配置上されている。第一の磁気層が、前記第一のスペーサ層上に配置されている
。第二のスペーサ層が、前記第一の磁気層上に配置されている。第二の磁気層が
、前記第二のスペーサ層上に配置されている。第三のスペーサ層が前記第二の磁
気層上に配置されている。第二の3層が前記第三のスペーサ層上に配置され、そ
してキャップ層が前記第二の3層上に配置されている。前記第一および第二の3
層は、第一の強磁性体層、第二の強磁性体層および前記第一および第二の強磁性
体層の間に接触して配置された非平行カップリング層を含んでいる。前記磁気抵
抗センサの抵抗値は、印加されたバイアス電流に依存するものである。
ドと結合された第一の一対の磁気抵抗構造体および第二の対向するホイートスト
ーンブリッジのノードと結合された第二の一対の磁気抵抗構造体を含むブリッジ
回路が提供される。前記第一の一対の磁気抵抗構造体は、外部フィールドがホイ
ートストーンブリッジに印加された際に前記第二の一対の磁気抵抗構造体よりも
高い電流密度を有するものである。
録ディスクを横切って前記磁気抵抗センサを移動させるアクチュエータおよび磁
気記録されたデータからのフィールドに対して第一および第二の積層の磁気化軸
の回転によって生じる前記磁気抵抗センサの抵抗値の変化を検出するための前記
磁気抵抗センサに電気的に結合された検出回路を含むディスクドライブシステム
が提供される。前記磁気抵抗センサは、基板および前記基板上に配置された第一
の3層を含んでいる。第一のスペーサ層が、前記第一の3層に配置上されている
。第一の磁気層が、前記第一のスペーサ層上に配置されている。第二のスペーサ
層が、前記第一の磁気層上に配置されている。第二の磁気層が、前記第二のスペ
ーサ層上に配置されている。第三のスペーサ層が前記第二の磁気層上に配置され
ている。第二の3層が前記第三のスペーサ層上に配置され、そしてキャップ層が
前記第二の3層上に配置されている。前記第一および第二の3層は、第一の強磁
性体層、第二の強磁性体層および前記第一および第二の強磁性体層の間に接触し
て配置された非平行カップリング層を含んでいる。
外部フィールドを測定する装置が提供される。前記装置は、ネットワーク端子(
A)および(B)の間に接続された第一抵抗子R1、ネットワーク端子(B)お
よび(C)の間に接続された第二の抵抗子R2、ネットワーク端子(C)および
(D)の間に接続された第三の抵抗子R3およびネットワーク端子(A)および
(D)の間に接続された第四の抵抗子R4、を含む端子電気ネットワーク(A、
B、C、D)を含んでいる。抵抗子R1およびR3は、フィールドをネットワーク
(A)および(C)を横切って印加した際に第一の電流密度を有しており、そし
て抵抗子R2およびR4は、フィールドをネットワーク(A)および(C)を横切
って印加した際に第二の電流密度を有している。前記第二の電流密度は、前記第
二の電流密度とは等しくない。また、この装置は、端子(B)および(D)を横
切る電位を検出するためのネットワーク端子(B)および(D)を横切って操作
可能に接続された手段も含んでいる。 本発明の前記並びに付加的な目的、特徴および利点は、以下の詳細に述べられ
た記載いで明らかになるであろう。
な説明である。この記載は、本発明の一般的原理を表すためになされたものであ
り、そして請求の範囲の発明の概念を限定するものではない。 図2は、本発明の実施の形態を表すディスクドライブシステム200を示す。
図2に示す通り、少なくとも1つの回動自在な磁気ディスク212がスピンドル
214に支持され、そして前記磁気ディスク212をディスクドライブモータに
より回転させる。各ディスク上の磁気記録メディアは、ディスク212上の同心
円データトラック(図示せず)の環状パターンの形態である。
ライダ213は、本発明のGMRセンサを導入する1個またはそれ以上の磁気読込
み/書出しヘッドを支持している。ディスクが回転すると、所望のデータを記録
したディスクの異なる位置にヘッドがアクセスできるようにスライダ213は、
内側または外側230に放射状に移動する。各スライダ213は懸架手段215
によりアクチュエータアーム219に取付けられている。懸架手段215は、デ
ィスク表面に対してスライダをバイアスさせる若干のばね力を提供する。
13上の空気軸受け表面213(読込みヘッドを含み表面に面するスライダ21
2の表面を空気軸受け表面(ABS)と言う)とスライダ213に対して上側へ
の力を発揮するかあるいはスライダ213を持ち上げる表面との間の空気軸受け
機構を発生する。ことのようにして空気軸受けは、懸架手段215の若干のばね
力を釣り合わせ、通常の操作の際にそして小さい実質的に一定の空間によりスラ
イダをディスク212の若干上側に支持する。
る制御信号、例えばアクセス制御信号および内部クロック信号による操作で制御
される。代表的には、制御ユニット229は、ロジック制御回路、保存手段およ
びマイクロプロセッサを含む。制御ユニットは、制御信号を発生して種々のシス
テム操作、例えばオンラインおよびヘッド位置での駆動モータ制御信号およびオ
ンラインでのシーク制御信号を制御する。オンラインでの制御信号は、所望の電
流プロファイルを提供してスライダ213をディスク212上の所望のデータト
ラックに最適に移動・配置する。
代表例を示すだけの目的である。ディスク保存システムが数多くのディスクおよ
びアクチュエータを含んでもよく、そして各アクチュエータが数多くのスライダ
を支持してもよいことは明白である。
図である。GMR構造体100の層は、数多くの技術、例えばスパッタ蒸着、イ
オンビーム蒸着等を用いて形成することができる。 GMR構造体100は、代表的には基板301上に形成される。基板301は
、ガラス、半導体材料またはセラミック材料を含む好適な基板のいずれかである
ことができる。ディスクドライブ用途に関して、基板301は、透過性ボトムシ
ールド層(図示せず)およびハーフギャップ絶縁体(図示せず)を含んでもよい
。バッファ層302が基板上に形成される。このバッファ層302を被覆して、
引き続いての層の結晶学的組織または粒子サイズを変更させ、そしてこれは基板
301に依存して必要としない場合がある。使用する場合には、バッファ層30
2を、タンタル(Ta)、ジルコニウム(Zr)、ニッケル−鉄(Ni-Fe)
またはAl2O3から構成することができる。このバッファ層302は、好ましく
は約20〜80オングストロームの厚さ、より好ましくは約35オングストロー
ムの厚さを有している。
は基板301上に形成される。この第一の3層320は、逆行カップリング(A
PC)層331により分離された第一の強磁性層332および第二の強磁性層3
30から構成されている。 第二の強磁性層330は、ニッケル−鉄、ニッケル-鉄−コバルト等の材料か
ら構成することができる。第二の強磁性層330は、バッファ層302または基
板301上に形成される。第二の強磁性層330は、好ましくは約10〜100
オングストロームの厚さ、より好ましくは約17オングストロームの厚さを有し
ている。
ら構成することができる。第一の強磁性層332は、APC層上に形成され、そ
してスペーサ331と接触している。第一の強磁性層332は、好ましくは約1
0〜100オングストロームの厚さ、より好ましくは約35オングストロームの
厚さを有している。
矢印で示すように逆行方向磁気的に強力にカップリングさせる。このAPC層3
31は、ルテリウム(Rh)、インジウムおよび/またはロジウムから形成する
ことができる。このAPC層331は、好ましくは約3〜12オングストローム
の厚さ、より好ましくは約9.5オングストロームの厚さを有している。
気モーメントを有している。このことは、第一の強磁性層332より薄い第二の
強磁性層を被覆することによって達成することができる。別法として、材料選択
だけで層の磁性モーメントを増加することも可能である。
スペーサ333はこのようにして第一の強磁性層332上に接触して形成される
。このスペーサ333は、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)等から形成する
ことができる。第一のスペーサ333は、好ましくは約25〜45オングストロ
ームの厚さ、より好ましくは約32オングストロームの厚さを有している。
GMR構造体332は、非磁性(第二の)スペーサ層304によって分離された
2つの磁性層303および305からなる。磁性層303および305は、ニッ
ケル−鉄、コバルト−鉄、ニッケル−コバルト−鉄等の材料から形成することが
できる。磁性層303および305は、好ましくは約10〜100オングストロ
ームの厚さ、より好ましくは約35オングストロームの厚さを有している。非磁
性スペーサ304は、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)等から形成すること
ができる。非磁性スペーサ304は、好ましくは約25〜45オングストローム
の厚さ、より好ましくは約32オングストロームの厚さを有している。次いで、
第二の磁性層305を、非磁性スペーサ303上に接触して形成する。
スペーサ334は、このようにし単純GMR構造体332上に接触して形成され
る。この第三のスペーサ層304は、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)等か
ら形成することができる。この第三のスペーサ304は、好ましくは約25〜4
5オングストロームの厚さ、より好ましくは約32オングストロームの厚さを有
している。
は、逆行カップリング(APC)層336により分離された第一の強磁性層33
5および第二の強磁性層337から構成されている。この3層構造体の材料およ
び寸法は、第一の3層に関して前述したものと同一であることが好ましい。 キャップ層306は、好適な保護材料、例えばタンタル(Ta)、Al2O3等
から形成することができる。キャップ層306を第二の3層321に被覆して活
性層を酸化、腐食等から保護する。キャップ層306は、好ましくは約20〜8
0オングストロームの厚さ、より好ましくは約35オングストロームの厚さを有
している。
構造体の断面図を示す。図3(b)は、図示する通りにスタックに垂直に導かれ
たバイアス電流310による相対的磁気化方向を説明する。層の数を増加すると
フィルムのGMRが増加し、その結果高い出力信号を生じる。図3(b)に示す
通り、外側の磁性層の正確な方向を有することが有効である。外側の強磁性層3
30および337は、内側の強磁性層335および332よりも高いモーメント
を有している。
の断面図である。中間強磁性層335、305、303、302は、図中→で示
す通りに整列されており、これによって低抵抗状態を構造体に与える。これらの
層は、インタフェースを横切って存在する少量の平行なカップリングにより整列
される。より薄い外側の強磁性層は整列されておらず、スペーサ層を横切る層の
磁気化方向によって決定できるので構造体の低い抵抗値に寄与していない。低抵
抗状態は、大きい外部フィールドを構造体に与えても達成することができる。
する移動曲線のグラフを示す。低いバイアス電流、好ましくは1mAを図3(c
)に示す構造体に印加した。図4(b)は、本発明によるGMR構造体からパタ
ーン化されたレジスタに関する移動曲線のグラフを示す。高いバイアス電流、好
ましくは20mAを図3(b)に示す構造体に印加した。
流での単純GMR構造体(図1(a))からパターン化されたレジスタに関する
移動曲線のグラフを示す。図5(b)は、図1(b)に示すような構造体に印加
された20mAバイアス電流での単純GMR構造体(図1(a))からパターン
化されたレジスタに関する移動曲線のグラフを示す。
本発明によるGMR構造体の移動曲線が、当該構造体に印加されたバイアス電流
の度合いに依存していることが見出される。より詳しくは、低バイアス電流を印
加した際にこの構造体は、低抵抗ゼロ外部フィールド状態を示し、そして高バイ
アス電流を印加した際にこの構造体は、高抵抗ゼロ外部フィールド状態を示す。
示した単純GMR構造体は、どのようなバイアス電流を印加しても高抵抗ゼロ外
部フィールド状態を示す。
600は、記述の通り本発明によるGMRセンサとして形成される。一定電流I in 602を当該センサに印加すると、一定電流Iout604となる。そのため、
例えばIinが少ない電流である場合にはIoutもそのようになる。Iinsmallにつ
いて、センサを横切る電位差が測定され、そしてこれは一定である。次いで、外
部フィールド608を印加すると、センサ600の抵抗値の変化が生じて、検知
した電位の変化が生じる。このセンサが本発明に従って構成されているので、大
きい入力電流に関するセンサの抵抗値の変化は、小さい入力電流に関するセンサ
の抵抗値の変化と異なる。従って、センサ606を横切る電位の変化、すなわち
センサの抵抗値の変化を検知することによって入力電流の度合いを検出すること
ができる
ッジ回路、好ましくはホイートストーンブリッジ回路を図7(a)〜(b)に回
路図として示す。周知の通り4個のGMR抵抗子のうちの二つが各々電気的に接
続されているブリッジの二つの対抗するノードの間に、図示するとおりに電圧イ
ン701およびアース702を接続する。
,B,C,D)を有している。第一の抵抗子R1がネットワーク端子(A)と(
B)に接続されており、第二の抵抗子R2がネットワーク端子(B)と(C)に
接続されており、第三の抵抗子R3がネットワーク端子(C)と(D)に接続さ
れており、そして第四の抵抗子R4がネットワーク端子(A)と(D)に接続さ
れている。フィールドをネットワーク(A)および(C)を横切って印加した際
に第一および第三の抵抗子R1およびR3が同一の電流密度を有しているのが好ま
しく、そして第二および第四の抵抗子R2およびR4が第一および第三の抵抗子R 1 およびR3の電流密度と異なる同一の電流密度を有しているのが好ましい。
ことができる。例えば、一定電圧は、端子701におけるVinである。出力電圧
Voutを検出しそしてゼロ外部フィールドにおいてゼロと等しくなる。Voutの変
化を検出することによって、外部フィールドの度合いを測定することができる。
印加フィールドにおける変化は、抵抗子R2およびR4の印加フィールドにおける
変化とは異ならなければならない。従来、単純GMR構造体を使用して、一組の
抵抗子をシールドすることによってこれを達成していた。これを達成するための
別の方法は、その移動曲線をこれらの抵抗子の抵抗値が増加または減少するよう
に移動するように一組の抵抗子をバイアスさせることであった。このバイアスを
達成する一つの方法は、外部フィールドを使用することである。このことは、も
ちろん付加的な電力および抵抗子移動曲線を移動させるための回路の複雑さを必
要とする欠点を有している。
抵抗子R2およびR4のものとは異なってパターン化する。より詳しく述べると、
電流密度が幅と反比例するので、抵抗子R1およびR3の電流密度が抵抗子R2お
よびR4の電流密度より低くなるように抵抗子R1およびR3の幅を広げる。図7
(b)は、本発明によるホイートストーンブリッジ回路の物理的構成を示す。好
ましくは、R1、R3とR2、R4との幅の比率は、約2:1から約20:1の範囲
である。
システムに被覆した。NiFeCo層をNiFeおよびCoFeターゲットに共
蒸着した。その他の全ての層を単一ターゲットから蒸着した。蒸着に先立って、
フォトレジストをパターン化し、そして装置を上昇(liftoff)法を用い
て規定した。
らなるカッド層GMRフィルムを蒸着し、そして装置上にパターン化した(図3
(a))。合成反強磁性層は、スペーサにより分離された2層の強磁性層の3層
構造体の形態とした。好ましい実施の形態において、全スペーサインターフェー
ス333、304、334を横切る磁性層の逆行磁性化方向で十分高い検知フィ
ールドが全体としてのスタックの最高抵抗値状態を提供するように外側層330
、337、すなわちスタックの中心から対峙する層を内部層より薄くなるように
した。外部磁界をストライプの長さのに適用すると、抵抗値が中間抵抗状態に減
少した。
る挙動をすることを見出した。より詳しくは、低いバイアス電流を印加すると、
低いゼロフィールドバイアス状態、すなわち外部フィールドが存在しない状態が
達成された。構造体の抵抗値は、外部フィールドの強度が増加するに従って増加
する。大きいバイアス電流を印加すると、高いゼロフィールドバイアス状態が達
成された。構造体の抵抗値は、外部フィールドの強度が増加するに従って減少す
る。図1(a)に示すような単純GMRセンサは、どのようなバイアス電流が印
加されても高いゼロフィールドを常に示す。
層GMR(図3(a))および単純GMR(図1(a))の約6μm幅 両構造体からパターン化された約幅6μm装置についてとった。材料イージ軸を
ストライプを横切って配置し、そして外部フィールドをストライプの長さに適用
して装置を飽和させた。カッド層構造体図3(a)に関するデータを図4(a)
〜(b)に示す。装置による電流密度に依存して、パターン化された抵抗子のゼ
ロフィールドバイアス状態は低くあるいは高くなる。低い電流密度は低いバイア
ス状態となり、そして抵抗値は、印加したフィールドが増加するに従って増加す
る。低い抵抗値、ゼロフィールドを達成するため、強磁性層のいくつかをCuス
ペーサを横切って本質的に平行に整列させるものと推定できる。Cuスペーサを
横切った少量の平行または「オレンジピール」カップリングは、この厚さ範囲を
有するサンドイッチ構造に代表的である。装置による電流が増加すると、発生し
たフィールドは弱い平行なカップリングを抑える。十分に高い電流密度において
、装置は、ゼロフィールドで非常にバイアスされ、そして抵抗値は、印加された
フィールド強度により減少する。
用途に使用できることを示している。ゼロフィールドバイアス状態の柔軟性に加
えて、カッド層GMR構造体(図3(a))の別の利点は、この装置を単純GM
Rサンドイッチフィルム(図1(a))と比較して比較的に低い電流密度で操作
し得るということである。図4(a)は、バイアス電流1mAで約1.7%GM
R信号を示すカッド層サンドイッチ材料(図3(a))からパターン化された抵
抗子に関するデータを示す。より従来のGMRサンドイッチスタック(図1(a
))からパターン化された同一線幅を有する抵抗子は、同一条件で試験してほん
の約0.3%GMRしか示さない。
な記載を提供する。本発明の数多くの実施の形態が本発明の精神および範囲を逸
脱することなしになし得るので、本発明は、以下に添付する請求の範囲にある。
。 図1(b)は、ページに流れるバイアス電流を有する図1(a)に示すセンサ
の断面図である。図1(c)は、低い抵抗状態でバイアスされた図1(a)に示
すセンサの断面図である。
の断面図である。
るGMRセンサの断面図である。図3(b)は、縮尺していない高い抵抗状態で
バイアスされた図3(a)に示すセンサの断面図である図3(c)は、縮尺して
いない低い抵抗状態でバイアスされた図3(a)に示すセンサの断面図である。
に関する移動曲線(GMR%対印加されたフィールド)である。図4(b)は、
高いバイアス電流での本発明によるGMRセンサに関する移動曲線(GMR%対
印加されたフィールド)である。
比較用移動曲線(GMR%対印加されたフィールド)である。図5(b)は、高
いバイアス電流での単純GMRセンサに関する比較用移動曲線(GMR%対印加
されたフィールド)である。
る。 図7(b)は、本発明を用いた図7(a)のブリッジ回路の物理的概念図
である。
Claims (30)
- 【請求項1】 基板、 前記基板に配置された第一の3層、 前記第一の3層に配置された第一のスペーサ層、 前記第一のスペーサ層に配置された第一の磁気層、 前記第一の磁気層に配置された第二のスペーサ層、 前記第二のスペーサ層に配置された第二の磁気層、 前記第二の磁気層に配置された第三のスペーサ層、 前記第三のスペーサ層に配置された第二の3層、および 前記第二の3層に配置されたキャップ層を含む磁気抵抗センサであって、 前記第一および第二の3層が 第一の強磁性層、 第二の強磁性層および 前記第一および第二の強磁性層の間に接触して配置された逆行カップリング層
を含むことを特徴とする磁気抵抗センサ。 - 【請求項2】 前記第二のスペーサ層が非磁性層である請求項1に記載のセ
ンサ。 - 【請求項3】 さらに基板と接触して配置されたバッファ層を含む請求項1
に記載のセンサ。 - 【請求項4】 前記第二の強磁性層が前記第一の強磁性層よりも薄い請求項
1に記載のセンサ。 - 【請求項5】 前記第一および第二の強磁性層がNi、Fe、Coおよびこ
れらの混合物からなる群から選択された材料を含む請求項1に記載のセンサ。 - 【請求項6】 前記第一および第二の強磁性層が約10〜100オングスト
ロームの厚さを有する請求項1に記載のセンサ。 - 【請求項7】 前記逆行カップリング層がRu、Ir、Rhおよびこれらの
混合物からなる群から選択された材料を含む請求項1に記載のセンサ。 - 【請求項8】 前記逆行カップリング層が約3〜12オングストロームの厚
さを有する請求項1に記載のセンサ。 - 【請求項9】 前記第一のスペーサ層がCu、Au、Agおよびこれらの混
合物からなる群から選択された材料を含む請求項1に記載のセンサ。 - 【請求項10】 前記第一のスペーサ層が約25〜約12オングストローム
の厚さを有する請求項1に記載のセンサ。 - 【請求項11】 前記第一および第二の磁性層がNi、Fe、Coこれらの
混合物からなる群から選択された材料を含む請求項1に記載のセンサ。 - 【請求項12】 前記第一および第二の磁性層が10〜約100オングスト
ロームの厚さを有する請求項1に記載のセンサ。 - 【請求項13】 前記非磁性層がCu、Au、Agおよびこれらの混合物か
らなる群から選択された材料を含む請求項1に記載のセンサ。 - 【請求項14】 前記非磁性層が約25〜約12オングストロームの厚さを
有する請求項1に記載のセンサ。 - 【請求項15】 前記第二のスペーサ層がCu、Au、Agおよびこれらの
混合物からなる群から選択された材料を含む請求項1に記載のセンサ。 - 【請求項16】 前記第二のスペーサ層が約25〜約12オングストローム
の厚さを有する請求項1に記載のセンサ。 - 【請求項17】 前記キャップ層がTa、Al2O3およびこれらの混合物か
らなる群から選択された材料を含む請求項1に記載のセンサ。 - 【請求項18】 前記キャップ層が約20〜約80オングストロームの厚さ
を有する請求項1に記載のセンサ。 - 【請求項19】 前記バッファ層がTa、Zr、Ni−FeおよびAl2O3 およびこれらの混合物からなる群から選択された材料を含む請求項3に記載のセ
ンサ。 - 【請求項20】 前記バッファ層が約20〜約80オングストロームの厚さ
を有する請求項3に記載のセンサ。 - 【請求項21】 基板、 前記基板に配置された第一の3層、 前記第一の3層に配置された第一のスペーサ層、 前記第一のスペーサ層に配置された第一の磁気層、 前記第一の磁気層に配置された第二のスペーサ層、 前記第二のスペーサ層に配置された第二の磁気層、 前記第二の磁気層に配置された第三のスペーサ層、 前記第三のスペーサ層に配置された第二の3層、および 前記第二の3層に配置されたキャップ層を含む磁気抵抗センサ装置であって、 前記第一および第二の3層が 第一の強磁性層、 第二の強磁性層および 前記第一および第二の強磁性層の間に接触して配置された逆行カップリング層
を含み、そして前記磁気抵抗センサの抵抗値が印加したバイアス電流に依存する
ことを特徴とする磁気抵抗センサ装置。 - 【請求項22】 前記第二のスペーサ層が非磁性層である請求項21に記載
の装置。 - 【請求項23】 第一の対向するホイートストーンブリッジのノードと結合
された第一の一対の磁気抵抗構造体、 第二の対向するホイートストーンブリッジのノードと結合された第二の一対の磁
気抵抗構造体を含み、前記第一の一対の磁気抵抗構造体は、外部フィールドがホ
イートストーンブリッジに印加された際に前記第二の一対の磁気抵抗構造体より
も高い電流密度を有することを特徴とするブリッジ回路。 - 【請求項24】 前記第一の一対の磁気抵抗構造体が前記第二の一対の磁気
抵抗構造体よりも大きい請求項23に記載の回路。 - 【請求項25】 前記第一の一対の磁気抵抗構造体と前記第二の一対の磁気
抵抗構造体とが約1:2ないし約1:20の幅比を有する請求項24に記載の回
路。 - 【請求項26】 磁気記録ディスク、 基板、 前記基板に配置された第一の3層、 前記第一の3層に配置された第一のスペーサ層、 前記第一のスペーサ層に配置された第一の磁気層、 前記第一の磁気層に配置された第二のスペーサ層、 前記第二のスペーサ層に配置された第二の磁気層、 前記第二の磁気層に配置された第三のスペーサ層、 前記第三のスペーサ層に配置された第二の3層、および 前記第二の3層に配置されたキャップ層を含み、前記第一および第二の3層が
第一の強磁性層、第二の強磁性層および前記第一および第二の強磁性層の間に接
触して配置された逆行カップリング層を含む磁気抵抗センサ、 前記磁気記録ディスクを横切って前記磁気抵抗センサを移動させるアクチュエー
タおよび 磁気記録されたデータからのフィールドに対して第一および第二の積層の磁気化
軸の回転によって生じる前記磁気抵抗センサの抵抗値の変化を検出するための前
記磁気抵抗センサに電気的に結合された検出回路を含む ディスクドライブシステム。 - 【請求項27】 前記第二のスペーサ層が非磁性層である請求項26に記載
のセンサドライブ。 - 【請求項28】 ホイートストーンブリッジを横切って印加される外部フィ
ールドを測定する装置であって ネットワーク端子(A)および(B)の間に接続された第一抵抗子R1、ネット
ワーク端子(B)および(C)の間に接続された第二の抵抗子R2、ネットワー
ク端子(C)および(D)の間に接続された第三の抵抗子R3およびネットワー
ク端子(A)および(D)の間に接続された第四の抵抗子R4、を含む4個の端
子電気ネットワーク(A、B、C、D)を含み、抵抗子R1およびR3は、フィー
ルドをネットワーク(A)および(C)を横切って印加した際に第一の電流密度
を有しており、そして抵抗子R2およびR4は、フィールドをネットワーク(A)
および(C)を横切って印加した際に第二の電流密度を有し、そして前記第二の
電流密度は、前記第二の電流密度とは等しくない4個の端子電気ネットワーク、
および 端子(B)および(D)を横切る電位を検出するためのネットワーク端子(B
)および(D)を横切って操作可能に接続された手段を含むことを特徴とする装
置。 - 【請求項29】 前記抵抗子R1およびR3の第一の電流密度がフィールドが
減少するに従って増加し、そして前記抵抗子R2およびR4の第二の電流密度がフ
ィールドが増加するに従って減少する請求項28に記載の装置。 - 【請求項30】 前記第一、第二、第三および第四の抵抗子が請求項1に記
載のセンサである請求項28に記載の装置。
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Family Applications (1)
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006098088A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Yamaha Corp | 巨大磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサ及び同磁気センサの製造方法 |
JP2008525787A (ja) * | 2004-12-28 | 2008-07-17 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 調節可能な特性を有する磁気センサ |
JP2009501931A (ja) * | 2005-07-21 | 2009-01-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 磁気抵抗システムを有する装置 |
JP2012255796A (ja) * | 2012-08-07 | 2012-12-27 | Tdk Corp | 磁気センサおよびその製造方法 |
JPWO2015107948A1 (ja) * | 2014-01-15 | 2017-03-23 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ |
JPWO2015107949A1 (ja) * | 2014-01-15 | 2017-03-23 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19924756A1 (de) * | 1999-05-29 | 2000-11-30 | Bosch Gmbh Robert | Magnetoresistives Element |
DE10203466A1 (de) * | 2002-01-28 | 2003-08-14 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | GMR-Sensoranordnung und synthetischer Anti-Ferromagnet dafür |
DE10213941A1 (de) * | 2002-03-28 | 2003-10-30 | Bosch Gmbh Robert | Sensorelement und Gradiometeranordnung, deren Verwendung zum Messen von Magnetfeldgradienten und Verfahren hierzu |
US6785102B2 (en) | 2002-04-18 | 2004-08-31 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Spin valve sensor with dual self-pinned AP pinned layer structures |
US6801412B2 (en) | 2002-04-19 | 2004-10-05 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for improved pinning strength for self-pinned giant magnetoresistive heads |
US7061729B2 (en) * | 2002-05-16 | 2006-06-13 | International Business Machines Corporation | Protective cap in lead overlay magnetic sensors |
US6781798B2 (en) | 2002-07-15 | 2004-08-24 | International Business Machines Corporation | CPP sensor with dual self-pinned AP pinned layer structures |
US6819530B2 (en) * | 2002-09-25 | 2004-11-16 | International Business Machines Corporation | Current perpendicular to the planes (CPP) sensor with free layer stabilized by current field |
US7116530B2 (en) | 2003-09-30 | 2006-10-03 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Thin differential spin valve sensor having both pinned and self pinned structures for reduced difficulty in AFM layer polarity setting |
US7186470B2 (en) * | 2004-02-11 | 2007-03-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Use of greater than about 15 angstrom thick coupling layer in AP-tab magnetic head |
US7135859B2 (en) * | 2004-04-06 | 2006-11-14 | Murugesan Sethu | Rotary and angular position sensing |
FR2918761B1 (fr) * | 2007-07-10 | 2009-11-06 | Commissariat Energie Atomique | Capteur de champ magnetique a faible bruit. |
US8254066B2 (en) * | 2008-12-30 | 2012-08-28 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Technique for measuring process induced magnetic anisotropy in a magnetoresistive sensor |
CN102621504B (zh) * | 2011-04-21 | 2013-09-04 | 江苏多维科技有限公司 | 单片参考全桥磁场传感器 |
US9411024B2 (en) * | 2012-04-20 | 2016-08-09 | Infineon Technologies Ag | Magnetic field sensor having XMR elements in a full bridge circuit having diagonal elements sharing a same shape anisotropy |
US9230578B2 (en) * | 2013-12-23 | 2016-01-05 | HGST Netherlands B.V. | Multiple readers for high resolution and SNR for high areal density application |
EP3104187A1 (en) * | 2015-06-09 | 2016-12-14 | International Iberian Nanotechnology Laboratory | Magnetoresistive sensor |
CN110603618B (zh) * | 2017-03-10 | 2022-05-13 | 西蒙·弗雷泽大学 | 磁性装置、振荡器装置、磁性结构和制造磁性结构的方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06325934A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-11-25 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子 |
JPH07190804A (ja) * | 1993-10-20 | 1995-07-28 | Siemens Ag | 磁気抵抗式センサ装置を備えた磁界測定装置 |
JPH07297465A (ja) * | 1994-04-15 | 1995-11-10 | Hewlett Packard Co <Hp> | 絶縁ピン留め層を備えた巨大磁気抵抗センサ |
JPH087235A (ja) * | 1994-06-15 | 1996-01-12 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | スピン・バルブ磁気抵抗素子及び関連する装置 |
JPH08226960A (ja) * | 1994-11-04 | 1996-09-03 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁界センサー及びその製造方法 |
JPH09147326A (ja) * | 1995-09-11 | 1997-06-06 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気ディスク記録装置およびデュアル磁気抵抗センサ |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2248151A (en) * | 1990-09-24 | 1992-03-25 | Philips Electronic Associated | Temperature sensing and protection circuit. |
DE4243358A1 (de) | 1992-12-21 | 1994-06-23 | Siemens Ag | Magnetowiderstands-Sensor mit künstlichem Antiferromagneten und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE19536433C2 (de) * | 1995-09-29 | 1999-04-08 | Siemens Ag | Vorrichtung zur berührungslosen Positionserfassung eines Objektes und Verwendung der Vorrichtung |
DE19614460A1 (de) * | 1996-04-12 | 1997-10-16 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung eines GMR-Brückensensors sowie GMR-Brückensensor |
DE19619806A1 (de) * | 1996-05-15 | 1997-11-20 | Siemens Ag | Magnetfeldempfindliche Sensoreinrichtung mit mehreren GMR-Sensorelementen |
US6118284A (en) * | 1996-10-04 | 2000-09-12 | Ghoshal; Uttam S. | High speed magnetic flux sampling |
JPH10232242A (ja) * | 1997-02-19 | 1998-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | 検出装置 |
JPH11304413A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気検出装置 |
US6191926B1 (en) * | 1998-05-07 | 2001-02-20 | Seagate Technology Llc | Spin valve magnetoresistive sensor using permanent magnet biased artificial antiferromagnet layer |
JP3448209B2 (ja) * | 1998-05-08 | 2003-09-22 | 三菱電機株式会社 | 磁気検出装置 |
WO1999058994A1 (en) * | 1998-05-11 | 1999-11-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Magnetic multilayer sensor |
US6239595B1 (en) * | 1998-05-13 | 2001-05-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic field sensing element |
JP3623367B2 (ja) * | 1998-07-17 | 2005-02-23 | アルプス電気株式会社 | 巨大磁気抵抗効果素子を備えたポテンショメータ |
US6424506B1 (en) * | 1998-07-21 | 2002-07-23 | Alps Electric Co., Ltd. | Spin-valve magnetoresistive thin film element |
US6175476B1 (en) * | 1998-08-18 | 2001-01-16 | Read-Rite Corporation | Synthetic spin-valve device having high resistivity anti parallel coupling layer |
FR2787197B1 (fr) * | 1998-12-11 | 2001-02-23 | Thomson Csf | Capteur de champ magnetique a magnetoresistance geante |
US6449134B1 (en) * | 1999-08-05 | 2002-09-10 | International Business Machines Corporation | Read head with file resettable dual spin valve sensor |
US6288552B1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-09-11 | Daimlerchrysler Corporation | GMR sensor tester for heated window grids |
US6271997B1 (en) * | 1999-11-22 | 2001-08-07 | International Business Machines Corporation | Read head spin valve sensor with triple antiparallel coupled free layer structure |
US6407890B1 (en) * | 2000-02-08 | 2002-06-18 | International Business Machines Corporation | Dual spin valve sensor read head with a specular reflector film embedded in each antiparallel (AP) pinned layer next to a spacer layer |
JP3756757B2 (ja) * | 2000-12-01 | 2006-03-15 | アルプス電気株式会社 | 交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド |
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1999
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06325934A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-11-25 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子 |
JPH07190804A (ja) * | 1993-10-20 | 1995-07-28 | Siemens Ag | 磁気抵抗式センサ装置を備えた磁界測定装置 |
JPH07297465A (ja) * | 1994-04-15 | 1995-11-10 | Hewlett Packard Co <Hp> | 絶縁ピン留め層を備えた巨大磁気抵抗センサ |
JPH087235A (ja) * | 1994-06-15 | 1996-01-12 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | スピン・バルブ磁気抵抗素子及び関連する装置 |
JPH08226960A (ja) * | 1994-11-04 | 1996-09-03 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁界センサー及びその製造方法 |
JPH09147326A (ja) * | 1995-09-11 | 1997-06-06 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気ディスク記録装置およびデュアル磁気抵抗センサ |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006098088A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Yamaha Corp | 巨大磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサ及び同磁気センサの製造方法 |
JP4614061B2 (ja) * | 2004-09-28 | 2011-01-19 | ヤマハ株式会社 | 巨大磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサ及び同磁気センサの製造方法 |
JP2008525787A (ja) * | 2004-12-28 | 2008-07-17 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 調節可能な特性を有する磁気センサ |
JP2009501931A (ja) * | 2005-07-21 | 2009-01-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 磁気抵抗システムを有する装置 |
JP2012255796A (ja) * | 2012-08-07 | 2012-12-27 | Tdk Corp | 磁気センサおよびその製造方法 |
JPWO2015107948A1 (ja) * | 2014-01-15 | 2017-03-23 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ |
JPWO2015107949A1 (ja) * | 2014-01-15 | 2017-03-23 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ |
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