JP2001011421A - 半導体用接着剤フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置 - Google Patents
半導体用接着剤フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置Info
- Publication number
- JP2001011421A JP2001011421A JP18359999A JP18359999A JP2001011421A JP 2001011421 A JP2001011421 A JP 2001011421A JP 18359999 A JP18359999 A JP 18359999A JP 18359999 A JP18359999 A JP 18359999A JP 2001011421 A JP2001011421 A JP 2001011421A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor
- adhesive film
- acid
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】
【課題】切断性に優れた、切断時にバリや切り屑が発生
しない半導体用接着剤フィルム、このフィルムを用いた
リードフレーム及び半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体用接着剤フィルムにおいて、接着層
に対数粘度が０．１ｄｌ／ｇ以上でブタジエン系ゴムが
共重合されたポリアミドイミド樹脂層を用いる。
しない半導体用接着剤フィルム、このフィルムを用いた
リードフレーム及び半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体用接着剤フィルムにおいて、接着層
に対数粘度が０．１ｄｌ／ｇ以上でブタジエン系ゴムが
共重合されたポリアミドイミド樹脂層を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体用接着剤フ
ィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置に
関する。
ィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ ｏｎ Ｃｈｉ
ｐ）やＣＯＬ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｌｅａｄ）構造の半導
体パッケージ、枠ブタ構造の半導体パッケージ等におい
て、リードフレームとチップの接着にはフィルム状の接
着剤が用いられている。フィルム状の接着剤としては基
材フィルムの片面、又は両面にエポキシ樹脂、ポリエス
テル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイ
ミド樹脂、ポリエーテルアミドイミド樹脂等の接着剤を
コーテイングした構造のものが主に用いられている。通
常これらのフィルム状接着剤は、シアーカット、レーザ
ーカット等のスリット方法で細幅にスリットされた後、
所定の形状に切り抜かれてリードフレームの所定部分に
貼り付けられ使用されるが、スリット時にフィルム状接
着剤端部に切断バリや切り屑が多発し、接着剤フィルム
付きリードフレーム製造において歩留まりが低下すると
いう問題がある。
ｐ）やＣＯＬ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｌｅａｄ）構造の半導
体パッケージ、枠ブタ構造の半導体パッケージ等におい
て、リードフレームとチップの接着にはフィルム状の接
着剤が用いられている。フィルム状の接着剤としては基
材フィルムの片面、又は両面にエポキシ樹脂、ポリエス
テル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイ
ミド樹脂、ポリエーテルアミドイミド樹脂等の接着剤を
コーテイングした構造のものが主に用いられている。通
常これらのフィルム状接着剤は、シアーカット、レーザ
ーカット等のスリット方法で細幅にスリットされた後、
所定の形状に切り抜かれてリードフレームの所定部分に
貼り付けられ使用されるが、スリット時にフィルム状接
着剤端部に切断バリや切り屑が多発し、接着剤フィルム
付きリードフレーム製造において歩留まりが低下すると
いう問題がある。
【０００３】現在、これらの切断時の問題は、フィルム
をスリットする刃の材質や形状、及び上刃と下刃のクリ
ヤランスを調節することによって一部解決している。し
かい、これらの方法では、クリヤランスの調節に時間が
かかり、しかも、テープ材の種類によっては、クリヤラ
ンス調節後短時間でバリが発生し、再度クリヤランスの
調節が必要になり、生産性が低下するといった問題点が
あり、切断性に優れた接着テープの開発が求められてい
る。
をスリットする刃の材質や形状、及び上刃と下刃のクリ
ヤランスを調節することによって一部解決している。し
かい、これらの方法では、クリヤランスの調節に時間が
かかり、しかも、テープ材の種類によっては、クリヤラ
ンス調節後短時間でバリが発生し、再度クリヤランスの
調節が必要になり、生産性が低下するといった問題点が
あり、切断性に優れた接着テープの開発が求められてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の問題
を改良し、切断性に優れた、切断時にバリや切り屑が発
生しない半導体用接着剤フィルム、このフィルムを用い
たリードフレーム及び半導体装置を提供する。
を改良し、切断性に優れた、切断時にバリや切り屑が発
生しない半導体用接着剤フィルム、このフィルムを用い
たリードフレーム及び半導体装置を提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、切断時に発
生するバリと接着剤フィルムの特性との関係について鋭
意研究した結果、特定組成のポリアミドイミド樹脂を接
着剤層に用いることにより信頼性を損なわずに切断時の
バリの発生を押さえることができることを見いだし、こ
の知見に基づき本発明を完成させた。即ち、本発明は、
支持フィルムの片面または両面に、接着剤層として対数
粘度が０．１ｄｌ／ｇ以上でブタジエン系ゴムが共重合
されたポリアミドイミド樹脂層を有する半導体用接着剤
フィルムに関する。本発明の好ましい態様は、該ブタジ
エン系ゴムが、重量平均分子量が１０００以上でカルボ
キシル基を含有する一種または二種以上の混合物であ
り、該ポリアミドイミド樹脂中の共重合量が１重量％以
上である。また、該ポリアミドイミド樹脂が、酸成分と
してシクロヘキサンジカルボン酸を有する。さらに、該
ポリアミドイミド樹脂が、アミン残基として、ジシクロ
ヘキシルメタン基及び／又はイソホロン基を含有する。
そして、該支持体フィルムがポリイミドフィルム又はポ
リエステルフィルムに関する。
生するバリと接着剤フィルムの特性との関係について鋭
意研究した結果、特定組成のポリアミドイミド樹脂を接
着剤層に用いることにより信頼性を損なわずに切断時の
バリの発生を押さえることができることを見いだし、こ
の知見に基づき本発明を完成させた。即ち、本発明は、
支持フィルムの片面または両面に、接着剤層として対数
粘度が０．１ｄｌ／ｇ以上でブタジエン系ゴムが共重合
されたポリアミドイミド樹脂層を有する半導体用接着剤
フィルムに関する。本発明の好ましい態様は、該ブタジ
エン系ゴムが、重量平均分子量が１０００以上でカルボ
キシル基を含有する一種または二種以上の混合物であ
り、該ポリアミドイミド樹脂中の共重合量が１重量％以
上である。また、該ポリアミドイミド樹脂が、酸成分と
してシクロヘキサンジカルボン酸を有する。さらに、該
ポリアミドイミド樹脂が、アミン残基として、ジシクロ
ヘキシルメタン基及び／又はイソホロン基を含有する。
そして、該支持体フィルムがポリイミドフィルム又はポ
リエステルフィルムに関する。
【０００６】また、本発明は、前記半導体用接着フィル
ムを貼り付けたリードフレームに関し、リードフレーム
と半導体素子を前記半導体用接着剤フィルムを介して接
着させてなる半導体装置に関する。
ムを貼り付けたリードフレームに関し、リードフレーム
と半導体素子を前記半導体用接着剤フィルムを介して接
着させてなる半導体装置に関する。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の半導体用接着剤フ
ィルムについて詳しく説明する。本発明に用いられる支
持体フィルムとしてはポリアミド、ポリイミド、ポリエ
ステル、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエー
テルエーテルケトン、ポリフェニレンサルファイド、ポ
リサルフォン等が用いられるが、耐熱性、絶縁性、価格
などからポリイミド又はポリエステルが好ましい。支持
体フィルムの厚さは５〜２００μｍが好ましく、２０〜
７５μｍがさらに好ましい。支持体フィルムは通常その
まま用いられるが、接着剤層との接着性を改良するため
に表面処理をしたものを用いてもよい。支持体フィルム
の表面処理としてはサンドマット加工やコロナ処理など
の物理加工やシランカップリング剤やポリエステル樹
脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂等の溶液を塗布す
る化学処理がありいずれの方法を用いてもかまわない。
ィルムについて詳しく説明する。本発明に用いられる支
持体フィルムとしてはポリアミド、ポリイミド、ポリエ
ステル、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエー
テルエーテルケトン、ポリフェニレンサルファイド、ポ
リサルフォン等が用いられるが、耐熱性、絶縁性、価格
などからポリイミド又はポリエステルが好ましい。支持
体フィルムの厚さは５〜２００μｍが好ましく、２０〜
７５μｍがさらに好ましい。支持体フィルムは通常その
まま用いられるが、接着剤層との接着性を改良するため
に表面処理をしたものを用いてもよい。支持体フィルム
の表面処理としてはサンドマット加工やコロナ処理など
の物理加工やシランカップリング剤やポリエステル樹
脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂等の溶液を塗布す
る化学処理がありいずれの方法を用いてもかまわない。
【０００８】本発明の半導体用接着剤フィルムの接着剤
層にはブタジエン系ゴムを共重合したポリアミドイミド
樹脂が用いられる。特開平１０−１５８５９９に記載さ
れるように通常のポリアミドイミド樹脂でも半導体用接
着剤フィルムの接着剤層として使用できる可能性はある
が、貼り合わせ温度が３００℃を超え、且つスリット時
のバリ発生が激しいという問題があった。本発明ではブ
タジエン系ゴムをポリアミドイミド樹脂に共重合させる
ことによって、ガラス転移温度を下げて貼り合わせ温度
を低下させ、また弾性率を低下させること及び支持体フ
ィルムへの接着性を向上させることによってスリット時
のバリの発生を抑えることができた。
層にはブタジエン系ゴムを共重合したポリアミドイミド
樹脂が用いられる。特開平１０−１５８５９９に記載さ
れるように通常のポリアミドイミド樹脂でも半導体用接
着剤フィルムの接着剤層として使用できる可能性はある
が、貼り合わせ温度が３００℃を超え、且つスリット時
のバリ発生が激しいという問題があった。本発明ではブ
タジエン系ゴムをポリアミドイミド樹脂に共重合させる
ことによって、ガラス転移温度を下げて貼り合わせ温度
を低下させ、また弾性率を低下させること及び支持体フ
ィルムへの接着性を向上させることによってスリット時
のバリの発生を抑えることができた。
【０００９】本発明のブタジエン系ゴムを共重合したポ
リアミドイミド樹脂は、トリメリット酸無水物（酸塩化
物）とジアミン或いはジイソシアネート及びブタジエン
系ゴムとを重合溶剤に溶解して加熱攪拌することで容易
に製造することができる。
リアミドイミド樹脂は、トリメリット酸無水物（酸塩化
物）とジアミン或いはジイソシアネート及びブタジエン
系ゴムとを重合溶剤に溶解して加熱攪拌することで容易
に製造することができる。
【００１０】重合温度は、通常５０℃〜２２０℃、好ま
しくは８０℃〜２００℃の範囲で行われる。
しくは８０℃〜２００℃の範囲で行われる。
【００１１】ジイソシアネート法で合成する場合、イソ
シアネートと酸成分中の活性水素との反応を促進するた
めに、トリエチルアミンやルチジン、ピコリン、トリエ
チレンジアミン等のアミン類、リチウムメトキサイド、
ナトリウムメトキサイド、カリウムブトキサイド、フッ
化カリウム、フッ化ナトリウムなどのアルカリ金属、ア
ルカリ土類金属化合物、或いはコバルト、チタニウム、
スズ、亜鉛などの金属、半金族化合物の触媒の存在下に
行ってもよい。
シアネートと酸成分中の活性水素との反応を促進するた
めに、トリエチルアミンやルチジン、ピコリン、トリエ
チレンジアミン等のアミン類、リチウムメトキサイド、
ナトリウムメトキサイド、カリウムブトキサイド、フッ
化カリウム、フッ化ナトリウムなどのアルカリ金属、ア
ルカリ土類金属化合物、或いはコバルト、チタニウム、
スズ、亜鉛などの金属、半金族化合物の触媒の存在下に
行ってもよい。
【００１２】本発明のブタジエン系ゴムを共重合したポ
リアミドイミドの合成に用いられる酸成分としてはトリ
メリット酸無水物が用いられるが、その一部を他の多価
カルボン酸及びそれらの無水物に置き換えることができ
る。多価カルボン酸無水物としては、ピロメリット酸無
水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、３、
３’、４、４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
無水物、３、３’、４、４’−ジフェニルテトラカルボ
ン酸無水物、４、４’−オキシジフタル酸無水物、エチ
レングリコールビスアンヒドロトリメリテート、プロピ
レングリコールビスアンヒドロトリメリテート、１、４
−ブタンジオールビスアンヒドロトリメリテート、ヘキ
サメチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート、
ポリエチレングリコールビスアンヒドロトリメリテー
ト、ポリプロピレングリコールビスアンヒドロトリメリ
テート等が挙げられるが、これらの中ではピロメリット
酸無水物及びエチレングリコールビスアンヒドロトリメ
リテートが可とう性、密着性、重合性及びコストの点か
ら好ましい。
リアミドイミドの合成に用いられる酸成分としてはトリ
メリット酸無水物が用いられるが、その一部を他の多価
カルボン酸及びそれらの無水物に置き換えることができ
る。多価カルボン酸無水物としては、ピロメリット酸無
水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、３、
３’、４、４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
無水物、３、３’、４、４’−ジフェニルテトラカルボ
ン酸無水物、４、４’−オキシジフタル酸無水物、エチ
レングリコールビスアンヒドロトリメリテート、プロピ
レングリコールビスアンヒドロトリメリテート、１、４
−ブタンジオールビスアンヒドロトリメリテート、ヘキ
サメチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート、
ポリエチレングリコールビスアンヒドロトリメリテー
ト、ポリプロピレングリコールビスアンヒドロトリメリ
テート等が挙げられるが、これらの中ではピロメリット
酸無水物及びエチレングリコールビスアンヒドロトリメ
リテートが可とう性、密着性、重合性及びコストの点か
ら好ましい。
【００１３】脂肪族及び脂環族ジカルボン酸としては、
シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン
酸、ビメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン
酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、
シクロヘキサンジカルボン酸及びこれらの酸塩化物など
が挙げられ、これらの中では、重合性や溶解性、透明
性、耐熱性、耐薬品性の点からシクロヘキサンジカルボ
ン酸が好ましい。
シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン
酸、ビメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン
酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、
シクロヘキサンジカルボン酸及びこれらの酸塩化物など
が挙げられ、これらの中では、重合性や溶解性、透明
性、耐熱性、耐薬品性の点からシクロヘキサンジカルボ
ン酸が好ましい。
【００１４】芳香族ジカルボン酸としては、イソフタル
酸、５ーｔｅｒｔーブチルー１、３ーベンゼンジカルボ
ン酸、テレフタル酸、ジフェニルメタンー４、４’ジカ
ルボン酸、ジフェニルメタンー２、４ージカルボン酸、
ジフェニルメタンー３、４ージカルボン酸、ジフェニル
メタンー３、３’ージカルボン酸、１、２ージフェニル
エタンー４、４’ジカルボン酸、ジフェニルエタンー
２、４ージカルボン酸、ジフェニルエタンー３、４ージ
カルボン酸、ジフェニルエタンー３、３’ージカルボン
酸、２、２’ービスー（４ーカルボキシフェニル）プロ
パン、２ー（２ーカルボキシフェニル）ー２ー（４ーカ
ルボキシフェニル）プロパン、２ー（３ーカルボキシフ
ェニル）ー２ー（４ーカルボキシフェニル）プロパン、
ジフェニルエーテルー４、４’ージカルボン酸、ジフェ
ニルエーテルー２、４ージカルボン酸、ジフェニルエー
テルー３、４ージカルボン酸、ジフェニルエーテルー
３、３’ージカルボン酸、ジフェニルスルホン４、４’
ジカルボン酸、ジフェニルスルホンー２、４ージカルボ
ン酸、ジフェニルスルホンー３、４ージカルボン酸、ジ
フェニルスルホンー３、３’ジカルボン酸、ベンゾフェ
ノンー４、４’ージカルボン酸、ベンゾフェノンー、３
３’ージカルボン酸、ピリジンー２、６ージカルボン
酸、ナフタレンジカルボン酸、ビスー［（４ーカルボキ
シ）フタルイミド］ー４、４’ージフェニルエーテル、
ビスー［（４ーカルボキシ）フタルイミド］ーα、α’
ーメタキシレン等及びこれらの酸塩化物が挙げられ、好
ましくはイソフタル酸、テレフタル酸である。
酸、５ーｔｅｒｔーブチルー１、３ーベンゼンジカルボ
ン酸、テレフタル酸、ジフェニルメタンー４、４’ジカ
ルボン酸、ジフェニルメタンー２、４ージカルボン酸、
ジフェニルメタンー３、４ージカルボン酸、ジフェニル
メタンー３、３’ージカルボン酸、１、２ージフェニル
エタンー４、４’ジカルボン酸、ジフェニルエタンー
２、４ージカルボン酸、ジフェニルエタンー３、４ージ
カルボン酸、ジフェニルエタンー３、３’ージカルボン
酸、２、２’ービスー（４ーカルボキシフェニル）プロ
パン、２ー（２ーカルボキシフェニル）ー２ー（４ーカ
ルボキシフェニル）プロパン、２ー（３ーカルボキシフ
ェニル）ー２ー（４ーカルボキシフェニル）プロパン、
ジフェニルエーテルー４、４’ージカルボン酸、ジフェ
ニルエーテルー２、４ージカルボン酸、ジフェニルエー
テルー３、４ージカルボン酸、ジフェニルエーテルー
３、３’ージカルボン酸、ジフェニルスルホン４、４’
ジカルボン酸、ジフェニルスルホンー２、４ージカルボ
ン酸、ジフェニルスルホンー３、４ージカルボン酸、ジ
フェニルスルホンー３、３’ジカルボン酸、ベンゾフェ
ノンー４、４’ージカルボン酸、ベンゾフェノンー、３
３’ージカルボン酸、ピリジンー２、６ージカルボン
酸、ナフタレンジカルボン酸、ビスー［（４ーカルボキ
シ）フタルイミド］ー４、４’ージフェニルエーテル、
ビスー［（４ーカルボキシ）フタルイミド］ーα、α’
ーメタキシレン等及びこれらの酸塩化物が挙げられ、好
ましくはイソフタル酸、テレフタル酸である。
【００１５】トリカルボン酸としては、ブタンー１、
２、４ートリカルボン酸、ナフタレン１、２、４ートリ
カルボン酸、トリメリット酸などが挙げられ、また、こ
れらの酸塩化物が挙げられる。
２、４ートリカルボン酸、ナフタレン１、２、４ートリ
カルボン酸、トリメリット酸などが挙げられ、また、こ
れらの酸塩化物が挙げられる。
【００１６】テトラカルボン酸としては、ブタンー１、
２、３、４ーテトラカルボン酸、ピロメリット酸、ベン
ゾフェノン３、３’、４、４’ーテトラカルボン酸、ジ
フェニルエーテルー３、３’、４、４’ーテトラカルボ
ン酸、ジフェニルエーテルー３、３’、４、４’ーテト
ラカルボン酸、ビフェニルー３、３’、４、４’テトラ
カルボン酸、ナフタレンー２、３、６、７ーテトラカル
ボン酸、ナフタレンー１、２、４、５ーテトラカルボン
酸、ナフタレンー１、４、５、８ーテトラカルボン酸等
が挙げられる。
２、３、４ーテトラカルボン酸、ピロメリット酸、ベン
ゾフェノン３、３’、４、４’ーテトラカルボン酸、ジ
フェニルエーテルー３、３’、４、４’ーテトラカルボ
ン酸、ジフェニルエーテルー３、３’、４、４’ーテト
ラカルボン酸、ビフェニルー３、３’、４、４’テトラ
カルボン酸、ナフタレンー２、３、６、７ーテトラカル
ボン酸、ナフタレンー１、２、４、５ーテトラカルボン
酸、ナフタレンー１、４、５、８ーテトラカルボン酸等
が挙げられる。
【００１７】これらの酸成分は一種でも二種以上の混合
物としても、トリメリット酸無水物と共に用いることが
できる。
物としても、トリメリット酸無水物と共に用いることが
できる。
【００１８】一方、アミン成分としてはジアミンおよび
ジイソシアネートが挙げられ、本発明では特に制限はな
いが、具体的には、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェ
ニレンジアミン、オキシジアニリン、メチレンジアミ
ン、ヘキサフルオロイソプロピリデンジアミン、ジアミ
ノｍ−キシリレン、ジアミノーｐ−キシリレン、１、４
ーナフタレンジアミン、１、５ナフタレンジアミン、
２、６ーナフタレンジアミン、２、７ーナフタレンジア
ミン、２、２’ービスー（４ーアミノフェニル）プロパ
ン、２、２’ービスー（４ーアミノフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン、４、４’ージアミノジフェニルスルホ
ン、４、４’ージアミノジフェニルエーテル、３、３’
ジアミノジフェニルスルホン、３、３’ジアミノジフェ
ニルエーテル、３、４ージアミノビフェニル、４、４’
ジアミノベンゾフェノン、３、４ージアミノジフェニル
エーテル、イソプロピリデンジアニリン、３、３’ジア
ミノベンゾフェノン、ｏ−トリジン、２、４ートリレン
ジアミン、１、３ービスー（３ーアミノフェノキシ）ベ
ンゼン、１、４ービスー（４ーアミノフェノキシ）ベン
ゼン、１、３ービスー（４ーアミノフェノキシ）ベンゼ
ン、２、２ービスー［４ー（４ーアミノフェノキシ）フ
ェニル］プロパン、ビスー［４ー（４ーアミノフェノキ
シ）フェニル］スルホン、ビスー［４ー（３ーアミノフ
ェノキシ）フェニル］スルホン、４、４’ービスー（４
ーアミノフェノキシ）ビフェニル、２、２’ービスー
［４ー（４ーアミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフル
オロプロパン、４、４’ージアミノジフェニルスルフィ
ド、３、３’ージアミノジフェニルスルフィド等の芳香
族ジアミン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、
テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、等
の脂肪族ジアミン、イソホロンジアミン、４、４’ジア
ミノジシクロヘキシルメタン等の脂環族ジアミン等が挙
げられる。また、上記ジアミンのアミノ基をーＮ＝Ｃ＝
Ｏ基で置き換えたイソシアネートが挙げられる。これら
の中では、４、４’ジアミノジフェニルメタン（４、
４’ジフェニルメタンジイソシアネート）と４、４’ジ
アミノジシクロヘキシルメタン（４、４’ジシクロヘキ
シルメタンジイソシアネート）及び／又はイソホロンジ
アミン（イソホロンジイソシアネート）の単独又は混合
物が反応性、コスト、溶解性、柔軟性の点から好まし
い。上記アミン成分は、単独で使用してもよいし、二種
以上を混合して用いてもよい。
ジイソシアネートが挙げられ、本発明では特に制限はな
いが、具体的には、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェ
ニレンジアミン、オキシジアニリン、メチレンジアミ
ン、ヘキサフルオロイソプロピリデンジアミン、ジアミ
ノｍ−キシリレン、ジアミノーｐ−キシリレン、１、４
ーナフタレンジアミン、１、５ナフタレンジアミン、
２、６ーナフタレンジアミン、２、７ーナフタレンジア
ミン、２、２’ービスー（４ーアミノフェニル）プロパ
ン、２、２’ービスー（４ーアミノフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン、４、４’ージアミノジフェニルスルホ
ン、４、４’ージアミノジフェニルエーテル、３、３’
ジアミノジフェニルスルホン、３、３’ジアミノジフェ
ニルエーテル、３、４ージアミノビフェニル、４、４’
ジアミノベンゾフェノン、３、４ージアミノジフェニル
エーテル、イソプロピリデンジアニリン、３、３’ジア
ミノベンゾフェノン、ｏ−トリジン、２、４ートリレン
ジアミン、１、３ービスー（３ーアミノフェノキシ）ベ
ンゼン、１、４ービスー（４ーアミノフェノキシ）ベン
ゼン、１、３ービスー（４ーアミノフェノキシ）ベンゼ
ン、２、２ービスー［４ー（４ーアミノフェノキシ）フ
ェニル］プロパン、ビスー［４ー（４ーアミノフェノキ
シ）フェニル］スルホン、ビスー［４ー（３ーアミノフ
ェノキシ）フェニル］スルホン、４、４’ービスー（４
ーアミノフェノキシ）ビフェニル、２、２’ービスー
［４ー（４ーアミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフル
オロプロパン、４、４’ージアミノジフェニルスルフィ
ド、３、３’ージアミノジフェニルスルフィド等の芳香
族ジアミン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、
テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、等
の脂肪族ジアミン、イソホロンジアミン、４、４’ジア
ミノジシクロヘキシルメタン等の脂環族ジアミン等が挙
げられる。また、上記ジアミンのアミノ基をーＮ＝Ｃ＝
Ｏ基で置き換えたイソシアネートが挙げられる。これら
の中では、４、４’ジアミノジフェニルメタン（４、
４’ジフェニルメタンジイソシアネート）と４、４’ジ
アミノジシクロヘキシルメタン（４、４’ジシクロヘキ
シルメタンジイソシアネート）及び／又はイソホロンジ
アミン（イソホロンジイソシアネート）の単独又は混合
物が反応性、コスト、溶解性、柔軟性の点から好まし
い。上記アミン成分は、単独で使用してもよいし、二種
以上を混合して用いてもよい。
【００１９】上記酸成分及びアミン成分は、通常、等モ
ル混合で合成されるが、必要に応じて、一方の成分を多
少増減させることもできる。
ル混合で合成されるが、必要に応じて、一方の成分を多
少増減させることもできる。
【００２０】本発明では、ポリアミドイミド樹脂の柔軟
性や接着性を更に改良してスリット時のバリの発生を抑
える目的で、酸成分の一部をブタジエン系のゴムに置き
換えることを特徴としている。。
性や接着性を更に改良してスリット時のバリの発生を抑
える目的で、酸成分の一部をブタジエン系のゴムに置き
換えることを特徴としている。。
【００２１】ブタジエン系のゴムとしては、ブタジエ
ン、アクリロニトリルーブタジエン、スチレンーブタジ
エンが好ましく、カルボキシル基を含有しているものが
好ましい。カルボキシル基はブタジエン系のゴムの骨格
分子中に存在していてもよいし、末端に存在していても
よい。その共重合量は、１重量％以上、好ましくは５重
量％以上である。共重合量が１重量％以下では本発明の
目的である柔軟性や接着性、スリット時のバリの発生が
十分改良されない。
ン、アクリロニトリルーブタジエン、スチレンーブタジ
エンが好ましく、カルボキシル基を含有しているものが
好ましい。カルボキシル基はブタジエン系のゴムの骨格
分子中に存在していてもよいし、末端に存在していても
よい。その共重合量は、１重量％以上、好ましくは５重
量％以上である。共重合量が１重量％以下では本発明の
目的である柔軟性や接着性、スリット時のバリの発生が
十分改良されない。
【００２２】ブタジエン系のゴムの分子量は上記目的を
達成するためには１０００以上、好ましくは３０００以
上必要である。
達成するためには１０００以上、好ましくは３０００以
上必要である。
【００２３】本発明のポリアミドイミド樹脂の重合に使
用される溶剤としては、Ｎーメチルー２ーピロリドン、
Ｎ，Ｎ’ージメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ’ージメチル
ホルムアミド、ジメチルイミダゾリジノン等のアミド系
溶剤、ジメチルスルホキシド、スルホラン等の硫黄系溶
剤、ニトロメタン、ニトロエタン等のニトロ系溶剤、ジ
グライム、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤、シ
クロヘキサノン、メチルエチルケトン等のケトン系溶
剤、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系
溶剤の他、γーブチロラクトンやテトラメチルウレア等
の比較的誘電率の高い溶剤などが挙げられ、これらの中
では、重合性の点から、Ｎーメチルー２ーピロリドン、
ジメチルイミダゾリジノン、γブチロラクトンが好まし
い。これらは、単独でも、混合溶剤としても使用でき、
さらにキシレン、トルエン等の比較的誘電率の低い溶剤
を混合して用いても構わない。
用される溶剤としては、Ｎーメチルー２ーピロリドン、
Ｎ，Ｎ’ージメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ’ージメチル
ホルムアミド、ジメチルイミダゾリジノン等のアミド系
溶剤、ジメチルスルホキシド、スルホラン等の硫黄系溶
剤、ニトロメタン、ニトロエタン等のニトロ系溶剤、ジ
グライム、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤、シ
クロヘキサノン、メチルエチルケトン等のケトン系溶
剤、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系
溶剤の他、γーブチロラクトンやテトラメチルウレア等
の比較的誘電率の高い溶剤などが挙げられ、これらの中
では、重合性の点から、Ｎーメチルー２ーピロリドン、
ジメチルイミダゾリジノン、γブチロラクトンが好まし
い。これらは、単独でも、混合溶剤としても使用でき、
さらにキシレン、トルエン等の比較的誘電率の低い溶剤
を混合して用いても構わない。
【００２４】このようにして得られたポリアミドイミド
樹脂の対数粘度は、強靭性、屈曲性等の点から０．１ｄ
ｌ／ｇ以上、好ましくは０．２ｄｌ／ｇ以上が必要であ
る。当該対数粘度が０．１ｄｌ／ｇ以下であると、柔軟
であっても樹脂は脆くなるため本発明の目的を達成でき
ない。
樹脂の対数粘度は、強靭性、屈曲性等の点から０．１ｄ
ｌ／ｇ以上、好ましくは０．２ｄｌ／ｇ以上が必要であ
る。当該対数粘度が０．１ｄｌ／ｇ以下であると、柔軟
であっても樹脂は脆くなるため本発明の目的を達成でき
ない。
【００２５】本発明の、ブタジエン系ゴムを共重合した
ポリアミドイミド樹脂は重合溶液をそのまま支持体フィ
ルムへコーテイングする事も可能であるが、汎用で沸点
の低い、乾燥が容易な溶剤に置換して用いることもでき
る。
ポリアミドイミド樹脂は重合溶液をそのまま支持体フィ
ルムへコーテイングする事も可能であるが、汎用で沸点
の低い、乾燥が容易な溶剤に置換して用いることもでき
る。
【００２６】溶剤置換を行う方法は特に限定されず、乾
式紡糸や湿式紡糸など、公知の技術を応用すればよい。
例えば，湿式法の場合、本発明のポリアミドイミド樹脂
の非溶剤で上記の重合溶剤と混和する溶剤、好ましくは
水からなる凝固浴中に概ポリアミドイミド樹脂溶液をノ
ズルから押し出して、凝固、脱溶剤した後、乾燥して、
低沸点汎用溶剤に再溶解すればよい。
式紡糸や湿式紡糸など、公知の技術を応用すればよい。
例えば，湿式法の場合、本発明のポリアミドイミド樹脂
の非溶剤で上記の重合溶剤と混和する溶剤、好ましくは
水からなる凝固浴中に概ポリアミドイミド樹脂溶液をノ
ズルから押し出して、凝固、脱溶剤した後、乾燥して、
低沸点汎用溶剤に再溶解すればよい。
【００２７】低沸点汎用溶剤としては、ポリマー組成に
よって異なってくるが、シクロヘキサノン、シクロペン
タノン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン
等のケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエ
ーテル類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソ
プロピルアルコール、ブチルアルコール等のアルコール
類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類の一
種又は二種以上の混合溶剤が挙げられ、目的によっても
選択することができるが、価格や溶解性、安全性などの
点から最も好ましいのは、上記アルコール類と炭化水素
系の混合溶剤である。
よって異なってくるが、シクロヘキサノン、シクロペン
タノン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン
等のケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエ
ーテル類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソ
プロピルアルコール、ブチルアルコール等のアルコール
類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類の一
種又は二種以上の混合溶剤が挙げられ、目的によっても
選択することができるが、価格や溶解性、安全性などの
点から最も好ましいのは、上記アルコール類と炭化水素
系の混合溶剤である。
【００２８】本発明のブタジエン系ゴムを共重合したポ
リアミドイミド樹脂はそのまま使用しても優れた耐熱
性、接着性、耐薬品性、柔軟性等を発揮して、半導体用
接着フィルムに好適であるが必要に応じてアクリル系樹
脂やポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、
多官能イソシアネート化合物、炭素粒子や酸化チタン、
酸化珪素、炭酸カルシウムなどの無機フィラー、染料、
顔料、界面活性剤などの帯電防止剤などをポリアミドイ
ミド樹脂本来の性能を損なわない範囲で配合してもかま
わない。
リアミドイミド樹脂はそのまま使用しても優れた耐熱
性、接着性、耐薬品性、柔軟性等を発揮して、半導体用
接着フィルムに好適であるが必要に応じてアクリル系樹
脂やポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、
多官能イソシアネート化合物、炭素粒子や酸化チタン、
酸化珪素、炭酸カルシウムなどの無機フィラー、染料、
顔料、界面活性剤などの帯電防止剤などをポリアミドイ
ミド樹脂本来の性能を損なわない範囲で配合してもかま
わない。
【００２９】本発明の半導体用接着フィルムの製造方法
としては、前記ブタジエン系ゴムを共重合したポリアミ
ドイミド樹脂溶液をポリイミド又はポリエステル支持体
フィルムにコーテイング、乾燥して２層又は３層のフィ
ルム状接着剤にする。
としては、前記ブタジエン系ゴムを共重合したポリアミ
ドイミド樹脂溶液をポリイミド又はポリエステル支持体
フィルムにコーテイング、乾燥して２層又は３層のフィ
ルム状接着剤にする。
【００３０】コーテイング方法には特に制限はないが、
例えば、リバースロールコーター、グラビアロールコー
ター、コンマコーター、スリットダイコーター、バーコ
ーター等が用いられる。コーテイング後溶剤を乾燥除去
して接着剤層を形成させる。接着剤層の厚みは１〜７５
μｍが好ましく、１０〜３０μｍが更に好ましい。この
ようにして得られたフィルムは図１のような構成にな
る。このフィルムは、半導体用の接着フィルムとして使
用することができる。図１において１は支持体フィル
ム、２は接着剤層である。
例えば、リバースロールコーター、グラビアロールコー
ター、コンマコーター、スリットダイコーター、バーコ
ーター等が用いられる。コーテイング後溶剤を乾燥除去
して接着剤層を形成させる。接着剤層の厚みは１〜７５
μｍが好ましく、１０〜３０μｍが更に好ましい。この
ようにして得られたフィルムは図１のような構成にな
る。このフィルムは、半導体用の接着フィルムとして使
用することができる。図１において１は支持体フィル
ム、２は接着剤層である。
【００３１】また、本発明の半導体用接着フィルムを用
いると、信頼性に優れた接着剤付きリードフレームを作
業性、歩留まりよく簡便に製造することができる。例え
ば、前期フィルムを所定の大きさに打ち抜くか切り取っ
たものを、リードフィルに１５０℃〜３００℃、５〜１
００Ｋｇ／ｃｍで１秒〜５分圧着する方法がある。
いると、信頼性に優れた接着剤付きリードフレームを作
業性、歩留まりよく簡便に製造することができる。例え
ば、前期フィルムを所定の大きさに打ち抜くか切り取っ
たものを、リードフィルに１５０℃〜３００℃、５〜１
００Ｋｇ／ｃｍで１秒〜５分圧着する方法がある。
【００３２】また、本発明のフィルムを用いると信頼性
に優れた高容量の半導体を作業性、歩留まりよく簡便に
製造することができる。例えば、前期フィルムを所定の
大きさに打ち抜くか、切り取ったものを、リードフレー
ムと半導体素子との間に挟み１５０℃〜３００℃、５〜
１００ｋｇ／ｃｍ2で１秒〜５分間加熱、圧着した後リ
ードフレームと半導体素子を金線などで接合しエポキシ
樹脂などの成形材料でトランスファ成形して封止する事
により半導体装置を製造することができる。
に優れた高容量の半導体を作業性、歩留まりよく簡便に
製造することができる。例えば、前期フィルムを所定の
大きさに打ち抜くか、切り取ったものを、リードフレー
ムと半導体素子との間に挟み１５０℃〜３００℃、５〜
１００ｋｇ／ｃｍ2で１秒〜５分間加熱、圧着した後リ
ードフレームと半導体素子を金線などで接合しエポキシ
樹脂などの成形材料でトランスファ成形して封止する事
により半導体装置を製造することができる。
【００３３】
【実施例】以下に、実施例を示し、本発明を更に詳しく
説明するが、本発明はこれらの実施例によって制限され
るものではない。尚、実施例中のポリマーの特性は以下
の方法で測定した。
説明するが、本発明はこれらの実施例によって制限され
るものではない。尚、実施例中のポリマーの特性は以下
の方法で測定した。
【００３４】１，対数粘度；ポリマー０．５ｇを１００
ｍｌのＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解し、ウベロー
デ粘度管によって測定した。 ２，ガラス転移温度；レオロジー社製動的粘弾性測定装
置を用いた。 ３，接着力；東洋ボールドウイン社製テンシロンを用い
てＴ型剥離強度を測定した。
ｍｌのＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解し、ウベロー
デ粘度管によって測定した。 ２，ガラス転移温度；レオロジー社製動的粘弾性測定装
置を用いた。 ３，接着力；東洋ボールドウイン社製テンシロンを用い
てＴ型剥離強度を測定した。
【００３５】（実施例１〜４）反応容器に、トリメリッ
ト酸無水物（ＴＭＡ）、ジフェニルメタンジイソシアネ
ート（ＭＤＩ）、カルボキシル基末端アクリロニトリル
ーブタジエンゴム（宇部興産製ＨＹＣＡＲ−ＣＴＢＮ１
３００×１３：アクリロニトリル２７％）とＮ−メチル
ー２ーピロリドン（ＮＭＰ）を表１に示す処方で仕込
み、１２０℃で約１時間反応させた後、１７０℃に昇温
して５時間反応させた。冷却しながら更にＮ−メチル２
−ピロリドンを加えて、固形分濃度が２０％のポリマー
溶液を得た。このポリマーの物性を表１に示す。これら
のポリマー溶液を５０μのポリイミドフィルム（宇部興
産製ユーピレックスＳ）の両面に乾燥膜厚が２５μとな
るように塗布、１００℃で１０分乾燥後、２５０℃で１
時間加熱を順次行い図１に示す構成の接着フィルムを得
た。得られた接着フィルムを５ｍｍ幅にスリットして端
部を顕微鏡で観察した結果いずれもバリはなく、切断性
は良好であった。さらにこのフィルムを短冊状に打ち抜
き、厚さが０．２ｍｍの鉄ーニッケル合金製のリードフ
レームの上に０．２ｍｍ間隔、０．２ｍｍ幅のインナー
リードが当たるように乗せて２５０℃で５０ｋｇ／ｃｍ
2の圧力で５秒間加圧して圧着したところ、バリがない
ために接着フィルムとインナーリード間にバリが入り込
むことなく良好な接着状態が得られた。また、このリー
ドフレームの接着剤層面に半導体素子を３００℃、３０
Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で５秒間熱圧着し、その後リードフ
レームと半導体素子を金線でワイヤボンデイングしてエ
ポキシ樹脂成形材料でトランスファ成形しモールドし
た。この半導体装置は接着フィルムとインナーリード
間、接着フィルムと半導体素子間にバリによる接着不良
はなく、ワイヤボンデイング性も良好であった。
ト酸無水物（ＴＭＡ）、ジフェニルメタンジイソシアネ
ート（ＭＤＩ）、カルボキシル基末端アクリロニトリル
ーブタジエンゴム（宇部興産製ＨＹＣＡＲ−ＣＴＢＮ１
３００×１３：アクリロニトリル２７％）とＮ−メチル
ー２ーピロリドン（ＮＭＰ）を表１に示す処方で仕込
み、１２０℃で約１時間反応させた後、１７０℃に昇温
して５時間反応させた。冷却しながら更にＮ−メチル２
−ピロリドンを加えて、固形分濃度が２０％のポリマー
溶液を得た。このポリマーの物性を表１に示す。これら
のポリマー溶液を５０μのポリイミドフィルム（宇部興
産製ユーピレックスＳ）の両面に乾燥膜厚が２５μとな
るように塗布、１００℃で１０分乾燥後、２５０℃で１
時間加熱を順次行い図１に示す構成の接着フィルムを得
た。得られた接着フィルムを５ｍｍ幅にスリットして端
部を顕微鏡で観察した結果いずれもバリはなく、切断性
は良好であった。さらにこのフィルムを短冊状に打ち抜
き、厚さが０．２ｍｍの鉄ーニッケル合金製のリードフ
レームの上に０．２ｍｍ間隔、０．２ｍｍ幅のインナー
リードが当たるように乗せて２５０℃で５０ｋｇ／ｃｍ
2の圧力で５秒間加圧して圧着したところ、バリがない
ために接着フィルムとインナーリード間にバリが入り込
むことなく良好な接着状態が得られた。また、このリー
ドフレームの接着剤層面に半導体素子を３００℃、３０
Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で５秒間熱圧着し、その後リードフ
レームと半導体素子を金線でワイヤボンデイングしてエ
ポキシ樹脂成形材料でトランスファ成形しモールドし
た。この半導体装置は接着フィルムとインナーリード
間、接着フィルムと半導体素子間にバリによる接着不良
はなく、ワイヤボンデイング性も良好であった。
【００３６】（実施例５）実施例３のトリメリット酸無
水物の量を１．１倍にした以外は実施例３と同じ原料組
成で重合を行った。このポリマーの物性を表１に示す。
又このポリマーを用い実施例１と同じ方法で半導体用接
着フィルム及びこれを用いたリードフレーム、半導体装
置を作成した結果支持体フィルムや半導体素子に対する
接着性が良好でスリット時のバリの発生もなくワイヤボ
ンデイング性も良好であった。
水物の量を１．１倍にした以外は実施例３と同じ原料組
成で重合を行った。このポリマーの物性を表１に示す。
又このポリマーを用い実施例１と同じ方法で半導体用接
着フィルム及びこれを用いたリードフレーム、半導体装
置を作成した結果支持体フィルムや半導体素子に対する
接着性が良好でスリット時のバリの発生もなくワイヤボ
ンデイング性も良好であった。
【００３７】（比較例１）反応容器に、トリメリット酸
無水物１９２ｇ、ジフェニルメタンジイソシアネート２
５０ｇ、Ｎーメチルー２ーピロリドン５３１ｇを仕込
み、実施例１と同じ条件で反応させた後、８８５ｇのＮ
ーメチルー２ーピロリドンを加えて、固形分濃度が２０
％のポリマー溶液を得た。このポリマーの物性を表１に
示す。このポリマーを用いて実施例１と同じ方法で半導
体用接着フィルム及びこれを用いたリードフレーム、半
導体装置を作成したが支持体フィルムや半導体素子への
接着性が不十分で接着フィルムのスリット時にバリが発
生した。
無水物１９２ｇ、ジフェニルメタンジイソシアネート２
５０ｇ、Ｎーメチルー２ーピロリドン５３１ｇを仕込
み、実施例１と同じ条件で反応させた後、８８５ｇのＮ
ーメチルー２ーピロリドンを加えて、固形分濃度が２０
％のポリマー溶液を得た。このポリマーの物性を表１に
示す。このポリマーを用いて実施例１と同じ方法で半導
体用接着フィルム及びこれを用いたリードフレーム、半
導体装置を作成したが支持体フィルムや半導体素子への
接着性が不十分で接着フィルムのスリット時にバリが発
生した。
【００３８】（比較例２）反応容器に、実施例３と同じ
処方で原料を仕込み、８０℃で約１時間反応させた後ｎ
−ブタノール／Ｎ−メチルー２ーピロリドン（１０／９
０重量％）の混合溶液９７０ｇを加えて反応を停止させ
た固形分濃度が２０％のポリマー溶液を得たこのポリマ
ーの物性を表１に示す。このポリマー溶液を用いて実施
例１と同じ方法で半導体用接着フィルム作成したがこの
ポリマーの分子量が低いため脆く、支持体フィルムへの
接着性が不十分で接着フィルムのスリット時にバリが発
生した。
処方で原料を仕込み、８０℃で約１時間反応させた後ｎ
−ブタノール／Ｎ−メチルー２ーピロリドン（１０／９
０重量％）の混合溶液９７０ｇを加えて反応を停止させ
た固形分濃度が２０％のポリマー溶液を得たこのポリマ
ーの物性を表１に示す。このポリマー溶液を用いて実施
例１と同じ方法で半導体用接着フィルム作成したがこの
ポリマーの分子量が低いため脆く、支持体フィルムへの
接着性が不十分で接着フィルムのスリット時にバリが発
生した。
【００３９】（実施例６）実施例３のカルボキシル基末
端のアクリロニトリル−ブタジエンゴムをブタジエンゴ
ム（宇部興産製ＨＹＣＡＲ−ＣＴＢ２０００×１６２）
に変えて実施例３と同じ条件で反応を行った。このポリ
マーの物性を表１に示す。このポリマー溶液を用いて実
施例１と同じ方法で半導体用接着フィルム及びこれを用
いたリードフレーム、半導体装置を作成した。このポリ
マーの支持体フィルム及び半導体素子に対する接着性は
十分で、この接着フィルムをスリットしてもバリは発生
せず、ワイヤボンデイングに耐える耐熱性を示した。
端のアクリロニトリル−ブタジエンゴムをブタジエンゴ
ム（宇部興産製ＨＹＣＡＲ−ＣＴＢ２０００×１６２）
に変えて実施例３と同じ条件で反応を行った。このポリ
マーの物性を表１に示す。このポリマー溶液を用いて実
施例１と同じ方法で半導体用接着フィルム及びこれを用
いたリードフレーム、半導体装置を作成した。このポリ
マーの支持体フィルム及び半導体素子に対する接着性は
十分で、この接着フィルムをスリットしてもバリは発生
せず、ワイヤボンデイングに耐える耐熱性を示した。
【００４０】
【表１】
【００４１】（実施例７）反応容器に，トリメリット酸
無水物９１ｇ、シクロヘキサンジカルボン酸８２ｇ、イ
ソホロンジイソシアネート２２９ｇ、フッ化カリウム
１．１６ｇ、ＨＹＣＡＲ−ＣＴＢＮ１３００×１３を１
７５ｇをγ−ブチロラクトン４８９ｇと共に仕込み、１
２０℃で１．５時間反応させた後、１８０℃に昇温して
約３時間反応させた。冷却しながら６５２ｇのエタノー
ルを加えて固形分濃度３０％のポリマー溶液を得た。こ
のポリマー溶液を大量の水中に投入して凝固させ、十分
洗浄した後乾燥させた白色のポリマー粉をエタノール／
トルエン（５０／５０重量比）の混合溶剤に固形分濃度
が２５％となるように溶解した。ポリマーの物性を表２
に示す。このポリマー溶液を５０μのポリエステル（東
洋紡Ａ４１００）フィルムの両面に乾燥膜厚が２５μと
なるように塗布、１００℃で１０分乾燥を行い図１に示
す構成の接着フィルムを作成した。この接着フィルムの
スリット性、及びこの接着フィルムを用いたリードフレ
ーム、半導体装置の製造を実施例１と同じ方法で行った
ところ接着フィルムとインナーリード間及び半導体素子
間の接着性は良好でワイヤボンデイングに耐える耐熱性
を示した。
無水物９１ｇ、シクロヘキサンジカルボン酸８２ｇ、イ
ソホロンジイソシアネート２２９ｇ、フッ化カリウム
１．１６ｇ、ＨＹＣＡＲ−ＣＴＢＮ１３００×１３を１
７５ｇをγ−ブチロラクトン４８９ｇと共に仕込み、１
２０℃で１．５時間反応させた後、１８０℃に昇温して
約３時間反応させた。冷却しながら６５２ｇのエタノー
ルを加えて固形分濃度３０％のポリマー溶液を得た。こ
のポリマー溶液を大量の水中に投入して凝固させ、十分
洗浄した後乾燥させた白色のポリマー粉をエタノール／
トルエン（５０／５０重量比）の混合溶剤に固形分濃度
が２５％となるように溶解した。ポリマーの物性を表２
に示す。このポリマー溶液を５０μのポリエステル（東
洋紡Ａ４１００）フィルムの両面に乾燥膜厚が２５μと
なるように塗布、１００℃で１０分乾燥を行い図１に示
す構成の接着フィルムを作成した。この接着フィルムの
スリット性、及びこの接着フィルムを用いたリードフレ
ーム、半導体装置の製造を実施例１と同じ方法で行った
ところ接着フィルムとインナーリード間及び半導体素子
間の接着性は良好でワイヤボンデイングに耐える耐熱性
を示した。
【００４２】（比較例３）反応容器に、トリメリット酸
無水物を９６ｇ、シクロヘキサンジカルボン酸を８６
ｇ、イソホロンジイソシアネートを２２９ｇ、フッ化カ
リウム１．１６ｇとγーブチロラクトン３２３ｇを仕込
み実施例７と同じ条件でポリアミドイミド樹脂を合成、
水中で凝固、洗浄、乾燥し、エタノール／トルエン（５
０／５０重量％）に２５％となるように溶解した。この
ポリマーの物性を表２に示す。このポリマー溶液を用い
て実施例７と同様の条件で接着フィルムを作成しようと
したがこのポリマーはポリエステルフィルムに接着しな
いためスリット時に簡単に剥離してしまった。
無水物を９６ｇ、シクロヘキサンジカルボン酸を８６
ｇ、イソホロンジイソシアネートを２２９ｇ、フッ化カ
リウム１．１６ｇとγーブチロラクトン３２３ｇを仕込
み実施例７と同じ条件でポリアミドイミド樹脂を合成、
水中で凝固、洗浄、乾燥し、エタノール／トルエン（５
０／５０重量％）に２５％となるように溶解した。この
ポリマーの物性を表２に示す。このポリマー溶液を用い
て実施例７と同様の条件で接着フィルムを作成しようと
したがこのポリマーはポリエステルフィルムに接着しな
いためスリット時に簡単に剥離してしまった。
【００４３】
【表２】
【００４４】
【発明の効果】本発明のブタジエン系ゴムを共重合した
ポリアミドイミド樹脂は耐熱性、支持対フィルムへの接
着性に優れ、バリの発生がないため歩留まりよく半導体
用接着フィルムを製造することができ、このフィルムを
用いることにより信頼性の高いリードフレーム及び半導
体装置を製造することができる。
ポリアミドイミド樹脂は耐熱性、支持対フィルムへの接
着性に優れ、バリの発生がないため歩留まりよく半導体
用接着フィルムを製造することができ、このフィルムを
用いることにより信頼性の高いリードフレーム及び半導
体装置を製造することができる。
【図１】本発明に係る半導体用接着剤フィルムの１例の
構成図である。
構成図である。
１ 接着剤層 ２ 支持体フィルム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J004 AA11 AB05 CA06 CC02 EA05 FA05 4J040 CA061 CA071 DL151 DM00 EH031 GA07 GA32 JA09 LA01 LA11 NA20 4J043 PA04 PA08 QB23 QB26 QB32 SA06 SA11 SB01 TA23 TA33 TB01 UA011 UA042 UA122 UA362 UB012 UB122 UB152 UB302 VA012 VA052 ZA02 ZB01 ZB11 ZB47 5F067 AA01 BE10 CC02 CC08
Claims (7)
- 【請求項１】 支持フィルムの片面または両面に、接着
剤層として対数粘度が０．１ｄｌ／ｇ以上でブタジエン
系ゴムが共重合されたポリアミドイミド樹脂層を有する
半導体用接着剤フィルム。 - 【請求項２】 該ブタジエン系ゴムが、重量平均分子量
が１０００以上でカルボキシル基を含有する一種または
二種以上の混合物であり、該ポリアミドイミド樹脂中の
共重合量が１重量％以上であることを特徴とする請求項
１に記載の半導体用接着剤フィルム。 - 【請求項３】 該ポリアミドイミド樹脂が、酸成分とし
てシクロヘキサンジカルボン酸を有することを特徴とす
る請求項１〜２のいずれかに記載の半導体用接着剤フィ
ルム。 - 【請求項４】 該ポリアミドイミド樹脂が、アミン残基
として、ジシクロヘキシルメタン基及び／又はイソホロ
ン基を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれ
かに記載の半導体用接着剤フィルム。 - 【請求項５】 該支持体フィルムがポリイミドフィルム
又はポリエステルフィルムであることを特徴とする請求
項１〜４のいずれかに記載の半導体用接着剤フィルム。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載の半導体
用接着剤フィルムを貼り付けたリードフレーム。 - 【請求項７】 請求項１〜５のいずれかに記載の半導体
用接着剤フィルムを介してリードフレームと半導体素子
を接着させてなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18359999A JP4686799B2 (ja) | 1999-06-29 | 1999-06-29 | 半導体用接着剤フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18359999A JP4686799B2 (ja) | 1999-06-29 | 1999-06-29 | 半導体用接着剤フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001011421A true JP2001011421A (ja) | 2001-01-16 |
| JP4686799B2 JP4686799B2 (ja) | 2011-05-25 |
Family
ID=16138641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18359999A Expired - Fee Related JP4686799B2 (ja) | 1999-06-29 | 1999-06-29 | 半導体用接着剤フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4686799B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004044834A1 (en) * | 2002-11-12 | 2004-05-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Data carrier with a module with a reinforcement strip |
| JP2006265304A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Tokai Rubber Ind Ltd | 接着剤組成物およびそれを用いたフレキシブル印刷配線板 |
| JP2007253516A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Toyobo Co Ltd | ポリイミドフィルム |
| JP2008254261A (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Toyobo Co Ltd | 金属化高分子フィルム及びそのロール |
| JP2009132929A (ja) * | 2003-05-21 | 2009-06-18 | Hitachi Chem Co Ltd | プライマ、樹脂付き導体箔、積層板並びに積層板の製造方法 |
| WO2009145179A1 (ja) * | 2008-05-26 | 2009-12-03 | 三井金属鉱業株式会社 | 多層フレキシブルプリント配線板の接着層形成用の樹脂組成物 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0598232A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 耐熱性接着剤用組成物、耐熱性接着剤、耐熱性接着剤層付きフイルム、印刷回路用基板及び半導体装置 |
| JPH0892543A (ja) * | 1994-09-20 | 1996-04-09 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 耐熱性ホットメルト接着剤組成物 |
| JPH0913001A (ja) * | 1995-06-27 | 1997-01-14 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 電子部品用液状接着剤および電子部品用接着テープ |
| JPH10168204A (ja) * | 1996-12-16 | 1998-06-23 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体用接着フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置 |
| JPH1121455A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-26 | Toyobo Co Ltd | ポリアミドイミド樹脂組成物およびそれを用いた非水電解質二次電池および回路基板 |
-
1999
- 1999-06-29 JP JP18359999A patent/JP4686799B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0598232A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 耐熱性接着剤用組成物、耐熱性接着剤、耐熱性接着剤層付きフイルム、印刷回路用基板及び半導体装置 |
| JPH0892543A (ja) * | 1994-09-20 | 1996-04-09 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 耐熱性ホットメルト接着剤組成物 |
| JPH0913001A (ja) * | 1995-06-27 | 1997-01-14 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 電子部品用液状接着剤および電子部品用接着テープ |
| JPH10168204A (ja) * | 1996-12-16 | 1998-06-23 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体用接着フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置 |
| JPH1121455A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-26 | Toyobo Co Ltd | ポリアミドイミド樹脂組成物およびそれを用いた非水電解質二次電池および回路基板 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004044834A1 (en) * | 2002-11-12 | 2004-05-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Data carrier with a module with a reinforcement strip |
| JP2009132929A (ja) * | 2003-05-21 | 2009-06-18 | Hitachi Chem Co Ltd | プライマ、樹脂付き導体箔、積層板並びに積層板の製造方法 |
| JP2009221480A (ja) * | 2003-05-21 | 2009-10-01 | Hitachi Chem Co Ltd | プライマ、樹脂付き導体箔、積層板並びに積層板の製造方法 |
| US8507100B2 (en) | 2003-05-21 | 2013-08-13 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Primer, conductor foil with resin, laminated sheet and method of manufacturing laminated sheet |
| JP2006265304A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Tokai Rubber Ind Ltd | 接着剤組成物およびそれを用いたフレキシブル印刷配線板 |
| JP4704082B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2011-06-15 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | 接着剤組成物およびそれを用いたフレキシブル印刷配線板 |
| JP2007253516A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Toyobo Co Ltd | ポリイミドフィルム |
| JP2008254261A (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Toyobo Co Ltd | 金属化高分子フィルム及びそのロール |
| WO2009145179A1 (ja) * | 2008-05-26 | 2009-12-03 | 三井金属鉱業株式会社 | 多層フレキシブルプリント配線板の接着層形成用の樹脂組成物 |
| JP5430563B2 (ja) * | 2008-05-26 | 2014-03-05 | 三井金属鉱業株式会社 | 多層フレキシブルプリント配線板の接着層形成用の樹脂組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4686799B2 (ja) | 2011-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1496094B1 (en) | An adhesive sheet based on a siloxane-modified polyamideimide resin composition, and a CSP board and a semiconductor device produced by using the sheet | |
| TWI378983B (en) | Adhesive film and utilization thereof | |
| TW200909202A (en) | Metal-resin laminate | |
| KR100481347B1 (ko) | 반도체용 접착 필름, 및 이것을 이용한 반도체용 접착필름 부착 리드 프레임 및 반도체 장치 | |
| JP3931387B2 (ja) | ポリアミドイミド樹脂およびそれを用いた非水電解質二次電池および回路基板 | |
| WO2007010902A1 (ja) | 半導体用熱可塑性樹脂組成物、これを用いた接着フィルム、リードフレーム、半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP5092452B2 (ja) | 改質ポリアミドイミド樹脂、これを用いた接着剤およびプリント回路基板 | |
| JP4686799B2 (ja) | 半導体用接着剤フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置 | |
| JP4686798B2 (ja) | 半導体用接着剤フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置 | |
| JPH1121454A (ja) | ポリアミドイミド樹脂組成物およびそれを用いた非水電解質二次電池および回路基板 | |
| JP5129108B2 (ja) | ポリアミド酸ワニス組成物、ポリイミド樹脂、および金属−ポリイミド複合体 | |
| US20050255278A1 (en) | Adhesive film, lead frame with adhesive film, and semiconductor device using same | |
| JP4240284B2 (ja) | 導電性ペースト | |
| JP2008229866A (ja) | 接着性フィルムおよび半導体装置 | |
| JP2000208564A (ja) | Ｌｏｃ用テ―プ | |
| JP4206685B2 (ja) | 接着剤組成物、接着剤シートおよびこれらを用いたプリント回路基板 | |
| JP2008045036A (ja) | ポリアミド樹脂およびそれを用いた組成物、接着剤、接着剤シートおよびプリント回路基板 | |
| JPH11157026A (ja) | 積層体およびその製法 | |
| JP2000119419A (ja) | 共重合ポリイミドフィルム、その製造方法およびこれを基材とした金属配線回路板 | |
| JP2002088325A (ja) | 半導体用接着フィルムの製造方法及び半導体装置 | |
| JPH10330480A (ja) | ポリアミド共重合体 | |
| JP4316931B2 (ja) | 芳香族ポリイミド組成物から成るフィルムおよびその製造方法 | |
| JP3109707B2 (ja) | 耐熱性接着剤及びそれを含む半導体パッケージ | |
| JP2001329243A (ja) | 接着剤、接着フィルム、接着フィルム付きリードフレーム及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP3729290B2 (ja) | 共重合ポリイミド樹脂 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060629 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091126 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100120 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100729 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110118 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110131 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4686799 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140225 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |