DE10203466A1 - GMR-Sensoranordnung und synthetischer Anti-Ferromagnet dafür - Google Patents

GMR-Sensoranordnung und synthetischer Anti-Ferromagnet dafür

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine GMR- Sensoranordnung mit einer GMR-Schichtung, welche eine ferromagnetische Schicht mit leicht drehbarer Magnetisierungsausrichtung - die free layer -, eine ferromagnetische Schicht mit einer festen magnetischen Ausrichtung - die pinned layer - und eine dazwischen liegende nicht magnetische Zwischenschicht umfaßt, wobei die pinned layer gleichzeitig die erste ferromagnetische Schicht eines synthetischen Anti-Ferromagnets bildet, der weiterhin eine zweite ferromagnetische Schicht und eine dazwischen liegende Zwischenschicht aufweist.
  • Magnetische Schichtsysteme mit anti-ferromagnetischer Zwischenschichtkopplung, die auch als synthetische Anti- Ferromagnete (SAF) bezeichnet werden, finden Verwendung in Magnetfeldsensoren, die auf dem Prinzip des sogenannten Riesenmagnetowiderstands (giant magneto resistance - GMR) beruhen.
  • In Fig. 1a ist ein bekannter GMR-Sensor 1 der zuvor beschriebenen Art dargestellt, der zur Kontrolle von Drehbewegungen eines Objektes eingesetzt werden kann. Dieser GMR-Sensor umfaßt eine GMR-Schichtung 2 mit einer ferromagnetischen Schicht mit leicht drehbarer Magnetisierungsausrichtung - die free layer 3 -, einer ferromagnetischen Schicht mit einer festen magnetischen Ausrichtung - die pinned layer 4 - und einer dazwischen liegenden nicht magnetischen Zwischenschicht 5. Die pinned layer 4 bildet dabei gleichzeitig die erste ferromagnetische Schicht eines synthetischen Anti-Ferromagneten 6, der weiterhin eine zweite ferromagnetische Schicht 8 und eine zwischen den Schichten 4, 8 angeordnete Zwischenschicht 7 aufweist. Ergänzt wird die Anordnung durch einen natürlichen Anti-Ferromagneten (NAF), der als Substrat 9 dient.
  • Ein Permanentmagnet 10, der mit dem sich drehenden Objekt starr verbunden ist, überträgt die Drehbewegung dieses Objekts auf die Magnetisierung Mfree der ferromagnetischen Schicht 3 (free layer) der GMR-Schichtung 3, 4, 5, wobei sich der elektrische Widerstand ändert, wenn sich die Magnetisierung Mfree relativ zur Magnetisierung Mpinned der ferromagnetischen Schicht mit fester magnetischer Ausrichtung (pinned layer) 4 dreht und erzeugt so das in Fig. 1b gezeigte GMR-Signal.
  • Bei diesen bekannten GMR-Sensoranordnungen besteht der synthetische Anti-Ferromagnet aus rein metallischen Schichtungen. Dies bringt den Nachteil mit sich, daß über den synthetischen Anti-Ferromagneten ein Nebenschluß, auch Shunting-Effekt genannt, erfolgt, durch welchen das GMR-Signal abgeschwächt wird, weil der Strom durch den SAF nicht zum GMR-Signal beiträgt.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, eine GMR-Sensoranordnung der eingangs genannten Art zu schaffen, durch welche Abschwächungen des GMR-Signals vermieden, zumindest aber verringert werden. Des weiteren soll ein synthetischer Anti-Ferromagnet (SAF) für eine solche GMR- Sensoranordnung angegeben werden.
  • Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Zwischenschicht des synthetischen Anti-Ferromagneten aus einem elektrisch isolierenden bzw. hochohmigen Material besteht. Die Erfindung beruht damit auf der Überlegung, die anti-ferromagnetische Zwischenschichtkopplung in dem SAF durch ein elektrisch isolierendes Material vorzunehmen. Durch die elektrische Isolierung kann der Nachteil eines Shunting-Effekts bei geeigneter Kontaktierung wirksam vermieden werden. Des weiteren erlaubt die isolierende Zwischenschicht die Verwendung von metallischen Substraten oder alternativ die Verwendung von Substraten, die durch einen natürlichen Anti-Ferromagneten (NAF) aus Metall gebildet sind. Dies bringt enorme Vorteile mit sich. In der Vergangenheit hat sich nämlich immer wieder gezeigt, daß Schichtungen sehr hoher Qualität im Sinn eines möglichst ungestörten Kristallgitters nur auf metallischen Substraten erzeugen werden können. Durch die erfindungsgemäße Ausbildung wird somit die Voraussetzung für ein ungestörtes Kristallgitter geschaffen, so daß Abschwächungen des GMR-Signals, welche durch Störungen im Kristallgitter bewirkt werden, gering gehalten werden.
  • Der Begriff elektrisch isolierend ist im Zusammenhang mit der vorliegenden Anmeldung so zu verstehen, daß das Material der Zwischenschicht so hochohmig ist, daß es die in der GMR-Schichtung fließenden, vergleichsweise geringen Ströme nicht durchläßt. Beispielsweise können Halbleitermaterialien wie Silicium für die anti-ferromagnetische Zwischenschichten eingesetzt werden. Es hat sich gezeigt, daß das Silicium-Material die geforderten Isolationseigenschaften bei gleichzeitiger anti-ferromagnetischer Zwischenschichtkopplung bietet. Im Falle von Silicium besitzt die Zwischenschicht vorzugsweise eine Schichtdicke von 0,4 bis 1,5 nm.
  • Trotz der guten elektrisch isolierenden Wirkungen des Siliciums ist der Widerstand über die Zwischenschicht endlich und umgekehrt proportional zur Fläche. Daher ist es günstig, die Fläche möglichst klein zu halten. Dies ist auch erwünscht im Sinn einer Miniaturisierung von GMR- Sensoren.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist vorgesehen, daß der synthetische Anti-Ferromagnet in Form eines Multischichtsystems mit einer Vielzahl von ferromagnetischen Schichten und dazwischen angeordneten anti-ferromagnetischen Zwischenschichten aus elektrisch isolierendem Material aufgebaut ist. Durch ein solches Multischichtsystem wird die isolierende Wirkung des synthetischen Anti-Ferromagneten weiter verstärkt.
  • Hinsichtlich weiterer vorteilhafter Ausgestaltungen der Erfindung wird auf die Unteransprüche sowie die nachfolgende Beschreibung eines Ausführungsbeispiels unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung verwiesen. In der Zeichnung zeigt.
  • Fig. 1a eine GMR-Sensoranordnung nach dem Stand der Technik in perspektivischer Ansicht,
  • Fig. 1b ein Diagramm, das den Verlauf eines GMR-Signals in Abhängigkeit von dem Winkel der Magnetisierung der free layer gegenüber der Magnetisierung der pinned layer der GMR-Schichtung von der Sensoranordnung gemäß der Fig. 1a zeigt, und
  • Fig. 2 eine GMR-Sensoranordnung gemäß der vorliegenden Erfindung in perspektivischer Ansicht.
  • In der Fig. 2 ist eine GMR-Sensoranordnung 1 gemäß der vorliegenden Erfindung dargestellt. Diese GMR-Sensoranordnung 1 umfaßt eine GMR-Schichtung 2, die von oben nach unten eine ferromagnetische Schicht mit leicht drehbarer Magnetisierungsausrichtung (free layer) 3, eine Zwischenschicht 5 und eine ferromagnetische Schicht mit einer festen magnetischen Ausrichtung (pinned layer) 4 umfaßt. Die pinned layer bildet dabei gleichzeitig die erste ferromagnetische Schicht eines synthetischen Anti- Ferromagneten (SAF) 6, der weiterhin eine zweite ferromagnetische Schicht 8 und eine zwischen den ferromagnetischen Schichten 4, 8 angeordnete Zwischenschicht 7 aufweist. Die Anordnung aus GMR-Schichtung 2 und SAF 6 ist auf einem Substrat 9 angeordnet, welches aus Metall oder einem metallischen natürlich Anti-Ferromagnet (NAF) besteht.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung besteht die antiferromagnetische Zwischenschicht 7 des SAF 6 aus einem Halbleitermaterial, hier einem Siliciummaterial und besitzt eine Schichtdicke von 0,4 bis 1,5 nm. Dieses Siliciummaterial ist in Bezug auf die Ströme I, welche über die Kontakte 11 an der free layer 3 in der GMR- Sensoranordnung 1 fließen, elektrisch isolierend und bietet gleichzeitig die erforderlichen Eigenschaften einer anti-ferromagnetischen Zwischenschichtkopplung. Die Kopplung kann dabei Werte bis zu etwa 5 mJ/m2 betragen. Angesichts der Tatsache, daß massives Silicium ein Halbleiter ist, ist die nachgewiesene isolierende Wirkung der Si- Zwischenschichten erstaunlich hoch. Es wird auf die Ausbildung von Schottky-Barrieren zurückgeführt.

Claims (13)

1. GMR-Sensoranordnung mit einer GMR-Schichtung (2), welche eine ferromagnetische Schicht mit leicht drehbarer Magnetisierungsausrichtung - die free layer (3) -, eine ferromagnetische Schicht mit einer festen magnetischen Ausrichtung - die pinned layer (4) - und eine dazwischen liegende nicht magnetische Zwischenschicht (5) umfaßt, wobei die pinned layer (4) gleichzeitig die erste ferromagnetische Schicht eines synthetischen Anti-Ferromagnets (6) bildet, der weiterhin eine zweite ferromagnetische Schicht (8) und eine dazwischen liegende Zwischenschicht (7) aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht (7) des synthetischen Anti-Ferromagnets (6) aus einem elektrisch isolierenden bzw. hochohmigen Material besteht.
2. GMR-Sensoranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht (7) aus einem Halbleitermaterial besteht.
3. GMR-Sensoranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht (7) aus Silizium besteht.
4. GMR-Sensoranordnung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht (7) eine Schichtdicke von 0,4 bis 1,5 nm (4-15 Å) besitzt.
5. GMR-Sensoranordnung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der synthetische Anti-Ferromagnet (5) in Form eines Multischichtsystems mit einer Vielzahl von ferromagnetischen Schichten und dazwischen angeordneten Zwischenschichten aus elektrisch isolierendem bzw. hochohmigem Material aufgebaut ist.
6. GMR-Sensoranordnung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der synthetische Anti-Ferromagnet (6) auf einem metallischen Substrat (9) vorgesehen ist.
7. GMR-Sensoranordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (9) durch einen natürlichen Anti-Ferromagneten (NAF) gebildet wird.
8. Synthetischer Anti-Ferromagnet (SAF) mit einer ersten ferromagnetischen Schicht (4), einer zweiten ferromagnetischen Schicht (8) und einer dazwischen angeordneten Zwischenschicht (7), dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht (7) aus einem elektrisch isolierenden bzw. hochohmigen Material besteht.
9. Synthetischer Anti-Ferromagnet nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht (7) aus einem Halbleitermaterial besteht.
10. Synthetischer Anti-Ferromagnet nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht (7) aus Si besteht.
11. Synthetischer Anti-Ferromagnet nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht eine Schichtdicke von 0,4 bis 1,5 nm besitzt.
12. Synthetischer Anti-Ferromagnet nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine ferromagnetische Schicht (4, 8) aus Fe besteht.
13. Synthetischer Anti-Ferromagnet nach einem der Ansprüche 8 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß er in Form eines Multischichtsystems mit einer Vielzahl von ferromagnetischen Schichten und dazwischen angeordneten Zwischenschichten aus einem elektrisch isolierendem bzw. hochohmigem Material aufgebaut ist.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7367109B2 (en) 2005-01-31 2008-05-06 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method of fabricating magnetic sensors with pinned layers with zero net magnetic moment
US7554775B2 (en) 2005-02-28 2009-06-30 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. GMR sensors with strongly pinning and pinned layers
FR2932593B1 (fr) * 2008-06-13 2010-09-03 Parkeon Systeme et procede de verification de la validite d'un article de valeur, et horodateur comprenant un tel systeme

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4243358A1 (de) * 1992-12-21 1994-06-23 Siemens Ag Magnetowiderstands-Sensor mit künstlichem Antiferromagneten und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0971423A1 (de) * 1998-07-10 2000-01-12 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Spin-Valve-Struktur und Herstellungsverfahren
EP0971424A2 (de) * 1998-07-10 2000-01-12 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Spin-Valve Struktur und Herstellungsverfahren

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19843350A1 (de) * 1998-09-22 2000-03-23 Bosch Gmbh Robert Elektronisches Bauelement
AU6268599A (en) * 1998-09-28 2000-04-17 Seagate Technology Llc Quad-layer gmr sandwich
US6331773B1 (en) * 1999-04-16 2001-12-18 Storage Technology Corporation Pinned synthetic anti-ferromagnet with oxidation protection layer
KR100563521B1 (ko) * 1999-04-20 2006-03-27 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 ＣｒＭｎＰｔ 피닝층과 ＮｉＦｅＣｒ 시드층을 갖는 거대자기저항 센서
US6278592B1 (en) * 1999-08-17 2001-08-21 Seagate Technology Llc GMR spin valve having a bilayer TaN/NiFeCr seedlayer to improve GMR response and exchange pinning field
US6292336B1 (en) * 1999-09-30 2001-09-18 Headway Technologies, Inc. Giant magnetoresistive (GMR) sensor element with enhanced magnetoresistive (MR) coefficient
US6556390B1 (en) * 1999-10-28 2003-04-29 Seagate Technology Llc Spin valve sensors with an oxide layer utilizing electron specular scattering effect
DE10009944A1 (de) * 2000-03-02 2001-09-13 Forschungszentrum Juelich Gmbh Anordnung zum Messen eines Magnetfeldes und Verfahren zum Herstellen einer Anordnung zum Messen eines Magnetfeldes

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4243358A1 (de) * 1992-12-21 1994-06-23 Siemens Ag Magnetowiderstands-Sensor mit künstlichem Antiferromagneten und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0971423A1 (de) * 1998-07-10 2000-01-12 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Spin-Valve-Struktur und Herstellungsverfahren
EP0971424A2 (de) * 1998-07-10 2000-01-12 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Spin-Valve Struktur und Herstellungsverfahren

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 2000150237 A (abstract (2 Seiten) + detailed descritption (7 Seiten) + drawings (2 Seiten) + claims (3 Seiten) - alle in einer computerunter- stützten Übersetzung des JPO) - (Familienmitglied zu den nachfolgenden /3/ und /4/) *
K.-M.H. Lenssen et al.: "Robust giant magneto- resistance sensors" in "Eurosensor XIII" - "The 13·th· European Cpnference on Solid-State Trans- ducers", September 12-15, 1999, The Hague, The Netherlands, 15B1 - Magnetic-Field Sensors, pp. 589-596 *

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