JP4841112B2 - Ｍｔｊセンサ及びディスク・ドライブ・システム - Google Patents

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Description

本発明は一般に、磁気媒体から情報信号を読み取るための磁気トンネル接合磁気抵抗センサ、特に、低モーメント、高飽和保磁力のピン層を有する磁気トンネル接合センサ、および該センサを組み込んだ磁気記憶システムに関する。
コンピュータはしばしば、後で使用するデータを書き込み読み取ることができる媒体を有する補助記憶装置を含んでいる。ディスク表面に磁気の形でデータを記憶する、回転磁気ディスクを組み込んだ直接アクセス記憶装置（ディスク・ドライブ）が一般に使用されている。データは、径方向に間隔を置いてディスク表面に配置された同心のトラックに記される。次いで、読取りセンサを含む磁気ヘッドを使用して、ディスク表面のトラックからデータを読み取る。
磁気抵抗（ＭＲ）読取りセンサは、ＭＲセンサと一般に呼ばれ、薄膜誘導ヘッドの場合よりも大きなトラック密度及び線密度のディスク表面からデータを読み取ることができるため、高容量のディスク・ドライブでは、主流の読取りセンサとなっている。ＭＲセンサは、それ自体のＭＲセンシング層（「ＭＲ素子」と呼ばれる）がセンスする磁束の強度および方向の関数であるＭＲ層の抵抗の変化を通して磁界を検出する。
従来のＭＲセンサは、ＭＲ素子の抵抗が、ＭＲ素子の磁化とＭＲ素子を流れるセンス電流の向きとの間の角度の余弦の２乗として変化する異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）効果に基づいて動作する。記録されたデータを磁気媒体から読み取ることができるのは、記録された磁気媒体からの外部磁界（信号磁界）が、ＭＲ素子の磁化の方向の変化を引き起こし、この磁化の方向の変化が、ＭＲ素子の抵抗の変化、およびこれに対応するセンス電流または電圧の変化を引き起こすからである。
他の種類のＭＲセンサに、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）効果を示すＧＭＲセンサがある。ＧＭＲセンサでは、ＭＲセンシング層の抵抗が、非磁性層（スペーサ）によって分離された磁性層間の伝導電子のスピン依存伝送、および、これに付随して、磁性層と非磁性層との界面および磁性層の内部に生じるスピン依存散乱の関数として変化する。
非磁性体（例えば銅）の層で分離された強磁性体（例えばＮｉ−Ｆｅ）の層２層のみを使用するＧＭＲセンサは一般に、スピン・バルブ（ＳＶ）センサと呼ばれ、ＳＶ効果を示す。
図１に、中央領域１０２で分離された端領域１０４および１０６を含む、従来技術のＳＶセンサ１００を示す。ピン層１２０と呼ばれる第１の強磁性層は、一般に反強磁性（ＡＦＭ）層１２５との交換結合によって固定された（自由に動けなくされた）磁化を有する。フリー層１１０と呼ばれる第２の強磁性層の磁化は固定されておらず、記録された磁気媒体からの磁界（信号磁界）に応答して自由に回転することができる。フリー層１１０は、導電性の非磁性スペーサ層１１５でピン層１２０から分離される。端領域１０４および１０６に形成されたそれぞれの硬質（ハード）バイアス層１３０および１３５は、フリー層１１０に対して縦方向のバイアスをかける。硬質バイアス層１３０および１３５の上にそれぞれ形成されたリード１４０および１４５は、ＳＶセンサ１００の抵抗をセンスするための電気接続を提供する。参照によって本明細書に組み込まれる、ディーニ（Dieny）他に与えられたＩＢＭ社の米国特許第５２０６５９０号には、ＳＶ効果に基づいて動作するＧＭＲセンサが開示されている。
磁気トンネル接合（ＭＴＪ）装置は、現在開発中の他の種類の磁気装置である。ＭＴＪ装置は、メモリ・セルおよび磁界センサとしての潜在的な用途を有する。ＭＴＪ装置は、薄い電気絶縁トンネル障壁層で分離された２層の強磁性層を含む。このトンネル障壁層は十分に薄く、これらの強磁性層間に、電荷担体の量子力学的トンネル伝送が生じる。このトンネル伝送プロセスは電子スピンに依存する。これは、接合を横切るトンネル電流が、強磁性体のスピン依存的な電子特性によって決まり、２層の強磁性層の磁気モーメントの相対的な方向、すなわち磁化方向の関数であることを意味する。ＭＴＪセンサでは、一方の強磁性層の磁気モーメントが固定、すなわち自由に動けなくされており、他方の強磁性層の磁気モーメントが、記録媒体からの外部磁界（信号磁界）に応答して自由に回転する。この２層の強磁性層間に電位を与えたとき、センサの抵抗は、強磁性層の間の絶縁層を横切るトンネル電流の関数となる。トンネル障壁層を通り抜けて垂直に流れるトンネル電流は、２層の強磁性層の相対的な磁化方向によって決まるため、記録されたデータを磁気媒体から読み取ることができる。これは、信号磁界が、フリー層の磁化方向の変化を引き起こし、この磁化方向の変化が、ＭＴＪセンサの抵抗の変化、およびこれに対応するセンス電流または電圧の変化を引き起こすからである。参照によってその全体が本明細書に組込まれる、ガラハー（Gallagher）他に与えられたＩＢＭ社の米国特許第５６５０９５８号には、磁気トンネル接合効果に基づいて動作するＭＴＪセンサが開示されている。
図２に、第１の電極２０４、第２の電極２０２、およびトンネル障壁２１５を備える従来技術のＭＴＪセンサ２００を示す。第１の電極２０４は、ピン層（強磁性ピン層）２２０、反強磁性（ＡＦＭ）層２３０、およびシード層２４０を含む。ピン層２２０の磁化は、ＡＦＭ層２３０との交換結合によって固定されている。第２の電極２０２は、フリー層（強磁性フリー層）２１０およびキャップ層２０５を含む。フリー層２１０は、非磁性電気絶縁トンネル障壁層２１５でピン層２２０から分離される。外部磁界がない場合、フリー層２１０の磁化の方向は矢印２１２で示した向きであり、すなわち矢印２２２（矢印の尾部が紙面を指す）で示したピン層２２０の磁化方向とは一般に垂直である。第１の電極２０４および第２の電極２０２に接触してそれぞれ形成された第１のリード２６０および第２のリード２６５は、電流源２７０からＭＴＪセンサ２００へセンシング電流ＩＳを流すための電気接続を提供する。第１および第２のリード２６０および２６５に接続された信号検出器２８０は、部分応答最尤（ＰＲＭＬ）チャネルなどの記録チャネルを一般に含み、外部磁界によってフリー層２１０内に誘導された変化に起因する抵抗の変化をセンスする。
ピン層に交換結合させた反強磁性（ＡＦＭ）層を使用することによって、ＭＴＪセンサのピン層の磁化方向を固定（自由に動けなく）することができる。ピン層の磁化を固定するのにＡＦＭ層を使用する利点は、ピン層とフリー層との静磁気的相互作用が小さくなりフリー層の磁気的柔軟性が保てることである。交換結合させたＡＦＭ層を使用することの欠点は、この反強磁性体のブロッキング温度が比較的低いときにこの交換結合がゼロになることである。望ましい高い耐食性を有する反強磁性体のブロッキング温度は約２００℃である。このような低いブロッキング温度の場合、これらの反強磁性体は、多くのＭＲセンサの１２０℃の範囲内の動作温度で２００Ｏｅ未満の絶対値を有するピン磁界を有する。このようにピン磁界が低い結果、高温で動作するＭＲセンサの耐熱性が不十分になる。
高飽和保磁力（硬質）磁性体をピン層に使用することによって、耐熱性を大幅に向上させることができる。このような材料を用いると、高いピン磁界が、約７００℃にもなるキュリー温度近くまで維持される。しかし、高飽和保磁力材料のピン層は、フリー層と静磁気的に結合し、その結果、フリー層は、外部磁界に対する感度が低下したより硬磁性のものとなる。
したがって、耐熱性を向上させるための高飽和保磁力ピン層を使用しながらも、ピン層とフリー層の静磁気的な相互作用によるセンサ感度の低下がみられないＭＴＪセンサが求められている。
本発明の目的は、高飽和保磁力磁性体を使用して逆平行（ＡＰ）ピンＭＴＪセンサの磁化方向を固定する、改良型の磁気抵抗トンネル接合（ＭＴＪ）センサを開示することにある。
本発明の他の目的は、高飽和保磁力磁性体を使用して、ピン層の磁化方向を固定することに起因する高い耐熱性を有するＭＴＪセンサ構造を開示することにある。
本発明の他の目的は、高飽和保磁力ピン層とフリー層の静磁気的結合が低減したＭＴＪセンサ構造を開示することにある。
本発明の原理によれば、パーマロイの磁化（約８００ｅｍｕ／ｃｃ）よりも大きな飽和磁化を有する材料から作られた第１の強磁性層と、高飽和保磁力の強磁性体から作られた第２の強磁性層（本明細書では高飽和保磁力を、１５０Ｏｅを超える飽和保磁力と定義する）と、第１の強磁性層と第２の強磁性層の間に配置された逆平行結合（ＡＰＣ）層とを含む積層逆平行（ＡＰ）ピン層を有するＭＴＪセンサを開示する。ほぼゼロの磁気ひずみ係数を有する軟質強磁性体製のインタフェースする第１の副層および第２の副層を含む強磁性フリー層は、絶縁体から形成され、フリー層の第１の副層に隣接したトンネル障壁層でＡＰピン層の第１の強磁性層から分離される。ＡＰピン層の第１の強磁性層と第２の強磁性層とを分離するＡＰＣ層が、強い逆平行結合を促し、その結果、高飽和保磁力の第２の強磁性層の磁化が、第１の強磁性層の磁化を逆平行に固定する。
本発明の好ましい実施形態では、正味の磁気モーメントがほぼゼロであるＡＰピン層構造を提供することによって、ＡＰピン層とフリー層の静磁気的な相互作用が最小限に抑えられる。ＡＰピン層を形成するそれぞれの層の厚さは、第１の強磁性層の磁気モーメントの絶対値と第２の強磁性層の磁気モーメントの絶対値がほぼ等しくなるように選択する。第１の強磁性層と第２の強磁性層は、これらの層の間にあるＡＰＣ層のためにその磁化の向きが逆平行であるため、ＡＰピン層の正味のモーメントはほぼゼロである。このようにして、ＡＰピン層とフリー層の静磁気的な相互作用を最小限に抑えることによって、フリー層の磁化は、加えられた磁界に応答して自由に回転することができ、その結果、高感度のＭＴＪセンサが得られる。
本発明の前記および追加の目的、特徴および利点は、以下の詳細な記述の中で明らかとなろう。
次に図３を参照する。同図に、本発明を実施したディスク・ドライブ３００を示した。図３に示すとおり、少なくとも１枚の回転可能な磁気ディスク３１２が、スピンドル３１４上に支持され、ディスク・ドライブ・モータ３１８によって回転する。それぞれのディスク上の磁気記録媒体は、ディスク３１２上の同心のデータ・トラック（図示せず）の環状パターンの形態をとる。
本発明のＭＴＪセンサを組み込んだ１つまたは複数の磁気読取り／書込みヘッド３２１をそれぞれ支持する少なくとも１つのスライダ３１３が、ディスク３１２の上に置かれる。ディスクが回転すると、スライダ３１３が、ディスク表面３２２の上で径方向内側および外側に移動して、ヘッド３２１が、所望のデータが記録されているディスクの異なる部分にアクセスできるようになる。各スライダ３１３は、サスペンション３１５によってアクチュエータ・アーム３１９に取り付けられる。サスペンション３１５は、ディスク表面３２２にスライダ３１３を押しつけるごく小さなばね力を与える。各アクチュエータ・アーム３１９はアクチュエータ３２７に取り付けられる。図３に示すようにアクチュエータを、ボイス・コイル・モータ（ＶＣＭ）とすることができる。ＶＣＭは、固定磁界中で可動のコイルを備え、このコイルの運動の方向および速度は、制御装置３２９が供給するモータ電流信号によって制御される。
このディスク記憶システムの動作中、ディスク３１２の回転によって、スライダ３１３（ヘッド３２１を含み、ディスク３１２の表面と向き合うスライダ３１３の表面をエア・ベアリング面（ＡＢＳ）と呼ぶ）とディスク表面３２２の間にエア・ベアリングが生じ、スライダに上向きの力、すなわち揚力を加える。その結果、このエア・ベアリングが、サスペンション３１５のごく小さなばね力と釣り合い、正常動作時にはスライダ３１３を、ディスク表面のわずかに上方に、実質的に一定な小さな間隔をあけて支持する。
ディスク記憶システムのさまざまな構成部品は、動作時、制御装置３２９が生成する、アクセス制御信号、内部クロック信号などの制御信号によって制御される。制御装置３２９は一般に、論理制御回路、記憶チップ、およびマイクロプロセッサを含む。制御装置３２９は、さまざまなシステム動作を制御するために、線３２３上のドライブ・モータ制御信号、線３２８上のヘッド位置およびシーク制御信号などの制御信号を生成する。線３２８上の制御信号は、ディスク３１２上の所望のデータ・トラックにスライダ３１３を最適に移動させ、位置決めするための所望の電流プロファイルを提供する。読取り／書込み信号は、記録チャネル３２５によって読取り／書込みヘッド３２１との間でやり取りされる。
一般的な磁気ディスク記憶システムの前記説明および図３の添付図面は、例示のみを目的としたものである。ディスク記憶システムが、多数のディスクおよびアクチュエータを含むことができ、それぞれのアクチュエータが、複数のスライダを支持できることは明白である。
本発明の好ましい実施形態に基づくＭＴＪセンサを説明する。ＭＴＪセンサは、エア・ベアリング面（ＡＢＳ）を有する。ＭＴＪセンサは、第１の電極と、第２の電極と、第１の電極と第２の電極の間に配置されたトンネル障壁層を含む。第１の電極は、積層ＡＰピン層とシード層を含み、積層ＡＰピン層は、シード層とトンネル障壁層の間に配置される。第２の電極は、フリー層とキャップ層を含み、フリー層は、キャップ層とトンネル障壁層の間に配置される。
積層ＡＰピン層は、 隣接する第１のインタフェース層を有する第１の強磁性層と、隣接する第２のインタフェース層を有する第２の強磁性層と、第１のインタフェース層と第２のインタフェース層の間に配置され、第１の強磁性層と第２の強磁性層の間に逆平行結合（ＡＰＣ）を提供するＡＰＣ層とを含むＡＰ結合された多層構造である。別法として、第１のインタフェース層および第２のインタフェース層を使用しなくてもよい。第１の強磁性層は、第１の飽和保磁力を有する材料から形成され、第２の強磁性層は、第１の飽和保磁力よりも大きい第２の飽和保磁力を有する材料から形成される。第２の強磁性層は、ＡＰピン層の磁化方向をＡＢＳと垂直に固定（自由に動けなく）するピン磁界を提供する高い飽和保磁力（１５０Ｏｅ超）を有する。シード層は、後続の層の結晶テクスチャまたは粒子サイズを変更するために付着された層であり、必要でない場合もある。
フリー層は、第１の副層と第２の副層を含み、第１の副層は、第２の副層とトンネル障壁層の間に配置される。フリー層の磁化は、ＡＢＳに平行な向きになされ、信号磁界の存在下で自由に回転することができる。
第１の電極および第２の電極にそれぞれ隣接した２つのリード層は、電流源からＭＴＪセンサへセンス電流ＩＳを流すための電気接続を提供する。２つのリードに電気的に接続された信号検出器は、信号磁界（例えば、ディスク上に記憶されたデータ・ビットによって生成された磁界）によってフリー層内に誘導された変化に起因するトンネル電流の変化をセンスする。この信号磁界は、フリー層の磁化の方向を、ＡＢＳに垂直に固定されることが好ましいピン層の磁化方向に対して相対的に回転させる役割をする。信号検出器は、ＰＲＭＬチャネルなど、当業者に周知のディジタル記録チャネルを含むことが好ましい。信号検出器はさらに、（センサとチャネルの間に電気的に配置された）前置増幅器など、センスされた抵抗の変化を調整するための当業者に周知のその他の支援回路を含む。
ＭＴＪセンサは、前述の多層構造を順次付着させるため、マグネトロン・スパッタリングまたはイオン・ビーム・スパッタ・システム中で製作する。このスパッタによる付着は、全ての強磁性層の磁化容易軸の向きを合わせるため、約４０Ｏｅの縦または横方向の磁界の存在下で実施する。厚さ約１００〜約５００オングストロームの金（Ａｕ）から形成される下部リード層を、好ましくはＡｌ2Ｏ3製の基板の上に付着させる。厚さ約５０オングストロームのＣｒから形成されるシード層をリードの上に付着させる。第２の強磁性層、第２のインタフェース層、ＡＰＣ層、第１のインタフェース層、および第１の強磁性層を含むＡＰピン層を、シード層の上に順次付着させる。
厚さ約５０オングストロームの第２の強磁性層は、硬質永久磁石の特性をそれに与える高い飽和保磁力を有する強磁性体Ｃｏ80−Ｐｔ12−Ｃｒ8から形成される。第２のインタフェース層は、厚さ約５オングストロームのコバルト（Ｃｏ）から形成される。ＡＰＣ層は、厚さ約６オングストロームのルテニウム（Ｒｕ）から形成される。第１のインタフェース層は厚さ約５オングストロームのＣｏから形成され、厚さ約２５オングストロームの第１の強磁性層は、高い磁化を有し、したがって高いトンネル磁気抵抗係数を有することが期待される強磁性体Ｃｏ30−Ｆｅ70から形成される。
８〜２０オングストロームのアルミニウム（Ａｌ）層を第１の強磁性層の上に付着させ、その後、プラズマ酸化することによって、Ａｌ2Ｏ3のトンネル障壁層を形成する。
第１の副層と第２の副層を含むフリー層をトンネル障壁層の上に付着させる。第１の副層は、トンネル障壁層の上に付着させた厚さ約１０オングストロームのＣｏ90−Ｆｅ10から形成される。Ｃｏ90−Ｆｅ10は、ゼロに近い磁気ひずみ係数を有する強磁性体である。第２の副層は、第１の副層の上に付着させた厚さ約２０オングストロームのＮｉ−Ｆｅ（パーマロイ）から形成される。厚さ約５０オングストロームのＴａから形成されるキャップ層を第２の副層の上に付着させると、ＭＴＪセンサの能動部分は完成する。
厚さ１００〜５００オングストロームの金（Ａｕ）から形成される上部リードを、キャップ層の上に付着させる。下部リードと上部リードの間に付着させたＡｌ2Ｏ3から形成される絶縁層は、これらのリード間を電気絶縁し、ＭＴＪセンサを迂回したセンス電流の分流を防ぐ。
高飽和保磁力の強磁性体を第２の強磁性層に使用することによって、積層ＡＰピン層の磁化をＡＢＳに垂直に固定するピン磁界が得られる。このピン層の磁化を設定するには、ＭＴＪセンサを、ＡＢＳに垂直な向きの高い磁界（５０００〜１５０００Ｏｅの範囲）中に置く。Ｃｏ80−Ｐｔ12−Ｃｒ8の高い飽和保磁力、および５００℃程度であるそのキュリー温度の結果、５００Ｏｅを超えるピン磁界、および約１２０〜約１４０℃までの範囲の動作温度に対して優れた耐熱性が得られる。
高飽和保磁力の第２の強磁性層とフリー層の静磁気的な結合が、信号磁界に応答したフリー層の磁化の自由な回転を妨げるのを防止するために、積層ＡＰピン層の正味の磁気モーメントを、このＡＰ結合された構造を形成する層の厚さを適当に選択することによって、ほぼゼロにまで低減させなければならない。構造内のそれぞれの強磁性層の磁気モーメントは、層材料の磁化と層厚の積に等しい。ＡＰＣ層があるため、第１の強磁性層および第１のインタフェース層の磁化の方向は、第２の強磁性層および第２のインタフェース層の磁化の方向に逆平行であるので、ＡＰＣ層の両側の全体の磁気モーメントをほぼ等しくすることによって、積層ＡＰピン層の正味の磁気モーメントをほぼゼロにすることができる。
Ｃｏ80−Ｐｔ12−Ｃｒ8が、第２の強磁性層の好ましい組成であったが、Ｃｏｘ−Ｐｔｙ−Ｃｒｚ、６８％≦ｘ≦８８％、８％≦ｙ≦１６％、４％≦ｚ≦１６％、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％で表される組成範囲を使用することもできる。
また、Ｃｏ30−Ｆｅ70が、第１の強磁性層の好ましい組成であったが、Ｃｏａ−Ｆｅｂ、２０％≦ａ≦５０％、５０％≦ｂ≦８０％、ａ＋ｂ＝１００％で表される組成範囲を使用することもできる。
トンネル磁気抵抗係数は、フリー層とピン層の磁束密度の積に比例する。したがって、ＭＴＪセンサのフリー層およびピン層として適用するには、より高い磁束密度（より高い磁化）の材料が望まれる。好ましい実施形態で第１の強磁性層に対して使用されるＣｏ30−Ｆｅ70材料は、２４０００ガウスという非常に高い飽和磁束密度を有し、その結果、ＭＴＪセンサに対して高いトンネル磁気抵抗係数を生じるはずである。
Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｓｍなどの第２の強磁性層の代替材料を使用して、本発明に基づくＭＴＪセンサを製作することもできる。
従来技術のＳＶセンサのエア・ベアリング面を一律の縮尺によらずに示した図である。 従来技術の磁気トンネル接合センサのエア・ベアリング面を一律の縮尺によらずに示した図である。 磁気記録ディスク・ドライブ・システムの簡略図である。
符号の説明
１００ スピン・バルブ（ＳＶ）センサ
１０２ 中央領域
１０４ 端領域
１０６ 端領域
１１０ フリー層
１１５ スペーサ層
１２０ ピン層
１２５ 反強磁性（ＡＦＭ）層
１３０ 硬質バイアス層
１３５ 硬質バイアス層
１４０ リード
１４５ リード
２００ 磁気トンネル接合（ＭＴＪ）センサ
２０２ 第２の電極
２０４ 第１の電極
２０５ キャップ層
２１０ フリー層（強磁性フリー層）
２１５ トンネル障壁層
２２０ ピン層（強磁性ピン層）
２３０ 反強磁性（ＡＦＭ）層
２４０ シード層
２６０ 第１のリード
２６５ 第２のリード
２７０ 電流源
２８０ 信号検出器
３００ ディスク・ドライブ
３１２ 磁気ディスク
３１３ スライダ
３１４ スピンドル
３１５ サスペンション
３１８ ドライブ・モータ
３１９ アクチュエータ・アーム
３２１ 磁気読取り／書込みヘッド
３２５ データ記録チャネル
３２７ アクチュエータ
３２９ 制御装置

Claims (22)

  1. 逆平行（ＡＰ）ピン層と、
    強磁性体のフリー層と、
    トンネル障壁層とを含み、
    前記逆平行（ＡＰ）ピン層が、
    Ｃｏa−Ｆｅb（２０％≦ａ≦５０％、５０％≦ｂ≦８０％、ａ＋ｂ＝１００％）の第１の強磁性層と、
    Ｃｏｘ−Ｐｔｙ−Ｃｒｚ（６８％≦ｘ≦８８％、８％≦ｙ≦１６％、４％≦ｚ≦１６％、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％）の組成の強磁性体から作られ、前記第１の強磁性層の磁化方向を固定する第２の強磁性層と、
    前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層の間に配置された、ルテニウムの逆平行結合（ＡＰＣ）層とを含み、
    前記トンネル障壁層が、前記第１の強磁性層と前記フリー層の間に配置され、前記逆平行（ＡＰ）ピン層の正味の磁気モーメントがゼロであることを特徴とする、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）センサ。
  2. 逆平行（ＡＰ）ピン層と、
    強磁性体のフリー層と、
    トンネル障壁層とを含み、
    前記逆平行（ＡＰ）ピン層が、
    Ｃｏａ−Ｆｅｂ（２０％≦ａ≦５０％、５０％≦ｂ≦８０％、ａ＋ｂ＝１００％）の第１の強磁性層と、
    Ｃｏｘ−Ｐｔｙ−Ｃｒｚ（６８％≦ｘ≦８８％、８％≦ｙ≦１６％、４％≦ｚ≦１６％、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％）の組成の強磁性体から作られ、前記第１の強磁性層の磁化方向を固定する第２の強磁性層と、
    前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層の間に配置された、ルテニウムの逆平行結合（ＡＰＣ）層とを含み、
    前記トンネル障壁層が、前記第１の強磁性層と前記フリー層の間に配置され、前記逆平行（ＡＰ）ピン層の正味の磁気モーメントがゼロであり、
    前記強磁性のフリー層が、前記トンネル障壁層に接する、Ｃｏ90−Ｆｅ10の第１の副層と、該第１の副層に接するＮｉ−Ｆｅの第２の副層とを有することを特徴とする、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）センサ。
  3. 逆平行（ＡＰ）ピン層と、
    強磁性体のフリー層と、
    トンネル障壁層とを含み、
    前記逆平行（ＡＰ）ピン層が、
    Ｃｏａ−Ｆｅｂ（２０％≦ａ≦５０％、５０％≦ｂ≦８０％、ａ＋ｂ＝１００％）の第１の強磁性層と、
    Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｐｔ及びＣｏ−Ｓｍからなる群から選択された材料の強磁性体から作られ、前記第１の強磁性層の磁化方向を固定する第２の強磁性層と、
    前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層の間に配置された、ルテニウムの逆平行結合（ＡＰＣ）層とを含み、
    前記トンネル障壁層が、前記第１の強磁性層と前記フリー層の間に配置され、前記逆平行（ＡＰ）ピン層の正味の磁気モーメントがゼロであることを特徴とする、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）センサ。
  4. 逆平行（ＡＰ）ピン層と、
    強磁性体のフリー層と、
    トンネル障壁層とを含み、
    前記逆平行（ＡＰ）ピン層が、Ｃｏａ−Ｆｅｂ（２０％≦ａ≦５０％、５０％≦ｂ≦８０％、ａ＋ｂ＝１００％）の第１の強磁性層と、
    Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｐｔ及びＣｏ−Ｓｍからなる群から選択された材料の強磁性体から作られ、前記第１の強磁性層の磁化方向を固定する第２の強磁性層と、
    前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層の間に配置された、ルテニウムの逆平行結合（ＡＰＣ）層とを含み、
    前記トンネル障壁層が、前記第１の強磁性層と前記フリー層の間に配置され、前記逆平行（ＡＰ）ピン層の正味の磁気モーメントがゼロであり、
    前記強磁性のフリー層が、前記トンネル障壁層に接する、Ｃｏ90−Ｆｅ10の第１の副層と、該第１の副層に接するＮｉ−Ｆｅの第２の副層とを有することを特徴とする、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）センサ。
  5. 逆平行（ＡＰ）ピン層と、
    強磁性体のフリー層と、
    トンネル障壁層とを含み、
    前記逆平行（ＡＰ）ピン層が、
    Ｃｏ30−Ｆｅ70の第１の強磁性層と、
    Ｃｏ80−Ｐｔ12−Ｃｒ8の組成の強磁性体から作られ、前記第１の強磁性層の磁化方向を固定する第２の強磁性層と、
    前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層の間に配置された、ルテニウムの逆平行結合（ＡＰＣ）層とを含み、
    前記トンネル障壁層が、前記第１の強磁性層と前記フリー層の間に配置され、前記逆平行（ＡＰ）ピン層の正味の磁気モーメントがゼロであることを特徴とする、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）センサ。
  6. 前記第１の強磁性層の厚さが、２５オングストロームであり、前記第２の強磁性層の厚さが５０オングストロームであることを特徴とする、請求項５に記載のＭＴＪセンサ。
  7. 逆平行（ＡＰ）ピン層と、
    強磁性体のフリー層と、
    トンネル障壁層とを含み、
    前記逆平行（ＡＰ）ピン層が、
    Ｃｏ30−Ｆｅ70の第１の強磁性層と、
    Ｃｏ80−Ｐｔ12−Ｃｒ8の組成の強磁性体から作られ、前記第１の強磁性層の磁化方向を固定する第２の強磁性層と、
    前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層の間に配置された、ルテニウムの逆平行結合（ＡＰＣ）層とを含み、
    前記トンネル障壁層が、前記第１の強磁性層と前記フリー層の間に配置され、前記逆平行（ＡＰ）ピン層の正味の磁気モーメントがゼロであり、
    前記強磁性のフリー層が、前記トンネル障壁層に接する、Ｃｏ90−Ｆｅ10の第１の副層と、該第１の副層に接するＮｉ−Ｆｅの第２の副層とを有することを特徴とする、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）センサ。
  8. 前記第１の強磁性層の厚さが、２５オングストロームであり、前記第２の強磁性層の厚さが５０オングストロームであることを特徴とする、請求項７に記載のＭＴＪセンサ。
  9. 逆平行（ＡＰ）ピン層と、
    強磁性体のフリー層と、
    トンネル障壁層とを含み、
    前記逆平行（ＡＰ）ピン層が、
    Ｃｏ30−Ｆｅ70の第１の強磁性層と、
    Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｐｔ及びＣｏ−Ｓｍからなる群から選択された材料の強磁性体から作られ、前記第１の強磁性層の磁化方向を固定する第２の強磁性層と、
    前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層の間に配置された、ルテニウムの逆平行結合（ＡＰＣ）層とを含み、
    前記トンネル障壁層が、前記第１の強磁性層と前記フリー層の間に配置され、前記逆平行（ＡＰ）ピン層の正味の磁気モーメントがゼロであることを特徴とする、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）センサ。
  10. 逆平行（ＡＰ）ピン層と、
    強磁性体のフリー層と、
    トンネル障壁層とを含み、
    前記逆平行（ＡＰ）ピン層が、
    Ｃｏ30−Ｆｅ70の第１の強磁性層と、
    Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｐｔ及びＣｏ−Ｓｍからなる群から選択された材料の強磁性体から作られ、前記第１の強磁性層の磁化方向を固定する第２の強磁性層と、
    前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層の間に配置された、ルテニウムの逆平行結合（ＡＰＣ）層とを含み、
    前記トンネル障壁層が、前記第１の強磁性層と前記フリー層の間に配置され、前記逆平行（ＡＰ）ピン層の正味の磁気モーメントがゼロであり、
    前記強磁性のフリー層が、前記トンネル障壁層に接する、Ｃｏ90−Ｆｅ10の第１の副層と、該第１の副層に接するＮｉ−Ｆｅの第２の副層とを有することを特徴とする、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）センサ。
  11. 磁気記録ディスクと、
    前記磁気記録ディスク上に磁気的に記録されたデータをセンスする磁気トンネル接合（ＭＴＪ）センサと、
    前記ＭＴＪセンサが前記磁気記録ディスク上に磁気的に記録されたデータの様々な領域にアクセスできるように、前記磁気記録ディスクを横切って前記ＭＴＪセンサを移動させるアクチュエータと、
    前記ＭＴＪセンサに電気的に結合された記録チャネルとを含み、
    前記ＭＴＪセンサが、
    逆平行（ＡＰ）ピン層と、
    強磁性体のフリー層と、
    トンネル障壁層とを含み、
    前記逆平行（ＡＰ）ピン層が、
    Ｃｏａ−Ｆｅｂ（２０％≦ａ≦５０％、５０％≦ｂ≦８０％、ａ＋ｂ＝１００％）の第１の強磁性層と、
    Ｃｏｘ−Ｐｔｙ−Ｃｒｚ（６８％≦ｘ≦８８％、８％≦ｙ≦１６％、４％≦ｚ≦１６％、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％）の組成の強磁性体から作られ、前記第１の強磁性層の磁化方向を固定する第２の強磁性層と、
    前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層の間に配置された、ルテニウムの逆平行結合（ＡＰＣ）層とを含み、
    前記トンネル障壁層が、前記第１の強磁性層と前記フリー層の間に配置され、前記逆平行（ＡＰ）ピン層の正味の磁気モーメントがゼロであり、
    前記記録チャネルが、前記磁気的に記録されたデータからの磁界に応答した、前記逆平行（ＡＰ）ピン層の固定された磁化に対する前記フリー層の磁化軸の相対的な回転によって生じるＭＴＪセンサの抵抗の変化を検出することを特徴とする、ディスク・ドライブ・システム。
  12. 磁気記録ディスクと、
    前記磁気記録ディスク上に磁気的に記録されたデータをセンスする磁気トンネル接合（ＭＴＪ）センサと、
    前記ＭＴＪセンサが前記磁気記録ディスク上に磁気的に記録されたデータの様々な領域にアクセスできるように、前記磁気記録ディスクを横切って前記ＭＴＪセンサを移動させるアクチュエータと、
    前記ＭＴＪセンサに電気的に結合された記録チャネルとを含み、
    前記ＭＴＪセンサが、
    逆平行（ＡＰ）ピン層と、
    強磁性体のフリー層と、
    トンネル障壁層とを含み、
    前記逆平行（ＡＰ）ピン層が、
    Ｃｏａ−Ｆｅｂ（２０％≦ａ≦５０％、５０％≦ｂ≦８０％、ａ＋ｂ＝１００％）の第１の強磁性層と、
    Ｃｏｘ−Ｐｔｙ−Ｃｒｚ（６８％≦ｘ≦８８％、８％≦ｙ≦１６％、４％≦ｚ≦１６％、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％）の組成の強磁性体から作られ、前記第１の強磁性層の磁化方向を固定する第２の強磁性層と、
    前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層の間に配置された、ルテニウムの逆平行結合（ＡＰＣ）層とを含み、
    前記トンネル障壁層が、前記第１の強磁性層と前記フリー層の間に配置され、前記逆平行（ＡＰ）ピン層の正味の磁気モーメントがゼロであり、
    前記強磁性のフリー層が、前記トンネル障壁層に接する、Ｃｏ90−Ｆｅ10の第１の副層と、該第１の副層に接するＮｉ−Ｆｅの第２の副層とを有し、
    前記記録チャネルが、前記磁気的に記録されたデータからの磁界に応答した、前記逆平行（ＡＰ）ピン層の固定された磁化に対する前記フリー層の磁化軸の相対的な回転によって生じるＭＴＪセンサの抵抗の変化を検出することを特徴とする、ディスク・ドライブ・システム。
  13. 磁気記録ディスクと、
    前記磁気記録ディスク上に磁気的に記録されたデータをセンスする磁気トンネル接合（ＭＴＪ）センサと、
    前記ＭＴＪセンサが前記磁気記録ディスク上に磁気的に記録されたデータの様々な領域にアクセスできるように、前記磁気記録ディスクを横切って前記ＭＴＪセンサを移動させるアクチュエータと、
    前記ＭＴＪセンサに電気的に結合された記録チャネルとを含み、
    前記ＭＴＪセンサが、
    逆平行（ＡＰ）ピン層と、
    強磁性体のフリー層と、
    トンネル障壁層とを含み、
    前記逆平行（ＡＰ）ピン層が、
    Ｃｏａ−Ｆｅｂ（２０％≦ａ≦５０％、５０％≦ｂ≦８０％、ａ＋ｂ＝１００％）の第１の強磁性層と、
    Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｐｔ及びＣｏ−Ｓｍからなる群から選択された材料の強磁性体から作られ、前記第１の強磁性層の磁化方向を固定する第２の強磁性層と、
    前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層の間に配置された、ルテニウムの逆平行結合（ＡＰＣ）層とを含み、
    前記トンネル障壁層が、前記第１の強磁性層と前記フリー層の間に配置され、前記逆平行（ＡＰ）ピン層の正味の磁気モーメントがゼロであり、
    前記記録チャネルが、前記磁気的に記録されたデータからの磁界に応答した、前記逆平行（ＡＰ）ピン層の固定された磁化に対する前記フリー層の磁化軸の相対的な回転によって生じるＭＴＪセンサの抵抗の変化を検出することを特徴とする、ディスク・ドライブ・システム。
  14. 磁気記録ディスクと、
    前記磁気記録ディスク上に磁気的に記録されたデータをセンスする磁気トンネル接合（ＭＴＪ）センサと、
    前記ＭＴＪセンサが前記磁気記録ディスク上に磁気的に記録されたデータの様々な領域にアクセスできるように、前記磁気記録ディスクを横切って前記ＭＴＪセンサを移動させるアクチュエータと、
    前記ＭＴＪセンサに電気的に結合された記録チャネルとを含み、
    前記ＭＴＪセンサが、
    逆平行（ＡＰ）ピン層と、
    強磁性体のフリー層と、
    トンネル障壁層とを含み、
    前記逆平行（ＡＰ）ピン層が、
    Ｃｏａ−Ｆｅｂ（２０％≦ａ≦５０％、５０％≦ｂ≦８０％、ａ＋ｂ＝１００％）の第１の強磁性層と、
    Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｐｔ及びＣｏ−Ｓｍからなる群から選択された材料の強磁性体から作られ、前記第１の強磁性層の磁化方向を固定する第２の強磁性層と、
    前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層の間に配置された、ルテニウムの逆平行結合（ＡＰＣ）層とを含み、
    前記トンネル障壁層が、前記第１の強磁性層と前記フリー層の間に配置され、前記逆平行（ＡＰ）ピン層の正味の磁気モーメントがゼロであり、
    前記強磁性のフリー層が、前記トンネル障壁層に接する、Ｃｏ90−Ｆｅ10の第１の副層と、該第１の副層に接するＮｉ−Ｆｅの第２の副層とを有し、
    前記記録チャネルが、前記磁気的に記録されたデータからの磁界に応答した、前記逆平行（ＡＰ）ピン層の固定された磁化に対する前記フリー層の磁化軸の相対的な回転によって生じるＭＴＪセンサの抵抗の変化を検出することを特徴とする、ディスク・ドライブ・システム。
  15. 磁気記録ディスクと、
    前記磁気記録ディスク上に磁気的に記録されたデータをセンスする磁気トンネル接合（ＭＴＪ）センサと、
    前記ＭＴＪセンサが前記磁気記録ディスク上に磁気的に記録されたデータの様々な領域にアクセスできるように、前記磁気記録ディスクを横切って前記ＭＴＪセンサを移動させるアクチュエータと、
    前記ＭＴＪセンサに電気的に結合された記録チャネルとを含み、
    前記ＭＴＪセンサが、
    逆平行（ＡＰ）ピン層と、
    強磁性体のフリー層と、
    トンネル障壁層とを含み、
    前記逆平行（ＡＰ）ピン層が、
    Ｃｏ30−Ｆｅ70の第１の強磁性層と、
    Ｃｏ80−Ｐｔ12−Ｃｒ8の組成の強磁性体から作られ、前記第１の強磁性層の磁化方向を固定する第２の強磁性層と、
    前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層の間に配置された、ルテニウムの逆平行結合（ＡＰＣ）層とを含み、
    前記トンネル障壁層が、前記第１の強磁性層と前記フリー層の間に配置され、前記逆平行（ＡＰ）ピン層の正味の磁気モーメントがゼロであり、
    前記記録チャネルが、前記磁気的に記録されたデータからの磁界に応答した、前記逆平行（ＡＰ）ピン層の固定された磁化に対する前記フリー層の磁化軸の相対的な回転によって生じるＭＴＪセンサの抵抗の変化を検出することを特徴とする、ディスク・ドライブ・システム。
  16. 前記第１の強磁性層の厚さが、２５オングストロームであり、前記第２の強磁性層の厚さが５０オングストロームであることを特徴とする、請求項１５に記載のディスク・ドライブ・システム。
  17. 磁気記録ディスクと、
    前記磁気記録ディスク上に磁気的に記録されたデータをセンスする磁気トンネル接合（ＭＴＪ）センサと、
    前記ＭＴＪセンサが前記磁気記録ディスク上に磁気的に記録されたデータの様々な領域にアクセスできるように、前記磁気記録ディスクを横切って前記ＭＴＪセンサを移動させるアクチュエータと、
    前記ＭＴＪセンサに電気的に結合された記録チャネルとを含み、
    前記ＭＴＪセンサが、
    逆平行（ＡＰ）ピン層と、
    強磁性体のフリー層と、
    トンネル障壁層とを含み、
    前記逆平行（ＡＰ）ピン層が、
    Ｃｏ30−Ｆｅ70の第１の強磁性層と、
    Ｃｏ80−Ｐｔ12−Ｃｒ8の組成の強磁性体から作られ、前記第１の強磁性層の磁化方向を固定する第２の強磁性層と、
    前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層の間に配置された、ルテニウムの逆平行結合（ＡＰＣ）層とを含み、
    前記トンネル障壁層が、前記第１の強磁性層と前記フリー層の間に配置され、前記逆平行（ＡＰ）ピン層の正味の磁気モーメントがゼロであり、
    前記強磁性のフリー層が、前記トンネル障壁層に接する、Ｃｏ90−Ｆｅ10の第１の副層と、該第１の副層に接するＮｉ−Ｆｅの第２の副層とを有し、
    前記記録チャネルが、前記磁気的に記録されたデータからの磁界に応答した、前記逆平行（ＡＰ）ピン層の固定された磁化に対する前記フリー層の磁化軸の相対的な回転によって生じるＭＴＪセンサの抵抗の変化を検出することを特徴とする、ディスク・ドライブ・システム。
  18. 前記第１の強磁性層の厚さが、２５オングストロームであり、前記第２の強磁性層の厚さが５０オングストロームであることを特徴とする、請求項１７に記載のディスク・ドライブ・システム。
  19. 磁気記録ディスクと、
    前記磁気記録ディスク上に磁気的に記録されたデータをセンスする磁気トンネル接合（ＭＴＪ）センサと、
    前記ＭＴＪセンサが前記磁気記録ディスク上に磁気的に記録されたデータの様々な領域にアクセスできるように、前記磁気記録ディスクを横切って前記ＭＴＪセンサを移動させるアクチュエータと、
    前記ＭＴＪセンサに電気的に結合された記録チャネルとを含み、
    前記ＭＴＪセンサが、
    逆平行（ＡＰ）ピン層と、
    強磁性体のフリー層と、
    トンネル障壁層とを含み、
    前記逆平行（ＡＰ）ピン層が、
    Ｃｏ30−Ｆｅ70の第１の強磁性層と、
    Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｐｔ及びＣｏ−Ｓｍからなる群から選択された材料の強磁性体から作られ、前記第１の強磁性層の磁化方向を固定する第２の強磁性層と、
    前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層の間に配置された、ルテニウムの逆平行結合（ＡＰＣ）層とを含み、
    前記トンネル障壁層が、前記第１の強磁性層と前記フリー層の間に配置され、前記逆平行（ＡＰ）ピン層の正味の磁気モーメントがゼロであり、
    前記記録チャネルが、前記磁気的に記録されたデータからの磁界に応答した、前記逆平行（ＡＰ）ピン層の固定された磁化に対する前記フリー層の磁化軸の相対的な回転によって生じるＭＴＪセンサの抵抗の変化を検出することを特徴とする、ディスク・ドライブ・システム。
  20. 磁気記録ディスクと、
    前記磁気記録ディスク上に磁気的に記録されたデータをセンスする磁気トンネル接合（ＭＴＪ）センサと、
    前記ＭＴＪセンサが前記磁気記録ディスク上に磁気的に記録されたデータの様々な領域にアクセスできるように、前記磁気記録ディスクを横切って前記ＭＴＪセンサを移動させるアクチュエータと、
    前記ＭＴＪセンサに電気的に結合された記録チャネルとを含み、
    前記ＭＴＪセンサが、
    逆平行（ＡＰ）ピン層と、
    強磁性体のフリー層と、
    トンネル障壁層とを含み、
    前記逆平行（ＡＰ）ピン層が、
    Ｃｏ30−Ｆｅ70の第１の強磁性層と、
    Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｐｔ及びＣｏ−Ｓｍからなる群から選択された材料の強磁性体から作られ、前記第１の強磁性層の磁化方向を固定する第２の強磁性層と、
    前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層の間に配置された、ルテニウムの逆平行結合（ＡＰＣ）層とを含み、
    前記トンネル障壁層が、前記第１の強磁性層と前記フリー層の間に配置され、前記逆平行（ＡＰ）ピン層の正味の磁気モーメントがゼロであり、
    前記強磁性のフリー層が、前記トンネル障壁層に接する、Ｃｏ90−Ｆｅ10の第１の副層と、該第１の副層に接するＮｉ−Ｆｅの第２の副層とを有し、
    前記記録チャネルが、前記磁気的に記録されたデータからの磁界に応答した、前記逆平行（ＡＰ）ピン層の固定された磁化に対する前記フリー層の磁化軸の相対的な回転によって生じるＭＴＪセンサの抵抗の変化を検出することを特徴とする、ディスク・ドライブ・システム。
  21. 前記第１の強磁性層と前記ＡＰＣ層との間に、Ｃｏの第１のインターフェイス層が設けられ、前記ＡＰＣ層と前記第２の強磁性層との間にＣｏの第２のインターフェイス層が設けられていることを特徴とする請求項１，２，３，４，５，７，９又は１０に記載のＭＴＪセンサ。
  22. 前記第１の強磁性層と前記ＡＰＣ層との間に、Ｃｏの第１のインターフェイス層が設けられ、前記ＡＰＣ層と前記第２の強磁性層との間にＣｏの第２のインターフェイス層が設けられていることを特徴とする請求項１１，１２，１３，１４，１５，１７，１９又は２０に記載のディスク・ドライブ・システム。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6542342B1 (en) * 1998-11-30 2003-04-01 Nec Corporation Magnetoresistive effect transducer having longitudinal bias layer directly connected to free layer
KR100378414B1 (ko) 1999-05-31 2003-03-29 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 자기저항효과소자, 그 제조방법, 및 그것을 사용한 자기기억장치
US6219209B1 (en) * 1999-07-29 2001-04-17 International Business Machines Corporation Spin valve head with multiple antiparallel coupling layers
US6259586B1 (en) * 1999-09-02 2001-07-10 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junction sensor with AP-coupled free layer
US6611405B1 (en) * 1999-09-16 2003-08-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistive element and magnetic memory device
JP3891540B2 (ja) * 1999-10-25 2007-03-14 キヤノン株式会社 磁気抵抗効果メモリ、磁気抵抗効果メモリに記録される情報の記録再生方法、およびｍｒａｍ
US6560077B2 (en) * 2000-01-10 2003-05-06 The University Of Alabama CPP spin-valve device
DE20007001U1 (de) * 2000-04-15 2000-07-27 Hummel Anton Verwaltung Stecker mit einer Hülse
JP2001307307A (ja) * 2000-04-19 2001-11-02 Tdk Corp トンネル磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置
JP3618654B2 (ja) 2000-09-11 2005-02-09 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
US20020044391A1 (en) 2000-11-15 2002-04-18 Masayoshi Hiramoto Magneto-resistive element magnetic head, and magnetic recording and reproduction apparatus
KR100396602B1 (ko) * 2000-12-12 2003-09-02 엘지전자 주식회사 탄소나노튜브를 이용한 터널접합 자기저항 소자
US6724586B2 (en) * 2001-03-27 2004-04-20 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Bias structure for magnetic tunnel junction magnetoresistive sensor
TWI222630B (en) * 2001-04-24 2004-10-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Magnetoresistive element and magnetoresistive memory device using the same
US6643165B2 (en) 2001-07-25 2003-11-04 Nantero, Inc. Electromechanical memory having cell selection circuitry constructed with nanotube technology
US6574130B2 (en) * 2001-07-25 2003-06-03 Nantero, Inc. Hybrid circuit having nanotube electromechanical memory
US6835591B2 (en) * 2001-07-25 2004-12-28 Nantero, Inc. Methods of nanotube films and articles
US6919592B2 (en) * 2001-07-25 2005-07-19 Nantero, Inc. Electromechanical memory array using nanotube ribbons and method for making same
US6706402B2 (en) 2001-07-25 2004-03-16 Nantero, Inc. Nanotube films and articles
US7566478B2 (en) * 2001-07-25 2009-07-28 Nantero, Inc. Methods of making carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles
US6657825B2 (en) 2001-08-02 2003-12-02 International Business Machines Corporation Self aligned magnetoresistive flux guide read head with exchange bias underneath free layer
JP4780878B2 (ja) * 2001-08-02 2011-09-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 薄膜磁性体記憶装置
US7440479B2 (en) * 2001-09-06 2008-10-21 Brown University Magneto-optoelectronic switch and sensor
US6992870B2 (en) * 2001-10-25 2006-01-31 Tdk Corporation Magneto-resistive device, and magnetic head and head suspension assembly using same
US6784028B2 (en) * 2001-12-28 2004-08-31 Nantero, Inc. Methods of making electromechanical three-trace junction devices
US7176505B2 (en) * 2001-12-28 2007-02-13 Nantero, Inc. Electromechanical three-trace junction devices
US6754056B2 (en) * 2002-01-18 2004-06-22 International Business Machines Corporation Read head having a tunnel junction sensor with a free layer biased by exchange coupling with insulating antiferromagnetic (AFM) layers
US6888705B2 (en) * 2002-01-18 2005-05-03 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. High linear density tunnel junction flux guide read head with in-stack longitudinal bias stack (LBS)
US6757144B2 (en) 2002-01-18 2004-06-29 International Business Machines Corporation Flux guide read head with in stack biased current perpendicular to the planes (CPP) sensor
US6735112B2 (en) * 2002-02-06 2004-05-11 Micron Technology, Inc. Magneto-resistive memory cell structures with improved selectivity
US6961225B2 (en) * 2002-02-20 2005-11-01 International Business Machines Corporation Magnetoresistance sensor having an antiferromagnetic pinning layer with both surfaces pinning ferromagnetic bias layers
DE10214159B4 (de) * 2002-03-28 2008-03-20 Qimonda Ag Verfahren zur Herstellung einer Referenzschicht für MRAM-Speicherzellen
US6801412B2 (en) 2002-04-19 2004-10-05 International Business Machines Corporation Method and apparatus for improved pinning strength for self-pinned giant magnetoresistive heads
JPWO2003092084A1 (ja) * 2002-04-23 2005-09-02 松下電器産業株式会社 磁気抵抗効果素子とその製造方法ならびにこれを用いた磁気ヘッド、磁気メモリおよび磁気記録装置
US7335395B2 (en) * 2002-04-23 2008-02-26 Nantero, Inc. Methods of using pre-formed nanotubes to make carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles
US6781798B2 (en) 2002-07-15 2004-08-24 International Business Machines Corporation CPP sensor with dual self-pinned AP pinned layer structures
JP2004071897A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Sony Corp 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
US6960397B2 (en) * 2003-01-29 2005-11-01 Korea Chungang Educational Foundation Magnetoresistance device
JP2004289100A (ja) * 2003-01-31 2004-10-14 Japan Science & Technology Agency Ｃｐｐ型巨大磁気抵抗素子及びそれを用いた磁気部品並びに磁気装置
KR20040083934A (ko) 2003-03-25 2004-10-06 주식회사 하이닉스반도체 마그네틱 램의 형성방법
JP3961496B2 (ja) * 2003-04-18 2007-08-22 アルプス電気株式会社 Ｃｐｐ型巨大磁気抵抗効果ヘッド
JP3974587B2 (ja) * 2003-04-18 2007-09-12 アルプス電気株式会社 Ｃｐｐ型巨大磁気抵抗効果ヘッド
JP3961497B2 (ja) * 2003-04-18 2007-08-22 アルプス電気株式会社 Ｃｐｐ型巨大磁気抵抗効果ヘッド
US7916435B1 (en) 2003-05-02 2011-03-29 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic tunnel transistor having a base structure that provides polarization of unpolarized electrons from an emitter based upon a magnetic orientation of a free layer and a self-pinned layer
US7230804B2 (en) * 2003-05-02 2007-06-12 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method and apparatus for providing a magnetic tunnel transistor with a self-pinned emitter
US7474510B1 (en) * 2004-01-08 2009-01-06 Seagate Technology Llc Disk drive head reset for parked head using closely spaced magnet
US7366009B2 (en) * 2004-01-10 2008-04-29 Honeywell International Inc. Separate write and read access architecture for a magnetic tunnel junction
US7190560B2 (en) * 2004-02-18 2007-03-13 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Self-pinned CPP sensor using Fe/Cr/Fe structure
US7221545B2 (en) * 2004-02-18 2007-05-22 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. High HC reference layer structure for self-pinned GMR heads
JP4963007B2 (ja) * 2004-07-05 2012-06-27 独立行政法人産業技術総合研究所 光誘導磁化反転を用いた高速不揮発性光メモリ素子およびその動作方法
JP4008478B2 (ja) * 2005-07-13 2007-11-14 Ｔｄｋ株式会社 磁界検出素子、基体、ウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、および磁界検出素子の製造方法
JP4573736B2 (ja) * 2005-08-31 2010-11-04 三菱電機株式会社 磁界検出装置
JP4444241B2 (ja) * 2005-10-19 2010-03-31 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置
US7821747B2 (en) * 2006-02-10 2010-10-26 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method and apparatus for providing improved pinning structure for tunneling magnetoresistive sensor
US7746603B2 (en) * 2006-12-19 2010-06-29 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. CPP Magnetoresistive head with different thickness free layers for improved signal to noise ratio
US8174800B2 (en) * 2007-05-07 2012-05-08 Canon Anelva Corporation Magnetoresistive element, method of manufacturing the same, and magnetic multilayered film manufacturing apparatus
JP4593601B2 (ja) * 2007-08-03 2010-12-08 キヤノンアネルバ株式会社 汚染物質除去方法、半導体製造方法、及び薄膜形成加工装置
JP5150284B2 (ja) 2008-01-30 2013-02-20 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子およびその製造方法
JP5361201B2 (ja) 2008-01-30 2013-12-04 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子の製造方法
JPWO2009110119A1 (ja) * 2008-03-06 2011-07-14 富士電機ホールディングス株式会社 強磁性トンネル接合素子および強磁性トンネル接合素子の駆動方法
US8629518B2 (en) * 2009-07-02 2014-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Sacrifice layer structure and method for magnetic tunnel junction (MTJ) etching process
JP2011123944A (ja) * 2009-12-10 2011-06-23 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv Ｔｍｒリード・ヘッドの製造方法及びｔｍｒ積層体
CN102023244A (zh) * 2010-10-26 2011-04-20 江苏多维科技有限公司 独立封装的电表传感器
US8829901B2 (en) * 2011-11-04 2014-09-09 Honeywell International Inc. Method of using a magnetoresistive sensor in second harmonic detection mode for sensing weak magnetic fields
US8590138B2 (en) * 2012-02-24 2013-11-26 Tdk Corporation Method of manufacturing thermally-assisted magnetic recording head
US9524765B2 (en) 2014-08-15 2016-12-20 Qualcomm Incorporated Differential magnetic tunnel junction pair including a sense layer with a high coercivity portion
US10483320B2 (en) 2015-12-10 2019-11-19 Everspin Technologies, Inc. Magnetoresistive stack with seed region and method of manufacturing the same
CN105572609B (zh) * 2015-12-18 2018-09-25 中国人民解放军国防科学技术大学 一种可调量程的多铁异质磁场传感器及量程调节方法
KR102566954B1 (ko) 2016-08-04 2023-08-16 삼성전자주식회사 자기 메모리 소자 및 그 제조 방법
US10876839B2 (en) 2018-09-11 2020-12-29 Honeywell International Inc. Spintronic gyroscopic sensor device
US10802087B2 (en) 2018-09-11 2020-10-13 Honeywell International Inc. Spintronic accelerometer
US10871529B2 (en) 2018-09-11 2020-12-22 Honeywell International Inc. Spintronic mechanical shock and vibration sensor device
EP4181656A1 (en) * 2018-11-19 2023-05-17 Everspin Technologies, Inc. Magnetoresistive stack with seed region and method of manufacturing the same
US11500042B2 (en) 2020-02-28 2022-11-15 Brown University Magnetic sensing devices based on interlayer exchange-coupled magnetic thin films
US11380840B2 (en) 2020-03-20 2022-07-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Memory cell with magnetic access selector apparatus
WO2022208771A1 (ja) * 2021-03-31 2022-10-06 三菱電機株式会社 磁気センサ素子、磁気センサおよび磁気センサ装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5206590A (en) * 1990-12-11 1993-04-27 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect
US5159513A (en) * 1991-02-08 1992-10-27 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect
US5341261A (en) * 1991-08-26 1994-08-23 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor having multilayer thin film structure
US5583725A (en) * 1994-06-15 1996-12-10 International Business Machines Corporation Spin valve magnetoresistive sensor with self-pinned laminated layer and magnetic recording system using the sensor
JPH0877519A (ja) * 1994-09-08 1996-03-22 Fujitsu Ltd 磁気抵抗効果型トランスジューサ
US5764567A (en) * 1996-11-27 1998-06-09 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junction device with nonferromagnetic interface layer for improved magnetic field response
US5650958A (en) * 1996-03-18 1997-07-22 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junctions with controlled magnetic response
US5768069A (en) * 1996-11-27 1998-06-16 International Business Machines Corporation Self-biased dual spin valve sensor
US5828529A (en) * 1997-04-29 1998-10-27 International Business Machines Corporation Antiparallel pinned spin valve with read signal symmetry
US5966012A (en) * 1997-10-07 1999-10-12 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junction device with improved fixed and free ferromagnetic layers
US5898548A (en) * 1997-10-24 1999-04-27 International Business Machines Corporation Shielded magnetic tunnel junction magnetoresistive read head
US5898547A (en) * 1997-10-24 1999-04-27 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junction magnetoresistive read head with sensing layer as flux guide
US5880913A (en) * 1997-10-27 1999-03-09 International Business Machines Corporation Antiparallel pinned spin valve sensor with read signal symmetry
US5898549A (en) * 1997-10-27 1999-04-27 International Business Machines Corporation Anti-parallel-pinned spin valve sensor with minimal pinned layer shunting
US5920446A (en) * 1998-01-06 1999-07-06 International Business Machines Corporation Ultra high density GMR sensor

Also Published As

Publication number Publication date
KR20000016943A (ko) 2000-03-25
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